特許 7579791 基板を処理する方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-30

(45)【発行日】2024-11-08

(54)【発明の名称】基板を処理する方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20241031BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 105A

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2021547458

(86)(22)【出願日】2020-02-13

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-03-24

(86)【国際出願番号】 US2020018120

(87)【国際公開番号】W WO2020168084

(87)【国際公開日】2020-08-20

【審査請求日】2023-02-13

(31)【優先権主張番号】62/805,433

(32)【優先日】2019-02-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ナラヤナン， ラジャラム

(72)【発明者】

【氏名】ルアン， ファン

(72)【発明者】

【氏名】クルシュレシャータ， パラシャント クマール

(72)【発明者】

【氏名】ケッドラヤ， ディワカール エヌ．

(72)【発明者】

【氏名】ジャナキラマン， カーティック

【審査官】河合 俊英

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０１０３８９３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１５／０３７１８５１（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理する方法であって、
処理チャンバの処理領域に位置づけされた前記基板を炭化水素含有ガス混合物に曝露することと、
前記基板をホウ素含有ガス混合物に曝露することであって、前記炭化水素含有ガス混合物及び前記ホウ素含有ガス混合物は、約０．３８から約０．８５の（ホウ素含有ガス混合物／（（ホウ素含有ガス混合物）＋炭化水素含有ガス混合物））の前駆体比で前記処理領域に流される、前記基板をホウ素含有ガス混合物に曝露することと、
前記基板にホウ素－炭素膜を堆積させるために、前記処理領域に高周波（ＲＦ）プラズマを生成することであって、前記ホウ素－炭素膜は、少なくとも７５原子パーセントのホウ素を有する、高周波（ＲＦ）プラズマを生成することと
を含む方法。

【請求項2】

前記炭化水素含有ガス混合物がアルカンを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記炭化水素含有ガス混合物がプロピレン（Ｃ_３Ｈ_６）を含む、請求項２に記載の方法。

【請求項4】

前記ホウ素含有ガス混合物が、水素ガス（Ｈ_２）で希釈された約９重量パーセント（重量％）のジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項5】

前記炭化水素含有ガス混合物と前記ホウ素含有ガス混合物との比が約０．０７：１から約０．１２：１の範囲にある、請求項１に記載の方法。

【請求項6】

前記ＲＦプラズマを生成することは、約１２ＭＨｚから約１４ＭＨｚの高周波数及び約０．１ｋＨｚから約１ｋＨｚの低周波数を印加することを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項7】

前記高周波数及び低周波数の印加が、約５０Ｗから約２５００Ｗの電力レベルで印加される、請求項６に記載の方法。

【請求項8】

基板を処理する方法であって、
処理チャンバの処理領域に位置づけされた前記基板を炭化水素含有ガス混合物に曝露することと、
前記基板をホウ素含有ガス混合物に曝露することであって、前記炭化水素含有ガス混合物及び前記ホウ素含有ガス混合物は、約０．３８から約０．８５の（ホウ素含有ガス混合物／（（ホウ素含有ガス混合物）＋炭化水素含有ガス混合物））の前駆体比で前記処理領域に流される、前記基板をホウ素含有ガス混合物に曝露することと、
前記基板にホウ素－炭素膜を堆積させるために、前記処理領域に高周波（ＲＦ）プラズマを生成することであって、前記ホウ素－炭素膜は、１０原子パーセント未満の水素を有する、前記処理領域に高周波（ＲＦ）プラズマを生成することと
を含む方法。

【請求項9】

前記ＲＦプラズマを生成することは、約１２ＭＨｚから約１４ＭＨｚの高周波数及び約０．１ｋＨｚから約１ｋＨｚの低周波数を印加することを含む、請求項８に記載の方法。

【請求項10】

高周波数及び低周波数の印加が、約５０Ｗから約２５００Ｗの電力レベルで印加される、請求項９に記載の方法。

【請求項11】

前記基板が静電チャック（ＥＳＣ）に固定される、請求項８に記載の方法。

【請求項12】

非一過性コンピュータ可読媒体であって、
処理チャンバの処理領域に位置づけされた基板を炭化水素含有ガス混合物に曝露することと、
前記基板をホウ素含有ガス混合物に曝露することであって、前記炭化水素含有ガス混合物及び前記ホウ素含有ガス混合物は、約０．３８から約０．８５の（ホウ素含有ガス混合物／（（ホウ素含有ガス混合物）＋炭化水素含有ガス混合物））の前駆体比で前記処理領域に流される、前記基板をホウ素含有ガス混合物に曝露することと、
前記基板にホウ素－炭素膜を堆積させるために、前記処理領域に高周波（ＲＦ）プラズマを生成することであって、前記ホウ素－炭素膜が、少なくとも７５原子パーセントのホウ素を有する、高周波（ＲＦ）プラズマを生成することと
を含む方法をコンピュータに実行させるためのプログラム命令を含む、非一過性コンピュータ可読媒体。

【請求項13】

前記炭化水素含有ガス混合物がアルカンを含む、請求項１２に記載の非一過性コンピュータ可読媒体。

【請求項14】

前記ホウ素含有ガス混合物が、水素ガス（Ｈ_２）で希釈された約９重量パーセント（重量％）のジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）を含む、請求項１２に記載の非一過性コンピュータ可読媒体。

【請求項15】

前記炭化水素含有ガス混合物と前記ホウ素含有ガス混合物との比が約０．０７：１から約０．１２：１の範囲にある、請求項１２に記載の非一過性コンピュータ可読媒体。

【請求項16】

前記処理領域の圧力が、約２トルから約１０トルの間である、請求項１に記載の方法。

【請求項17】

前記基板が、約４５０℃から約６５０℃までの温度に維持される、請求項１に記載の方法。

【請求項18】

前記ホウ素含有ガス混合物が、水素ガス（Ｈ_２）で希釈された約９重量パーセント（重量％）のジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）を含む、請求項８に記載の方法。

【請求項19】

前記炭化水素含有ガス混合物と前記ホウ素含有ガス混合物との比が約０．０７：１から約０．１２：１の範囲にある、請求項８に記載の方法。

【請求項20】

前記炭化水素含有ガス混合物がプロピレン（Ｃ_３Ｈ_６）を含む、請求項１２に記載の非一過性コンピュータ可読媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［０００１］本開示の実施形態は、概して、方法、より具体的には、基板を処理する方法に関する。

【背景技術】

【0002】

［０００２］より高い集積回路密度に対する要望は、集積回路部品の製造に使用されるプロセスシーケンスに要求を課すものである。例えば、従来のフォトリソグラフィ技法を使用するプロセスシーケンスでは、感エネルギー性レジストの層が、基板に配置された材料層のスタックの上に形成される。フォトレジストマスクを形成するために、感エネルギー性レジスト層がパターンの画像に露光される。その後、エッチングプロセスを使用して、マスクパターンがスタックの１又は複数の材料層に転写される。エッチングプロセスで使用される化学エッチング液は、感エネルギー性レジストのマスクよりもスタックの材料層に対してより高いエッチング選択性を有するように選択される。レジスト層の上のスタックの１又は複数の材料層へのエッチング選択性により、パターン転写が完了する前に感エネルギー性レジスト層が消費されることが防止される。

【0003】

［０００３］パターンの寸法が縮小するにつれ、パターンの解像度を制御するために、感エネルギー性レジストの厚さがそれに応じて縮小される。上記の薄いレジスト層は、化学エッチング液による攻撃のために、パターン転写工程中に下にある材料層を隠すのに不十分な場合がある。化学エッチング液に対するハードマスクの抵抗が大きいため、パターン転写が促進されるように、感エネルギー性レジスト層と下にある材料層との間にハードマスクと呼ばれる中間層がしばしば使用される。限界寸法（ＣＤ）が縮小するにつれ、現在のハードマスク材料は、下にある材料と比較して、望ましいエッチング選択性を欠いている。

【0004】

［０００４］したがって、改善されたエッチング選択性を備えたハードマスク膜を堆積させるための方法が必要である。

【発明の概要】

【0005】

［０００５］本明細書に含まれる実施形態は、基板を処理する方法を含む。本方法は、ホウ素－炭素膜を堆積させることを含み、ホウ素－炭素膜は、改善されたエッチング選択性を示す。

【0006】

［０００６］一実施形態では、基板を処理する方法が提供される。本方法は、処理チャンバの処理領域に位置づけされた基板を炭化水素含有ガス混合物に曝露することと、基板をホウ素含有ガス混合物に曝露することと、基板にホウ素－炭素膜を堆積させるために、処理領域に高周波（ＲＦ）プラズマを生成することとを含む。炭化水素含有ガス混合物及びホウ素含有ガス混合物は、約０．３８から約０．８５の（ホウ素含有ガス混合物／（（ホウ素含有ガス混合物）＋炭化水素含有ガス混合物）の前駆体比で処理領域に流される。ホウ素－炭素膜は、約５５原子パーセントから約９５原子パーセントのホウ素を有する。

【0007】

［０００７］別の実施形態では、基板を処理する方法が提供される。本方法は、処理チャンバの処理領域に位置づけされた基板を炭化水素含有ガス混合物に曝露することと、基板をホウ素含有ガス混合物に曝露することと、基板にホウ素－炭素膜を堆積させるために、処理領域に高周波（ＲＦ）プラズマを生成することとを含む。炭化水素含有ガス混合物及びホウ素含有ガス混合物は、約０．３８から約０．８５の（ホウ素含有ガス混合物／（（ホウ素含有ガス混合物）＋炭化水素含有ガス混合物）の前駆体比で処理領域に流される。ホウ素－炭素膜は、約３５原子パーセントから約５５原子パーセントのホウ素を有する。

【0008】

［０００８］更に別の実施形態では、基板を処理する方法が提供される。本方法は、処理チャンバの処理領域に位置づけされた基板を炭化水素含有ガス混合物に曝露することと、基板をホウ素含有ガス混合物に曝露することと、基板にホウ素－炭素膜を堆積させるために、処理領域に高周波（ＲＦ）プラズマを生成することとを含む。炭化水素含有ガス混合物及びホウ素含有ガス混合物は、約０．３８から約０．８５の（ホウ素含有ガス混合物／（（ホウ素含有ガス混合物）＋炭化水素含有ガス混合物）の前駆体比で処理領域に流される。炭化水素含有ガス混合物は、プロピレン（Ｃ_３Ｈ_６）を含む。ホウ素－炭素膜は、約５５原子パーセントから約９５原子パーセントのホウ素を有する。

【0009】

［０００９］上述した本開示の特徴を詳細に理解できるように、一部が添付の図面に例示されている実施形態を参照しながら、上記に要約した実施形態をより具体的に説明する。ただし、添付の図面は本開示の典型的な実施形態を単に示すものであり、したがって、実施形態の範囲を限定するものと見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることに留意されたい。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】一実施形態に係る基板処理システムを示す概略図である。

【図2】一実施形態に係る、ホウ素－炭素膜を堆積させるための方法の工程のフロー図である。

【図3】一実施形態に係る基板構造を示す概略断面図である。

【図4】前駆体比（ＰＲ）に対するホウ素（Ｂ）の割合を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0011】

［００１４］本開示の実施形態は、概して、基板を処理する方法に関する。本開示は、基板に高い弾性率及びエッチング選択性を備えたハードマスク（例えば、ホウ素－炭素膜）を堆積させるための技法を記載したものである。本方法は、ホウ素の濃度が高く、水素含有量が少ない高密度のホウ素－炭素ハードマスク膜の製造を含む。炭化水素含有ガス源の流量が減ると、ホウ素－炭素ハードマスク膜中のホウ素の割合（Ｂ％）が増加する。ホウ素－炭素ハードマスク膜は、高アスペクト比（例えば、１０：１以上）の特徴及びより小さい寸法（例えば、７ｎｍノード以下）のデバイスに対して、高い弾性率、エッチング選択性、及び応力を提供する。本明細書に記載の実施形態は、現在の炭素ハードマスクプロセス統合スキームと互換性がある。したがって、既存のデバイス製造ラインへの方法の導入は、上流又は下流の処理方法又はそれに関連する機器の実質的な変更を必要としない。本明細書に開示の実施形態は、ホウ素－炭素ハードマスクの堆積に有用であり得るが、これに限定されない。

【0012】

［００１５］本明細書で使用する「約」という用語は、公称値からの＋／－１０％の変動を指す。そのような変動は、本明細書で提供される任意の値に含まれ得ることが理解されるべきである。

【0013】

［００１６］本明細書に記載の実施形態を、任意の適切な薄膜堆積システムを使用して行われ得るプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセスに関して以下に説明する。適切なシステムの例には、Ｄ×Ｚ（商標）処理チャンバを使用できるＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）システム、ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ５０００（登録商標）システム、ＰＲＯＤＵＣＥＲ（商標）システム、ＰＲＯＤＵＣＥＲ ＧＴ（商標）、及びカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から市販されているＰＲＯＤＵＣＥＲ ＳＥ（商標）処理チャンバが含まれる。ＰＥＣＶＤプロセスを実行できる他のツールも、本明細書に記載の実施形態から利益を得るように適合させることができる。更に、本明細書に記載のＰＥＣＶＤプロセスを可能にする任意のシステムを有利に使用することができる。本明細書に記載の装置の説明は例示的なものであり、本明細書に記載の実施形態の範囲を限定するものとして解釈又は判断されるべきではない。

【0014】

［００１７］図１は、一実施形態に係る基板処理システム１３２を示す概略図である。基板処理システム１３２は、ハードマスク層堆積を実行するように構成される。図示したように、基板処理システム１３２は、ガスパネル１３０及びコントローラ１１０に結合された処理チャンバ１００を含む。

【0015】

［００１８］処理チャンバ１００は、その中に配置された基板１９０に様々な処理方法を実行するように構成される。例えば、処理チャンバ１００は、基板１９０にハードマスクを堆積させるように構成される。図示したように、処理チャンバ１００は、内部処理領域１２６を画定する上壁１２４、１又は複数の側壁１０１、及び底壁１２２を含む。基板１９０を支持するための支持ペデスタル１５０が、処理チャンバ１００の内部処理領域１２６に配置される。支持ペデスタル１５０は、ステム１６０によって支持され、支持ペデスタル１５０及び／又はステム１６０は、アルミニウム、セラミック、及びステンレス鋼等の他の任意の適切な材料を含み得る。支持ペデスタル１５０は、変位機構（図示せず）（例えば、支持ペデスタルを上下させるアクチュエータ）を使用して、処理チャンバ１００内で垂直方向に移動し得る。幾つかの実施形態では、支持ペデスタル１５０は、静電チャック（ＥＳＣ）を含む。ＥＳＣにより、処理中に基板１９０が固定される。

【0016】

［００１９］支持ペデスタル１５０は、支持ペデスタル１５０に埋め込まれたヒータ要素１７０を含み得る。ヒータ要素１７０は、支持ペデスタル１５０の表面１９２に支持された基板１９０の温度を制御するように構成される。支持ペデスタル１５０は、電源１０６からヒータ要素１７０に電流を印加することによって、抵抗加熱され得る。電源１０６から供給される電流がコントローラ１１０によって調整され、ヒータ要素１７０によって生成される熱を制御し、これにより、膜堆積中に基板１９０及び支持ペデスタル１５０を実質的に一定の温度に維持する。供給される電流は、支持ペデスタル１５０の温度を約４００℃から約７００℃の間で選択的に制御するように調節される。

【0017】

［００２０］熱電対等の温度センサ１７２を支持ペデスタル１５０に埋め込んで、支持ペデスタル１５０の温度を監視することができる。測定された温度は、コントローラ１１０によって使用され、埋め込みヒータ要素１７０に供給される電力を制御して、基板１９０を所望の温度に維持する。

【0018】

［００２１］真空ポンプ１０２が、処理チャンバ１００の底壁１２２に形成されたポートに結合されている。真空ポンプ１０２は、処理チャンバ１００の所望のガス圧を維持するために使用される。真空ポンプ１０２はまた、後処理ガス及びプロセスの副生成物を処理チャンバ１００から排出する。

【0019】

［００２２］複数の開孔１２８を有するガス分配アセンブリ１２０が、支持ペデスタル１５０の上の処理チャンバ１００の上部に配置される。ガス分配アセンブリ１２０は、１又は複数のプロセスガスを処理チャンバ１００に流すように構成される。開孔１２８は、様々なプロセスガスの処理チャンバ１００への流れを促進するために、異なるサイズ、数、分布、形状、設計、及び直径を有し得る。ガス分配アセンブリ１２０は、基板処理中に内部処理領域１２６に様々なガスを供給するガスパネル１３０に接続されている。プラズマが、ガス分配アセンブリ１２０から出るプロセスガス混合物から形成され、プロセスガスの熱分解を促進し、その結果、基板１９０の表面１９１に材料が堆積され得る。

【0020】

［００２３］ガス分配アセンブリ１２０及び支持ペデスタル１５０は、内部処理領域１２６に一対の離間した電極を形成し得る。１又は複数の高周波（ＲＦ）電源１４０が、マッチングネットワーク１３８を通してガス分配アセンブリ１２０にバイアス電位を提供し、ガス分配アセンブリ１２０と支持ペデスタル１５０との間のプラズマの生成を促進する。あるいは、ＲＦ電源１４０及びマッチングネットワーク１３８は、ガス分配アセンブリ１２０、支持ペデスタル１５０に結合される、又はガス分配アセンブリ１２０と支持ペデスタル１５０の両方に結合される、又は処理チャンバ１００の外部に配置されたアンテナ（図示せず）に結合される。一実施形態では、ＲＦ電源１４０は、約５０ｋＨｚから約１３．６ＭＨｚの周波数で約１００Ｗから約３０００Ｗを提供する。別の実施形態では、ＲＦ電源１４０は、約５０ｋＨｚから約１３．６ＭＨｚの周波数で約５００Ｗから約１８００Ｗを提供する。

【0021】

［００２４］図示したように、コントローラ１１０は、中央処理装置（ＣＰＵ）１１２、メモリ１１６、及びプロセスシーケンスを制御し、ガスパネル１３０からのガス流を調整するように構成された支援回路１１４を含む。ＣＰＵ１１２は、産業環境で使用される任意の形態の汎用コンピュータプロセッサである。ソフトウェアルーチンは、ランダムアクセスメモリ、読み取り専用メモリ、フロッピー、又はハードディスクドライブ、又は他の形式のデジタルストレージ等のメモリ１１６に格納され得る。支援回路１１４は、従来、ＣＰＵ１１２に結合されており、キャッシュ、クロック回路、入力／出力システム、電源等を含み得る。コントローラ１１０と基板処理システム１３２の様々な構成要素との間の双方向通信は、まとめて信号バス１１８と呼ばれる多数の信号ケーブルを通して処理される。

【0022】

［０００１］図２は、一実施形態に係る、ホウ素－炭素膜を堆積させるための方法２００の工程のフロー図である。方法２００の工程を図２及び図３に関連して説明しているが、当業者は、本方法の工程を任意の順序で実行するように構成されたいかなるシステムも、本明細書に記載の実施形態の範囲内にあることを理解するだろう。方法２００は、コントローラのＣＰＵ１１２によって実行されると、システム１３２及び／又は処理チャンバ１００に方法２００を実行させる命令を含むコンピュータ可読媒体としてのコントローラ１１０に格納され得る、又はアクセス可能であり得る。

【0023】

［００２５］方法２００は、工程２１０で開始し、処理チャンバの処理領域に配置された基板が、炭化水素含有ガスに暴露される。処理チャンバは、図１に示す処理チャンバ１００であり得る。図３は、一実施形態に係る基板構造３００を示す概略断面図である。図示したように、基板構造３００は、基板１９０を含む。基板１９０は、その上又はその中に所望の高さで形成された構造を有する実質的に平面の表面１９１を有し得る。あるいは、基板１９０は、パターニングされた構造、例えば、その中に形成されたトレンチ、穴、又はビアを有する表面を有し得る。基板１９０を図３に単一の本体として示したが、基板１９０は、金属接点、トレンチ絶縁、ゲート、ビット線、又は他の任意の相互接続特徴等の半導体デバイスの形成に使用される１又は複数の材料を含み得ることが理解される。基板１９０は、その上に任意の数又は組み合わせの金属層、半導体層、及び／又は絶縁層を含み得る。

【0024】

［００２６］基板１９０は、半導体デバイスを製造するために用いられる１又は複数の金属層、１又は複数の誘電体材料、半導体材料、及びそれらの組み合わせを含み得る。例えば、基板１９０は、用途に応じて、酸化物材料、窒化物材料、ポリシリコン材料等を含む。メモリ用途が所望される一実施形態では、基板１９０は、間にポリシリコンが挟まれているかどうかにかかわらず、シリコン基板材料、酸化物材料、及び窒化物材料を含む。

【0025】

［００２７］別の実施形態では、基板１９０は、基板１９０の表面１９１に堆積された複数の交互の酸化物及び窒化物材料（すなわち、酸化物－窒化物－酸化物（ＯＮＯ））を含む。様々な実施形態では、基板１９０は、複数の交互の酸化物及び窒化物材料、１又は複数の酸化物又は窒化物材料、ポリシリコン又はアモルファスシリコン材料、アモルファスシリコンと交互の酸化物、ポリシリコンと交互の酸化物、ドープされたシリコンと交互のドープされていないシリコン、ドープされたポリシリコンと交互のドープされていないポリシリコン、又はドープされたアモルファスシリコンと交互のドープされていないアモルファスシリコンを含む。基板１９０は、膜処理が実行される任意の基板又は材料表面であり得る。例えば、基板１９０は、結晶シリコン、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、歪みシリコン、シリコンゲルマニウム、タングステン、窒化チタン、ドープされた又はドープされていないポリシリコン、ドープされた又はドープされていないシリコンウエハ、及びパターニングされた又はパターニングされていないウエハ、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイア、低誘電率誘電体、及びそれらの組み合わせを含み得る。

【0026】

［００２８］炭化水素含有ガス混合物は、ガスパネル１３０からガス分配アセンブリ１２０を通して内部処理領域１２６に流される。ガス混合物は、少なくとも１つの炭化水素化合物を含む。ガス混合物は、不活性ガス、希釈ガス、又はそれらの組み合わせを更に含み得る。炭化水素は、材料の計量、制御、及びチャンバへの送達に必要なハードウェアを簡素化するために気化させ得る任意のガス又は液体であり得る。一実施形態では、炭化水素源は、線状炭化水素等のガス状炭化水素である。一実施形態では、炭化水素化合物は、一般式Ｃ_ｘＨ_ｙを有し、ｘは１から２０の範囲を有し、ｙは１から２０の範囲を有する。一実施形態では、炭化水素化合物はアルカンである。適切な炭化水素化合物は、例えば、メタン（ＣＨ_４）、エタン（Ｃ_２Ｈ_６）、プロピレン（Ｃ_３Ｈ_６）、プロパン（Ｃ_３Ｈ_８）、ブタン（Ｃ_４Ｈ_１０）及びその異性体イソブタン、ペンタン（Ｃ_５Ｈ_１２）、ヘキサン（Ｃ_６Ｈ_１４）及びその異性体イソペンタンとネオペンタン、ヘキサン（Ｃ_６Ｈ_１４）、及びその異性体２－メチルペンタン、３－メチルペンタン、２，３－ジメチルブタン、及び２，２－ジメチルブタン、又はそれらの組み合わせ等のアルカンを含む。追加の適切な炭化水素は、例えば、アセチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン及びその異性体等のアルケン、ペンテン及びその異性体等、ブタジエン、イソプレン、ペンタジエン、ヘキサジエン等のジエン、又はそれらの組み合わせを含む。

【0027】

［００２９］追加の適切な炭化水素は、例えば、モノフルオロエチレン、ジフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、モノクロロエチレン、ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、又はそれらの組み合わせ等のハロゲン化アルケンを含む。追加の適切な炭化水素は、例えば、アセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）、プロピン（Ｃ_３Ｈ_４）、ブチレン（Ｃ_４Ｈ_８）、ビニルアセチレン、又はそれらの組み合わせ等のアルキンを含む。追加の適切な炭化水素は、例えば、ベンゼン、スチレン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、アセトフェノン、安息香酸メチル、酢酸フェニル、フェノール、クレゾール、フラン等の芳香族炭化水素、アルファ－テルピネン、シメン、１，１，３，３，－テトラメチルブチルベンゼン、ｔ－ブチルエーテル、ｔ－ブチルエチレン、メチルメタクリレート、及びｔ－ブチルフルフリルエーテル、式Ｃ_３Ｈ_２及びＣ_５Ｈ_４を有する化合物、モノフルオロベンゼン、ジフルオロベンゼン、テトラフルオロベンゼン、ヘキサフルオロベンゼン、又はそれらの組み合わせを含むハロゲン化芳香族化合物を含む。幾つかの例では、Ｃ_３Ｈ_６は、表面移動度がより高くなる更に安定した中間種が形成されるため、有利であることがわかっている。

【0028】

［００３０］炭化水素含有ガス混合物の流量は、約２０００ｓｃｃｍから約４５００ｓｃｃｍ、例えば、約２２００ｓｃｃｍから約４０００ｓｃｃｍであり得る。Ｃ_３Ｈ_６が炭化水素含有ガス源として使用される一実施形態では、炭化水素含有ガス混合物の流量は、約２２５０ｓｃｃｍから約３０００ｓｃｃｍ、例えば、約２３００ｓｃｃｍから約２８００ｓｃｃｍである。

【0029】

［００３１］とりわけ、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、水素ガス（Ｈ_２）、窒素ガス（Ｎ_２）、アンモニア（ＮＨ_３）、又はそれらの組み合わせ等の適切な希釈ガスを、必要に応じてガス混合物に加えることが可能である。Ａｒ、Ｈｅ、及びＮ_２は、アモルファスカーボン層の密度と堆積速度を制御するために使用される。あるいは、堆積中に希釈ガスは使用されない。

【0030】

［００３２］場合によっては、アモルファスカーボン層の水素比を制御するために、窒素含有ガスが、炭化水素含有ガス混合物と共に処理チャンバ１００に供給される。適切な窒素含有化合物は、例えば、窒素ガス、アンモニア、ピリジン、脂肪族アミン、アミン、ニトリル、及び同様の化合物を含む。

【0031】

［００３３］アルゴン（Ａｒ）及び／又はヘリウム（Ｈｅ）等の不活性ガスが、炭化水素含有ガス混合物と共に処理チャンバ１００に供給され得る。窒素ガス（Ｎ_２）等の他の不活性ガスも、アモルファスカーボン層の密度と堆積速度を制御するために使用され得る。更に、アモルファスカーボン材料の特性を変更するために、他の様々な処理ガスをガス混合物に追加することが可能である。一実施形態では、処理ガスは、水素ガス（Ｈ_２）、アンモニア（ＮＨ_３）、水素ガス（Ｈ_２）と窒素ガス（Ｎ_２）の混合物（形成ガスとしても知られる）等の反応性ガス、又はそれらの組み合わせを含む。Ｈ_２及び／又はＮＨ_３の追加は、堆積されたアモルファスカーボン層の水素比（例えば、炭素対水素比）を制御するために使用される。アモルファスカーボン膜に存在する水素比は、反射率等の層特性の制御を提供する。

【0032】

［００３４］工程２２０において、基板１９０が、ホウ素含有ガス混合物に暴露される。ホウ素含有ガス混合物は、ガスパネル１３０からガス分配アセンブリ１２０を通して内部処理領域１２６に流される。一実施形態では、ホウ素含有ガス混合物は、ホウ素含有化合物及び希釈ガスを含む。ホウ素含有化合物の例は、ジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）、トリメチルボロナン［ＴＭＢ］（Ｂ（ＣＨ_３）_３）、トリエチルボラン［ＴＥＢ］（Ｂ（Ｃ_２Ｈ_５）_３）、メチルボラン、ジメチルボラン、エチルボラン、ジエチルボラン、オルト－カルボラン（Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２）、及び同様の化合物を含む。とりわけ、水素ガス（Ｈ_２）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素ガス（Ｎ_２）、アンモニア（ＮＨ_３）、又はそれらの組み合わせ等の適切な希釈ガスを含めることができる。一例では、ホウ素含有ガス混合物は、Ｂ_２Ｈ_６及びＨ_２を含む。

【0033】

［００３５］一実施形態では、全ホウ素含有ガス混合物中のホウ素含有化合物の割合は、約１重量パーセント（重量％）から約２０重量％、例えば、約２重量％から約１８重量％、例えば約５重量％から約１２重量％、例えば約７重量％から約１２重量％である。例示的なホウ素含有ガス混合物は、例えば、６重量％のＢ_２Ｈ_６／９４重量％のＨ_２、７重量％のＢ_２Ｈ_６／９３重量％のＨ_２、８重量％のＢ_２Ｈ_６／９２重量％のＨ_２、９重量％のＢ_２Ｈ_６／９１重量％のＨ_２、１０重量％のＢ_２Ｈ_６／９０重量％のＨ_２、１１重量％のＢ_２Ｈ_６／８９重量％のＨ_２、又は１２重量％のＢ_２Ｈ_６／８８重量％のＨ_２を含む。これらの例示的な例の水素ガスは、Ｈｅ、Ａｒ、又はＮ_２で置き換えが可能である。異なる濃度のホウ素含有ガス混合物が使用される場合、特定の膜特性を達成するために必要な流量がそれに応じて変化しうると考えられる。

【0034】

［００３６］Ｃ_３Ｈ_６が炭化水素含有ガス源として使用され、Ｈ_２で希釈された９重量％のＢ_２Ｈ_６がホウ素含有ガス源として使用される様々な実施形態では、炭化水素含有ガス源対ホウ素含有ガス源の流量の比（以下、比）は、約０．０５：１から約０．１３：１、例えば、約０．０７：１から約０．１２：１、例えば、約０．０９：１から約０．１１：１の範囲であり得る。

【0035】

［００３７］Ｈ_２で希釈された９重量％のジボランがホウ素含有ガス源として使用される一実施形態では、ホウ素含有ガス混合物の流量は、約１０００ｓｃｃｍから約１００００ｓｃｃｍ、例えば、約１８００ｓｃｃｍから約３５００ｓｃｃｍ、例えば約２３００ｓｃｃｍまで変化する。Ｈ_２で希釈された６％のジボランがホウ素含有ガス源として使用される別の実施形態では、ホウ素含有ガス混合物の流量は、約５０００ｓｃｃｍから約１５０００ｓｃｃｍ、例えば、約１３０００ｓｃｃｍである。Ｈ_２で希釈された１２％のジボランがホウ素含有ガス源として使用される更に別の実施形態では、ホウ素含有ガス混合物の流量は、約２０００ｓｃｃｍから約８０００ｓｃｃｍ、例えば、約２２００ｓｃｃｍから約７５００ｓｃｃｍである。

【0036】

［００３８］炭化水素含有ガス混合物は、約３秒から約３０秒、例えば、約１５秒間、内部処理領域１２６に導入され得、これは基板のサイズに応じて変更される。ホウ素含有ガスの導入前に炭化水素含有ガス混合物を流すことで、内部処理領域１２６の継続的な熱及び圧力の安定化が得られ得る。次に、ホウ素含有ガス混合物が、約０．５秒から約５秒、例えば、約１秒から約２秒間、内部処理領域１２６に流される（流す時間は、ホウ素含有ガス混合物が、ＲＦプラズマ衝突の前に、内部処理領域１２６に到達し始めるほど、流れが十分に長い限り、変更可能である）。工程２１０は、工程２２０のプロセスと同時に、前に、後に、又は部分的に重複して実行され得ると考えられる。

【0037】

［００３９］工程２３０において、ＲＦプラズマが内部処理領域１２６で生成され、基板１９０にホウ素－炭素膜３０４が堆積される。プラズマは、容量性又は誘導性の手段によって形成され得、ＲＦ電力を前駆体ガス混合物に結合させることによって励起させることができる。ＲＦ電力は、約０．４ＭＨｚから約３００ＭＨｚの範囲の周波数を使用する２周波ＲＦ電力であり得る。例えば、ＲＦ電力は、高周波成分と低周波成分を持つ２周波ＲＦ電力である。ＲＦ電力は、通常、約５０Ｗから約２５００Ｗの電力レベルで印加され、これは、すべて高周波ＲＦ電力、例えば、約１３．５６ＭＨｚの周波数であり得る、又は高周波電力と低周波電力の混合、例えば、約１３．５６ＭＨｚの高周波数と約０．３５ｋＨｚの低周波数であり得る。

【0038】

［００４０］ホウ素－炭素膜におけるホウ素ドーピングを増加させることで、ホウ素－炭素膜の応力を低減しながら、エッチング選択性及び膜透明性を増加させることができることが観察されている。堆積中にホウ素含有ガス混合物（例えば、Ｂ_２Ｈ_６）の流れを増加させることにより、ホウ素－炭素膜中のホウ素の量を増加させることができるが、結果として生じるホウ素－炭素膜中の水素含有量も必然的に増加する。ホウ素－炭素膜には大量の水素が存在するため、膜の機械的強度とエッチング選択性が影響を受ける可能性がある。しかしながら、驚くべきことに、堆積中に炭化水素含有ガス混合物を減少させると、従来の堆積アモルファスカーボン層（例えば、ＡＰＦ（商標）ハードマスク）と比較して、ホウ素－炭素膜３０４のホウ素含有量が増加し、水素含有量が減少し得ることが発見された。

【0039】

［００４１］以下の表１は、アモルファス炭素膜参照（ベースライン）及びホウ素－炭素膜（ケース１～４）を形成するために使用される炭化水素含有ガス源及びホウ素含有ガス源の様々な流れの組み合わせを示したものである。ケース１は、ベースラインと比較して炭化水素含有ガス源のみを減少させている例である。ケース２は、ベースラインと比較して、炭化水素含有ガス源を減少させ、ホウ素含有ガス源を増加させた例である。ケース３は、ベースラインと比較してホウ素含有ガス源のみを増加させた例である。ケース４は、ベースラインと比較して、炭化水素含有ガス源を減少させ、ホウ素含有ガス源を増加させた例である。以下の表２は、表１に示す流れの組み合わせに従って形成されたアモルファスカーボン膜参照とホウ素―炭素膜（ケース１～４）のホウ素－炭素膜の特性を示したものである。ホウ素－炭素膜のホウ素含有量の割合は、次のように計算される：（（Ｂ／（Ｂ＋Ｃ）％）。

【0040】

［００４２］

【表1】

【0041】

［００４３］

【表2】

【0042】

［００４４］表２からわかるように、ホウ素含有量は、３つの異なる条件によって増加した：（ａ）Ｃ_３Ｈ_６の減少のみ（例：ケース１）；（ｂ）Ｂ_２Ｈ_６／Ｈ_２の増加のみ（例：ケース３）；（ｃ）（１）と（２）の組み合わせ（例：ケース２及び４）。炭化水素含有ガス源の流量を更に減少させると（例えば、ケース２）、最終的なホウ素－炭素膜中のホウ素含有量はそれに応じて増加する。しかしながら、ホウ素含有ガス源の流量を大幅に増加させると（例えば、ケース３）、代わりに、最終的なホウ素－炭素膜中のホウ素含有量が減少する。特に、屈折率の低下と膜応力の増加は、水素の含有量が多いとホウ素がエッチング又は消費され、最終的なホウ素－炭素膜のホウ素が非効率的に増加し得ることを示唆している。

【0043】

［００４５］図４は、前駆体比（ＰＲ）に対するホウ素（Ｂ）の割合を示すグラフ４００である。グラフ４００は、Ｃ_３Ｈ_６が炭化水素含有ガス源として使用され、Ｈ_２で希釈された９重量％のＢ_２Ｈ_６がホウ素含有ガス源として使用される例に基づくものである。図４のＰＲは、次のように計算される：ＰＲ＝（Ｈ_２中の９重量％のＢ_２Ｈ_６／（（Ｈ_２中の９重量％のＢ_２Ｈ_６）＋Ｃ_３Ｈ_６）。これからわかるように、ＰＲは、炭化水素含有ガス源の流量が減少するにつれて増加し（例えば、ケース１及び２）、その結果、ホウ素－炭素膜におけるホウ素ドーピング（Ｂ％）が増加する。本明細書に記載の前駆体比は、本開示で言及する他の炭化水素含有ガス混合物及びホウ素含有ガス混合物に等しく適用可能であると考えられる。更に、ＰＲは０．３から０．５５まで変化するように示したが、最終的なホウ素－炭素膜中の所望のホウ素含有量に応じて、より低い又はより高いＰＲが考えられる。様々な例において、ＰＲは、０．３８から０．８５の範囲、例えば、約０．４５から約０．７５の範囲であり得る。プラズマのＰＲが増加すると、生成されたＲＦプラズマはより均一になることが提案される。ＲＦプラズマの均一性は、堆積された膜の均一性に対応する。したがって、予期せぬことに、ＲＦプラズマのＢ％を増加させると、より均一な堆積膜が得られることになる。

【0044】

［００４６］ホウ素含有量がＰＲに直接関係しているため、堆積されたときのホウ素－炭素膜３０４中の任意の量／割合のホウ素は、ＰＲを調整することによって達成することが可能である。いずれの場合も、膜へのホウ素取り込みの原子パーセントは次のように計算され得る：（（Ｂ／（Ｂ＋Ｃ）％）。本開示の様々な実施形態では、ホウ素－炭素膜３０４は、少なくとも５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、又は９０原子パーセントのホウ素を含む。一実施形態では、ホウ素－炭素膜３０４は、約４５から約９５原子パーセントのホウ素を含む。別の実施形態では、ホウ素－炭素膜は、約５５から約９０原子パーセントのホウ素を含む。更に別の実施形態では、ホウ素－炭素膜は、約６０から約８５原子パーセントのホウ素を含む。同様に、膜への炭素取り込みの原子パーセントは次のように計算され得る：（（Ｃ／（Ｂ＋Ｃ）％）。本開示の様々な実施形態では、ホウ素－炭素膜３０４は、少なくとも１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、又は５０原子パーセントの炭素を含む。一実施形態では、ホウ素－炭素膜３０４は、約１５から約５５原子パーセントの炭素を含む。別の実施形態では、ホウ素－炭素膜３０４は、約２５から約４５原子パーセントの炭素を含む。様々な実施形態では、ホウ素－炭素膜３０４は、約１０、１５、又は２０原子パーセント未満の水素を含む。ホウ素－炭素膜３０４は、結晶性又はアモルファスであり得る。

【0045】

［００４７］工程２４０において、堆積したホウ素－炭素膜３０４が目標厚さに到達したか否かを決定することに関する決定がなされる。ホウ素－炭素膜３０４は、基板１９０のその後のエッチング要件に対応する目標厚さを有し得る。炭化水素含有ガス混合物を処理領域に流すこと（工程２１０）、ホウ素含有ガス混合物を処理領域に流すこと（工程２２０）、及びホウ素－炭素膜を堆積させるために、処理領域にＲＦプラズマを生成すること（工程２３０）は、目標厚さが達成されるまで繰り返され得る。一実施形態では、ホウ素－炭素膜は、約１００Åから約３００００Åの厚さ（例えば、約１０００Åから約１８０００Å；約１００Åから約２００００Å；約３００Åから約５０００Å；又は約１０００Åから約２０００Å）に堆積される。

【0046】

［００４８］オプションの工程２５０において、追加の処理が基板構造３００に対して実行される。例えば、パターニングされたフォトレジスト（図示せず）が、ホウ素－炭素膜３０４の上に形成される。ホウ素－炭素膜３０４は、パターニングされたフォトレジスト層に対応するパターンでエッチングされ、続いて基板１９０がパターンでエッチングされ得る。ホウ素－炭素膜３０４のエッチングされた部分に材料が堆積され得る。ホウ素－炭素膜３０４は、過酸化水素及び硫酸を含む溶液、又は酸素及びハロゲン（例えば、フッ素又は塩素）を含む任意のエッチング化学物質を使用して除去され得る。ホウ素－炭素膜３０４は、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスによって除去され得る。

【0047】

［００４９］Ｂドーピングは、一般に、ホウ素－炭素膜におけるｓｐ^３炭素－水素（Ｃ－Ｈ）結合を減少させる。Ｂドーパントは格子間位置で形成される。隣接するＨ原子が結合して水素ガス（Ｈ_２）を生成し、膜を離れる。次に、残りのＣ原子とＢ原子がＣ－Ｂ結合を形成する。ｓｐ^３Ｃ－Ｈ結合は格子緩和を引き起こし、引張応力をもたらすと理論づけられている。Ｂドーピングは一般に、ホウ素－炭素膜のＣ＝Ｃ及びＣ≡Ｃ結合を増加させ、Ｃ／Ｈ比を増加させる。ｓｐ^３Ｃ－Ｈ結合も減少し、圧縮応力が発生する。Ｂ_２Ｈ_６の流れの増加には、より多くのｓｐ^３Ｃ－Ｈ結合が含まれ得、Ｈ含有量が高くなる。膜中のＣ－Ｃポリマー鎖の形成を防ぐために、より短い鎖状Ｃ分子が好ましい。

【0048】

［００５０］現在の低温ホウ素含有炭素ハードマスクは、以前のアモルファスカーボンハードマスク膜と比較して、良好なエッチング選択性、機械的強度、及び透明性を達成する。ただし、低温のホウ素含有ハードマスク膜のアモルファス性、より高い水素含有量、及びより低い弾性率（～１００ＧＰａ）により、高アスペクト比の特徴及びより小さい寸法のデバイスの製造が制限される。次世代集積回路チップセットを可能にするために、本開示の実施形態は、より高い温度（例えば、摂氏４００℃以上）で、ホウ素の濃度が高く、水素含有量の少ない、高密度のホウ素－炭素ハードマスク膜の製造を提供する。

【0049】

［００５１］堆積されたときのホウ素－炭素膜は、炭化ホウ素膜をエッチング液から保護する、強く結合したホウ素－炭素（Ｂ－Ｃ）ネットワークを有する。したがって、炭化ホウ素膜は、さらなるエッチングプロセスのための基板（酸化物又は窒化物基板のいずれか）に対して高い選択性を示す。Ｂ－Ｃ結合は、炭素－炭素（Ｃ－Ｃ）結合よりも短く、ホウ素－炭素膜の応力を引張応力にシフトさせる。ホウ素－炭素膜は応力が低く、基板の反りが少なくなる。ホウ素－炭素膜は高い弾性率と硬度を有するため、ホウ素－炭素膜は機械的に頑丈である。更に、Ｂ－Ｃ結合は膜のバンドギャップを増加させる。したがって、ホウ素－炭素膜は、フォトリソグラフィで使用される光の周波数の少なくとも一部に対して透明である。また、ホウ素含有ガス混合物の削減は、膜の所望の特性を低下させることなく、ホウ素含有ガス（例えば、ジボラン）の必要性を減らすため、所有コストの削減につながる。

【0050】

［００５２］一般に、以下の例示的な堆積プロセスパラメータが、ホウ素含有アモルファスカーボン層を形成するために使用される。プロセスパラメータは、約４００℃から約７００℃（例えば、約４５０℃から約６５０℃）の基板温度の範囲であり得る。チャンバ圧力は、約１トルから約２０トル（例えば、約２トルから約１０トル）のチャンバ圧力の範囲であり得る。炭化水素含有ガス（例えば、Ｃ_３Ｈ_６）の流量は、約１５０ｓｃｃｍから約４００ｓｃｃｍ、例えば、約１６０ｓｃｃｍから約２６０ｓｃｃｍであり得る。希釈ガス（例えば、Ｈｅ）の流量は、個別に、約０ｓｃｃｍから約３０００ｓｃｃｍ（例えば、約１２００ｓｃｃｍから約２０００ｓｃｃｍ）の範囲であり得る。不活性ガス（例えば、Ａｒ）の流量は、個別に、約０ｓｃｃｍから約１００００ｓｃｃｍ（例えば、約２５００ｓｃｃｍから約４０００ｓｃｃｍ）の範囲であり得る。ホウ素含有ガス混合物（例えば、Ｈ_２で希釈された約６重量％から約１０重量％のＢ_２Ｈ_６）の流量は、約１０００ｓｃｃｍから約３５００ｓｃｃｍ、例えば、約１５００ｓｃｃｍから約２３００ｓｃｃｍであり得る。高周波ＲＦ電力は、１０００Ｗから３０００Ｗ、例えば、約２０００Ｗであり得る。低周波ＲＦ電力は、約０Ｗから約１５００Ｗ、例えば、約８００Ｗであり得る。基板１９０の表面１９１（例えば、上面）とガス分配アセンブリ１２０との間の間隔は、約１００ｍｍから約６００ｍｍ（例えば、約１５０ｍｍから約４００ｍｍ）であり得る。ＥＳＣの電源電圧は、約０Ｖから約１０００Ｖ、例えば、約６００Ｖから約７５０Ｖであり得る。ホウ素－炭素膜は、約１００Åから約３００００Å、例えば、約１０００Åから約１８０００Åの厚さに堆積され得る。上記のプロセスパラメータは、ホウ素含有アモルファスカーボン層の典型的な堆積速度を約１００Å／分から約１００００Å／分の範囲で提供し、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から市販されている堆積チャンバの３００ｍｍ基板上で実装され得る。

【0051】

［００５３］堆積されたときのホウ素－炭素膜３０４は、６３３ｎｍ波長で約２を超える、例えば、約２．３４の屈折率（ｎ）を有し得る。堆積されたときのホウ素－炭素膜３０４は、６３３ｎｍ波長で約０．１未満、例えば、０．０４以下の吸光係数（ｋ）を有し得る。堆積されたときのホウ素－炭素膜３０４は、約１５０ＭＰａから約４００ＭＰａの弾性率を有し得る。堆積されたときのホウ素－炭素膜３０４は、約－２００ＭＰａから約２００ＭＰａ（例えば、約－５０ＭＰａから約１００ＭＰａ）の応力を有し得る。堆積されたときのホウ素－炭素膜３０４は、１．５ｇ／ｃｃを超える、例えば、約１．８５ｇ／ｃｃの密度を有し得る。

【0052】

［００５４］上記のように、基板を処理するための方法が提供される。本方法は、ホウ素の濃度が高く、水素含有量が少ない高密度のホウ素－炭素ハードマスク膜の製造を含む。炭化水素含有ガス源の流量を減少させると、ホウ素－炭素ハードマスク膜のＢ％が増加する。

【0053】

［００５５］ホウ素－炭素ハードマスク膜は、高アスペクト比（例えば、１０：１以上）の特徴及びより小さい寸法（例えば、７ｎｍノード以下）のデバイスに対して、高い弾性率、エッチング選択性、及び応力を提供する。本明細書に記載の実施形態は、現在のカーボンハードマスクプロセス統合スキームと互換性がある。したがって、既存のデバイス製造ラインへの本方法の導入は、上流又は下流の処理方法又はそれに関連する機器の実質的な変更を必要としない。

【0054】

［００５６］上記は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他の及びさらなる実施形態を、その基本的な範囲から逸脱することなく考案することが可能であり、その範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】