特許 7582798 加工装置及び方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-05

(45)【発行日】2024-11-13

(54)【発明の名称】加工装置及び方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20241106BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 631

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2020100519

(22)【出願日】2020-06-09

(65)【公開番号】P2021197385

(43)【公開日】2021-12-27

【審査請求日】2023-05-02

(73)【特許権者】

【識別番号】000151494

【氏名又は名称】株式会社東京精密

(74)【代理人】

【識別番号】100169960

【弁理士】

【氏名又は名称】清水 貴光

(72)【発明者】

【氏名】金澤 雅喜

【審査官】杢 哲次

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－２５０１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－２１２８０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１２２４２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－２５００８（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０２８２３２６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００９－２０６４７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１８２０９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－２７３０５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１４０３８７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表面にバンプが形成されたバンプ領域と前記バンプ領域の周りの外周領域とを含み前記表面にフィルムが貼付されているウェハの裏面を研削する加工装置であって、
前記ウェハのバンプ領域を保持可能なチャックと、
前記バンプ領域から前記外周領域にかけて前記フィルムが湾曲する湾曲領域を支持するサポート面を備え、前記ウェハの外周領域を支持可能なサポート部材と、
前記チャックを収容し、前記チャックの外周に前記サポート部材を収容するチャックテーブルと、
を備えていることを特徴とする加工装置。

【請求項2】

前記サポート部材は、前記チャックの外周に形成された環状溝に嵌入されていることを特徴とする請求項１記載の加工装置。

【請求項3】

前記サポート部材及びチャックテーブルは、略同一の熱膨張係数を示す材料により構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の加工装置。

【請求項4】

前記チャックテーブルには、前記環状溝と前記チャックテーブルの周面に形成された開口部とを連通する排水孔が設けられていることを特徴とする請求項２記載の加工装置。

【請求項5】

前記チャックテーブルの表面に向けて２流体を噴射させる洗浄手段をさらに備えていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項記載の加工装置。

【請求項6】

表面にバンプが形成されたバンプ領域と前記バンプ領域の周りの外周領域とを含み前記表面にフィルムが貼付されているウェハの裏面を研削する加工方法であって、
前記フィルムのうち前記バンプ領域から前記外周領域にかけて前記フィルムが湾曲する湾曲領域の形状を測定する工程と、
前記湾曲領域の形状に応じたサポート面をサポート部材の上端面内周縁に形成する工程と、
前記ウェハのバンプ領域を保持可能なチャックの表面及び前記チャックを収容するチャックテーブルの表面を略平坦に研削する工程と、
前記チャックの外周に形成された前記チャックテーブルの環状溝に前記サポート部材の下端面を上方に向けた状態で前記サポート部材を嵌入する工程と、
前記サポート部材の下端面を前記チャックテーブルの表面から所定高さまで研削する工程と、
前記サポート部材を上下反転させる工程と、
前記サポート面が前記湾曲領域を支持するとともに前記上端面が前記外周領域を支持した状態で、前記チャックが前記ウェハを保持する工程と、
を含むことを特徴とする加工方法。

【請求項7】

前記サポート部材の下端面を研削する工程において、前記チャックテーブルの表面に対する前記サポート部材の下端面の高さを測定しながら研削することを特徴とする請求項６記載の加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数のバンプが表面に形成されたウェハを薄く加工する加工装置及び方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）を薄く平坦に研削するものとして、回転する研削砥石の研削面をウェハに押し当て、ウェハの裏面を研削する加工装置が知られている。ウェハの裏面研削の際に、ウェハ表面に形成されたチップ、バンプを保護するために、表面を保護するフィルムがウェハ表面に貼り付けられている。

【0003】

ウェハの裏面研削が終了すると、ダイシングフィルム貼付装置においてダイシングフィルムがウェハの裏面に貼付けられ、ウェハとマウントフレームとが一体化される。次に、ウェハの表面に貼付けられた表面保護フィルムが剥離された後に、ウェハは、賽の目状にダイシングされる。ダイシングにより形成されたチップは、ピックアップされてリードフレームにマウントされる（例えば、特許文献１参照）。

【0004】

図８は、ウェハの裏面研削を行う加工装置の一例である。ウェハ９０は、表面９１のチップ９２上にバンプ９３が形成されるとともにバンプＢを覆うようにフィルム９４が貼り付けられている。ウェハ９０は、その裏面９５が上方を向くようにテーブル９６に吸着保持されるとともに、筒体９７がウェハ９０の外周を支持している状態で、研削砥石９８が、裏面９５を研削する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２００９－２０６４７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、図８に示すような加工装置では、テーブル９６と筒体９７との間の段差がバンプ９３の高さに応じて高くなり、バンプ９３の高さが１００μｍを超えるような高バンプ付きウェハ９０では、フィルム９４が段差を吸収しきれずに、フィルム９４がテーブル９６から隙間を空けて浮いて平面から視て環状の隙間が生じ、薄いウェハ９０が、裏面研削時に隙間で支持されていない部分から割れる虞があった。

【0007】

そこで、表面にバンプが形成されたウェハを安全に加工するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記目的を達成するために、本発明に係る加工装置は、表面にバンプが形成されたバンプ領域と前記バンプ領域の周りの外周領域とを含み前記表面にフィルムが貼付されているウェハの裏面を研削する加工装置であって、前記ウェハのバンプ領域を保持可能なチャックと、前記バンプ領域から前記外周領域にかけて前記フィルムが湾曲する湾曲領域を支持するサポート面を備え、前記ウェハの外周領域を支持可能なサポート部材と、前記チャックを収容し、前記チャックの外周に前記サポート部材を収容するチャックテーブルと、を備えている。

【0009】

この構成によれば、サポート部材が、バンプの高さの分だけチャックから浮くように湾曲するフィルムの湾曲領域を支持することにより、フィルムが、サポート部材及びチャックに隙間なく支持されるため、バンプ付きウェハを破損させることなく安全に加工することができる。

【0010】

また、本発明に係る加工装置は、前記サポート部材は、前記チャックの外周に形成された環状溝に嵌入されていることが好ましい。

【0011】

この構成によれば、サポート部材が、チャックを取り囲むように環状に設けられることにより、ウェハを広範囲に亘って支持するため、バンプ付きウェハを破損させることなく安全に加工することができる。

【0012】

また、本発明に係る加工装置は、前記サポート部材及びチャックテーブルは、略同一の熱膨張係数を示す材料により構成されていることが好ましい。

【0013】

この構成によれば、ウェハ加工時に生じる摩擦熱でサポート部材及びチャックテーブルが略一様に熱膨張するため、ウェハを精度良く加工することができる。

【0014】

また、本発明に係る加工装置は、前記チャックテーブルには、前記環状溝と前記チャックテーブルの周面に形成された開口部とを連通する排水孔が設けられていることが好ましい。

【0015】

この構成によれば、環状溝内の研削水等を外部に排水することができる。

【0016】

また、本発明に係る加工装置は、前記チャックテーブルの表面に向けて２流体を噴射させる洗浄手段をさらに備えていることが好ましい。

【0017】

この構成によれば、硬質な洗浄ストーン等をチャックテーブルに押し当てる洗浄装置では、サポート部材がチャックから突出しているため、チャック表面を洗浄できないのに対して、２流体を用いてサポート部材及びチャックを含むチャックテーブル全面を効率的に洗浄することができる。

【0018】

また、上記目的を達成するために、本発明に係る加工方法は、表面にバンプが形成されたバンプ領域と前記バンプ領域の周りの外周領域とを含み前記表面にフィルムが貼付されているウェハの裏面を研削する加工方法であって、前記フィルムのうち前記バンプ領域から前記外周領域にかけて前記フィルムが湾曲する湾曲領域の形状を測定する工程と、前記湾曲領域の形状に応じたサポート面をサポート部材の上端面内周縁に形成する工程と、前記ウェハのバンプ領域を保持可能なチャックの表面及び前記チャックを収容するチャックテーブルの表面を略平坦に研削する工程と、前記チャックの外周に形成された前記チャックテーブルの環状溝に前記サポート部材の下端面を上方に向けた状態で前記サポート部材を嵌入する工程と、前記サポート部材の下端面を前記チャックテーブルの表面から所定高さまで研削する工程と、前記サポート部材を上下反転させる工程と、前記サポート面が前記湾曲領域を支持するとともに前記上端面が前記外周領域を支持した状態で、前記チャックが前記ウェハを保持する工程と、を含む。

【0019】

この構成によれば、サポート部材が、バンプの高さの分だけチャックから浮くように湾曲するフィルムの湾曲領域を支持することにより、フィルムが、サポート部材及びチャックに隙間なく支持されるため、バンプ付きウェハを破損させることなく安全に加工することができる。

【0020】

また、本発明に係る加工方法は、前記サポート部材の下端面を研削する工程において、前記チャックテーブルの表面に対する前記サポート部材の下端面の高さを測定しながら研削することが好ましい。

【0021】

この構成によれば、研削加工中にチャックテーブルの表面に対する下端面の高さをリアルタイムで測定することにより、サポート部材を高精度に加工することができる。

【発明の効果】

【0022】

本発明は、フィルムが、サポート部材及びチャックに隙間なく支持されるため、バンプ付きウェハを破損させることなく安全に加工することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本発明の一実施形態に係る加工装置の概要を示す模式図である。

【図2】（ａ）は、ウェハの平面図である。（ｂ）は、ウェハの縦断面図である。（ｃ）は、ウェハの要部拡大図である。

【図3】（ａ）は、チャックテーブル及びサポート部材の組立図である。（ｂ）は、サポート部材が嵌入された状態のチャックテーブルを示す斜視図である。

【図4】サポート部材の縦断面図である。

【図5】チャックテーブルの縦断面図である。

【図6】（ａ）は、チャック及びチャックテーブルの各表面を研削する様子を示す模式図である。（ｂ）は、サポート部材の下端面を研削する様子を示す模式図である。（ｃ）は、２流体で洗浄する様子を示す模式図である。

【図7】（ａ）は、ウェハがチャックに保持されている様子を示す模式図である。（ｂ）は、フィルムがサポート面に支持されている様子を示す要部拡大図である。（ｃ）は、ウェハの裏面を研削する様子を示す模式図である。

【図8】従来の加工装置の構成を示す縦断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下では、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。

【0025】

また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。

【0026】

また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。

【0027】

図１に示す加工装置１０には、図２（ａ）、（ｂ）に示すバンプＢを備えた複数のチップＣが表面２３に形成されたシリコン製のウェハ２０が供給される。加工装置１０は、ウェハ２０にＢＧフィルム２１を貼り付けるフィルム貼付部１１と、ウェハ２０の裏面２２を研削する裏面研削部１２と、を備えている。

【0028】

裏面研削部１２は、挿入ユニット１３と、端面研削ユニット１４と、裏面研削ユニット１５と、を備えている。

【0029】

挿入ユニット１３は、サポートリング３０をチャックテーブル１６に予め形成された環状溝１７に挿入する。なお、挿入ユニット１３を使用する代わりに、操作者がサポートリング３０を環状溝１７に挿入しても構わない。

【0030】

端面研削ユニット１４は、チャックテーブル１６に取り付けられたサポートリング３０の端面を研削砥石１４ａで研削する。端面研削ユニット１４は、後述するインプロセスゲージ１４ｂを備えている。

【0031】

裏面研削ユニット１５は、研削砥石１５ａでウェハ２０の裏面２２を研削する。裏面研削ユニット１５は、チャックテーブル１６に向けて液体を高速気体で微細化した２流体を噴射する公知の構成からなる２流体ノズル１５ｂを備えている。また、裏面研削ユニット１５は、ウェハ２０の裏面研削中にウェハ２０の厚み測定を行うインプロセスゲージ１５ｃを備えている。裏面研削ユニット１５は、端面研削ユニット１４を兼ねるように構成されても構わない。なお、符号１８は、フィルム貼付部１１においてＢＧフィルム２１が貼り付けられたウェハ２０を裏面研削ユニット１５に搬送するロボットハンドである。

【0032】

図２（ａ）、（ｂ）に示すように、ウェハ２０は、複数のチップＣがウェハ２０の表面２３における中央領域２４にのみ形成されており、各チップＣには、電気接点としてのバンプＢが形成されている。すなわち、チップＣ及びバンプＢは、ウェハ２０の外周領域２５には形成されていない。以下、中央領域２４をバンプ領域２４という。

【0033】

ウェハ２０の表面２３側には、全面を覆うようにＢＧフィルム２１が貼り付けられている。ＢＧフィルム２１は、後述する裏面研削時に、チップＣ及びバンプＢを保護するとともに、研削水がウェハ２０とＢＧフィルム２１との間に流入してチップＣ及びバンプＢを汚染することを抑制する。

【0034】

図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、ＢＧフィルム２１は、バンプ領域２４と外周領域２５との間でバンプＢの高さに応じて滑らかに湾曲する。以下、ＢＧフィルム２１が湾曲する領域を湾曲領域２６という。ＢＧフィルム２１の湾曲領域２６におけるテーパ角Θ１は、約１～１０度の範囲内で、バンプＢの高さ、ＢＧフィルム２１の硬さ及び外周領域２５の幅等に応じて設定される。

【0035】

図３（ａ）、（ｂ）に示すように、チャックテーブル１６の表面略中央には、アルミナ等の多孔質材料から成るチャック４０が埋設されている。チャックテーブル１６は、内部を通って表面に延びる図示しない管路を備えている。管路は、図示しない真空源、圧縮空気源又は給水源に接続されている。真空源が起動すると、チャックテーブル１６に載置されたウェハ２０がチャック４０に吸着保持される。また、圧縮空気源又は給水源が起動すると、ウェハ２０とチャック４０との吸着が解除される。

【0036】

サポートリング３０は、チャック４０の外周に形成された環状溝１７に嵌入可能である。サポートリング３０は、略円筒状に形成されており、その内径がウェハ２０の外径より小さく設定されている。サポートリング３０の軸方向の高さ寸法は、サポートリング３０が環状溝１７に嵌入された状態でサポートリング３０の上端面３１がチャックテーブル１６の表面からバンプＢの高さ分だけ突出するように設定されている。なお、サポートリング３０の形状は、円筒状に限定されるものではなく、後述するウェハ２０の裏面研削時にウェハ２０が破損しない程度に湾曲領域２６を支持可能であれば、如何なる形状であっても構わない。

【0037】

図４に示すように、サポートリング３０は、上端面３１の内周縁をテーパ状に切り欠いたサポート面３２が形成されている。サポート面３２の形状は、ＢＧフィルム２１の湾曲領域２６の形状に応じて形成されている。具体的には、サポート面３２の径方向の幅寸法は、ＢＧフィルム２１の湾曲領域２６の径方向の幅寸法に応じて設定され、サポート面３２のテーパ角Θ２は、実測されたＢＧフィルム２１のテーパ角Θ１に応じて設定される。また、サポートリング３０の下端面３３は、上端面３１と略平行に形成されている。

【0038】

サポートリング３０は、端面研削ユニット１４の研削砥石１４ａにより研削可能な材料、例えばシリコン又はプラスチックから成り、特に、チャックテーブル１６と略同一の熱膨張係数を示す材料であるのが好ましく、例えば、アルミナセラミックス等が考えられる。これにより、チャックテーブル１６とサポートリング３０とが、研削時の摩擦熱で略一様に熱膨張するため、加工精度を確保することができる。なお、サポートリング３０を環状溝１７から取り外すのにＴレンチを用いる場合には、サポートリング３０の上端面３１に図示しないタップ孔を設けるのが好ましい。

【0039】

図５に示すように、環状溝１７に嵌入されたサポートリング３０は、チャックテーブル１６の周面から径方向内側に向かって形成されたネジ孔１６ｂに螺合されたビス５０により固定されている。なお、ビス５０は、チャックテーブル１６の周方向に等間隔で形成されているのが好ましい。また、環状溝１７は、排水孔１６ｂを介してチャックテーブル１６の周面に形成された開口部１６ｃに連通されている。これにより、裏面研削時に、研削水が環状溝１７内に残留することなく外部に排水される。

【0040】

次に、加工装置１０を用いてウェハ２０を裏面研削する手順について、図面に基づいて説明する。

【0041】

［研削準備］
まず、フィルム貼付部１１が、ウェハ２０にＢＧフィルム２１を貼り付ける。そして、ウェハ２０全面に貼り付けられたＢＧフィルム２１のうち湾曲領域２６の形状（径方向の長さ、テーパ角Θ１等）を図示しない表面粗さ計等を用いて測定する。

【0042】

次に、測定した湾曲領域２６の形状に対応するように、サポートリング３０の上端面３１の内周縁を図示しない研削装置を用いて研削して、サポート面３２を形成する。なお、サポートリング３０にサポート面３２を形成する研削装置は、例えば、サポート面３２の形状に応じたテーパ面を有する砥石を備え、サポートリング３０及び砥石をそれぞれ回転させながら、砥石のテーパ面をサポートリング３０の上端面３１の内周縁に押し当てて内径加工することにより、サポート面３２を形成するロータリー研削盤等が考えられるが、これに限定されるものではない。

【0043】

次に、図６（ａ）に示すように、研削砥石１５ａ及びチャックテーブル１６を回転させながら、研削砥石１５ａを下方に所定時間だけ押し付けることにより、チャック４０の表面及びチャックテーブル１６の表面を略平坦に研削する。

【0044】

チャック４０の表面及びチャックテーブル１６の表面を所定時間だけ研削させると、研削砥石１５ａ及びチャックテーブル１６を停止させて、研削砥石１５ａを退避させる。その後、必要に応じて環状溝１７内を洗浄した後に、挿入ユニット１３が、下端面３３を上方に向けた状態でサポートリング３０を環状溝１７に嵌入させる。

【0045】

次に、図６（ｂ）に示すように、研削砥石１４ａ及びチャックテーブル１６を回転させながら、研削砥石１４ａを下端面３３に押し付けることにより、サポートリング３０が研削される。

【0046】

サポートリング３０の研削量は、チャックテーブル１６の表面に対して下端面３３の高さが、ウェハ２０の表面２３とバンプＢの頂部との間の距離、すなわち、バンプ領域２４と外周領域２５との間におけるＢＧフィルム２１の段差の高さと略等しくなるように設定される。したがって、バンプＢの高さが異なるウェハ２０を処理する場合には、バンプＢの寸法に応じてサポートリング３０の研削量が変更される。

【0047】

また、インプロセスゲージ１４ｂを用いて、下端面３３及びチャックテーブル１６の表面の高さを測定し、それらの差分からチャックテーブル１６の表面に対する下端面３３の高さを加工中に測定することにより、バンプＢの高さに応じてサポートリング３０を高精度に加工することができる。

【0048】

下端面３３が、チャックテーブル１６の表面に対して所定の高さまで研削されると、研削砥石１４ａ及びチャックテーブル１６を停止させて、研削砥石１４ａを退避させる。そして、挿入ユニット１３が、サポートリング３０を環状溝１７から取り外した後に、サポートリング３０を上下反転させて上端面３１を上方に向けた状態でサポートリング３０を環状溝１７に再び嵌入させる。

【0049】

図６（ｃ）に示すように、裏面研削前に、２流体ノズル１５ｂから吐出された２流体を、チャックテーブル１６を回転させながら、チャック４０の表面、チャックテーブル１６の表面及びサポートリング３０の上端面３１に向けて噴射してサポートリング３０の研削時に発生したスラッジ等を洗浄する。これにより、例えば硬質な洗浄ストーン等をチャックテーブル１６に押し当てる洗浄装置を用いた場合、上端面３１がチャックテーブル１６の表面より高いため、洗い残しが生じる虞があるのに対して、２流体を用いた洗浄は、上端面３１とチャックテーブル１６の表面との僅かな高低差に係わらず、２流体がチャックテーブル１６全面に飛散して効率良く洗浄することができる。

【0050】

［ウェハ研削］
ロボットハンド１８が、ＢＧフィルム２１が貼り付けられたウェハ２０をフィルム貼付部１１から裏面研削部１２に搬送して、図７（ａ）に示すように、ウェハ２０が、裏面２２が上方を向くようにチャックテーブル１６上に載置される。

【0051】

ウェハ２０とチャック４０との間に負圧が供給されると、ウェハ２０がチャック４０に吸着保持される。このとき、バンプ領域２４が、チャック４０に支持され、外周領域２５が、上端面３１に支持され、さらに、図７（ｂ）に示すように、湾曲領域２６が、サポート面３２に密着して支持されている。すなわち、ＢＧフィルム２１が、サポートリング３０及びチャック４０との間に全面に亘って隙間なく支持される。

【0052】

そして、図７（ｃ）に示すように、研削砥石１５ａ及びチャックテーブル１６を回転させながら、研削砥石１５ａを下方に押し付けることにより、研削砥石１５ａが、ウェハ２０の裏面２２を研削する。ウェハ２０の裏面研削時において、ＢＧフィルム２１が、サポートリング３０及びチャック４０との間に全面に亘って隙間なく支持されているため、ウェハ２０を破損させることなく研削することができる。

【0053】

上述した実施形態では、ウェハ２０を裏面研削する加工装置１０を例に本発明を説明したが、ウェハ２０を研磨する装置等にも適用可能である。

【0054】

また、サポートリング３０は、外周領域２５を支持する上端面３１と湾曲領域２６を支持するサポート面３２と一体に兼ね備えた構成に限定されず、上端面３１とサポート面３２とを別体に設けても構わない。

【0055】

また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り、上記以外にも種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。

【符号の説明】

【0056】

１０ ：加工装置
１１ ：フィルム貼付部
１２ ：裏面研削部
１３ ：挿入ユニット
１４ ：端面研削ユニット
１４ａ ：研削砥石
１４ｂ ：インプロセスゲージ
１５ ：裏面研削ユニット
１５ａ ：研削砥石
１５ｂ ：２流体ノズル（洗浄手段）
１５ｃ ：インプロセスゲージ
１６ ：チャックテーブル
１６ａ ：開口部
１６ｂ ：排水孔
１６ｃ ：ネジ孔
１７ ：環状溝
１８ ：ロボットハンド
２０ ：ウェハ
２１ ：ＢＧフィルム
２２ ：（ウェハの）裏面
２３ ：（ウェハの）表面
２４ ：バンプ領域
２５ ：外周領域
２６ ：湾曲領域
３０ ：サポートリング（サポート部材）
３１ ：上端面
３２ ：サポート面
３３ ：下端面
４０ ：チャック
５０ ：ビス
Ｂ ：バンプ
Ｃ ：チップ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】