特許 7583229 静電チャック

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-05

(45)【発行日】2024-11-13

(54)【発明の名称】静電チャック

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20241106BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20241106BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20241106BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20241106BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/302 101G

C23C16/458

H02N13/00 D

【請求項の数】 27

(21)【出願番号】P 2024540571

(86)(22)【出願日】2024-03-11

(86)【国際出願番号】 JP2024009295

【審査請求日】2024-07-03

(31)【優先権主張番号】P 2023042066

(32)【優先日】2023-03-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100126480

【弁理士】

【氏名又は名称】佐藤 睦

(74)【代理人】

【識別番号】100140431

【弁理士】

【氏名又は名称】大石 幸雄

(74)【代理人】

【識別番号】100135677

【弁理士】

【氏名又は名称】澤井 光一

(74)【代理人】

【識別番号】100131598

【弁理士】

【氏名又は名称】高村 和宗

(72)【発明者】

【氏名】富岡 武敏

【審査官】宮久保 博幸

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２２－１６４０６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２３－０１３５８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／０２０９５６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１９－１２１７４８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｃ２３Ｃ １６／４５８

Ｈ０２Ｎ １３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を保持する静電チャックであって、
基板が載置される誘電部材と、
前記誘電部材内に配置される静電電極と、を含み、
前記誘電部材は、
ガスが流出するガス流出部を有する第１の上面と、
前記第１の上面の外側に配置され、前記第１の上面より高い高さを有する環状のシールバンドと、を含み、
前記シールバンドは、
外周部と、
前記外周部より低い高さを有する内周部と、を含み、
前記静電電極は、少なくとも前記シールバンドの前記内周部の直下に配置され、
前記誘電部材は、前記第１の上面に配置され、前記第１の上面に対し上方に突出した複数の凸部をさらに有し、
前記シールバンドの前記内周部が有する内側端部は、最も外側に位置する前記凸部が有する外側端部と前記シールバンドの前記外周部が有する内側端部との径方向の中間点より内側に位置している、
静電チャック。

【請求項2】

前記シールバンドの前記外周部は、平坦な第２の上面を有し、
前記シールバンドの前記内周部は、平坦な第３の上面を有する、
請求項１に記載の静電チャック。

【請求項3】

前記シールバンドの前記内周部が有する上面は、傾斜面をさらに有する、
請求項２に記載の静電チャック。

【請求項4】

前記第３の上面は、前記第２の上面より低く、前記第１の上面より高い、
請求項２に記載の静電チャック。

【請求項5】

前記第３の上面は、前記第２の上面より０．１μｍ以上低い、
請求項４に記載の静電チャック。

【請求項6】

前記第３の上面は、前記第１の上面より３μｍ以上高い、
請求項５に記載の静電チャック。

【請求項7】

前記第３の上面から前記静電電極までの距離が、１００μｍから７５０μｍの範囲内である、
請求項２に記載の静電チャック。

【請求項8】

前記シールバンドの前記内周部が有する上面は、前記第３の上面のみを有する、
請求項２に記載の静電チャック。

【請求項9】

前記凸部は、前記シールバンドの前記外周部と同じかそれより低い高さを有する、
請求項１に記載の静電チャック。

【請求項10】

前記凸部は、５μｍから５０μｍの範囲内の高さを有する、
請求項１に記載の静電チャック。

【請求項11】

前記シールバンドの前記内周部は、前記凸部の高さの半分以上の高さを有する、
請求項１に記載の静電チャック。

【請求項12】

前記シールバンドの前記外周部が有する径方向の幅は、０．３ｍｍから４ｍｍの範囲内である、
請求項１に記載の静電チャック。

【請求項13】

前記シールバンドの前記内周部が有する径方向の幅は、１ｍｍから３６ｍｍの範囲内である、
請求項１に記載の静電チャック。

【請求項14】

前記シールバンドの前記内周部が有する径方向の幅は、前記シールバンドの前記外周部が有する径方向の幅より大きい、
請求項１に記載の静電チャック。

【請求項15】

前記シールバンドの前記内周部が有する上面の全体が傾斜面である、
請求項１に記載の静電チャック。

【請求項16】

前記シールバンドの前記内周部は、径方向に互いに接続される傾斜上面と垂直面を有する、
請求項１に記載の静電チャック。

【請求項17】

前記誘電部材が有する上下方向の厚みは、０．５ｍｍから５ｍｍの範囲内である、
請求項１に記載の静電チャック。

【請求項18】

前記静電電極は、前記第１の上面の直下から前記シールバンドの直下にわたり配置され、
前記静電電極が有する外側端部は、前記シールバンドの前記内周部における径方向の中央の位置より外側に位置している、
請求項１～１７のいずれか一項に記載の静電チャック。

【請求項19】

前記静電電極が有する外側端部は、前記シールバンドの前記外周部の直下に位置している、
請求項１８に記載の静電チャック。

【請求項20】

基板を保持する静電チャックであって、
基板が載置される誘電部材と、
前記誘電部材内に配置される静電電極と、を含み、
前記誘電部材は、
ガスが流出するガス流出部を有する第１の上面と、
前記第１の上面の外側に配置され、前記第１の上面より高い高さを有する環状のシールバンドと、を含み、
前記シールバンドは、
外周部と、
前記外周部より低い高さを有する内周部と、を含み、
前記静電電極は、少なくとも前記シールバンドの前記内周部の直下に配置され、
前記シールバンドの前記内周部が有する径方向の幅は、前記シールバンドの前記外周部が有する径方向の幅より大きい、
静電チャック。

【請求項21】

前記誘電部材は、前記第１の上面に配置され、前記第１の上面に対し上方に突出した複数の凸部をさらに有し、
前記シールバンドの前記内周部は、前記凸部の高さの半分以上の高さを有する、
請求項２０に記載の静電チャック。

【請求項22】

前記静電電極は、前記第１の上面の直下から前記シールバンドの直下にわたり配置され、
前記静電電極が有する外側端部は、前記シールバンドの前記内周部における径方向の中央の位置より外側に位置している、
請求項２０に記載の静電チャック。

【請求項23】

前記静電電極が有する外側端部は、前記シールバンドの前記外周部の直下に位置している、
請求項２２に記載の静電チャック。

【請求項24】

前記シールバンドの前記外周部が有する径方向の幅は、０．３ｍｍから４ｍｍの範囲内である、
請求項２０～２３のいずれか一項に記載の静電チャック。

【請求項25】

前記シールバンドの前記内周部が有する径方向の幅は、１ｍｍから３６ｍｍの範囲内である、
請求項２４に記載の静電チャック。

【請求項26】

基板を保持する静電チャックであって、
基板が載置される誘電部材と、
前記誘電部材内に配置される静電電極と、を含み、
前記誘電部材は、
ガスが流出するガス流出部を有する第１の上面と、
前記第１の上面の外側に配置され、前記第１の上面より高い高さを有する環状のシールバンドと、を含み、
前記シールバンドは、
外周部と、
前記外周部より低い高さを有する内周部と、を含み、
前記静電電極は、少なくとも前記シールバンドの前記内周部の直下に配置され、
前記シールバンドの前記外周部は、平坦な第２の上面を有し、
前記シールバンドの前記内周部は、平坦な第３の上面と傾斜面を有する、
静電チャック。

【請求項27】

基板を保持する静電チャックであって、
基板が載置される誘電部材と、
前記誘電部材内に配置される静電電極と、を含み、
前記誘電部材は、
ガスが流出するガス流出部を有する第１の上面と、
前記第１の上面の外側に配置され、前記第１の上面より高い高さを有する環状のシールバンドと、を含み、
前記シールバンドは、
外周部と、
前記外周部より低い高さを有する内周部と、を含み、
前記静電電極は、少なくとも前記シールバンドの前記内周部の直下に配置され、
前記シールバンドの前記内周部は、径方向に互いに接続される傾斜上面と垂直面を有する、
静電チャック。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の例示的実施形態は、静電チャックに関する。

【背景技術】

【0002】

基板の外周部を支持する環状のシールバンドを有する静電チャックを提供する技術として、特許文献１に記載された技術がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０２１－１５８２０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、静電チャックに保持される基板の温度均一性を向上することができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一つの例示的実施形態における静電チャックは、基板が載置される誘電部材と、誘電部材内に配置される静電電極と、を含み、誘電部材は、ガスが流出するガス流出部を有する第１の上面と、第１の上面の外側に配置され、第１の上面より高い高さを有する環状のシールバンドと、を含み、シールバンドは、外周部と、外周部より低い高さを有する内周部と、を含み、静電電極は、少なくともシールバンドの内周部の直下に配置されている。

【発明の効果】

【0006】

本開示の一つの例示的実施形態によれば、静電チャックに保持される基板の温度均一性を向上することができる技術を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。

【図2】容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【図3】本例示的実施形態における静電チャックの構成例を示す図である。

【図4】上から見たセラミックの構成例を示す図である。

【図5】シールバンドの周辺部分を拡大したシールバンドの構成例を示す図である。

【図6】比較例としてのシールバンドの構成を示す図である。

【図7】比較例としてのシールバンドの構成を示す図である。

【図8】基板の撓み量と距離Ａとの関係を示す表である。

【図9】内周部が第３の上面と傾斜面を有するシールバンドの構成例を示す図である。

【図10】内周部が第３の上面と傾斜面を有するシールバンドの構成例を示す図である。

【図11】内周部の上面全体が傾斜面であるシールバンドの構成例を示す図である。

【図12】内周部が傾斜上面と垂直面を有するシールバンドの構成例を示す図である。

【図13】内周部が傾斜上面と垂直面を有するシールバンドの構成例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本開示の各実施形態について説明する。

【0009】

一つの例示的実施形態において、基板を保持する静電チャックであって、基板が載置される誘電部材と、誘電部材内に配置される静電電極と、を含み、誘電部材は、ガスが流出するガス流出部を有する第１の上面と、第１の上面の外側に配置され、第１の上面より高い高さを有する環状のシールバンドと、を含み、シールバンドは、外周部と、外周部より低い高さを有する内周部と、を含み、静電電極は、少なくともシールバンドの内周部の直下に配置されている、静電チャックが提供される。

【0010】

一つの例示的実施形態において、シールバンドの外周部は、平坦な第２の上面を有し、シールバンドの内周部は、平坦な第３の上面を有する。

【0011】

一つの例示的実施形態において、シールバンドの内周部が有する上面は、傾斜面をさらに有する。

【0012】

一つの例示的実施形態において、第３の上面は、第２の上面より低く、第１の上面より高い。

【0013】

一つの例示的実施形態において、第３の上面は、第２の上面より０．１μｍ以上低い。

【0014】

一つの例示的実施形態において、第３の上面は、第１の上面より３μｍ以上高い。

【0015】

一つの例示的実施形態において、第３の上面から静電電極までの距離が、１００μｍから７５０μｍの範囲内である。

【0016】

一つの例示的実施形態において、シールバンドの内周部が有する上面は、第３の上面のみを有する。

【0017】

一つの例示的実施形態において、誘電部材は、第１の上面に配置され、第１の上面に対し上方に突出した複数の凸部をさらに有する。

【0018】

一つの例示的実施形態において、凸部は、シールバンドの外周部と同じかそれより低い高さを有する。

【0019】

一つの例示的実施形態において、凸部は、５μｍから５０μｍの範囲内の高さを有する。

【0020】

一つの例示的実施形態において、シールバンドの内周部が有する内側端部は、最も外側に位置する凸部が有する外側端部とシールバンドの外周部が有する内側端部との間に位置している。

【0021】

一つの例示的実施形態において、シールバンドの内周部が有する内側端部は、最も外側に位置する凸部が有する外側端部とシールバンドの外周部が有する内側端部との径方向の中間点より内側に位置している。

【0022】

一つの例示的実施形態において、シールバンドの内周部は、凸部の高さの半分以上の高さを有する。

【0023】

一つの例示的実施形態において、静電電極は、第１の上面の直下からシールバンドの直下にわたり配置され、静電電極が有する外側端部は、シールバンドの内周部における径方向の中央の位置より外側に位置している。

【0024】

一つの例示的実施形態において、静電電極が有する外側端部は、シールバンドの外周部の直下に位置している。

【0025】

一つの例示的実施形態において、シールバンドの外周部が有する径方向の幅は、０．３ｍｍから４ｍｍの範囲内である。

【0026】

一つの例示的実施形態において、シールバンドの内周部が有する径方向の幅は、１ｍｍから３６ｍｍの範囲内である。

【0027】

一つの例示的実施形態において、シールバンドの内周部が有する径方向の幅は、シールバンドの外周部が有する径方向の幅より大きい。

【0028】

一つの例示的実施形態において、シールバンドの内周部が有する上面の全体が傾斜面である。

【0029】

一つの例示的実施形態において、シールバンドの内周部は、径方向に互いに接続される傾斜上面と垂直面を有する。

【0030】

一つの例示的実施形態において、誘電部材が有する上下方向の厚みは、０．５ｍｍから５ｍｍの範囲内である。

【0031】

以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるものではない。

【0032】

＜プラズマ処理装置の一例＞
図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。

【0033】

プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、 １００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

【0034】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａを含んでもよい。コンピュータ２ａは、例えば、処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２ａ１、記憶部２ａ２、及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

【0035】

以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【0036】

容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０筐体とは電気的に絶縁される。

【0037】

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

【0038】

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａと、セラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、誘電部材の一例である。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、ＲＦ又はＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよく、この場合、ＲＦ又はＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号又はＤＣ信号がＲＦ又はＤＣ電極に接続される場合、ＲＦ又はＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材とＲＦ又はＤＣ電極との両方が２つの下部電極として機能してもよい。

【0039】

リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

【0040】

また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。基板支持部１１内には、流路１１１０ａが形成され、流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れてよい。流路１１１０ａは、静電チャック１１１１又は基台１１１０に設けられていてよい。流路１１１０ａには、冷媒供給装置１１１０ｂが接続され得る。冷媒供給装置１１１０ｂで温度設定された冷媒は、流路１１１０ａを流れて循環し、静電チャック１１１１及び、静電チャック１１１１に保持された基板Ｗが冷却され得る。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0041】

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0042】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

【0043】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のような少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0044】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

【0045】

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0046】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

【0047】

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、ＤＣに基づく電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0048】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0049】

＜静電チャックの構成例＞
図３は、本例示的実施形態における静電チャック１１１１の構成例を示す図である。一実施形態において、静電チャック１１１１は、誘電部材としてのセラミック部材１１１１ａと、静電電極１１１１ｂを有している。

【0050】

一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、第１の上面２００と、第１の上面２００の外側に配置される環状の凸部であるシールバンド２０１を含む。シールバンド２０１は、第１の上面２００より高い高さを有する。シールバンド２０１は、セラミック部材１１１１ａにおいて、第１の上面２００を含む他の部分と一体的に形成されてよいし、別体に形成されてもよい。

【0051】

図４は、上から見たセラミック部材１１１１ａの構成例を示す図である。一実施形態において、第１の上面２００は、セラミック部材１１１１ａの中心を円心とする円形状を有する。シールバンド２０１は、セラミック部材１１１１ａの中心を円心とする円環形状を有する。このような円環形状のシールバンド２０１を設けることにより、静電吸着された基板Ｗがシールバンド２０１の上面に接触し、伝熱ガスが基板Ｗの裏面と静電チャック１１１１との間の空間からプラズマ処理空間１０ｓに漏れ出ることを防止している。

【0052】

一実施形態において、図３に示すように、第１の上面２００は、伝熱ガスが流出するガス流出部２１０を有している。一実施形態において、ガス流出部２１０は、ガス流路２１１を通じて伝熱ガス供給部２１２に接続されている。ガス流路２１１は、基板支持部１１の内部を通過してよい。伝熱ガス供給部２１２は、チャンバ１０の外部に設けられてよい。ガス流出部２１０は、一つ又は複数配置されてよい。伝熱ガスは、ヘリウムガスを含むものであってよい。

【0053】

一実施形態において、第１の上面２００には、柱状の凸部２２０が複数配置されている。一実施形態において、凸部２２０は、第１の上面２００に対し上方に突出している。一実施形態において、凸部２２０は、円柱形状を有している。一実施形態において、図４に示すように、複数の凸部２２０は、第１の上面２００の中心周りの周方向に沿って等間隔に配置されてよい。複数の凸部２２０は、第１の上面２００の中心に対し同心円状、或いは放射状に配置されていてよい。

【0054】

一実施形態において、図３に示すように、シールバンド２０１は、環状の外周部２４０と、外周部２４０より低い高さを有する環状の内周部２４１とを含む。外周部２４０は、内周部２４１の径方向Ｘの外側に位置する。図５は、シールバンド２０１の周辺部分を拡大したシールバンド２０１の構成例を示す図である。

【0055】

一実施形態において、外周部２４０は、平坦な第２の上面２５０を有している。一実施形態において、外周部２４０は、上面の最外周に面取り部２５１を有している。

【0056】

一実施形態において、内周部２４１は、平坦な第３の上面２６０のみを有している。すなわち、内周部２４１の上面には、突出部や凹部は設けられていない。ただし、後述するように、内周部２４１の上面に突出部を設けてもよい。

【0057】

第３の上面２６０は、第２の上面２５０より低く、第１の上面２００より高くてよい。すなわち、第１の上面２００、第３の上面２６０及び第２の上面２５０は、径方向Ｘの外側に向けて、この順に高くなる階段状に形成されてよい。第２の上面２５０は、基板Ｗと内周部２４１との間の空間に伝熱ガスが入り込める隙間を確保するため、基板Ｗが撓んでも基板Ｗが第２の上面２５０に接触しないように構成される。このため、第３の上面２６０は、第２の上面２５０より０．１μｍ以上低くするのが好ましい。

【0058】

第３の上面２６０は、第１の上面２００より高い。これにより、基板Ｗと第３の上面２６０との距離が近くなり、内周部２４１において、基板Ｗに対する静電引力を大きくすることができる。この結果、シールバンド２０１における基板Ｗに対する静電引力を確保することができる。第３の上面２６０は、第１の上面２００より３μｍ以上高くすることが好ましい。また、第３の上面２６０と第２の上面２５０（或いは凸部２２０の上面）との高さの差ΔＨは、７μｍ以内とするのが好ましい。第３の上面２６０は、第１の上面２００を基準にして、凸部２２０の高さＨ１の半分以上の高さＨ２を有していてよい。なお、第３の上面２６０から静電電極１１１１ｂまでの上下方向の距離Ｌ１は、１００μｍから７５０μｍの範囲内であってよい。

【0059】

第３の上面２６０に、柱状または環状の突出部を設けてもよい。第３の上面２６０よりも基板Ｗとの距離が近い突出部を設けることにより、内周部２４１において、基板Ｗに対する静電引力をより大きくすることができる。ただし、第３の上面２６０に突出部を設けると、突出部上面と基板Ｗが接触することにより、基板Ｗと外周部２４０との接触圧力が弱まり、伝熱ガスが漏洩するおそれがある。したがって、第３の上面２６０に突出部を設けない、または突出部を設けたとしても突出部の上面を第２の上面２５０よりも低くするのが好ましい。また、静電引力をより大きくするという観点では、突出部は環状に形成するのが好ましい。ただし、突出部を環状に形成すると、突出部と外周部２４０との間の空間が基板の撓みにより閉塞し、当該空間に伝熱ガスが入り込めなくなるおそれがある。したがって、突出部を形成する場合は柱状に形成することが好ましい。

【0060】

内周部２４１は、最も外側に位置する凸部２２０と外周部２４０との間に設けられる。すなわち、内周部２４１が有する内側端部２４１ａは、最も外側に位置する凸部２２０が有する外側端部２２０ａと外周部２４０が有する内側端部２４０ａとの間に位置する。なお、十分な静電引力を確保するため、内周部２４１の領域は大きい方が望ましい。このため、内周部２４１が有する内側端部２４１ａは、最も外側に位置する凸部２２０が有する外側端部２２０ａと外周部２４０が有する内側端部２４０ａとの径方向Ｘの中間点Ｐ１より内側に位置することが好ましい。内周部２４１は、最も外側に位置する凸部２２０の外側端部２２０ａまで形成されていてよい。また、内周部２４１が有する径方向Ｘの幅Ｄ２は、外周部２４０が有する径方向Ｘの幅Ｄ１より大きいことが好ましい。

【0061】

しかしながら、内周部２４１の領域が大きすぎると基板Ｗの撓みにより基板Ｗが第３の上面２６０に接触してしまう。図８は、最も外側の凸部２２０と外周部２４０の内側端部２４０ａとの距離Ａ（図５に示す）と、基板Ｗの撓み量との関係を示す表である。内周部２４１は、最外周の凸部２２０の位置まで内側に延ばすことができるが、内周部２４１の径方向Ｘの幅Ｄ２を３６ｍｍ以内とした場合、基板Ｗの撓み量がおよそ７μｍ以内となる。したがって、内周部２４１が有する径方向Ｘの幅Ｄ２は、１ｍｍから３６ｍｍの範囲内とするのが好ましい。

【0062】

凸部２２０は、外周部２４０と同じかそれより低い高さＨ１を有していてよい。凸部２２０の高さＨ１は、５μｍから５０μｍの範囲内であってよい。

【0063】

外周部２４０が有する径方向Ｘの幅Ｄ１は、０．３ｍｍから４ｍｍの範囲内であってよい。

【0064】

図３に示すように、静電電極１１１１ｂは、セラミック部材１１１１ａ内において、第１の上面２００及びシールバンド２０１の直下に配置され得る。一実施形態において、静電電極１１１１ｂは、円形状を有する。一実施形態において、静電電極１１１１ｂは、スイッチ３００を介して直流（ＤＣ）電源３０１に接続されている。静電電極１１１１ｂに直流電源３０１からの直流電圧が印加されると、セラミック部材１１１１ａと基板Ｗとの間に静電引力（クーロン力）が発生する。基板Ｗは、その静電引力によってセラミック部材１１１１ａに引き付けられて、セラミック部材１１１１ａの上面に吸着保持される。

【0065】

一実施形態において、図５に示すように、静電電極１１１１ｂは、第１の上面２００の直下からシールバンド２０１の直下にわたり配置されている。静電電極１１１１ｂは、少なくとも内周部２４１の直下に配置され得る。静電電極１１１１ｂが有する外側端部１１１１ｂ－１は、内周部２４１における径方向Ｘの中央の位置Ｐ２より外側に位置してよい。外側端部１１１１ｂ－１は、外周部２４０の直下に位置してよい。

【0066】

図３に示すように、セラミック部材１１１１ａが有する上下方向の厚みＬ２は、０．５ｍｍから５ｍｍの範囲内であってよい。

【0067】

＜プラズマ処理方法の一例＞
プラズマ処理方法は、プラズマを用いて基板Ｗ上の膜をエッチングするエッチング処理を含む。一実施形態において、プラズマ処理方法は、プラズマ処理装置１において制御部２により実行される。

【0068】

先ず、図２に示すように、基板Ｗがチャンバ１０内に搬入され、基板支持部１１に載置される。基板Ｗは、図３に示すように静電チャック１１１１に吸着保持される。このとき、基板Ｗは、セラミック部材１１１１ａ上に載置され、シールバンド２０１の外周部２４０と接触する。静電電極１１１１ｂに直流電圧が印加され、シールバンド２０１と基板Ｗとの間に静電引力が生じ、基板Ｗがシールバンド２０１に吸着される。

【0069】

図２に示す基板支持部１１において、冷媒供給装置１１１０ｂから流路１１１０ａに冷媒が供給され、静電チャック１１１１及び、静電チャック１１１１に保持された基板Ｗが所定温度に温調される。

【0070】

伝熱ガス供給部２１２からガス流出部２１０に伝熱ガスが供給され、ガス流出部２１０から、基板Ｗと第１の上面２００との間に形成される空間に伝熱ガスが供給される。伝熱ガスは、基板Ｗと第３の上面２６０との間に形成される空間にも供給される。シールバンド２０１は、第１の上面２００と基板Ｗとの間の空間に充填された伝熱ガスがプラズマ処理空間１０ｓに漏れないように封止する。伝熱ガスは、基板Ｗをその裏面側から温調する。

【0071】

次に、処理ガスが、図２に示すガス供給部２０によりシャワーヘッド１３に供給され、シャワーヘッド１３からプラズマ処理空間１０ｓに供給される。このとき供給される処理ガスは、基板Ｗのエッチング処理のために必要な活性種を生成するガスを含む。

【0072】

１又は複数のＲＦ信号がＲＦ電源３１から上部電極及び／又は下部電極に供給される。プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気はガス排出口１０ｅから排気され、プラズマ処理空間１０ｓの内部は減圧されてもよい。これにより、プラズマ処理空間１０ｓの基板支持部１１上にプラズマが生成され、基板Ｗがエッチング処理される。プラズマ処理中は、図３に示すガス流出部２１０から基板Ｗの裏面に供給される伝熱ガスと、冷媒により温調されたシールバンド２０１の外周部２４０により基板Ｗが冷却される。

【0073】

本例示的実施形態によれば、静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａは、第１の上面２００と環状のシールバンド２０１を含み、シールバンド２０１は、外周部２４０と、外周部２４０より低い高さを有する内周部２４１を含み、静電電極１１１１ｂは、少なくとも内周部２４１の直下に配置されている。これにより、シールバンド２０１の内周部２４１と基板Ｗとの間に隙間ができ、伝熱ガスが内周部２４１上の隙間まで達し、伝熱ガスによる基板Ｗの温調が基板Ｗの外周部まで行われる。また、シールバンド２０１の内周部２４１が第１の上面２００よりも基板Ｗに近いため、シールバンド２０１の内周部２４１において中心部（第１の上面２００を有する部分）よりも基板Ｗに対する静電引力が大きくなる。このため、基板Ｗと外周部２４０との接触圧力（単位面積当たりの吸着力）が大きくなり、基板Ｗが強い力で外周部２４０に吸着される。この結果、表面粗さ等に起因する基板Ｗと外周部２４０との間にでき得る微小な隙間が減少し、基板Ｗと外周部２４０との接触面積が大きくなり、静電チャック１１１１と基板Ｗの外周部との間で熱が効率的に伝達される。以上の結果、プラズマ処理において、基板Ｗの外周部を十分に冷却することができ、静電チャック１１１１に保持される基板の温度均一性を向上することができる。

【0074】

＜実施例＞
（１）実施例として、本例示的実施形態のようにシールバンド２０１が外周部２４０よりも低い内周部２４１を有する場合、（２）比較例として、図６に示すように、シールバンド２０１が、外周部２４０と同じ高さの内周部５００を有する場合、（３）比較例として、図７に示すように、シールバンド２０１が、第１の上面２００と同じ高さの内周部５０１を有する場合について、シールバンド２０１における基板に対する接触圧力を比較した。なお、外周部２４０が有する径方向Ｘの幅は１．７ｍｍであり、内周部２４１（５００，５０１）が有する径方向Ｘの幅は１．８ｍｍである。また、（１）において、第３の上面２６０と第２の上面２５０との高さの差ΔＨは５μｍである。（２）の場合は、（１）の場合に比べて、実質的にシールバンド２０の外周部２４０が有する径方向の幅が大きくなり、基板Ｗとシールバンド２０１との接触面積が大きくなる。（３）の場合は、（１）の場合に比べて、基板Ｗとシールバンド２０１との接触面積は同じであるが、内周部５０１と基板Ｗとの距離が離れる。（１）から（３）の静電電極１１１１ｂに同じ電圧を印加した結果、（１）の場合の接触圧力が１７．７ｋＰａであり、（２）の場合の接触圧力が１４．３ｋＰａであり、（３）の場合の接触圧力が１６．０ｋＰａであった。この結果、（１）の場合は、（２）、（３）の場合に比べて、基板Ｗとシールバンド２０１との間で熱が伝達することを確認することができた。実際、静電チャック１１１１に基板Ｗを保持させ、静電チャック１１１１より基板Ｗを冷却した時の基板Ｗの外周部の温度を測定した結果、（１）の場合は、（２）、（３）の場合に比べて、１．５℃から２．２℃程度の低温効果が得られた。

【0075】

上記実施の形態において、シールバンド２０１の内周部２４１が有する上面は、第３の上面２６０のみを有していたが、傾斜面をさらに有していてよい。一実施形態において、図９に示すように、シールバンド２０１の内周部２４１が有する上面は、第３の上面２６０と傾斜面３１０を有している。傾斜面３１０と第３の上面２６０は互いに接続されていてよい。傾斜面３１０は、一端が第１の上面２００に接続され、他端が第３の上面２６０に接続されるように構成されてよい。一実施形態において、図１０に示すように、傾斜面３１０は、一端が第２の上面２５０に接続され、他端が第３の上面２６０に接続されるように構成されてよい。

【0076】

一実施の形態において、図１１に示すように、シールバンド２０１の内周部２４１が有する上面の全体が傾斜面３１０であってよい。

【0077】

一実施の形態において、図１２に示すように、シールバンド２０１の内周部２４１は、径方向Ｘに互いに接続される傾斜上面３２０と垂直面３２１を有していてよい。傾斜上面３２０は、一端が第１の上面２００に接続され、他端が垂直面３２１に接続されるように構成されてよい。垂直面３２１は、一端が傾斜上面３２０に接続され、他端が第２の上面２５０に接続されるように構成されていてよい。

【0078】

一実施の形態において、図１３に示すように、垂直面３２１は、一端が第１の上面２００に接続され、他端が傾斜上面３２０に接続されるように構成されてよい。傾斜上面３２０は、一端が垂直面３２１に接続され、他端が第２の上面２５０に接続されるように構成されてよい。

【0079】

このように傾斜面を有することにより、図５に示すような平坦な第３の上面２６０のみを有する場合と比較して、基板Ｗに対する静電引力を大きくすることができ、基板Ｗを強い力で外周部２４０に吸着させることができる。

【0080】

以上の実施の形態では、静電チャック１１１１が、容量結合型のプラズマ装置に用いられる例について説明したが、これに限定されるものではなく、他の型のプラズマ装置に用いられてよい。また、静電チャック１１１１は、プラズマ処理装置に限られず、他の基板処理装置に用いられてよい。

【0081】

本開示の実施形態は、以下の態様をさらに含む。

【0082】

（付記１）
基板を保持する静電チャックであって、
基板が載置される誘電部材と、
前記誘電部材内に配置される静電電極と、を含み、
前記誘電部材は、
ガスが流出するガス流出部を有する第１の上面と、
前記第１の上面の外側に配置され、前記第１の上面より高い高さを有する環状のシールバンドと、を含み、
前記シールバンドは、
外周部と、
前記外周部より低い高さを有する内周部と、を含み、
前記静電電極は、少なくとも前記シールバンドの前記内周部の直下に配置されている、
静電チャック。

【0083】

（付記２）
前記シールバンドの前記外周部は、平坦な第２の上面を有し、
前記シールバンドの前記内周部は、平坦な第３の上面を有する、
付記１に記載の静電チャック。

【0084】

（付記３）
前記シールバンドの前記内周部が有する上面は、傾斜面をさらに有する、
付記２に記載の静電チャック。

【0085】

（付記４）
前記第３の上面は、前記第２の上面より低く、前記第１の上面より高い、
付記２または３に記載の静電チャック。

【0086】

（付記５）
前記第３の上面は、前記第２の上面より０．１μｍ以上低い、
付記２から４のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0087】

（付記６）
前記第３の上面は、前記第１の上面より３μｍ以上高い、
付記２から５のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0088】

（付記７）
前記第３の上面から前記静電電極までの距離が、１００μｍから７５０μｍの範囲内である、
付記２から６のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0089】

（付記８）
前記シールバンドの前記内周部が有する上面は、前記第３の上面のみを有する、
付記２から７のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0090】

（付記９）
前記誘電部材は、前記第１の上面に配置され、前記第１の上面に対し上方に突出した複数の凸部をさらに有する、
付記１から８のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0091】

（付記１０）
前記凸部は、前記シールバンドの前記外周部と同じかそれより低い高さを有する、
付記９に記載の静電チャック。

【0092】

（付記１１）
前記凸部は、５μｍから５０μｍの範囲内の高さを有する、
付記９または１０に記載の静電チャック。

【0093】

（付記１２）
前記シールバンドの前記内周部が有する内側端部は、最も外側に位置する前記凸部が有する外側端部と前記シールバンドの前記外周部が有する内側端部との間に位置している、
付記９から１１のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0094】

（付記１３）
前記シールバンドの前記内周部が有する内側端部は、最も外側に位置する前記凸部が有する外側端部と前記シールバンドの前記外周部が有する内側端部との径方向の中間点より内側に位置している、
付記９から１２のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0095】

（付記１４）
前記シールバンドの前記内周部は、前記凸部の高さの半分以上の高さを有する、
付記９から１３のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0096】

（付記１５）
前記静電電極は、前記第１の上面の直下から前記シールバンドの直下にわたり配置され、
前記静電電極が有する外側端部は、前記シールバンドの前記内周部における径方向の中央の位置より外側に位置している、
付記１から１４のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0097】

（付記１６）
前記静電電極が有する外側端部は、前記シールバンドの前記外周部の直下に位置している、
付記１５に記載の静電チャック。

【0098】

（付記１７）
前記シールバンドの前記外周部が有する径方向の幅は、０．３ｍｍから４ｍｍの範囲内である、
付記１から１６のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0099】

（付記１８）
前記シールバンドの前記内周部が有する径方向の幅は、１ｍｍから３６ｍｍの範囲内である、
付記１から１７のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0100】

（付記１９）
前記シールバンドの前記内周部が有する径方向の幅は、前記シールバンドの前記外周部が有する径方向の幅より大きい、
付記１から１８のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0101】

（付記２０）
前記シールバンドの前記内周部が有する上面の全体が傾斜面である、
付記１から１９のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0102】

（付記２１）
前記シールバンドの前記内周部は、径方向に互いに接続される傾斜上面と垂直面を有する、
付記１から２０のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0103】

（付記２２）
前記誘電部材が有する上下方向の厚みは、０．５ｍｍから５ｍｍの範囲内である、
付記１から２１のいずれか一項に記載の静電チャック。

【0104】

以上の各実施形態は、説明の目的で記載されており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。以上の各実施形態は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。例えば、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態に追加することができる。また、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態の対応する構成要素と置換することができる。

【符号の説明】

【0105】

１……プラズマ処理装置、１０……チャンバ、１１……基板支持部、１１２……リングアセンブリ、１１１１……静電チャック、１１１１ａ……セラミック部材、１１１１ｂ……静電電極、２００……第１の上面、２０１……シールバンド、２４０……外周部、２４１……内周部、２５０……第２の上面、２６０……第３の上面、Ｗ…基板

【要約】

静電チャックに保持される基板の温度均一性を向上することができる技術を提供する。静電チャックは、基板が載置される誘電部材と、誘電部材内に配置される静電電極と、を含み、誘電部材は、ガスが流出するガス流出部を有する第１の上面と、第１の上面の外側に配置され、第１の上面より高い高さを有する環状のシールバンドと、を含み、シールバンドは、外周部と、外周部より低い高さを有する内周部と、を含み、静電電極は、少なくともシールバンドの内周部の直下に配置されている。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】