特許 7572594 検出装置及び検出方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-15

(45)【発行日】2024-10-23

(54)【発明の名称】検出装置及び検出方法

(51)【国際特許分類】

   C25D 21/12 20060101AFI20241016BHJP

   C25D 17/06 20060101ALI20241016BHJP

   G01R 27/02 20060101ALI20241016BHJP

【ＦＩ】

C25D21/12 C

C25D17/06 C

G01R27/02 R

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2024539822

(86)(22)【出願日】2024-03-28

(86)【国際出願番号】 JP2024012769

【審査請求日】2024-07-01

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000000239

【氏名又は名称】株式会社荏原製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100106208

【弁理士】

【氏名又は名称】宮前 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100146710

【弁理士】

【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男

(74)【代理人】

【識別番号】100186613

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100163061

【弁理士】

【氏名又は名称】山田 祐樹

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼橋 直人

【審査官】祢屋 健太郎

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－１５９１３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０２０－５２６６６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１３／０２５６１４６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１１３１２２８９９（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２５Ｄ ９／００－９／１２

Ｃ２５Ｄ １３／００－２１／２２

Ｇ０１Ｎ ２７／００－２７／９２

Ｇ０１Ｒ ２７／００－２７／３２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

めっき装置のシール部材の抵抗を検出するための検出装置であって、
前記めっき装置は、アノードが配置されためっき槽と、カソードとしての基板にめっきを施すめっき処理時に前記基板の被めっき面が前記アノードに対向するように前記基板を保持するように構成されたホルダと、前記めっき処理時に前記基板の前記被めっき面に接触するように構成された接触部位を有する前記シール部材と、を備え、
前記検出装置は、
前記接触部位の抵抗を検出する抵抗検出時に、前記基板の代わりに前記ホルダに保持されるように構成されるとともに、前記抵抗検出時に前記ホルダに保持された場合に前記接触部位に対向する所定面を有する、プレート部材と、
前記プレート部材の前記所定面に配置されて、前記抵抗検出時に前記接触部位に接触するように構成された第１電極と、
前記プレート部材の前記所定面に配置されて、前記抵抗検出時に前記接触部位における前記第１電極が接触する部位とは異なる部位に接触するように構成された第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極と電気的に接続されるとともに、前記抵抗検出時に前記第１電極と前記第２電極との間の抵抗を検出することで前記接触部位の抵抗を検出するように構成された抵抗検出器と、を備える、検出装置。

【請求項2】

前記シール部材の前記接触部位は、環状に構成され、
前記第１電極は、環状に構成された第１環状部位を有し、
前記第２電極は、環状に構成された第２環状部位を有し、
前記第２環状部位は、前記第１環状部位の径方向で前記第１環状部位よりも中央の側に配置され、且つ、前記第１環状部位の径よりも小さい径を有する、請求項１に記載の検出装置。

【請求項3】

前記プレート部材の前記所定面には、環状に構成された溝が設けられ、
前記溝は、前記抵抗検出時に前記接触部位が前記溝に嵌るように構成されている、請求項２に記載の検出装置。

【請求項4】

前記第１電極は、前記第１環状部位から前記第２環状部位に向かって延在する、複数の第１枝電極を有し、
前記第２電極は、前記第２環状部位から前記第１環状部位に向かって延在する、複数の第２枝電極を有し、
前記複数の第１枝電極は、前記溝に配置された部位を有し、
前記複数の第２枝電極は、前記溝に配置された部位を有する、請求項３に記載の検出装置。

【請求項5】

前記プレート部材は、前記めっき処理時においては、前記基板の前記被めっき面とは反対側にある背面に、前記所定面が接触するように、前記ホルダに保持される、請求項１に記載の検出装置。

【請求項6】

請求項１に記載の前記検出装置を用いた検出方法であって、
前記プレート部材が前記ホルダに保持された状態で、前記第１電極を前記シール部材の前記接触部位に接触させ、前記第２電極を前記シール部材の前記接触部位における前記第１電極が接触する部位とは異なる部位に接触させることと、
前記抵抗検出器に前記第１電極と前記第２電極との間の抵抗を検出させることで前記シール部材の前記接触部位の抵抗を検出させることと、を含む、検出方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は検出装置及び検出方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、基板にめっきを施すめっき装置が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。具体的には、このようなめっき装置は、アノードが配置されためっき槽と、カソードとしての基板にめっきを施すめっき処理時に、基板の被めっき面がアノードに対向するように基板を保持するように構成されたホルダと、めっき処理時に基板の被めっき面に接触するように構成された接触部位を有するシール部材と、を備えている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特許第６９７５６５０号公報

【文献】特許第７１９４３０５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述したようなめっき装置において、シール部材の具体的には接触部位の周辺に、めっき成分を含む導電性被膜が形成されることがある。この場合、この導電性被膜にめっき成分が析出するおそれがある。そこで、導電性被膜が形成されたか否かを判定するために、シール部材の抵抗を検出することが可能な技術の開発が求められている。

【0005】

本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、めっき装置のシール部材の抵抗を検出することができる技術を提供することを目的の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

（態様１）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る検出装置は、めっき装置のシール部材の抵抗を検出するための検出装置であって、前記めっき装置は、アノードが配置されためっき槽と、カソードとしての基板にめっきを施すめっき処理時に前記基板の被めっき面が前記アノードに対向するように前記基板を保持するように構成されたホルダと、前記めっき処理時に前記基板の前記被めっき面に接触するように構成された接触部位を有する前記シール部材と、を備え、前記検出装置は、前記接触部位の抵抗を検出する抵抗検出時に、前記基板の代わりに前記ホルダに保持されるように構成されるとともに、前記抵抗検出時に前記ホルダに保持された場合に前記接触部位に対向する所定面を有する、プレート部材と、前記プレート部材の前記所定面に配置されて、前記抵抗検出時に前記接触部位に接触するように構成された第１電極と、前記プレート部材の前記所定面に配置されて、前記抵抗検出時に前記接触部位における前記第１電極が接触する部位とは異なる部位に接触するように構成された第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極と電気的に接続されるとともに、前記抵抗検出時に前記第１電極と前記第２電極との間の抵抗を検出することで前記接触部位の抵抗を検出するように構成された抵抗検出器と、を備える。

【0007】

この態様によれば、抵抗検出器によって、第１電極及び第２電極が接触するシール部材の接触部位の抵抗を検出することができる。

【0008】

（態様２）
上記態様１において、前記シール部材の前記接触部位は、環状に構成され、前記第１電極は、環状に構成された第１環状部位を有し、前記第２電極は、環状に構成された第２環状部位を有し、前記第２環状部位は、前記第１環状部位の径方向で前記第１環状部位よりも中央の側に配置され、且つ、前記第１環状部位の径よりも小さい径を有していてもよい。

【0009】

この態様によれば、シール部材の環状の接触部位の抵抗を効果的に検出することができる。

【0010】

（態様３）
上記態様２において、前記プレート部材の前記所定面には、環状に構成された溝が設けられ、前記溝は、前記抵抗検出時に前記接触部位が前記溝に嵌るように構成されていてもよい。

【0011】

（態様４）
上記態様３において、前記第１電極は、前記第１環状部位から前記第２環状部位に向かって延在する、複数の第１枝電極を有し、前記第２電極は、前記第２環状部位から前記第１環状部位に向かって延在する、複数の第２枝電極を有し、前記複数の第１枝電極は、前記溝に配置された部位を有し、前記複数の第２枝電極は、前記溝に配置された部位を有していてもよい。

【0012】

この態様によれば、シール部材の接触部位と電極との接触面積を大きくすることが容易にできる。これにより、シール部材の接触部位の抵抗を効果的に検出することができる。

【0013】

（態様５）
上記態様１～４のいずれか１態様において、前記プレート部材は、前記めっき処理時においては、前記基板の前記被めっき面とは反対側にある背面に、前記所定面が接触するように、前記ホルダに保持されていてもよい。

【0014】

（態様６）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る検出方法は、上記態様１～５のいずれか１態様に係る検出装置を用いた検出方法であって、前記プレート部材が前記ホルダに保持された状態で、前記第１電極を前記シール部材の前記接触部位に接触させ、前記第２電極を前記シール部材の前記接触部位における前記第１電極が接触する部位とは異なる部位に接触させることと、前記抵抗検出器に前記第１電極と前記第２電極との間の抵抗を検出させることで前記シール部材の前記接触部位の抵抗を検出させることと、を含む。

【0015】

この態様によれば、シール部材の接触部位の抵抗を検出することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。

【図2】実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。

【図3】実施形態に係るめっきモジュールの構成を示す模式図である。

【図4】実施形態に係る基板がめっき液に浸漬された状態を示す模式図である。

【図5】図５（Ａ）は、実施形態に係る基板ホルダの一部分（図３のＡ１部分）を拡大して模式的に示す断面図である。図５（Ｂ）は、実施形態に係るシール部材の模式的な平面図である。

【図6】導電性被膜の形成パターンの一例を説明するための模式的な断面図である。

【図7】導電性被膜の形成パターンの一例を説明するための模式的な断面図である。

【図8】導電性被膜の形成パターンの一例を説明するための模式的な断面図である。

【図9】実施形態に係る検出装置を説明するための模式図である。

【図10】実施形態に係る検出装置を説明するための模式図である。

【図11】実施形態に係るプレート部材が基板ホルダに保持されている様子を示す模式図である。

【図12】実施形態に係る検出方法を説明するためのフローチャートの一例である。

【図13】図１３（Ａ）は、変形例１に係る検出装置のプレート部材の模式的な下面図である。図１３（Ｂ）は、変形例１に係る第１電極及び第２電極の一部を拡大して示す模式図である。

【図14】変形例１に係るプレート部材における溝の周辺構成を示す模式的な拡大断面図である。

【図15】変形例２に係る検出装置を説明するための模式図である。

【図16】変形例２に係る検出装置を説明するための模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面は、構成要素の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ－Ｙ－Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、－Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。

【0018】

（実施形態１）
図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す平面図（上面図）である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備える。

【0019】

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００及びスピンリンスドライヤ６００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。

【0020】

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。

【0021】

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっきを施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。

【0022】

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

【0023】

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板をプリウェットモジュール２００へ受け渡す。

【0024】

プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっきを施す。

【0025】

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送ロボット１１０は、スピンリンスドライヤ６００から基板を受け取り、乾燥処理を施した基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。

【0026】

なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。

【0027】

続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。

【0028】

図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００の構成の模式図である。図４は、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された様子を示す模式図である。本実施形態に係るめっき装置１０００は、一例として、カップ式のめっき装置である。めっき装置１０００のめっきモジュール４００は、主として、めっき槽１０と、オーバーフロー槽１５と、基板ホルダ２０と、回転機構３０と、傾斜機構３５と、昇降機構３６と、を備えている。なお、図３において、めっきモジュール４００の一部の構成（めっき槽１０、オーバーフロー槽１５、基板ホルダ２０等）は、断面が模式的に図示されている。

【0029】

本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽１０は、底壁１０ａと、この底壁１０ａの外周縁から上方に延在する外周壁１０ｂとを有しており、この外周壁１０ｂの上部が開口している。なお、めっき槽１０の外周壁１０ｂの形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周壁１０ｂは、一例として円筒形状を有している。

【0030】

めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。めっき槽１０には、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給するための供給口（図示せず）が設けられている。めっき液Ｐｓとしては、めっき被膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではないが、本実施形態に係るめっき液Ｐｓは一例として、錫（Ｓｎ）のイオンを含んでおり、銀（Ａｇ）のイオンをさらに含んでいる。すなわち、本実施形態で実行されるめっき処理は一例として「錫－銀めっき処理」である。但し、めっき液Ｐｓの具体的な成分はこれに限定されるものではなく、めっき被膜の種類に応じて適宜設定すればよい。

【0031】

めっき槽１０のめっき液Ｐｓの内部には、アノード１１が配置されている。アノード１１の具体的な種類は特に限定されるものではなく、溶解アノードや不溶解アノードを用いることができる。本実施形態においては、アノード１１として不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。

【0032】

オーバーフロー槽１５は、めっき槽１０の径方向で外側の領域に配置された、有底の容器によって構成されている。オーバーフロー槽１５は、めっき槽１０の外周壁１０ｂの上端を超えためっき液Ｐｓ（すなわち、めっき槽１０からオーバーフローしためっき液Ｐｓ）を一時的に貯留するために設けられた槽である。オーバーフロー槽１５には、オーバーフロー槽１５のめっき液Ｐｓをオーバーフロー槽１５から排出するための排出口（図示せず）が設けられている。排出口から排出されためっき液Ｐｓは、その後、リザーバータンク（図示せず）に一時的に貯留された後に、供給口からめっき槽１０に再び供給される。

【0033】

めっき槽１０の内部におけるアノード１１よりも上方には、多孔質のイオン抵抗体１２が配置されていてもよい。イオン抵抗体１２は、複数の孔（細孔）を有する多孔性の板部材によって構成されている。イオン抵抗体１２よりも下方側のめっき液Ｐｓは、イオン抵抗体１２を通過して、イオン抵抗体１２よりも上方側に流動することができる。このイオン抵抗体１２は、アノード１１と基板Ｗｆとの間に形成される電場の均一化を図るために設けられている部材である。このように、めっき装置１０００がイオン抵抗体１２を有することで、基板Ｗｆに形成されるめっき被膜（めっき層）の膜厚の均一化を容易に図ることができる。

【0034】

基板ホルダ２０は、カソードとしての基板Ｗｆにめっきを施す「めっき処理時」において、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａがアノード１１に対向するように基板Ｗｆを保持するように構成されている。本実施形態において、基板Ｗｆはアノード１１よりも上方に配置されている。なお、本実施形態に係る基板ホルダ２０は、後述する「抵抗検出時」においては、基板Ｗｆに代えて、後述する検出装置１のプレート部材６０を保持する。本実施形態に係る基板ホルダ２０は、「ホルダ」の一例である。

【0035】

基板ホルダ２０の具体的な構成は、基板Ｗｆを保持できるものであれば、特に限定されるものではなく、公知の基板ホルダを用いることができる。一例として、本実施形態に係る基板ホルダ２０は、第１保持部材２１と、第２保持部材２２とを備えている。第２保持部材２２は、一例として、第１保持部材２１に接続されている。

【0036】

第１保持部材２１は、基板Ｗｆの背面Ｗｆｂ（被めっき面Ｗｆａとは反対側になる面）を保持するように構成されている。具体的には、本実施形態に係る第１保持部材２１は、一例として、後述するバックプレート２３及び押圧部材２４を介して、基板Ｗｆの背面Ｗｆｂを保持している。第２保持部材２２は、後述するシール部材５０を介して、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの外周縁を保持するように構成されている。基板ホルダ２０は、第１保持部材２１及び第２保持部材２２によって基板Ｗｆを挟持するように、基板Ｗｆを保持している。

【0037】

なお、第２保持部材２２は、後述するシール部材５０を下方側から保持（支持）する機能も有している。この第２保持部材２２は、一般に、「シールリングホルダ（ＳＲＨ）」と称されることのある部材である。本実施形態に係る第１保持部材２１は、円板形状を有している。本実施形態に係る第２保持部材２２は、環状の形状を有している。

【0038】

図３に例示するように、めっき装置１０００のめっきモジュール４００は、バックプレート２３と、押圧部材２４と、をさらに備えていてもよい。バックプレート２３は、基板Ｗｆの背面Ｗｆｂに接触するように配置されたプレート部材によって構成されている。バックプレート２３は、主として、基板Ｗｆに対して押圧を付与するために設けられている。

【0039】

押圧部材２４は、バックプレート２３と基板ホルダ２０の第１保持部材２１との間に配置されて、バックプレート２３を基板Ｗｆの側（下方側）に押圧するための部材である。押圧部材２４の配置個数は、特に限定されるものではないが、本実施形態に係る押圧部材２４は、一例として、複数個配置されている。具体的には、本実施形態に係る押圧部材２４は、基板ホルダ２０の周方向に複数個配置されている。

【0040】

押圧部材２４の具体的な構成は特に限定されるものではなく、公知技術を適用することができる。押圧部材２４の具体例を挙げると、押圧部材２４として、例えば、エア（空気）を利用して伸縮するエアシリンダやエアバック等を用いることができる。あるいは、押圧部材２４として、ばね等を用いることもできる。なお、押圧部材２４としてエアシリンダやエアバック等を用いる場合、めっきモジュール４００は、この押圧部材２４に空気を供給するためのコンプレッサ（図示せず）を、めっき槽１０の外部に備えていてもよい。

【0041】

めっきモジュール４００が押圧部材２４及びバックプレート２３を備えることで、基板Ｗｆを後述するシール部材５０に効果的に接触させることができる。なお、めっきモジュール４００は、バックプレート２３や押圧部材２４を備えていない構成とすることもできる。

【0042】

基板ホルダ２０は、回転機構３０の回転軸３１に接続されている。回転機構３０は、基板ホルダ２０を回転させるための機構である。回転機構３０としては、モータ等の公知の機構を用いることができる。

【0043】

傾斜機構３５は、回転機構３０及び基板ホルダ２０を傾斜させるための機構である。傾斜機構３５としては、ピストン・シリンダ等の公知の傾斜機構を用いることができる。昇降機構３６は、上下方向に延在する支軸３７によって支持されている。昇降機構３６は、基板ホルダ２０、回転機構３０、及び、傾斜機構３５を上下方向に昇降させるための機構である。昇降機構３６としては、直動式のアクチュエータ等の公知の昇降機構を用いることができる。

【0044】

図４に例示するように、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａにめっきを施す際には、昇降機構３６が基板ホルダ２０を下方に移動させて、基板Ｗｆをめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させる。また、回転機構３０は基板ホルダ２０を回転させる。なお、基板Ｗｆをめっき液Ｐｓに浸漬させる際、傾斜機構３５は、必要に応じて基板ホルダ２０を傾斜させてもよい。基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された後に、通電装置（図示せず）によって、アノード１１と基板Ｗｆとの間に電気が流れる。これにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに、めっき被膜が形成される。

【0045】

めっきモジュール４００の動作は、制御モジュール８００によって制御されている。制御モジュール８００は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサ８０１や、非一時的な記憶媒体としての記憶装置８０２等を備えている。制御モジュール８００は、記憶装置８０２に記憶されたプログラムの指令に基づいて、プロセッサ８０１が作動することで、めっきモジュール４００の被制御部を制御する。

【0046】

図５（Ａ）は、基板ホルダ２０の一部分（図３のＡ１部分）を拡大して模式的に示す断面図である。本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００は、コンタクト部材４０を備えている。コンタクト部材４０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａの外周縁に接触して基板Ｗｆに電気を給電するための部材である。本実施形態に係るコンタクト部材４０は、一例として、基板ホルダ２０の第２保持部材２２に配置されている。コンタクト部材４０は、基板ホルダ２０の周方向に複数個配置されていてもよい。なお、コンタクト部材４０の具体的な構成は、例えば特許文献２に開示されているような公知のコンタクト部材と同様であるので、これ以上の詳細な説明は省略する。

【0047】

また、めっきモジュール４００は、シール部材５０を備えている。図５（Ｂ）は、シール部材５０の模式的な平面図である。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）を参照して、本実施形態に係るシール部材５０は、主として、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された場合に、めっき液Ｐｓがコンタクト部材４０に接触することを抑制するために設けられている。具体的には、本実施形態に係るシール部材５０は、一例として、基板ホルダ２０の第２保持部材２２に配置されている。

【0048】

本実施形態に係るシール部材５０は、本体部位５２と接触部位５１とを有している。本実施形態に係る本体部位５２は、一例として、環状に構成されている。

【0049】

接触部位５１は、めっき処理時に基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに接触するように構成されている。具体的には、本実施形態に係る接触部位５１は、一例として、本体部位５２の径方向中央側にある縁部（内周縁部）を起点として、上方側に突出するよう構成されている。

【0050】

本実施形態に係る接触部位５１は、環状に構成されている（すなわち、環状の形状を有している）。すなわち、本実施形態に係る接触部位５１は、環状の突起によって構成されている。但し、これは接触部位５１の構成の一例であり、接触部位５１の具体的な構成はこれに限定されるものではない。

【0051】

シール部材５０の材質は特に限定されるものではないが、本実施形態に係るシール部材５０は、非導電性材料によって構成されている。

【0052】

なお、シール部材５０の構成は、例えば特許文献２に開示されているような公知のシール部材と同様であるので、これ以上の詳細な説明は省略する。また、図５（Ａ）に例示するように、めっきモジュール４００は、シール部材５０を第２保持部材２２に効果的に保持するための部材として、インナーリング５５を備えていてもよい。

【0053】

ここで、シール部材５０の例えば接触部位５１の周辺に、導電性被膜９０が形成されることがある。この一例をあげると、めっき液Ｐｓに含まれる金属成分（一例としてＳｎ（２価））が酸化されて、導電性の金属イオン（一例として、Ｓｎ（４価））、及び／又は、導電性の非晶質酸化物（一例として、Ｓｎの非晶質酸化物（ＳｎＯｘ（ＯＨ）ｙ））が、導電性被膜９０として接触部位５１の周辺に析出することがある。このような導電性被膜９０が形成された場合、この導電性被膜９０がめっき電流の給電パスとして機能する結果、この導電性被膜９０にめっき成分（一例として、ＳｎやＡｇ）が析出するおそれがある。

【0054】

図６、図７及び図８は、導電性被膜９０の形成パターンの一例を説明するための模式的な断面図である。例えば、図６に例示するように、シール部材５０の接触部位５１の一部に欠損した箇所（Ｄｆ）等が発生した場合に、この接触部位５１の欠損した箇所（Ｄｆ）を起点として導電性被膜９０が形成されるおそれがある。そして、導電性被膜９０にめっき成分が析出することで、析出部位９１が形成されるおそれがある。

【0055】

また、図７に例示するように、シール部材５０の接触部位５１と基板Ｗｆとの接触箇所の近傍にめっき被膜９２が形成されることがある。この場合においても、このめっき被膜９２を起因として、導電性被膜９０が形成されるおそれがある。

【0056】

また、図８に例示するように、導電性被膜９０は、シール部材５０の接触部位５１からインナーリング５５の側にかけて、さらに形成されることもある。

【0057】

上述したように、シール部材５０の接触部位５１の周辺に導電性被膜９０が形成され、この導電性被膜９０にめっき成分が析出した場合、本来、基板Ｗｆに形成されるべきめっき成分が導電性被膜９０への析出に取られてしまうため、基板Ｗｆに形成されるめっき被膜の膜厚の均一性が悪化するおそれがある。この問題に対応するために、本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００は、以下に説明する検出装置１を備えている。

【0058】

まず、シール部材５０の接触部位５１の周辺に導電性被膜９０が形成された場合、接触部位５１の周辺の抵抗は低下する。したがって、このシール部材５０の接触部位５１の抵抗を検出することで、導電性被膜９０の形成を検出することができる。そこで、本実施形態に係る検出装置１は、以下に説明する構成を備えることで、このシール部材５０の接触部位５１の抵抗を検出している。

【0059】

図９及び図１０は、本実施形態に係る検出装置１を説明するための模式図である。具体的には、図９は、検出装置１を下方から視認した模式的な下面図であり、図１０は、検出装置１を正面から視認した模式的な正面図である。図１１は、後述するプレート部材６０が基板ホルダ２０に保持されている様子を示す模式図である。

【0060】

図９及び図１０を参照して、本実施形態係る検出装置１は、プレート部材６０と、第１電極７０と、第２電極７１と、抵抗検出器８０と、を主として備えている。

【0061】

プレート部材６０は、シール部材５０の接触部位５１の抵抗を検出する「抵抗検出時」において、基板Ｗｆの代わりに基板ホルダ２０に保持されるように構成されている（図１１を参照）。

【0062】

具体的には、本実施形態に係るプレート部材６０は、抵抗検出時において、基板ホルダ２０に保持されるとともに、バックプレート２３及び押圧部材２４からの押圧も受けている。なお、めっき装置１０００がバックプレート２３及び押圧部材２４を備えていない場合には、プレート部材６０は、プレート部材６０の後述する所定面６１とは反対側の面（すなわち、背面（上面））が基板ホルダ２０の第１保持部材２１に接触するようにして、基板ホルダ２０に保持される。また、本実施形態に係るプレート部材６０は、「めっき処理時」においては、基板ホルダ２０には保持されておらず、例えば、めっき装置１０００の所定の保管箇所に保管されている。

【0063】

図９及び図１０を参照して、プレート部材６０は、基板ホルダ２０に保持された場合に、シール部材５０の接触部位５１に対向する所定面６１を有している。具体的には、本実施形態に係る「所定面６１」は、プレート部材６０の下面によって構成されている。

【0064】

なお、図９に例示されている「領域Ｒｇ」は、プレート部材６０の所定面６１において、「シール部材５０の接触部位５１に対向する領域」を例示したものである。すなわち、この領域Ｒｇの幅（プレート部材６０の径方向の長さ）は、接触部位５１の幅に相当する。

【0065】

第１電極７０は、プレート部材６０の所定面６１に配置されている。また、第１電極７０は、抵抗検出時において、シール部材５０の接触部位５１の所定部位（第１部位）に接触するように構成されている（図１０参照）。具体的には、第１電極７０は、抵抗検出時においてプレート部材６０が基板ホルダ２０に保持された場合に、第１電極７０が接触部位５１の所定部位に接触するように、その形状や配置位置等が設定されている。

【0066】

第２電極７１は、プレート部材６０の所定面６１に配置されている。また、第２電極７１は、抵抗検出時において、シール部材５０の接触部位５１における第１電極７０が接触している部位（第１部位）とは異なる部位（第２部位）に、接触するように構成されている（図１０参照）。具体的には、第２電極７１は、抵抗検出時においてプレート部材６０が基板ホルダ２０に保持された場合に、第２電極７１が接触部位５１の所定部位（第２部位）に接触するように、その形状や配置位置等が設定されている。

【0067】

なお、第１電極７０及び第２電極７１は、シール部材５０の接触部位５１の抵抗を検出するための電極である。このため、第１電極７０と第２電極７１とは、互いに電気的に絶縁されている（すなわち、一対の電極間の絶縁が確保されている）。具体的には、本実施形態に係る第１電極７０及び第２電極７１は、互いに接触しないように構成されている（すなわち、第１電極７０と第２電極７１との間には隙間が設けられている）。

【0068】

プレート部材６０の具体的な材質は、特に限定されるものではないが、例えば、セラミックスや金属等の種々の材質を用いることができる。なお、プレート部材６０が導電性材質によって構成される場合、プレート部材６０に配置された第１電極７０と第２電極７１とがプレート部材６０を介して互いに電気的に接続されることを抑制するために、例えばプレート部材６０における第１電極７０及び第２電極７１の配置箇所を絶縁材料によって被覆する等の対策を講じることが好ましい。

【0069】

また、第１電極７０及び第２電極７１の具体的な構成（形状）は、特に限定されるものではなく、環状に構成されていてもよく、あるいは、非環状に構成されていてもよい。

【0070】

図９を参照して、本実施形態に係る第１電極７０は、一例として、環状に構成された第１環状部位７２を有している。同様に、本実施形態に係る第２電極７１は、一例として、環状に構成された第２環状部位７３を有している。具体的には、本実施形態では、第１電極７０は全体的に第１環状部位７２によって構成されており、第２電極７１も全体的に第２環状部位７３によって構成されている。

【0071】

本実施形態に係る第２環状部位７３は、第１環状部位７２の径方向で第１環状部位７２よりも中央の側に配置されている。また、第２環状部位７３の径（具体的には直径；Ｄ２）は、第１環状部位７２の径（具体的には直径；Ｄ１）よりも小さい。なお、「環状部位の径」とは、特段の断りがない限り、「環状部位の外周縁部の径」を意味している。

【0072】

また、図１０に例示するように、第１環状部位７２は、抵抗検出時にシール部材５０の接触部位５１に接触するように構成され、第２環状部位７３は、接触部位５１における第１環状部位７２が接触する部位（第１部位）とは異なる部位（第２部位）に接触するように構成されている。

【0073】

具体的には、本実施形態に係る第１環状部位７２の径（Ｄ１）、及び、第２環状部位７３の径（Ｄ２）は、抵抗検出時に第１環状部位７２及び第２環状部位７３が全体的にシール部材５０の環状の接触部位５１に接触するように、その値が設定されている。より具体的には、本実施形態に係る第１環状部位７２の径（Ｄ１）、及び、第２環状部位７３の径（Ｄ２）は、接触部位５１の外周縁部の径（ｄ１）よりも小さく、且つ、接触部位５１の内周縁部の径（ｄ２）よりも大きい値になっている（ｄ１、ｄ２は、前述した図５（Ｂ）を参照）。

【0074】

図９及び図１０を参照して、抵抗検出器８０は、第１電極７０及び第２電極７１と電気的に接続されている。具体的には、抵抗検出器８０は、第１配線７４を介して第１電極７０と接続され、且つ、第２配線７５を介して第２電極７１と接続されている。

【0075】

抵抗検出器８０は、抵抗検出時において第１電極７０と第２電極７１との間の抵抗を検出することで、シール部材５０の接触部位５１の抵抗を検出するように構成されている。具体的には、本実施形態に係る抵抗検出器８０は、いわゆる抵抗センサによって構成されている。本実施形態に係る抵抗検出器８０は、一例として、制御モジュール８００と電気的に接続されている。本実施形態に係る抵抗検出器８０の動作は、一例として、制御モジュール８００が制御している。

【0076】

抵抗検出器８０の具体的な配置箇所は、特に限定されるものではないが、本実施形態に係る抵抗検出器８０は、一例として、プレート部材６０に配置されている。具体的には、本実施形態に係る抵抗検出器８０は、一例として、プレート部材６０の所定面６１（下面）に配置されている。

【0077】

本実施形態に係る第１配線７４は、一例として、その一部はプレート部材６０を貫通するように配置され、その一部は、プレート部材６０における所定面６１とは反対側の背面（具体的には、上面６２）に配置され、その一部は、プレート部材６０の所定面６１に配置されている。また、本実施形態に係る第２配線７５は、全体的に、プレート部材６０の所定面６１に配置されている。但し、これは、第１配線７４や第２配線７５の配置態様の一例に過ぎず、第１配線７４や第２配線７５の具体的な配置態様は、これに限定されるものではない。

【0078】

図１２は、本実施形態に係る「検出方法」を説明するためのフローチャートの一例である。具体的には、図１２のフローチャートは、前述した「抵抗検出時」に実行される。なお、この図１２のフローチャートの実行時において、基板ホルダ２０は、めっき槽１０の上方に位置しており、これにより、基板ホルダ２０はめっき液Ｐｓに浸漬されていない。

【0079】

まず、基板ホルダ２０にプレート部材６０を保持させて、電極（第１電極７０及び第２電極７１）をシール部材５０の接触部位５１に接触させる（ステップＳ１０）。

【0080】

具体的には、本実施形態では、第１電極７０（具体的には第１環状部位７２）をシール部材５０に接触させ、第２電極７１（具体的には第２環状部位７３）を、シール部材５０の接触部位５１における第１環状部位７２とは異なる箇所に接触させる。

【0081】

次いで、抵抗検出器８０が第１電極７０と第２電極７１との間の抵抗（Ω）を検出することで、接触部位５１の抵抗を検出する（ステップＳ２０）。具体的には、抵抗検出器８０は、第１電極７０と第２電極７１との間の抵抗を検出することで、接触部位５１における第１電極７０の接触部位と第２電極７１の接触部位との間の抵抗を検出する。抵抗検出器８０が検出した抵抗は、例えば制御モジュール８００に伝えられる。

【0082】

制御モジュール８００は、ステップＳ２０で検出された抵抗に基づいて、接触部位５１の周辺に導電性被膜９０が形成されたか否かを判定してもよい（ステップＳ３０）。具体的には、制御モジュール８００は、ステップＳ２０で検出された抵抗が予め設定された基準値（Ω）以下である場合に、接触部位５１の周辺に導電性被膜９０が形成していると判定し、検出された抵抗が基準値より大きい場合には、導電性被膜９０が形成されていないと判定してもよい。

【0083】

あるいは、制御モジュール８００に代えてユーザが、抵抗検出器８０が検出した抵抗を取得し、この取得された抵抗に基づいて接触部位５１の周辺に導電性被膜９０が形成したか否かを判定してもよい（ステップＳ３０）。

【0084】

以上説明したような本実施形態によれば、シール部材５０の抵抗、具体的には接触部位５１の抵抗を検出することができる。

【0085】

これにより、本実施形態によれば、この検出された抵抗に基づいて、接触部位５１の周辺に導電性被膜９０が形成されたか否かを判定することができる（すなわち、導電性被膜９０の形成を検出することができる）。

【0086】

特に、本実施形態によれば、基板ホルダ２０を分解したり、シール部材５０を基板ホルダ２０から外したりすることなく、シール部材５０の接触部位５１の抵抗を検出することができるので、接触部位５１の抵抗を容易に検出することができる。

【0087】

また、本実施形態によれば、第１電極７０が第１環状部位７２を備え、第２電極７１が第２環状部位７３を備えており、この第１環状部位７２及び第２環状部位７３がシール部材５０の環状の接触部位５１に接触しているので、環状の接触部位５１の抵抗を効果的に検出することができる。

【0088】

（変形例１）
続いて、実施形態の変形例１について説明する。図１３（Ａ）は、本変形例に係る検出装置１のプレート部材６０の模式的な下面図である。なお、図１３（Ａ）において、第１電極７０や第２電極７１や抵抗検出器８０等の図示は省略されている。図１３（Ｂ）は、本変形例に係る第１電極７０及び第２電極７１の一部を拡大して示す模式図である。具体的には、図１３（Ｂ）は、前述した図９の「Ａ２」部分と同様の箇所を模式的に拡大図示している。図１４は、プレート部材６０における溝６３の周辺構成を示す模式的な拡大断面図である。具体的には、図１４は、図１３（Ｂ）のＡ４付近の断面を模式的に拡大図示している。

【0089】

図１３（Ａ）及び図１４を参照して、本変形例に係るプレート部材６０は、環状に構成された溝６３を所定面６１に有する点で、前述した実施形態に係るプレート部材６０と異なっている。本変形例に係る溝６３は、所定面６１におけるシール部材５０の接触部位５１に対向する領域Ｒｇ（すなわち、所定面６１における接触部位５１が接触する領域）に設けられている。

【0090】

具体的には、図１４に例示するように、本変形例に係る溝６３は、抵抗検出時に接触部位５１が溝６３に嵌るように構成されている。本変形例に係る溝６３の溝幅Ｇｗは、接触部位５１の径方向の幅（これは、領域Ｒｇの幅と同じである）と同じ値になっている。但し、接触部位５１が溝６３に嵌ることが可能であれば、溝６３の構成はこれに限定されるものではなく、例えば、溝６３の溝幅Ｇｗは接触部位５１の幅よりも大きくてもよい。

【0091】

また、図１４に例示するように、接触部位５１の先端部近傍領域が、先端に向かうほど、その断面積が小さくなるような形状（山形の断面形状）を有する場合、溝６３も、接触部位５１の先端部近傍の形状に沿った形状（谷形の断面形状）を有していてもよい。

【0092】

図１３（Ｂ）を参照して、本変形例に係る第１電極７０は、第１環状部位７２から第２環状部位７３に向かって延在する、複数の第１枝電極７６を有している。また、本変形例に係る第２電極７１は、第２環状部位７３から第１環状部位７２に向かって延在する、複数の第２枝電極７７を有している。

【0093】

本変形例に係る複数の第１枝電極７６は、第１環状部位７２の周方向に配列している。また、本変形例に係る複数の第２枝電極７７は、第２環状部位７３の周方向に配列している。また、第１枝電極７６と第２枝電極７７とが交互に配列している。すなわち、互いに隣接する２つの第１枝電極７６の間に、第２枝電極７７が配置されるように（又は、互いに隣接する２つの第２枝電極７７の間に第１枝電極７６が配置されるように）、複数の第１枝電極７６及び第２枝電極７７は配列している。

【0094】

なお、本変形例の場合、抵抗検出時において、複数の第１枝電極７６及び複数の第２枝電極７７がシール部材５０の接触部位５１に接触する。

【0095】

図１３（Ｂ）及び図１４を参照して、複数の第１枝電極７６は、溝６３に配置された部位を有していてもよい。同様に、複数の第２枝電極７７も、溝６３に配置された部位を有していてもよい。

【0096】

この構成によれば、シール部材５０の接触部位５１と、溝６３に配置された第１枝電極７６及び第２枝電極７７と、の接触面積を大きくすることが容易にできる。すなわち、シール部材５０の接触部位５１と電極との接触面積を大きくすることが容易にできる。これにより、シール部材５０の接触部位５１の抵抗を効果的に検出することができる。

【0097】

（変形例２）
続いて、実施形態の変形例２について説明する。図１５及び図１６は、本変形例に係る検出装置１を説明するための模式図である。具体的には、図１５は、「めっき処理時」において、本変形例に係る検出装置１のプレート部材６０が基板ホルダ２０に保持された状態を模式的に図示している。図１６は、「抵抗測定時」において、検出装置１がシール部材５０の接触部位５１の抵抗を測定している様子を模式的に図示している。なお、図１６において、基板ホルダ２０の第２保持部材２２の図示は省略されている。

【0098】

図１５を参照して、本変形例に係るプレート部材６０は、「めっき処理時」において、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａとは反対側にある背面Ｗｆｂに、プレート部材６０の所定面６１が接触するように、基板ホルダ２０に保持されている。本変形例に係るプレート部材６０の他の構成は、前述した実施形態と同様である。

【0099】

すなわち、本変形例に係るプレート部材６０は、「めっき処理時」においては、前述したバックプレート２３としての機能を有している。このため、本変形例に係るめっき装置１０００は、プレート部材６０の他にバックプレート２３を別途備えていない。

【0100】

一方、本変形例に係るプレート部材６０は、「抵抗測定時」においては、前述した実施形態の場合と同様に、基板ホルダ２０に保持されて、プレート部材６０に配置された電極（第１電極７０及び第２電極７１）をシール部材５０の接触部位５１に接触させる（図１６参照）。また、変形例に係るめっき装置１０００は、前述した実施形態と同様に押圧部材２４を備えているので、プレート部材６０は、この押圧部材２４からの押圧を受けて、シール部材５０の接触部位５１に電極を効果的に接触させることができる。

【0101】

なお、めっき装置１０００が押圧部材２４を備えていない場合には、プレート部材６０は、プレート部材６０の所定面６１とは反対側の背面（上面）が基板ホルダ２０の第１保持部材２１に接触するようにして、基板ホルダ２０に保持される。

【0102】

本変形例に係る抵抗検出器８０は、めっき処理時にめっき液Ｐｓに浸漬されないような箇所（例えば、めっき装置１０００におけるめっき槽１０の外部であって、基板ホルダ２０の外部の箇所等）に配置されていることが好ましい。また、この場合、抵抗検出器８０と電極（第１電極７０、第２電極７１）とを電気的に接続する配線（第１配線７４、第２配線７５）の途中箇所には、例えば、基板ホルダ２０の回転軸３１に配置されたロータリコネクタ７８が配置されていてもよい。

【0103】

本変形例においても、前述した実施形態と同様に作用効果を奏することができる。

【0104】

なお、前述した変形例１に係る検出装置１が、本変形例に係る構成を有していてもよい。

【0105】

以上、本発明の実施形態や変形例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態や変形例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、さらなる種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0106】

１ 検出装置
１０ めっき槽
１１ アノード
２０ 基板ホルダ（「ホルダ」）
５０ シール部材
５１ 接触部位
６０ プレート部材
６１ 所定面
６３ 溝
７０ 第１電極
７１ 第２電極
７２ 第１環状部位
７３ 第２環状部位
７６ 第１枝電極
７７ 第２枝電極
８０ 抵抗検出器
１０００ ：めっき装置
Ｐｓ めっき液
Ｒｇ 領域
Ｗｆ 基板
Ｗｆａ 被めっき面
Ｗｆｂ 背面

【要約】

めっき装置のシール部材の接触部位の抵抗を検出することができる技術を提供する。
検出装置１は、シール部材５０の接触部位５１の抵抗を検出する抵抗検出時に、ホルダに保持されるように構成されるとともに、抵抗検出時にホルダに保持された場合に接触部位に対向する所定面６１を有する、プレート部材６０と、プレート部材の所定面に配置されて、抵抗検出時に接触部位に接触するように構成された第１電極７０と、プレート部材の所定面に配置されて、抵抗検出時に接触部位における第１電極が接触する部位とは異なる部位に接触するように構成された第２電極７１と、第１電極及び第２電極と電気的に接続されるとともに、抵抗検出時に第１電極と第２電極との間の抵抗を検出することで接触部位の抵抗を検出するように構成された抵抗検出器８０と、を備える。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】