(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-10-21
(45)【発行日】2024-10-29
(54)【発明の名称】撮像素子及び撮像装置
(51)【国際特許分類】
G02B 5/00 20060101AFI20241022BHJP
G02B 1/02 20060101ALI20241022BHJP
G02B 5/20 20060101ALI20241022BHJP
H01L 27/146 20060101ALI20241022BHJP
H04N 23/12 20230101ALI20241022BHJP
【FI】
G02B5/00 Z
G02B1/02
G02B5/20 101
H01L27/146 D
H04N23/12
(21)【出願番号】P 2022565007
(86)(22)【出願日】2020-11-30
(86)【国際出願番号】 JP2020044530
(87)【国際公開番号】W WO2022113352
(87)【国際公開日】2022-06-02
【審査請求日】2023-03-15
(73)【特許権者】
【識別番号】000004226
【氏名又は名称】日本電信電話株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】宮田 将司
(72)【発明者】
【氏名】根本 成
(72)【発明者】
【氏名】小林 史英
(72)【発明者】
【氏名】橋本 俊和
【審査官】森内 正明
(56)【参考文献】
【文献】特開2010-156942(JP,A)
【文献】特開2011-40441(JP,A)
【文献】特開2015-28960(JP,A)
【文献】特開2019-184986(JP,A)
【文献】国際公開第2020/066738(WO,A1)
【文献】特開2018-146750(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G02B 1/02
G02B 5/00
G02B 5/20
H01L 27/14 - 27/148
H04N 9/01 - 9/11
H04N 23/10 - 23/17
H04N 25/01 - 25/17
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
各々が光電変換素子を含む複数の画素と、
前記複数の画素を覆う透明層と、
前記透明層上または前記透明層内において前記透明層の面方向に配置された複数の構造体と、
を備え、
前記複数の構造体は、各構造体の入射光の入射角度に応じて、入射した光のうち、第1の色の光を直下に位置する第1の画素に集光し、第2の色の光を直下に位置する第2の画素に集光するように配置され、
前記複数の構造体のうち、前記第1の画素の直上に位置する構造体が、前記第1の色の光を直下に位置する前記第1の画素に集光し、前記第2の画素の直上に位置する構造体が、前記第2の色の光を直下に位置する前記第2の画素に集光することを特徴とする
撮像素子。
【請求項2】
前記複数の構造体の各々の断面形状は、当該
撮像素子の中央部と外周部とで異なることを特徴とする請求項1に記載の
撮像素子。
【請求項3】
前記複数の構造体の各々は、前記透明層の屈折率よりも高い屈折率を有し、入射した光に対して断面形状に応じた光位相遅延量を与える柱状構造体であり、
前記複数の構造体は、前記集光を実現するための光位相量遅延分布に従って断面形状が設定され、前記集光を実現するための光位相量遅延分布に従って配置されることを特徴とする請求項1または2に記載の
撮像素子。
【請求項4】
前記複数の構造体の各々の断面形状は、4回回転対称形状であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載の
撮像素子。
【請求項5】
前記複数の画素と前記透明層との間に設けられたフィルタ層を備えることを特徴とする請求項
4に記載の撮像素子。
【請求項6】
請求項
1~5のいずれか一つに記載の撮像素子と、
前記撮像素子から得られた電気信号に基づいて画像信号を生成する信号処理部と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、撮像素子及び撮像装置に関する。
【背景技術】
【0002】
一般的な撮像装置は、レンズ光学系と、CCD(Charge Coupled Device)センサやCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサなどの2次元の撮像素子とを用いて、撮像対象からの光の強度情報と色情報からなる2次元画像を取得する。
【0003】
従来のカラーセンサの撮像素子は、撮像レンズを透過した入射光を、マイクロレンズで集光し、色ごとのカラーフィルタを各画素の上に配置することで、特定波長の光のみを光電変換素子に受光させる構成が一般的である。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0004】
【文献】Takanori Kudo, Yuki Nanjo, Yuko Nozaki, Kazuya Nagao, Hidemasa Yamaguchi, Wen-Bing Kang, Georg Pawlowski, “PIGMENTED PHOTORESISTS FOR COLOR FILTERS”, Journal of Photopolymer Science and Technology, 1996, 9巻, 1号, p.109-119.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、撮像レンズを通過した入射光の入射角度はセンサの中央部と周辺部とで異なる角度を持つため、マイクロレンズによる集光の様態も中央部と周辺部とで異なってしまい、センサの周辺部において受光感度の劣化が生じるという問題があった。
【0006】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、センサ周辺部における受光感度を向上することができる、撮像素子及び撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る撮像素子は、各々が光電変換素子を含む複数の画素と、複数の画素を覆う透明層と、透明層上または透明層内において透明層の面方向に配置された複数の構造体と、を備え、複数の構造体は、各構造体の入射光の入射角度に応じて、入射した光のうち、第1の色の光を直下に位置する第1の画素に集光し、第2の色の光を直下に位置する第2の画素に集光するように配置され、複数の構造体のうち、第1の画素の直上に位置する構造体が、第1の色の光を直下に位置する第1の画素に集光し、第2の画素の直上に位置する構造体が、第2の色の光を直下に位置する第2の画素に集光することを特徴とする。
【0009】
また、本発明に係る撮像装置は、上記記載の撮像素子と、像素子が出力する電気信号を処理し、画像を生成する信号処理部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、センサ周辺部における受光感度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【
図1】
図1は、実施の形態1に係る撮像装置の概略構成を示した側面図である。
【
図2】
図2は、実施の形態1に係る撮像素子の画素アレイ及び偏光波長分離レンズアレイの断面の一部を模式的に示す図である。
【
図3】
図3は、実施の形態1に係る撮像素子の中央部における画素アレイ及び光学素子アレイの断面の一部を模式的に示す図である。
【
図4】
図4は、実施の形態1に係る撮像素子の外周部における画素アレイ及び光学素子アレイの断面の一部を模式的に示す図である。
【
図5】
図5は、構造体の概略構成の例を示す図である。
【
図6】
図6は、構造体の概略構成の例を示す図である。
【
図7】
図7は、構造体の概略構成の例を示す図である。
【
図8】
図8は、構造体の概略構成の例を示す図である。
【
図9】
図9は、構造体の概略構成の例を示す図である。
【
図11】
図11は、各波長と光位相遅延量との組み合わせの例を示す図である。
【
図13】
図13は、構造体がSiNである場合のレンズ設計の例を示す図である。
【
図14】
図14は、構造体がSiNである場合のレンズ設計の例を示す図である。
【
図15】
図15は、構造体がSiNである場合のレンズ設計の例を示す図である。
【
図16】
図16は、構造体がSiNである場合のレンズ設計の例を示す図である。
【
図17】
図17は、画素アレイにおける画素ユニットの画素配置を模式的に示す図である。
【
図19】
図19は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図20】
図20は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図21】
図21は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図22】
図22は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図23】
図23は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図24】
図24は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図25】
図25は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図26】
図26は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図27】
図27は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図28】
図28は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図29】
図29は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図30】
図30は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図31】
図31は、実施の形態1に係る撮像素子における画素アレイ及び光学素子アレイの断面の一部の他の例を模式的に示す図である。
【
図32】
図32は、実施の形態1に係る撮像素子における画素アレイ及び光学素子アレイの断面の一部の他の例を模式的に示す図である。
【
図34】
図34は、実施の形態2に係る撮像素子の中央部における画素アレイ及び光学素子アレイの断面の一部を模式的に示す図である。
【
図35】
図35は、実施の形態2に係る撮像素子の中央部における画素アレイ及び光学素子アレイの断面の一部を模式的に示す図である。
【
図36】
図36は、画素アレイにおける画素ユニットの画素配置を模式的に示す図である。
【
図38】
図38は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図39】
図39は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図40】
図40は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図41】
図41は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図42】
図42は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図43】
図43は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図44】
図44は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図45】
図45は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図46】
図46は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図47】
図47は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図48】
図48は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図49】
図49は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
【
図50】
図50は、画素アレイにおける画素ユニットの他の画素配置を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面とともに詳細に説明する。なお、以下の説明において、各図は本発明の内容を理解でき得る程度に形状、大きさ、及び位置関係を概略的に示してあるに過ぎず、したがって、本発明は各図で例示された形状、大きさ、及び位置関係のみに限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付して示している。
【0013】
[実施の形態1]
[撮像装置]
まず、本発明の実施の形態1に係る撮像装置について説明する。
図1は、実施の形態1に係る撮像装置の概略構成を示した側面図である。
【0014】
図1に示すように、実施の形態1に係る撮像装置10は、レンズ光学系11、撮像素子12及び信号処理部13を有する。撮像素子12は、CCDやCMOS等の光電変換素子を有する。信号処理部13は、撮像素子12から出力される光電変換信号を処理して画像信号を生成する。
【0015】
自然光や照明光等の光が物体1に照射され、物体1により透過/反射/散乱した光、または、物体1から発する光は、レンズ光学系11により撮像素子12上に光学像を形成する。一般に、レンズ光学系11は、様々な光学収差を補正するため、光軸に沿って並んだ複数のレンズからなるレンズ群により構成されるが、
図1では図面を簡略化して単一のレンズとして示している。信号処理部13は、生成した画像信号を外部に送出する画像信号出力を有する。
【0016】
なお、撮像装置10は、赤外光カットの光学フィルタ、電子シャッタ、ビューファインダ、電源(電池)、フラッシュライトなどの公知の構成要素を備え得るが、それらの説明は、本発明の理解に特に必要でないため省略する。また、以上の構成はあくまでも一例であり、実施の形態では、レンズ光学系11、撮像素子12、信号処理部13を除く構成要素として、公知の要素を適切に組み合わせて用いることができる。
【0017】
[撮像素子]
続いて、実施の形態1に係る撮像素子12の概略を説明する。
図2は、実施の形態1に係るレンズ光学系11と、撮像素子12の要部の断面を模式的に示す図である。
図2以降では、撮像素子12の一部を、撮像素子100として説明する。撮像素子100は、画素アレイの光電変換素子に入射光を導く複数の柱状の構造体を全面に形成した光学素子アレイを有する。また、撮像素子100では、
図2に示すように、レンズ光学系11から撮像素子100に入射する光の入射角度θが、中央部と外周部とで異なるため、光学素子アレイに形成した複数の柱状の構造体を、入射光の入射角度に応じて、所定の色に分離した状態で、直下の画素に導くための位相特性を与える形状に設定している。すなわち、光学素子アレイに形成した複数の柱状の構造体の各々の断面形状は、光学素子アレイの中央部と外周部とで異なるものに設定している。以降、
図3及び
図4を用いて、撮像素子100の構造について説明する。
【0018】
図3は、実施の形態に係る撮像素子の中央部における画素アレイ及び光学素子アレイの断面の一部を模式的に示す図である。
図4は、実施の形態に係る撮像素子の外周部における画素アレイ及び光学素子アレイの断面の一部を模式的に示す図である。なお、
図3及び
図4において、矢印は、撮像素子100に入射する光を模式的に示す。図において、xyz座標系が示される。xy平面方向は、後述する画素アレイ110、透明層150等の面方向に相当する。以下、特に説明がある場合を除き、「平面視」は、z軸方向に(例えばZ軸負方向に)視ることを指し示す。「側面視」は、x軸方向またはy軸方向(例えばy軸負方向)に見ることを指し示す。
【0019】
図3及び
図4に示すように、撮像素子100は、画素アレイ110と、画素アレイ110と対向して配置された光学素子アレイ120とを有する。画素アレイ110及び光学素子アレイ120は、z軸正方向にこの順に設けられる。光学素子アレイ120は、レンズ光学系11からの光が入射する側に配置されている。光学素子アレイ120は、画素アレイ110上に形成された透明層150の上面に形成される。なお、透明層150は、SiO
2(屈折率n=1.45)等の材料からなる低屈折率の透明層である。
【0020】
画素アレイ110は、配線層180と、xy平面方向に配置された複数の画素130とを有する。各画素130は、各々が光電変換素子を含んで構成される。光電変換素子の例は、フォトダイオード(PD:Photo Diode)である。各画素は、赤色(R)、緑色(G)及び青色(B)に対応する。赤色の光の波長帯域の例は、波長をλ0とすると、600nm<λ0である。緑色の光の波長帯域の例は、500nm<λ0≦600nmである。青色の光の波長帯域の例は、λ0≦500nmである。以降、各画素を区別できるように、画素R、画素G及び画素B(不図示)と称し図示する。これら画素R、2つの画素G及び画素Bは、後述するように、ベイヤー配列され、一つの画素ユニットを構成する。
【0021】
光学素子アレイ120は、画素アレイ110を覆うように設けられる。光学素子アレイ120の例は、メタサーフェスである。メタサーフェスは、光の波長以下の幅を有する複数の微細構造体(構造体160に相当)を含んで構成される。メタサーフェスは、2次元構造を有してもよいし、3次元構造を有してもよい。光学素子アレイ120は、構造体160のパラメータを変えるだけで、光の特性(波長、偏波、入射角度)に応じて、位相と光強度を制御することができる。3次元構造の場合、2次元構造よりも設計自由度が向上する。
【0022】
光学素子アレイ120は、波長分離機能及びレンズ機能の2つの機能を有する。波長分離機能は、入射した光を各波長帯域の光に分離する機能である。レンズ機能は、各波長の光を、対応する画素に集光する機能である。この例では、光学素子アレイ120の波長分離機能により、入射した光がR光、G光及びB光に分離される。レンズ機能により、R光が直下に位置する画素Rに集光され、G光が直下に位置する画素Gに集光され、B光が直下に位置する画素Bに集光される。
【0023】
光学素子アレイ120は、透明層150と、複数の柱状の構造体160とを含む。透明層150は、画素アレイ110を覆うように、画素アレイ110上に設けられる。透明層150は、構造体160の屈折率よりも低い屈折率を有する。透明層150の材料の例は、SiO2等である。透明層150は空隙であってもよく、その場合、透明層150の屈折率は、空気の屈折率に等しくてよい。透明層150の材料は単一であってもよいし、複数の材料が層状になったものでもよい。
【0024】
複数の構造体160は、透明層150上または透明層150内において、透明層150の面方向(xy平面方向)に、例えば周期的に(周期構造を有して)、配置される。この例では、構造体160は、透明層150を挟んで画素アレイ110とは反対側(z軸正方向側)において、透明層150上に設けられる。複数の構造体160は、設計を容易にする等のために等間隔配置されてもよいし、不等間隔配置されてもよい。各構造体160は、入射光の波長と同程度またはそれよりも小さい寸法を有するナノオーダーサイズの微細構造体である。複数の構造体160は、側面視したときに、同じ高さを有する。
【0025】
構造体160は、入射光を、色に分離した状態で、対応する直下の画素130の光電変換素子に導く。例えば、実施の形態1では、構造体160が分離する波長領域がR、G、Bである場合について示す。複数の構造体160は、各構造体の入射光の入射角度に応じて、入射した光のうち、R色の光を直下に位置する画素Rに集光し、G光を直下に位置する画素Gに集光し、B光を直下に位置する画素Bに集光するように配置される。
【0026】
構造体160は、周囲材料(透明層150、空気)の屈折率よりも高い屈折率を有する材料を用いて形成される。これによって、構造体160は、柱状構造体内部に光を強く閉じ込めて隣接する柱状構造体との光結合を防ぐ。構造体160は、例えば、SiN(屈折率n=2.05)、TiO2(屈折率n=2.40)を用いて形成される。
【0027】
構造体160は、平面視したときに、各柱状構造体の入射光の入射角度に応じて、入射光を、R,G,Bに色分離した状態で、対応する直下の画素R,G,Bの光電変換素子に導くための位相特性を有する形状にそれぞれ形成される。構造体160の各々は、入射光に対して、平面視したときに当該構造体160が有する形状に応じた光位相遅延量を与える。構造体160の各々の断面形状は、光学素子アレイの中央部と外周部とで異なる。
【0028】
[構造体]
入射光の波長領域に応じて異なる集光位置を有する構造体160を実現するには、波長領域毎に異なる光波面を与える構造を実現する必要がある。本実施の形態1では、微細な柱状の構造体160が入射光に与える位相遅延量の波長分散特性を利用することで、波長分離機能と集光機能との双方を実現する。
【0029】
構造体160は、構造周囲の透明層150或いは空気の屈折率n0よりも高い屈折率n1を有するSiNやTiO2等の材料から形成されており、側面視したときの構造体160の高さ(z軸方向の長さ)hを一定とする。この構造体160は、透明層との屈折率差から、光を構造内に閉じ込めて伝搬させる光導波路として考えることができる。
【0030】
したがって、レンズ光学系11側から光を入射すると、光は構造内に強く閉じ込められながら伝搬し、光導波路の実効的な屈折率neffにより決定される位相遅延効果を受けて、画素アレイ110側から出力される。
【0031】
具体的に、透明層を構造の厚み分の長さを伝搬した光の位相を基準した際、構造体160による位相遅延量φは、光の真空中での波長をλとおくと、式(1)で表される。
【0032】
【0033】
この位相遅延量φは、光の波長λによって異なるため、同一の構造体において、光を波長領域に応じて異なる位相遅延量を与えることができる。
【0034】
さらに、光導波路の実効的な屈折率neffは、構造体160の断面形状に大きく依存することが知られており、n0<neff<n1の値をとる。また、光導波路の実効的な屈折率neffは、光の波長λによっても異なり、その度合いは構造体160の断面形状に大きく依存する。
【0035】
したがって、
図5~
図10に示すように、例えば、正方形形状、十字形状、円形形状等の多様な断面形状をもつ構造体160を用いることで、光の波長λに応じた位相遅延量の多彩な組み合わせを設定することが可能であり、波長領域に応じて異なる集光位置をもつレンズを新たに設計、実現することが可能となる。
【0036】
[構造体の形状]
図5~
図10は、構造体160の概略構成の例を示す図である。
図5は、平面視したときの形状が正方形形状である構造体160の側面図である。
図6は、
図5に示す構造体160の平面図である。
図7は、平面視したときの形状がX字形状である構造体160の側面図である。
図8は、
図7に示す構造体160の平面図である。
図9は、平面視したときの形状が中空ひし形形状である構造体160の側面図である。
図10は、
図9に示す構造体160の平面図である。
【0037】
構造体160は、z軸方向に延在する柱状構造体であり、透明層150(例えばSiO2基板(屈折率1.45))上に形成される。構造体160の材料の例は、SiN(屈折率2.05)である。構造体160の側方及び上方は、空気(Air(屈折率1.0))である。
【0038】
それぞれの構造体160の配置周期をPとする。配置周期Pは、透過側で回折光が生じないように、式(2)のように設定することが望ましい。
【0039】
【0040】
λminは、受光対象の波長帯域における最短波長であり、例えば410nmである。n2は、透明層150の屈折率であり、透明層150がSiO2の場合、n2=1.45である。構造体160の配置周期Pは、例えば、280nmである。
【0041】
図5~
図10では、側面視したときの構造体160の高さ(z軸方向の長さ)を、高さhと称し図示する。構造体160の高さhは、一定である。高さhは、構造体160が、入射した光、すなわちz軸方向に沿って進む光に対して2π以上の光位相遅延量(位相値)を与えることができるように、式(3)のように設定することが望ましい。
【0042】
【0043】
波長λrは、波長分離の対象となる光の波長帯域のうち、最も長波長側の波長帯域における所望の中心波長である。n1は、構造体160の屈折率である。構造体160がSiNの場合、n1=屈折率2.05であり、高さhは例えば1600nmである。また、構造体160は、TiO2(屈折率2.40)で形成されてもよい。この場合、n1=2.40であり、構造体160の高さhは、例えば1250nmである。
【0044】
構造体160の断面形状を設計(寸法設計を含む)することで、各波長の光に対して異なる光位相遅延量を与えることのできる様々な組み合わせが実現可能である。断面形状を多様化させることで、組み合わせが増加し、設計自由度はさらに向上する。
【0045】
例えば、構造体160は、平面視したときに、正方形形状、十字形状、円形形状を有する。正方形形状、十字形状、円形形状の構造体160の各々は、基本形状が同じで異なる寸法(長さ、幅等)を有する。構造体160の平面視したときの形状は、4回回転対称形状であってよい。そのような形状は、例えば、正方形形状、十字形状、円形形状の少なくとも一つを含んで構成されてよい。各構造体160を、平面視したときに4回回転対称形状とすることで、偏光に対して無依存な特性とする。
【0046】
上述したように、構造体160の平面視したときの形状として、正方形形状、十字形状を45°面内回転させたX字形状、中空ひし形形状を適用することも可能である。なお、中空ひし形形状は、正方形形状を含んで構成された形状の例であり、中空正方形形状を45°面内回転させた形状である。
【0047】
なお、X字形状、ひし形形状のような45°面内回転させた形状を採用すれば、隣接する構造体との間の光学的結合が弱まるので、それぞれの構造体の光学特性が、隣接する構造体の影響を受けず維持されやすくなる。その結果、後述する理想的な位相遅延量分布を再現し易くなる。
【0048】
図11は、各波長と光位相遅延量との組み合わせの例を示す図である。青色の光の例として、波長が430nmの光に対する光位相遅延量(Phase@λ=430nm(rad/π))が示される。緑色の光の例として、波長が520nmの光に対する光位相遅延量(Phase@λ=520nm(rad/π))が示される。赤色の光の例として、波長が635nmの光に対する光位相遅延量(Phase@λ=635nm(rad/π))が示される。
【0049】
四角プロットは、正方形形状の断面形状を有する構造体160の断面形状の寸法をさまざまに設定したときの光位相遅延量を示す。X字プロットは、X字形状の断面形状を有する構造体160において、断面形状の寸法をさまざまに設定したときの光位相遅延量を示す。ひし形プロットは、中空ひし形形状の断面形状を有する構造体160において、断面形状の寸法をさまざまに設定したときの光位相遅延量を示す。いずれも高さhは一定である。黒丸プロットは、後述のレンズ設計における理想的な光位相遅延量である。
【0050】
図11には、構造体160がSiNである場合の光位相遅延量が示される。理解されるように、構造体160の断面形状の設計により、各色の光(各波長の光)と光位相遅延量とのさまざまな組み合わせを実現できる。すなわち、同じ高さhを有する柱状構造体を用いるだけでも、多様な波長分散を持つ光位相遅延量特性(位相特性)が実現できる。これは、断面形状によって、生じる光導波モード・光共振モードとそれに起因する光位相遅延量の波長分散特性を変化させることができるからである。
【0051】
以上の原理に基づき、透明層150の面方向に配置された構造体160の断面形状及び配置の設計により、波長ごとに異なる集光点を持つレンズ機能を実現できる。なお、波長が3つの場合に限らず、波長が2つまたは波長が4つ以上の場合でもレンズ設計は可能である。
【0052】
さらに、本実施の形態では、構造体160に入射する光の入射光に対応させて、レンズ下方の光電変換素子の中心に集光するように、レンズの位相分布を設計し、
図11に示す位相特性を参照しながら、レンズを設計する。したがって、複数の構造体160(
図3、
図4)は、断面形状が、光学素子アレイ12の中央部と外周部とで異なるものに設定されることによって、入射光の入射角度が異なる中央部と外周部とのいずれにおいても、画素Bと対向する領域の外側に入射した光のうちの画素Bに対応する色の光も、画素Bに集光するように配置される。画素Gと対向する領域の外側に入射した光のうちの画素Gに対応する色の光も、画素Gに集光するように配置される。画素Rと対向する領域の外側に入射した光のうちの画素Rに対応する色の光も、画素Rに集光するように配置される。これにより、各画素における受光光量を増加させることができる。
【0053】
[レンズ設計の例]
そこで、レンズ設計の例について説明する。
図12は、入射角度の定義を説明する図である。
図12に示すように、(θ,φ)の入射角度で光が入射する場合について説明する。入射角度(θ,φ)に対応して、レンズ(構造体160)下方の光電変換素子の中心に集光するように、レンズの位相分布を設計し、
図11に示す位相特性を参照しながら設計目標の理想的な光位相遅延量に従って、SiN組成構造の構造体160の断面形状及び配置を設計した。例えば、画素の大きさは、1.68μm×1.68μmである。焦点距離は、4.2μmである。青色の光に対応する中心波長は、430nmである。緑色の光に対応する中心波長は、520nmである。赤色の光に対応する中心波長は、635mである。
【0054】
ある入射角度(θ, φ)の光に対してレンズの直下のzf離れた点(任意の画素の中心点)に集光するレンズの光位相遅延量分布φは、以下の式(4)式で表される。
【0055】
【0056】
上記の式(4)において、λ
dは、中心波長(設計波長)である。x
f、y
f及びz
fは、集光位置である。n
inは、入射側の材料の屈折率である。n
outは、出射側の材料の屈折率である。Cは、任意定数である。
図3及び
図4の構成の場合n
in=1.0(空気)、n
out=1.445(石英ガラス)である。
【0057】
理想的な光位相遅延量分布は、画素B、画素G1,G2及び画素Rそれぞれに以下の集光位置を与える位相分布とした。なお、4つの画素(画素ユニット)の中心位置が、x=0、y=0に対応する。
画素B:xf=+0.84μm、yf=-0.84μm、zf=4.2μm
画素G1:xf=+0.84μm、yf=+0.84μm、zf=4.2μm
画素G2:xf=-0.84μm、yf=-0.84μm、zf=4.2μm
画素R:xf=-0.84μm、yf=+0.84μm、zf=4.2μm
【0058】
φは、0~2πの範囲に収まるように変換している。例えば、-0.5π及び2.5πは、1.5π及び0.5πにそれぞれに変換している。各設計波長におけるレンズの光位相遅延量分布の中心が(隣接レンズとあわせて)集光位置となるように光位相遅延量分布の境界領域を設定した。定数Cは、各波長において、光位相遅延量分布のエラー(理想値との差)が最小になるように最適化されてよい。各波長における光位相遅延量から、上記3波長各中心波長での光位相遅延量分布に最も適合する構造(エラーが最小になる構造)を、対応する位置に配置した。
【0059】
図13~
図16は、構造体160がSiNである場合のレンズ設計の例を示す図である。
図13~
図16は、θ=5°,φ=0°の入射角度で光が入射した場合のレンズの設計の例を示す。
図16に示されるように、画素R,G
1,G
2,Bにそれぞれ対応する波長の光を集光させる形状及び配置で、複数の構造体160が形成される。なお、
図16の中心位置が、x=0、y=0に対応する。
【0060】
図13には、中心波長が430nm(青色の光)の場合の理想的な光位相遅延量分布(Phase(rad/π))が示される。
図14には、中心波長が520nm(緑色の光)の場合の理想的な光位相遅延量分布が示される。
図15には、中心波長が635nm(赤色の光)の場合の理想的な光位相遅延量分布が示される。
【0061】
図16は、
図13~
図15のそれぞれ光位相遅延量分布を実現できる構造体160の平面図であり、1画素ユニット(後述の
図17参照)あたりに設計される構造体160の形状パターンである。
【0062】
図16に示すように、構造体160の形状は、正方形形状、×字形状、中空ひし形の角柱である。この構造体160の平面形状は、θ=5°,φ=0°の入射角度で光が入射した場合に、
図13~
図15に示す光位相遅延量分布のうち、それぞれ対応する位置の位相を実現できる形状に設定される。このため、構造体160の平面形状は、正方形形状、×字形状、中空ひし形の複数種類の形状とせずとも、1種類(例えば、正方形形状)の形状で設定してもよい。また、構造体160の形状は、分離対象の波長領域に限定することなく、正方形形状、×字形状、中空ひし形のいずれの種類の形状を設定することができる。なお、分離対象の波長領域ごとに、構造体160の平面形状の種類を設定してもよい。
【0063】
図17は、画素アレイ110における画素ユニットの画素配置を模式的に示す図である。配置の一例を示す図である。
図18は、入射角度の定義を説明する図である。
図19~
図30は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
図17~
図30には、構造体160がSiNである場合の入射角度依存性の例が示される。この場合、構造体160の形状は、主入射角度に応じて、すなわち、センサ(撮像素子100)内の画素位置に応じてパターンを変化させたものである。
【0064】
これまでも説明したが、
図17に示されるように、画素アレイ110には、画素R、画素G
1、画素G
2及び画素Bを有する画素ユニットが複数配置されている。このときに、
図18に示されるようにz軸方向を0°としたxz平面での角度(Angle)を入射角度とした場合の画素R、画素G
1、画素G
2及び画素Bの受光スペクトルの入射角度依存性が、
図19~
図26に示される。
【0065】
図19~
図22は、θ=0°,φ=0°の入射角度で光が入射した場合に対してレンズを最適設計した場合を示す。
図23~
図26は、θ=5°,φ=0°の入射角度で光が入射した場合に対してレンズを最適設計した場合を示す。
図19及び
図23には、画素Rの受光効率が、波長(Wavelength(μm))ごと及び入射角度(Incident angle (degree))ごとに、すなわち入射角度ごとに受光強度で示される。
図20及び
図24には、画素G
1の受光効率が、入射角度ごとに受光強度で示される。
図21及び
図25には、画素G
2の受光効率が、入射角度ごとに受光強度で示される。
図22及び
図26には、画素Bの受光効率が、入射角度ごとに受光強度で示される。θ=0°及びθ=5°の入射角度のいずれについても、画素R、画素G
1、画素G
2及び画素Bにおける中心波長において、入射角度が±12°程度の範囲において、十分な強度で受光できる。
【0066】
また、
図27~
図30は、各画素が受光した中心波長の光の検出強度の入射角度依存性を示す図であり、それぞれ、θ=0°、θ=5°の場合が図示される。
図27は、画素Rによる波長630nmの光の検出強度であり、
図28は、画素G
1による波長520nmの光の検出強度であり、
図29は、画素G
2による波長520nmの光の検出強度であり、
図30は、画素Bによる波長430nmの光の検出強度である。
【0067】
図27~
図30に示すように、入射角度θ=5°でレンズを最適設計した場合には、入射角度θ=0°でレンズを最適設計した場合と比べ、全ての画素で入射角度耐性の範囲が+5°シフトしている。
【0068】
[実施の形態1の効果]
このように、実施の形態1では、撮像素子100は、光学素子アレイ120が色分離機能とレンズ機能の両方の機能が実現するため、カラーフィルタを用いて色分離を行う従来の撮像素子と比して、総受光量も増加させることができる。
【0069】
そして、撮像素子100では、光学素子アレイ120のレンズ(構造体160)に、色分離機能を持たせながら、主入射角度に対応した角度耐性を付与している。本実施の形態1によれば、撮像素子100内の画素位置に応じて構造体160のパターンを変化させることで、撮像素子100の中心部と周辺部とで異なる主入射角度にそれぞれ対応した色分離マイクロレンズを実現可能となる。したがって、本実施の形態1によれば、撮像素子100内の位置で決定される様々な入射角度に対応した集光機能を画素毎に実現でき、特に撮像素子100周辺部での受光感度を向上することができる。したがって、本実施の形態1によれば、撮像素子100全体で均一な輝度を有し、かつ色エラーの少ない画像信号を生成できる。
【0070】
また、従来技術には、開口率の向上、光入射角度依存性の低減等によって受光光量を増加させる(感度を向上させる)ために、フィルタを挟んで画素とは反対側にマイクロレンズを設けた(集積化した)ものもある。この場合は、少なくともフィルタ及びマイクロレンズの2層構造となるため、構造が複雑化し、製造コストも増加する。実施形態に係る光学素子アレイ120によれば、波長分離機能及びレンズ機能が光学素子アレイ120のみで実現できるので、構造を簡素化し、製造コストを低減することができる。また、複数の構造体160を面内(xy平面内)に隙間なく配置できるので、マイクロレンズに比べて開口率が増加する。
【0071】
なお、入射角度に対する耐性は、色分離レンズの焦点距離に主に依存するため、より短い焦点距離をもつレンズ(構造体160)を設計すれば許容角度も広がる。
【0072】
また、
図1に示す信号処理部13は、撮像素子12から得られた電気信号に基づいて画素信号を生成する。電気信号を得るために、信号処理部13は、撮像素子12の制御も行う。撮像素子12の制御は、撮像素子12の画素の露光、画素アレイ110に蓄積された電荷の電気信号への変換、電気信号の読出し等を含む。
【0073】
また、光学素子アレイ120は、上記の構成に制限されることはなく、構造体160の数や間隔、構造形状、配列パターンにおいて様々な形態をとり得る。また、構造体160は、それぞれが接続されていてもよく、また透明材料内に埋め込まれた形態でもよい。
【0074】
また、
図3及び
図4では、光学素子アレイ120が透明層150の上面に形成されているがこれに限らない。
図31及び
図32は、実施の形態1に係る撮像素子における画素アレイ及び光学素子アレイの断面の一部の他の例を模式的に示す図である。
【0075】
図31の撮像素子100Aに示すように、光学素子アレイ120は、画素130上の透明層150Aの内部に埋め込まれていてもよい。この際、透明層150Aの材料は、単一でもよいし、複数の材料が層状になってものでもよい。また、
図32の撮像素子100Bに示すように、光学素子アレイ120は、独立した透明基板190の底面に形成されてもよい。この場合、光学素子アレイ120と画素130との間の領域は、空気150Bで満たされている。この際、透明基板190の材料は、単一でもよいし、複数の材料が層状になってものでもよい。撮像素子100,100A,100Bは、オンチップマイクロレンズや内部マイクロレンズ、クロストーク軽減用の画素間障壁などとも併用可能である。
【0076】
また、上記では、1つの光学素子ユニットの直下に4つの画素が位置する例について説明したが、これに限定されない。
【0077】
また、構造体160の断面形状は、先に説明した
図16等に示される形状に限られない。
図33は、構造体の断面形状の例を示す図である。
図33に例示されるようなさまざまな断面形状を、構造体160が有してよい。例示される形状は、例えば正方形形状、十字形状及び円形形状をさまざまに組み合わせることによって得られる4回回転対称形状である。
【0078】
[実施の形態2]
実施の形態2では、撮像素子がフィルタを有する構成について説明する。
図34は、実施の形態2に係る撮像素子の中央部における画素アレイ及び光学素子アレイの断面の一部を模式的に示す図である。
図35は、実施の形態2に係る撮像素子の外周部における画素アレイ及び光学素子アレイの断面の一部を模式的に示す図である。
【0079】
図34及び
図35に示す撮像素子200は、画素アレイ110と光学素子アレイ120との間に設けられたフィルタ層170を備える。
【0080】
フィルタ層170は、画素Rを覆うように設けられ、赤の光を透過させるフィルタ170Rと、画素Gを覆うように設けられ、緑の光を透過させるフィルタ170Gと、画素Bを覆うように設けられ、青の光を透過させるフィルタ170Bとを含む。フィルタ層170の材料の例は、樹脂等の有機材料である。
【0081】
光学素子アレイ120によって色分離された光は、さらにフィルタ層170を通過してから、画素アレイ110に到達する。光学素子アレイ120及びフィルタ層170の両方の波長分離により、一方でのみ波長分離される場合よりも、スペクトルのクロストークが抑制され(不要な他の波長成分の大部分が除去され)、色再現性が向上する。また、入射した光は光学素子アレイ120で分離された後にフィルタ層170を通過するので、光量を大きく減少させることがない。したがって、光学素子アレイ120が無くフィルタ層170のみが設けられる場合と比較して、画素の受光効率が向上する。
【0082】
図36は、画素アレイ110における画素ユニットの画素配置を模式的に示す図である。
図37は、入射角度の定義を説明する図である。
図38~
図45は、画素における受光強度の入射角度依存性の例を示す図である。
図38~
図45には、構造体160がSiNである場合の入射角度依存性の例が示される。
【0083】
図38~
図41は、θ=0°,φ=0°の入射角度で光が入射した場合に対してレンズを最適設計した場合を示す。
図42~
図45は、θ=5°,φ=0°の入射角度で光が入射した場合に対してレンズを最適設計した場合を示す。
図38及び
図42には、画素Rの受光効率が、波長ごと及び入射角度ごとに、すなわち入射角度ごとに受光強度で示される。
図39及び
図43には、画素G
1の受光効率が、入射角度ごとに受光強度で示される。
図40及び
図44には、画素G
2の受光効率が、入射角度ごとに受光強度で示される。
図41及び
図45には、画素Bの受光効率が、入射角度ごとに受光強度で示される。
【0084】
図46~
図49は、各画素が受光した中心波長の光の検出強度の入射角度依存性を示す図であり、それぞれ、θ=0°、θ=5°の場合が図示される。
図46は、画素Rによる波長630nmの光の検出強度であり、
図47は、画素G
1による波長520nmの光の検出強度であり、
図48は、画素G
2による波長520nmの光の検出強度であり、
図49は、画素Bによる波長430nmの光の検出強度である。
【0085】
図38~
図45に示すように、θ=0°及びθ=5°の入射角度のいずれについても、不要な他の波長成分の大部分が除去されており、色再現性が向上していることがわかる。なお、フィルタ層170の透過特性については、例えば、参考文献1のFig.20を参照されたい。
参考文献1:Kudo, T.; Nanjo, Y.; et al., “Pigmented Photoresists for Color Filters”. J. Photopolym. Sci. Technol. 1996, 9, 109-120.
【0086】
また、
図46~
図49に示すように、入射角度θ=5°でレンズを最適設計した場合には、入射角度θ=0°でレンズを最適設計した場合と比べ、全ての画素で入射角度耐性の範囲が+5°シフトしている。
【0087】
[実施の形態2の効果]
このように、フィルタ層170をさらに備える撮像素子200によれば、受光効率を向上させるとともに、色再現性をもさらに向上させることができる。
【0088】
なお、実施の形態1,2では、画素アレイ110の画素配置を説明する際に、画素B、画素G
1,G
2及び画素Rを1組とする画素ユニットを例に説明したが、これに限らない。
図50は、画素アレイにおける画素ユニットの他の画素配置を模式的に示す図である。
図50に示すように、画素アレイは、
図17に示す画素G
2に代えて、近赤外(NIR:Near-Infrared)光を受光する画素NIR(近赤外)を有する画素配置としてもよい。この際、画素NIRに対応するレンズ(構造体160)は、中心波長λ
dを、例えば850nmとし、式(4)を用いて設計すればよい。
【0089】
また、実施の形態1,2では、構造体160の材料として、SiN或いはTiO2を例に挙げて説明した。ただし、構造体160の材料はそれらに限定されない。例えば、波長が380nm~1000nmの光(可視光~近赤外光)の光に対しては、SiNの他に、SiC、TiO2、GaN等が構造体6の材料として用いられてよい。屈折率が高く、吸収損失が少ないため適している。波長が800~1000nmの光(近赤外光)で用いる場合は、Si、SiC、SiN、TiO2、GaAs、GaN等が構造体6の材料として用いられてよい。低損失であるため適している。長波長帯の近赤外領域(通信波長である1.3μmや1.55μm等)の光に対しては、上述の材料に加えて、InP等を構造体160の材料として用いることができる。
【0090】
また、構造体160が、貼り付け、塗布等によって形成される場合、フッ素化ポリイミド等のポリイミド、BCB(ベンゾシクロブテン)、光硬化性樹脂、UVエポキシ樹脂、PMMA等のアクリル樹脂、レジスト全般などのポリマー等が材料として挙げられる。
【0091】
また、実施の形態1,2では、透明層150の材料としてSiO2及び空気層を想定した例を示したが、これらに限定されない。一般的なガラス材料等も含め、構造体160の材料の屈折率より低い屈折率を有し、入射光の波長に対して低損失なものであればよい。透明層150は、対応する画素に到達すべき光の波長に対して十分に低損失であればよいため、カラーフィルタと同様の材質であってもよく、例えば樹脂などの有機材料であってもよい。この場合、単に透明層150がカラーフィルタと同様の材質であるばかりでなく、カラーフィルタと同様の構造を持ち、対応する画素に導かれるべき光の波長に応じた吸収特性を持つよう設計されていてもよい。
【0092】
また、実施の形態1,2では、画素の対応する色として、RGBの3原色及び近赤外光を例に挙げて説明したが、画素は、近赤外光及び3原色以外の波長の光(例えば、赤外光、紫外光等)にも対応してよい。
【0093】
また、実施の形態1,2では、構造体160の形状として、正方形形状、×字形状、中空ひし形の異なる3種類の断面形状を有する構造体が用いられる例について説明した。この形状は一例であり、2種類の構造体(例えば正方形形状、×字形状のみ)が用いられてもよいし、4種類以上の構造体が用いられてもよい。
【0094】
以上、本発明を具体的な実施の形態に基づいて説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【0095】
以上説明した技術は、例えば次のように特定される。
図1~
図5、
図31及び
図32等を参照して説明したように、光学素子アレイ120は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を覆うための透明層150と、透明層150上または透明層150内において透明層150の面方向(xy平面方向)に配置された複数の構造体160と、を備え、複数の構造体160は、各構造体の入射光の入射角度に応じて、入射した光のうち、第1の色(例えば青)の光を直下に位置する第1の画素(例えば画素B)に集光し、第2の色(例えば赤)の光を直下に位置する第2の画素(例えば画素R)に集光するように配置される。
【0096】
上記の光学素子アレイ120は、色分離機能を持ちながら、主入射角度に対応した角度耐性を有する。光学素子アレイ120は、撮像素子100内の位置で決定される様々な入射角度に対応した集光機能を画素毎に実現でき、特にセンサ周辺部での受光感度を向上することができる。光学素子アレイ120は、複数の構造体160を面内に隙間なく配置できるため、マイクロレンズに比べて開口率も増加する。色分離機能及びレンズ機能は、3色に対応してもよく、さらに近赤外光の分離にも対応していてもよい。
【0097】
図5~
図10等を参照して説明したように、複数の構造体160の各々は、透明層5の屈折率よりも高い屈折率を有し、入射した光に対して断面形状に応じた光位相遅延量を与える柱状構造体であってよい。そして、複数の構造体の各々の断面形状は、当該光学素子の中央部と外周部とで異なる。
図11~
図16等を参照して説明したように、複数の構造体160は、上述の集光を実現するための光位相遅延量分布に従って配置されてよい。例えばこのような複数の構造体160の配置により、波長分離機能及びレンズ機能の両方の機能を実現することができる。
【0098】
図16及び
図33等を参照して説明したように、複数の構造体160の各々の断面形状は、4回回転対称形状であってよい。これにより、偏光依存性が生じないようにすることができる。
【0099】
図6~
図8等を参照して説明したように、複数の構造体160は、1つの画素と対向する領域の外側に入射した光のうちの当該1つの画素に対応する色の光も当該1つの画素に集光するように配置されてよい。これにより、1つの画素と対向する領域に入射した光だけをその画素に集光する場合よりも、受光光量を増加させることができる。
【0100】
図1~
図5等を参照して説明した撮像素子100も、本開示の一態様である。撮像素子100は、光学素子アレイ120と、透明層150で覆われた複数の画素130(画素NIR等)と、を備える。これにより、先にも説明したように、製造コストを低減することができる。受光感度を向上させたり、開口率を増加させたりすることもできる。
【0101】
図34及び
図35等を参照して説明したように、撮像素子200は、複数の画素(画素NIR等)と透明層150との間に設けられたフィルタ層170を備えてよい。これにより、受光効率を向上させるとともに、色再現性をさらに向上させることができる。
【0102】
図1等を参照して説明した撮像装置10も、本開示の一態様である。撮像装置10は、上述の撮像素子12と、撮像素子12から得られた電気信号に基づいて画素信号に基づいて画像信号を生成する信号処理部13と、を備える。これにより、先にも説明したように、製造コストを低減することができる。受光感度を向上させたり、開口率を増加させたりすることもできる。
【符号の説明】
【0103】
1 物体
10 撮像装置
11 レンズ光学系
12,100,100A,100B,200 撮像素子
13 信号処理部
110 画素アレイ
120 光学素子アレイ
130 画素
150,150A 透明層
160 構造体
170 フィルタ層
180 配線層
190 透明基板