(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-01
(45)【発行日】2024-11-12
(54)【発明の名称】ＬＥＤディスプレイパネルの製造方法
(51)【国際特許分類】
G09F 9/00 20060101AFI20241105BHJP
B23K 26/57 20140101ALI20241105BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20241105BHJP
G09F 9/33 20060101ALI20241105BHJP
H01L 33/00 20100101ALI20241105BHJP
【ＦＩ】
G09F9/00 338
B23K26/57
G09F9/30 349Z
G09F9/33
H01L33/00 L
【請求項の数】
2
(21)【出願番号】P 2021069659
(22)【出願日】2021-04-16
(65)【公開番号】P2022164272
(43)【公開日】2022-10-27
【審査請求日】2024-02-19
(73)【特許権者】
【識別番号】000134051
【氏名又は名称】株式会社ディスコ
(74)【代理人】
【識別番号】100075384
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 昂
(74)【代理人】
【識別番号】100172281
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100206553
【弁理士】
【氏名又は名称】笠原 崇廣
(74)【代理人】
【識別番号】100189773
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 英哲
(74)【代理人】
【識別番号】100184055
【弁理士】
【氏名又は名称】岡野 貴之
(74)【代理人】
【識別番号】100185959
【弁理士】
【氏名又は名称】今藤 敏和
(72)【発明者】
【氏名】陳 之文
(72)【発明者】
【氏名】キム ヨンソク
【審査官】石本 努
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－１９４７１８（ＪＰ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２０２０－０１０４６７４（ＫＲ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０２０／０２４３４７８（ＵＳ，Ａ１）
【文献】中国特許出願公開第１１１４７７６５０（ＣＮ，Ａ）
【文献】米国特許第１０８１８６４３（ＵＳ，Ｂ１）
【文献】特開２００９－２９１８１８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ２３Ｋ２６／００－２６／７０
Ｇ０９Ｆ９／００－９／４６
Ｈ０１Ｌ３３／００
３３／４８－３３／６４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数のＬＥＤを駆動させるための回路を有する回路基板に所定の配置で該複数のＬＥＤを設けることでＬＥＤディスプレイパネルを製造するＬＥＤディスプレイパネルの製造方法であって、基板の表面に設定された複数の素子分離ラインによって区画された複数の領域のそれぞれに、バッファー層を介して設けられたＬＥＤと、該ＬＥＤの該バッファー層とは反対側に設けられた電極層と、が設けられたＬＥＤウェーハを第１の保持ユニットで保持するＬＥＤウェーハ保持工程と、
表面に行列状に設けられた複数の電極を有する該回路基板を、第２の保持ユニットで保持する回路基板保持工程と、
該回路基板の該表面と、該ＬＥＤウェーハの該表面とを互いに対面させて、該回路基板の電極を該ＬＥＤウェーハの該電極層に対応する位置に配置する位置付け工程と、
該回路基板及び該ＬＥＤウェーハの一方の裏面に吸収される波長を有するレーザービームを該位置付け工程で対面した該回路基板及び該ＬＥＤウェーハの該一方の裏面の一部に局所的に照射し、該回路基板及び該ＬＥＤウェーハの該基板の一方に局所的に生じる吸収熱を利用して、該レーザービームの被照射範囲内における該ＬＥＤウェーハの該電極層と該回路基板の該電極との少なくとも一方を加熱することにより、該電極層と該電極とを連結する電極連結工程と、
該ＬＥＤウェーハの該基板を透過する波長を有するパルス状のレーザービームを、該位置付け工程により該回路基板に対面した該ＬＥＤウェーハの裏面を介して該ＬＥＤウェーハの該バッファー層に照射して該バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程と、
該バッファー層破壊工程の後、該基板を該ＬＥＤから剥離する剥離工程と、
を備えることを特徴とするＬＥＤディスプレイパネルの製造方法。
【請求項2】
該電極連結工程では、空間光変調器を用いて、該レーザービームの被照射範囲内で、該レーザービームのパワー密度分布を変更することで、複数の電極層及び複数の電極の少なくとも一方を同時に加熱することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、複数のＬＥＤを駆動させるための回路を有する回路基板に所定の配置で複数のＬＥＤを設けることでＬＥＤディスプレイパネルを製造するＬＥＤディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ウェーハに吸収される波長を有するレーザービームをウェーハに照射して、ウェーハを複数のチップに分割する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）を製造する場合、結晶性の基板と、基板上に形成されたバッファー層と、バッファー層上に形成されたエピタキシャル成長層と、を有するウェーハを、レーザービームにより複数のＬＥＤに分割する。
【0003】
結晶性の基板としては、例えば、サファイア基板又はＳｉＣ（炭化ケイ素）基板が使用される。エピタキシャル成長層は、Ｎ型半導体層、発光層、及び、Ｐ型半導体層を含む。Ｎ型半導体層にはカソード電極層が形成され、Ｐ型半導体層にはアノード電極層が形成される。
【0004】
エピタキシャル成長層には、複数の分割予定ラインが格子状に設定されている。各分割予定ラインに沿ってエピタキシャル成長層を切断すると、エピタキシャル成長層及び電極層を各々有する、複数のＬＥＤが製造される。
【0005】
複数のＬＥＤは、例えば、それぞれ赤色で発光する赤色ＬＥＤである。また、他の１つのウェーハには、それぞれ青色で発光する複数の青色ＬＥＤが形成される。更に他の１つのウェーハには、それぞれ緑色で発光する複数の緑色ＬＥＤが形成される。
【0006】
各ＬＥＤは、例えば、平面視で１０μｍ四方の大きさを有する矩形状のマイクロＬＥＤであり、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の画素として、マイクロＬＥＤディスプレイ等の表示装置に用いられるディスプレイパネルに組み込まれる。
【0007】
ディスプレイパネルを製造する場合には、ガラス等で形成された回路基板に各ＬＥＤを電気的に接続した状態で固定する必要がある。このために、まず、ＬＥＤの電極層と、回路基板の電極とを、接触させた状態で、回路基板を透過する波長を有するレーザービームを、回路基板を介して順次照射する。
【0008】
レーザービームの照射により、回路基板の電極を一時的に溶融させた後、固化させることで、回路基板の電極と、ＬＥＤの電極層とが、電気的に接続される（電極連結工程）。電極連結工程の後、基板からＬＥＤを分離するために、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程が行われる。
【0009】
バッファー層破壊工程では、ウェーハを透過する波長を有するレーザービームを、ウェーハを介してバッファー層に照射することでバッファー層を破壊して、その後、ウェーハを持ち上げることで、ウェーハを回路基板から剥離する（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0010】
【文献】特開平１０－３０５４２０号公報
【文献】特開２０１８－１９４７１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
しかし、電極連結工程において、回路基板を透過する波長を有するレーザービームを使用する場合、レーザービームに対する吸収率が高い金属配線等をレーザービームの通過経路に配置できないので、回路基板の設計の自由度が低いという問題がある。本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、回路基板の設計の自由度を高くすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明の一態様によれば、複数のＬＥＤを駆動させるための回路を有する回路基板に所定の配置で該複数のＬＥＤを設けることでＬＥＤディスプレイパネルを製造するＬＥＤディスプレイパネルの製造方法であって、基板の表面に設定された複数の素子分離ラインによって区画された複数の領域のそれぞれに、バッファー層を介して設けられたＬＥＤと、該ＬＥＤの該バッファー層とは反対側に設けられた電極層と、が設けられたＬＥＤウェーハを第１の保持ユニットで保持するＬＥＤウェーハ保持工程と、表面に行列状に設けられた複数の電極を有する該回路基板を、第２の保持ユニットで保持する回路基板保持工程と、該回路基板の該表面と、該ＬＥＤウェーハの該表面とを互いに対面させて、該回路基板の電極を該ＬＥＤウェーハの該電極層に対応する位置に配置する位置付け工程と、該回路基板及び該ＬＥＤウェーハの一方の裏面に吸収される波長を有するレーザービームを該位置付け工程で対面した該回路基板及び該ＬＥＤウェーハの該一方の裏面の一部に局所的に照射し、該回路基板及び該ＬＥＤウェーハの該基板の一方に局所的に生じる吸収熱を利用して、該レーザービームの被照射範囲内における該ＬＥＤウェーハの該電極層と該回路基板の該電極との少なくとも一方を加熱することにより、該電極層と該電極とを連結する電極連結工程と、該ＬＥＤウェーハの該基板を透過する波長を有するパルス状のレーザービームを、該位置付け工程により該回路基板に対面した該ＬＥＤウェーハの裏面を介して該ＬＥＤウェーハの該バッファー層に照射して該バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程と、該バッファー層破壊工程の後、該基板を該ＬＥＤから剥離する剥離工程と、を備えるＬＥＤディスプレイパネルの製造方法が提供される。
【0013】
好ましくは、該電極連結工程では、空間光変調器を用いて、該レーザービームの被照射範囲内で該レーザービームのパワー密度分布を変更することで、複数の電極層及び複数の電極の少なくとも一方を同時に加熱する。
【発明の効果】
【0014】
本発明の一態様に係るＬＥＤディスプレイパネルの製造方法は、回路基板及びＬＥＤウェーハの一方の裏面に吸収される波長を有するパルス状のレーザービームを一方の裏面に照射して、レーザービームの被照射範囲内におけるＬＥＤウェーハの電極層と回路基板の電極との少なくとも一方を加熱することにより、電極層と電極とを連結する電極連結工程を有する。
【0015】
それゆえ、レーザービームに対する吸収率が高い金属配線等を回路基板に配置しても、電極等を適切に加熱できる。従って、回路基板を透過する波長を有するレーザービームで電極連結工程を行う場合に比べて、回路基板の設計の自由度を高くできる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】レーザー加工装置の斜視図である。
【図2】ＬＥＤディスプレイパネルの製造方法のフロー図である。
【図5】回路基板保持工程を示す図である。
【図6】位置付け工程を示す斜視図である。
【図9】剥離工程を示す図である。
【図10】回路基板に固定された赤色ＬＥＤを示す図である。
【図11】回路基板に固定された赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ及び青色ＬＥＤを示す図である。
【図12】図１２（Ａ）は第２の実施形態の電極連結工程及びバッファー層破壊工程における第１工程を示す図であり、図１２（Ｂ）は第２の実施形態の電極連結工程及びバッファー層破壊工程における第２工程を示す図である。
【図13】図１３（Ａ）は第３の実施形態の電極連結工程及びバッファー層破壊工程における第１工程を示す図であり、図１３（Ｂ）は第３の実施形態の電極連結工程及びバッファー層破壊工程における第２工程を示す図である。
【図14】図１４（Ａ）は第４の実施形態の電極連結工程及びバッファー層破壊工程における第１工程を示す図であり、図１４（Ｂ）は第４の実施形態の電極連結工程及びバッファー層破壊工程における第２工程を示す図である。
【図15】第５の実施形態に係るレーザービーム照射ユニットを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、ＬＥＤディスプレイパネル２７（図１１参照）の製造方法で使用するレーザー加工装置２について説明する。図１は、レーザー加工装置２の斜視図である。
【0018】
図１に示すＸ軸方向、Ｙ軸方向、及び、Ｚ軸方向は、互いに直交する。Ｘ－Ｙ平面は、例えば、水平面に対応し、Ｚ軸方向は鉛直方向に対応する。レーザー加工装置２は、各構成要素を支持する基台４を有する。
【0019】
基台４の上面には、Ｘ軸方向に沿う一対のガイドレール６が固定されている。一対のガイドレール６上には、Ｘ軸移動プレート８が、スライド可能に取り付けられている。Ｘ軸移動プレート８の下面にはナット部（不図示）が設けられている。
【0020】
ナット部には、Ｘ軸方向に沿って配置されたボールねじ１０が回転可能に連結されている。ボールねじ１０の一端部には、パルスモーター１２が連結されている。パルスモーター１２を動作させると、Ｘ軸移動プレート８はＸ軸方向に移動する。
【0021】
一対のガイドレール６、Ｘ軸移動プレート８、ボールねじ１０及びパルスモーター１２は、Ｘ軸方向移動ユニット１４を構成する。Ｘ軸移動プレート８の上面には、Ｙ軸方向に沿う一対のガイドレール１６が固定されている。
【0022】
一対のガイドレール１６上には、Ｙ軸移動プレート１８がスライド可能に取り付けられている。Ｙ軸移動プレート１８の下面にはナット部（不図示）が設けられている。このナット部には、Ｙ軸方向に沿って配置されたボールねじ２０が回転可能に連結されている。
【0023】
ボールねじ２０の一端部には、パルスモーター２２が連結されている。パルスモーター２２を動作させると、Ｙ軸移動プレート１８はＹ軸方向に移動する。一対のガイドレール１６、Ｙ軸移動プレート１８、ボールねじ２０及びパルスモーター２２は、Ｙ軸方向移動ユニット２４を構成する。
【0024】
Ｙ軸移動プレート１８の上面には、円柱状の支柱２６が設けられている。支柱２６の内部には、レーザー発振器２８ａ（図１５参照）等を有するレーザービーム照射ユニット２８が設けられている。
【0025】
図１５に示す様に、レーザー発振器２８ａから出射されたレーザービームＬＡは、ガルバノスキャナーを構成するＹスキャンミラー２８ｂ及びＸスキャンミラー２８ｃにより反射される。
【0026】
反射されたレーザービームＬＡは、ｆθレンズを有する集光器（不図示）により、所定の平面内で集光する様に、上方に照射される。レーザービームＬＡは、後述する回路基板１１に吸収される波長を有する。
【0027】
本実施形態のレーザービームＬＡは、パルス波ではなく、連続波（Continuous Wave）であり、後述する電極連結工程Ｓ４０においてレーザーアシストボンディング（Laser Assisted Bonding：ＬＡＢ）に利用される。
【0028】
図１に戻り、支柱２６の上部には、上面視で矩形状の保持テーブル３０が設けられており、保持テーブル３０の中央部には、回路基板１１を吸引保持する矩形状の基板保持フレーム（第２の保持ユニット）３２が設けられている。
【0029】
保持テーブル３０は、支柱２６内部に配置された回転駆動源（不図示）からの動力により、Ｚ軸方向に略平行な回転軸の周りに回転できる。当該回転により、水平面内における基板保持フレーム３２の向きが調整される。
【0030】
図５に拡大して示す様に、基板保持フレーム３２は、矩形状の開口３２ａを有する。開口３２ａの縁部には、段差部３２ｂが形成されている。段差部３２ｂの上面には、複数の吸引口３２ｃが所定の間隔で形成されている。
【0031】
各吸引口３２ｃには、所定の流路（不図示）を介してエジェクタ等の吸引源（不図示）が接続されている。段差部３２ｂに回路基板１１を配置した状態で、吸引源で発生された負圧が各吸引口３２ｃに伝達されると、回路基板１１は基板保持フレーム３２で吸引保持される。
【0032】
引き続き図５を参照し、回路基板１１について説明する。回路基板１１は、後述する複数のＬＥＤを駆動させるための回路を有する。回路基板１１は、ベース基板を有する。
【0033】
ベース基板の一面側（即ち、回路基板１１の表面１１ａ側）には、各々金属で形成された複数の導電層と、導電層間に形成された絶縁層とを、含む機能層が形成されている。この機能層には、回路（不図示）が形成されている。
【0034】
例えば、ベース基板が透明なガラス基板である場合、ガラス基板の一面側には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）を含む機能層が形成される。これに代えて、ベース基板がシリコン基板である場合、シリコン基板の一面側には、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）を含む機能層が形成される。
【0035】
回路基板１１には、ＴＦＴやＭＯＳＦＥＴに駆動信号を供給するための複数の配線が回路基板１１の周辺部まで延伸する態様で形成されている。複数の配線には、駆動回路（即ち、ドライバ回路）が電気的に接続される。
【0036】
駆動回路は、例えば、回路基板１１とは異なる基板に形成されており、回路基板１１に外付けされる。しかし、駆動回路は、回路基板１１の外周部において回路基板１１と一体的に形成されてもよい。機能層の最表面には、電極ユニット１１ｃが露出している。
【0037】
電極ユニット１１ｃは、それぞれ露出する電極１１ｃ１、１１ｃ２を含む。電極１１ｃ１、１１ｃ２は、例えば、銅（Ｃｕ）バンプ又はソルダーバンプである。例えば、電極１１ｃ１は、ＬＥＤのアノード電極と電気的に接続し、電極１１ｃ２は、ＬＥＤのカソード電極層と電気的に接続する。
【0038】
電極ユニット１１ｃは、表面１１ａ上において、行列状に配置されている。図５では、表面１１ａの短辺方向を行方向Ａ１とし、表面１１ａの長辺方向を列方向Ａ２とする。但し、短辺方向を列方向とし、長辺方向を行列方としてもよい。
【0039】
上述のレーザービームＬＡの波長は、回路基板１１のベース基板に吸収される所定値に設定される。例えば、ベース基板がガラス又はサファイアで形成されている場合、レーザービームＬＡの波長は、１００ｎｍ以下の所定値に設定される。
【0040】
また、ベース基板が単結晶シリコンで形成されている場合、レーザービームＬＡの波長は、４００ｎｍ以上、且つ、１１００ｎｍ以下の所定値に設定される。なお、本実施形態の回路基板１１のベース基板は、単結晶シリコンで形成されている。
【0041】
これに対して、回路基板１１を透過する波長を有するレーザービームを用いて、回路基板１１の裏面１１ｂから回路基板１１を透過し、表面１１ａ側に位置する電極１１ｃ１、１１ｃ２へ、レーザービームを照射する場合、レーザービームの通過経路に、レーザービームに対する吸収率が高い金属配線等を配置できない。
【0042】
しかし、本実施形態では、回路基板１１に吸収される波長を有するレーザービームＬＡを用いるので、電極１１ｃ１、１１ｃ２を加熱する際に、回路基板１１に設けられる金属配線等の制約が緩和される。それゆえ、回路基板１１の設計の自由度を高くできる。
【0043】
なお、回路基板１１の表面１１ａの外周部には、アライメントマーク１１ｄが形成されている（図７（Ａ））。アライメントマーク１１ｄは、所定の形状を有する凸状のパターンであるが、凹状のパターンであってもよい。
【0044】
ここで、図１に戻り、レーザー加工装置２の他の要素について説明する。基台４の上面には、角柱状の柱部３４が固定されている。柱部３４の上端部には、梁部３６の一端部が固定されている。柱部３４又は梁部３６には、レーザー発振器（不図示）が設けられている。
【0045】
レーザー発振器から出射されたレーザービームＬＢ（図８（Ｂ）参照）は、ガルバノスキャナー（不図示）により反射されて、梁部３６の他端部の下面側に設けられた集光器３８に入射する。集光器３８は、ｆθレンズを含み、レーザービームＬＢを所定の平面内に集光させる。
【0046】
集光器３８は、レーザー発振器及びガルバノスキャナーと共に、レーザービーム照射ユニット４０を構成する。集光器３８から下方に向けて照射されるレーザービームＬＢは、後述する赤色ＬＥＤウェーハ１３の単結晶基板１５（図３（Ａ）参照）を透過する波長を有する。
【0047】
レーザービームＬＢは、連続波ではなくパルス波であり、後述するバッファー層破壊工程Ｓ５０においてレーザーリフトオフ（Laser Lift Off：ＬＬＯ）に利用される（図８（Ｂ）参照）。ここで、図３（Ａ）、図３（Ｂ）を参照し、赤色ＬＥＤウェーハ１３について説明する。
【0048】
【0049】
単結晶基板１５の表面１５ａ上には、ＧａＮ（窒化ガリウム）等のＧａ化合物で形成されたバッファー層１９が形成されており、バッファー層１９上には、エピタキシャル成長層１７ａが形成されている。バッファー層１９は、単結晶基板１５と、エピタキシャル成長層１７ａとの格子不整合を緩和する機能を有する。
【0050】
エピタキシャル成長層１７ａは、化合物半導体で形成されており、バッファー層１９を介して表面１５ａ上に順次形成されるＮ型半導体層、発光層、及び、Ｐ型半導体層を含む。発光層は、例えば、Ｅｕ含有ＧａＮを有するが、発光層の材料はこれに限定されるものではなく他の適切な材料が選択されてもよい。
【0051】
エピタキシャル成長層１７ａに対してバッファー層１９とは反対側には、Ｐ型半導体層に接するアノード電極層１７ｂが、設けられている。また、アノード電極層１７ｂに対して紙面奥行方向には、Ｎ型半導体層に接するカソード電極層（不図示）が、設けられている。
【0052】
バッファー層１９及びエピタキシャル成長層１７ａは、表面１５ａに格子状に設定された複数の素子分離ライン２１に沿って切断されている。この素子分離ライン２１に沿った切断は、例えば、反応性ガスを用いたドライエッチングにより行われる。
【0053】
この様にして、複数の素子分離ライン２１によって区画された複数の領域の各々に、赤色ＬＥＤ１７が形成される。複数の赤色ＬＥＤ１７の各々は、順方向電圧が印加された場合に赤色の光を発する。
【0054】
単結晶基板１５の裏面１５ｂは、赤色ＬＥＤウェーハ１３の裏面に対応する。単結晶基板１５の外周部には、図３（Ａ）に示す様に、結晶方位を示すオリエンテーションフラット１５ｃが形成されている。
【0055】
また、表面１５ａの外周部には、図３（Ｂ）に示す様に、それぞれ金属で形成された複数のアライメントマーク１５ｄが設けられている。アライメントマーク１５ｄは、回路基板１１に対する赤色ＬＥＤウェーハ１３の位置合わせに利用される。
【0056】
次に、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を参照して、赤色ＬＥＤウェーハ１３を吸引保持するウェーハ保持ユニット４２について更に説明する。集光器３８の下方には、ウェーハ保持ユニット（第１の保持ユニット）４２が設けられている。
【0057】
ウェーハ保持ユニット４２は、円形の保持リング４４を有する。保持リング４４には、開口４４ａが形成されており、開口４４ａの縁部には、段差部４４ｂが形成されている。
【0058】
段差部４４ｂの上面には、開口４４ａの縁部に沿って、複数の吸引口４４ｃが所定の間隔で形成されている。各吸引口４４ｃには、所定の流路（不図示）を介してエジェクタ等の吸引源（不図示）が接続されている。
【0059】
開口４４ａには、赤色ＬＥＤウェーハ１３を所定の向きに位置付けるための位置合わせ部４４ｄが形成されてる。位置合わせ部４４ｄは、赤色ＬＥＤウェーハ１３のオリエンテーションフラット１５ｃに対応する直線状領域である。
【0060】
保持リング４４には、アーム４６の一端部が連結されている。アーム４６の他端部は、ハウジング４８に収容されている。ハウジング４８には、アーム４６をＸ－Ｙ平面に略平行な所定の回転軸の周りで回転させる回転機構（不図示）が設けられている。
【0061】
また、ハウジング４８には、アーム４６をＺ軸方向に沿って移動させるための移動機構（不図示）も設けられている。図４（Ｂ）は、保持リング４４の反転及び移動を示す図である。ここで再び、図１に戻り、レーザー加工装置２の他の要素について説明する。
【0062】
集光器３８の近傍、且つ、ウェーハ保持ユニット４２の上方には、ウェーハ保持ユニット４２で吸引保持される赤色ＬＥＤウェーハ１３のアライメント（位置検出）等に用いられる第１のカメラユニット（不図示）が設けられている。第１のカメラユニットは、所定の光学系と、撮像素子とを、有する。
【0063】
また、ウェーハ保持ユニット４２に対してＸ軸方向の一方側には、撮像ユニット５０が設けられている。撮像ユニット５０は、所定の光学系と、撮像素子とを、有する第２のカメラユニットである。
【0064】
撮像ユニット５０は、例えば、基板保持フレーム３２で吸引保持された回路基板１１を撮像する。撮像された画像は、赤色ＬＥＤウェーハ１３に対する回路基板１１のアライメント（位置検出）等に使用される。
【0065】
レーザー加工装置２は、各構成要素の動作を制御する制御ユニット５２を有する。制御ユニット５２は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）に代表されるプロセッサ（処理装置）と、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等の主記憶装置と、フラッシュメモリ等の補助記憶装置と、を含むコンピュータによって構成されている。
【0066】
補助記憶装置には、所定のプログラムを含むソフトウェアが記憶されている。このソフトウェアに従い処理装置等を動作させることによって、制御ユニット５２の機能が実現される。
【0067】
次に、図２から図１１を参照し、ＬＥＤディスプレイパネル２７（図１１参照）の製造方法について説明する。ＬＥＤディスプレイパネル２７は、回路基板１１に所定の配置で複数のＬＥＤを設けることで製造される。図２は、ＬＥＤディスプレイパネル２７の製造方法のフロー図である。
【0068】
本実施形態では、まず、ウェーハ搬送ユニット（不図示）を用いて、上方に向けられた段差部４４ｂ上に赤色ＬＥＤウェーハ１３を配置する。このとき、単結晶基板１５の裏面１５ｂの外周部が段差部４４ｂに接し、位置合わせ部４４ｄにより、ウェーハ保持ユニット４２に対する赤色ＬＥＤウェーハ１３の向きが一意的に定められる。
【0069】
次いで、各吸引口４４ｃに負圧を伝達させ、赤色ＬＥＤウェーハ１３をウェーハ保持ユニット４２で吸引保持する（ＬＥＤウェーハ保持工程Ｓ１０）。図４（Ａ）は、ＬＥＤウェーハ保持工程Ｓ１０を示す図である。
【0070】
ＬＥＤウェーハ保持工程Ｓ１０の後、段差部３２ｂ上に、基板搬送ユニット（不図示）を用いて回路基板１１を配置する。このとき、回路基板１１の裏面１１ｂの外周部が段差部３２ｂに接する。そして、各吸引口３２ｃに負圧を伝達させ、回路基板１１を基板保持フレーム３２で吸引保持する（回路基板保持工程Ｓ２０）。
【0071】
図５は、回路基板保持工程Ｓ２０を示す図である。なお、ＬＥＤウェーハ保持工程Ｓ１０及び回路基板保持工程Ｓ２０の順序は上述の例に限定されない。回路基板保持工程Ｓ２０の後に、ＬＥＤウェーハ保持工程Ｓ１０を行ってもよい。
【0072】
ＬＥＤウェーハ保持工程Ｓ１０及び回路基板保持工程Ｓ２０の後、撮像ユニット５０で回路基板１１のアライメントマーク１１ｄ（図７（Ａ）参照）を撮像することにより、アライメントを行う。
【0073】
その後、Ｘ軸方向移動ユニット１４を動作させて回路基板１１を集光器３８の直下に配置すると共に、適宜、Ｙ軸方向移動ユニット２４及び回転駆動源（不図示）を動作させて、集光器３８に対する回路基板１１の位置及び向きを調整する。
【0074】
次いで、図６に示す様に、赤色ＬＥＤウェーハ１３を吸引保持したウェーハ保持ユニット４２を上下反転させて、回路基板１１の表面１１ａと、赤色ＬＥＤウェーハ１３の単結晶基板１５の表面１５ａと、を互いに対面させる。
【0075】
その後、単結晶基板１５を介してアライメントマーク１５ｄを第１のカメラユニット（不図示）で撮像することにより、回路基板１１に対する赤色ＬＥＤウェーハ１３のアライメントを行う。
【0076】
本実施形態では、上述の様に、回路基板１１と、赤色ＬＥＤウェーハ１３と、を個別に撮像するので、回路基板１１及び赤色ＬＥＤウェーハ１３を同時に撮像する場合に比べて、第１のカメラユニットと、第２のカメラユニット（撮像ユニット５０）との各々の被写界深度を比較的浅くできる。
【0077】
アライメント後、回転駆動源を動作させて、回路基板１１及び赤色ＬＥＤウェーハ１３の相対的な位置及び向きを適宜調整する。これにより、電極１１ｃ１は、アノード電極層１７ｂに対応する位置に配置され、電極１１ｃ２は、カソード電極層（不図示）に対応する位置に配置される。
【0078】
この状態で、電極１１ｃ１がアノード電極層１７ｂに接し、電極１１ｃ２がカソード電極層に接するまで、赤色ＬＥＤウェーハ１３を下方へ降下させる（位置付け工程Ｓ３０）。図６は、位置付け工程Ｓ３０を示す斜視図である。
【0079】
【0080】
位置付け工程Ｓ３０の後、レーザービームＬＡを裏面１１ｂに照射して、電極１１ｃ１、１１ｃ２を選択的に加熱する（図８（Ａ）参照）。これにより、１つの電極１１ｃ１及び１つのアノード電極層１７ｂを電気的に連結し、１つの電極１１ｃ２及び１つのカソード電極層を電気的に連結する（電極連結工程Ｓ４０）。
【0081】
図８（Ａ）は、電極連結工程Ｓ４０を示す図である。電極連結工程Ｓ４０では、１００ Ｗ／ｃｍ２以上、３００ Ｗ／ｃｍ２以下と比較的弱く設定されたパワー密度を有するレーザービームＬＡを使用する。レーザービームＬＡの被照射範囲内において回路基板１１に局所的に生じる吸収熱Ｂを利用して、電極１１ｃ１、１１ｃ２を選択的に加熱する。
【0082】
具体的には、まず、図８（Ａ）で最も左側に位置する１つの電極１１ｃ１に対応する局所的な範囲にレーザービームＬＡを照射して、１つの電極１１ｃ１を溶融させ、その後、固化させる。これにより、１つの電極１１ｃ１及び１つのアノード電極層１７ｂを連結する。
【0083】
次いで、ガルバノスキャナーでレーザービームＬＡの照射位置を変えて、図８（Ａ）の紙面奥行方向（行方向Ａ１）に位置する１つの電極１１ｃ２に対応する局所的な範囲にレーザービームＬＡを照射する。これにより、１つの電極１１ｃ２及び１つのカソード電極層を連結する。
【0084】
同様にして、行方向Ａ１に沿ってレーザービームＬＡの照射位置を次々に変更することで、１つの電極１１ｃ１及び１つのアノード電極層１７ｂを連結し、１つの電極１１ｃ２及び１つのカソード電極層を連結する。
【0085】
次に、紙面右向き方向（列方向Ａ２）にレーザービームＬＡの照射位置を変えて、図８（Ａ）で最も左側から７番目に位置する１つの電極１１ｃ１に対応する局所的な範囲にレーザービームＬＡを照射する。
【0086】
そして、同様にして、行方向Ａ１に沿ってレーザービームＬＡの照射位置を次々に変更することで、１つの電極１１ｃ１及び１つのアノード電極層１７ｂを連結し、１つの電極１１ｃ２及び１つのカソード電極層を連結する。
【0087】
以降、列方向Ａ２において５つの赤色ＬＥＤ１７おきに、同様に、レーザービームＬＡを照射する。つまり、図８（Ａ）で最も左側から１番目、７番目、１３番目、１９番目、２５番目…に位置する各赤色ＬＥＤ１７に、レーザービームＬＡを照射する。
【0088】
電極連結工程Ｓ４０における加工条件の一例を次に示す。なお、照射時間は、各電極１１ｃ１、１１ｃ２を個別に加熱する際に要する照射時間であり、電極連結工程Ｓ４０の完了には、電極１１ｃ１、１１ｃ２の数と、照射時間と、の積で算出される合計時間を要する。
【0089】
レーザー発振器：ＹＡＧ連続発振レーザー
波長 ：４００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下（例えば、９８０ｎｍ）
パワー密度：１００Ｗ／ｃｍ２以上３００Ｗ／ｃｍ２以下（例えば、１００Ｗ／ｃｍ２）
照射範囲 ：１ｍｍ２以上１ｃｍ２以下
照射時間 ：約１ｓ
波長 ：４００ｎｍ以上１１００ｎｍ以下（例えば、９８０ｎｍ）
パワー密度：１００Ｗ／ｃｍ２以上３００Ｗ／ｃｍ２以下（例えば、１００Ｗ／ｃｍ２）
照射範囲 ：１ｍｍ２以上１ｃｍ２以下
照射時間 ：約１ｓ
【0090】
本実施形態の電極連結工程Ｓ４０では、赤色ＬＥＤ１７と電極１１ｃ１、１１ｃ２とを電気的に接続するために回路基板１１に吸収される波長を有するレーザービームＬＡを用いる。
【0091】
それゆえ、レーザービームＬＡに対する吸収率が高い金属配線等を回路基板１１に配置できるので、回路基板１１を透過する波長を有するレーザービームで電極連結工程Ｓ４０を行う場合に比べて、回路基板１１の設計の自由度を高くできる。
【0092】
電極連結工程Ｓ４０の後、単結晶基板１５を透過する波長を有するパルス状のレーザービームＬＢ（図８（Ｂ）参照）を、裏面１５ｂを介して赤色ＬＥＤウェーハ１３のバッファー層１９に照射してバッファー層１９を破壊する（バッファー層破壊工程Ｓ５０）。
【0093】
図８（Ｂ）は、バッファー層破壊工程Ｓ５０を示す図である。バッファー層破壊工程Ｓ５０における加工条件の一例を次に示す。
【0094】
レーザー発振器：ＹＡＧパルス発振レーザー
波長 ：２５７ｎｍ
繰り返し周波数：５０ｋＨｚ
平均出力 ：０．１２Ｗ
パルス幅 ：１００ｎｓ
スポット径 ：１０μｍ
加工送り速度 ：６００ｍｍ／ｓ
波長 ：２５７ｎｍ
繰り返し周波数：５０ｋＨｚ
平均出力 ：０．１２Ｗ
パルス幅 ：１００ｎｓ
スポット径 ：１０μｍ
加工送り速度 ：６００ｍｍ／ｓ
【0095】
具体的には、まず、図８（Ｂ）で最も左側に位置する複数の赤色ＬＥＤ１７に対応して設けられた各バッファー層１９に、行方向Ａ１に沿ってガルバノスキャナーで照射位置を変えながらレーザービームＬＢを照射することで、各バッファー層１９を破壊する。
【0096】
次いで、レーザービームＬＡの照射位置を紙面右向き方向（列方向Ａ２）に移動させ、図８（Ｂ）で最も左側から７番目に位置するバッファー層１９に変更する。そして、行方向Ａ１に沿ってガルバノスキャナーでレーザービームＬＢの照射位置を変えながら、各バッファー層１９を順次破壊する。
【0097】
以降、列方向Ａ２において５つの赤色ＬＥＤ１７おきに、同様に、レーザービームＬＡを照射する。これにより、電極連結工程Ｓ４０で電極１１ｃ１、１１ｃ２に連結された赤色ＬＥＤ１７と、単結晶基板１５との結合力が、ほぼ無くなる。
【0098】
バッファー層破壊工程Ｓ５０の後、アーム４６を上昇させることで、単結晶基板１５を赤色ＬＥＤ１７から剥離する（剥離工程Ｓ６０）。図９は、剥離工程Ｓ６０を示す図であり、図１０は、剥離工程Ｓ６０後における、回路基板１１に固定された複数の赤色ＬＥＤ１７を示す図である。
【0099】
回路基板１１に複数の赤色ＬＥＤ１７を設けた後、各々緑色を発する複数の緑色ＬＥＤ２３（図１１参照）を有する緑色ＬＥＤウェーハ（不図示）を用いて、回路基板１１に複数の緑色ＬＥＤ２３を設ける。
【0100】
緑色ＬＥＤウェーハ（不図示）は、略円板状の単結晶基板を有する。単結晶基板の表面上にはバッファー層を介してエピタキシャル成長層が形成されている。エピタキシャル成長層は、化合物半導体で形成されており、Ｎ型半導体層、発光層、及び、Ｐ型半導体層を含む。
【0101】
発光層は、例えば、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）を有するが、発光層の材料はこれに限定されるものではなく他の適切な材料が選択されてもよい。
【0102】
エピタキシャル成長層上には、Ｐ型半導体層に接するアノード電極層と、Ｎ型半導体層に接するカソード電極層とが、形成されている。バッファー層及びエピタキシャル成長層は、単結晶基板の表面に格子状に設定された複数の素子分離ラインに沿って切断される。
【0103】
この様にして、複数の素子分離ラインによって区画された複数の領域の各々に、緑色ＬＥＤ２３が形成される。そして、上述の様に、ＬＥＤウェーハ保持工程Ｓ１０から剥離工程Ｓ６０を経て、複数の緑色ＬＥＤ２３が回路基板１１に固定される。
【0104】
回路基板１１に複数の緑色ＬＥＤ２３を設けた後、各々青色を発する複数の青色ＬＥＤ２５（図１１参照）を有する青色ＬＥＤウェーハ（不図示）を用いて、回路基板１１に複数の青色ＬＥＤ２５を設ける。
【0105】
青色ＬＥＤウェーハ（不図示）は、略円板状の単結晶基板を有する。単結晶基板の表面上にはバッファー層を介してエピタキシャル成長層が形成されている。エピタキシャル成長層は、化合物半導体で形成されており、Ｎ型半導体層、発光層、及び、Ｐ型半導体層を含む。
【0106】
発光層は、例えば、緑色の発光層に比べてＩｎの組成比が小さいＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）を有するが、発光層の材料はこれに限定されるものではなく他の適切な材料が選択されてもよい。
【0107】
エピタキシャル成長層上には、Ｐ型半導体層に接するアノード電極層と、Ｎ型半導体層に接するカソード電極層とが、形成されている。バッファー層及びエピタキシャル成長層は、単結晶基板の表面に格子状に設定された複数の素子分離ラインに沿って切断される。
【0108】
この様にして、複数の素子分離ラインによって区画された複数の領域の各々に、青色ＬＥＤ２５が形成される。そして、上述の様に、ＬＥＤウェーハ保持工程Ｓ１０から剥離工程Ｓ６０を経て、複数の青色ＬＥＤ２５が回路基板１１に固定される。
【0109】
図１１は、それぞれ回路基板１１に固定された赤色ＬＥＤ１７、緑色ＬＥＤ２３及び青色ＬＥＤ２５を示す図である。この様にして、ＬＥＤディスプレイパネル２７が製造される。ところで、電極連結工程Ｓ４０及びバッファー層破壊工程Ｓ５０の順序は、上述の例に限定されない。バッファー層破壊工程Ｓ５０の後に、電極連結工程Ｓ４０を行ってもよい。
【0110】
本実施形態では、回路基板１１に吸収される波長を有するレーザービームＬＡを用いて電極連結工程Ｓ４０を行う。これにより、回路基板１１を透過する波長を有するレーザービームで電極連結工程Ｓ４０を行う場合に比べて、回路基板１１の設計の自由度を高くできる。
【0111】
（第２の実施形態）次に、第２の実施形態を説明する。なお、第２の実施形態以降の説明では、第１の実施形態と同じ内容を行う場合には、その内容の説明を省略することがある。第２の実施形態では、電極１１ｃ１、１１ｃ２と、アノード電極層１７ｂ、カソード電極層とが、それぞれ接触せずに、距離Ｃ（図１２（Ａ）参照）だけ離れている。
【0112】
距離Ｃは、例えば、赤色ＬＥＤウェーハ１３の反りに起因して生じる。距離Ｃは、例えば、１０μｍから２０μｍ程度の所定値である。第２の実施形態でも、まず、赤色ＬＥＤウェーハ１３及び回路基板１１を用いて、ＬＥＤウェーハ保持工程Ｓ１０、回路基板保持工程Ｓ２０及び位置付け工程Ｓ３０を行う。
【0113】
第２の実施形態では、位置付け工程Ｓ３０の後、電極連結工程Ｓ４０を行いながら、バッファー層破壊工程Ｓ５０を行う。図１２（Ａ）は、第２の実施形態の電極連結工程Ｓ４０及びバッファー層破壊工程Ｓ５０における第１工程を示す図である。
【0114】
具体的には、図１２（Ａ）で最も左側に位置する１つの電極１１ｃ１に対応する局所的な範囲をレーザービームＬＡで加熱した状態で、上方に位置するバッファー層１９をレーザービームＬＢで破壊する。これにより、赤色ＬＥＤ１７は下方に飛散して、赤色ＬＥＤ１７のアノード電極層１７ｂが加熱されている１つの電極１１ｃ１に連結される。
【0115】
その後、図１２（Ａ）で最も左側に位置する１つの電極１１ｃ２に対応する局所的な範囲をレーザービームＬＡで加熱した状態で、上方に位置するバッファー層１９をレーザービームＬＢで破壊することにより、赤色ＬＥＤ１７のカソード電極層と１つの電極１１ｃ２とを連結する。
【0116】
次いで、行方向Ａ１に沿ってガルバノスキャナーで照射位置を変えて、同様にして順次、赤色ＬＥＤ１７のアノード電極層１７ｂと１つの電極１１ｃ１とを連結し、赤色ＬＥＤ１７のカソード電極層と１つの電極１１ｃ２とを連結する。
【0117】
次いで、レーザービームＬＡの照射位置を、図１２（Ｂ）で左から７番目に位置する１つの電極１１ｃ１に対応する裏面１１ｂの領域に変える。図１２（Ｂ）は、第２の実施形態の電極連結工程Ｓ４０及びバッファー層破壊工程Ｓ５０における第２工程を示す図である。
【0118】
同様に、１つの電極１１ｃ１に対応する局所的な範囲をレーザービームＬＡで加熱した状態で、バッファー層１９をレーザービームＬＢで破壊することで、アノード電極層１７ｂを１つの電極１１ｃ１に連結する。
【0119】
この様にして、列方向Ａ２に沿って５つの赤色ＬＥＤ１７おきに、アノード電極層１７ｂを１つの電極１１ｃ１に連結し、赤色ＬＥＤ１７のカソード電極層と１つの電極１１ｃ２とを連結する。
【0120】
その後、剥離工程Ｓ６０を経て、赤色ＬＥＤウェーハ１３を回路基板１１から離す。そして、緑色ＬＥＤウェーハ及び青色ＬＥＤウェーハも同様にして、回路基板１１に緑色ＬＥＤ２３及び青色ＬＥＤ２５を連結する。
【0121】
第２の実施形態でも、回路基板１１に吸収される波長を有するレーザービームＬＡを用いて電極連結工程Ｓ４０を行う。これにより、回路基板１１を透過する波長を有するレーザービームで電極連結工程Ｓ４０を行う場合に比べて、回路基板１１の設計の自由度を高くできる。
【0122】
（第３の実施形態）第３の実施形態では、行方向Ａ１に沿って配置されている複数の赤色ＬＥＤ１７に対して、電極連結工程Ｓ４０及びバッファー層破壊工程Ｓ５０を交互に行う。
【0123】
第３の実施形態でも、まず、赤色ＬＥＤウェーハ１３及び回路基板１１を用いて、ＬＥＤウェーハ保持工程Ｓ１０、回路基板保持工程Ｓ２０を行う。その後、位置付け工程Ｓ３０を行う。
【0124】
位置付け工程Ｓ３０では、第１の実施形態と同様に、電極１１ｃ１及びアノード電極層１７ｂを接触させ、電極１１ｃ２及びカソード電極層を接触させる。位置付け工程Ｓ３０の後、電極連結工程Ｓ４０及びバッファー層破壊工程Ｓ５０を交互に行う。
【0125】
例えば、図１３（Ａ）で最も左側に位置する複数組の電極１１ｃ１、１１ｃ２に対応する裏面１１ｂの領域に、行方向Ａ１に沿ってガルバノスキャナーで照射位置を変えながらレーザービームＬＡを照射することで、複数組の電極１１ｃ１、１１ｃ２を加熱して電極連結工程Ｓ４０を行う。
【0126】
このとき、図１３（Ａ）で左から７番目に位置する複数の赤色ＬＥＤ１７に対応する各バッファー層１９に、行方向Ａ１に沿ってガルバノスキャナーで照射位置を変えながらレーザービームＬＢを照射することで、各バッファー層１９を破壊するバッファー層破壊工程Ｓ５０を行う。
【0127】
図１３（Ａ）は、第３の実施形態の電極連結工程Ｓ４０及びバッファー層破壊工程Ｓ５０における第１工程を示す図である。図１３（Ｂ）は、第３の実施形態の電極連結工程Ｓ４０及びバッファー層破壊工程Ｓ５０における第２工程を示す図である。
【0128】
第２工程では、図１３（Ｂ）で左から７番目に位置する複数組の電極１１ｃ１、１１ｃ２に対応する裏面１１ｂの領域に、行方向Ａ１に沿ってガルバノスキャナーで照射位置を変えながらレーザービームＬＡを照射することで、複数組の電極１１ｃ１、１１ｃ２を加熱して電極連結工程Ｓ４０を行う。
【0129】
このとき、図１３（Ｂ）で最も左側に位置する複数の赤色ＬＥＤ１７に対応する各バッファー層１９に、行方向Ａ１に沿ってガルバノスキャナーで照射位置を変えながらレーザービームＬＢを照射することで、各バッファー層１９を破壊するバッファー層破壊工程Ｓ５０を行う。
【0130】
この様にして、電極連結工程Ｓ４０と、バッファー層破壊工程Ｓ５０と、を交互に行うことで、回路基板１１に複数の赤色ＬＥＤ１７を固定し、且つ、複数の赤色ＬＥＤ１７と単結晶基板１５との結合力をほぼ無くした後、剥離工程Ｓ６０を行う。
【0131】
第３の実施形態でも、回路基板１１に吸収される波長を有するレーザービームＬＡを用いて電極連結工程Ｓ４０を行うので、回路基板１１を透過する波長を有するレーザービームで電極連結工程Ｓ４０を行う場合に比べて、回路基板１１の設計の自由度を高くできる。また、電極連結工程Ｓ４０及びバッファー層破壊工程Ｓ５０を同時に行うことで、工程作業時間を短縮できる。
【0132】
（第４の実施形態）第４の実施形態では、レーザービームＬＡ及びＬＢを共に、単結晶基板１５の裏面１５ｂ側へ照射する。第４の実施形態でも、まず、赤色ＬＥＤウェーハ１３及び回路基板１１を用いて、ＬＥＤウェーハ保持工程Ｓ１０、回路基板保持工程Ｓ２０及び位置付け工程Ｓ３０を行う。
【0133】
第４の実施形態のレーザー加工装置２では、レーザービームＬＡを照射するレーザービーム照射ユニット２８が、支柱２６ではなく、柱部３４又は梁部３６に設けられている。また、レーザービーム照射ユニット２８は、集光器３８の様に、保持テーブル３０の上方に配置されｆθレンズ（不図示）を含む他の集光器（不図示）を有する。
【0134】
第４の実施形態では、レーザービーム照射ユニット２８からレーザービームＬＡが、レーザービーム照射ユニット４０からＬＢが、それぞれ、赤色ＬＥＤウェーハ１３の裏面１５ｂの異なる領域に照射される。
【0135】
但し、単結晶基板１５は、サファイア又はＳｉＣで形成されているので、レーザービームＬＡが単結晶基板１５に吸収される様に、レーザービームＬＡの波長は１００ｎｍ以下の所定値に設定される。
【0136】
図１４（Ａ）は、第４の実施形態の電極連結工程Ｓ４０及びバッファー層破壊工程Ｓ５０における第１工程を示す図である。第１工程では、まず、図１４（Ａ）で最も左側に位置する赤色ＬＥＤ１７に対応するバッファー層１９をレーザービームＬＢで破壊する。
【0137】
行方向Ａ１に沿ってガルバノスキャナーで照射位置を変えながらレーザービームＬＢを照射することで、同様に、図１４（Ａ）で最も左側に位置する複数の赤色ＬＥＤ１７に対応する各バッファー層１９を破壊する。
【0138】
レーザービームＬＢの照射後、図１４（Ａ）で左から７番目に位置する赤色ＬＥＤ１７に対応する１つの電極１１ｃ１に向けてレーザービームＬＡを照射する。レーザービームＬＡは裏面１５ｂで吸収され、局所的に生じた吸収熱Ｄは、アノード電極層１７ｂを経て、１つの電極１１ｃ１に達する。
【0139】
電極連結工程Ｓ４０では、行方向Ａ１に沿ってガルバノスキャナーで照射位置を変えながらレーザービームＬＡを照射することで、図１４（Ａ）で左から７番目に位置する赤色ＬＥＤ１７に対応する各電極１１ｃ１、１１ｃ２は加熱され、各赤色ＬＥＤ１７に連結される。
【0140】
次に、図１４（Ｂ）に示す様に、レーザービームＬＡの位置と、レーザービームＬＢの位置とを、入れ替える。図１４（Ｂ）は、第４の実施形態の電極連結工程Ｓ４０及びバッファー層破壊工程Ｓ５０における第２工程を示す図である。
【0141】
図１４（Ｂ）で最も左側に位置する赤色ＬＥＤ１７に対応する１つの電極１１ｃ１に向けてレーザービームＬＡを照射して、赤色ＬＥＤ１７のアノード電極層１７ｂと、１つの電極１１ｃ１と、を連結する。
【0142】
また、行方向Ａ１に沿ってガルバノスキャナーで照射位置を変えながらレーザービームＬＡを照射することで、図１４（Ｂ）で最も左側に位置する赤色ＬＥＤ１７に対応する各電極１１ｃ１、１１ｃ２を加熱し、赤色ＬＥＤ１７に連結する。
【0143】
次に、図１４（Ｂ）で左から７番目側に位置する赤色ＬＥＤ１７に対応するバッファー層１９をレーザービームＬＢで破壊する。行方向Ａ１に沿ってガルバノスキャナーで照射位置を変えながらレーザービームＬＢを照射することで、各バッファー層１９を破壊する。
【0144】
この様にして、電極連結工程Ｓ４０と、バッファー層破壊工程Ｓ５０と、を交互に行うことで、回路基板１１に複数の赤色ＬＥＤ１７を固定し、且つ、複数の赤色ＬＥＤ１７と単結晶基板１５との結合力をほぼ無くした後、剥離工程Ｓ６０を行う。
【0145】
第４の実施形態では、単結晶基板１５に吸収される波長を有するレーザービームＬＡを用いて電極連結工程Ｓ４０を行う。これにより、回路基板１１を透過する波長を有するレーザービームで電極連結工程Ｓ４０を行う場合に比べて、回路基板１１の設計の自由度を高くできる。また、電極連結工程Ｓ４０及びバッファー層破壊工程Ｓ５０を同時に行うことで、工程作業時間を短縮できる。
【0146】
（第５の実施形態）第５の実施形態のレーザービーム照射ユニット２８は、レーザー発振器２８ａと、Ｙスキャンミラー２８ｂと、の間に配置された空間光変調器（ＳＬＭ：Spatial Light Modulator）２８ｄ（図１５参照）を更に有する。
【0147】
図１５は、第５の実施形態に係るレーザービーム照射ユニット２８を示す斜視図である。本例の空間光変調器２８ｄは、ＬＣＯＳ（liquid crystal on silicon）を有する、透過型のＬＣＯＳ－ＳＬＭである。
【0148】
しかし、空間光変調器２８ｄは、反射型のＬＣＯＳ－ＳＬＭであってもよい。また、レーザー発振器２８ａと、Ｙスキャンミラー２８ｂと、の間の光路には、リレーレンズ等の所定の光学系が設けられてもよい。
【0149】
空間光変調器２８ｄは、光の回折・干渉現象を制御することにより、レーザービームＬＡの被照射範囲内で、レーザービームＬＡのパワー密度分布を変更できる。レーザービームＬＡの被照射範囲は、例えば、上述の１ｍｍ２以上１ｃｍ２以下の円領域である。
【0150】
空間光変調器２８ｄは、複数の電極１１ｃ１、複数の電極１１ｃ２、又は、１以上の電極１１ｃ１及び１以上の電極１１ｃ２に対応する領域に、パワー密度の局所的なピークが位置する様に、レーザービームＬＡのパワー密度分布を変更できる。
【0151】
また、空間光変調器２８ｄは、レーザービームＬＡの被照射範囲内における連続的な領域にパワー密度の局所的なピークが位置する様に、レーザービームＬＡのパワー密度分布を設定することもできる。
【0152】
例えば、複数の電極１１ｃ１にわたる連続的な範囲、複数の電極１１ｃ２にわたる連続的な範囲、又は、１以上の電極１１ｃ１及び１以上の電極１１ｃ２にわたる連続的な範囲に設定できる。
【0153】
この様に、パワー密度のピーク位置のみを局所的に加熱できるので、電極１１ｃ１、１１ｃ２を構成する材料の融点、回路基板１１及び単結晶基板１５における局所的な熱伝導率の差異等を考慮した適切な加熱を実現できる。
【0154】
第５の実施形態では、レーザービーム照射ユニット４０も、レーザービーム照射ユニット２８と同様に、空間光変調器（不図示）を有する。当該空間光変調器も、レーザービームＬＢの被照射範囲内で、レーザービームＬＢのパワー密度分布を変更できる。レーザービームＬＢの被照射範囲は、例えば、直径が７０μｍ程度の円領域である。
【0155】
第５の実施形態に係るＬＥＤディスプレイパネル２７の製造方法でも、まず、赤色ＬＥＤウェーハ１３及び回路基板１１を用いて、ＬＥＤウェーハ保持工程Ｓ１０、回路基板保持工程Ｓ２０及び位置付け工程Ｓ３０を行う。
【0156】
次いで、第１の実施形態と同様に、電極連結工程Ｓ４０及びバッファー層破壊工程Ｓ５０を行う。図１６（Ａ）は、第５の実施形態の電極連結工程Ｓ４０を示す図である。
【0157】
但し、第５の実施形態の電極連結工程Ｓ４０では、空間光変調器２８ｄを利用して、図１６（Ａ）で最も左側の赤色ＬＥＤ１７と、左側から７番目の赤色ＬＥＤ１７と、に接する電極１１ｃ１に対応する範囲に、同時にレーザービームＬＡを照射する。
【0158】
これにより、２つの電極１１ｃ１を同時に加熱する。なお、行方向Ａ１に並んでいる電極１１ｃ１、１１ｃ２を同時に加熱してもよい。これらの例に限定されず、レーザービームＬＡの実質的な照射位置は、空間光変調器２８ｄの動作を適宜設定することにより調整できる。
【0159】
いずれにしても、列方向Ａ２に沿って５つの赤色ＬＥＤ１７おきに、アノード電極層１７ｂを１つの電極１１ｃ１に連結し、赤色ＬＥＤ１７のカソード電極層と１つの電極１１ｃ２とを連結する。
【0160】
第５の実施形態でも、回路基板１１を透過する波長を有するレーザービームで電極連結工程Ｓ４０を行う場合に比べて、回路基板１１の設計の自由度を高くできる。加えて、レーザービームＬＡのパワー密度分布を調整することで、設計の自由度を確保しつつ、高い生産性を実現できる。
【0161】
電極連結工程Ｓ４０の後、バッファー層破壊工程Ｓ５０を行う。図１６（Ｂ）は、第５の実施形態のバッファー層破壊工程Ｓ５０を示す図である。
【0162】
第５の実施形態のバッファー層破壊工程Ｓ５０では、空間光変調器を利用して、図１６（Ｂ）で最も左側の赤色ＬＥＤ１７と、左側から７番目の赤色ＬＥＤ１７と、に対応するバッファー層１９に、同時にレーザービームＬＢを照射する。
【0163】
これにより、バッファー層１９を同時に破壊する。また、行方向Ａ１に並んでいる複数のバッファー層１９を同時に破壊してもよい。これらの例に限定されず、レーザービームＬＢの実質的な照射位置は、空間光変調器の動作を適宜設定することにより調整できる。
【0164】
いずれにしても、列方向Ａ２に沿って５つの赤色ＬＥＤ１７おきに、バッファー層１９を破壊する。なお、バッファー層破壊工程Ｓ５０は、電極連結工程Ｓ４０の前であってもよい。
【0165】
上述の実施形態では、レーザービームＬＡが回路基板１１又は赤色ＬＥＤウェーハ１３に吸収された際に生じる熱で、電極１１ｃ１、１１ｃ２を加熱する例を説明したが、この熱は、アノード電極層１７ｂ、カソード電極層を加熱して溶融させてもよい。
【0166】
つまり、レーザービームＬＡによる加熱の対象は、電極１１ｃ１、１１ｃ２であってもよく、アノード電極層１７ｂ、カソード電極層であってもよく、電極１１ｃ１、１１ｃ２及びアノード電極層１７ｂ、カソード電極層の両方であってもよい。
【0167】
その他、上述の実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、位置付け工程Ｓ３０は、上述とは異なる方法（後述する第１から第４の変形例）で行われてもよい。
【0168】
（第１の変形例）単結晶基板１５の上方に配置されたカメラユニットを用いて、単結晶基板１５を透過する波長の光（赤外光、可視光など）で、アライメントマーク１１ｄ、１５ｄからの反射光を同時に観察しながら、回路基板１１と赤色ＬＥＤウェーハ１３との位置合わせを行うこともできる（第１の反射光方式）。
【0169】
（第２の変形例）これに代えて、回路基板１１の下方に配置されたカメラユニットを用いて、回路基板１１を透過する波長の光（赤外光など）で、アライメントマーク１１ｄ、１５ｄからの反射光を同時に観察しながら、回路基板１１と赤色ＬＥＤウェーハ１３との位置合わせを行うこともできる（第２の反射光方式）。
【0170】
（第３の変形例）また、単結晶基板１５の上方に配置されたカメラユニットと、回路基板１１及び単結晶基板１５を透過する波長の光（赤外光など）を発し、且つ、回路基板１１の下方に配置された光源と、を用いることもできる（第１の透過光方式）。
【0171】
第１の透過光方式では、回路基板１１の下方から上方に光を照射しながらカメラで透過光を観察することにより、アライメントマーク１１ｄ、１５ｄを同時に観察しながら、回路基板１１と赤色ＬＥＤウェーハ１３との位置合わせを行う。
【0172】
（第４の変形例）これに代えて、単結晶基板１５の下方に配置されたカメラユニットと、回路基板１１及び単結晶基板１５を透過する波長の光（赤外光など）を発し、且つ、回路基板１１の上方に配置された光源と、を用いることもできる（第２の透過光方式）。
【0173】
第２の透過光方式では、回路基板１１の上方から下方に光を照射しながらカメラで透過光を観察することにより、アライメントマーク１１ｄ、１５ｄを同時に観察しながら、回路基板１１と赤色ＬＥＤウェーハ１３との位置合わせを行う。
【符号の説明】
【0174】
２：レーザー加工装置、４：基台
６：ガイドレール、８：Ｘ軸移動プレート、１０：ボールねじ
１２：パルスモーター、１４：Ｘ軸方向移動ユニット
１６：ガイドレール、１８：Ｙ軸移動プレート、２０：ボールねじ
２２：パルスモーター、２４：Ｙ軸方向移動ユニット
２６：支柱、２８：レーザービーム照射ユニット、２８ａ：レーザー発振器
２８ｂ：Ｙスキャンミラー、２８ｃ：Ｘスキャンミラー、２８ｄ：空間光変調器
３０：保持テーブル、３２：基板保持フレーム（第２の保持ユニット）
３２ａ：開口、３２ｂ：段差部、３２ｃ：吸引口
３４：柱部、３６：梁部、３８：集光器、４０：レーザービーム照射ユニット
４２：ウェーハ保持ユニット（第１の保持ユニット）、４４：保持リング
４４ａ：開口、４４ｂ：段差部、４４ｃ：吸引口、４４ｄ：位置合わせ部
４６：アーム、４８：ハウジング、５０：撮像ユニット、５２：制御ユニット
１１：回路基板、１１ａ：表面、１１ｂ：裏面
１１ｃ：電極ユニット、１１ｃ１，１１ｃ２：電極、１１ｄ：アライメントマーク
１３：赤色ＬＥＤウェーハ、１５：単結晶基板、１５ａ：表面、１５ｂ：裏面
１５ｃ：オリエンテーションフラット、１５ｄ：アライメントマーク
１７：赤色ＬＥＤ、１７ａ：エピタキシャル成長層、１７ｂ：アノード電極層
１９：バッファー層、２１：素子分離ライン
２３：緑色ＬＥＤ、２５：青色ＬＥＤ、２７：ＬＥＤディスプレイパネル
Ａ１：行方向、Ａ２：列方向、Ｂ，Ｄ：吸収熱、Ｃ：距離
ＬＡ，ＬＢ：レーザービーム
６：ガイドレール、８：Ｘ軸移動プレート、１０：ボールねじ
１２：パルスモーター、１４：Ｘ軸方向移動ユニット
１６：ガイドレール、１８：Ｙ軸移動プレート、２０：ボールねじ
２２：パルスモーター、２４：Ｙ軸方向移動ユニット
２６：支柱、２８：レーザービーム照射ユニット、２８ａ：レーザー発振器
２８ｂ：Ｙスキャンミラー、２８ｃ：Ｘスキャンミラー、２８ｄ：空間光変調器
３０：保持テーブル、３２：基板保持フレーム（第２の保持ユニット）
３２ａ：開口、３２ｂ：段差部、３２ｃ：吸引口
３４：柱部、３６：梁部、３８：集光器、４０：レーザービーム照射ユニット
４２：ウェーハ保持ユニット（第１の保持ユニット）、４４：保持リング
４４ａ：開口、４４ｂ：段差部、４４ｃ：吸引口、４４ｄ：位置合わせ部
４６：アーム、４８：ハウジング、５０：撮像ユニット、５２：制御ユニット
１１：回路基板、１１ａ：表面、１１ｂ：裏面
１１ｃ：電極ユニット、１１ｃ１，１１ｃ２：電極、１１ｄ：アライメントマーク
１３：赤色ＬＥＤウェーハ、１５：単結晶基板、１５ａ：表面、１５ｂ：裏面
１５ｃ：オリエンテーションフラット、１５ｄ：アライメントマーク
１７：赤色ＬＥＤ、１７ａ：エピタキシャル成長層、１７ｂ：アノード電極層
１９：バッファー層、２１：素子分離ライン
２３：緑色ＬＥＤ、２５：青色ＬＥＤ、２７：ＬＥＤディスプレイパネル
Ａ１：行方向、Ａ２：列方向、Ｂ，Ｄ：吸収熱、Ｃ：距離
ＬＡ，ＬＢ：レーザービーム
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】