特許 7575554 基板処理装置及びシャッタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-21

(45)【発行日】2024-10-29

(54)【発明の名称】基板処理装置及びシャッタ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20241022BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101B

H01L21/302 101G

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2023157473

(22)【出願日】2023-09-22

(65)【公開番号】P2024059570

(43)【公開日】2024-05-01

【審査請求日】2023-09-22

(31)【優先権主張番号】P 2022167131

(32)【優先日】2022-10-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】荒巻 昂

(72)【発明者】

【氏名】松坂 洸次郎

(72)【発明者】

【氏名】尾形 敦

(72)【発明者】

【氏名】李 黎夫

(72)【発明者】

【氏名】パク ギョンミン

【審査官】加藤 芳健

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－３７５８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－２２６５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－９２５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１２８１１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２２－２７１６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第００／０７５９７２（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

Ｃ２３Ｃ １６／５０

Ｈ０５Ｈ １／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
円筒状の前記チャンバの開口部を開閉する弁体と、前記チャンバの内周側と前記基板支持部との間に配置され、前記基板支持部側の端部に垂直方向の勾配形状が形成されたバッフル板とを備えるシャッタと、
前記基板支持部の側面に設けられ、導電性の弾性部材で形成されたコンタクト部材と、
を有し、
前記シャッタが閉じられた状態において、前記基板支持部側の前記端部と、前記コンタクト部材との接触が維持される、
基板処理装置。

【請求項2】

前記シャッタは、円筒状である、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記基板支持部側の前記端部は、前記垂直方向の長さが、前記コンタクト部材の前記垂直方向の長さよりも長く形成される、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記勾配形状は、前記バッフル板の下面側から上面側に向けて、前記バッフル板の幅が狭くなる形状である、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記バッフル板は、
第１の幅を持つ平面が円環状に設けられ、内周側に前記基板支持部側の前記端部を備える平面部と、
前記平面部の外周側に垂直方向の面が円筒状に設けられる壁面部と、
前記壁面部の上部に第２の幅を持つ平面が円環状に設けられるフランジ部と、
を有する、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記弁体は、前記弁体の底部が前記フランジ部と接続される、
請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記弁体は、前記底部と前記フランジ部との間に導電性部材を挟み込んで、前記バッフル板と電気的に接続される、
請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記バッフル板は、前記端部の前記勾配形状の上部と、前記平面部の上面との接続部が、曲面で形成される、
請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記コンタクト部材は、前記基板支持部の側面を一周するように設けられる、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記コンタクト部材は、前記弾性部材の変形領域に芯材を備える、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記芯材は、前記基板支持部の径方向の断面が円形状である、
請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記芯材は、前記基板支持部の径方向の断面が台形状である、
請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記芯材は、前記基板支持部の径方向の断面がＶ字形状である、
請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記芯材は、前記基板支持部の径方向の断面が架橋形状である、
請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記弁体は、前記弁体の上端部における、前記チャンバ上部の内壁に沿って設けられた導電性の上部部材と接触する導通面に、導電性部材を備え、
前記弁体と前記上部部材とは、前記弁体を上昇させて前記開口部を閉じた場合に、前記導通面が前記上部部材と上下方向に当接し、前記導電性部材により電気的に導通する、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記上部部材と、前記チャンバの天部に設けられたシャワーヘッドとの間を絶縁する絶縁部材を有する、
請求項１５に記載の基板処理装置。

【請求項17】

基板処理装置のチャンバの開口部に設けられるシャッタであって、
円筒状の前記チャンバの開口部を開閉する弁体と、
前記チャンバの内周側と、前記チャンバ内に配置される基板支持部との間に配置され、前記基板支持部側の端部に垂直方向の勾配形状が形成されたバッフル板と、
を有し、
前記シャッタが閉じられた状態において、前記基板支持部側の前記端部と、前記基板支持部の側面に設けられ、導電性の弾性部材で形成されたコンタクト部材との接触が維持される、
シャッタ。

【請求項18】

前記コンタクト部材は、前記弾性部材の変形領域に芯材を備える、
請求項１７に記載のシャッタ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置及びシャッタに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体デバイス用の被処理基板であるウェハに所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置は、例えばウェハを収容するチャンバを備え、チャンバ内には、ウェハを載置し下部電極として機能する載置台と、載置台に対向する上部電極とが配置されている。ウェハは、例えば、搬送ロボットによって、チャンバに設けられた開口部を介して、チャンバ内に搬入、又は、チャンバ内から搬出される。また、チャンバの開口部からウェハの外径を超えるチャンバ内パーツ等を搬送するために、例えば、チャンバの開口部を拡大するとともに、チャンバの内周全域に沿う弁体を有するシャッタ機構が提案されている（特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０２１－２２６５２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、プラズマリークを抑制することができる基板処理装置及びシャッタを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板処理装置は、チャンバと、チャンバ内に配置される基板支持部と、円筒状のチャンバの開口部を開閉する弁体と、チャンバの内周側と基板支持部との間に配置され、基板支持部側の端部に垂直方向の勾配形状が形成されたバッフル板とを備えるシャッタと、基板支持部の側面に設けられ、導電性の弾性部材で形成されたコンタクト部材とを有し、シャッタが閉じられた状態において、基板支持部側の端部と、コンタクト部材との接触が維持される。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、プラズマリークを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、本開示の第１実施形態におけるプラズマ処理システムの一例を示す図である。

【図2】図２は、第１実施形態におけるシャッタの一例を示す斜視図である。

【図3】図３は、第１実施形態におけるシャッタの断面の一例を示す部分拡大図である。

【図4】図４は、第１実施形態におけるシャッタが閉じた状態の断面の一例を示す部分拡大図である。

【図5】図５は、第１実施形態におけるコンタクト部材の一例を示す斜視図である。

【図6】図６は、参考例１のシャッタが閉じた状態の断面の一例を示す図である。

【図7】図７は、参考例２のシャッタが閉じた状態の断面の一例を示す図である。

【図8】図８は、参考例３のシャッタが閉じた状態の断面の一例を示す図である。

【図9】図９は、プラズマリークの実験結果の一例を示す図である。

【図10】図１０は、コンタクト部材のバリエーションの一例を示す図である。

【図11】図１１は、第２実施形態におけるコンタクト部材近傍の断面の一例を示す部分拡大図である。

【図12】図１２は、第２実施形態におけるコンタクト部材の芯材の一例を示す図である。

【図13】図１３は、第２実施形態におけるコンタクト部材の一例を示す斜視図である。

【図14】図１４は、第２実施形態におけるコンタクト部材の芯材の他の一例を示す図である。

【図15】図１５は、第２実施形態におけるコンタクト部材の芯材の他の一例を示す図である。

【図16】図１６は、第２実施形態におけるコンタクト部材の芯材の他の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下に、開示する基板処理装置及びシャッタの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。

【0009】

チャンバ内には、チャンバ内で発生するプラズマが排気系に漏れないように、バッフル板が配置されている。シャッタの弁体は、閉じた状態において、弁体の上部がチャンバ上面と接触し、弁体の下部がバッフル板やデポシールド等と接触する。つまり、弁体は、チャンバ上面やバッフル板等と電気的に接続（導通）される。しかしながら、プラズマ処理による入熱により弁体が膨張すると、弁体の上部はチャンバ上面と接触しているものの、弁体の下部がバッフル板やデポシールド等と離れてしまい、プラズマリークが発生する場合がある。そこで、弁体が膨張しても電気的な接続が切れず、プラズマリークを抑制することが期待されている。

【0010】

（第１実施形態）
［プラズマ処理システムの構成］
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、本開示の第１実施形態におけるプラズマ処理システムの一例を示す図である。図１に示すように、プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

【0011】

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

【0012】

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源３１及び／又はＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

【0013】

リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

【0014】

また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0015】

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0016】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

【0017】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0018】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

【0019】

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0020】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

【0021】

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0022】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0023】

プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａには、基板Ｗの搬入・搬出用の開口部５０が設けられ、開口部５０を開閉するゲートバルブ５１が配置される。プラズマ処理チャンバ１０内には、プラズマ処理チャンバ１０の内壁に沿ってデポシールド５２が着脱自在に設けられている。デポシールド５２の上部には、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）若しくはイットリア（Ｙ２Ｏ３）からなる環状の絶縁部材５４が気密に配置されている。デポシールド５２は、プラズマ処理チャンバ１０の開口部５０より上部に設けられている。デポシールド５２の下部は、後述するシャッタ６０の弁体６１の上部と接触することで開口部５０を閉じる。デポシールド５２は、例えばアルミニウム材にＹ２Ｏ３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。なお、デポシールド５２の下部は、接触する弁体６１と導通可能なように導電性の材質、例えばステンレススチールやニッケル合金等で被覆されている。なお、デポシールド５２は、導電性の上部部材の一例である。絶縁部材５４は、シャワーヘッド１３とデポシールド５２との間を絶縁する部材である。つまり、絶縁部材５４は、シャッタ６０が閉じられた際に互いに導通する側壁１０ａ、デポシールド５２及び弁体６１と、シャワーヘッド１３との間を絶縁する部材である。また、シャッタ６０の下部は、後述するバッフル板７０の基板支持部１１側の端部７５が、摺動可能に本体部１１１の側壁と接している。

【0024】

基板Ｗは、ゲートバルブ５１を開閉させて搬入・搬出される。ただし、ゲートバルブ５１はプラズマ処理チャンバ１０の外側（搬送室側）に配置されているため、開口部５０が搬送室側に突出した空間が形成されている。そのため、プラズマ処理チャンバ１０内で生成したプラズマがその空間まで拡散して、プラズマの均一性の悪化や、ゲートバルブ５１のシール部材の劣化が起こる。同様に、プラズマ処理チャンバ１０内で生成したプラズマが、ガス排出口１０ｅ側の空間まで拡散して、プラズマの均一性の悪化が起こる。そこで、シャッタ６０によってデポシールド５２と、本体部１１１の側壁との間を遮断することで、プラズマ処理チャンバ１０の開口部５０及びガス排出口１０ｅと、プラズマ処理空間１０ｓとを遮断する。また、シャッタ６０を駆動する昇降機構５３は、例えば弁体６１の下方に配置される。昇降機構５３は、例えば、弁体６１と接続されるロッドと、エアシリンダやモータ等によりロッドを上下に昇降させる駆動部とを有する。シャッタ６０は、昇降機構５３により上下に駆動され、開口部５０を開閉する。また、昇降機構５３は、複数、例えば３つ設置されるのが好ましい。なお、シャッタ６０には、昇降機構５３を含めてもよい。

【0025】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

【0026】

［シャッタ６０の詳細］
図２は、第１実施形態におけるシャッタの一例を示す斜視図である。図３は、第１実施形態におけるシャッタの断面の一例を示す部分拡大図である。図２及び図３に示すように、シャッタ６０は、弁体６１と、バッフル板７０とを有する。弁体６１は、プラズマ処理チャンバ１０の内周に沿う円筒状の弁体である。弁体６１は、開口部５０を閉じたときにデポシールド５２と当接する上部６２と、バッフル板７０と接続される底部６３とを有する。また、上部６２には、デポシールド５２との導通を確保するための導電性部材６４が設けられる。導電性部材６４は、コンダクタンスバンドやスパイラルとも呼ばれ、導電性の弾性部材である。導電性部材６４は、例えば、ステンレススチールやニッケル合金等を用いることができる。導電性部材６４は、例えば、帯状の部材を螺旋状に巻いて形成される。また、導電性部材６４は、例えば、Ｕ字状のジャケット付きの斜め巻きコイルスプリングを用いてもよい。

【0027】

バッフル板７０は、平面部７１と、壁面部７２と、フランジ部７３とを有する。平面部７１は、本体部１１１の側壁と後述するコンタクト部材１１６を介して接するような所定の幅を持つ円環状の板である。平面部７１の幅は、第１の幅の一例である。なお、平面部７１には、図示しない貫通孔が設けられ、プラズマ処理空間１０ｓから排気が可能となっている。壁面部７２は、平面部７１の外周側に垂直方向の面（壁）として円筒状に設けられ、上部がフランジ部７３と接続される。フランジ部７３は、壁面部７２の上部に円環状に設けられ、弁体６１と接続される。つまり、フランジ部７３には、弁体６１を載置可能な幅を持つ平面が円環状に設けられている。フランジ部７３の上面（平面）の幅は、第２の幅の一例である。すなわち、弁体６１とバッフル板７０とが一体としてシャッタ６０を構成し、シャッタ６０の開閉の際には、弁体６１とともにバッフル板７０も上下に移動する。

【0028】

フランジ部７３の上面７３ａは、弁体６１の底部６３の下面６３ａと接する。上面７３ａと下面６３ａとの間には、弁体６１とバッフル板７０との導通を確保するための導電性部材７４が設けられる。導電性部材７４は、導電性部材６４と同様の導電性の弾性部材である。また、平面部７１の内周側、つまり、基板支持部１１側の端部７５には、本体部１１１の側壁に設けられた、後述するコンタクト部材１１６と接する垂直方向の勾配形状７６が形成される。なお、勾配形状７６の上部と、平面部７１の上面との接続部は、エッジが立たないように曲面で形成される。

【0029】

次に、図４を用いてシャッタが閉じた状態におけるシャッタ６０と本体部１１１の側壁との接触の状態について説明する。図４は、第１実施形態におけるシャッタが閉じた状態の断面の一例を示す部分拡大図である。図４に示すように、シャッタ６０の弁体６１は、上部６２がプラズマ処理チャンバ１０の上部のシャワーヘッド１３近傍に設けられたデポシールド５２と当接され、導電性部材６４が押し潰された状態となる。このとき、弁体６１とデポシールド５２とは導通が確保されている。

【0030】

また、本体部１１１の側壁には、リング状のシールド部材１１５が設けられている。なお、シールド部材１１５の上部は、リングアセンブリ１１２の直下まで設けるようにしてもよい。シールド部材１１５は、本体部１１１等の基板支持部１１の下部をプラズマから保護する部材である。シールド部材１１５の表面には、Ｙ２Ｏ３等の溶射膜が形成されている。また、シールド部材１１５には、コンタクト部材１１６を設けるための円周方向の溝１１５ａが形成されている。溝１１５ａの底部（本体部１１１の側面）は、溶射膜が形成されず、シールド部材１１５とコンタクト部材１１６とが接触することで導通が確保されている。

【0031】

コンタクト部材１１６は、溝１１５ａに設けられ、導電性の弾性部材で形成されている。コンタクト部材１１６は、バッフル板７０の端部７５の勾配形状７６と当接するバネ部１１７を有する。すなわち、コンタクト部材１１６は、シールド部材１１５とバッフル板７０との導通を確保する部材である。また、端部７５は、垂直方向の長さが、コンタクト部材１１６の垂直方向の長さよりも長く形成される。このように、シャッタ６０が閉じた状態では、デポシールド５２と、弁体６１と、バッフル板７０と、コンタクト部材１１６と、シールド部材１１５との導通が確保されている状態である。

【0032】

図５は、第１実施形態におけるコンタクト部材の一例を示す斜視図である。図５に示すように、コンタクト部材１１６は、複数のバネ部１１７が円周方向に連なって形成されている。バネ部１１７は、シャッタ６０が閉じる際に、端部７５の勾配形状７６に沿って溝１１５ａ側に押し込まれる。つまり、シャッタ６０が閉じられた状態において、バッフル板７０の基板支持部１１側の端部７５と、コンタクト部材１１６との接触が維持される。

【0033】

［参考例］
続いて、図６から図８を用いて参考例１～３について説明する。図６は、参考例１のシャッタが閉じた状態の断面の一例を示す図である。なお、図６から図８では、各部の詳細については省略している部分がある。図６に示すシャッタ２００は、弁体２０１と、バッフル板２０２とを有する。また、本体部１１１の側壁には、リング状のシールド部材２１０が設けられている。参考例１では、シャッタ２００は、閉じた状態であり、弁体２０１の上部は、プラズマ処理チャンバ１０の上部のシャワーヘッド１３近傍に設けられたデポシールド５２と接触している。一方、バッフル板２０２の本体部１１１側の端部２０３は、シールド部材２１０との間に隙間２０４が空いている状態である。つまり、参考例１は、従来、シールド部材２１０に固定されていたバッフル板２０２を、弁体２０１とともに上下に移動可能にした状態である。この場合、バッフル板２０２とシールド部材２１０との導通がとれていないため、プラズマリークが発生する。

【0034】

図７は、参考例２のシャッタが閉じた状態の断面の一例を示す図である。図７に示すシャッタ２２０は、弁体２２１と、バッフル板２２２とを有する。また、本体部１１１の側壁には、参考例１と同様にリング状のシールド部材２１０が設けられている。参考例２では、シャッタ２２０は、閉じた状態であり、弁体２２１の上部は、プラズマ処理チャンバ１０の上部のシャワーヘッド１３近傍に設けられたデポシールド５２と接触している。一方、バッフル板２２２の本体部１１１側の端部２２３の側面には、導電性部材２２４が設けられ、シールド部材２１０と接触している状態である。つまり、参考例２は、参考例１のバッフル板２０２とシールド部材２１０との間を導電性部材２２４によって導通を確保したものである。導電性部材２２４は、上述の導電性部材６４と同様の導電性の弾性部材である。この場合、導電性部材２２４は、押し潰される力に対する反発力が発生するので、バッフル板２２２に径方向の応力が掛かり、バッフル板２２２が歪んで破損する可能性がある。また、シャッタ２２０を駆動した際に、導電性部材２２４がシールド部材２１０と接触したまま上下に摺動するので、導電性部材２２４が破損する可能性がある。なお、導電性部材２２４をシールド部材２１０側に設けた場合でも、例えば、シャッタ２２０を駆動した際に、端部２２３がシールド部材２１０の壁面と平行に動くので、導電性部材２２４に対して押しつぶす方向ではない力が掛かり、導電性部材２２４が破損する可能性がある。

【0035】

図８は、参考例３のシャッタが閉じた状態の断面の一例を示す図である。図８に示すシャッタ２３０は、弁体２３１と、バッフル板２３２とを有する。また、本体部１１１の側壁には、リング状のシールド部材２１１が設けられている。シールド部材２１１には、バッフル板２３２の端部２３３の上面と接するように、フランジ部２１２が設けられている。参考例３では、シャッタ２３０は、閉じた状態であり、弁体２３１の上部は、プラズマ処理チャンバ１０の上部のシャワーヘッド１３近傍に設けられたデポシールド５２と接触している。一方、バッフル板２３２の本体部１１１側の端部２３３の上面には、導電性部材２３４が設けられている。導電性部材２３４は、シャッタ２３０が閉じることで押し潰され、フランジ部２１２と端部２３３との間で導通を確保する。導電性部材２３４は、上述の導電性部材６４と同様の導電性の弾性部材である。つまり、参考例３は、参考例２と比較して、バッフル板とシールド部材との接触の方向を変更したものである。この場合、バッフル板２３２とシールド部材２１１との接触を上下方向で行うので、シャッタ２３０を駆動した際に、バッフル板２３２に上下方向の応力が掛かり、バッフル板２３２が歪んで破損する可能性がある。また、プラズマによる入熱によりシャッタ２３０が熱膨張すると、フランジ部２１２と端部２３３とが離れてしまい、導通が確保出来なくなる可能性がある。

【0036】

［実験結果］
次に、図９を用いて、プラズマリークの実験結果について説明する。図９は、プラズマリークの実験結果の一例を示す図である。図９に示す表９０は、参考例４と、参考例１と、本実施形態に係る実施例とについて、条件１～４のプラズマ処理を行った場合におけるプラズマリークの発光の有無を示している。発光は、プラズマ処理チャンバ１０のガス排出口１０ｅ近傍ののぞき窓から撮影した画像に基づいている。ここで、参考例４は、バッフル板がシールド部材に固定され、プラズマ処理チャンバの側壁の一部が開口し、その開口を開閉するシャッタを備える従来のプラズマ処理装置の場合である。参考例１は、図６に示すシャッタ２００を用いたプラズマ処理装置の場合である。条件１は、ソースＲＦ信号として２ｋＷ、バイアスＤＣ信号として０ｋＶを供給した場合である。条件２は、ソースＲＦ信号として２ｋＷ、バイアスＤＣ信号として４ｋＶを供給した場合である。条件３は、ソースＲＦ信号として０ｋＷ、バイアスＤＣ信号として５ｋＶを供給した場合である。条件４は、ソースＲＦ信号として０ｋＷ、バイアスＤＣ信号として６ｋＶを供給した場合である。条件１～４は、条件１から条件４の順に供給される電力が大きくなる。

【0037】

条件１～３では、参考例４と実施例において、発光は観測されず（発光なし）プラズマリークは発生していない。これに対して、参考例１では、発光が観測され（発光あり）、プラズマリークが発生している。条件４では、実施例において、発光は観測されず（発光なし）プラズマリークは発生していない。これに対して、参考例４と参考例１では、発光が観測され（発光あり）、プラズマリークが発生している。すなわち、本実施形態のシャッタ６０では、参考例４の従来のプラズマ処理装置におけるシャッタよりも、プラズマリークを抑制することができる。

【0038】

このように、本実施形態に係る実施例では、プラズマ処理による入熱により弁体６１やバッフル板７０が膨張しても、端部７５とコンタクト部材１１６との電気的な接続が切れず、プラズマリークを抑制することができる。また、水平方向への熱膨張についても、バネ部１１７によって吸収することができるので、シャッタ６０に掛かる熱応力を緩和することができる。さらに、シャッタ６０の駆動方向における接触応力についても同様に緩和することができる。

【0039】

［コンタクト部材のバリエーション］
続いて、図１０を用いてコンタクト部材１１６のバリエーションについて説明する。図１０は、コンタクト部材のバリエーションの一例を示す図である。図１０に示すように、コンタクト部材１１６は、上述の実施形態におけるコンタクト部材１１６であって、１つのバネ部１１７の部分を代表として表したものである。図１０の例では、コンタクト部材１１６の断面を表している。

【0040】

コンタクト部材１１６ａは、バネ部の形状を円形としたコンタクト部材のバリエーションである。図１０の例では、コンタクト部材１１６ａの断面を表している。コンタクト部材１１６ｂは、バネ部の形状をくの字形としたコンタクト部材のバリエーションである。図１０の例では、コンタクト部材１１６ｂの断面を表している。コンタクト部材１１６ａ，１１６ｂは、コンタクト部材１１６と同様に、本体部１１１の円周方向に連続して設けることができる。また、コンタクト部材１１６ａ，１１６ｂは、コンタクト部材１１６と同様に、端部７５とコンタクト部材１１６との電気的な接続が切れず、プラズマリークを抑制することができる。また、水平方向への熱膨張や、シャッタ６０の駆動方向における接触応力についても、それぞれ円形や、くの字形のバネ部によって吸収することができる。

【0041】

（第２実施形態）
上記の第１実施形態では、バネ部１１７の弾性によって、コンタクト部材１１６と、バッフル板７０の端部７５との接触が維持されていたが、バネ部１１７の変形を芯材で調整してもよく、この場合の実施の形態につき、第２実施形態として説明する。なお、第２実施形態におけるプラズマ処理装置は、コンタクト部材１１６が備える芯材を除いて上述の第１実施形態と同様であるので、その重複する構成及び動作の説明については省略する。

【0042】

プラズマ処理装置１におけるプラズマ処理では、例えば、ＷＦ６といった腐食ガスを処理ガスとして用いる場合がある。この場合、長時間の稼働後において、腐食ガスによりコンタクト部材１１６のバネ部１１７が塑性変形し、バネ部１１７の弾性が低下、つまり、反力が低下することが考えられる。そこで、第２実施形態では、バネ部１１７の変形領域に芯材を設けることで、バネ部１１７の反力を維持する形態について説明する。

【0043】

図１１は、第２実施形態におけるコンタクト部材近傍の断面の一例を示す部分拡大図である。図１１に示すように、第２実施形態では、第１実施形態と同様に、シールド部材１１５に形成された溝１１５ａに、コンタクト部材１１６が設けられている。コンタクト部材１１６のバネ部１１７は、バッフル板７０の端部７５の勾配形状７６と当接することで、変形領域１１８側に押し込まれて弾性変形する。コンタクト部材１１６の変形領域１１８には、芯材１１９が設けられる。

【0044】

図１２は、第２実施形態におけるコンタクト部材の芯材の一例を示す図である。図１２に示すように、芯材１１９は、基板支持部１１の径方向の断面がＶ字形状である。芯材１１９は、例えば、ＦＦＫＭ（パーフルオロエラストマー）系等のラジカル耐性が強い材料で形成される。つまり、芯材１１９は、例えば、フッ素ゴム等の弾性部材で形成される。また、芯材１１９は、例えば、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）等の樹脂で形成されてもよい。芯材１１９は、金属材料と比較して、消耗及び腐食による反力低下が起こりにくい。芯材１１９は、当該断面においてＶ字形状の上部に左右方向から力が加わるとＶ字が閉じるように弾性変形することで、バネ部１１７の弾性変形の量を調整する。すなわち、芯材１１９は、シャッタ６０が開いてバッフル板７０の端部７５とコンタクト部材１１６とが接触しなくなった際に、バネ部１１７を元の形状まで押し戻すことで、バネ部１１７の反力を維持する。

【0045】

図１３は、第２実施形態におけるコンタクト部材の一例を示す斜視図である。図１３に示すように、コンタクト部材１１６は、複数のバネ部１１７が円周方向に連なって形成されており、複数のバネ部１１７に渡って芯材１１９が設けられている。つまり、芯材１１９は、円周方向に連続して設けられることで、バネ部１１７間の隙間を埋め、シールド効果をより高めることができる。すなわち、第２実施形態では、芯材１１９を設けることで、バネ部１１７の反力を維持できるとともに、プラズマリークをより抑制することができる。言い換えると、第２実施形態では、コンタクト部材１１６のバネ部１１７の塑性変形を抑制することができる。

【0046】

次に、図１４から図１６を用いて、芯材１１９の他の断面形状について説明する。図１４から図１６は、第２実施形態におけるコンタクト部材の芯材の他の一例を示す図である。図１４に示す芯材１１９ａは、コンタクト部材１１６におけるバネ部１１７の変形領域１１８に配置され、基板支持部１１の径方向の断面が円形状である。芯材１１９ａは、当該断面において円形状に左右方向から力が加わると円が押し潰されるように弾性変形することで、バネ部１１７の弾性変形の量を調整する。なお、芯材１１９ａは、中実構造の他に、ＰＦＡ等の樹脂で形成される場合、中空構造であってもよい。

【0047】

図１５に示す芯材１１９ｂは、コンタクト部材１１６におけるバネ部１１７の変形領域１１８に配置され、基板支持部１１の径方向の断面が台形状である。芯材１１９ｂは、変形領域１１８の断面形状と合うように、台形の上底が下底よりも長い台形状である。芯材１１９ｂは、当該断面において台形状に左右方向から力が加わると台形が押し潰されるように弾性変形することで、バネ部１１７の弾性変形の量を調整する。

【0048】

図１６に示す芯材１１９ｃは、コンタクト部材１１６におけるバネ部１１７の変形領域１１８に配置され、基板支持部１１の径方向の断面が架橋形状である。芯材１１９ｃは、コンタクト部材１１６から取り外した状態では、断面がＨ字形状である。芯材１１９ｃは、変形領域１１８の断面形状と合うように、Ｈ字形状の下側の幅が狭くなるように変形した状態で配置される。つまり、芯材１１９ｃは、コンタクト部材１１６の形状に合わせて配置しやすい形状である。芯材１１９ｃは、当該断面において架橋形状（Ｈ字形状）に左右方向から力が加わると架橋部分（Ｈ字の中央の横方向部分）が押し潰されるように弾性変形することで、バネ部１１７の弾性変形の量を調整する。なお、芯材１１９，１１９ａ～１１９ｃの断面の形状は、バネ部１１７を元の形状まで押し戻すことができる弾性部材であれば、これらの形状に限定されない。

【0049】

このように、第２実施形態の芯材１１９を備えるコンタクト部材１１６は、バネ部１１７の反力を維持することができるとともに、バネ部１１７間の隙間を埋め、シールド効果をより高めることができる。つまり、第２実施形態の芯材１１９を備えるコンタクト部材１１６は、バネ部１１７の反力を維持できるとともに、プラズマリークをより抑制することができる。なお、コンタクト部材１１６は、導電性の弾性部材として、例えば、ステンレス鋼を用いてもよく、さらに高耐食性の金属（例えば、ニッケル合金等）を用いるようにしてもよい。

【0050】

以上、各実施形態によれば、基板処理装置（プラズマ処理装置１）は、チャンバ（プラズマ処理チャンバ１０）と、チャンバ内に配置される基板支持部１１と、シャッタ６０と、コンタクト部材１１６とを有する。シャッタ６０は、円筒状のチャンバの開口部５０を開閉する弁体６１と、チャンバの内周側と基板支持部１１との間に配置され、基板支持部１１側の端部７５に垂直方向の勾配形状７６が形成されたバッフル板７０とを備える。コンタクト部材１１６は、基板支持部１１の側面に設けられ、導電性の弾性部材で形成される。基板処理装置は、シャッタ６０が閉じられた状態において、基板支持部１１側の端部７５と、コンタクト部材１１６との接触が維持される。その結果、プラズマリークを抑制することができる。

【0051】

また、各実施形態によれば、シャッタ６０は、円筒状である。その結果、チャンバの開口部５０から基板Ｗの外径を超えるチャンバ内パーツ等を搬送することができる。

【0052】

また、各実施形態によれば、基板支持部１１側の端部７５は、垂直方向の長さが、コンタクト部材１１６の垂直方向の長さよりも長く形成される。その結果、弁体６１やバッフル板７０が膨張しても、端部７５とコンタクト部材１１６との電気的な接続（導通）が切れず、プラズマリークを抑制することができる。

【0053】

また、各実施形態によれば、勾配形状７６は、バッフル板７０の下面側から上面側に向けて、バッフル板７０の幅が狭くなる形状である。その結果、シャッタ６０が閉じられる際に、端部７５とコンタクト部材１１６とがスムーズに接触することができる。

【0054】

また、各実施形態によれば、バッフル板７０は、平面部７１と、壁面部７２と、フランジ部７３とを有する。平面部７１は、第１の幅を持つ平面が円環状に設けられ、内周側に基板支持部１１側の端部７５を備える。壁面部７２は、平面部７１の外周側に垂直方向の面が円筒状に設けられる壁面である。フランジ部７３は、壁面部７２の上部に第２の幅を持つ平面が円環状に設けられる。その結果、プラズマリークを抑制することができる。

【0055】

また、各実施形態によれば、弁体６１は、弁体６１の底部６３がフランジ部７３と接続される。その結果、弁体６１とバッフル板７０とを一体として駆動することができる。

【0056】

また、各実施形態によれば、弁体６１は、底部６３とフランジ部７３との間に導電性部材７４を挟み込んで、バッフル板７０と電気的に接続される。その結果、弁体６１とバッフル板７０とを同電位とすることができる。

【0057】

また、各実施形態によれば、バッフル板７０は、端部７５の勾配形状７６の上部と、平面部７１の上面との接続部が、曲面で形成される。その結果、シャッタ６０が閉じられる際に、端部７５とコンタクト部材１１６とがスムーズに接触することができる。

【0058】

また、各実施形態によれば、コンタクト部材１１６は、基板支持部１１の側面を一周するように設けられる。その結果、プラズマリークを抑制することができる。

【0059】

また、第２実施形態によれば、コンタクト部材１１６は、弾性部材（バネ部１１７）の変形領域１１８に芯材（芯材１１９，１１９ａ～１１９ｃ）を備える。その結果、バネ部１１７の反力を維持できるとともに、プラズマリークをより抑制することができる。

【0060】

また、第２実施形態によれば、芯材１１９ａは、基板支持部１１の径方向の断面が円形状である。その結果、バネ部１１７の反力を維持できるとともに、プラズマリークをより抑制することができる。

【0061】

また、第２実施形態によれば、芯材１１９ｂは、基板支持部１１の径方向の断面が台形状である。その結果、バネ部１１７の反力を維持できるとともに、プラズマリークをより抑制することができる。

【0062】

また、第２実施形態によれば、芯材１１９は、基板支持部１１の径方向の断面がＶ字形状である。その結果、バネ部１１７の反力を維持できるとともに、プラズマリークをより抑制することができる。

【0063】

また、第２実施形態によれば、芯材１１９ｃは、基板支持部１１の径方向の断面が架橋形状である。その結果、バネ部１１７の反力を維持できるとともに、プラズマリークをより抑制することができる。

【0064】

また、各実施形態によれば、弁体６１は、弁体６１の上端部における、チャンバ上部の内壁に沿って設けられた導電性の上部部材（デポシールド５２）と接触する導通面（上部６２）に、導電性部材６４を備える。弁体６１と上部部材とは、弁体６１を上昇させて開口部５０を閉じた場合に、導通面が上部部材と上下方向に当接し、導電性部材により電気的に導通する。その結果、シャッタ６０をプラズマ処理チャンバ１０と同じ電位にすることができる。

【0065】

また、各実施形態によれば、基板処理装置は、上部部材と、チャンバの天部に設けられたシャワーヘッド１３との間を絶縁する絶縁部材５４を有する。その結果、上部部材（デポシールド５２）及び弁体６１と、シャワーヘッド１３との間の短絡を、より抑制することができる。

【0066】

今回開示された各実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の各実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形体で省略、置換、変更されてもよい。

【0067】

また、上記した各実施形態では、コンタクト部材１１６として、バネ部１１７が連続して連なる形態について説明したが、これに限定されない。例えば、図５に示すコンタクト部材１１６において、バネ部１１７を１つ飛ばしで配置してもよい。

【0068】

また、上記した各実施形態では、バッフル板７０の端部７５は、上部が平面部７１と接続する形態であったが、これに限定されない。例えば、端部７５の下部と、平面部７１の底面とが接続する形態、つまり、平面部７１から上側に凸となる端部７５を設けるようにしてもよい。

【0069】

また、上記した各実施形態では、プラズマ源として容量結合型プラズマを用いて基板Ｗに対してエッチング等の処理を行うプラズマ処理装置１を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。プラズマを用いて基板Ｗに対して処理を行う装置であれば、プラズマ源は容量結合プラズマに限られず、例えば、誘導結合プラズマ、マイクロ波プラズマ、マグネトロンプラズマ等、任意のプラズマ源を用いることができる。

【0070】

なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）
基板処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
円筒状の前記チャンバの開口部を開閉する弁体と、前記チャンバの内周側と前記基板支持部との間に配置され、前記基板支持部側の端部に垂直方向の勾配形状が形成されたバッフル板とを備えるシャッタと、
前記基板支持部の側面に設けられ、導電性の弾性部材で形成されたコンタクト部材と、
を有し、
前記シャッタが閉じられた状態において、前記基板支持部側の前記端部と、前記コンタクト部材との接触が維持される、
基板処理装置。
（２）
前記シャッタは、円筒状である、
前記（１）に記載の基板処理装置。
（３）
前記基板支持部側の前記端部は、前記垂直方向の長さが、前記コンタクト部材の前記垂直方向の長さよりも長く形成される、
前記（１）又は（２）に記載の基板処理装置。
（４）
前記勾配形状は、前記バッフル板の下面側から上面側に向けて、前記バッフル板の幅が狭くなる形状である、
前記（１）～（３）のいずれか１つに記載の基板処理装置。
（５）
前記バッフル板は、
第１の幅を持つ平面が円環状に設けられ、内周側に前記基板支持部側の前記端部を備える平面部と、
前記平面部の外周側に垂直方向の面が円筒状に設けられる壁面部と、
前記壁面部の上部に第２の幅を持つ平面が円環状に設けられるフランジ部と、
を有する、
前記（１）～（４）のいずれか１つに記載の基板処理装置。
（６）
前記弁体は、前記弁体の底部が前記フランジ部と接続される、
前記（５）に記載の基板処理装置。
（７）
前記弁体は、前記底部と前記フランジ部との間に導電性部材を挟み込んで、前記バッフル板と電気的に接続される、
前記（６）に記載の基板処理装置。
（８）
前記バッフル板は、前記端部の前記勾配形状の上部と、前記平面部の上面との接続部が、曲面で形成される、
前記（５）～（７）のいずれか１つに記載の基板処理装置。
（９）
前記コンタクト部材は、前記基板支持部の側面を一周するように設けられる、
前記（１）～（８）のいずれか１つに記載の基板処理装置。
（１０）
前記コンタクト部材は、前記弾性部材の変形領域に芯材を備える、
前記（１）～（９）のいずれか１つに記載の基板処理装置。
（１１）
前記芯材は、前記基板支持部の径方向の断面が円形状である、
前記（１０）に記載の基板処理装置。
（１２）
前記芯材は、前記基板支持部の径方向の断面が台形状である、
前記（１０）に記載の基板処理装置。
（１３）
前記芯材は、前記基板支持部の径方向の断面がＶ字形状である、
前記（１０）に記載の基板処理装置。
（１４）
前記芯材は、前記基板支持部の径方向の断面が架橋形状である、
前記（１０）に記載の基板処理装置。
（１５）
前記弁体は、前記弁体の上端部における、前記チャンバ上部の内壁に沿って設けられた導電性の上部部材と接触する導通面に、導電性部材を備え、
前記弁体と前記上部部材とは、前記弁体を上昇させて前記開口部を閉じた場合に、前記導通面が前記上部部材と上下方向に当接し、前記導電性部材により電気的に導通する、
前記（１）～（１４）のいずれか１つに記載の基板処理装置。
（１６）
前記上部部材と、前記チャンバの天部に設けられたシャワーヘッドとの間を絶縁する絶縁部材を有する、
前記（１５）に記載の基板処理装置。
（１７）
基板処理装置のチャンバの開口部に設けられるシャッタであって、
円筒状の前記チャンバの開口部を開閉する弁体と、
前記チャンバの内周側と、前記チャンバ内に配置される基板支持部との間に配置され、前記基板支持部側の端部に垂直方向の勾配形状が形成されたバッフル板と、
を有し、
前記シャッタが閉じられた状態において、前記基板支持部側の前記端部と、前記基板支持部の側面に設けられ、導電性の弾性部材で形成されたコンタクト部材との接触が維持される、
シャッタ。
（１８）
前記コンタクト部材は、前記弾性部材の変形領域に芯材を備える、
前記（１７）に記載のシャッタ。

【符号の説明】

【0071】

１ プラズマ処理装置
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
５０ 開口部
５２ デポシールド
５４ 絶縁部材
６０ シャッタ
６１ 弁体
６３ 底部
７０ バッフル板
７１ 平面部
７２ 壁面部
７３ フランジ部
７４ 導電性部材
７５ 端部
７６ 勾配形状
１１１ 本体部
１１６ コンタクト部材
１１７ バネ部
１１９，１１９ａ～１１９ｃ 芯材
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】