ホーム > 特許ランキング > 日亜化学工業株式会社 > 特許7573812
特許 7573812出願番号 特願 2021-3259
発光素子
出願人 日亜化学工業株式会社（識別番号 226057）
2026年 特許公開件数ランキング 89位 220件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 124位 148件（※）
公報発行日 2024年10月28
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7573812 ログイン済みの方はこのURLへ
［この特許公報を共有したい場合］あなたがログインしてこの特許公報を表示すれば、他の人はログインしなくてもこのURLで見ることができるようになります。
※ 共同出願を含む
知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、この公報の全文を閲覧できます。 ログインはこちら ログイン・ユーザー登録
技術分野
発光素子
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一半導体積層体におけるｐ型半導体層および活性層を含む部分の側面からの光取り出し効率を向上させることができる発光素子を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様によれば、発光素子は、窒化物半導体からなるｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられた窒化物半導体からなるｐ型半導体層とを有する半導体積層体を備える。前記半導体積層体は、前記ｐ型半導体層の側面および前記活性層の側面を含む第１側面と、前記ｎ型半導体層における前記活性層および前記ｐ型半導体層が積層されていない領域に形成され、前記活性層および前記ｐ・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一実施形態によれば、半導体積層体におけるｐ型半導体層および活性層を含む部分の側面からの光取り出し効率を向上させることができる発光素子を提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)
この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本発明の第１実施形態の発光素子の模式上面図である。
【図2】
本発明の第１実施形態の発光素子における半導体積層体の模式上面図である。
【図3】
図１におけるIII-III線に沿った模式断面図である。
【図4】
本発明の第２実施形態の発光素子の模式断面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１、２…発光素子、１０…半導体積層体、１１…ｎ型半導体層、１２…活性層、１３…ｐ型半導体層、２１…第１側面、２２…第２側面、２３…ｎ側接続面、２４…ｎ側外周面、５１…ｐ側電極、５２…ｎ側電極、６０…絶縁膜、１００…基板
全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録
［広告欄］
ログインすれば広告は減ります
ログインすれば広告は減ります