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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-01
(45)【発行日】2024-11-12
(54)【発明の名称】後面及び／若しくは前面、並びに／又はバルクの欠陥の同時検出
(51)【国際特許分類】
G01N 21/956 20060101AFI20241105BHJP
H01L 21/66 20060101ALI20241105BHJP
【ＦＩ】
G01N21/956 A
H01L21/66 J
【請求項の数】
15
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2022184761
(22)【出願日】2022-11-18
(65)【公開番号】P2023075070
(43)【公開日】2023-05-30
【審査請求日】2023-03-20
(31)【優先権主張番号】63/280,949
(32)【優先日】2021-11-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】17/980,468
(32)【優先日】2022-11-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】516312501
【氏名又は名称】オントゥー イノヴェイション インコーポレイテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100103610
【弁理士】
【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【識別番号】100067013
【弁理士】
【氏名又は名称】大塚 文昭
(74)【代理人】
【識別番号】100086771
【弁理士】
【氏名又は名称】西島 孝喜
(74)【代理人】
【氏名又は名称】上杉 浩
(74)【代理人】
【識別番号】100120525
【弁理士】
【氏名又は名称】近藤 直樹
(74)【代理人】
【識別番号】100139712
【弁理士】
【氏名又は名称】那須 威夫
(74)【代理人】
【識別番号】100151987
【弁理士】
【氏名又は名称】谷口 信行
(72)【発明者】
【氏名】フェリックス モールマン
(72)【発明者】
【氏名】マーク ヴァーナー
(72)【発明者】
【氏名】アンドリュー フィリップ フレイザー
【審査官】井上 徹
(56)【参考文献】
【文献】特開２００８－０３２４３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２００１－５１６８７４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－１４５１４１（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０２５３２５６（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２００４／００１２７７５（ＵＳ，Ａ１）
【文献】中国特許出願公開第１０７９７６４２２（ＣＮ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０１Ｎ ２１／００－２１／０１
Ｇ０１Ｎ ２１／１７－２１／６１
Ｇ０１Ｎ ２１／８４－２１／９５８
Ｇ０１Ｂ １１／００－１１／３０
Ｈ０１Ｌ ２１／６４－２１／６６
Ｇ０６Ｔ ７／００－ ７／９０
ＪＳＴＰｌｕｓ／ＪＭＥＤＰｌｕｓ／ＪＳＴ７５８０（ＪＤｒｅａｍＩＩＩ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板検査のための検査システムであって、前記検査システムが、第１の角度で基板に向けられ、前記基板の第１の表面上の第１の場所に集束される第１の波長の光を生成し、前記基板の第１の表面に対して斜角である第２の角度で前記基板に向けられた第２の波長の光を生成する少なくとも１つの照明器と、
前記第２の角度を前記第１の角度とは独立に調整して、前記第２の波長の前記光を、前記第１の表面とは異なる前記基板の第２の表面上の指定された場所に集束させる調整システムと、
前記少なくとも１つの照明器からの前記光に応答して前記基板からの後方散乱光を集める検出光学系と、
第１のスペクトルの前記後方散乱光を受光し、前記第１の表面を表す第１の画像を生成し、第２のスペクトルの前記後方散乱光を受光して前記基板の第２の表面又は前記第２の表面近くを表す第２の画像を生成する少なくとも１つの検出器と、を備える、検査システム。
【請求項2】
前記基板が、前記第１の波長の前記光に対して不透明であり、前記第２の波長の前記光に対して少なくとも部分的に透明である、請求項１に記載の検査システム。
【請求項3】
前記検出光学系が、前記第１の表面からの前記後方散乱光、及び前記第２の表面又は前記第２の表面近くからの前記後方散乱光を集める楕円ミラーであって、前記楕円ミラーが、中を通って前記第２の波長の前記光が前記第２の角度で前記基板に向けられる第１の開口と、中を通って、前記基板によって反射された前記第２の波長の光が前記楕円ミラーを出る第２の開口と、を備えるか、又は前記第２の波長の前記光が、前記楕円ミラーと前記基板の前記第１の表面との間で前記第２の角度で前記基板に向けられる、楕円ミラーと、
前記楕円ミラーによって集められた前記後方散乱光を前記少なくとも１つの検出器に向かって向ける少なくとも１つの折り返しミラーであって、前記少なくとも１つの折り返しミラーが、中を通って前記第１の波長の前記光が前記第１の角度で前記基板に向けられる開口を備える、少なくとも１つの折り返しミラーと、を備える、請求項１に記載の検査システム。
【請求項4】
前記第１の角度が、前記第１の表面に対して垂直な又は垂直に近い角度であり、前記第２のスペクトルの前記後方散乱光が、前記第２の角度で前記基板に向けられた前記第２の波長の前記光によって生み出される、請求項１に記載の検査システム。
【請求項5】
前記第１のスペクトルが可視波長を含み、前記第２のスペクトルが赤外波長を含み、前記第１の波長が可視波長であり、前記第２の波長が赤外波長である、請求項１に記載の検査システム。
【請求項6】
前記少なくとも１つの検出器が、前記第１のスペクトルの前記後方散乱光を受光する第１の検出器と、
前記第２のスペクトルの前記後方散乱光を受光する第２の検出器と、
前記後方散乱光を受光し、前記第１のスペクトルの前記後方散乱光を前記第１の検出器に向け、前記第２のスペクトルの前記後方散乱光を前記第２の検出器に向ける色フィルタと、を備える、請求項１に記載の検査システム。
【請求項7】
前記調整システムが、前記第２の角度を調整して、前記第１の場所と共有される前記基板のｚ軸上にある、前記第２の表面上の前記指定された場所に前記第２の波長の前記光を集束させる、請求項１に記載の検査システム。
【請求項8】
前記調整システムが、前記第２の角度を調整するためにミラーに結合されたアクチュエータを含む、請求項１に記載の検査システム。
【請求項9】
前記第１の画像と前記第２の画像との比較に基づいて、前記第１の表面上の欠陥の残留信号について補正された前記基板の前記第２の表面の上又は近くの欠陥を表す第３の画像を生成するプロセッサ、を更に備える、請求項１に記載の検査システム。
【請求項10】
第１の角度で基板に向けられ、前記基板の第１の表面上の第１の場所に集束される第１の波長の光を生成することと、前記基板の第１の表面に対して斜角である第２の角度で前記基板に向けられた第２の波長の光を生成することと、
前記第２の波長の前記光を、前記第１の表面とは異なる前記基板の第２の表面上の指定された場所に集束させるように前記第２の角度を前記第１の角度とは独立に調整することと、
前記第１の波長及び前記第２の波長の前記光に応答して、前記基板からの後方散乱光を集めることと、
第１のスペクトルの前記後方散乱光に基づいて、前記第１の表面を表す第１の画像を生成することと、
第２のスペクトルの前記後方散乱光に基づいて、前記基板の第２の表面又は前記第２の表面近くを表す第２の画像を生成することと、を含む、方法。
【請求項11】
前記基板が、前記第１の波長の前記光に対して不透明であり、前記第２の波長の前記光に対して少なくとも部分的に透明である、請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
前記基板からの前記後方散乱光を集めることが、前記第１の表面からの前記後方散乱光、及び前記第２の表面又は前記第２の表面近くからの前記後方散乱光を、楕円ミラーを用いて受光することであって、前記楕円ミラーが、中を通って前記第２の波長の前記光が前記第２の角度で前記基板に向けられる第１の開口と、中を通って、前記基板によって反射された前記第２の波長の光が前記楕円ミラーを出る第２の開口と、を備えるか、又は前記第２の波長の前記光が、前記楕円ミラーと前記基板の前記第１の表面との間で前記第２の角度で前記基板に向けられることと、
中を通って前記第１の波長の前記光が前記第１の角度で前記基板に向けられる開口を備える少なくとも１つの折り返しミラーを用いて、前記楕円ミラーによって集められた前記後方散乱光を少なくとも１つの検出器に向かって向けることと、を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項13】
前記第１の角度が、前記第１の表面に対して垂直な又は垂直に近い角度であり、前記第１の波長が可視波長であり、前記第２の波長が赤外波長であり、前記第２のスペクトルの前記後方散乱光が、前記第２の角度で前記基板に向けられた前記第２の波長の前記光によって生み出される、請求項１０に記載の方法。
【請求項14】
前記第２の角度を調整することが、前記第１の場所と共有される前記基板のｚ軸上にある、前記第２の表面上の前記指定された場所に前記第２の波長の前記光を集束させるように前記第２の角度を調整することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項15】
前記第１の画像と前記第２の画像との比較に基づいて、前記第１の表面上の欠陥の残留信号について補正された前記基板の前記第２の表面の上又は近くの欠陥を表す第３の画像を生成することを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
（関連出願の相互参照）
本出願は、全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０２１年１１月１８日に出願された「ＳＩＭＵＬＴＡＮＥＯＵＳ ＢＡＣＫ ＡＮＤ／ＯＲ ＦＲＯＮＴ ＡＮＤ／ＯＲ ＢＵＬＫ ＤＥＦＥＣＴ ＤＥＴＥＣＴＩＯＮ」と題した米国特許仮出願第６３／２８０，９４９号に対する３５ ＵＳＣ １１９の下での優先権を主張するものである。
本出願は、全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０２１年１１月１８日に出願された「ＳＩＭＵＬＴＡＮＥＯＵＳ ＢＡＣＫ ＡＮＤ／ＯＲ ＦＲＯＮＴ ＡＮＤ／ＯＲ ＢＵＬＫ ＤＥＦＥＣＴ ＤＥＴＥＣＴＩＯＮ」と題した米国特許仮出願第６３／２８０，９４９号に対する３５ ＵＳＣ １１９の下での優先権を主張するものである。
【0002】
（発明の分野）
本開示は、概して、検査システムに関し、特に、サブミクロン感度で後面、前面、及び／又はバルクの欠陥を同時に検出する高スループット基板検査システムに関する。
本開示は、概して、検査システムに関し、特に、サブミクロン感度で後面、前面、及び／又はバルクの欠陥を同時に検出する高スループット基板検査システムに関する。
【背景技術】
【0003】
半導体及び他の同様の産業では、加工中に基板の非接触評価を提供するために光計測装置を使用することが多い。光学計測は、サンプル又はサンプル上の特徴のうちの１つ以上の特性を決定するためにしばしば使用される。サンプルの別のタイプの評価は、欠陥検査である。サンプル上の粒子又は他の不規則性などの欠陥は、結果として得られるデバイスの性能を妨げる可能性がある。従来、欠陥を検出するために使用される光学ツールは、明視野及び暗視野検査を使用する。明視野及び暗視野検出ツールは、欠陥によって引き起こされる光の散乱に基づいて欠陥を検出する。欠陥検査に使用される光学ツールの改良が望まれている。
【発明の概要】
【0004】
基板の複数の表面を検査するための検査システムは、第１の角度で基板に向けられる第１の波長の光、斜角で基板に向けられる第２の波長の光を生み出す少なくとも１つの照明器を含む。斜角を調整するために、調整システムが存在してもよい。基板は、波長のうちの一方に対して不透明であり、他方の波長に対して少なくとも部分的に透明であり得る。検出光学系は、光に応答して基板の第１の表面及び第２の表面からの後方散乱光を集める。少なくとも１つの検出器が、後方散乱光を受光し、基板の第１の表面を表す第１の画像、及び基板の第２の表面又は第２の表面近くを表す第２の画像を生成する。画像を比較して、第１の表面上の欠陥の残留信号について補正された基板の第２の表面の上又は近くの欠陥を表す第３の画像を生成することができる。
【0005】
一実装形態では、基板検査のための検査システムは、第１の角度で基板に向けられた第１の波長の光を生成し、基板の第１の表面に対して斜角である第２の角度で基板に向けられた第２の波長の光を生成する少なくとも１つの照明器を含む。検査システムにおける調整システムは、第２の角度を調整して、第２の波長の光を指定された場所に集束させる。検査システムは、少なくとも１つの照明器からの光に応答して基板からの後方散乱光を集める検出光学系を含む。検査システムは、第１のスペクトルの後方散乱光を受光し、基板の第１の表面を表す第１の画像を生成し、第２のスペクトルの後方散乱光を受光して基板の第２の表面又は第２の表面近くを表す第２の画像を生成する少なくとも１つの検出器を更に含む。
【0006】
一実装形態では、基板を検査するための方法は、第１の角度で基板に向けられた第１の波長の光を生成することと、基板の第１の表面に対して斜角である第２の角度で基板に向けられた第２の波長の光を生成することとを含む。第２の角度は、第２の波長の光を指定された場所に集束させるように調整され得る。後方散乱光は、第１の波長及び第２の波長の光に応答して基板から集められる。本方法は、第１のスペクトルの後方散乱光に基づいて基板の第１の表面を表す第１の画像を生成することと、第２のスペクトルの後方散乱光に基づいて基板の第２の表面又は第２の表面近くを表す第２の画像を生成することとを含む。
【0007】
一実装形態では、検査システムは、第１の角度で基板に向けられた第１の波長の光を生成するための手段と、基板の第１の表面に対して斜角である第２の角度で基板に向けられた第２の波長の光を生成するための手段とを含む。検査システムは、第２の波長の光を指定された場所に集束させるように第２の角度を調整するための手段を含む。集めるための手段は、第１の波長及び第２の波長の光に応答して基板からの後方散乱光を集める。検査システムは、第１のスペクトルの後方散乱光に基づいて、基板の第１の表面を表す第１の画像を生成するための手段と、第２のスペクトルの後方散乱光に基づいて、基板の第２の表面又は第２の表面近くを表す第２の画像を生成するための手段とを更に含む。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1A】それぞれ、前面検査構成及び後面検査構成における検査システムの例を示す。
【図1B】それぞれ、前面検査構成及び後面検査構成における検査システムの例を示す。
【図2】２つの異なる波長の光を使用して基板の複数の表面を同時に検査するための２つのチャネルを含む検査システムの部分を示す。
【図3A】それぞれ、第１の波長を有する光に応答して生み出された基板の第１の表面の画像（欠陥マップ）及び第２の波長を有する光に応答して生み出された基板の第２の表面の画像（欠陥マップ）を示す。
【図3B】それぞれ、第１の波長を有する光に応答して生み出された基板の第１の表面の画像（欠陥マップ）及び第２の波長を有する光に応答して生み出された基板の第２の表面の画像（欠陥マップ）を示す。
【図4】検査システムの検出光学系の一部の詳細図を示す。
【図5】検査システムの検出光学系の一部の詳細図を示す。
【図6】基板を検査するための方法を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
光学システムは、様々な検査用途に用いることができる。例えば、半導体及び他の同様の産業では、加工中に基板の非接触評価を提供するために光計測装置を使用することが多い。半導体ウェハなどのサンプルは、例えば、サンプルを照明し、サンプルからの後方散乱光を検出することによって、サンプル上の欠陥を検出するために、処理中に検査され得る。検査システムの１つの重要な性能基準はスループットであり、これはサンプルが典型的には処理中に検査されるからである。しかしながら、検査システムは、典型的には、スループットに関して制限される。例えば、検査システムは、典型的には、サンプルの前側又は後側のいずれかを一度に検査する。したがって、１つを超える表面の検査は、検査時間を増加させ、それによってスループットを低減し、基板との接触を最小限に抑えることは、それによって基板の清浄度を改善する。
【0010】
本明細書で説明するように、高スループットを維持しながら、サンプルの後側、サンプルの前側、及びサンプル（例えば、半導体ウェハ）のバルク特性のうちの２つ以上の同時検査を可能にすることによって、検査システム及び設計に対する改善が提供される。検査システムは、例えば、２つのチャネルを含むことができ、第１のチャネルは、基板の第１の表面上の欠陥を検出するために第１の角度で基板に向けられた第１の波長を有する光を使用することができ、第２のチャネルは、基板の第２の表面上の又は近くの欠陥を検出するために斜角である第２の角度で基板に向けられた第２の波長を有する光を使用することができる。第２の波長を有する光を指定された場所に集束させるように第２の角度を調整するために、調整システムが存在し得る。第１の波長は、対象物の近位／近表面（例えば、ウェハの後側）などの第１の表面上の欠陥を検出するために可視スペクトル内にあってもよく、第２の波長は、対象物の遠位／対向表面（ウェハの前側）の上又は近くの欠陥及び／又はバルク特性を検出するために赤外又は近赤外スペクトル内にあってもよい。第１の波長を有する光は、基板に対して垂直な又は垂直に近い角度に向けられてもよい。
【0011】
本明細書に記載の技術は、照明の二次的な異なる波長セット及び二重目的の欠陥検査に使用され得る検出器を追加する。対象の基板が不透明になるように一次波長を（例えば、可視スペクトル内で）設定し、一方、対象の基板が少なくとも部分的に透明になるように二次波長を（例えば、赤外又は近赤外スペクトル内で）設定することによって、一次波長は近表面上の欠陥検査に使用され得、二次波長は対向表面上の欠陥検査又はバルク特性の測定に使用され得る。加えて、一次及び二次チャネルの両方の比較は、検出された欠陥が近表面上に位置するか（この場合、両方のチャネルが信号を受信する）、又はバルク若しくは対向表面に位置するか（この場合、二次チャネルのみが信号を受信する）を決定することができる。
【0012】
図１Ａは、従来の前面検査構成における検査システム１００の例示的な部分を示す。検査システム１００は、例えば照明デバイス及び検出器を含む検査ヘッド１０１を含む。検査ヘッド１０１は、ウェハ１０２の前面１０４を照明し、前面１０４上の欠陥からの後方散乱光を検出する。検査ヘッド１０１は、照明してウェハの表面近くから後方散乱光を検出するので、検査ヘッド１０１は、ウェハ１０２を透過しない波長（例えば、可視スペクトルの）を使用することができ、すなわち、ウェハ１０２は、検査ヘッド１０１によって使用される波長に対して不透明である。検査システム１００は、ウェハ１０２を保持し、検査中にウェハ１０２を回転させる（曲線矢印１０６によって示されるように）ための回転ウェハチャック（図示せず）を含み得る。例えば、チャックは後側真空チャックとして提供されてもよい。検査ヘッド１０１は加えて、例えば、中心から半径方向外向きに（矢印１０８によって示されるように）ウェハ１０２を横切って走査し得る。検査ヘッド１０１は、例えば、アーム又はトラック上にあってもよい。
【0013】
図１Ｂは、後面検査構成における検査システム１５０の例示的な部分を示す。検査システム１５０は、例えば、照明デバイス及び検出器を含む検査ヘッド１５１（図１Ａに示される検査ヘッド１０１と同様）を含む。検査ヘッド１５１は、ウェハ１５２の後面１５４を照明し、後面１５４上の欠陥からの後方散乱光を検出する。検査ヘッド１０１と同様に、検査ヘッド１５１は、照射してウェハの表面近くから後方散乱光を検出するので、検査ヘッド１５１は、ウェハ１５２を透過しない波長（例えば、可視スペクトルの）を使用することができ、すなわち、ウェハ１５２は、検査ヘッド１５１によって使用される波長に対して不透明である。検査システム１５０は、ウェハ１５２を保持し、検査中にそれを回転させる（曲線矢印１５６によって示されるように）ための回転ウェハチャック１５５を含み得る。例えば、チャック１５５は、エッジクランプとして提供されてもよく、エッジクランプは、ウェハ１５２の背後にクリアランスを提供してもよい。検査ヘッド１５１は、例えば、中心から半径方向外向きに（矢印１５８によって示されるように）ウェハ１５２を横切って走査し得る。
【0014】
上述したように、図１Ａ及び図１Ｂに示されるような従来の検査システムを使用すると、基板の１つの表面のみが一度に検査される。その結果、上面及び底面の両方が検査される場合、基板の一方の表面は、他方の表面が検査され得る第２の検査システムに基板を移送する前に、１つの検査システムによって検査される。その結果、検査時間が増加し、スループットを低下させ、ウェハ接触を増加させ、汚染のリスクを高める。
【0015】
図２は、２つの異なる波長の光を使用して基板２０２の複数の表面を同時に検査するための２つのチャネルを含む検査システム２００の断面の例示的な部分を示す。検査システム２００は、エッジクランプチャック２０５を有する後面検査構成で示されているが、いくつかの実装形態では、検査システム２００は、例えば、後側真空チャックを有する前面検査構成で提供されてもよい。
【0016】
検査システム２００は、異なる入射角で基板２０２に入射する異なる波長の光を生成する少なくとも１つの照明器を含む。例えば、図示されるように、検査システム２００は、基板２０２の底面２０４に垂直又は垂直に近い入射角で入射する、第１の波長を有する光２１２を生成する第１の光源２１０を有する第１のチャネルと、基板２０２の底面２０４に斜めの入射角で入射する、第２の波長を有する光２２２を生成する第２の光源２２０を有する第２のチャネルとを含む。所望であれば、異なる波長を有する光を生成する単一の光源が使用されてもよく、例えば、色ビームスプリッタを使用して、第１の波長を有する光が第１のチャネルに沿って向けられてもよく、第２の波長を有する光が第２のチャネルに沿って向けられてもよい。
【0017】
第１のチャネルにおける第１の光源２１０は、例えば、レーザ又は他の適切な高輝度光源であり得る。第１の光源２１０は、可視スペクトル内であり得る第１の波長で動作する。第１の波長は、検査される基板２０２の材料の表面特性に基づいて選択され得る。例えば、第１の光源２１０は、シリコンウェハに対して、例えば４００～７００ｎｍの光を生み出し得る。第１の光源２１０と、検出光学系２３０並びに集束光学系（図示せず）の折り返しミラー２１１及び折り返しミラー２３４などの光学要素とは、第１の光源２１０によって生み出された光２１２が、検査されている基板２０２に対して垂直の入射角又は垂直に近い入射角であるように構成され得る。いくつかの実装形態では、第１の光源２１０及び光学要素は、光２１２が法線からわずかにずれる（例えば、法線に対して０～１０°オフセットする）ように取り付けられ得る。第１の光源２１０によって生成される第１の波長は、基板２０２が光２１２に対して不透明であるように選択され、したがって、第１の光源２１０は、図２に示される例では基板２０２の後面である基板２０２の近位面２０４上の欠陥を検出するために使用される。
【0018】
第２のチャネルにおける第２の光源２２０は、例えば、レーザ又は他の適切な高輝度光源であり得る。第２の光源２２０は、赤外スペクトル又は近赤外スペクトル内であり得る第２の波長で動作する。第２の波長は、検査される基板２０２の材料の透過率特性に基づいて選択され得る。例えば、第２の光源２２０は、シリコンウェハを検査するために、例えば７００～１４００ｎｍの光を生み出し得る。第２の光源２２０及び集束光学系（図示せず）などの任意の光学要素は、第２の光源２２０によって生み出された光２２２が基板２０２に対して斜めの入射角で入射するように取り付けられ得る。第２の光源２２０によって生成される第２の波長は、基板２０２が光２２２に対して少なくとも部分的に透明であるように選択され、したがって、第２の光源２２０は、図２に示される例では基板２０２の前面である基板２０２の遠位／対向表面２０６の上又は近くの欠陥を検出するために、又は近位面２０４と遠位／対向表面２０６との間のバルク内の欠陥を検出するために使用される。例えば赤外又は近赤外スペクトルの第２の波長は、基板２０２を透過し、したがって、材料の体積内及び／又は遠位／対向表面２０６上若しくはその近くの欠陥を検出するために使用することができる。したがって、第１の光源２１０及び第２の光源２２０は、基板２０２の前面、後面、及びバルク上の欠陥を検出するために、基板２０２の同じ場所で同時に動作し得る。
【0019】
第１の光源２１０は、本明細書では垂直又は垂直に近い光を生み出すものとして説明されているが、いくつかの実装形態では、光源２１０は、斜角で基板２０２に入射する光２１２を生み出し得ることを理解されたい。更に、いくつかの実装形態では、第２の光源２２０は、垂直又は垂直に近い光２２２を生み出すように取り付けられてもよく、これは、バルク欠陥を検出するのを助け得る。更に、いくつかの実装形態では、第１の光源２１０及び第２の光源２２０は、基板２０２の異なる側に取り付けられてもよい。例えば、第１の光源２１０は、図示されるように、可視スペクトルにおいて後面の表面検査を実行するために、基板２０２の後側に取り付けられてもよく、一方、第２の光源２２０は、赤外スペクトルにおいて表面及びバルク検査を実行するために、基板２０２の上側に取り付けられてもよい。
【0020】
検査システム２００は、基板２０２からの後方散乱光を集める検出光学系２３０を更に含む。第１のチャネル及び第２のチャネルの両方は、図４を参照して以下に説明されるように、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向に制限された焦点を有し得る同じ検出光学系２３０を使用し得る。図示されるように、検出光学系２３０は、楕円ミラー２３２及び１つ以上の折り返しミラー２３４を含み得る。楕円ミラー２３２は、両方のチャネルからの後方散乱光、例えば、光２１２に応答して基板２０２の近位面２０４によって生み出された後方散乱光２１４と、光２２２に応答して基板２０２の遠位／対向表面２０６又はバルク材料によって生み出された後方散乱光２２４（基板２０２の近位面２０４からのいくらかの後方散乱光を含み得る）と、を集めることができる。折り返しミラー２３４は、集められた後方散乱光を１つ以上の検出器に向け直し得る。図示されるように、検出光学系２３０の折り返しミラー２３４は、光２１２が通過して基板２０２に垂直に入射し得る開口２３５を含む。いくつかの実装形態では、検出光学系２３０の楕円ミラー２３２は、２つのスリットを含み得、１つのスリットは、光２２２が基板２０２まで通過するために設けられ、第２のスリットは、基板２０２から反射された光２２２が通過するために設けられる。
【0021】
本明細書で説明される例は、集められた後方散乱光が欠陥を表す暗視野撮像の使用に言及する場合があるが、いくつかの実装形態では、強度が低減された集められた反射光が欠陥を表し得る明視野撮像もまた若しくは代替的に使用され得ることを理解されたい。
【0022】
検査システム２００は、後方散乱光を受光し、基板２０２の表面を表す画像を生成する少なくとも１つの検出器を更に含む。例えば、図示されるように、検査システム２００は、開口２４２を通過した後の折り返しミラー２３４からの後方散乱光２１４及び２２４を受光し、波長に基づいて後方散乱光２１４及び２２４を分離する色フィルタ２４０を含む。入射光２１２に応答して生み出される後方散乱光２１４は、１つ以上の可視波長を含む第１のスペクトル内にあり得、入射光２２２に応答して生み出される後方散乱光２２４は、１つ以上の赤外又は近赤外波長を含む第２のスペクトル内にあり得る。色フィルタ２４０は、例えば、第１のチャネル内の第１の光源２１０からの光２１２に応答して後方散乱光２１４を第１の検出器２１６に向け、第２のチャネル内の第２の光源２２０からの光２２２に応答して後方散乱光２２４を第２の検出器２２６に向けるダイクロイックフィルタであってもよい。したがって、１つの開口２４２が検出器２１６及び２２６の両方に使用され得る。いくつかの実装形態では、色フィルタ２４０は、各検出器２１６、２２６の焦点の前に位置されてもよく、図２に示す単一の開口２４２とは対照的に、別個の開口が各検出器２１６、２２６に使用されてもよい。独立した開口の使用は、例えば、後方散乱光２１４及び２２４が基板の異なるｚ位置で発生し、したがって異なる焦点を有するので有用であり得る。しかしながら、両方の検出器２１６、２２６に対して単一の開口２４２を使用することは、アーキテクチャを単純化し、空間を低減し、堅牢性を改善するので、わずかな影響があっても望ましい場合がある。
【0023】
色フィルタ２４０は、後方散乱光を異なるスペクトルに分離し得る。例えば、色フィルタ２４０は、可視光を第１の検出器２１６に通過させ、赤外光を第２の検出器２２６に反射することを可能にし得る。いくつかの実装形態では、色フィルタ２４０は、可視光を反射し得、赤外光を通過させ得る。他の実装形態では、色フィルタ２４０は、後方散乱光の波長を分離し得る回折素子と置き換えられてもよく、後方散乱光は、単一の二次元検出器の異なる部分に向けられ、それによって検出される。
【0024】
いくつかの例では、開口を使用して、後方散乱光を集束させることができる。例えば、開口は、楕円ミラーのＸ、Ｙ焦点を更に制限し得る。開口が小さければ小さいほど、Ｘ、Ｙ焦点はより制限される。開口は、Ｘ、Ｙ焦点を増加させるために、色フィルタ２４０の前又は後に配置されてもよい。
【0025】
第１の検出器２１６は、例えば可視スペクトルの光を検出するように構成され得る。例えば、第１の検出器２１６は、アバランシェフォトダイオード又は光電子増倍管を含み得る。第２の検出器２２６は、赤外スペクトルの光を検出するように構成され得る。例えば、第２の検出器２２６は、赤外線に敏感なインジウムガリウムヒ素（indium gallium arsenide、ＩｎＧａＡｓ）フォトダイオードなどの赤外線動作に適したアバランシェフォトダイオードを含み得る。
【0026】
第１の検出器２１６（プロセッサと組み合わせて）は、基板２０２の近位（後）面２０４上の欠陥を示す画像を生成し得る。第２の検出器２２６は（プロセッサと組み合わせて）は、基板２０２の遠位（前）面２０６の上又は近くの、若しくはバルク内の欠陥を示す画像を生成し得る。検査システム２００によって検査される基板２０２のＸ、Ｙ位置に対して、検査システム２００は２つの別個の信号を生成し、１つは、第１の光２１２に応答して生み出される後方散乱光２１４に対するものであり、第２は、第２の光２２２に応答して生み出される後方散乱光２２４に対するものである。
【0027】
加えて、いくつかの実装形態では、検査システム２００は、第２の光源２２０からの光２２２の角度を調整して、光２２２を基板２０２の指定された場所に集束させる調整システム２５０を含むことができる。図示されるように、第２の光源２２０からの光２２２は、調整システム２５０を使用して、斜めの入射角に向け直され得る。調整システム２５０は、検査性能（例えば、感度、再現性）を改善するために使用され得、かつ検査システム２００の構築及び較正中の物理的アライメント制約を緩和する。調整システム２５０は、例えば、光２２２の入射エリアを、例えば光２１２の入射エリアと適切に位置合わせするために、較正中に使用され得る。調整システム２５０は、基板２０２の検査中に動的に動作して、そうでなければ信号の再現性を低下させる可能性がある基板の変形又はミスアライメントを均等化し得る。調整システム２５０は、例えば、１つ以上の可動ミラーを含み得る。図示されるように、第１のミラー２５２（例えば、４５°ミラー）は、光２２２を第２のミラー２５４に向け直すことができる。第２のミラー２５４は、コンピューティングシステム２６０などのコンピューティングシステム、又はアライメントセンサ２５８に埋め込まれたＦＰＧＡ若しくはロジックなどの別のコントローラによって制御され得るアクチュエータ２５６（例えば、圧電体）に結合され得る。第２のミラー２５４の向きは、ランタイム中に自動的に調整されて、基板２０２内の特定のスポット上に、例えば、ｚ軸に沿って基板２０２内で変化し得る遠位面２０６に、第２の光源２２０を合焦された状態に保ち得る。いくつかの基板２０２は、例えば、第２の光源２２０が検査中に調整されて焦点を基板２０２の指定されたｚ軸位置に保つことができるように変形されてもよい。調整は、基板２０２から反射された光２２２を検出するアライメントセンサ２５８の出力に基づいて行われ得る。このアライメントセンサ２５８は、例えば、一次元センサとして提供され得、反射光の位置を測定し得る。別の実装形態では、カメラシステムが、関心領域を（垂直入射又は斜め入射から）監視するか、又は光２２２が基板に入射する位置を測定することができる。反射光の測定された位置に基づいて、第２のミラー２５４は、基板２０２の指定された場所に光２２２を集束させるように調整され得る。更に、検出光学系の楕円ミラーは、２つのスリットを含み得、１つのスリットは、光２２２が基板２０２まで通過するために設けられ、第２のスリットは、反射光が楕円ミラー２３２を出てアライメントセンサ２５８に到達するために設けられる。
【0028】
検査システム２００は、本明細書で説明されるように基板２０２の検査を実行するように構成された１つ以上のコンピューティングシステム２６０を更に含む。１つ以上のコンピューティングシステム２６０は、基板２０２の検査中に検出器２１６、２２６によって取得された検査データを受信するために、第１の検出器２１６及び第２の検出器２２６に結合されている。１つ以上のコンピューティングシステム２６０は、例えば、ワークステーション、パーソナルコンピュータ、中央処理ユニット又は他の適切なコンピュータシステム、若しくは複数のシステムであり得る。１つ以上のコンピューティングシステム２６０は、例えば本明細書に記載の方法に従って、検査プロセスを制御し、並びに検査データを分析するように構成され得る。
【0029】
１つ以上のコンピューティングシステム２６０は、単一のコンピュータシステム又は複数の別個の若しくはリンクされたコンピュータシステムであってもよく、本明細書ではコンピューティングシステム２６０、少なくとも１つのコンピューティングシステム２６０、１つ以上のコンピューティングシステム２６０と互換的に呼ばれることがあることを理解されたい。コンピューティングシステム２６０は、検査システム２００に含まれてもよく、又は接続されてもよく、又は他の方法で関連付けられてもよい。検査システム２００の異なるサブシステムは各々、関連するサブシステムに関連付けられたステップを実行するように構成されたコンピューティングシステムを含み得る。例えば、コンピューティングシステム２６０は、例えばチャック２０５に結合されたステージ２０７の移動を制御することによって、検査ヘッド、例えば検査システム２００の光学要素の移動を制御することによって、又は、例えば１つ以上のアクチュエータを介してステージ２０７及び検査ヘッドの両方の移動を制御することによって、基板２０２の位置決めを制御し得る。ステージ２０７及び／又は検査ヘッドは、例えば、デカルト（すなわち、Ｘ及びＹ）座標、又は極（すなわち、Ｒ及びθ）座標、若しくは２つの何らかの組み合わせのいずれかで水平方向の運動が可能であり得る。いくつかの実装形態では、例えば、ステージ２０７は回転（Ｒ）移動され、一方、検査ヘッドは横方向（θ）に移動される。ステージ２０７及び／又は検査ヘッド、例えば検査システム２００の光学構成要素は、Ｚ座標に沿った垂直運動も可能であり得る。Ｚ座標に沿った検査ヘッドの垂直運動は、後側真空チャックを用いた前側検査において異なる基板タイプ又は厚さへの採用に特に有用であり得る。コンピューティングシステム２６０は、チャック２０５の動作を更に制御して、基板２０２を保持又は解放してもよい。
【0030】
コンピューティングシステム２６０は、当技術分野で知られている任意の様態で、第１の検出器２１６及び第２の検出器２２６に通信可能に結合され得る。例えば、１つ以上のコンピューティングシステム２６０は、検出器２１６、２２６に関連付けられた別個のコンピューティングシステムに結合されてもよい。コンピューティングシステム２６０は、検査システム２００の１つ以上のサブシステム、例えば検出器２１６、２２６から検査データ又は情報を受信及び／又は取得するように構成され得る。したがって、伝送媒体が、コンピューティングシステム２６０と検査システム２００の他のサブシステムとの間のデータリンクとして機能し得る。
【0031】
コンピューティングシステム２６０は、メモリ２６４と共に少なくとも１つのプロセッサ２６２、並びにユーザインターフェース（user interface、ＵＩ）２６８を含み、これらはバス２６１を介して通信可能に結合されている。メモリ２６４又は他の非一時的コンピュータ使用可能記憶媒体は、その中に具現化されたコンピュータ可読プログラムコード２６６を含み、本明細書で説明するように、第２の光２２２の角度を調整し、検出器２１６及び２２６によって提供される検査データに基づいて基板の複数の表面の画像を生成及び分析して、欠陥を検出し、検出された欠陥を報告することを含めて、少なくとも１つのコンピューティングシステム２６０に検査システム２００を制御させ、本明細書に記載の分析を含む機能を実行させるために、コンピューティングシステム２６０によって使用され得る。この詳細な説明において説明された１つ以上の行為を自動的に実装するためのデータ構造及びソフトウェアコードは、本開示に照らして当業者によって実装され、例えば、コンピューティングシステム２６０などのコンピュータシステムによって使用するためのコード及び／又はデータを記憶することができる任意のデバイス又は媒体であり得るコンピュータ使用可能記憶媒体、例えばメモリ２６４に記憶され得る。コンピュータ使用可能記憶媒体は、読出し専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、ディスクドライブ、磁気テープ、などの磁気及び光学記憶デバイスを含み得るが、これらに限定されない。加えて、本明細書で説明される機能は、特定用途向け集積回路（application specific integrated circuit、ＡＳＩＣ）又はプログラマブルロジックデバイス（programmable logic device、ＰＬＤ）の回路内で全体的又は部分的に具現化されてもよく、機能は、本明細書で説明されるように動作するＡＳＩＣ又はＰＬＤを作成するために使用され得るコンピュータ理解可能記述子言語で具現化されてもよい。
【0032】
データの分析結果は、報告され得、例えば、基板２０２と関連付けられたメモリ２６４内に記憶され、及び／又はＵＩ２６８、アラーム又は他の出力デバイスを介してユーザに示される。更に、分析の結果は報告され、プロセス装置にフィードフォワード又はフィードバックして、適切な製造ステップを調整して、製造プロセスで検出された任意の変動を補正し得る。コンピューティングシステム２６０は、例えば、インターネット又は任意の他のコンピュータネットワークへなどの、任意のタイプの通信接続であり得る通信ポート２６９を含み得る。通信ポート２６９は、本明細書で説明される機能のうちの任意の１つ以上を実行するようにコンピューティングシステム２６０をプログラムするために使用される命令を受信するために使用され得、及び／又は、例えば検査結果及び／若しくは命令を伴う信号を、フィードフォワード又はフィードバックプロセスにおいて、外部プロセスツールなどの別のシステムにエクスポートするために使用され得る。
【0033】
図３Ａ及び図３Ｂは、例として、それぞれ、第１の検出器２１６の出力に基づいて生成された画像３００（欠陥マップ３００と呼ばれることもある）及び第２の検出器２２６の出力に基づいて生成された画像３１０（欠陥マップ３１０と呼ばれることもある）を示す。図３Ａに示された画像３００は、第１の光源２１０からの光２１２を使用して検出された近位面上の欠陥３０２、３０４、３０６、及び３０８の例を示す。図３Ｂに示された画像３１０は、第２の光源２２０からの光２２２を使用した遠位面上又はその近くの欠陥３１２、３１４、及び３１６、並びに近位側信号の欠陥３０６及び３０８からのいくらかの残留信号を示す。
【0034】
したがって、２つの画像３００及び３１０は、例えばコンピューティングシステム２６０によって比較され得、遠位面の画像内の任意の残留近位側信号を除去することができる。例えば、第１の検出器２１６及び第２の検出器２２６からの検査データに基づいて生成された２つの画像３００及び３１０は、互いの上に重ね合わせることができる。画像３００及び３１０の位置は、同じ検出光学系２３０が使用されるので、位置合わせされるべきである。近位面（図２に図示された例では後側）で見つかった欠陥は、遠位面（図２に図示された例では前側）から差し引かれ得る。
【0035】
図３Ｃは、例として、遠位面の修正された画像３２０を示す。画像３２０は、遠位面（ここでは、前面）上の欠陥３１２、３１４、及び３１６のみを示すが、これは、近位面（後面）内の欠陥３０６及び３０８からの残留信号が、２つの画像３００及び３１０の比較に基づいて低減又は除去され得るためである。
【0036】
図４は、検出光学系２３０の第２の光源２２０及び楕円ミラー２３２と、基板２０２とを含む、検査システム２００の一部の詳細図を示す。図４は、第２の光源２２０によって生み出された斜め入射光２２２及び基板２０２の遠位面２０６から結果として生じる後方散乱光２２４、並びに第１の光源（図４には図示せず）によって生み出された垂直（又は垂直に近い）入射光２１２及び基板２０２の近位面２０４から結果として生じる後方散乱光２１４、を示す。図示されるように、第２の光源２２０からの光２２２は、検出光学系２３０（楕円ミラー２３２によって示される）のｘ／ｙ焦点の外側で近位面２０４に入射することができ、それによって、遠位／対向表面２０６を除いて光２２２による低減された欠陥散乱強度を生み出す。言い換えれば、検出光学系２３０に対する光２２２の横方向のＸ、Ｙオフセットに起因して、第２の光源２２０からの光２２２に応答する後方散乱光は、遠位面２０６から又はその近くから来る信号について検出光学系２３０によって集められる。
【0037】
また、基板２０２の近位面２０４に入射する第２の光源２２０によって生成された光２２２は、それ自体のｚ焦点の外側にあり得、遠位／対向表面２０６以外での欠陥散乱強度を更に低減する。したがって、第２のチャネルは、遠位／対向表面２０６において、及びその周りにおいて、増加した信号感度を有する。近位面２０４上のバルク及び欠陥は、第２のチャネルにおける信号感度を著しく低下させている。したがって、第２の光源２２０からの光２２２の斜めの入射角の使用は、同時の前面及び後面検査を可能にする。更に、第２の光源２２０の入射角を低減することによって（すなわち、その結果、光２２２はより斜めの角度で入射する）、感度は基板の厚さ全体にわたって増加する。バルク内の欠陥は、強い信号を生成する可能性があり、感度を高めて検出することができる。
【0038】
基板２０２の材料内の残留吸収に起因して、欠陥信号は、光２２２が基板２０２を通って進む距離が遠くなるほど減少する。他方、検出光学系２３０、例えば楕円ミラー２３２、のｘ／ｙ／ｚ焦点と併せた第２の光源２２０の入射角及び焦点アライメントは、反対の効果を引き起こす、すなわち、欠陥が遠位面２０６に近いほど、欠陥信号が強くなる。したがって、第２の光源２２０からの光２２２の入射角の意図的なアライメントが使用され得、その結果、両方の効果が互いに補償して、基板２０２を通るｚ軸に沿って同じ欠陥サイズの同じ強度の信号をもたらすことができる。信号強度は欠陥サイズに相関しており、したがって、検査システム２００のサイズ精度は、欠陥のｚ位置に依存しなくなる可能性がある。
【0039】
図５は、図２に示された検査システム２００と同様であり得るが、斜め光５２２が通過する開口を有する検出光学系５３０を含み、基板５０２を保持するための後側真空チャック５０５を有する前面検査構成で示されている、検査システム５００の一部を示す。色フィルタ及び検出器は、簡略化のために図５には示されていない。
【0040】
図５は、検出光学系５３０の折り返しミラー５３４の開口５３５を通過する第１の光源５１０からの垂直（又は垂直に近い）入射光５１２を示す。図５は、第２の光源５２０からの斜め入射光５２２を更に示す。図５は、斜め入射光５２２に対する調整システムを示していないが、必要に応じて調整システムが存在してもよい。図示されるように、後方散乱光５１４及び５２４を集める検出光学系５３０の楕円ミラー５３２は、光５２２が通過して基板５０２に斜めに入射する第１の開口５３２ａと、基板５０２から反射された光５２２が楕円ミラー５３２を出る第２の開口５３２ｂとを含む。所望であれば、開口５３２ａ及び５３２ｂは、入射角の変化に対応するために、例えばスリットのように拡張されてもよい。更に、開口５３２ｂは、基板５０２の近位（上）面５０４及び遠位（底）面５０６の両方から反射された光５２２が楕円ミラー５３２を通過して出ることができるように、拡張されてもよい。
【0041】
図６は、本明細書で説明する基板検査のための方法を示すフロー図６００である。例えば、本方法は、例えば、図２及び図４に示された検査システム２００又は図５に示された検査システム５００などの検査システムを使用して、第１の表面（例えば、近位面）及び第２の表面（例えば、遠位面）又は第２の表面近くを検査する。
【0042】
ブロック６０２において、例えば、図２に示された第１の光源２１０又は図５に示された第１の光源５１０によって示される第１の波長の光を生成する手段によって、第１の角度で基板に向けられる第１の波長の光が生成される。
【0043】
ブロック６０４において、例えば、図２に示された第２の光源２２０又は図５に示された第２の光源５２０によって示される第２の波長の光を生成する手段によって、基板の第１の表面に対して斜角である第２の角度で基板に向けられる第２の波長の光が生成される。
【0044】
ブロック６０６において、例えば、図２に示された調整システム２５０によって示される第２の角度を調整するための手段によって、第２の角度が調整されて、第２の波長の光を指定された場所に集束させる。
【0045】
ブロック６０８において、例えば、図２に示された検出光学系２３０又は図５に示された検出光学系５３０によって示される後方散乱光を集めるための手段によって、後方散乱光が、第１の波長及び第２の波長の光に応答して基板から集められる。
【0046】
ブロック６１０において、例えば、図２に示された第１の検出器２１６及びコンピューティングシステム２６０によって示され、図３Ａに示された画像（欠陥マップ）３００によって示される第１の画像を生成するための手段によって、基板の第１の表面を表す第１の画像が、第１のスペクトルの後方散乱光に基づいて生成される。
【0047】
ブロック６１２において、例えば、図２に示された第２の検出器２２６及びコンピューティングシステム２６０によって示され、図３Ｂに示された画像（欠陥マップ）３１０によって示される第２の画像を生成するための手段によって、基板の第２の表面又は第２の表面近くを表す第２の画像が、第２のスペクトルの後方散乱光に基づいて生成される。
【0048】
少なくとも第１の画像に基づいて、基板の第１の表面上の欠陥が、例えばコンピューティングシステム２６０によって検出され得る。更に、少なくとも第２の画像に基づいて、第２の表面上（又は第２の表面近く）の欠陥が、例えばコンピューティングシステム２６０によって検出され得る。いくつかの実装形態では、少なくとも第２の画像に基づいて、第１の表面と第２の表面（又は第２の表面近く）との間のバルク材料内の欠陥が、例えばコンピューティングシステム２６０によって検出され得る。いくつかの実装形態では、第２の表面（又は第２の表面近く）における欠陥、及び／又は第１の表面と第２の表面（又は第２の表面近く）との間のバルク材料内の欠陥は、第２の画像及び第１の画像を使用して検出され得る。第１の表面及び第２の表面（又は第２の表面近く）上に、及びいくつかの実装形態では、第１の表面と第２の表面との間のバルク材料で検出された欠陥は、基板に関して報告され得、例えば、基板の検査場所又は提供された欠陥の表示に関連付けられたメモリに記憶される。
【0049】
いくつかの実装形態では、基板は、例えば、図２における光２１２及び光２２２を参照して説明したように、第１の波長の光に対して不透明であり、第２の波長の光に対して少なくとも部分的に透明であり得る。
【0050】
いくつかの実装形態では、基板からの後方散乱光は、例えば図２に示された楕円ミラー２３２又は図５に示された楕円ミラー５３２によって示されるような、楕円ミラーを用いて第１の表面からの後方散乱光及び第２の表面又は第２の表面近くからの後方散乱光を受光することによって集められ得る。加えて、楕円ミラーによって集められた後方散乱光は、例えば、図２に示された折り返しミラー２３４及び開口２３５、又は図５に示された折り返しミラー５３４及び開口５３５によって示されるように、中を通って第１の波長の光が第１の角度で基板に向けられる開口を備える少なくとも１つの折り返しミラーを用いて、少なくとも１つの検出器に向けられ得る。いくつかの実装形態では、楕円ミラーは、例えば図５に示された楕円ミラー５３２及び開口５３２ａ並びに５３２ｂによって示されるように、中を通って第２の波長の光が第２の角度で基板に向けられる第１の開口と、中を通って、基板によって反射された第２の波長の光が楕円ミラーを出る第２の開口とを含み得る。いくつかの実装形態では、第２の波長の光は、例えば、図２に示された光２２２及び楕円ミラー２３２によって示されるように、楕円ミラーと基板の第１の表面との間で第２の角度で基板に向けられ得る。
【0051】
いくつかの実装形態では、第１の角度は、図２に示すように、第１の表面に対して垂直な又は垂直に近い角度である。いくつかの実装形態では、図２を参照して説明したように、第１の波長は可視波長であり、第２の波長は赤外波長であり、第２のスペクトルの後方散乱光は、第２の角度で基板に向けられた第２の波長の光によって生み出される。
【0052】
いくつかの実装形態では、第１の波長の光は、基板の第１の表面又はその近くの第１の場所に集束され、第２の角度は、例えば、図２に示され図４で説明された調整システム２５０によって示されるように、第１の場所と共有される基板のｚ軸上にある基板の第２の表面又はその近くの指定された場所に第２の波長の光を集束させるように第２の角度を調整することによって調整される。
【0053】
いくつかの実装形態では、第１の表面上の欠陥の残留信号について補正された基板の第２の表面の上又は近くの欠陥を表す第３の画像が、例えば図２を参照して説明され、図３Ｃに示された画像（欠陥マップ）３２０によって示されるように、第１の画像と第２の画像との比較に基づいて生成され得る。
【0054】
この概要は、本特許出願の主題の大要を提供することを意図している。排他的又は網羅的な説明を提供することは意図されていない。詳細な説明は、本特許出願についての更なる情報を提供するために含まれている。
【0055】
本明細書又は添付の付録のうちの１つ以上に記載されている非限定的な態様の各々は、それ自体で成立することができるか、又は本文書に説明される他の態様若しくは他の主題のうちの１つ以上との様々な並べ替え若しくは組み合わせにおいて、組み合わせることができる。
【0056】
上記の詳細な説明は、詳細な説明の一部を形成する添付図面への参照を含む。図面は、例解として、実施され得る特定の実装形態を示す。これらの実装形態は、一般に「例」とも称される。そのような例は、図示又は説明されたものに加えて、要素を含み得る。しかしながら、例は、図示又は説明された要素のみが提供されていることが企図されている。更に、例はまた、本明細書に図示若しくは説明される特定の例（又はその１つ以上の態様）に関してか、又は他の例（又はその１つ以上の態様）に関してのいずれかで図示又は説明される要素（又はその１つ以上の態様）の任意の組み合わせ又は並べ替えを使用することが企図されている。
【0057】
本文書において、「ａ」又は「ａｎ」という用語は、「少なくとも１つの」又は「１つ以上」の任意の他の例又は使用とは独立して、１つ又は２つ以上を含むように、特許文書において一般的であるように使用される。本文書では、「又は」という用語は、非排他的であることを指すのに用いられており、そのため、別段の記載がない限り、「Ａ又はＢ」は、「ＡであるがＢではない」、「ＢであるがＡではない」、及び「Ａ及びＢ」を含む。本文書において、「ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ（含む）」及び「ｉｎ ｗｈｉｃｈ」という用語は、「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ（備える／含む）」及び「ｗｈｅｒｅｉｎ」というそれぞれの用語の平易な英語の等価物として使用されている。また、以下の態様では、「ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ（含む）」及び「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ（備える／含む）」という用語は、オープンエンドであり、すなわち、ある態様におけるそのような用語の後に列挙された要素に加えて、要素を含むシステム、デバイス、物品、組成物、製剤、又はプロセスが、依然としてその特許請求の範囲に含まれるとみなされる。更に、以下の態様では、「第１」、「第２」、及び「第３」などの用語は、単に標識として使用され、それらの物体に数値要件を課すことを意図するものではない。
【0058】
本明細書に説明される方法の例は、少なくとも部分的に機械実装、又はコンピュータ実装され得る。いくつかの例は、上記の例に説明されるような方法を実行するように電子デバイスを構成するように動作可能な命令で符号化されたコンピュータ可読媒体又は機械可読媒体を含み得る。そのような方法の実装形態は、マイクロコード、アセンブリ言語コード、より高いレベルの言語コードなどのコードを含み得る。そのようなコードは、様々な方法を実行するためのコンピュータ可読命令を含み得る。コードは、コンピュータプログラム製品の部分を形成し得る。更に、一例では、コードは、例えば、実行中又は他の時間に、１つ以上の揮発性、非一時的、又は不揮発性の有形のコンピュータ可読媒体上に有形的に記憶され得る。これらの有形のコンピュータ可読媒体の例としては、ハードディスク、リムーバブル磁気ディスク、リムーバブル光ディスク（例えば、コンパクトディスク及びデジタルビデオディスク）、磁気カセット、メモリカード又はスティック、ランダムアクセスメモリ（random access memory、ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（read only memory、ＲＯＭ）などが挙げられ得るが、これらに限定されない。
【0059】
上記の説明は、例解的であり、限定的ではないことを意図している。例えば、上記の例（又はその１つ以上の態様）は、互いに組み合わせて使用され得る。他の実装形態が、上記の説明を検討する際に、例えば、当業者によって、使用され得る。また、上記の発明を実施するための形態では、本開示を効率化するために、様々な特徴が一緒にグループ化され得る。本発明の主題は、特定の開示された実装形態の全ての特徴よりも少ない特徴に存在し得る。したがって、以下の態様は、例又は実装形態として発明を実施するための形態に組み込まれ、各態様は、別個の実装形態としてそれ自体で成立し、そのような実装形態は、様々な組み合わせ又は並び替えで互いに組み合わされ得ることが企図される。したがって、添付の特許請求の範囲の趣旨及び範囲は、前述の説明に限定されるべきではない。
【図1A】
【図1B】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4】
【図5】
【図6】