特許 7579948 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-10-30

(45)【発行日】2024-11-08

(54)【発明の名称】基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

(51)【国際特許分類】

   G01N 21/956 20060101AFI20241031BHJP

【ＦＩ】

G01N21/956 A

【請求項の数】 23

(21)【出願番号】P 2023187913

(22)【出願日】2023-11-01

(62)【分割の表示】P 2019204944の分割

【原出願日】2019-11-12

(65)【公開番号】P2023181455

(43)【公開日】2023-12-21

【審査請求日】2023-12-01

(31)【優先権主張番号】P 2019038414

(32)【優先日】2019-03-04

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100171099

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 茂樹

(74)【代理人】

【識別番号】100212026

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 真生

(72)【発明者】

【氏名】清冨 晶子

(72)【発明者】

【氏名】保坂 理人

(72)【発明者】

【氏名】西山 直

(72)【発明者】

【氏名】久野 和哉

【審査官】横尾 雅一

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１２－２１６７５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－３００７７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１６１４７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－０９５２１４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１１２５３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００４／０１６９８６９（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｎ ２１／８４ － Ｇ０１Ｎ ２１／９５８

Ｈ０１Ｌ ２１／６４ － Ｈ０１Ｌ ２１／６６

Ｇ０１Ｎ ２１／００ － Ｇ０１Ｎ ２１／７４

Ｇ０１Ｂ １１／００ － Ｇ０１Ｂ １１／３０

Ｇ０１Ｍ １１／００ － Ｇ０１Ｍ １１／０８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被膜が形成されている基板の周縁部の撮像画像から得られる検査画像データと、検査レシピとを記憶するように構成された記憶部と、
前記記憶部に記憶されている前記検査レシピを用いて、前記記憶部に記憶されている前記検査画像データに基づいて、検査対象被膜の前記基板の周縁に沿って延びているエッジである対象エッジを検出するように構成されたエッジ検出部と、
前記基板の理論上の周縁の位置を算出するように構成された周縁算出部と、
前記周縁算出部において得られた前記基板の理論上の周縁の位置データと前記エッジ検出部において得られた前記対象エッジの位置データとに基づいて、前記基板の理論上の周縁と前記対象エッジとの幅を算出するように構成された幅算出部とを備える、基板検査装置。

【請求項2】

前記周縁算出部は、基準基板の中心を基準として得られる前記基準基板の理論上の周縁の位置を前記基板の理論上の周縁の位置として算出するように構成されている、請求項１に記載の基板検査装置。

【請求項3】

前記周縁算出部は、
前記基準基板の周縁部の撮像画像から得られる基準画像データに基づいて、前記基準基板上に予め設定された参照位置の位置データを算出する処理と、
前記基板の半径の設計寸法と、前記基準基板の中心から前記参照位置までの距離との差分を算出する処理と、
前記参照位置の位置データと前記差分とに基づいて、前記基準基板の理論上の周縁の位置データを算出する処理とを実行するように構成されている、請求項２に記載の基板検査装置。

【請求項4】

前記周縁算出部は、
前記検査画像データに基づいて、前記基板の周縁の位置データを算出する処理と、
前記基板の周縁の位置データに基づいて、前記基板の偏心状態を算出する処理と、
前記基板の偏心状態を考慮して、前記基板の理論上の周縁の位置データを算出する処理とを実行するように構成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板検査装置。

【請求項5】

前記周縁算出部は、前記検査画像データに基づいて、前記基板の周縁の位置データを算出するように構成されており、
前記幅算出部は、前記周縁算出部において得られた前記基板の周縁の位置データと前記エッジ検出部において得られた前記対象エッジの位置データとに基づいて、前記基板の周縁と前記対象エッジとの幅を算出するように構成されている、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板検査装置。

【請求項6】

被膜を基板に形成するように構成された被膜形成ユニットと、
前記基板の周縁部を撮像して撮像画像を取得するように構成された撮像ユニットと、
検査対象被膜の前記基板の周縁に沿って延びているエッジである対象エッジを検査するように構成された制御ユニットとを備え、
前記制御ユニットは、
前記撮像画像から得られる検査画像データと、検査レシピとを記憶するように構成された記憶部と、
前記記憶部に記憶されている前記検査レシピを用いて、前記記憶部に記憶されている前記検査画像データに基づいて、前記対象エッジを検出するように構成されたエッジ検出部と、
前記基板の理論上の周縁の位置を算出するように構成された周縁算出部と、
前記周縁算出部において得られた前記基板の理論上の周縁の位置データと前記エッジ検出部において得られた前記対象エッジの位置データとに基づいて、前記基板の理論上の周縁と前記対象エッジとの幅を算出するように構成された幅算出部とを有する、基板処理装置。

【請求項7】

前記周縁算出部は、基準基板の中心を基準として得られる前記基準基板の理論上の周縁の位置を前記基板の理論上の周縁の位置として算出するように構成されている、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記被膜形成ユニットは、前記対象エッジを形成する処理液を吐出するノズルを有し、
前記制御ユニットは、前記対象エッジの検出結果に基づいて、前記対象エッジを含む前記被膜が形成された後に、前記被膜形成ユニットにおいて別の基板に形成される被膜に含まれる前記対象エッジに対応するエッジの位置が目標値に近づくように、前記処理液を吐出する際の前記ノズルと前記別の基板との相対位置を調整するように構成されたエッジ位置調整部を更に有する、請求項６又は７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

複数の被膜を基板に形成するように構成された被膜形成ユニットと、
前記基板の周縁部を撮像して撮像画像を取得するように構成された撮像ユニットと、
前記複数の被膜のうち検査対象被膜のエッジである対象エッジを検査するように構成された制御ユニットとを備え、
前記制御ユニットは、
前記撮像画像から得られる検査画像データと、第１の検査レシピと、第２の検査レシピとを記憶するように構成された記憶部と、
前記記憶部に記憶されている前記第１の検査レシピを用いて、前記記憶部に記憶されている前記検査画像データに基づいて、前記複数の被膜のうち一の検査対象被膜の前記基板の周縁に沿って延びているエッジである第１の対象エッジを検出するように構成されていると共に、前記記憶部に記憶されている前記第２の検査レシピを用いて、前記記憶部に記憶されている前記検査画像データに基づいて、前記複数の被膜のうち他の検査対象被膜の前記基板の周縁に沿って延びているエッジである第２の対象エッジを検出するように構成されたエッジ検出部と、
前記基板の理論上の周縁の位置を算出するように構成された周縁算出部と、
幅算出部と、を有し、
前記幅算出部は、
前記周縁算出部において得られた前記基板の理論上の周縁の位置データと前記エッジ検出部において得られた前記第１の対象エッジの位置データとに基づいて、前記基板の理論上の周縁と前記第１の対象エッジとの幅、及び、
前記周縁算出部において得られた前記基板の理論上の周縁の位置データと前記エッジ検出部において得られた前記第２の対象エッジの位置データとに基づいて、前記基板の理論上の周縁と前記第２の対象エッジとの幅、
を算出するように構成されており、
前記第１及び第２の検査レシピはそれぞれ、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて構成されており、
前記第１の検査レシピを構成するパラメータの組み合わせは、前記第２の検査レシピを構成するパラメータの組み合わせと異なる、基板処理装置。

【請求項10】

前記周縁算出部は、基準基板の中心を基準として得られる前記基準基板の理論上の周縁の位置を前記基板の理論上の周縁の位置として算出するように構成されている、請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記被膜形成ユニットは、前記第１の対象エッジを形成する処理液を吐出する第１のノズルと、前記第２の対象エッジを形成する処理液を吐出する第２のノズルとを有し、
前記制御ユニットは、前記第１及び第２の対象エッジの検出結果に基づいて、前記第１及び第２の対象エッジを含む前記複数の被膜が形成された後に、前記被膜形成ユニットにおいて別の基板に形成される複数の被膜に含まれる前記第１及び第２の対象エッジに対応するエッジの位置が目標値に近づくように、前記処理液を吐出する際の前記第１及び第２のノズルと前記別の基板との相対位置をそれぞれ調整するように構成されたエッジ位置調整部を更に有する、請求項９又は１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

被膜が形成されている基板の周縁部の撮像画像から検査画像データを生成することと、
検査レシピを用いて、前記検査画像データに基づいて検査対象被膜の前記基板の周縁に沿って延びているエッジである対象エッジを検出することと、
前記基板の理論上の周縁の位置を算出することと、
前記基板の理論上の周縁の位置データと前記対象エッジの位置データとに基づいて、前記基板の理論上の周縁と前記対象エッジとの幅を算出することと、を含む、基板検査方法。

【請求項13】

前記基板の理論上の周縁の位置を算出することにおいて、基準基板の中心を基準として得られる前記基準基板の理論上の周縁の位置を前記基板の理論上の周縁の位置として算出する、請求項１２に記載の基板検査方法。

【請求項14】

前記基板の理論上の周縁の位置を算出することにおいて、
前記基準基板の周縁部の撮像画像から得られる基準画像データに基づいて、前記基準基板上に予め設定された参照位置の位置データを算出する処理と、
前記基板の半径の設計寸法と、前記基準基板の中心から前記参照位置までの距離との差分を算出する処理と、
前記参照位置の位置データと前記差分とに基づいて、前記基準基板の理論上の周縁の位置データを算出する処理とを実行する、請求項１３に記載の基板検査方法。

【請求項15】

前記基板の理論上の周縁の位置を算出することにおいて、
前記検査画像データに基づいて、前記基板の周縁の位置データを算出する処理と、
前記基板の周縁の位置データに基づいて、前記基板の偏心状態を算出する処理と、
前記基板の偏心状態を考慮して、前記基板の理論上の周縁の位置データを算出する処理と、を実行する、請求項１２～１４のいずれか一項に記載の基板検査方法。

【請求項16】

前記検査画像データに基づいて、前記基板の周縁の位置データを算出することと、
前記検査画像データに基づき算出された前記基板の周縁の位置データと、前記対象エッジの位置データとに基づいて、前記基板の周縁と前記対象エッジとの幅を算出することと、を更に含む、請求項１２～１５のいずれか一項に記載の基板検査方法。

【請求項17】

被膜を基板に形成することと、
前記基板の周縁部を撮像して撮像画像を取得することと、
検査対象被膜の前記基板の周縁に沿って延びているエッジである対象エッジを検査することと、を含み、
前記対象エッジを検査することは、
検査レシピを用いて、前記撮像画像から得られる検査画像データに基づいて、前記対象エッジを検出することと、
前記基板の理論上の周縁の位置を算出することと、
前記基板の理論上の周縁の位置データと前記対象エッジの位置データとに基づいて、前記基板の理論上の周縁と前記対象エッジとの幅を算出することと、を含む、基板処理方法。

【請求項18】

前記基板の理論上の周縁の位置を算出することにおいて、基準基板の中心を基準として得られる前記基準基板の理論上の周縁の位置を前記基板の理論上の周縁の位置として算出する、請求項１７に記載の基板処理方法。

【請求項19】

前記被膜を前記基板に形成する際に、ノズルを有する被膜形成ユニットにより前記被膜を前記基板に形成し、
前記被膜を前記基板に形成することは、前記対象エッジを形成する処理液を前記ノズルから吐出することを含み、
前記基板処理方法は、前記対象エッジの検出結果に基づいて、前記対象エッジを含む前記被膜が形成された後に、前記被膜形成ユニットにおいて別の基板に形成される被膜に含まれる前記対象エッジに対応するエッジの位置が目標値に近づくように、前記処理液を吐出する際の前記ノズルと前記別の基板との相対位置を調整することを更に含む、請求項１７又は１８に記載の基板処理方法。

【請求項20】

複数の被膜を基板に形成することと、
前記基板の周縁部を撮像して撮像画像を取得することと、
前記複数の被膜のうち検査対象被膜のエッジである対象エッジを検査することと、を含み、
前記対象エッジを検査することは、
第１の検査レシピを用いて、前記撮像画像から得られる検査画像データに基づいて、前記複数の被膜のうち一の検査対象被膜の前記基板の周縁に沿って延びているエッジである第１の対象エッジを検出することと、
第２の検査レシピを用いて、前記検査画像データに基づいて、前記複数の被膜のうち他の検査対象被膜の前記基板の周縁に沿って延びているエッジである第２の対象エッジを検出することと、
前記基板の理論上の周縁の位置を算出することと、
前記基板の理論上の周縁の位置データと前記第１の対象エッジの位置データとに基づいて、前記基板の理論上の周縁と前記第１の対象エッジとの幅を算出することと、
前記基板の理論上の周縁の位置データと前記第２の対象エッジの位置データとに基づいて、前記基板の理論上の周縁と前記第２の対象エッジとの幅を算出することと、を含み、
前記第１及び第２の検査レシピはそれぞれ、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて構成されており、
前記第１の検査レシピを構成するパラメータの組み合わせは、前記第２の検査レシピを構成するパラメータの組み合わせと異なる、基板処理方法。

【請求項21】

前記基板の理論上の周縁の位置を算出することにおいて、基準基板の中心を基準として得られる前記基準基板の理論上の周縁の位置を前記基板の理論上の周縁の位置として算出する、請求項２０に記載の基板処理方法。

【請求項22】

前記複数の被膜を前記基板に形成する際に、第１のノズル及び第２のノズルを有する被膜形成ユニットにより前記複数の被膜を前記基板に形成し、
前記複数の被膜を前記基板に形成することは、
前記第１の対象エッジを形成する処理液を前記第１のノズルから吐出することと、
前記第２の対象エッジを形成する処理液を前記第２のノズルから吐出することと、を含み、
前記基板処理方法は、前記第１及び第２の対象エッジの検出結果に基づいて、前記第１及び第２の対象エッジを含む前記複数の被膜が形成された後に、前記被膜形成ユニットにおいて別の基板に形成される複数の被膜に含まれる前記第１及び第２の対象エッジに対応するエッジの位置が目標値に近づくように、前記処理液を吐出する際の前記第１及び第２のノズルと前記別の基板との相対位置をそれぞれ調整すること、を更に含む、請求項２０又は２１に記載の基板処理方法。

【請求項23】

請求項１２～１６のいずれか一項に記載の基板検査方法を基板検査装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、基板を保持して回転させる回転保持部と、回転保持部に保持された基板の端面と裏面の周縁領域とに対向する反射面を有するミラー部材と、撮像素子を有するカメラとを備える基板撮像装置を開示している。この基板撮像装置では、基板の表面の周縁領域からの光と、基板の端面からの光が上記反射面で反射された反射光とが共にレンズを介してカメラの撮像素子に入力される。これにより、基板の表面の周縁領域と基板の端面との双方を１台のカメラで同時に撮像することが可能となっている。この基板撮像装置によって撮像された撮像画像データは、例えば、基板の表面に形成されている被膜のエッジの状態を検査するために用いられることがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１７－１５２４４３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、複数のエッジのうちの検査対象のエッジを画像データからより確実に検出することが可能な基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一つの観点に係る基板検査装置は、複数の被膜が形成されている基板の周縁部の撮像画像から得られる検査画像データと、検査レシピとを記憶するように構成された記憶部と、記憶部に記憶されている検査レシピを用いて、記憶部に記憶されている検査画像データに基づいて、複数の被膜のうち検査対象被膜のエッジである対象エッジを検出するように構成されたエッジ検出部とを備える。複数の被膜のそれぞれのエッジは基板の周縁に沿って延びている。検査レシピは、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて構成されている。

【発明の効果】

【0006】

本開示に係る基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、複数のエッジのうちの検査対象のエッジを画像データからより確実に検出することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、基板処理システムの一例を示す斜視図である。

【図2】図２は、図１に示されるＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。

【図3】図３は、処理モジュール（ＢＣＴモジュール、ＨＭＣＴモジュール及びＤＥＶモジュール）の一例を示す上面図である。

【図4】図４は、処理モジュール（ＣＯＴモジュール）の一例を示す上面図である。

【図5】図５は、液処理用のユニットの一例を示す模式図である。

【図6】図６は、撮像用のユニットを上方から見た構成の一例を示す模式図である。

【図7】図７は、撮像用のユニットを側方から見た構成の一例を示す模式図である。

【図8】図８は、基板処理システムの主要部の一例を示すブロック図である。

【図9】図９は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す概略図である。

【図10】図１０は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。

【図11】図１１（ａ）～図１１（ｃ）は、複数の被膜の形成過程の一例を説明するための図である。

【図12】図１２（ａ）～図１２（ｃ）は、複数の被膜の形成過程の一例を説明するための図である。

【図13】図１３（ａ）～図１３（ｃ）は、複数の被膜の形成過程の一例を説明するための図である。

【図14】図１４は、エッジ検査処理の一例を示すフローチャートである。

【図15】図１５（ａ）～図１５（ｃ）は、画像データからのエッジ検出の一例を説明するための図である。

【図16】図１６は、複数の被膜それぞれのエッジの変動範囲の一例を説明するための図である。

【図17】図１７は、操作部に含まれる操作画面の一例を示す図である。

【図18】図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、検出対象のエッジの一部に含まれる非検出領域の一例を説明するための図である。

【図19】図１９は、基板処理方法の別の例を示すフローチャートである。

【図20】図２０（ａ）は、隣接するエッジ同士が近接する例を説明するための図である。図２０（ｂ）は、隣接するエッジ同士が互いに交差する例を説明するための図である。

【図21】図２１は、基板処理システムの主要部の他の例を示すブロック図である。

【図22】図２２は、理論上の周縁の算出処理の一例を示すフローチャートである。

【図23】図２３（ａ）は、基準基板の表面に形成された模様の一例を示す模式図である。図２３（ｂ）は、図２３（ａ）のＢ部分を拡大した模式図である。

【図24】図２４は、基準基板の周縁部の撮像画像の一例を示す模式図である。

【図25】図２５は、エッジ検査処理の一例を示すフローチャートである。

【図26】図２６は、検出結果の判定処理の一例を示すフローチャートである。

【図27】図２７は、周縁と対象エッジとの幅の算出例を説明するための図である。

【図28】図２８（ａ）～図２８（ｃ）は、理論上の周縁と対象エッジとの幅に基づくプロセス調整の一例を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

【0009】

［基板処理システム］
図１に示されるように、基板処理システム１（基板処理装置）は、塗布現像装置２と、露光装置３と、コントローラ１０（制御ユニット）と、操作部１９とを備える。

【0010】

露光装置３は、ウエハＷ（基板）の表面Ｗａ（図５参照）に形成されたレジスト膜の露光処理（パターン露光）を行うように構成されている。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法により感光性レジスト膜（感光性被膜）の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線、又は極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）が挙げられる。

【0011】

塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウエハＷの表面Ｗａにレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、円形の一部が切り欠かれていてもよいし、多角形など円形以外の形状を呈していてもよい。以下では、ウエハＷが円板状を呈する場合を例に説明を行う。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。なお、ウエハＷの縁にベベル（面取り）が存在する場合、本明細書における「表面」には、ウエハＷの表面Ｗａ側から見たときのベベル部分も含まれる。同様に、本明細書における「裏面」には、ウエハＷの裏面Ｗｂ（図５等参照）側から見たときのベベル部分も含まれる。本明細書における「端面」には、ウエハＷの端面Ｗｃ（図５等参照）側から見たときのベベル部分も含まれる。

【0012】

図１～図４に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。

【0013】

キャリアブロック４は、図１、図３及び図４に示されるように、キャリアステーション１２と、搬入搬出部１３とを有する。キャリアステーション１２は複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、少なくとも一つのウエハＷを密封状態で収容する。キャリア１１の側面１１ａには、ウエハＷを出し入れするための開閉扉（図示せず）が設けられている。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。

【0014】

搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２及び処理ブロック５の間に位置している。搬入搬出部１３は、複数の開閉扉１３ａを有する。キャリアステーション１２上にキャリア１１が載置される際には、キャリア１１の開閉扉が開閉扉１３ａに面した状態とされる。開閉扉１３ａ及び側面１１ａの開閉扉を同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は、搬送アームＡ１を内蔵している。搬送アームＡ１は、キャリア１１からウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリア１１内に戻すように構成されている。

【0015】

処理ブロック５は、図１～図４に示されるように、処理モジュール１４～１７を有する。これらの処理モジュールは、床面側から処理モジュール１７、処理モジュール１４、処理モジュール１５、処理モジュール１６の順に並んでいる。

【0016】

処理モジュール１４は、ウエハＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成するように構成されており、ＢＣＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュール１４は、図２及び図３に示されるように、複数の液処理用のユニットＵ１と、複数の熱処理用のユニットＵ２と、これらのユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ２とを内蔵している。処理モジュール１４のユニットＵ１（以下、「ユニットＵ１４」ということがある。）は、下層膜形成用の塗布液をウエハＷの表面Ｗａに塗布して塗布膜を形成するように構成されている。ユニットＵ１４は、ウエハＷの表面Ｗａに形成された当該塗布膜の周縁部分を除去するように構成されている。

【0017】

処理モジュール１４のユニットＵ２（以下、「ユニットＵ２４」ということがある。）は、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。処理モジュール１４において行われる熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて下層膜とするための加熱処理が挙げられる。下層膜としては、例えば、反射防止（ＳｉＡＲＣ）膜が挙げられる。なお、本明細書では、処理モジュール１４において、ウエハＷの表面Ｗａに形成された塗布膜と、周縁部分が除去された塗布膜（熱処理前の下層膜）と、熱処理後の下層膜とを総称して「被膜Ｒ１」という。

【0018】

処理モジュール１５は、下層膜上に中間膜（ハードマスク）を形成するように構成されており、ＨＭＣＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュール１５は、図２及び図３に示されるように、複数の液処理用のユニットＵ１と、複数の熱処理用のユニットＵ２と、これらのユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１５のユニットＵ１（以下、「ユニットＵ１５」ということがある。）は、中間膜形成用の塗布液をウエハＷの下層膜上に塗布して塗布膜を形成するように構成されている。ユニットＵ１５は、下層膜（被膜Ｒ１）上に形成された当該塗布膜の周縁部分を除去するように構成されている。

【0019】

処理モジュール１５のユニットＵ２（以下、「ユニットＵ２５」ということがある。）は、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。処理モジュール１５において行われる熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて中間膜とするための加熱処理が挙げられる。中間膜としては、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜、アモルファスカーボン膜が挙げられる。なお、本明細書では、処理モジュール１５において、被膜Ｒ１上に形成された塗布膜と、周縁部分が除去された塗布膜（熱処理前の中間膜）と、熱処理後の中間膜とを総称して「被膜Ｒ２」という。

【0020】

処理モジュール１６は、中間膜上に熱硬化性且つ感光性のレジスト膜を形成するように構成されており、ＣＯＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュール１６は、図２及び図４に示されるように、複数の液処理用のユニットＵ１と、複数の熱処理用のユニットＵ２と、複数の撮像用のユニットＵ３と、これらのユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３にウエハＷを搬送する搬送アームＡ４とを内蔵している。処理モジュール１６のユニットＵ１（以下、「ユニットＵ１６」ということがある。）は、レジスト膜形成用の塗布液（レジスト液）を中間膜の上に塗布して塗布膜を形成するように構成されている。ユニットＵ１６は、中間膜（被膜Ｒ２）上に形成された当該塗布膜の周縁部分を除去するように構成されている。

【0021】

処理モジュール１６のユニットＵ２（以下、「ユニットＵ２６」ということがある。）は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させてレジスト膜とするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）が挙げられる。撮像用のユニットＵ３は、ウエハＷの検査のために、ウエハＷを撮像して撮像画像を生成する。なお、本明細書では、処理モジュール１６において、被膜Ｒ２上に形成された塗布膜と、周縁部分が除去された塗布膜（熱処理前のレジスト膜）と、熱処理後のレジスト膜とを総称して「被膜Ｒ３」という。

【0022】

処理モジュール１７は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成されており、ＤＥＶモジュールとも呼ばれる。処理モジュール１７は、図２及び図３に示されるように、複数の液処理用のユニットＵ１と、複数の熱処理用のユニットＵ２と、これらのユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ５と、これらのユニットＵ１，Ｕ２を経ずにウエハＷを棚ユニットＵ１１，Ｕ１０（後述する）間において直接搬送する搬送アームＡ６とを内蔵している。処理モジュール１７のユニットＵ１（以下、「ユニットＵ１７」ということがある。）は、露光後のレジスト膜を現像（部分的に除去）してレジストパターンを形成するように構成されている。

【0023】

処理モジュール１７のユニットＵ２（以下、「ユニットＵ２７」ということがある。）は、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。処理モジュール１７において行われる熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：post exposure bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：post bake）等が挙げられる。

【0024】

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には、図２及び図３に示されるように、棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、床面から処理モジュール１６にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には搬送アームＡ７が設けられている。搬送アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。

【0025】

処理ブロック５内におけるインターフェースブロック６側には、棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は床面から処理モジュール１７の上部にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

【0026】

インターフェースブロック６は、搬送アームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送アームＡ８は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを取り出して露光装置３に渡し、露光装置３からウエハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻すように構成されている。

【0027】

コントローラ１０は、基板処理システム１を部分的又は全体的に制御する。コントローラ１０の詳細については後述する。

【0028】

操作部１９は、オペレータ（作業員）による操作を受け付ける入力装置である。例えば、操作部１９は、マウスと、キーボードと、操作用の操作画面を表示する表示器とを有していてもよい。操作部１９の各要素は、コントローラ１０と通信可能に接続されている。操作部１９及びコントローラ１０により一つのコンピュータ装置が構成されていてもよい。操作部１９は、オペレータによる操作内容を示す入力情報をコントローラ１０に出力する。

【0029】

［液処理用のユニットの構成］
続いて、図５を参照して、液処理用のユニットＵ１についてさらに詳しく説明する。ユニットＵ１は、図５に示されるように、回転保持部２０と、液供給部３０と、液供給部４０とを備える。

【0030】

回転保持部２０は、回転部２１と、シャフト２２と、保持部２３とを有する。回転部２１は、コントローラ１０からの動作信号に基づいて動作し、シャフト２２を回転させる。回転部２１は、例えば電動モータ等の動力源である。保持部２３は、シャフト２２の先端部に設けられている。保持部２３上にはウエハＷが配置される。保持部２３は、例えば吸着等によりウエハＷを略水平に保持する。すなわち、回転保持部２０は、ウエハＷの姿勢が略水平の状態で、ウエハＷの表面Ｗａに対して垂直な中心軸（回転軸）周りでウエハＷを回転させる。図５に示される例では、回転保持部２０は、上方から見て反時計回りにウエハＷを所定の回転数で回転させる。

【0031】

液供給部３０は、ウエハＷの表面Ｗａに処理液Ｌ１を供給するように構成されている。処理モジュール１４において、処理液Ｌ１は、被膜Ｒ１を形成するための塗布液である。処理モジュール１５において、処理液Ｌ１は、被膜Ｒ２を形成するための塗布液である。処理モジュール１６において、処理液Ｌ１は、被膜Ｒ３（レジスト膜）を形成するためのレジスト液である。処理モジュール１７において、処理液Ｌ１は現像液である。なお、レジスト液が含有するレジスト材料は、ポジ型レジスト材料であってもよいし、ネガ型レジスト材料であってもよい。ポジ型レジスト材料は、パターン露光部が溶け出しパターン未露光部（遮光部）が残るレジスト材料である。ネガ型レジスト材料は、パターン未露光部（遮光部）が溶け出し、パターン露光部が残るレジスト材料である。

【0032】

液供給部３０は、液源３１と、ポンプ３２と、バルブ３３と、ノズル３４と、配管３５と、駆動機構３６とを有する。液源３１は、処理液Ｌ１の供給源として機能する。ポンプ３２は、コントローラ１０からの動作信号に基づいて動作し、液源３１から処理液Ｌ１を吸引し、配管３５及びバルブ３３を介してノズル３４に送り出す。

【0033】

ノズル３４は、吐出口がウエハＷの表面Ｗａに向かうようにウエハＷの上方に配置されている。ノズル３４は、ポンプ３２から送り出された処理液Ｌ１を、ウエハＷの表面Ｗａに吐出可能である。配管３５は、上流側から順に、液源３１、ポンプ３２、バルブ３３及びノズル３４を接続している。駆動機構３６は、コントローラ１０からの動作信号に基づいて動作し、ノズル３４を水平方向及び上下方向に移動させるように構成されている。

【0034】

液供給部４０は、ウエハＷの表面Ｗａに処理液Ｌ２を供給するように構成されている。処理モジュール１４において、処理液Ｌ２は、被膜Ｒ１の周縁部分を除去するための薬液（例えば有機溶剤）である。処理モジュール１５において、処理液Ｌ２は、被膜Ｒ２の周縁部分を除去するための薬液（例えば有機溶剤）である。処理モジュール１６において、処理液Ｌ２は、被膜Ｒ３の周縁部分を除去するための薬液（例えば有機溶剤）である。処理モジュール１７において、処理液Ｌ２はリンス液である。

【0035】

液供給部４０は、液源４１と、ポンプ４２と、バルブ４３と、ノズル４４と、配管４５と、駆動機構４６とを有する。液源４１は、処理液Ｌ２の供給源として機能する。ポンプ４２は、液源４１から処理液Ｌ２を吸引し、配管４５及びバルブ４３を介してノズル４４に送り出す。

【0036】

ノズル４４は、吐出口がウエハＷの表面Ｗａに向かうようにウエハＷの上方に配置されている。ノズル４４は、ポンプ４２から送り出された処理液Ｌ２を、ウエハＷの表面Ｗａに吐出可能である。配管４５は、上流側から順に、液源４１、ポンプ４２、バルブ４３及びノズル４４を接続している。駆動機構４６は、コントローラ１０からの動作信号に基づいて動作し、ノズル４４を水平方向及び上下方向に移動させるように構成されている。

【0037】

処理モジュール１４～１７において、駆動機構４６は、例えば、上方から見て、略水平に保持されているウエハＷの半径方向に沿ってノズル４４を移動させてもよい。駆動機構４６によりノズル４４がウエハＷの半径方向に沿って移動することにより、ノズル４４とウエハＷとの相対位置が変化する。ノズル４４がウエハＷに対して移動することにより、ノズル４４から吐出される処理液Ｌ２が表面Ｗａに供給される位置（付着位置）が変化してもよい。特に処理モジュール１４～１６において、当該付着位置が変化すると、当該付着位置に応じて、処理液Ｌ２による各被膜の周縁部分の除去幅（ウエハＷの周縁と各被膜のエッジとの間の直線距離）が変動する。すなわち、各被膜の周縁部分を除去する際のノズル４４のウエハＷに対する相対位置に応じて、各被膜のエッジの位置が変化しうる。

【0038】

［撮像用のユニットの構成］
続いて、図６及び図７を参照して、撮像用のユニットＵ３についてさらに詳しく説明する。ユニットＵ３は、図６及び図７に示されるように、筐体５０と、回転保持サブユニット６０と、表面撮像サブユニット７０と、周縁撮像サブユニット８０と、裏面撮像サブユニット９０とを有する。これらのサブユニットは、筐体５０内に配置されている。筐体５０のうち一端壁には、ウエハＷを筐体５０の内部に搬入及び筐体５０の外部に搬出するための搬入出口５１が形成されている。

【0039】

回転保持サブユニット６０は、保持台６１と、アクチュエータ６２，６３と、ガイドレール６４とを含む。保持台６１は、例えば、吸着等によりウエハＷを略水平に保持する吸着チャックである。

【0040】

アクチュエータ６２は、例えば電動モータであり、保持台６１を回転駆動する。すなわち、アクチュエータ６２は、保持台６１に保持されているウエハＷを回転させる。アクチュエータ６２は、保持台６１の回転位置を検出するためのエンコーダを含んでいてもよい。この場合、撮像用の各サブユニットによるウエハＷの各面の撮像位置と、回転位置との対応付けを行うことができる。ウエハＷが切り欠き部を有する場合には、撮像用の各サブユニットによって判別された当該切り欠き部とエンコーダによって検出された回転位置とに基づいて、ウエハＷの姿勢を特定することができる。なお、保持台６１の回転位置とは保持台６１の回転角度である。

【0041】

アクチュエータ６３は、例えばリニアアクチュエータであり、保持台６１をガイドレール６４に沿って移動させる。すなわち、アクチュエータ６３は、保持台６１に保持されているウエハＷをガイドレール６４の一端側と他端側との間で搬送する。従って、保持台６１に保持されているウエハＷは、搬入出口５１寄りの第１の位置と、周縁撮像サブユニット８０及び裏面撮像サブユニット９０寄りの第２の位置との間で移動可能である。ガイドレール６４は、筐体５０内において線状（例えば直線状）に延びている。

【0042】

表面撮像サブユニット７０は、カメラ７１と、照明モジュール７２とを含む。カメラ７１は、レンズと、一つの撮像素子（例えば、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等）とを含む。カメラ７１は、照明モジュール７２に対向している。

【0043】

照明モジュール７２は、ハーフミラー７３と、光源７４とを含む。ハーフミラー７３は、水平方向に対して略４５°傾いた状態で、筐体５０内に配置されている。ハーフミラー７３は、上方から見てガイドレール６４の延在方向に交差するように、ガイドレール６４の中間部分の上方に位置している。ハーフミラー７３は、矩形状を呈している。ハーフミラー７３の長さ（長手方向の長さ）は、ウエハＷの直径よりも大きい。

【0044】

光源７４は、ハーフミラー７３の上方に位置している。光源７４から出射された光は、ハーフミラー７３を全体的に通過して下方（ガイドレール６４側）に向けて照射される。ハーフミラー７３を通過した光は、ハーフミラー７３の下方に位置する物体で反射した後、ハーフミラー７３で再び反射して、カメラ７１のレンズを通過し、カメラ７１の撮像素子に入射する。すなわち、カメラ７１は、ハーフミラー７３を介して、光源７４の照射領域に存在する物体を撮像できる。例えば、ウエハＷを保持する保持台６１がアクチュエータ６３によってガイドレール６４に沿って移動する際に、カメラ７１は、光源７４の照射領域を通過するウエハＷの表面Ｗａを撮像できる。カメラ７１によって撮像された撮像画像データは、コントローラ１０に送信される。

【0045】

周縁撮像サブユニット８０は、図６及び図７に示されるように、カメラ８１と、照明モジュール８２と、ミラー部材８３とを含む。カメラ８１は、レンズと、一つの撮像素子（例えば、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等）とを含む。カメラ８１は、照明モジュール８２に対向している。

【0046】

照明モジュール８２は、図６及び図７に示されるように、保持台６１に保持されたウエハＷの上方に配置されている。照明モジュール８２は、光源８４と、ハーフミラー８５とを含む。ハーフミラー８５は、図７に示されるように、水平方向に対して略４５°傾いた状態で配置されている。ミラー部材８３は、図６及び図７に示されるように、照明モジュール８２の下方に配置されている。ミラー部材８３は、アルミブロックによって構成されている本体と、反射面とを含む。

【0047】

ミラー部材８３の反射面は、保持台６１に保持されたウエハＷが第２の位置にある場合、保持台６１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃと裏面Ｗｂの周縁部Ｗｄ（図５参照）とに対向する。ミラー部材８３の反射面は、保持台６１の回転軸に対して傾斜している。ミラー部材８３の反射面には、鏡面加工が施されている。例えば、反射面には、ミラーシートが貼り付けられていてもよいし、アルミめっきが施されていてもよいし、アルミ材料が蒸着されていてもよい。この反射面は、保持台６１に保持されたウエハＷの端面Ｗｃから離れる側に向けて窪んだ湾曲面である。

【0048】

照明モジュール８２において、光源８４から出射された光は、ハーフミラー８５を全体的に通過して下方に向けて照射される。ハーフミラー８５を通過した光は、ハーフミラー８５の下方に位置するミラー部材８３の反射面で反射する。保持台６１に保持されたウエハＷが第２の位置にある場合、ハーフミラー８５を通過した光がミラー部材８３の反射面で反射した反射光は、主としてウエハＷの端面Ｗｃと表面Ｗａの周縁部Ｗｄとに照射される。

【0049】

ウエハＷの表面Ｗａの周縁部Ｗｄから反射した反射光は、ミラー部材８３の反射面には向かわずに直接ハーフミラー８５に入射する。その後、この反射光はカメラ８１の撮像素子に入射する。一方、ウエハＷの端面Ｗｃから反射した反射光は、ミラー部材８３の反射面の方向へ向かう。この反射光は、ミラー部材８３の反射面及びハーフミラー８５で順次反射して、カメラ８１の撮像素子に入射する。このように、ウエハＷの周縁部Ｗｄからの反射光とウエハＷの端面Ｗｃからの反射光とは、互いに異なる光路を経てカメラ８１の撮像素子に入射する。このように、カメラ８１の撮像素子には、ウエハＷの表面Ｗａの周縁部Ｗｄからの光と、ウエハＷの端面Ｗｃからの光との双方が入力される。すなわち、保持台６１に保持されたウエハＷが第２の位置にある場合、カメラ８１は、ウエハＷの表面Ｗａの周縁部ＷｄとウエハＷの端面Ｗｃとの双方を撮像して、表面Ｗａの周縁部Ｗｄ及び端面Ｗｃの撮像画像を生成するように構成されている。カメラ８１によって撮像された撮像画像データは、コントローラ１０に送信される。

【0050】

裏面撮像サブユニット９０は、図６及び図７に示されるように、カメラ９１と、照明モジュール９２とを含む。カメラ９１は、レンズと、一つの撮像素子（例えば、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等）とを含む。カメラ９１は、照明モジュール９２に対向している。

【0051】

照明モジュール９２は、照明モジュール８２の下方であって、保持台６１に保持されたウエハＷの下方に配置されている。照明モジュール９２は、図７に示されるように、ハーフミラー９３と、光源９４とを含む。ハーフミラー９３は、水平方向に対して略４５°傾いた状態で配置されている。

【0052】

光源９４は、ハーフミラー９３の下方に位置している。光源９４から出射された光は、ハーフミラー９３を全体的に通過して上方に向けて照射される。ハーフミラー９３を通過した光は、ハーフミラー９３の上方に位置する物体で反射した後、ハーフミラー９３で再び反射して、カメラ９１のレンズを通過し、カメラ９１の撮像素子に入射する。すなわち、カメラ９１は、ハーフミラー９３を介して、光源９４の照射領域に存在する物体を撮像できる。例えば、保持台６１に保持されたウエハＷが第２の位置にある場合、カメラ９１は、ウエハＷの裏面Ｗｂの周縁部Ｗｄを撮像できる。カメラ９１によって撮像された撮像画像データは、コントローラ１０に送信される。

【0053】

［コントローラの構成］
コントローラ１０は、図８に示されるように、機能モジュールとして、基板検査部１００（基板検査装置）と、動作指令保持部１１１と、膜形成制御部１１２と、エッジ位置調整部１１３とを含む。これらの機能モジュールは、コントローラ１０の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラ１０を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：application specific integrated circuit）により実現されるものであってもよい。

【0054】

基板検査部１００は、ウエハＷに形成された複数の被膜のそれぞれのエッジの状態を検査するように構成されている。具体的には、基板検査部１００は、後述する検査レシピを用いて、ウエハＷの周縁部Ｗｄの撮像画像から得られる検査画像データに基づいて、複数の被膜のうち少なくとも１つである検査対象被膜のエッジ（以下、「対象エッジ」という。）を検出するように構成されている。なお以下では、ウエハＷ上に３つの被膜（被膜Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）が形成され、これら３つの被膜それぞれのエッジを対象エッジとして検出する場合を例に説明する。

【0055】

基板検査部１００は、機能モジュールとして、読取部１０１と、記憶部１０２と、入力情報取得部１０３と、画像データ取得部１０４と、エッジ検出部１０５と、エッジ補正部１０６と、判定部１０７と、出力部１０８と含む。

【0056】

読取部１０１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取る機能を有する。記録媒体ＲＭは、ウエハＷ上の被膜のエッジ部分の検査に関わる基板処理システム１内の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。

【0057】

記憶部１０２は、種々のデータを記憶する機能を有する。記憶部１０２は、例えば、読取部１０１において記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、ウエハＷのエッジ部分を検査（エッジを検出）する際の各種データ、操作部１９を介してオペレータから入力された入力情報、撮像用のユニットＵ３から得られる各種画像データ等を記憶する。この画像データには、ウエハＷの表面Ｗａにおける周縁部Ｗｄの撮像画像から得られる検査画像データが含まれる。エッジを検出する際の各種データには、検査画像データからエッジを検出する際に用いる検査レシピが含まれる。検査レシピは、検査画像データからエッジを抽出する際の各種パラメータ（条件）により構成されている。なお、検査レシピを構成する各種パラメータは、オペレータからの入力情報により定められてもよい。

【0058】

入力情報取得部１０３は、オペレータからの入力情報を取得する機能を有する。例えば、入力情報取得部１０３は、操作部１９を介して、オペレータの操作に基づいた入力情報を取得する。入力情報取得部１０３は、オペレータの操作に応じて設定された検査レシピの各種パラメータを入力情報の一つとして取得してもよい。入力情報取得部１０３は、取得したオペレータからの入力情報を記憶部１０２に出力する。

【0059】

画像データ取得部１０４は、ユニットＵ３を介して、ウエハＷの各端面を撮像して生成された撮像画像データを取得する機能を有する。例えば、画像データ取得部１０４は、ウエハＷの表面Ｗａの周縁部Ｗｄを撮像した撮像画像データ、ウエハＷの表面Ｗａ全体を撮像した撮像画像データ、及びウエハＷの裏面Ｗｂの周縁部Ｗｄを撮像した撮像画像データのうちの少なくとも一つを取得してもよい。画像データ取得部１０４は、各ピクセルにおいて赤色、緑色、及び青色のそれぞれ強さ（階調）が規定されたカラーの撮像画像データを取得してもよい。例えば、カラーの撮像画像データの各ピクセルにおける各色の強さが、２５６の階調によりそれぞれ規定されることで、各ピクセルの色が定められてもよい。画像データ取得部１０４は、取得した撮像画像データを検査画像データとして記憶部１０２に出力してもよい。あるいは、画像データ取得部１０４は、撮像画像データに所定の加工処理（例えば、フィルタ等を用いたノイズ除去処理）を施して検査画像データを生成し、当該検査画像データを記憶部１０２に出力してもよい。

【0060】

エッジ検出部１０５は、記憶部１０２に記憶されている画像データから対象エッジを検出する機能を有する。エッジ検出部１０５は、画像データ上の明暗差（コントラスト比）を利用して、画像データ上の対象エッジの位置を特定（測定）する。エッジ検出部１０５は、ウエハＷの周方向に沿って並ぶ複数の測定位置において、対象エッジをそれぞれ検出してもよい（対象エッジの位置をそれぞれ測定してもよい）。例えば、エッジ検出部１０５は、周方向において基準位置（例えば切り欠き部の位置）から１°ずつ角度を変化させた３６０個の測定位置において、対象エッジをそれぞれ検出してもよい。エッジ検出部１０５は、記憶部１０２に記憶されている検査レシピを用いて、検査画像データに基づいて検査対象のエッジを検出する。エッジ検出部１０５は、対象エッジについての検出結果をエッジ補正部１０６に出力する。

【0061】

エッジ補正部１０６は、エッジ検出部１０５による検出結果を補正する補正処理を行う機能を有する。例えば、エッジ補正部１０６は、エッジ検出部１０５によって検出された対象エッジのデータ系列（複数の測定位置での複数の測定値）を近似して異常値を除外することで、検出結果を補正してもよい。具体的には、エッジ補正部１０６は、対象エッジのデータ系列を平滑化して算出される基準線と、データ系列に含まれる各データとの差分を算出し、各データのうち当該差分が所定の閾値よりも大きいデータを除外することで、検出結果を補正してもよい。一例として、エッジ補正部１０６は、データ系列の移動平均を算出することで上記基準線を算出してもよい。エッジ補正部１０６は、補正した検出結果を判定部１０７に出力する。エッジ補正部１０６は、エッジ検出部１０５による検出結果を補正せずに、当該検出結果をそのまま判定部１０７に出力してもよい。

【0062】

判定部１０７は、対象エッジについての検出結果に基づいて、当該エッジの形成状態を判定する。例えば、判定部１０７は、対象エッジの検出結果から検査対象被膜の周縁部分における除去幅を算出し、算出した除去幅が許容範囲かどうかを判定してもよい。あるいは、判定部１０７は、算出した除去幅が、除去幅の調整が必要な範囲かどうかを判定してもよい。判定部１０７は、判定結果を出力部１０８に出力する。

【0063】

出力部１０８は、検査対象のエッジについての判定結果を出力する機能を有する。出力部１０８は、判定結果をコントローラ１０内の基板検査部１００以外の要素に出力してもよく、コントローラ１０外の装置（例えば、判定結果を表示する表示器）に出力してもよい。例えば、出力部１０８は、判定部１０７による判定によって除去幅の調整が必要であることが示されている場合に、除去幅の算出結果及び除去幅の調整が必要であることを示す信号をエッジ位置調整部１１３に出力してもよい。

【0064】

動作指令保持部１１１は、例えば、ウエハＷに被膜を形成する際の各種データ、各被膜のエッジの形成位置に関する目標値、当該目標値に応じたユニットＵ１４～Ｕ１６における塗布条件を保持している。動作指令保持部１１１は、各被膜のエッジの形成位置に関する目標値として除去幅の目標値を保持していてもよい。動作指令保持部１１１は、塗布条件として、被膜の周縁部分に向けて処理液Ｌ２を塗布する際のノズル４４の位置を示す位置情報を保持していてもよい。これらの位置情報は、対象エッジを含む被膜に応じて異なる値に設定されていてもよい。

【0065】

膜形成制御部１１２は、ウエハＷに被膜を形成するようにユニットＵ１４～Ｕ１６を制御する機能を有する。膜形成制御部１１２は、動作指令保持部１１１に保持された塗布条件にて、ユニットＵ１により処理液Ｌ１又は処理液Ｌ２をウエハＷに向けて供給させる。例えば、膜形成制御部１１２は、処理液Ｌ１により形成された被膜（塗布膜）の周縁部分を除去する際に、上記位置情報により示される位置にノズル４４を配置させた状態で、ノズル４４から処理液Ｌ２を吐出させる。

【0066】

エッジ位置調整部１１３は、処理液Ｌ２を吐出する際のノズル４４とウエハＷとの相対位置を調整する機能を有する。具体的には、エッジ位置調整部１１３は、対象エッジの検出結果に基づいて、処理モジュール１４～１６において当該対象エッジを含む検査対象のウエハＷよりも後に処理されるウエハＷ（以下、「後続ウエハＷ」という。）に形成される複数の被膜に含まれる対象エッジの位置が目標値に近づくように、上記相対位置を調整する。例えば、エッジ位置調整部１１３は、除去幅の調整が必要であることを示す信号を受けた場合に、算出された除去幅と目標値との偏差に応じて調整値を算出してもよい。エッジ位置調整部１１３は、算出した調整値により動作指令保持部１１１に保持されている塗布条件（例えば、ノズル４４の位置情報、ウエハＷが回転保持部２０において保持される位置の情報など）を修正してもよい。これにより、後続ウエハＷ（別の基板）上に、調整されたエッジ位置（除去幅）にて対象エッジを含む被膜が形成され得る。エッジ位置調整部１１３は、動作指令保持部１１１の塗布条件を修正した塗布条件により上書きすることによって、修正した塗布条件を動作指令保持部１１１に記憶させてもよい。

【0067】

コントローラ１０のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。コントローラ１０は、ハードウェア上の構成として、例えば図９に示される回路１２０を有する。回路１２０は、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路１２０は、具体的には、プロセッサ１２１と、メモリ１２２（記憶部）と、ストレージ１２３（記憶部）と、入出力ポート１２４とを有する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２及びストレージ１２３の少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート１２４を介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１、メモリ１２２及びストレージ１２３と、基板処理システム１の各種装置との間で、信号の入出力を行う。

【0068】

基板処理システム１は、一つのコントローラ１０を備えているが、複数のコントローラ１０で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラ１０によって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラ１０の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０が複数のコンピュータ（回路１２０）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路１２０）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路１２０）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０は、複数のプロセッサ１２１を有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つ又は複数のプロセッサ１２１によって実現されていてもよい。

【0069】

［基板処理方法］
続いて、図１０～図１７を参照して、ウエハＷに複数の被膜を形成する方法、及び形成された複数の被膜それぞれのエッジの状態を検査する方法（エッジ検査処理）を含む基板処理方法について説明する。

【0070】

この基板処理方法では、まず、コントローラ１０が搬送アームＡ１，Ａ２を制御することにより、搬送アームＡ１，Ａ２が、キャリア１１から１枚のウエハＷを取り出し、ユニットＵ１４内にウエハＷを搬送する。次に、コントローラ１０がユニットＵ１４を制御して、図１１（ａ）に示されるように、処理液Ｌ１をウエハＷに供給させる（図１０のステップＳ１１）。ステップＳ１１では、例えば、膜形成制御部１１２が、駆動機構３６を制御して保持部２３の上方にノズル３４を配置させる。そして、膜形成制御部１１２が、回転保持部２０を制御してウエハＷを保持部２３に保持させる共に、所定の回転数でウエハＷを回転させる。この状態で、膜形成制御部１１２は、ポンプ３２及びバルブ３３を制御して、ウエハＷの表面Ｗａに対してノズル３４から処理液Ｌ１を吐出させる。これにより、固化していない状態の被膜Ｒ１がウエハＷの表面Ｗａ全体に形成される。

【0071】

次に、コントローラ１０は、ユニットＵ１４を制御して、固化していない状態の被膜Ｒ１のうちウエハＷの表面Ｗａの周縁部Ｗｄに位置する部分（被膜Ｒ１の周縁部分）を除去させる（図１０のステップＳ１２）。ステップＳ１２では、例えば、膜形成制御部１１２が、駆動機構４６を制御して、動作指令保持部１１１に保持されているノズル４４の位置情報により示される位置にノズル４４を配置させる。そして、膜形成制御部１１２が、回転保持部２０を制御して、ウエハＷを保持部２３に保持させると共に、所定の回転数でウエハＷを回転させる。この状態で、膜形成制御部１１２は、ポンプ４２及びバルブ４３を制御して、ウエハＷの表面Ｗａの周縁部Ｗｄに対して処理液Ｌ２をノズル４４から吐出させる。これにより、図１１（ｂ）に示されるように、被膜Ｒ１の周縁部分が処理液Ｌ２によって溶解する。

【0072】

次に、コントローラ１０が搬送アームＡ２を制御することにより、搬送アームＡ２がユニットＵ１４からユニットＵ２４内にウエハＷを搬送する。そして、コントローラ１０は、ユニットＵ２４を制御して、ウエハＷと共に固化していない状態の被膜Ｒ１を加熱させる。これにより、図１１（ｃ）に示されるように、ウエハＷの表面Ｗａ上に、周縁部分が除去され且つ全体が固化した状態の被膜Ｒ１が形成される。

【0073】

次に、コントローラ１０が搬送アームＡ２，Ａ３，Ａ７を制御することにより、搬送アームＡ２，Ａ３，Ａ７がユニットＵ２４からユニットＵ１５内にウエハＷを搬送する。次に、コントローラ１０が、ユニットＵ１５を制御して、図１２（ａ）に示されるように、ウエハＷに処理液Ｌ１を供給させる（図１０のステップＳ１３）。ステップＳ１３では、膜形成制御部１１２が、被膜Ｒ１上に固化されていない状態の被膜Ｒ２が形成されるように、ステップＳ１１と同様の処理を行う。

【0074】

次に、コントローラ１０が、ユニットＵ１５を制御して、固化していない状態の被膜Ｒ２の周縁部分を除去させる（図１０のステップＳ１４）。ステップＳ１４では、膜形成制御部１１２が、ステップＳ１２と同様に、動作指令保持部１１１内の位置情報に応じてノズル４４を配置させる。そして、膜形成制御部１１２が、図１２（ｂ）に示されるように、ウエハＷの表面Ｗａの周縁部Ｗｄに対して処理液Ｌ２をノズル４４から吐出させ、被膜Ｒ２の周縁部分を溶かす。なお、被膜Ｒ２の周縁部分を溶かす処理液Ｌ２として、被膜Ｒ２を部分的に溶かすことが可能であり、被膜Ｒ１を溶かし難い薬液が用いられてもよい。

【0075】

次に、コントローラ１０は、搬送アームＡ３を制御することにより、搬送アームＡ３がユニットＵ１５からユニットＵ２５内にウエハＷを搬送する。そして、コントローラ１０は、ユニットＵ２５を制御して、ウエハＷと共に固化していない状態の被膜Ｒ２を加熱させる。これにより、図１２（ｃ）に示されるように、被膜Ｒ１上に、周縁部分が除去され且つ全体が固化した状態の被膜Ｒ２が形成される。

【0076】

次に、コントローラ１０は、搬送アームＡ３，Ａ４，Ａ７を制御することにより、搬送アームＡ３，Ａ４，Ａ７がユニットＵ２５からユニットＵ１６内に搬送する。次に、コントローラ１０が、ユニットＵ１６を制御して、図１３（ａ）に示されるように、ウエハＷに処理液Ｌ１を供給させる（図１０のステップＳ１５）。ステップＳ１５では、膜形成制御部１１２が、被膜Ｒ２上に固化されていない状態の被膜Ｒ３が形成されるように、ステップＳ１１，Ｓ１３と同様の処理を行う。

【0077】

次に、コントローラ１０が、ユニットＵ１６を制御して、固化していない状態の被膜Ｒ３の周縁部分を除去させる（図１０のステップＳ１５）。ステップＳ１５では、膜形成制御部１１２が、ステップＳ１２，Ｓ１４と同様に、動作指令保持部１１１内の位置情報に応じてノズル４４を配置させる。そして、膜形成制御部１１２が、図１３（ｂ）に示されるように、ウエハＷの表面Ｗａの周縁部Ｗｄに対して処理液Ｌ２をノズル４４から吐出させ、被膜Ｒ３の周縁部分を溶かす。なお、被膜Ｒ３の周縁部分を溶かす処理液Ｌ２として、被膜Ｒ３を部分的に溶かすことが可能であり、被膜Ｒ１，Ｒ２を溶かし難い薬液が用いられてもよい。

【0078】

次に、コントローラ１０は、搬送アームＡ４を制御することにより、搬送アームＡ４がユニットＵ１６から熱処理用のユニットＵ２６内にウエハＷを搬送する。そして、コントローラ１０は、ユニットＵ２を制御して、ウエハＷと共に固化していない状態の被膜Ｒ３を加熱させる。これにより、図１３（ｃ）に示されるように、被膜Ｒ３上に、周縁部分が除去され且つ全体が固化した状態の被膜Ｒ３が形成される。

【0079】

図１３（ｃ）に示される例では、ウエハＷの表面Ｗａから上方に向けて被膜Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３がこの順で形成されている。被膜Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は、上面から見て円状であってもよい。被膜Ｒ１に含まれるエッジＥ１、被膜Ｒ２に含まれるエッジＥ２及び被膜Ｒ３に含まれるエッジＥ３は、ウエハＷの周縁ＷＥ（図１５（ａ）等参照）に沿って延びている。本明細書における「エッジ」とは、ウエハＷの表面、裏面及び端面のいずれかの面において、一の被膜と他の被膜との境界、又は一の被膜とウエハＷ表面（露出部分）との境界を示す線である。例えば、「エッジ」は、ウエハＷを上方から見て被膜の外縁であってもよい。被膜Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の径がこの順で大きくなるように、被膜Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３が形成されてもよい。つまり、ウエハＷの周縁ＷＥから中心に向かう方向（ウエハＷの半径方向）に沿って、エッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３が順に並んでいてもよい。なお、各被膜の周縁部分の除去が行われる条件によっては、ウエハＷの周方向における一部の範囲（一部の角度）において、エッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３が並ぶ順が前後する場合がある。この例では、被膜Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を形成するユニットＵ１４～Ｕ１６が被膜形成ユニットを構成する。

【0080】

次に、コントローラ１０は、基板処理システム１の各部を制御して、エッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３を含む被膜Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３が形成されたウエハＷに対してエッジ検査処理を施す（ステップＳ１７）。エッジ検査処理の詳細については後述する。

【0081】

次に、コントローラ１０は、エッジ検査処理の結果に応じて、エッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３を含む被膜Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の形成条件（エッジの位置）をそれぞれ調整する（ステップＳ１８）。ステップＳ１８では、後続ウエハＷに被膜Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を形成する際に、エッジ位置調整部１１３が、処理液Ｌ２の吐出時におけるノズル４４とウエハＷとの相対位置を調整する。エッジ位置調整部１１３は、検査対象のエッジＥ１の検出結果に基づいて、後続ウエハＷのエッジＥ１の位置が所定の目標値に近づくように上記相対位置を調整しつつ、後続ウエハＷに被膜Ｒ１を形成してもよい。

【0082】

例えば、エッジ位置調整部１１３は、検査対象のエッジＥ１（第１の対象エッジ）の検出結果に基づいて測定された被膜Ｒ１の除去幅と目標値との偏差に応じて、動作指令保持部１１１に保持されているユニットＵ１４のノズル４４（第１のノズル）の位置情報を更新（上書き）してもよい。エッジ位置調整部１１３は、検査対象のエッジＥ２（第２の対象エッジ）の検出結果に基づいて測定された被膜Ｒ２の除去幅と目標値との偏差に応じて、動作指令保持部１１１に保持されているユニットＵ１５のノズル４４（第２のノズル）の位置情報を更新してもよい。エッジ位置調整部１１３は、検査対象のエッジＥ３の検出結果に基づいて測定された被膜Ｒ３の除去幅と目標値との偏差に応じて、動作指令保持部１１１に保持されているユニットＵ１６のノズル４４の位置情報を更新してもよい。

【0083】

［エッジ検査方法］
続いて、図１４を参照して、ウエハＷに形成された複数の被膜それぞれのエッジの検査方法（基板検査方法）について説明する。まず、コントローラ１０の入力情報取得部１０３が、操作部１９を介してオペレータからの入力情報を取得する（ステップＳ２１）。ステップＳ２１において取得される入力情報には、画像データから被膜Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のエッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３をそれぞれ検出する際に用いられる検査レシピ及びサーチ範囲が含まれる。

【0084】

画像データから複数のエッジをそれぞれ検出する際に、画像データとして、例えばウエハＷの表面Ｗａの周縁部Ｗｄを撮像して得られる矩形状の画像を示すデータが用いられてもよい（図１５（ａ）参照）。図１５（ａ）に示される画像では、紙面上の横方向がウエハＷの周方向に対応しており、紙面上の縦方向がウエハＷの半径方向に対応している。なお、以下では、画像データにより示される画像上においてウエハＷの周方向を「横方向」とし、ウエハＷの半径方向を「縦方向」として説明する。

【0085】

画像データからエッジを検出する際には、縦方向に並ぶピクセル群の明暗差（階調同士の差）に応じて、当該ピクセル群の中からエッジが表示されているピクセルが検出される。例えば、縦方向に並ぶピクセル群において、一方の向き（上向き又は下向き）に隣り合うピクセル同士の明暗差を順次算出していき、明暗差が所定値を越えるピクセルが、エッジの位置であると検出される。このような縦方向のピクセル群からエッジに対応するピクセルを検出する処理は、横方向において複数（例えば３６０点）のピクセル群に対してそれぞれ行われる。画像データの中には、複数のエッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３が含まれているので、単純に明暗差に応じてエッジを検出しようとしても、検出対象（ターゲット）のエッジを検出できない場合がある。そこで、検出対象のエッジに応じて、各エッジを検出するための検査レシピ及びサーチ範囲が設定されてもよい。

【0086】

検査レシピは、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて構成されている。換言すると、検査レシピは、複数のパラメータを含んでおり、複数のパラメータそれぞれは、複数の選択肢の中から一つの選択肢が選択されることで定められる。検査レシピを構成する複数のパラメータの組み合わせは、ターゲットとするエッジに応じて互いに異なるように定められる。具体的には、エッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３を含む画像データからエッジＥ１を検出し、エッジＥ２，Ｅ３を検出しないようなエッジＥ１を検出するための検査レシピ（以下、「検査レシピＩＲ１」という。）が定められる。エッジＥ２，Ｅ３を検出するための検査レシピ（以下、「検査レシピＩＲ２」，「検査レシピＩＲ３」という。）も、検査レシピＩＲ１と同様に定められる。

【0087】

複数のパラメータは、画像勾配パラメータと、変換パラメータと、サーチ方向パラメータと、優先順位パラメータと、フィルタパラメータとを含んでいる。なお、複数のパラメータは、変換パラメータ、サーチ方向パラメータ、優先順位パラメータ、及びフィルタパラメータのうちの少なくとも一つを含んでいればよい。

【0088】

画像勾配パラメータは、いずれの画像勾配を用いてエッジを検出するかを示す条件である。「画像勾配」とは、画像データ上において階調が変化する向きを表す。例えば、画像勾配には、「暗」から「明」に階調が変化する向き（階調の変化が上昇する向き）と、「明」から「暗」に階調が変化する向き（階調の変化が下降する向き）とが含まれる。画像勾配パラメータは、選択肢として、例えば、「Positive」、「Negative」などを含んでいてもよい。「Positive」は、「暗」から「明」に階調が変化する向きに明暗差が大きい点（所定値を越える点）をエッジ候補であると判定するために用いられる選択肢である。「Negative」は、「明」から「暗」に階調が変化する向きに明暗差が大きい点（所定値を越える点）をエッジ候補であると判定するために用いられる選択肢である。

【0089】

変換パラメータは、検査画像データの色属性を変換するための変換条件を示している。色属性とは、色相、明度、及び彩度の３つの性質である。カラー画像である検査画像データの各ピクセルにおける各色の階調（ＲＧＢ値）の組み合わせを、白から黒までの多階調（例えば２５６の階調）に変換した画像データを用いてエッジの検出が行われる。検査画像データから、この白から黒までの多階調の画像データに変換する条件を「画像色」と称してもよい。例えば、変換パラメータは、選択肢として、「グレースケール」、「赤色」、「緑色」、「青色」などを含んでいてもよい。

【0090】

「グレースケール」は、例えば、検査画像データの各ピクセルにおけるＲＧＢ値の平均値に応じて、当該検査画像データを白から黒までの多階調に変換する処理のために用いられる選択肢である。「赤色」では、例えば、各ピクセルにおいてＲＧＢ値のうちの赤色以外の緑色及び青色の階調を除いたＲ値を、白から黒までの多階調に変換した画像データが用いられる。すなわち、この変換された画像データでは、元のカラー画像において赤色の成分を強く含むピクセルが、より明るく（白に近く）表現される。「緑色」及び「青色」でも、「赤色」と同様に、ＲＧＢ値のうちの他の２色の階調が除かれて単色の階調（Ｇ値又はＢ値）を、白から黒までの多階調に変換した画像データが用いられる。なお、上述した４つの選択肢以外にも、赤色、緑色、及び青色のうちの２つの色の階調の平均値を、白から黒までの多階調に変換した画像データが用いられてもよい。

【0091】

サーチ方向パラメータは、縦方向においてエッジを探索する向き（順に明暗差を算出していく向き）を示す条件である。サーチ方向パラメータは、例えば、選択肢として、「From center」、「From edge」などを含んでいてもよい。「From center」は、上から下に向かう向き（ウエハＷの中心から周縁ＷＥに向かう向きＤ１）に順にエッジを探索するために用いられる選択肢である。「From edge」は、下から上に向かう向き（ウエハＷの周縁ＷＥから中心に向かう向きＤ２）に順にエッジを探索するために用いられる選択肢である。

【0092】

優先順位パラメータは、複数のエッジ候補から対象エッジを選択するための優先順位（選択方法）を規定する条件である。縦方向におけるピクセル群において、明暗差が所定値以上である複数のエッジ候補が存在する場合がある。この場合に、いずれのエッジ候補を対象エッジとして選択（検出）するかが優先順位パラメータにより定められる。優先順位パラメータは、選択肢として、例えば、「First」、「High contrast」などを含んでいてもよい。「First」は、最初に見つけたエッジ候補をエッジとして選択するために用いられる選択肢である。「High contrast」は、複数のエッジ候補のうちの最も明暗差が大きいエッジ候補をエッジとして選択するために用いられる選択肢である。

【0093】

フィルタパラメータは、エッジに含まれる外乱による影響を除去するフィルタ処理の使用の有無を示す条件である。被膜のエッジには、種々の原因（外乱）により、周方向に沿って延びない部分（特異部分）が含まれる場合がある。フィルタ処理を用いることにより、このような特異部分の影響が低減される。フィルタパラメータは、選択肢として、例えば、「ＯＮ」、「ＯＦＦ」などを含んでいてもよい。「ＯＮ」は、エッジ補正部１０６により補正処理を行うために用いられる選択肢である。「ＯＦＦ」は、エッジ補正部１０６による補正処理を省略するために用いられる選択肢である。

【0094】

上述した例では、画像勾配パラメータには２つの選択肢が含まれ、変換パラメータには４つの選択肢が含まれ、サーチ方向パラメータには２つの選択肢が含まれ、優先順位パラメータには２つの選択肢が含まれ、フィルタパラメータには２つの選択肢が含まれる。このため、６４個の組み合わせの中から１つの組み合わせが選択されることで、１つの対象エッジに対する検査レシピが定められる。

【0095】

サーチ範囲は、画像データから被膜Ｒ１のエッジＥ１、被膜Ｒ２のエッジＥ２、及び被膜Ｒ３のエッジＥ３をそれぞれ検出する際に用いられる。サーチ範囲は、縦方向（画像上におけるエッジが延びる方向に交差する交差方向）に並ぶピクセル群のうち対象エッジを探索する範囲を規定している。図１６に示されるように、エッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３の半径方向（交差方向）における変動範囲は互いに異なっている。この変動範囲は、被膜Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を形成する形成条件に基づいて、エッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３が存在すると予想される範囲である。例えば、オペレータにより、エッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３が存在すると予想される範囲に応じて、サーチ範囲が設定されてもよい。また、オペレータにより、エッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３の最大幅（例えば、上記交差方向において周縁ＷＥから最も近い位置と最も遠い位置との差）の予想値を示すターゲット幅が入力されてもよい。

【0096】

図１７には、オペレータにより検査レシピ及びサーチ範囲を含む複数の検出条件を基板検査部１００に入力するための操作画面の一例が示されている。操作部１９は、操作画面１３０を表示する表示器を含んでいてもよい。操作画面１３０は、選択タブ１３１と、ターゲット幅設定画面１３２と、サーチ範囲設定画面１３３と、パラメータ設定画面１３４とを含んでいる。選択タブ１３１により、複数の検出条件のうちの設定対象の検出条件が選択される。なお、図１７に示される例では、エッジＥ１に対応する検出条件（エッジＥ１を検出するための検出条件）の設定を行う画面が選択されている。ターゲット幅設定画面１３２には、設定中の検出条件に対応する対象エッジの幅を示すターゲット幅が入力される。サーチ範囲設定画面１３３には、設定中の検出条件に対応する対象エッジのサーチ範囲が入力される。パラメータ設定画面１３４では、複数のパラメータそれぞれについて、複数の選択肢の中から一つ選択肢が選択される。このような操作画面１３０に入力された情報が、オペレータからの入力情報として入力情報取得部１０３に出力される。つまり、入力情報取得部１０３は、操作画面１３０において操作された入力情報に応じて検査レシピ及びサーチ範囲を取得してもよい。

【0097】

図１４に戻り、コントローラ１０は、ステップＳ２１における入力情報の取得後に、設定された複数の検査レシピを記憶する（ステップＳ２２）。ステップＳ２２では、入力情報取得部１０３が記憶部１０２に検査レシピを出力し、記憶部１０２が当該検査レシピを記憶する。これにより、記憶部１０２は、複数のエッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３のそれぞれについて、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて構成されたパラメータを、検査レシピＩＲ１，ＩＲ２，ＩＲ３として記憶する。なお、検査レシピＩＲ１，ＩＲ２，ＩＲ３を構成する複数のパラメータの組み合わせは、互いに異なっていてもよい。

【0098】

次に、コントローラ１０は、複数のエッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３のそれぞれについて設定されたサーチ範囲（以下、「サーチ範囲ＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３」という。）を記憶する（ステップＳ２３）。ステップＳ２３では、入力情報取得部１０３が設定されたサーチ範囲を記憶部１０２に出力し、記憶部１０２が当該サーチ範囲を記憶する。

【0099】

次に、コントローラ１０は、ユニットＵ３を制御することにより、検査画像データを取得する（ステップＳ２４）。ステップＳ２４では、例えば、画像データ取得部１０４が、ウエハＷの周縁部を撮像することで生成された撮像画像データを、検査画像データとしてユニットＵ３から取得する。例えば、画像データ取得部１０４は、ユニットＵ３における周縁撮像サブユニット８０により撮像されたカラー情報を有する撮像画像データ（検査画像データ）を取得してもよい。画像データ取得部１０４は、取得した検査画像データを記憶部１０２に出力し、記憶部１０２は当該検査画像データを記憶する。

【0100】

次に、コントローラ１０は、記憶部１０２に記憶されている検査画像データに基づいて検査対象のエッジを検出する（ステップＳ２５）。ステップＳ２５では、エッジ検出部１０５が、記憶部１０２に記憶されている検査レシピ及びサーチ範囲を用いて、記憶部１０２に記憶されている画像データから検査対象のエッジを検出する。具体的には、エッジ検出部１０５は、検査レシピＩＲ１を用いて、検査レシピＩＲ１の変換パラメータに応じて検査画像データから変換された画像データのサーチ範囲ＳＲ１内からエッジＥ１を検出する。エッジ検出部１０５は、検査レシピＩＲ２を用いて、検査レシピＩＲ２の変換パラメータに応じて検査画像データから変換された画像データのサーチ範囲ＳＲ２内からエッジＥ２を検出する。エッジ検出部１０５は、検査レシピＩＲ３を用いて、検査レシピＩＲ３の変換パラメータに応じて検査画像データから変換された画像データのサーチ範囲ＳＲ３内からエッジＥ３を検出する。エッジ検出部１０５は、ウエハＷの周方向に１°間隔で並ぶ３６０点の測定位置（横方向に並ぶピクセル）のそれぞれにおいて、検査対象のエッジを検出してもよい。

【0101】

図１５（ａ）には、検査レシピＩＲ１及びサーチ範囲ＳＲ１を用いたエッジＥ１の検出を説明するための図が示されている。この例の検査レシピＩＲ１では、画像勾配パラメータが「Positive」に設定され、変換パラメータが「グレースケール」に設定され、サーチ方向パラメータが「From center」に設定され、優先順位パラメータが「First」に設定され、フィルタパラメータが「ＯＦＦ」に設定されていてもよい。また、サーチ範囲が「０．８ｍｍ」から「１．４ｍｍ」までの範囲に設定されていてもよい。

【0102】

この場合、画像上の交差方向において中心から周縁ＷＥに向かう向きＤ１（下向き）で明暗差を順次算出していき、「暗」から「明」への明暗差が所定値より大きい縦方向のピクセルがエッジ候補として抽出される。つまり、向きＤ１において「明」から「暗」への明暗差が所定値よりも大きいピクセルが存在しても、そのピクセルはエッジ候補として抽出されない。また、画像上の交差方向において周縁ＷＥから中心に向かう向きＤ２（上向き）において「暗」から「明」への明暗差が所定値よりも大きいピクセルが存在しても、そのピクセルはエッジ候補として抽出されない。さらに、向きＤ１において「暗」から「明」への明暗差が所定値よりも大きいピクセルが上記サーチ範囲外に存在していても、そのピクセルはエッジ候補として抽出されない。複数のエッジ候補が存在する場合には、最初に見つけられたエッジ候補が対象エッジとして検出される。

【0103】

図１５（ａ）に示される例において、画像上のエッジＥ３の前後で、縦方向に並ぶピクセル群の輝度が向きＤ１において「暗」から「明」に変化している。しかしながら、エッジＥ３はサーチ範囲ＳＲ１外に位置しているため、エッジＥ３の前後での明暗差が所定値よりも大きい場合でも、エッジＥ３は検出されない。また、画像上のエッジＥ２では、向きＤ１において「明」から「暗」に変化しているので、エッジＥ２は検出されない。このように、エッジＥ２，Ｅ３を検出せずに、エッジＥ１を検出するように設定された検査レシピＩＲ１及びサーチ範囲ＳＲ１が用いられることにより、検査画像データに基づいてエッジＥ２，Ｅ３を検出せずにエッジＥ１が検出される。なお、オペレータにより検査レシピ及びサーチ範囲が設定される場合、オペレータは、検査レシピ及びサーチ範囲の設定とエッジ検出の試行とを繰り返すことで、エッジＥ１を抽出することが可能な検査レシピＩＲ１及びサーチ範囲ＳＲ１を設定してもよい。

【0104】

図１５（ｂ）には、検査レシピＩＲ２及びサーチ範囲ＳＲ２を用いたエッジＥ２の検出を説明するための図が示されている。この例の検査レシピＩＲ２では、画像勾配パラメータが「Negative」に設定され、変換パラメータが「赤色」に設定され、サーチ方向パラメータが「From center」に設定され、優先順位パラメータが「First」に設定され、フィルタパラメータが「ＯＦＦ」に設定されている。サーチ範囲が「１．２ｍｍ」から「１．８ｍｍ」までの範囲に設定されている。この場合も、図１５（ａ）での例と同様に、検査画像データに基づいてエッジＥ１，Ｅ３が検出されずにエッジＥ２が検出される。

【0105】

図１５（ｃ）には、検査レシピＩＲ３及びサーチ範囲ＳＲ３を用いたエッジＥ３の検出を説明するための図が示される。この例の検査レシピＩＲ３では、画像勾配パラメータが「Positive」に設定され、変換パラメータが「青色」に設定され、サーチ方向パラメータが「From edge」に設定され、優先順位パラメータが「High contrast」に設定され、フィルタパラメータが「ＯＦＦ」に設定されている。サーチ範囲が「１．８ｍｍ」から「２．５ｍｍ」までの範囲に設定されている。この場合も、図１５（ａ）での例と同様に、検査画像データに基づいてエッジＥ１，Ｅ２が検出されずにエッジＥ３が検出される。

【0106】

図１５（ａ）～図１５（ｃ）に示される例のように、エッジ検出部１０５は、１つの撮像画像データから検査レシピの変換パラメータに応じて変換される各種画像データから、エッジＥ１、Ｅ２、Ｅ３をそれぞれ検出する。エッジ検出部１０５は、対象エッジの検出結果をエッジ補正部１０６に出力してもよい。

【0107】

次に、コントローラ１０は、フィルタパラメータが「ＯＮ」に設定されているかどうかを判断する（ステップＳ２７）。ステップＳ２７において、フィルタパラメータが「ＯＮ」に設定されていない（「ＯＦＦ」に設定されている）場合、コントローラ１０は、ステップＳ２７を実行しない。この場合、エッジ補正部１０６は、検査対象のエッジの検出結果をそのまま判定部１０７に出力する。

【0108】

ステップＳ２７において、フィルタパラメータが「ＯＮ」に設定されている場合、コントローラ１０のエッジ補正部１０６は、エッジ検出部１０５から出力された検出結果に対してフィルタ処理を施す。換言すると、エッジ補正部１０６は、検査対象のエッジの検出結果に対して補正処理を行う。例えば、エッジ補正部１０６は、対象エッジのデータ系列を平滑化して算出される基準線と、データ系列に含まれる各データとの差分を算出し、各データのうち当該差分が所定の閾値よりも大きいデータを除外する補正処理を行ってもよい。エッジ補正部１０６は、補正後の検出結果（例えば異常値を除外した後の検出結果）を判定部１０７に出力する。

【0109】

次に、コントローラ１０は、対象エッジの状態を判定する（ステップＳ２８）。ステップＳ２８では、判定部１０７が、エッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３の状態をそれぞれ判定する。例えば、判定部１０７は、エッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３を含む被膜Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の周縁部分における除去幅をそれぞれ算出し、算出した除去幅が許容範囲かどうかをそれぞれ判定してもよい。なお、判定部１０７は、周縁部分における除去幅として、複数の測定位置における複数の除去幅の平均を算出してもよい。あるいは、判定部１０７は、エッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３について、算出した除去幅が、除去幅の調整が必要な範囲かどうかをそれぞれ判定してもよい。判定部１０７は、判定結果を出力部１０８に出力する。

【0110】

次に、コントローラ１０は、判定結果を出力する（ステップＳ２９）。例えば、出力部１０８は、算出された除去幅が、除去幅の調整が必要な範囲である場合に、調整が必要であることを示す信号をエッジ位置調整部１１３に出力してもよい。この場合、エッジ位置調整部１１３は、後続ウエハＷに対して行われるステップＳ１２，Ｓ１４，Ｓ１６でのエッジＥ１，Ｅ２，Ｅ３の形成条件（ノズル４４の位置情報）をそれぞれ調整してもよい。

【0111】

［作用］
以上の例によれば、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて検査レシピが構成されている。エッジをそれぞれ含む複数の被膜が形成された基板の撮像画像（画像データ）に基づいて、複数のエッジの中から対象エッジを検出しようとしても、単純にコントラス比を用いてエッジを検出する場合には、対象エッジ以外のエッジを検出することもある。以上の例によれば、検査レシピが複数のパラメータの選択肢の組み合わせで構成されるので、対象エッジに適した検査レシピを設定することができる。つまり、検査画像データに複数のエッジが含まれている場合に、対象エッジだけを検出することができるパラメータが組み合わされた検査レシピを設定することができる。その結果、複数のエッジのうちの検査対象のエッジを検査画像データからより確実に検出することが可能となる。

【0112】

以上の例によれば、オペレータからの操作入力によって一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて検査レシピが構成されている。この場合、オペレータにより対象エッジの検出を試行した上で特定されたパラメータが複数組み合わされて検査レシピが構成される。そのため、複数のエッジのうちの対象エッジを検査画像データからより確実に検出できる検査レシピを構成することが可能となる。

【0113】

以上の例によれば、エッジ補正部１０６が、エッジ検出部１０５によって検出された対象エッジのデータ系列を平滑化して算出される基準線と、データ系列に含まれる各データとの差分を算出し、各データのうち当該差分が所定の閾値よりも大きいデータを除外する補正処理を行うように構成されている。この場合、エッジ補正部により補正処理が行われた検出結果では、エッジの検出結果のうち上記差分が閾値よりも大きいような異常データが除外されている。そのため、対象エッジをより精度良く検出することが可能となる。

【0114】

以上の例によれば、エッジ検出部１０５が、検査画像データ及びサーチ範囲に基づいて、サーチ範囲内から対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）を検出するように構成されおり、サーチ範囲（ＳＲ１～ＳＲ３）の大きさが、対象エッジの交差方向における変動範囲に応じて設定されている。この場合、検査画像データにおいて、コントラスト比の変化量が所定の閾値以上となるエッジが対象エッジ以外に存在していても、対象エッジの変動範囲に応じたサーチ範囲において探索が行われることで対象エッジのみが検出され得る。そのため、複数のエッジのうちの対象エッジ以外のエッジを検出せずに、対象エッジを検査画像データから検出することが可能となる。

【0115】

以上の例によれば、パラメータは、変換パラメータと、サーチ方向パラメータと、優先順位パラメータと、フィルタパラメータとからなる群より選択される少なくとも一つを含んでいてもよい。この場合、複数のエッジのうちの対象エッジの特徴に応じて、検査レシピを構成することが可能となる。

【0116】

以上の例によれば、エッジ検出部１０５が、一の検査レシピを用いて、検査画像データに基づいて、複数の被膜のうち一の検査対象被膜のエッジである一の対象エッジを検出するように構成されていると共に、他の検査レシピを用いて、検査画像データに基づいて、複数の被膜のうち他の検査対象被膜のエッジである他の対象エッジを検出するように構成されている。そして、一の検査レシピを構成するパラメータの組み合わせは、他の検査レシピを構成するパラメータの組み合わせと異なる。この場合、一の検査レシピにより検査画像データに基づき一の対象エッジだけが検出され、且つ、他の検査レシピにより検査画像データに基づき他の対象エッジだけが検出され得る。そのため、複数のエッジのうちの検査対象のエッジそれぞれを検査画像データからより確実に検出することが可能となる。

【0117】

以上の例によれば、エッジ位置調整部１１３が、複数の対象エッジの検出結果に基づいて、後続ウエハＷにおける複数の対象エッジに対応する複数のエッジの位置が目標値に近づくように、処理液Ｌ２を吐出する際のユニットＵ１４，Ｕ１５，Ｕ１６のノズル４４とウエハＷとの相対位置をそれぞれ調整する。この場合、後続ウエハＷにおいて、複数の対象エッジに対応する複数のエッジの位置を目標値に近づける調整が一緒に行われる。つまり、後続ウエハＷにおける複数のエッジの位置の調整を効率的に行うことが可能となる。

【0118】

［変形例］
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。

【0119】

（１）例えば、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示されるように、被膜Ｒ３の外周部分においてエッジＥ３がウエハＷの周方向に沿って形成されない領域ＤＡが存在する場合がある。図１８（ａ）は、ウエハＷの表面Ｗａ全体が撮像された画像を模式的に示す。図１８（ｂ）は、ウエハＷの表面Ｗａの周縁部Ｗｄが撮像された画像を模式的に示す。例えば領域ＤＡは、被膜Ｒ３の周縁部分のうちの露光処理時の未露光部分により構成される場合がある。記憶部１０２は、ウエハＷの周方向においてエッジ検出の対象外とする領域ＤＡ（非検出領域）と、ウエハＷの周方向においてエッジ検出の対象とする領域ＤＡ以外の領域（検出領域）とを記憶してもよい。例えば、記憶部１０２には、オペレータからの入力情報に基づいて非検出領域及び検出領域が記憶されてもよい。あるいは、コントローラ１０は、検査画像データから領域ＤＡを検出することにより非検出領域を特定し、残部を検出領域として特定してもよい。コントローラ１０によって特定された非検出領域及び検出領域は、記憶部１０２に記憶されてもよい。

【0120】

エッジ補正部１０６は、エッジ検出部１０５による検出結果から検出領域外のデータ（非検出領域内のデータ）を除外する補正処理を行ってもよい。エッジ補正部１０６は、検出領域外のデータを除外する補正処理を行った後に、補正された検出結果を近似して異常値を除外する別の補正処理を更に行ってもよい。コントローラ１０は、これらの２つの補正処理を別々に実行する２つの機能モジュール（エッジ補正部）を有していてもよい。

【0121】

この変形例では、エッジ補正部１０６により補正処理が行われた検出結果において、対象エッジのうちの検出領域外に位置する部分が除外されている。そのため、対象エッジにおいて検出対象となる部分を調節することが可能となる。これにより、例えば、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示されるような領域ＤＡを検出対象から除外することが可能となる。

【0122】

（２）エッジ検出部１０５は、記憶部１０２に記憶されている検査レシピ及び上記検出領域を用いて、対象エッジのうち検出領域内に位置する部分を検出してもよい。換言すると、エッジ検出部１０５は、ウエハＷの周方向の全周に沿って所定間隔で並ぶ複数の測定位置のうちの検出領域に存在する測定位置において、検査対象のエッジを検出してもよい。この場合、エッジ補正部１０６は、検出領域内の対象エッジの検出結果に対して、当該検出結果を近似して異常値を除外する補正処理を行ってもよい。

【0123】

この変形例では、予め設定された検出領域に応じて、対象エッジのうちの特定の部分が検出される。そのため、対象エッジにおいて検出対象となる部分を調節することが可能となる。これにより、例えば、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示されるような領域ＤＡを検出対象から除外することが可能となる。

【0124】

（３）コントローラ１０は、機能モジュールとして、自律的に検査レシピを決定する自動設定部を備えてもよい。自動設定部は、対象エッジの検出に適した結果となるように、検査レシピを構成する複数のパラメータそれぞれについて、複数の選択肢の中から一つの選択肢を特定してもよい。この場合、図１７に示されるように、操作部１９に含まれる表示器の操作画面１３０に、自動設定開始ボタン１３５が含まれてもよい。自動設定部は、オペレータにより自動設定開始ボタン１３５が押されたことを示す信号を受けて自律的に検査レシピを決定してもよい。あるいは、自動設定部は、１つの検査対象のエッジに対して、検出に適した複数の検査レシピを決定してもよい。自動設定部は、決定した一つ又は複数の検査レシピを操作画面１３０に出力してもよい。候補となる複数の検査レシピと共に、いずれの検査レシピを選択するかをオペレータに促す記述も、操作画面１３０に表示されてもよい。候補となる複数の検査レシピの中から一つの検査レシピがオペレータによって選択された場合、当該検査レシピを用いて対象エッジの検査が行われてもよい。

【0125】

（４）対象エッジを検出する際に、対象のエッジが形成される前の状態のウエハＷを撮像して得られる画像データを用いてもよい。以下では、図１９を参照して、ウエハＷに被膜Ｒ１（前工程被膜）及び被膜Ｒ２が順に形成され、被膜Ｒ２のエッジＥ２を対象エッジとする例について説明する。この例において、処理モジュール１４，１５は、撮像用のユニットＵ３（撮像ユニット）をそれぞれ有していてもよい。

【0126】

まず、コントローラ１０（膜形成制御部１１２）が、ユニットＵ１４を制御することにより、ウエハＷに被膜Ｒ１を形成させ（ステップＳ３１）、被膜Ｒ１の周縁部分を除去させる（ステップＳ３２）。ステップＳ３１，Ｓ３２は、図１０に示されるステップＳ１１，Ｓ１２と同様に行われる。

【0127】

次に、コントローラ１０は、被膜Ｒ２が形成される前で且つ被膜Ｒ１の形成後におけるウエハＷの周縁部を撮像して得られた画像データ（以下、「前工程画像データ」という。）を取得する（ステップＳ３３）。ステップＳ３３では、画像データ取得部１０４が、処理モジュール１４のユニットＵ３から前工程画像データを取得する。この前工程画像データには、被膜Ｒ２のエッジＥ２を示す情報は含まれておらず、被膜Ｒ１のエッジＥ１を示す情報が含まれている。画像データ取得部１０４は、取得した前工程画像データを記憶部１０２に出力し、記憶部１０２は、当該前工程画像データを記憶する。

【0128】

次に、コントローラ１０は、ユニットＵ１５を制御することにより、周縁部分が除去された被膜Ｒ１上に被膜Ｒ２を形成させ（ステップＳ３４）、被膜Ｒ２の周縁部分を除去させる（ステップＳ３５）。ステップＳ３４，Ｓ３５は、図１０に示されるステップＳ１３，Ｓ１４と同様に行われる。次に、コントローラ１０は、エッジ検査処理を行う（ステップＳ３６）。ステップＳ３６は、前工程画像データを用いる点を除き、ステップＳ１７と同様に行われる。ステップＳ３６のエッジ検査処理では、ステップＳ１７と同様に、被膜Ｒ２が形成された後にウエハＷの周縁部Ｗｄを撮像した撮像画像から得られる検査画像データに基づいて、エッジＥ２を検出するための検査レシピＩＲ２が記憶部１０２に記憶される。なお、前工程画像データ及び検査画像データからエッジＥ１を検出するための検査レシピＩＲ１が記憶部１０２に記憶されてもよい。

【0129】

ステップＳ３６のエッジ検査処理では、エッジ検出部１０５は、検査画像データにより示されるエッジＥ１，Ｅ２の情報と前工程画像データによって示されるエッジＥ１の情報と比較することによって、エッジＥ２を検出してもよい。例えば、エッジ検出部１０５は、検査画像データと前工程画像データとの差分処理を行い、エッジＥ１を示す情報を除外してもよい。あるいは、エッジ検出部１０５は、前工程画像データからエッジＥ１を検出した検出結果と、検査画像データからエッジＥ１，Ｅ２の双方を検出した検出結果との差分処理を行い、エッジＥ１を示す情報を除外してもよい。

【0130】

２つの被膜の形成条件によっては、図２０（ａ）に示されるように、エッジＥ１，Ｅ２が互いに近接する場合がある。あるいは、図２０（ｂ）に示されるように、エッジＥ１，Ｅ２が近接した状態で互いに交差している場合がある。すなわち、ウエハＷの周方向の一部の領域においては、エッジＥ２がエッジＥ１よりも外方に位置し、他の領域においては、エッジＥ１がエッジＥ２よりも外方に位置する場合がある。これらの場合、検査画像データからエッジＥ２を検出する際に、測定位置によっては、エッジＥ２ではなくエッジＥ１を検出してしまうおそれがある。

【0131】

これに対して、この変形例では、検査画像データによって示される前工程被膜のエッジＥ１の情報、又は検査画像データから得られる検出結果に含まれる前工程被膜のエッジＥ１の情報を上記差分処理により除去することができる。そのため、エッジＥ１がエッジＥ２に近接して形成されていても、対象エッジ（この例ではエッジＥ２）をより精度良く検出することが可能となる。

【0132】

（５）エッジ検出部１０５は、サーチ範囲を用いずに、検査レシピを用いて検査対象のエッジを検出してもよい。

【0133】

（６）基板検査部１００は、エッジ補正部１０６を備えていなくてもよい。この場合、エッジ検出部１０５による検出結果が補正されることなく、判定部１０７による検出結果の判定が行われてもよい。

【0134】

（７）基板検査部１００は、判定部１０７を備えていなくてもよい。この場合、出力部１０８は、エッジ検出部１０５による検出結果又はエッジ補正部１０６により補正された検出結果を、コントローラ１０内の基板検査部１００以外の要素又はコントローラ１０外の他の装置に出力してもよい。

【0135】

（８）判定部１０７は、検査対象のエッジの検出結果からウエハＷの周方向において互いに１８０°離間する測定位置での除去幅同士の差分を算出することで、除去幅の偏心値（周縁部分が除去された被膜の中心とウエハＷの中心との間のずれ）を求めてもよい。判定部１０７は、除去幅の偏心値が閾値よりも大きい場合に、除去幅の偏心の調整が必要であることを示す信号をエッジ位置調整部１１３に出力してもよい。この場合、エッジ位置調整部１１３は、除去幅の偏心値が目標値となるようにウエハＷとノズル４４との相対位置（例えばユニットＵ１の回転保持部２０におけるウエハＷの保持位置）を調整してもよい。判定部１０７は、検査対象のエッジの検出結果に基づいて、検査対象の被膜の周縁部分の除去幅を算出する際に、ウエハＷの反り量を求めて、当該反り量に応じて除去幅の算出結果を補正してもよい。なお、エッジ位置調整部１１３が除去幅の調整値をコントローラ１０外の表示器に出力して、オペレータの入力情報により各被膜の形成条件（例えばノズル４４の位置情報）が調整されてもよい。

【0136】

（９）ウエハＷに４つ以上の被膜が形成されている場合において、コントローラ１０（基板検査部１００）は、４つ以上の対象エッジに対してエッジ検査処理を行ってもよい。複数の対象エッジを含む複数の被膜は、互いに積層状態でウエハＷ上に形成されていなくてもよい。例えば、基板検査部１００は、ウエハＷの表面Ｗａ上において径方向に離間して並ぶ複数の被膜に含まれる各エッジについて、エッジ検査処理を行ってもよい。基板検査部１００は、ウエハＷの表面Ｗａの周縁部Ｗｄと、端面Ｗｃとを撮像して得られる画像データに基づいて、表面Ｗａの周縁部Ｗｄから端面Ｗｃまで拡がる被膜のエッジの検査を行ってもよい。この場合、撮像画像に含まれる端面Ｗｃ上のエッジに交差する交差方向が、ウエハＷの厚さ方向に対応していてもよい。基板検査部１００は、ウエハＷの表面Ｗａの周縁部Ｗｄと、端面Ｗｃと、裏面Ｗｂの周縁部Ｗｄとを撮像して得られる画像データに基づいて、表面Ｗａの周縁部Ｗｄから、端面Ｗｃ及び裏面Ｗｂの周縁部Ｗｄまで拡がる被膜のエッジの検査を行ってもよい。

【0137】

（１０）エッジ検査処理が行われるタイミングは、上述した例に限定されない。例えば、予め検査対象の被膜が形成されたウエハＷが塗布現像装置２に搬入される場合、処理モジュール１４による下層膜の形成処理の前に、基板検査部１００は当該ウエハＷに対してエッジ検査処理を行ってもよい。あるいは、露光処理が行われレジスト膜（被膜Ｒ３）に現像処理が施された後に、基板検査部１００は当該ウエハＷに対してエッジ検査処理を行ってもよい。この場合、レジストパターンにより検査対象のエッジの検出に影響がでる可能性があるが、エッジ補正部１０６によって検出結果が補正されてもよい。

【0138】

（１１）撮像用のユニットＵ３は、図６及び図７に示される例に限定されずに、少なくとも検査対象の被膜に含まれるエッジを撮像できるように構成されていればよい。ユニットＵ３は、処理モジュール１４～１７の少なくとも一つに設けられていてもよい。ユニットＵ３は、処理モジュール１４～１７に代えて、キャリアブロック４又はインターフェースブロック６に設けられてもよい。例えば、ユニットＵ３は、棚ユニットＵ１０又は棚ユニットＵ１１に設けられてもよい。

【0139】

（１２）基板検査部１００（基板検査装置）は、コントローラ１０とは別の筐体に収容され、コントローラ１０とは別のコンピュータ（回路）として構成されてもよい。基板検査部１００は、塗布現像装置２に対して外部から接続可能なコンピュータ又はサーバ装置により構成されていてもよい。このように、基板検査部１００は、塗布現像装置２又はコントローラ１０と一体的に構成されている必要はなく、必要に応じて有線又は無線で通信接続が可能な外部装置として実現されてもよい。

【0140】

（１３）基板処理システム１（基板処理装置）の他の例では、図２１に示されるように、コントローラ１０が基板検査部１００に代えて、基板検査部１００Ａ（基板検査装置）を含んでいてもよい。基板検査部１００Ａは、機能モジュールとして、周縁算出部１４１と幅算出部１４２とを更に含む点において基板検査部１００と相違する。

【0141】

周縁算出部１４１は、ウエハＷの理論上の周縁の位置を算出するように構成されている。ウエハＷの理論上の周縁とは、ウエハＷの実際の周縁と異なり、ウエハＷの半径（直径）の設計寸法に基づく理論上の周縁（以下、「理論周縁」という。）である。ウエハＷにおける中心と実際の周縁ＷＥとの間の実際の寸法は、例えば、ウエハＷ自体の個体差、あるいはウエハＷの周縁部分を加工する際の誤差等により設計寸法と異なる場合があり、ウエハＷ間で実際の周縁ＷＥの位置にばらつきが生じ得る。理論周縁は、中心と実際の周縁ＷＥとの距離（周縁ＷＥの位置）のウエハＷ間でのばらつきの影響を受けない仮想的な周縁である。

【0142】

周縁算出部１４１は、理論周縁の位置として、画像データ上での理論周縁の位置データを算出するように構成されている。理論周縁の位置は、例えば画像データの原点からの画素（ピクセル）の座標で示される。周縁算出部１４１は、理論周縁の位置を算出するために用いられるウエハ（以下、「基準ウエハＷ０」という。）に基づいて、検査対象のウエハＷにおける理論周縁の位置を算出するように構成されていてもよい。周縁算出部１４１は、例えば、基準ウエハＷ０（基準基板）の中心を基準として得られる、基準ウエハＷ０の理論上の周縁の位置を、検査対象のウエハＷにおける理論周縁の位置として算出するように構成されていてもよい。基準ウエハＷ０の表面には、基準ウエハＷ０の中心からの距離を識別するための識別要素（例えば、模様、目盛等）が形成されていてもよい。周縁算出部１４１は、基準ウエハＷ０の表面上の識別要素を利用することで理論周縁の位置を算出するように構成されていてもよい。

【0143】

一例として、周縁算出部１４１は、基準ウエハＷ０の周縁部の撮像画像から得られる画像データ（以下、「基準画像データ」という。）に基づいて、基準ウエハＷ０上に予め設定された参照位置ＲＰ（図２３（ａ），（ｂ）参照）の位置データを算出する第１の処理を実行するように構成されていてもよい。記憶部１０２は、画像データ取得部１０４により取得された基準画像データを記憶してもよく、周縁算出部１４１は、記憶部１０２が記憶している基準画像データに基づき第１の処理を実行するように構成されていてもよい。周縁算出部１４１は、ウエハＷの半径の設計寸法と、基準ウエハＷ０の中心から参照位置ＲＰとの差分（以下、「差分値」という。）を算出する第２の処理を実行するように構成されていてもよい。周縁算出部１４１は、参照位置ＲＰの位置データと差分値とに基づいて、理論周縁の位置データを算出する第３の処理を実行するように構成されていてもよい。以下、第１～第３の処理が実行されることで算出される理論周縁の位置データを「第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データ」という。なお、基準ウエハＷ０は、検査対象のウエハＷとは別のウエハであってもよく、検査対象のウエハＷの一つであってもよい。

【0144】

周縁算出部１４１は、検査対象のウエハＷの対象エッジ（エッジＥ１～Ｅ３）を検出するための検査画像データに基づいて、ウエハＷの周縁ＷＥの位置データ（実際の周縁の位置データ）を算出する第４の処理を実行するように構成されていてもよい。周縁算出部１４１は、記憶部１０２が記憶している検査画像データに基づいて第４の処理を実行するように構成されていてもよい。周縁算出部１４１は、エッジ補正部１０６において算出されたウエハＷの周縁ＷＥの位置データに基づいて、ウエハＷの偏心状態を算出する第５の処理を実行するように構成されていてもよい。エッジ補正部１０６において算出されるウエハＷの周縁ＷＥの位置データは、エッジ検出部１０５において得られる周縁ＷＥの位置データが補正されたものであってもよい。周縁算出部１４１は、ウエハＷの偏心状態を考慮して、第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データを補正することで別の理論周縁の位置データを算出する第６の処理を実行するように構成されていてもよい。以下、第４～第６の処理が実行されることで算出される別の理論周縁の位置データを、「第２理論周縁ＷＥｒ２の位置データ」という。

【0145】

幅算出部１４２は、周縁算出部１４１において得られた理論周縁の位置データとエッジ検出部１０５において得られた対象エッジの位置データとに基づいて、理論周縁と対象エッジとの幅（除去幅）を算出するように構成されている。幅算出部１４２は、例えば、第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データと対象エッジの位置データとの画像上の間隔（ピクセル数）に応じて除去幅を算出するように構成されていてもよい。

【0146】

幅算出部１４２は、第２理論周縁ＷＥｒ２の位置データと対象エッジの位置データとの画像上の間隔（ピクセル数）に応じて除去幅を算出するように構成されていてもよい。幅算出部１４２は、周縁算出部１４１において得られたウエハＷの周縁ＷＥの位置データとエッジ検出部１０５において得られた対象エッジの位置データとに基づいて、ウエハＷの周縁ＷＥと対象エッジとの幅（除去幅）を算出するように構成されていてもよい。幅算出部１４２は、算出した除去幅を判定部１０７に出力するように構成されていてもよい。判定部１０７は、幅算出部１４２において得られた除去幅に基づいて対象エッジの状態を判定するように構成されていてもよい。

【0147】

続いて、基板処理システム１の他の例において実行される、エッジ検査処理を含む基板処理方法について説明する。まず、図２２を参照して、エッジ検査を行うための準備処理について説明する。準備処理は、図１０に示されるステップＳ１１～Ｓ１８の処理の前に実行されてもよいし、ステップＳ１１～Ｓ１６と並行して、あるいはステップＳ１１～Ｓ１６の処理の後に実行されてもよい。

【0148】

準備処理では、コントローラ１０が、ユニットＵ３を制御することにより、基準画像データを取得する（ステップＳ６１）。ステップＳ６１では、例えば、画像データ取得部１０４が、基準ウエハＷ０の周縁部を撮像することで生成された撮像画像データを、基準画像データとして取得する。図２３（ａ）及び図２３（ｂ）には基準ウエハＷ０の一例が示されており、図２４には基準ウエハＷ０の周縁部を撮像して得られた撮像画像の一例が示されている。なお、図２３（ｂ）は、図２３（ａ）に示される基準ウエハＷ０の切欠きを含む一部の領域Ｂを拡大した図を示している。

【0149】

基準ウエハＷ０の表面には、例えば、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に示されるように、識別要素として、屈折率が互いに異なる領域ＲＡ１～ＲＡ３を含む模様が形成されている。すなわち、撮像画像上では領域ＲＡ１～ＲＡ３の間で色情報（ＲＧＢ値）が異なっている。屈折率が異なる領域の数は２又は４以上であってもよく、２以上の領域間においてＲＧＢ値が異なれば、どのような手段により模様が形成されていてもよい。

【0150】

図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に示される例では、領域内に形成される回路パターン等の違いにより領域間において屈折率の違いが形成されている。複数の領域ＲＡ１と複数の領域ＲＡ２とは、表面の大部分において規則的に配列されている。具体的には、複数の領域ＲＡ１，ＲＡ２が一方向（紙面縦方向）にそれぞれ並び、且つ領域ＲＡ１と領域ＲＡ２とが一方向に直交する方向（紙面横方向）に交互に並ぶように、複数の領域ＲＡ１，ＲＡ２が表面に形成されている。領域ＲＡ３は、各領域ＲＡ１及び各領域ＲＡ２を囲むように格子状に形成されている。領域ＲＡ３は、例えば表面に回路パターン等が形成されていない領域である。

【0151】

画像データ取得部１０４は、例えば、ユニットＵ３の周縁撮像サブユニット８０により、上述の基準ウエハＷ０を撮像して得られる撮像画像データ（基準画像データ）を取得してもよい。図２４に示される周縁部の撮像画像においても、領域ＲＡ１～ＲＡ３が表れている。画像データ取得部１０４は、取得した基準画像データを記憶部１０２に出力し、記憶部１０２は、当該基準画像データを記憶する。

【0152】

次に、コントローラ１０は、基準ウエハＷ０上に予め設定された参照位置ＲＰの位置データを算出する第１の処理を実行する（ステップＳ６２）。ステップＳ６２では、例えば、周縁算出部１４１が、記憶部１０２に記憶されている基準画像データに基づいて、参照位置ＲＰの位置データを算出する。参照位置ＲＰは、例えば、オペレータ等により予め設定されており、基準ウエハＷ０の中心からの実際の距離が既知の位置である。参照位置ＲＰは、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に例示されるように、ウエハＷの周縁に設けられた切欠きの近傍に位置する領域ＲＡ１と領域ＲＡ３との境界に設定されていてもよい。周縁算出部１４１は、基準画像データ上の切欠きを含む縦方向のピクセル群において、例えば上方向からコントラスト比を算出していくことで、画像上の参照位置ＲＰの位置（ピクセル値）を検出する。周縁算出部１４１は、例えば、基準画像データの紙面左上隅を原点Ｏとして、抽出した参照位置ＲＰの縦方向の座標を参照位置ＲＰの位置データ（原点Ｏと参照位置ＲＰとの画像上の間隔Ｄａ［ピクセル］）として算出する。

【0153】

次に、コントローラ１０は、ウエハＷの半径の設計寸法と参照位置ＲＰの中心からの実際の距離との差分値を算出する第２の処理を実行する（ステップＳ６３）。ウエハＷの半径の設計寸法及び参照位置ＲＰの中心からの実際の距離は既知の値であり、例えばオペレータ等により記憶部１０２に予め記憶されている。一例として、ウエハＷの半径の設計寸法が１５０ｍｍであり、中心からの参照位置ＲＰの設計上の位置（既知の距離）が１４５ｍｍである場合、周縁算出部１４１は、差分値を５ｍｍとして算出する。

【0154】

次に、コントローラ１０は、第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データを算出する第３の処理を実行する（ステップＳ６４）。ステップＳ６４では、例えば、周縁算出部１４１が、参照位置ＲＰの位置を示す間隔Ｄａと差分値とに基づいて、第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データを算出する。周縁算出部１４１は、ステップＳ６３で得られた差分値を１ピクセルあたりの大きさ［ｍｍ／ピクセル］で除算することによって、図２４に示されるように、差分値に対応する画像上の間隔Ｄｂ［ピクセル］を算出する。なお、１ピクセルあたりの大きさは、ユニットＵ３における光学系部品の設定値及び配置等により定まる既知の値である。そして、周縁算出部１４１は、参照位置ＲＰの位置に対応する間隔Ｄａと、差分値に対応する間隔Ｄｂとを加算することで、第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データを算出する。周縁算出部１４１は、周方向における全ての測定位置（角度）において、間隔Ｄａと間隔Ｄｂとの加算値を、第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データとして算出する。

【0155】

以上のステップＳ６２～Ｓ６４を実行することで、周縁算出部１４１は、基準ウエハＷ０における第１理論周縁ＷＥｒ１の位置を算出する。周縁算出部１４１は、例えば、第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データを記憶部１０２に出力し、記憶部１０２は、第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データを記憶する。ステップＳ６２～Ｓ６４を実行することで得られる第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データは、基準ウエハＷ０だけでなく、当該ユニットＵ３において撮像される検査対象のウエハＷの周縁部分の撮像画像においても、第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データとして用いられてもよい。つまり、周縁算出部１４１は、基準ウエハＷ０の理論上の周縁の位置を、検査対象のウエハＷの理論周縁の位置として算出してもよい。

【0156】

次に、コントローラ１０は、図１０に示されるステップＳ１１～ステップＳ１６を実行する。そして、コントローラ１０は、ステップＳ１７のエッジ検査処理において、図１４に示されるエッジ検査処理に代えて、図２５に示されるエッジ検査処理を実行する。図２５に示されるエッジ検査方法は、ステップＳ２８に代えて、ステップＳ１２８の判定処理を実行する点において、図１４のエッジ検査処理と相違する。ステップＳ１２８の判定処理の一例について、図２６を参照して、以下に説明する。

【0157】

この判定処理では、まず、コントローラ１０は、検査対象のウエハＷの周縁ＷＥの位置データを算出する第４の処理を実行する（ステップＳ７１）。ステップＳ７１では、例えば、周縁算出部１４１が、記憶部１０２に記憶されている検査画像データに基づいて、ウエハＷの周縁ＷＥの位置データを算出する。周縁算出部１４１は、例えば、図２７に示されるように、ウエハＷの周方向における複数の測定位置（例えば、３６０点）それぞれの縦方向のピクセル群において、隣り合うピクセル同士のコントラスト比を算出していくことで周縁ＷＥの位置を検出する。周縁算出部１４１は、縦方向のピクセル群において、例えばコントラスト比が所定値以上となる座標を検出し、当該座標を周縁ＷＥの位置データとして算出する。

【0158】

次に、コントローラ１０は、ステップＳ７１で検出された周縁ＷＥと対象エッジとの除去幅を算出する（ステップＳ７２）。ステップＳ７２では、例えば、幅算出部１４２が、図２７に示されるように、ウエハＷの複数の測定位置それぞれについて、周縁ＷＥの位置データと対象エッジ（例えば、エッジＥ１）の位置データとの差分に基づき、画像上の間隔Ｄｃ［ピクセル］を算出する。そして、幅算出部１４２は、間隔Ｄｃに１ピクセルあたりの大きさ［ｍｍ／ピクセル］を乗算することで、周縁ＷＥと対象エッジとの除去幅を算出する。この除去幅は、実際の周縁ＷＥからの対象エッジの位置に相当する。

【0159】

次に、コントローラ１０は、検査対象のウエハＷの偏心状態を算出する第５の処理を実行する（ステップＳ７３）。ステップＳ７３では、例えば、周縁算出部１４１が、ウエハＷの周縁ＷＥの位置データに基づいて、第１理論周縁ＷＥｒ１の中心に対する偏心の程度を算出する。周縁算出部１４１は、公知の方法により、第１理論周縁ＷＥｒ１の中心に対する周縁ＷＥの偏心量Ａと偏心角αとを算出してもよい。一例として、周縁算出部１４１は、まず、複数の測定位置（測定角度θ）のうち、ウエハＷの周方向の０°、９０°、１８０°、及び２７０°の４箇所において、第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データと周縁ＷＥの位置データとの差分Ｌ０，Ｌ９０，Ｌ１８０，Ｌ２７０をそれぞれ算出する。そして、周縁算出部１４１は、偏心ｔ，ｕを
ｔ＝（Ｌ９０－Ｌ２７０）／２
ｕ＝（Ｌ１８０－Ｌ０）／２
とそれぞれ定義した場合に、下記の式１，２により偏心量Ａ及び偏心角αを算出する。なお、周縁算出部１４１は、０°から所定角度ずれた位置を含み、互いに９０°間隔で離間する４箇所の測定位置での差分を更に考慮して、偏心量Ａ及び偏心角αを算出してもよい。

【数1】

【数2】

【0160】

次に、コントローラ１０は、第２理論周縁ＷＥｒ２の位置データを算出する第６の処理を実行する（ステップＳ７４）。ステップＳ７４では、例えば、周縁算出部１４１が、ステップＳ７３で算出されたウエハＷの偏心状態を考慮して、第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データに基づいて第２理論周縁ＷＥｒ２の位置データを算出する。一例として、第１理論周縁ＷＥｒ１の位置データを、ウエハＷの周方向の角度θに対する関数として「ＷＥ１（θ）」で表し、第２理論周縁ＷＥｒ２の位置データを、ウエハＷの周方向の角度θに対する関数として「ＷＥ２（θ）」と表した場合に、周縁算出部１４１は、下記の式３により第２理論周縁ＷＥｒ２の位置データを算出する。

【数3】

【0161】

次に、コントローラ１０は、第２理論周縁ＷＥｒ２と対象エッジとの除去幅を算出する（ステップＳ７５）。ステップＳ７５では、例えば、幅算出部１４２が、図２７に示されるように、ウエハＷの複数の測定位置それぞれについて、第２理論周縁ＷＥｒ２の位置データと対象エッジの位置データとの差分に基づき、画像上の間隔Ｄｄ［ピクセル］を算出する。そして、幅算出部１４２は、間隔Ｄｄに１ピクセルあたりの大きさ［ｍｍ／ピクセル］を乗算することで、第２理論周縁ＷＥｒ２と対象エッジとの除去幅を算出する。この除去幅は、ステップＳ７２で算出される除去幅と異なり、理論上の周縁からの対象エッジの位置に相当する（ウエハＷの中心を基準とした対象エッジの位置に対応する）。

【0162】

次に、コントローラ１０は、除去幅に基づいて対象エッジの状態を判定する（ステップＳ７６）。ステップＳ７６において、判定部１０７は、例えば、ステップＳ７２で算出された除去幅（平均の除去幅）が許容範囲かどうかを判定してもよい。判定部１０７は、例えば、後述する相対位置の調整が必要な範囲にステップＳ７２で算出された除去幅が存在しているかどうかを判定してもよい。判定部１０７は、ステップＳ７４で算出された除去幅（平均の除去幅）が許容範囲かどうかを判定してもよい。判定部１０７は、例えば、後述する相対位置の調整が必要な範囲にステップＳ７４で算出された除去幅が存在しているかどうかを判定してもよい。判定部１０７は、判定結果を出力部１０８に出力する。

【0163】

図２５に戻り、コントローラ１０（出力部１０８）は、ステップＳ１２８の実行後のステップＳ２９において、ステップＳ７５での判定結果を出力する。例えば、出力部１０８は、ステップＳ７４で算出された第２理論周縁ＷＥｒ２に基づく除去幅が、調整が必要な範囲である場合に、調整が必要であることを示す信号をエッジ位置調整部１１３に出力してもよい。この場合、エッジ位置調整部１１３は、検査対象のウエハＷよりも後に処理される後続ウエハＷに対して行われるステップＳ１２でのエッジＥ１等の対象エッジの形成条件（ノズル４４の位置情報等）を調整してもよい。

【0164】

エッジ位置調整部１１３は、ステップＳ７４での除去幅の算出結果に基づいて、後続ウエハＷに形成される対象エッジの第２理論周縁ＷＥｒ２に基づく除去幅が目標値に近づくように、ノズル４４と回転保持部２０に保持されたウエハＷとの相対位置を調整してもよい。エッジ位置調整部１１３は、例えば、第２理論周縁ＷＥｒ２に基づく除去幅の調整が必要であることを示す信号を受けた場合に、ステップＳ７４で算出された除去幅と目標値との偏差に応じて調整値を算出してもよい。エッジ位置調整部１１３は、算出した調整値により動作指令保持部１１１に保持されている塗布条件（例えば、ノズル４４の位置情報、ウエハＷが回転保持部２０において保持される位置の情報など）を修正してもよい。これにより、後続ウエハＷ（別の基板）上に、第２理論周縁ＷＥｒ２と対象エッジとの除去幅が調整された状態で対象エッジを含む被膜が形成され得る。

【0165】

以上に説明した基板検査部１００Ａを備える基板処理システム１の他の例においても、基板検査部１００を備える基板処理システム１の例と同様に、複数のエッジのうちの検査対象のエッジを検査画像データからより確実に検出することが可能となる。

【0166】

以上の他の例では、基板検査部１００Ａは、ウエハＷの理論上の周縁（理論周縁）の位置を算出するように構成された周縁算出部１４１と、周縁算出部１４１において得られた理論周縁の位置データとエッジ検出部１０５において得られた対象エッジの位置データとに基づいて、理論周縁と対象エッジとの幅を算出するように構成された幅算出部１４２とを更に備える。理論周縁の位置は、ウエハＷの半径の大きさのばらつきの影響を受けない。上記構成では、理論周縁の位置に基づき、周縁と対象エッジとの除去幅を算出するので、ウエハＷの半径方向の大きさのばらつきの影響を受けずに、対象エッジを含む被膜の大きさを容易に調整することが可能となる。

【0167】

以上の他の例では、周縁算出部１４１は、基準ウエハＷ０の中心を基準として得られる基準ウエハＷ０の理論上の周縁の位置を理論周縁の位置として算出するように構成されている。この場合、基準ウエハＷ０の中心を基準としたウエハＷの理論周縁を考慮して上記除去幅が得られる。そのため、ウエハＷの半径方向の大きさのばらつきの影響を受けずに、ウエハＷの中心を基準として対象エッジの位置を容易に調整することが可能となる。

【0168】

以上の他の例では、周縁算出部１４１は、基準ウエハＷ０の周縁部の撮像画像から得られる基準画像データに基づいて、基準ウエハＷ０上に予め設定された参照位置ＲＰの位置データを算出する処理と、ウエハＷの半径の設計寸法と、基準ウエハＷ０の中心から参照位置ＲＰまでの距離との差分値を算出する処理と、参照位置ＲＰの位置データと理論幅とに基づいて、理論周縁ＷＥｒ１の位置データを算出する処理とを実行するように構成されている。この構成では、基準画像データに基準ウエハＷ０の中心が含まれていなくても、中心を基準とした理論周縁ＷＥｒ１の位置データを算出することが可能となる。

【0169】

以上の他の例では、周縁算出部１４１は、検査画像データに基づいて、ウエハＷの周縁ＷＥの位置データを算出する処理と、ウエハＷの周縁ＷＥの位置データに基づいて、ウエハＷの偏心状態を算出する処理と、ウエハＷの偏心状態を考慮して、理論周縁ＷＥｒ２の位置データを算出する処理とを実行するように構成されている。この場合、検出対象のウエハＷの偏心状態を考慮した上で、理論周縁の位置と対象エッジの位置との除去幅を算出することが可能となる。すなわち、除去幅の算出精度をより向上させることが可能となる。

【0170】

以上の他の例では、周縁算出部１４１は、検査画像データに基づいて、ウエハＷの周縁ＷＥの位置データを算出するように構成されている。幅算出部１４２は、周縁算出部１４１において得られたウエハＷの周縁ＷＥの位置データとエッジ検出部１０５において得られた対象エッジの位置データとに基づいて、ウエハＷの周縁ＷＥと対象エッジとの幅を算出するように構成されている。この場合、理論周縁と対象エッジとの除去幅に加えて、実際の周縁と対象エッジとの除去幅も算出できるので、算出方法の選択肢を増やすことが可能となる。

【0171】

図２８（ａ）～図２８（ｃ）は、ウエハＷの半径の実際の寸法がばらつく場合において、理論周縁に基づく除去幅を目標値に近づけるようにノズル４４とウエハＷとの相対位置を調整した際の被膜の形成範囲の一例を示している。図２８（ａ）は、ウエハＷの実際の半径ｒが設計寸法（設計値Ｒ０）よりも小さい場合を示し、図２８（ｂ）は、半径ｒが設計値Ｒ０と同じである場合を示し、図２８（ｃ）は、半径ｒが設計値Ｒ０よりも大きい場合を例示している。図２８（ａ）及び図２８（ｃ）では、理論周縁が「ＷＥｒ」として示されており、図２８（ｂ）では、半径ｒが設計値Ｒ０と同じであり、理論周縁ＷＥｒはウエハＷの周縁ＷＥと重なるので、理論周縁ＷＥｒの図示は省略されている。なお、理論周縁ＷＥｒは、半径ｒの大きさにかかわらず同じ位置に設定されている。

【0172】

理論周縁ＷＥｒと対象エッジ（例えばエッジＥ１）との幅が目標値に近づくように、ノズル４４とウエハＷとの相対位置が調整されることで、理論周縁ＷＥｒからの対象エッジの位置が略一定の値に調整される。すなわち、ウエハＷの中心からの被膜の実際の半径ａが、ウエハＷの実際の半径ｒの大きさに依らずに（半径ｒに誤差が含まれていても）略一定の値に調整される。このように、対象エッジの位置を理論周縁ＷＥｒから略一定の値に調整することで、ウエハＷ間での半径ｒの大きさのばらつきの影響を受けずに、当該対象エッジを含む被膜の大きさ（面積）を略一定に調整することが可能となる。

【0173】

（１４）上述の他の例において、理論周縁に基づき被膜の大きさを略一定に調整することに関しては、単一のエッジ（単一の被膜）が形成されたウエハＷにおいてエッジを検出する場合でも可能となる。例えば、コントローラ１０は、図１０のステップＳ１１，Ｓ１２を実行し、ステップＳ１３の実行前にエッジ検査処理を実行してもよい。このエッジ検査処理では、コントローラ１０が、検査レシピ等を用いずにコントラス比に基づいて１つの対象エッジ（エッジＥ１）を検出してもよい。そして、コントローラ１０は、エッジＥ１と理論周縁との除去幅を算出し、後続ウエハＷでの除去幅の調整を行ってもよい。

【0174】

（１５）基準ウエハＷ０として、検査対象のウエハＷを用いる場合、コントローラ１０は、例えば最初の検査対象のウエハＷに対する処理において、ステップＳ６１～Ｓ６４の準備処理を、図１０のステップＳ１６の実行後（露光処理の後）に行ってもよい。この場合、コントローラ１０（周縁算出部１４１）は、ステップＳ６１を省略して、検査画像データを基準画像データとして用いてもよい。周縁算出部１４１は、ステップＳ６２において、露光処理での処理結果の特定の箇所を参照位置ＲＰとして用いてもよい。なお、コントローラ１０は、準備処理を行うことなく、オペレータ等により予め定められた画像上の位置を第１理論周縁ＷＥｒ１の位置としてステップＳ１２８の処理を行ってもよい。

【0175】

（１６）上述の他の例では、幅算出部１４２は、第２理論周縁ＷＥｒ２と対象エッジとの除去幅を算出しているが、偏心を考慮していない第１理論周縁ＷＥｒ１と対象エッジとの除去幅を算出してもよい。この場合、幅算出部１４２は、第２理論周縁ＷＥｒ２の算出を含むステップＳ７３～Ｓ７５の処理を省略してもよい。コントローラ１０は、第１理論周縁ＷＥｒ１に基づく除去幅が目標値に近づくように、ノズル４４とウエハＷとの相対位置（ノズル４４の位置情報）を調整してもよい。

【0176】

（１７）上述の他の例では、ステップＳ１２８において、周縁算出部１４１は、周縁ＷＥに基づく除去幅の算出と第２理論周縁ＷＥｒ２に基づく除去幅の算出とを行うが、周縁ＷＥに基づく除去幅の算出を省略してもよい。周縁算出部１４１が上記２つの除去幅の算出を実行するように構成されている場合に、オペレータ等により除去幅の算出方法を示す情報が入力されてもよい。周縁算出部１４１は、当該入力情報に応じて、周縁ＷＥに基づく除去幅の算出と第２理論周縁ＷＥｒ２（第１理論周縁ＷＥｒ１）に基づく除去幅の算出とのいずれか一方を実行してもよい。

【0177】

［例示］
例１．本開示の一つの例に係る基板検査装置は、複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）が形成されている基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｄ）の撮像画像から得られる検査画像データと、検査レシピ（ＩＲ１～ＩＲ３）とを記憶するように構成された記憶部（１０２）と、記憶部（１０２）に記憶されている検査レシピ（ＩＲ１～ＩＲ３）を用いて、記憶部（１０２）に記憶されている検査画像データに基づいて、複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）のうち検査対象被膜のエッジである対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）を検出するように構成されたエッジ検出部（１０５）とを備える。複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）のそれぞれのエッジ（Ｅ１～Ｅ３）は基板（Ｗ）の周縁（ＷＥ）に沿って延びている。検査レシピ（ＩＲ１～ＩＲ３）は、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて構成されている。この場合、複数のパラメータの選択肢の組み合わせで検査レシピが構成されるので、対象エッジに適した検査レシピを構成することができる。つまり、検査画像データに複数のエッジが含まれている場合に、対象エッジだけを検出することができるパラメータが組み合わされた検査レシピを設定することができる。その結果、複数のエッジのうちの検査対象のエッジを検査画像データからより確実に検出することが可能となる。

【0178】

例２．例１の基板検査装置において、検査レシピ（ＩＲ１～ＩＲ３）は、オペレータからの操作入力によって上記一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて構成されていてもよい。この場合、オペレータにより対象エッジの検出を試行した上で特定されたパラメータが複数組み合わされて検査レシピが構成される。そのため、複数のエッジのうちの対象エッジを検査画像データからより確実に検出できる検査レシピを構成することが可能となる。

【0179】

例３．例１又は例２の基板検査装置において、記憶部（１０２）は、エッジ検出部（１０５）によるエッジ検出が行われる領域として予め設定された検出領域を記憶するように構成されていてもよい。エッジ検出部（１０５）は、記憶部（１０２）に記憶されている検査レシピ（ＩＲ１～ＩＲ３）及び検出領域を用いて、対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）のうち検出領域内に位置する部分を検出するように構成されていてもよい。この場合、予め設定された検出領域に応じて、対象エッジのうちの特定の部分が検出されるので、対象エッジにおいて検出対象となる部分を調節することが可能となる。

【0180】

例４．例１又は例２の基板検査装置は、エッジ補正部（１０６）を更に備えていてもよい。この基板検査装置において、記憶部（１０２）は、エッジ検出部（１０５）によるエッジ検出が行われる領域として予め設定された検出領域を記憶するように構成されていてもよい。エッジ補正部（１０６）は、エッジ検出部（１０５）による検出結果から検出領域外のデータを除外する補正処理を行うように構成されていてもよい。この場合、エッジ補正部により補正処理が行われた検出結果では、対象エッジのうちの検出領域外に位置する部分が除外されている。そのため、対象エッジにおいて検出対象となる部分を調節することが可能となる。

【0181】

例５．例１～例４のいずれか一つの基板検査装置は、エッジ検出部（１０５）によって検出された対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）のデータ系列を平滑化して算出される基準線と、データ系列に含まれる各データとの差分を算出し、各データのうち当該差分が所定の閾値よりも大きいデータを除外する補正処理を行うように構成されたエッジ補正部を更に備えていてもよい。この場合、エッジ補正部により補正処理が行われた検出結果では、エッジの検出結果のうち上記差分が閾値よりも大きいような異常データが除外されている。そのため、対象エッジをより精度良く検出することが可能となる。

【0182】

例６．例１～例５のいずれか一つの基板検査装置において、複数の被膜（Ｒ１，Ｒ２）は、検査対象被膜（Ｒ２）よりも前に形成された前工程被膜（Ｒ１）を含んでいてもよい。記憶部（１０２）は、検査対象被膜（Ｒ２）の形成前で且つ前工程被膜（Ｒ１）の形成後における基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｄ）を撮像して得られた前工程画像データを記憶するように構成されていてもよい。エッジ検出部（１０５）は、検査画像データに含まれる複数の被膜（Ｒ１，Ｒ２）それぞれのエッジ（Ｅ１，Ｅ２）を示す情報と前工程画像データに含まれる前工程被膜（Ｒ１）のエッジ（Ｅ１）を示す情報との比較により、対象エッジ（Ｅ２）を検出するように構成されていてもよい。この場合、検査画像データによって示される前工程被膜のエッジの情報、又は検査画像データから得られる検出結果に含まれる前工程被膜のエッジの情報を差分処理により除去することができる。そのため、前工程エッジが対象エッジに近接して形成されていても、対象エッジをより精度良く検出することが可能となる。

【0183】

例７．例１～例６のいずれか一つの基板検査装置において、記憶部（１０２）は、撮像画像に含まれる複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）のエッジ（Ｅ１～Ｅ３）に交差する交差方向において対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）を探索する範囲を規定するサーチ範囲（ＳＲ１～ＳＲ３）を記憶するように構成されていてもよい。エッジ検出部（１０５）は、記憶部（１０２）に記憶されている検査レシピ（ＩＲ１～ＩＲ３）を用いて、記憶部（１０２）に記憶されている検査画像データ及びサーチ範囲（ＳＲ１～ＳＲ３）に基づいて、サーチ範囲（ＳＲ１～ＳＲ３）内から対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）を検出するように構成されていてもよい。サーチ範囲（ＳＲ１～ＳＲ３）の大きさは、対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）の上記交差方向における変動範囲に応じて設定されていてもよい。この場合、検査画像データにおいて、コントラスト比の変化量が所定の閾値以上となるエッジが対象エッジ以外に存在していても、対象エッジの変動範囲に応じたサーチ範囲において探索が行われることで対象エッジのみが検出され得る。そのため、複数のエッジのうちの対象エッジ以外のエッジを検出せずに、対象エッジを検査画像データから検出することが可能となる。

【0184】

例８．例１～例７のいずれか一つの基板検査装置において、パラメータは、検査画像データの色属性を変換するための変換条件を示す変換パラメータと、対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）を探索する向きを示すサーチ方向パラメータと、複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）のエッジ（Ｅ１～Ｅ３）から一つの対象エッジを選択するための優先順位を示す優先順位パラメータと、対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）に含まれる外乱による影響を除去するフィルタ処理の使用有無を示すフィルタパラメータとからなる群より選択される少なくとも一つを含んでいてもよい。この場合、複数のエッジのうちの対象エッジの特徴に応じて、検査レシピを構成することが可能となる。

【0185】

例９．例１～例８のいずれか一つの基板検査装置は、基板（Ｗ）の理論上の周縁（ＷＥｒ１，ＷＥｒ２）の位置を算出するように構成された周縁算出部（１４１）と、周縁算出部（１４１）において得られた基板（Ｗ）の理論上の周縁（ＷＥｒ１，ＷＥｒ２）の位置データとエッジ検出部（１０５）において得られた対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）の位置データとに基づいて、基板（Ｗ）の理論上の周縁（ＷＥｒ１，ＷＥｒ２）と対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）との幅（Ｄｄ）を算出するように構成された幅算出部（１４２）とを更に備えてもよい。この場合、基板の理論上の周縁を考慮して上記幅が得られる。そのため、基板の半径方向の大きさのばらつきの影響を受けずに、対象エッジを含む被膜の大きさを容易に調整することが可能となる。

【0186】

例１０．例９の基板検査装置において、周縁算出部（１４１）は、基準基板（Ｗ０）の中心を基準として得られる基準基板（Ｗ０）の理論上の周縁の位置を基板（Ｗ）の理論上の周縁（ＷＥｒ１，ＷＥｒ２）の位置として算出するように構成されていてもよい。この場合、基準基板の中心を基準とした基板の理論上の周縁を考慮して上記幅が得られる。そのため、基板の半径方向の大きさのばらつきの影響を受けずに、基板の中心を基準として対象エッジの位置を容易に調整することが可能となる。

【0187】

例１１．例１０の基板検査装置において、周縁算出部（１４１）は、基準基板（Ｗ０）の周縁部の撮像画像から得られる基準画像データに基づいて、基準基板（Ｗ０）上に予め設定された参照位置（ＲＰ）の位置データを算出する処理と、基板（Ｗ）の半径の設計寸法と、基準基板（Ｗ０）の中心から参照位置（ＲＰ）までの距離との差分（Ｄｂ）を算出する処理と、参照位置（ＲＰ）の位置データと差分（Ｄｂ）とに基づいて、基準基板（Ｗ０）の理論上の周縁の位置データを算出する処理とを実行するように構成されていてもよい。この場合、基準画像データに基準基板の中心が含まれていなくても、中心を基準とした理論上の周縁の位置を算出することが可能となる。

【0188】

例１２．例９～例１１のいずれか一つの基板検査装置において、周縁算出部（１４１）は、検査画像データに基づいて、基板（Ｗ）の周縁（ＷＥ）の位置データを算出する処理と、基板（Ｗ）の周縁（ＷＥ）の位置データに基づいて、基板（Ｗ）の偏心状態を算出する処理と、基板（Ｗ）の偏心状態を考慮して、基板（Ｗ）の理論上の周縁（ＷＥｒ２）の位置データを算出する処理とを実行するように構成されていてもよい。この場合、検出対象の基板の偏心状態を考慮した上で、基板の理論上の周縁と対象エッジとの幅を算出することが可能となる。

【0189】

例１３．例９～例１２のいずれか一つの基板検査装置において、周縁算出部（１４１）は、検査画像データに基づいて、基板（Ｗ）の周縁（ＷＥ）の位置データを算出するように構成されていてもよい。幅算出部（１４２）は、周縁算出部（１４１）において得られた基板（Ｗ）の周縁（ＷＥ）の位置データとエッジ検出部（１０５）において得られた対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）の位置データとに基づいて、基板（Ｗ）の周縁（ＷＥ）と対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）との幅（Ｄｃ）を算出するように構成されていてもよい。この場合、基板の理論上の周縁と対象エッジとの幅に加えて、基板の実際の周縁と対象エッジとの幅も算出できるので、算出方法の選択肢を増やすことが可能となる。

【0190】

例１４．本開示の一つの例に係る基板処理装置は、複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）を基板（Ｗ）に形成するように構成された被膜形成ユニット（Ｕ１４～Ｕ１６）と、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｄ）を撮像して撮像画像を取得するように構成された撮像ユニット（Ｕ３）と、複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）のうち検査対象被膜のエッジである対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）を検査するように構成された制御ユニット（１０）とを備える。制御ユニット（１０）は、撮像画像から得られる検査画像データと、検査レシピ（ＩＲ１～ＩＲ３）とを記憶するように構成された記憶部（１０２）と、記憶部（１０２）に記憶されている検査レシピ（ＩＲ１～ＩＲ３）を用いて、記憶部（１０２）に記憶されている検査画像データに基づいて、対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）を検出するように構成されたエッジ検出部（１０５）とを有する。複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）のそれぞれのエッジは基板（Ｗ）の周縁（ＷＥ）に沿って延びている。検査レシピ（ＩＲ１～ＩＲ３）は、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて構成されている。この場合、上述と同様に、複数のエッジが含まれる検査画像データにおいて、対象エッジだけを検出することができるパラメータの組み合わせで検査レシピを設定でき得る。その結果、複数のエッジのうちの検査対象のエッジを検査画像データからより確実に検出することが可能となる。

【0191】

例１５．本開示の一つの例に係る基板処理装置は、複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）を基板（Ｗ）に形成するように構成された被膜形成ユニット（Ｕ１４～Ｕ１６）と、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｄ）を撮像して撮像画像を取得するように構成された撮像ユニット（Ｕ３）と、複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）のうち検査対象被膜（Ｒ１，Ｒ２）のエッジである対象エッジ（Ｅ１，Ｅ２）を検査するように構成された制御ユニット（１０）とを備える。制御ユニット（１０）は、撮像画像から得られる検査画像データと、第１の検査レシピ（ＩＲ１）と、第２の検査レシピ（ＩＲ２）とを記憶するように構成された記憶部（１０２）と、記憶部（１０２）に記憶されている第１の検査レシピ（ＩＲ１）を用いて、記憶部（１０２）に記憶されている検査画像データに基づいて、複数の被膜のうち一の検査対象被膜（Ｒ１）のエッジである第１の対象エッジ（Ｅ１）を検出するように構成されていると共に、記憶部（１０２）に記憶されている第２の検査レシピ（ＩＲ２）を用いて、記憶部（１０２）に記憶されている検査画像データに基づいて、複数の被膜のうち他の検査対象被膜（Ｒ２）のエッジである第２の対象エッジ（Ｅ２）を検出するように構成されたエッジ検出部（１０２）とを有する。複数の被膜（Ｒ１，Ｒ２）のそれぞれのエッジ（Ｅ１，Ｅ２）は基板（Ｗ）の周縁（Ｗｄ）に沿って延びている。第１及び第２の検査レシピ（ＩＲ１，ＩＲ２）はそれぞれ、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて構成されている。第１の検査レシピ（ＩＲ１）を構成するパラメータの組み合わせは、第２の検査レシピ（ＩＲ２）を構成するパラメータの組み合わせと異なる。この場合、第１の検査レシピにより検査画像データに基づき第１の対象エッジだけが検出され、且つ、第２の検査レシピにより検査画像データに基づき第２の対象エッジだけが検出され得る。そのため、複数のエッジのうちの検査対象のエッジそれぞれを検査画像データからより確実に検出することが可能となる。

【0192】

例１６．例１５の基板処理装置において、被膜形成ユニット（Ｕ１４，Ｕ１５）は、第１の対象エッジ（Ｅ１）を形成する処理液（Ｌ２）を吐出する第１のノズル（４４）と、第２の対象エッジ（Ｅ２）を形成する処理液（Ｌ２）を吐出する第２のノズル（４４）とを有してもよい。制御ユニット（１０）は、第１及び第２の対象エッジ（Ｅ１，Ｅ２）の検出結果に基づいて、第１及び第２の対象エッジ（Ｅ１，Ｅ２）を含む複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）が形成された後に、被膜形成ユニット（Ｕ１，Ｕ２）において別の基板（Ｗ）に形成される複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）に含まれる第１及び第２の対象エッジ（Ｅ１，Ｅ２）に対応するエッジの位置が目標値に近づくように、処理液（Ｌ２）を吐出する際の第１及び第２のノズル（４４，４４）と別の基板（Ｗ）との相対位置をそれぞれ調整するように構成されたエッジ位置調整部を更に有していてもよい。この場合、後に処理される基板において、第１及び第２の対象エッジに対応する複数のエッジの位置を目標値に近づける調整が一緒に行われる。つまり、後続の基板における複数のエッジの位置の調整を効率的に行うことが可能となる。

【0193】

例１７．本開示の一つの例に係る基板検査方法は、複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）が形成されている基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｄ）の撮像画像から検査画像データを生成することと、検査レシピ（ＩＲ１～ＩＲ３）を用いて、検査画像データに基づいて複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）のうち検査対象被膜のエッジである対象エッジ（Ｅ１～Ｅ３）を検出することとを含む。複数の被膜（Ｒ１～Ｒ３）のそれぞれのエッジ（Ｅ１～Ｅ３）は基板（Ｗ）の周縁（ＷＥ）に沿って延びている。検査レシピ（ＩＲ１～ＩＲ３）は、複数の選択肢の中から一つの選択肢が特定されたパラメータが複数組み合わされて構成されている。この場合、例１と同様の作用効果を奏する。

【0194】

例１８．コンピュータ読み取り可能な記録媒体の一例は、例１７の基板検査方法を基板検査装置に実行させるためのプログラムを記録している。この場合、例１２（例１）と同様の作用効果を奏する。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）及び伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）が含まれる。

【符号の説明】

【0195】

１…基板処理システム、２…塗布現像装置、１０…コントローラ、１００…基板検査部、１０２…記憶部、１０５…エッジ検出部、１０６…エッジ補正部、１１３…エッジ位置調整部、Ｗ…ウエハ、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３…被膜、Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３…エッジ、Ｕ１，Ｕ１４～Ｕ１６…液処理用のユニット、Ｕ３…撮像用のユニット、ＲＭ…記録媒体。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】