特許 7574403 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-18

(45)【発行日】2024-10-28

(54)【発明の名称】基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20241021BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20241021BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

H01L21/302 101G

【請求項の数】 23

(21)【出願番号】P 2023506786

(86)(22)【出願日】2022-01-14

(86)【国際出願番号】 JP2022001193

(87)【国際公開番号】W WO2022196063

(87)【国際公開日】2022-09-22

【審査請求日】2023-06-27

(31)【優先権主張番号】P 2021041543

(32)【優先日】2021-03-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】318009126

【氏名又は名称】株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】原 直樹

(72)【発明者】

【氏名】檜山 真

(72)【発明者】

【氏名】岡▲ざき▼ 太洋

【審査官】宮久保 博幸

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１１／０２４７６２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００９－０７６７０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－１７６１９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－３２４８２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２００９／０７２４２６（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６７７

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板が搬入及び搬出されるロードロック室と、
前記ロードロック室内に設けられ、複数の前記基板を所定の間隔で多段に支持する支持具と、
前記ロードロック室外に設けられ、前記基板を支持している状態の前記支持具の温度を非接触で測定可能な温度センサと、
を備える基板処理装置。

【請求項2】

前記温度センサによって測定された前記支持具の温度に基づいて、前記基板の温度を求めることが可能なよう構成された制御部を更に備える、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記支持具は、支持された状態の前記基板の面に対して垂直な方向に延びる垂直面を有し、
前記温度センサは、前記基板を支持している状態の前記支持具の前記垂直面の温度を非接触で測定するように構成されている、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

複数の前記基板が多段に積載される方向を軸として前記支持具を回転させる回転駆動部と、
前記垂直面が前記温度センサに対向する角度まで、複数の前記基板を支持した状態の前記支持具を回転させる回転処理を行うように、前記回転駆動部を制御することが可能なよう構成された制御部と、
を更に備える請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記制御部は、前記回転処理を行った後、前記温度センサで測定された前記支持具の温度を取得することが可能なよう構成されている、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記制御部は、前記温度センサで測定された前記支持具の温度を取得するときに、前記温度センサの温度測定範囲が全て前記垂直面内に入るように、前記回転処理において前記支持具を回転させことが可能なよう構成されている、請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項7】

複数の前記基板が多段に積載される方向に前記支持具を昇降させる昇降駆動部と、
前記温度センサによって測定された前記支持具の温度を取得すると共に、前記昇降駆動部の昇降動作を制御することが可能なよう構成された制御部と、を更に備え、
前記支持具は、支持された状態の前記基板の面に対して垂直な方向に延びる垂直面を有しており、
前記制御部は、前記温度センサの温度測定範囲内に前記垂直面が入った状態で、前記支持具の昇降方向における前記垂直面と前記温度センサとの相対的な位置を変えるように、複数の前記基板を支持した状態の前記支持具を昇降させる昇降処理を行い、前記温度センサによって前記垂直面の複数の測定位置で温度が取得されるように、前記昇降駆動部を制御することが可能なよう構成されている、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項8】

複数の前記基板が多段に積載される方向を軸として前記支持具を回転させる回転駆動部を更に備え、
前記制御部は、前記垂直面が前記温度センサに対向する角度まで、複数の前記基板を支持した状態の前記支持具を回転させる回転処理を行った後、前記昇降処理を行って、前記温度センサによって前記垂直面の複数の測定位置で温度を取得することが可能なよう構成されている、請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記制御部は、前記測定位置で取得された温度に基づいて、前記測定位置に対応する前記垂直面の位置に支持された前記基板の温度を求めることが可能なよう構成されている、請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記制御部は、前記昇降処理において、前記支持具の上昇と下降を連続して少なくとも１回ずつ行い、前記温度センサで前記測定位置ごとに、当該測定位置の温度を複数回取得するように、前記昇降駆動部を制御することが可能なよう構成されている、請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記制御部は、前記昇降処理において、前記測定位置ごとに複数回取得された温度の平均値を、前記測定位置の温度として求めることが可能なよう構成されている、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記制御部は、求められた前記測定位置の温度に基づいて、前記測定位置に対応する前記垂直面の位置に支持された前記基板の温度を求めることが可能なよう構成されている、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記ロードロック室内に不活性ガスを供給する供給部を更に備え、
前記制御部は、前記供給部のガス供給を制御可能とされ、前記基板が搬入された前記ロードロック室内に前記不活性ガスを供給することで前記ロードロック室内の圧力を上昇させることが可能なよう構成されている、請求項７～請求項１２のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記制御部は、前記ロードロック室内に不活性ガスを所定時間供給した後で、前記昇降処理を行って、前記温度センサによって前記垂直面の複数の測定位置で温度を取得することが可能なように構成されている、請求項１３に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記制御部は、前記温度センサによって取得された複数の前記測定位置の温度のうち、少なくとも１つが予め設定された閾値を超えた場合、前記支持具により前記基板を支持したまま前記不活性ガスの供給を継続し、所定時間経過後、再度、前記昇降処理を行い、前記温度センサによって測定された前記支持具の温度を取得することが可能なように構成されている、請求項１４に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記基板を大気搬送室と前記ロードロック室との間で搬送する大気側搬送装置を更に備え、
前記制御部は、前記大気側搬送装置の搬送動作を制御可能とされ、前記温度センサによって取得された複数の前記測定位置の温度のうち、少なくとも１つが予め設定された閾値以下である場合、前記大気側搬送装置によって複数の前記基板を前記ロードロック室から搬出させることが可能なように構成されている、請求項１５に記載の基板処理装置。

【請求項17】

前記支持具は、支持された状態の前記基板の面に対して垂直な方向に延びる垂直面を有しており、
前記垂直面は、前記基板よりも赤外線の透過率が小さい、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項18】

前記支持具は、支持された状態の前記基板の面に対して垂直な方向に延びる垂直面を有しており、
前記垂直面は、赤外線に対して不透明な材料で形成されている、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項19】

前記支持具は、支持された状態の前記基板の面に対して垂直な方向に延びる垂直面を有しており、
前記垂直面は、前記支持具を構成する支柱部に設けられており、
前記支柱部における前記垂直面に対応する部分の厚みは、複数の前記基板が多段に積載される方向において一定である、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項20】

基板が搬入及び搬出される複数のロードロック室と、
前記ロードロック室内に設けられ、複数の前記基板を所定の間隔で多段に支持する支持具と、
前記ロードロック室外に設けられ、前記基板を支持している状態の前記支持具の温度を非接触で測定可能な温度センサと、
前記ロードロック室の一方側に接続された大気搬送室と、
前記ロードロック室の他方側に接続された真空搬送室と、
前記大気搬送室に設けられて、前記基板を前記大気搬送室と前記ロードロック室との間で搬送する大気側搬送装置と、
前記真空搬送室に設けられて、前記基板を前記真空搬送室と前記ロードロック室との間で搬送する真空側搬送装置と、
一の前記ロードロック室において前記温度センサにより測定された温度と、他の前記ロードロック室において前記温度センサにより測定された温度とに基づいて、前記一のロードロック室又は前記他のロードロック室を介して前記大気搬送室と前記真空搬送室の間で前記基板を搬送する経路を変更するように、前記大気側搬送装置の搬送動作及び前記真空側搬送装置の搬送動作を制御することが可能なように構成された制御部と、
を備える基板処理装置。

【請求項21】

前記制御部は、前記一のロードロック室において前記温度センサから取得した前記支持具の温度と、前記他のロードロック室において前記温度センサから取得した前記支持具の温度が近づくように、前記真空搬送室から前記一のロードロック室に前記基板を搬入する頻度と、前記真空搬送室から前記他のロードロック室に前記基板を搬入する頻度を変更することが可能なように構成されている、請求項２０に記載の基板処理装置。

【請求項22】

ロードロック室内に複数の基板を搬入し、前記ロードロック室内に設けられた支持具に前記複数の基板を所定の間隔で多段に支持させる工程と、
前記複数の基板を支持している状態の前記支持具の温度を前記ロードロック室外に設けられた非接触の温度センサで測定する工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。

【請求項23】

コンピュータに、
ロードロック室内に複数の基板を搬入し、前記ロードロック室内に設けられた支持具に前記複数の基板を所定の間隔で多段に支持させる手順と、
前記複数の基板を支持している状態の前記支持具の温度を前記ロードロック室外に設けられた非接触の温度センサで測定する手順と、
を実行させるプログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラムに関する。

【背景技術】

【0002】

基板が搬入及び搬出されるロードロック室を有する基板処理装置が従来から知られている。基板処理装置のロードロック室は、室内の雰囲気を大気状態と真空状態とに入れ替える機能を有している（例えば、特開２０１２－９９７１１号公報参照）。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

ところで、基板処理装置では、ロードロック室に搬入された基板が、所望の温度まで冷却されていない状態のまま、ロードロック室から大気側へ搬出されてしまうことがある。

【0004】

本開示の目的は、ロードロック室内の基板の温度を把握可能な技術を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様によれば、基板が搬入及び搬出されるロードロック室と、前記ロードロック室内に設けられ、複数の前記基板を所定の間隔で多段に支持する支持具と、前記基板を支持している状態の前記支持具の温度を非接触で測定可能な温度センサと、を備える技術が提供される。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、ロードロック室内の基板の温度を把握可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。

【図2】本開示の一実施形態に係る基板処理装置の概略縦断面図である。

【図3】本開示の一実施形態に係る基板処理装置のロードロック室の概略縦断面図である。

【図4】本開示の一実施形態に係る基板処理装置において、ボート温度を温度センサで測定している状態を示す概略斜視図である。

【図5】本開示の一実施形態に係る基板処理装置において、ロードロック室から大気搬送室へ基板の搬出の可否を判定するフローを示すフローチャートである。

【図6】本開示の一実施形態に係る基板処理装置の制御部の構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本開示の一実施形態について図１～図６を参照しながら説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

【0009】

本実施形態に係る基板処理装置１０は、図１及び図２に示されるように、大気搬送室（EFEM：Equipment Front End Module）１２と、大気搬送室１２に接続され、基板収納容器であるポッド２７－１～２７－３を載置する載置部としてのロードポート２９－１～２９－３と、圧力制御される予備室としてのロードロック室１４Ａ、１４Ｂと、真空搬送室としての搬送室１６と、基板１００に対する処理を行う処理室１８Ａ、１８Ｂとを備えている。また、処理室１８Ａと処理室１８Ｂとの間は、境界壁２０によって遮られている。本実施形態では、基板１００として例えばシリコンウェーハ等の半導体装置を製造する半導体ウェーハが使用される。

【0010】

本実施形態では、ロードロック室１４Ａ、１４Ｂの各構成（ロードロック室１４Ａ、１４Ｂに付随する構成も含む）がそれぞれ同様の構成となっている。このため、ロードロック室１４Ａ、１４Ｂを「ロードロック室１４」と総称する場合がある。

【0011】

また、本実施形態では、処理室１８Ａ、１８Ｂの各構成（処理室１８Ａ、１８Ｂに付随する構成も含む）がそれぞれ同様の構成となっている。このため、ロードロック室１４Ａ、１４Ｂを「ロードロック室１４」と総称する場合がある。

【0012】

ロードロック室１４と搬送室１６との間には、図２に示されるように、隣り合う室を連通する連通部２２が形成されている。この連通部２２は、ゲートバルブ２４によって開閉されるようになっている。

【0013】

搬送室１６と処理室１８との間には、図２に示されるように、隣り合う室を連通する連通部２６が形成されている。この連通部２６は、ゲートバルブ２８によって開閉されるようになっている。

【0014】

大気搬送室１２には、ロードポート２９－１～２９－３にそれぞれ載置されたポッド２７－１～２７－３とロードロック室１４との間において、基板１００を搬送する大気側搬送装置としての大気ロボット３０が設けられている。この大気ロボット３０は、大気中にて同時に複数枚の基板１００を搬送可能に構成されている。

【0015】

ロードロック室１４には、基板１００が搬送及び搬出されるようになっている。具体的には、ロードロック室１４には、大気ロボット３０によって未処理の基板１００が搬入され、搬入された未処理の基板１００が真空ロボット７０によって搬出されるようになっている。一方、ロードロック室１４には、真空ロボット７０によって処理済みの基板１００が搬入され、搬入された処理済みの基板１００が大気ロボット３０によって搬出されるようになっている。

【0016】

また、ロードロック室１４の室内には、基板１００を支持する支持具としてのボート３２が設けられている。図４に示されるように、ボート３２は、複数枚（例えば１０～３０枚）の基板１００を所定間隔で多段に支持すると共に、基板１００を水平に収容するように形成されている。具体的には、このボート３２は、上板部３４と下板部３６とが複数（例えば３つ）の支柱部３８によって接続された構造となっている。

【0017】

また、支柱部３８の長手方向内側には、基板１００を支持する複数（例えば１０～３０個）の支持溝４０が所定間隔でそれぞれ平行に形成されている。

【0018】

また、複数の支柱部３８のうち、一つの支柱部３８の外面（支持溝４０側と反対側の面）には、垂直面３９が形成されている。この垂直面３９は、ボート３２で基板１００を支持した状態で基板１００の板面に対して垂直な方向（本実施形態では鉛直方向と同じ方向）に延びている。また、垂直面３９が形成された部位においては、支柱部３８の厚みが一定である。

【0019】

また、ボート３２は、金属材料、好ましくは、熱伝導性に優れる金属材料（例えば、鉄、銅、アルミニウム）によって構成されている。

【0020】

なお、ボート３２をアルミニウムで形成する場合、垂直面３９をアルマイト処理しておくことが後述の温度センサ１１０を用いた温度測定の観点で好ましい。

【0021】

ロードロック室１４を構成する天板部１５Ａには、ロードロック室１４の内部と連通するガス供給管４２が接続されている。ガス供給管４２には、上流側から順に不活性ガス（例えば窒素ガスや希ガス）を供給する図示しないガス供給源、ガス供給バルブ４３が設けられている。

【0022】

また、天板部１５Ａには、例えば冷却液循環流路等の図示しない冷却機構が設けられている。この冷却機構によって、ボート３２に支持された基板１００が冷却されるようになっている。具体的には、処理室１８での処理後に熱をもった処理済み基板１００が上記冷却機構によって冷却される。

【0023】

ロードロック室１４を構成する底板部１５Ｂには、ロードロック室１４の内部と連通する排気管４４が接続されている。排気管４４には、下流側に向ってバルブ４５、排気装置としての真空ポンプ４６が設けられている。

【0024】

ここで、ゲートバルブ２４、２８により連通部２２、２６を閉塞した状態で、ガス供給バルブ４３を閉塞した状態にする。この状態で、バルブ４５を開放すると共に真空ポンプ４６を作動させると、ロードロック室１４の内部が真空排気され、ロードロック室１４の内部を真空圧化（もしくは減圧化）させることができる。また、ゲートバルブ２４、２８により連通部２２、２６を閉塞した状態で、バルブ４５を閉塞又はその開度を小さくすると共にガス供給バルブ４３を開放し、ロードロック室１４の内部に不活性ガスを導入することにより、ロードロック室１４の内部を大気圧化させる。

【0025】

ロードロック室１４を構成する外周壁部１５Ｃには、図３に示されるように、基板１００をロードロック室１４内に搬入及び搬出するための開口部１０２が設けられている。具体的には、開口部１０２は、外周壁部１５Ｃの大気ロボット３０側に設けられている。大気ロボット３０は、開口部１０２を介して基板１００をボート３２に支持させ、開口部１０２を介して基板１００をボート３２から取り出すようになっている。

【0026】

また、外周壁部１５Ｃには、開口部１０２を開閉するためのゲートバルブ１０４が設けられている。

【0027】

また、外周壁部１５Ｃには、窓部１０６が設けられている。この窓部１０６は、赤外線が透過可能な材料で形成されている。窓部１０６を形成する材料としては、例えば、ゲルマニウムが挙げられる。

【0028】

窓部１０６の室外側には、温度センサ１１０が設けられている。言い換えると、温度センサ１１０は、ロードロック室１４の外側に配置されている。この温度センサ１１０は、ロードロック室１４内のボート３２の温度を非接触で測定可能なセンサ、すなわち非接触温度センサである。具体的には、温度センサ１１０は、処理済みの基板１００を支持している状態のボート３２の温度を非接触で測定する。この温度センサ１１０は、放射温度計であり、ボート３２から放射される赤外線の強度を測定することでボート３２の温度を測定する。より具体的には、温度センサ１１０は、窓部１０６を通してボート３２の垂直面３９から放射される赤外線の強度を測定してボート３２の温度を測定している。なお、ボート３２の温度測定時には、ボート３２の垂直面３９が温度センサ１１０の温度測定範囲１１１内に入るように、後述するコントローラ１２０によって駆動装置５０が制御される。具体的には、ボート３２の垂直面３９が温度センサ１１０の温度測定範囲１１１内に入るように、コントローラ１２０が駆動装置５０を制御してボート３２の昇降位置及び回転角度が調整される。図４では、垂直面３９の上下方向においてほぼ同じ間隔で５つの温度測定範囲１１１が設定され、それぞれの範囲の温度測定を行う例について示されている。
なお、本実施形態では、非接触温度センサである温度センサ１１０として放射温度計を用いているが、パイロメータを用いてもよい。

【0029】

また、温度センサ１１０は、ボート３２が昇降することによりボート３２の上下方向の端部まで温度測定が可能な位置に配置されている。なお、本実施形態では、図３に示されるように、温度センサ１１０は、外周壁部１５Ｃの下部側に配置されている。これにより、ボート３２が最も高い位置まで上昇した際に、ボート３２の下端部の温度が温度センサ１１０により測定可能となっている。

【0030】

ロードロック室１４の底板部１５Ｂには、このロードロック室１４の内外を連通する開口部４８が形成されている。ロードロック室１４の下方には、開口部４８を介してボート３２を昇降及び回転させる駆動装置５０が設けられている。

【0031】

駆動装置５０は、ボート３２を支持する支持軸としてのシャフト５２と、このシャフト５２を囲うように設けられた伸縮自在な図示しないベローズと、これらシャフト５２及びベローズの下端が固定される固定台５６と、シャフト５２を介してボート３２を昇降させる昇降駆動部５８と、この昇降駆動部５８と固定台５６とを接続する接続部材６０と、ボート３２を回転させる回転駆動部６２と、を備えている。

【0032】

昇降駆動部５８は、複数の基板１００が多段に積載される方向にボート３２を昇降させるように構成されている。

【0033】

ベローズの上端は、ロードロック室１４を構成する底板部１５Ｂに形成された開口部４８の周囲に固定されている。

【0034】

回転駆動部６２は、複数の基板１００が多段に積載される方向を軸としてボート３２を回転させるように構成されている。具体的には、回転駆動部６２は、シャフト５２を軸としてボート３２を回転させるようになっている。

【0035】

搬送室１６には、ロードロック室１４と処理室１８との間で基板１００を搬送する真空側搬送装置としての真空ロボット７０が設けられている。真空ロボット７０は、基板１００を支持して搬送する基板搬送部７２と、この基板搬送部７２を昇降及び回転させる搬送駆動部７４とを備えている。

【0036】

基板搬送部７２には、アーム部７６が設けられている。このアーム部７６には、基板１００が載置されるフィンガ７８が設けられている。なお、アーム部７６には、上下方向に所定間隔で複数のフィンガが設けられてもよい。また、アーム部７６が複数段積層されてもよい。また、フィンガ７８は、略水平方向に伸縮自在に構成されている。

【0037】

ロードロック室１４から処理室１８への基板１００の移動は、真空ロボット７０によって、連通部２２を介してボート３２に支持された基板１００を搬送室１６内に移動させ、続いて、連通部２６を介して処理室１８内へ移動させることにより行われる。

【0038】

また、処理室１８からロードロック室１４への基板１００の移動は、真空ロボット７０によって、連通部２６を介して処理室１８内の基板１００を搬送室１６内に移動させ、続いて、連通部２２を介してボート３２に支持させることにより行われる。

【0039】

処理室１８には、第１処理部８０と、この第１処理部８０よりも搬送室１６から遠い位置に配置された第２処理部８２と、この第２処理部８２と真空ロボット７０との間で基板１００を搬送する基板移動部８４と、が設けられている。

【0040】

第１処理部８０は、基板１００を載置する載置台９２と、この載置台９２を加熱するヒータ９４とを備える。

【0041】

第２処理部８２は、基板１００を載置する載置台９６と、この載置台９６を加熱するヒータ９８とを備える。

【0042】

第１処理部８０及び第２処理部８２は、基板１００を同様に処理できるように構成されている。

【0043】

基板移動部８４は、基板１００を支持する移動部材８６と、境界壁２０近傍に設けられた移動軸８８とにより構成される。移動部材８６は、移動軸８８を軸として回転及び昇降自在に設けられている。

【0044】

また、基板移動部８４は、移動部材８６を第１処理部８０側へ回転させることで、この第１処理部８０側において真空ロボット７０との間で基板１００を授受する。このようにして、基板移動部８４は、真空ロボット７０によって搬送された基板１００を第２処理部８２の第２の載置台９６に移動させ、また、第２載置台９６に載置された基板１００を真空ロボット７０へ移動させる。

【0045】

基板処理装置１０は、図６に示すように、制御部としてのコントローラ１２０を備えている。このコントローラ１２０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１Ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１Ｂ、記憶装置１２１Ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１Ｄを備えたコンピュータとして構成されている。

【0046】

ＲＡＭ１２１Ｂ、記憶装置１２１Ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１Ｄは、内部バス１２１Ｅを介して、ＣＰＵ１２１Ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２０には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。

【0047】

記憶装置１２１Ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１Ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２０に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、プロセスレシピを、単に、レシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。ＲＡＭ１２１Ｂは、ＣＰＵ１２１Ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

【0048】

Ｉ／Ｏポート１２１Ｄは、温度センサ１１０、大気ロボット３０、真空ロボット７０、駆動装置５０、ゲートバルブ２４、ゲートバルブ２８、ゲートバルブ１０４、ガス供給バルブ４３、バルブ４５、真空ポンプ４６、基板移動部８４、第１ヒータ９４、第２ヒータ９８等に接続されている。

【0049】

ＣＰＵ１２１Ａは、記憶装置１２１Ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１Ｃからレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ１２１Ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、大気ロボット３０、真空ロボット７０、駆動装置５０及び基板移動部８４による基板１００の搬送動作、ゲートバルブ２４、ゲートバルブ２８及びゲートバルブ１０４の開閉動作、ガス供給バルブ４３、バルブ４５及び真空ポンプ４６による流量・圧力調節動作、第１ヒータ９４及び第２ヒータ９８による温度調整動作等を制御することが可能なように構成されている。

【0050】

コントローラ１２０は、外部記憶装置（例えば、ハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ等の半導体メモリ）１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置１２１Ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１Ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。

【0051】

また、コントローラ１２０は、ボート３２の温度を測定した温度センサ１１０から温度情報を取得するようになっている。コントローラ１２０は、取得した温度情報に基づいて、基板１００の温度を求める（算出する）。本実施形態では、垂直面３９の温度センサ１１０による温度測定位置に対応する部位に位置する基板１００の温度が、温度センサ１１０で測定した温度に基づいて求められる。基板１００の温度の算出は、例えば、垂直面３９の温度測定位置に対応する部位の温度と、その部位に支持された基板１００の温度との関係を予め実験等により取得しておき、当該関係に基づいて行うことができる。なお、垂直面３９の温度センサ１１０による一つの温度測定位置に対応する部位に支持された基板１００が複数枚ある場合には、この複数枚の基板１００の温度を全て温度センサ１１０の一つの温度測定位置で測定された温度としてもよい。

【0052】

さらに、コントローラ１２０は、ボート３２の温度測定時には、ボート３２の垂直面３９が窓部１０６に向くように、駆動装置５０の回転駆動部６２を制御する。具体的には、コントローラ１２０は、ボート３２の温度測定時には、ボート３２の垂直面３９が窓部１０６の外側に配置された温度センサ１１０を向くように、駆動装置５０の回転駆動部６２を制御して、ボート３２の回転角度を調整するようになっている。そして、コントローラ１２０は、ボート３２の温度測定時には、ボート３２の垂直面３９が窓部１０６に向いた状態で窓部１０６に対して上下方向に移動（昇降）するように昇降駆動部５８を制御して、垂直面３９を複数位置で温度測定させるようになっている。言い換えると、コントローラ１２０は、温度センサ１１０の温度測定範囲１１１内に垂直面３９が入った状態で、ボート３２の昇降方向における垂直面３９と温度センサ１１０との相対的な位置を変えるように、複数の基板１００を支持した状態のボート３２を昇降させる昇降処理を行う。この昇降処理によって、温度センサ１１０によって垂直面３９の複数位置で温度が測定され、垂直面３９の複数の測定位置の温度情報がコントローラ１２０で取得されるようになっている。また、温度センサ１１０によって垂直面３９の複数の測定位置の温度情報が取得されると、コントローラ１２０は、取得した各測定位置の温度情報に基づいて、各測定位置に対応する部位に支持された基板１００の温度をそれぞれ求める（算出する）。

【0053】

そして、コントローラ１２０は、ボート３２の温度測定時には、駆動装置５０を制御して、ボート３２を上方及び下方にそれぞれ少なくとも一回移動させるようになっている。言い換えると、コントローラ１２０は、ボート３２を初期位置から上昇（又は下降）させた後、ボート３２を下降させて初期位置へ戻す動作を１回の昇降動作としている。なお、ボート３２を上昇及び下降させるときには、上昇時と下降時に垂直面３９の同じ位置で温度測定を行うことが好ましい。このように同じ測定位置で複数回の温度情報を測定することで、コントローラ１２０には同じ測定位置で複数回温度情報が取得される。なお、同じ測定位置で複数回の温度情報を取得した場合、温度情報の平均値又は最新の温度情報に基づいて基板１００の温度を求めることが可能である。

【0054】

また、コントローラ１２０は、処理済みの基板１００がボート３２に支持され、ロードロック室１４内で所定時間冷却された後に、温度センサ１１０を用いてボート３２の温度を測定し、ロードロック室１４から大気搬送室１２への搬出の可否を判定する。ここで、基板１００の大気搬送室１２への搬出の可否判定は、ボート３２の温度が予め設定した閾値以下の場合に可と判定され、閾値を超える場合には否と判定される。コントローラ１２０は、基板１００の搬出を可と判定すると、ロードロック室１４のゲートバルブ１０４を開き、大気ロボット３０で基板１００を搬出する。一方、基板１００の搬出が否と判定された場合には、コントローラ１２０は、更に所定時間経過した後で、再度、ボート３２の温度を測定する。なお、垂直面３９の複数位置で温度測定する場合、少なくとも１つの測定位置の温度情報が閾値を超える場合には基板１００の搬出は否と判定してもよい。また、この場合、垂直面３９の複数位置でそれぞれ測定された測定温度の平均を算出し、この平均が閾値を超える場合には基板１００の搬出は否と判定してもよい。また、ボート３２の温度に基づいて基板１００の温度を求め、この基板１００の温度が予め設定した閾値を超えるか否かで基板１００の搬出の可否を判定してもよい。また、垂直面３９の複数位置で温度測定することにより、複数位置に支持された基板１００の温度をそれぞれ求めた場合、少なくとも１枚の基板１００の温度が閾値を超える場合には基板１００の搬出を否と判定してもよい。

【0055】

また、コントローラ１２０は、ロードロック室１４Ａに設けられた温度センサ１１０により測定された垂直面３９の温度又は基板１００の温度と、ロードロック室１４Ｂに設けられた温度センサ１１０により測定された垂直面３９の温度又は基板１００の温度とに基づいて、ロードロック室１４又はロードロック室１４Ｂを介して大気搬送室１２と搬送室１６の間で基板１００を搬送する経路を変更するように、大気ロボット３０の搬送動作及び真空ロボット７０の搬送動作を制御するように構成されてもよい。具体的には、コントローラ１２０は、例えば、ロードロック室１４Ａとロードロック室１４Ｂの各々のボート３２に支持された基板１００の温度をそれぞれ求めることで、ロードロック室１４Ａとロードロック室１４Ｂのどちらが早く処理済みの基板１００を大気搬送室１２へ搬出するかを推定し、より早く処理済み基板１００が搬出されるロードロック室１４に次の処理済み基板１００の経路を変更するように構成されてもよい。

【0056】

さらにコントローラ１２０は、ロードロック室１４Ａにおいて温度センサ１１０から取得したボート３２の温度と、ロードロック室１４Ｂにおいて温度センサ１１０から取得したボート３２の温度が近づくように、搬送室１６からロードロック室１４Ａに処理済みの基板１００を搬入する頻度と、搬送室１６からロードロック室１４Ｂに処理済みの基板１００を搬入する頻度を変更するように構成されてもよい。

【0057】

（半導体装置の製造方法）
次に、基板処理装置１０を用いた半導体装置の製造方法、すなわち、基板１００の処理手順について説明する。なお、基板処理装置１０の各構成部は上記のようにコントローラ１２０によって制御される。

【0058】

まず、大気ロボット３０によって、ポッド２７－１～２７－３に収納されている基板１００を、大気搬送室１２内に搬出する。

【0059】

次に、ロードロック室１４内を大気圧化したのち、ゲートバルブ１０４を開放する。具体的には、ガス供給管４２のガス供給バルブ４３を開き、不活性ガスをロードロック室１４内へ供給する。このようにして、ロードロック室１４内を大気圧化した後、ゲートバルブ１０４を開放する。

【0060】

次に、ロードロック室１４内に基板１００を搬入する。具体的には、大気ロボット３０によって、大気搬送室１２内に搬入された基板１００をロードロック室１４内に搬送し、室内のボート３２の支持溝４０に基板１００を載置する。これにより、基板１００がボート３２によって支持される。

【0061】

次に、ゲートバルブ１０４を閉塞した後、ロードロック室１４内を真空圧化する。具体的には、ボート３２が所定枚数の基板１００を支持した後、排気管４４のバルブ４５を開き真空ポンプ４６によって、ロードロック室１４内を排気する。このようにして、ロードロック室１４内を真空圧化する。なお、このとき、搬送室１６及び処理室１８は真空圧化している。

【0062】

次に、基板１００をロードロック室１４から処理室１８へ搬送する。具体的には、まず、ゲートバルブ２４を開く。このとき、昇降駆動部５８は、ボート３２に支持された基板１００が真空ロボット７０で取り出せるようにボート３２を昇降させる。回転駆動部６２は、ボート３２の基板取り出し口が搬送室１６側を向くように、このボート３２を回転させる。

【0063】

真空ロボット７０は、アーム部７６のフィンガ７８をボート３２方向へ延伸し、これらフィンガ７８に基板１００を載置する。フィンガ７８を収縮した後、アーム部７６を処理室１８側に向くよう回転させる。次いで、フィンガ７８を延伸し、ゲートバルブ２８が開かれた連通部２６を介して、基板１００を処理室１８内へ搬入する。

【0064】

処理室１８において、フィンガ７８に載置された基板１００は、処理部８０の載置台９２に載置される、又は、処理部８０側で待機する移動部材８６に受け渡される。移動部材８６は、基板１００を受け取った後、処理部８２側へ回転して載置台９６にこの基板１００を載置する。

【0065】

そして、処理室１８において、基板１００に例えばアッシング処理等の所定の処理を行う。これらの所定の処理において、ヒータにより加熱されたり、処理によって生じる反応熱などにより加熱されたりすることで、基板１００の温度は上昇する。

【0066】

次に、処理後の基板１００を処理室１８からロードロック室１４へ搬送する。処理室１８からロードロック室１４への基板１００の搬送（搬入）は、基板１００を処理室１８に搬入させた動作とは逆の手順で行われる。このとき、ロードロック室１４内は真空圧化状態が維持されている。

【0067】

ロードロック室１４へ処理済みの基板１００が搬入され、ボート３２に基板１００が所定の間隔で多段に支持されると、ゲートバルブ２４を閉塞し、ロードロック室１４内を大気圧化する。具体的には、ガス供給管４２のガス供給バルブ４３を開き、不活性ガスをロードロック室１４内へ供給する。このようにして、ロードロック室１４内を不活性ガスにより大気圧化させる。ここで、ボート３２及びボート３２により支持された基板１００は、上記冷却機構と、ロードロック室１４内に供給された不活性ガスによって冷却される。ロードロック室１４での基板１００の冷却は、所定時間Ｔ１の間行われる。なお、供給される不活性ガスは、冷却を促進させるため、予めガス供給管４２の前段において冷却されていてもよい。

【0068】

また、ボート３２への処理済みの基板１００の装填（載置）が完了すると、ボート３２を、冷却を行う位置まで上昇又は下降させる。本実施形態では、ボート３２を最も高い位置まで上昇させた状態で冷却を行うことにより、冷却機構による冷却を促進させている。

【0069】

次に、基板１００が所定時間Ｔ１の間冷却された後、コントローラ１２０は、図５に示されるように、温度センサ１１０によるボート３２の温度測定を開始する（ステップＳ１３２）。このステップＳ１３２では、複数の基板１００を支持している状態のボート３２の温度を温度センサ１１０で測定する。具体的には、コントローラ１２０は、回転駆動部６２を制御してボート３２の垂直面３９が窓部１０６を通して温度センサ１１０を向くようにボート３２を回転させる。本実施形態では、ゲートバルブ１０４から基板１００を搬出する際のボート３２の回転位置と同じ位置までボート３２を回転させる。また、昇降駆動部５８を制御してボート３２の垂直面３９が窓部１０６を通して温度センサ１１０に対して上下方向に相対的に移動するようにボート３２を昇降させる。このように垂直面３９が温度センサ１１０の温度測定範囲１１１内に入るようにすることで、垂直面３９の温度測定を確実に行うことができる。

【0070】

より具体的には、ボート３２を回転させた後、昇降駆動部５８により、冷却中に最も高い位置まで上昇していたボート３２を、最も低い位置まで下降させる。その過程において、垂直面３９の下端部から上端部までの温度を、温度センサ１１０により走査（スキャン）するように測定する。また、最も低い位置まで下降させた後、再び、最も高い位置までボート３２を上昇させ、同様にその過程において、垂直面３９の上端部から下端部までの温度を、温度センサ１１０により走査するように測定する。これにより、垂直面３９の上端部から下端部までの間の温度を少なくとも２回以上取得し、温度測定の精度を高めることができる。ただし、当該温度測定動作は、垂直面３９の下端から上端までの全体に亘って行う必要はなく、少なくとも複数の測定箇所における温度を測定することにより、ボート３２に支持された複数の基板１００の温度分布を取得することができる。

【0071】

次に、コントローラ１２０は、温度センサ１１０で測定されたボート３２の温度情報を取得し、取得した温度情報と予め設定された閾値を比較する（ステップＳ１３４）。ステップＳ１３４では、コントローラ１２０は、取得した温度情報が上記閾値以下の場合には、ボート３２で支持された基板１００が十分に冷却されたと判定し、ステップＳ１３６へ移行する。一方、取得した温度情報が上記閾値を超える場合には、ボート３２で支持された基板１００が十分に冷却されていないと判定し、ステップＳ１３２へ戻る。なお、ステップＳ１３２へ戻るときには、例えば所定時間Ｔ１経過後、ステップＳ１３２を実行する。また、ステップＳ１３２を再実行するまでの時間は、所定時間Ｔ１よりも短い所定時間Ｔ２としてもよい。また、コントローラ１２０は、取得した温度情報と閾値との差分を算出し、算出した差分の大きさに応じて、ステップＳ１３２を再実行するまでの時間を異ならせるように設定してもよい。

【0072】

なお、ステップＳ１３４では、コントローラ１２０は、温度センサ１１０から取得したボート３２の温度情報と閾値を比較している。しかし、コントローラ１２０はステップＳ１３４において、上述の通り、取得したボート３２の温度情報に基づいて各測定位置に対応する部位に支持された基板１００の温度を算出し、算出した基板１００の温度と予め設定された閾値を比較することにより、同様の判定を行ってもよい。

【0073】

また、少なくともステップＳ１３４において、基板１００が十分に冷却されたと判定されるまでの間、ガス供給管４２からの不活性ガスの供給は継続されることが望ましい。この場合、排気管４４のバルブ４５の開度を小さくした状態で開き、真空ポンプ４６によって、ロードロック室１４内の圧力が一定に維持されるように継続的に排気を行う。

【0074】

ステップＳ１３６では、ゲートバルブ１０４を開く。なお、本実施形態では、基板１００をロードロック室１４内に搬入した後に、ロードロック室１４内を大気圧化させたが、ステップＳ１３４において基板１００の搬出を可と判定した後に、ロードロック室１４内を大気圧化させてもよい。ただし、スループットの向上や、基板１００の冷却速度向上の観点からは、ロードロック室１４内の大気圧化は、基板１００の搬入完了とともに開始することが好ましい。

【0075】

次に、ロードロック室１４から大気側へ冷却済みの基板１００を搬出する（ステップＳ１３８）。具体的には、ゲートバルブ１０４が開いたロードロック室１４から、大気ロボット３０を用いて大気搬送室１２に基板１００を搬出する。
このようにして、基板１００の搬送動作を完了する。また、冷却済みの基板１００が大気搬送室１２に搬送されることで、半導体装置である基板１００の製造が完了する。

【0076】

（プログラム）
本実施形態に係るプログラムは、基板１００が搬入及び搬出されるロードロック室１４と、ロードロック室１４内に設けられ、複数の基板１００を所定の間隔で多段に支持するボート３２と、基板１００を支持している状態のボート３２の温度を非接触で測定可能な温度センサ１１０と、を備える基板１００の処理装置に実行させるプログラムであって、ロードロック室１４内に複数の処理済みの基板１００を搬入し、ロードロック室１４内に設けられたボート３２に複数の基板１００を所定の間隔で多段に支持させる手順と、複数の基板１００を支持している状態のボート３２の温度を非接触の温度センサ１１０で測定する手順と、を実行させるプログラムである。

【0077】

次に、本実施形態に係る作用について説明する。
ロードロック室から搬出される基板の温度が変動すると、基板が高温な状態で大気と反応し望まない酸化を生じさせたり、装置や部品を破損させたりすることがある。そのため、ロードロック室内の処理済みの基板の温度を把握することが求められている。例えば、熱電対（ＴＣ）等の接触式温度センサを用いる場合、基板と熱電対との接触によりパーティクルが発生することがある。また、ボートが駆動する場合には、ＴＣ等の配線を行うことが困難となることがある。そのため、非接触で温度測定が可能な温度センサを用いて基板の温度測定を行うことが望ましい。しかし、基板を非接触の温度センサで直接測定すると、基板の種類やロードロック室内の位置によって、正確に温度測定することが困難なことがある。例えば、Ｓｉウェーハ等の半導体ウェーハのように、温度によって赤外線の放射率が大きく変化する材質で構成された基板の温度測定を行う場合、特定の放射率を基に温度の測定を行う放射温度計などの非接触の温度センサでは、正確な基板の温度を測定するのが困難なことがある。更に、例えばＳｉウェーハ等のような赤外線の透過率が大きい（放射率が小さい）材質の基板の温度測定を行う場合、他の熱源から放射される赤外線を基板が透過して、その赤外線を非接触センサが受光してしまうことで、温度測定対象である基板自体の温度を正確に測定することができないことがある。また、ロードロック室内の基板の位置によって透過される赤外線の量が異なることとなり、複数の基板の温度をそれぞれ正確に測定することができないことがある。

【0078】

これに対して、本実施形態では、ロードロック室１４から搬出される基板の温度を把握しておくことで、ロードロック室１４から搬出される基板１００の温度を正確に管理することができる。そのため、例えばロードロック室１４から搬出される基板１００の温度を制限することで、基板１００が高温な状態で大気と反応し望まない酸化を生じさせたり、装置や部品を破損させたりすることを抑制することができる。また、例えば、ロードロック室１４から搬出される基板１００の温度のバラつきを抑制し、温度のバラつきによる影響（酸化度合いのバラつき、等）を低減することができる。

【0079】

さらに、本実施形態では、基板１００を支持している状態のボート３２の温度を非接触で測定するように構成された温度センサ１１０を備えることにより、基板１００の種類（特に反射率や透過率等の特性）やロードロック室１４内の位置によらず、ボート３２に支持された基板１００の温度を正確に把握し、その温度管理を容易に行うことが可能となる。

【0080】

また、本実施形態では、コントローラ１２０が測定したボート３２の温度に基づいて、基板１００の温度を求めることができる。このため、ボート３２に支持された基板１００の温度を正確に把握することができる。

【0081】

また、本実施形態では、ボート３２の垂直面３９は、温度センサ１１０のスポット径（温度測定範囲１１１）よりも広い面である。ボート３２の温度測定時には、温度センサ１１０のスポット径内に基板１００が入らない位置にボート３２を回転させることで、ボート３２の温度を正確に測定することが可能となる。

【0082】

本実施形態では、支持された複数の基板１００に対応した垂直面３９の複数の位置の温度を測定するため、各基板１００の温度をそれぞれ算出することができる。

【0083】

また、本実施形態では、垂直面３９が温度センサ１１０に対向するようにボート３２を回転させることで、温度センサ１１０の温度測定範囲１１１の全体が垂直面３９に入るようにしている。これにより、ボート３２の温度測定を基に基板１００の温度を正確に把握することができる。

【0084】

本実施形態では、固定された温度センサ１１０によって、ボート３２の複数の位置で温度が測定及び取得される。したがって、温度センサ１１０で温度を測定及び取得したボート３２の垂直面３９の各位置に載置された基板１００の温度を求めることができる。

【0085】

本実施形態では、ボート３２の垂直面３９を窓部１０６を通して温度センサ１１０に対向させた後に昇降動作を行うことで、固定された温度センサ１１０によって、垂直面３９の温度をより正確に測定及び取得することができる。また、ボート３２の垂直面３９の複数位置の温度を連続して複数回（２回以上）測定することで、より安定して温度を測定することが可能となる（すなわち、外乱の影響を抑制することができる。）

【0086】

本実施形態では、不活性ガスによりロードロック室１４内の圧力を上昇させることにより、ロードロック室１４内に支持された基板１００からの放熱を促進し、ロードロック室１４内で基板１００を冷却することができる。また、ボート３２の温度を測定することにより、不活性ガス雰囲気下で冷却された基板１００の温度を求めることができる。これにより、ロードロック室１４内の基板１００が予め設定した閾値以下となるまでロードロック室１４内で冷却を行った後、搬出することができる。

【0087】

本実施形態では、温度センサ１１０をロードロック室１４外に設けることにより、温度センサ１１０の設置やメンテナンスが容易となる。また、温度センサ１１０に高い耐熱性が不要になる。

【0088】

本実施形態では、測定する温度帯における温度変化に対する赤外線の放射率の変化が基板を構成する材質よりも小さい材質であるアルミニウム等により、ボート３２を構成している。そして、基板１００を支持している状態のボート３２の温度を測定することにより、基板１００が温度変化に対する赤外線の放射率の変化が大きい材質により構成される場合であっても、ボート３２に支持された基板１００の温度を正確に把握し、その温度管理を容易に行うことが可能となる。また、本実施形態では、測定する温度帯における赤外線の透過率及び反射率の少なくとも一方（望ましくは両方）が、基板を構成する材質より小さい（又は、放射率が基板を構成する材質よりも大きい）材質であるアルミニウム等により、ボート３２を構成している。したがって、基板１００の種類（特に反射率や透過率）やロードロック室１４内の位置によらず、ボート３２に支持された基板１００の温度を正確に把握し、その温度管理を容易に行うことが可能となる。特に、ボート３２を構成する材質は、赤外線に対して実質的に不透明であることが望ましい。

【0089】

また、本実施形態では、垂直面３９の少なくとも表面を、基板１００よりも赤外線の反射率がより小さくなるように（すなわち放射率が大きくなるように）アルマイト処理している。これにより上述の効果をより顕著に得ることができる。

【0090】

本実施形態では、垂直面３９に対応する部分の厚みを一定としていることから、積載された基板１００の温度と測定されたボート３２の温度との相関が一定となり、基板１００の温度を求めることが容易となる。

【0091】

本実施形態では、条件に応じてコントローラ１２０が基板１００の搬送経路を変更するため、ロードロック室１４から搬出される基板１００の温度の偏りを低減したり、ボート３２の温度の偏りを低減して基板１００の冷却時間を短縮したりすることができる。

【0092】

＜他の実施形態＞
本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上述の実施形態では、温度センサ１１０がロードロック室１４の外周壁部１５Ｃの下部側に配置されているが、本開示はこの構成に限定されない。温度センサ１１０がボート３２端部の温度測定が可能であれば、ロードロック室１４のどの位置に設けてもよい。なお、外周壁部１５Ｃの温度センサ１１０を設ける部位には、窓部１０６を設ける。

【0093】

また、上述の実施形態では、ロードロック室１４の室内において基板１００を所定時間冷却した後で、温度センサ１１０によるボート３２の温度測定をしているが、本開示はこの構成に限定されない。例えば、ロードロック室１４での基板１００の冷却中に、ボート３２の一部の温度を継続して測定し、測定していた温度センサ１１０からの温度情報が予め設定した閾値以下となった場合に、温度センサ１１０によるボート３２の温度測定をしてもよい。

【0094】

また、上述の実施形態では、ロードロック室１４に窓部１０６を１箇所設け、この窓部１０６に温度センサ１１０を１箇所配置しているが、本開示はこの構成に限定されない。例えば、ロードロック室１４に複数の窓部１０６を設け、これらの窓部１０６にそれぞれ温度センサ１１０を配置してもよいし、大きい一つの窓部１０６を形成し、この窓部１０６に複数の温度センサ１１０を配置してもよい。

【0095】

また、上述の実施形態では、ボート３２の温度が閾値を超えている場合には、ロードロック室１４から基板１００が大気側へ搬出されるのが停止されるが、本開示はこの構成に限定されず、搬出の停止と共に、インタフェースを介してアラーム通知を行ってもよい。

【0096】

なお、２０２１年３月１５日に出願された日本国特許出願２０２１－０４１５４３号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

【符号の説明】

【0097】

１０ 基板処理装置
１４ ロードロック室
３２ ボート
３９ 垂直面
５８ 昇降駆動部
１００ 基板
１１０ 温度センサ
１２０ コントローラ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】