(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-06
(45)【発行日】2024-11-14
(54)【発明の名称】ペリクルフレーム及びペリクルアセンブリ
(51)【国際特許分類】
G03F 1/64 20120101AFI20241107BHJP
【ＦＩ】
G03F1/64
【請求項の数】
13
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2023106669
(22)【出願日】2023-06-29
(62)【分割の表示】P 2020519071の分割
【原出願日】2018-08-28
(65)【公開番号】P2023129431
(43)【公開日】2023-09-14
【審査請求日】2023-07-25
(31)【優先権主張番号】17198755.5
(32)【優先日】2017-10-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(73)【特許権者】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】デュイズ，アントン，ウィルヘルムス
(72)【発明者】
【氏名】ナザレヴィッチ，マキシム，アレクサンドロヴィッチ
(72)【発明者】
【氏名】ノッテンブーム，アーノウド，ウィレム
(72)【発明者】
【氏名】ピーター，マリア
(72)【発明者】
【氏名】ヴァン ツヴォル，ピーター－ジャン
(72)【発明者】
【氏名】ヴレス，デイビッド，フェルディナンド
【審査官】今井 彰
(56)【参考文献】
【文献】特開平０５－１０７７４７（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１６／０７９０５１（ＷＯ，Ａ２）
【文献】特開２０１７－０８３７９１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０９０７８４（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０３０９４０４（ＵＳ，Ａ１）
【文献】韓国公開特許第１０－２００７－００８７９６７（ＫＲ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０１８４９５６（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１４－０９８９１３（ＪＰ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２００７－００８７９６８（ＫＲ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１６／０４３２９２（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０３Ｆ １／６２－１／６４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ペリクルを支持するためのペリクルフレームであって、第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、
前記第１及び第２の表面の間に設けられた構造と、
を備え、
前記第１及び第２の表面並びに前記構造は、それらの間に、前記フレームを形成する材料が存在しない少なくとも１つの体積を少なくとも部分的に画定し、
前記フレームは、前記フレームをパターニングデバイスに取り付けるための複数の係合機構を備え、前記係合機構は、前記フレームの１つ以上の側面に沿って配置され、
各係合機構は、前記フレームの面内で、前記フレームの側面に対して斜めに配向されている、
ペリクルフレーム。
【請求項2】
前記１つ以上の側面は１対の支持側面を備え、前記複数の係合機構は前記１対の支持側面に沿って配置される、請求項１に記載のペリクルフレーム。
【請求項3】
前記支持側面の各々に沿って２つの係合機構が配置される、請求項２に記載のペリクルフレーム。
【請求項4】
前記複数の係合機構の各々は前記フレームの中心点と対向する、請求項１から３のいずれか１項に記載のペリクルフレーム。
【請求項5】
前記フレームの前記１対の支持側面は、リソグラフィ装置で使用される際にスキャン方向に沿って配向される、請求項２又は３に記載のペリクルフレーム。
【請求項6】
前記構造は、前記フレームの側面の長さの少なくとも一部に沿って中空管を備える、請求項１から３のいずれか１項に記載のペリクルフレーム。
【請求項7】
前記構造は、前記１対の支持側面に沿って中空管を備える、請求項２又は３に記載のペリクルフレーム。
【請求項8】
前記構造は、前記支持側面を接続する１対の自由側面を備え、前記構造の前記自由側面は、Ｉ字形断面を有する、請求項７に記載のペリクルフレーム。
【請求項9】
前記係合機構は、前記係合機構の実質的に中心の位置で取り付け部材を着脱可能に固定できるように構成されている、請求項１から３のいずれか１項に記載のペリクルフレーム。
【請求項10】
前記係合機構は、１対の第１の板バネと、前記第１の板バネにそれぞれ接続された１対の第２の板バネと、を備え、各板バネは概ね同一の方向に延出している、請求項５に記載のペリクルフレーム。
【請求項11】
前記ペリクルフレームは４つの係合機構を備え、前記係合機構のうちの２つは前記フレームの第１の側面に配置され、前記係合機構のうちの２つは前記フレームの第２の側面に配置され、前記第２の側面は前記第１の側面の反対側にあり、各係合機構は前記フレームの中心点と実質的に対向する、請求項１に記載のペリクルフレーム。
【請求項12】
前記ペリクルフレーム又は前記複数の係合機構は、アルミニウム、窒化アルミニウム、ベリリウム、又はベリリウム化合物を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載のペリクルフレーム。
【請求項13】
請求項１から１２のいずれか１項に記載のペリクルフレーム及びペリクルを備えるペリクルアセンブリであって、前記ペリクルは、アルミニウム、窒化アルミニウム、ベリリウム、又はベリリウム化合物から作製されたペリクル境界を任意選択的に備える、ペリクルアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１７年１０月２７日に出願されたＥＰ出願第１７１９８７５５．５号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。
[0001] 本出願は、２０１７年１０月２７日に出願されたＥＰ出願第１７１９８７５５．５号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。
【0002】
[0002] 本発明は、ペリクルフレーム及びペリクルアセンブリに関する。ペリクルアセンブリは、ペリクルと、このペリクルを支持するためのペリクルフレームと、を含み得る。ペリクルは、リソグラフィ装置用のパターニングデバイスと共に使用するのに適したものであり得る。本発明は特に、ＥＵＶリソグラフィ装置及びＥＵＶリソグラフィツールに関連付けて使用されるが、この使用は排他的ではない。
【背景技術】
【0003】
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は例えば、パターニングデバイス（例えばマスク）からのパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。
【0004】
[0004] 基板にパターンを投影するためリソグラフィ装置が用いる放射の波長は、その基板上に形成することができるフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍ内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を用いたリソグラフィ装置を使用すると、従来のリソグラフィ装置（例えば１９３ｎｍの波長の電磁放射を使用できる）よりも小さいフィーチャを基板上に形成することができる。
【0005】
[0005] リソグラフィにおけるペリクルの使用は周知であり、充分に確立されている。ＤＵＶリソグラフィ装置における典型的なペリクルは、パターニングデバイスから離間して位置付けられた膜であり、使用時にリソグラフィ装置の焦点面の外にある。ペリクルはリソグラフィ装置の焦点面の外にあるので、ペリクル上に到達する汚染粒子はリソグラフィ装置の焦点外にある。従って、汚染粒子の像は基板に投影されない。もしもペリクルが存在しなかったら、パターニングデバイス上に到達した汚染粒子は基板に投影され、投影されるパターンに欠陥を発生させる。
【0006】
[0006] ＥＵＶリソグラフィ装置でペリクルを使用することが望ましい場合がある。ＥＵＶリソグラフィは、典型的に真空において実行されること及びパターニングデバイスが透過型でなく反射型であることがＤＵＶリソグラフィとは異なる。
【0007】
[0007] 従来技術に伴う１つ以上の問題を克服又は軽減するペリクルフレーム及び／又はペリクルアセンブリを提供することが望ましい。本明細書に記載されている本発明の実施形態は、ＥＵＶリソグラフィ装置において使用され得る。また、本発明の実施形態は、ＤＵＶリソグラフィ装置及び／又は別の形態のリソグラフィツールにおいても使用され得る。
【発明の概要】
【0008】
[0008] 本発明の第１の態様によれば、ペリクルを支持するためのペリクルフレームが提供される。このフレームは、第１の表面と、第１の表面とは反対側の第２の表面と、第１及び第２の表面の間に設けられた構造と、を備え、第１及び第２の表面並びに構造は、それらの間に、フレームを形成する材料が存在しない少なくとも１つの体積（volume）を少なくとも部分的に画定する。
【0009】
[0009] これは、フレームを形成する材料が存在しない体積を備えないフレームに比べてフレームの重量が低減し得る、及び／又は固有振動数が上昇し得るという利点を有することができる。これにより、異なる材料を用いたフレームの形成が可能となる。異なる材料を使用することで、膜の熱膨張係数（ＣＴＥ）を更にぴったり一致させることができ、ペリクル製造中の熱応力の低減が可能となる。
【0010】
[00010] フレームの少なくとも１つの部分は、フレームの少なくとも１つの他の部分とは異なる断面プロファイルを有し得る。フレームの周囲において、又はフレームの少なくとも１つの部分と少なくとも１つの他の部分とで、体積の分布が異なる場合がある。これは、例えばフレームの曲げ剛性及び／又はフレームのねじれ剛性のようなフレームの剛性に実質的に寄与しないフレームの部分に体積を配置することができるという利点を有し得る。
【0011】
[00011] フレームの少なくとも１つの部分と少なくとも１つの他の部分とで、第１及び第２の表面の間に設けられている構造の形態及び／又は体積の量が異なる場合がある。
【0012】
[00012] 体積は、少なくとも１つの空隙、空間、中空、ポケット、又はチャンバを画定するか又は含むことができる。
【0013】
[00013] 体積は、フレームの周縁部の少なくとも一部に延出し得る。
【0014】
[00014] 体積は空である（open）場合がある。
【0015】
[00015] 体積は、第１及び第２の表面の間でマトリックス状体積に構成され得る。
【0016】
[00016] 構造は、第１及び第２の表面を接続する少なくとも第１の壁を含み得る。
【0017】
[00017] フレームは、第１の壁とは反対側の、第１及び第２の表面を接続する第２の壁を含み得る。体積は、第１及び第２の表面を通って又は第１及び第２の表面の間に延出している。
【0018】
[00018] 第１及び第２の表面並びに第１及び第２の壁は、フレームの側面の長さの少なくとも一部に沿って中空管を形成し得る。
【0019】
[00019] 第１及び第２の表面並びに第１の壁は、フレームの側面の長さの少なくとも一部に沿ってＩ字形断面を形成し得る。
【0020】
[00020] フレームの側面は、パターニングデバイスに直接取り付けられておらずパターニングデバイスに取り付け可能でもない自由側面であり得る。
【0021】
[00021] フレームの側面は、パターニングデバイスに取り付け可能に構成されている支持側面であり得る。
【0022】
[00022] 第１の表面及び第２の表面のうち少なくとも１つは連続的であり得る。
【0023】
[00023] 第１の表面及び第２の表面のうち少なくとも１つは、少なくとも１つのくぼみを有し得る。
【0024】
[00024] フレームは、フレームをパターニングデバイスに取り付けるための少なくとも１つの係合機構を備え得る。これは、フレームにおいて損傷を与える可能性のある熱応力の発生を回避するので有利である。
【0025】
[00025] フレームの側面は支持側面であり、中空管はフレームの自由側面から係合機構まで延出し得る。
【0026】
[00026] フレームは複数の係合機構を備え、各係合機構は、位置付けられているフレームの側面に対して垂直な方向から外れて配向され得る。これは、パターニングデバイスに対するフレームの熱膨張を可能とする利点を有し、パターニングデバイスに応力が蓄積するのを防止することに役立ち得る。
【0027】
[00027] 各係合機構はフレームの中心点と実質的に対向し得る。
【0028】
[00028] 係合機構は、係合機構の実質的に中心の位置で取り付け部材を着脱可能に固定できるように構成され得る。これは、ねじれを低減する利点を有することができる。
【0029】
[00029] 係合機構は、１対の第１の板バネと、第１の板バネにそれぞれ接続された１対の第２の板バネと、を備え得る。各板バネは概ね同一の方向に延出し得る。
【0030】
[00030] 第１の板バネと第２の板バネとの間に中間部を位置付けることができる。
【0031】
[00031] 第１の板バネ及び第２の板バネの長さは、１．５：１から２．５：１の比を有し得る。
【0032】
[00032] 第１の板バネは弾性的に可撓性の係合アームを含み、２つの係合アームの間にビームが位置付けられ、ビームは係合機構の幅の半分にわたって延出し得る。これは、取り付け部材のための空間を提供する利点を有し得る。
【0033】
[00033] ペリクルフレームは、アルミニウム及び／又は窒化アルミニウムのうち少なくとも１つから作製され得る。
【0034】
[00034] 本発明の第２の態様によれば、ペリクルを支持するためのペリクルフレームを製造する方法が提供される。この方法は、フレーム材料からペリクルフレームを形成することであって、フレームは、第１の表面と、第１の表面とは反対側の第２の表面と、第１及び第２の表面の間の構造と、を備える、ことと、第１及び第２の表面の間に、フレーム材料が存在しない少なくとも１つの体積を形成することと、を含む。
【0035】
[00035] 少なくとも１つの体積は、第１及び第２の表面の間でフレーム材料の少なくとも１つの体積を除去することによって形成され得る。
【0036】
[00036] 方法は更に、フレームの剛性、フレームの曲げ剛性、及び／又はフレームのねじれ剛性に実質的に寄与しないフレームの部分において体積を形成することを含み得る。
【0037】
[00037] フレーム材料は、アルミニウム及び窒化アルミニウムのうち少なくとも１つから形成され得る。
【0038】
[00038] 本発明の第３の態様によれば、上述したようなペリクルフレーム及びペリクルを備えるペリクルアセンブリが提供される。
【0039】
[00039] ペリクルアセンブリはペリクル境界を更に備え得る。これは、ペリクルにおける応力を低減する利点を有し得る。
【0040】
[00040] ペリクル境界及びペリクルフレームは同一の材料とすることができる。
【0041】
[00041] ペリクル境界は、アルミニウム及び／又は窒化アルミニウムのうち少なくとも１つから作製され得る。
【0042】
[00042] ペリクルフレームは、アルミニウム及び／又は窒化アルミニウムのうち少なくとも１つから作製され得る。
【0043】
[00043] ペリクルフレームは係合機構を備え得る。
【0044】
[00044] 係合機構を保持するためのブロックは、ペリクルフレームと同一の材料から形成され得る。
【0045】
[00045] 本発明の第４の態様によれば、４つの係合機構を備えるペリクルフレームが提供される。各係合機構はフレームの中心点と実質的に対向する。これは、パターニングデバイスに対するフレームの熱膨張を可能とする利点を有し、パターニングデバイスに応力が蓄積するのを防止することに役立ち得る。
【0046】
[00046] 本発明の第５の態様によれば、係合機構を備えるペリクルフレームが提供される。係合機構は、係合機構の実質的に中心で取り付け部材を着脱可能に固定できるように構成されている。これは、ねじれを低減する利点を有することができる。
【0047】
[00047] 上述したか又は以下の記載で言及される１つ以上の態様を１つ以上の他の態様又は特徴と組み合わせてもよいことは認められよう。
【図面の簡単な説明】
【0048】
[00048] これより、添付の概略図を参照して単に一例として本発明の実施形態を説明する。
【0049】
【図1】ペリクルアセンブリを含むリソグラフィ装置を備えたリソグラフィシステムを概略的に示す。
【図2A】ペリクルアセンブリ及びパターニングデバイスを示す。
【図2B】ペリクルアセンブリ及びパターニングデバイスを示す。
【図3】ペリクルアセンブリ及びパターニングデバイスの断面を概略的に示す。
【図4】ペリクルフレームの上面図を概略的に示す。
【図6A】フレームの斜視図を概略的に示す。
【図6B】フレームの断面の斜視図を概略的に示す。
【図7】係合機構の上面図を概略的に示す。
【図9】係合機構の斜視図を概略的に示す。
【図11A】取り付け部材の端面図を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【0050】
[00049] 図１は、本発明の一実施形態に従ったペリクルアセンブリ１５を含むリソグラフィシステムを示す。リソグラフィシステムは、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備えている。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームＢを発生するように構成されている。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を支持するよう構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するよう構成された基板テーブルＷＴと、を備えている。照明システムＩＬは、放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前にこれを調節するよう構成されている。投影システムは、放射ビームＢ（この時点でマスクＭＡによってパターン付与されている）を基板Ｗに投影するよう構成されている。基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含む場合がある。これが当てはまる場合、リソグラフィ装置は、パターン付与された放射ビームＢを、基板Ｗ上に以前に形成されたパターンと位置合わせする。
【0051】
[00050] 放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳは全て、外部環境から隔離できるように構成及び配置することができる。放射源ＳＯ内に、大気圧より低い圧力のガス（例えば水素）を提供してもよい。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に、真空を提供してもよい。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に、大気圧よりも充分に低い圧力の少量のガス（例えば水素）を提供してもよい。
【0052】
[00051] 図１に示されている放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ：laser produced plasma）源と呼ぶことができるタイプである。例えばＣＯ２レーザとすることができるレーザ１は、レーザビーム２によって、燃料放出器３から与えられるスズ（Ｓｎ）等の燃料にエネルギを堆積するよう配置されている。以下の記載ではスズに言及するが、任意の適切な燃料を使用すればよい。燃料は、例えば液体の形態とすることや、例えば金属又は合金とすることが可能である。燃料放出器３は、例えば小滴の形態のスズを、プラズマ形成領域４へ向かう軌道に沿って誘導するよう構成されたノズルを備えることができる。レーザビーム２はプラズマ形成領域４においてスズに入射する。レーザエネルギのスズへの堆積は、プラズマ形成領域４においてプラズマ７を生成する。プラズマイオンの脱励起及び再結合の間に、プラズマ７からＥＵＶ放射を含む放射が放出される。
【0053】
[00052] ＥＵＶ放射は、近法線入射放射コレクタ５（時として、より一般的に法線入射放射コレクタと称される）によって収集及び合焦される。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば１３．５ｎｍのような所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するよう配置された多層構造を有し得る。コレクタ５は、２つの楕円焦点を有する楕円構成を有することができる。第１の焦点はプラズマ形成領域４にあり、第２の焦点は以下で検討するように中間焦点６にあり得る。
【0054】
[00053] レーザ１は放射源ＳＯから離れた場所にあり得る。これが当てはまる場合、レーザビーム２は、レーザ１から放射源ＳＯへ、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ及び／又は他の光学系を含むビームデリバリシステム（図示せず）を用いて渡すことができる。レーザ１及び放射源ＳＯは共に放射システムと見なすことができる。
【0055】
[00054] コレクタ５によって反射された放射は放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは、ポイント６で合焦されてプラズマ形成領域４の像を形成し、これは照明システムＩＬのための仮想放射源として作用する。放射ビームＢが合焦されるポイント６を中間焦点と呼ぶことができる。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源の閉鎖構造９の開口８に又は開口８の近くに位置するように配置されている。
【0056】
[00055] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから、放射ビームを調節するよう構成された照明システムＩＬ内に進む。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を含むことができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、放射ビームＢに所望の断面形状と所望の角度強度分布を与える。放射ビームＢは、照明システムＩＬから出射し、支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡは、ペリクルフレーム１７（記載の残り部分ではフレームと称される）によって所定位置に保持されたペリクル１９によって保護されている。ペリクル１９及びフレーム１７は共にペリクルアセンブリ１５を形成する。パターニングデバイスＭＡ（例えばマスクとすることができる）は、放射ビームＢを反射しパターン付与する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて又はこれらの代わりに、他のミラー又はデバイスを含むことも可能である。
【0057】
[00056] パターニングデバイスＭＡから反射した後、パターン付与された放射ビームＢは投影システムＰＳに入射する。投影システムは、基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗに放射ビームＢを投影するよう構成された複数のミラーを備えている。投影システムＰＳは、放射ビームに縮小率を適用することで、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャの像を形成できる。例えば、縮小率４を適用することができる。図１において投影システムＰＳは２つのミラーを有するが、投影システムは任意の数のミラー（例えば６個のミラー）を含むことができる。
【0058】
[00057] 図１に示されている放射源ＳＯは、図示されていないコンポーネントを含み得る。例えば、放射源内にスペクトルフィルタを提供することができる。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対して実質的に透過性であるが、赤外線放射のような他の波長の放射を実質的に阻止することができる。
【0059】
[00058] 上記で簡単に述べたように、ペリクルアセンブリ１５は、パターニングデバイスＭＡに隣接して設けられているペリクル１９を含む。放射ビームＢが照明システムＩＬからパターニングデバイスＭＡに近付く時、及びパターニングデバイスＭＡにより反射されて投影システムＰＳの方へ向かう時の双方でペリクル１９を通過するように、ペリクル１９は放射ビームＢの経路内に提供されている。ペリクル１９は、ＥＵＶ放射に対して実質的に透明である（が、少量のＥＵＶ放射を吸収する）薄膜を含む。本明細書において、ＥＵＶ透明ペリクル又はＥＵＶ放射に対して実質的に透明な膜とは、ペリクル１９がＥＵＶ放射の少なくとも６５％、好ましくは少なくとも８０％、より好ましくはＥＵＶ放射の少なくとも９０％に対して透過性であることを意味する。ペリクル１９は、粒子汚染からパターニングデバイスＭＡを保護するように機能する。ペリクル１９は、本明細書においてＥＵＶ透明ペリクルと呼ぶことができる。ペリクル１９はケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）から作製され得る。ＭｏＳｉはシリコンよりも迅速に冷却されるので、高温ではシリコンよりも強い。他の例では、シリコンのような他の材料からペリクルを作製することも可能である。
【0060】
[00059] リソグラフィ装置ＬＡ内部に清潔な環境を維持するよう努力しても、リソグラフィ装置ＬＡ内部には粒子が存在する可能性がある。ペリクル１９がなければ、粒子はパターニングデバイスＭＡ上に堆積し得る。パターニングデバイスＭＡ上の粒子は、放射ビームＢに付与されるパターン、従って基板Ｗに転写されるパターンに悪影響を及ぼす恐れがある。ペリクル１９は、パターニングデバイスＭＡ上に粒子が堆積するのを防止するため、パターニングデバイスＭＡとリソグラフィ装置ＬＡ内の環境との間のバリアを与える。
【0061】
[00060] 使用時、ペリクル１９は、ペリクル１９の表面に入射する粒子が放射ビームＢの焦点面内に存在しないよう充分な距離だけパターニングデバイスＭＡから離して位置決めされている。ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間のこの分離は、ペリクル１９の表面上の粒子が放射ビームＢにパターンを付与する程度を低減するように機能する。粒子が放射ビームＢ内に存在するが、放射ビームＢの焦点面内でない位置にある（すなわちパターニングデバイスＭＡの表面でない）場合、粒子の像は基板Ｗの表面において焦点が合わない。いくつかの実施形態では、ペリクル１９とパターニングデバイスＭＡとの間の分離は例えば２ｍｍ～３ｍｍの間とすればよい（例えば約２．５ｍｍ）。いくつかの実施形態では、以下で更に詳しく記載されるように、ペリクル１９とパターニングデバイスとの間の分離は調節可能とすることができる。
【0062】
[00061] 図２Ａは、ペリクルアセンブリ１５及びパターニングデバイスＭＡの斜視図である。ペリクルアセンブリ１５は、フレーム１７と、ペリクル境界２０を持たないペリクル１９と、を含むことができる（図２Ｂを参照のこと）。ペリクル１９はフレーム１７上に直接形成することができる。パターニングデバイスＭＡはパターン付与された表面２１を有する。
【0063】
[00062] 他の例では、ペリクルアセンブリは境界２０も含むことができる。図２Ｂは、ペリクルアセンブリ１５Ａ及びパターニングデバイスＭＡの斜視図である。ペリクルアセンブリ１５Ａは、ペリクル１９と、フレーム１７と、ペリクル境界２０と、を含み得る。境界２０は任意選択的に、ペリクル１９と一体的であるか、ペリクル１９内に含まれるか、又はペリクル１９とは物理的に別個とすることができる。境界２０はペリクル１９の主要部よりも著しく厚い場合があり、ペリクル１９の外周全体に位置付けることができる。フレーム１７に取り付けられるのはこの境界２０である。フレーム１７は、境界２０を介してペリクル１９の周囲部でペリクル１９を支持する。境界２０はフレーム１７にのり付けか、又は別の方法で取り付けることができる。記載されている例では、フレーム１７は、境界２０を持たないペリクル１９又は境界２０を備えたペリクル１９のいずれかと共に使用できる。
【0064】
[00063] 図３は、ペリクルアセンブリ１５及びパターニングデバイスＭＡの概略図を断面で更に詳しく示す。汚染粒子２６が概略的に示されている。汚染粒子２６はペリクル１９に入射し、ペリクル１９によって保持される。ペリクル１９は、マスクＭＡのパターン付与された表面２１から充分に遠くで汚染粒子２６を保持するので、汚染粒子２６がリソグラフィ装置ＬＡによって基板に結像されることはない。本発明の一実施形態に従ったペリクルアセンブリは、（パターニングデバイス上の）マスクパターンをペリクルによって汚染から保護し、マスクを用いて生成されるパターンが使用中に実質的に欠陥のない状態を保つことを可能とする。他の例では、ペリクルアセンブリ１５Ａ（すなわち境界２０を備えている）を同様に使用することができる。
【0065】
[00064] ペリクルアセンブリ１５Ａは、境界２０を提供する基板に直接ペリクル１９を堆積することによって構築できる。ペリクル１９の膜を堆積した後、基板を選択的にバックエッチして（back-etch）基板の中央部を除去すると共に外周部のみを残すことで、ペリクル１９を支持する境界２０を形成すればよい。
【0066】
[00065] 他の例では、最初にエッチストップ（例えばＳｉＯ２）を堆積し、次いでペリクルコア材料を、次いで別のエッチストップ（例えばＳｉＯ２）を堆積することができる。シリコンウェーハ材料をエッチングによってエッチストップまで除去すればよい。次いで、シリコンもケイ化モリブデンＭｏＳｉも攻撃しない異なるエッチャントを用いて、エッチストップをエッチングによって除去すればよい。これにより自立膜（freestanding membrane）（ペリクル）が残される。ペリクル１９は、例えば１５～５０ｎｍのオーダーの厚さを有し得る。他の例では、フレーム１７を提供する基板に直接ペリクル１９を堆積することによってペリクルアセンブリ１５を構築できる。
【0067】
[00066] ペリクル１９は、あるレベルの「プレストレス（pre-stress）」（すなわち、使用されていない時にペリクル１９内に存在するあるレベルの応力）を必要とする。ペリクル１９内のプレストレスによって、ペリクル１９は、スキャン動作中に温度及びガス圧の変化のため生じる圧力差に耐えることができる。しかしながら、プレストレスが大きすぎる場合、ペリクルアセンブリ１５の全体的な寿命が短くなる。従って、ペリクル１９に対する所与の圧力において（ｚ方向の）偏向を制限するため、ペリクル１９に最小限のプレストレスを（図示されているｘ－ｚ面内で）与えることが望ましい。ｚ方向のペリクル１９の偏向が大きすぎる場合、ペリクル１９は破壊する及び／又はペリクル１９の周辺エリアの他のコンポーネントに接触する可能性がある。
【0068】
[00067] ペリクル１９の応力は、ペリクル１９が形成されている材料の最大引張応力（ultimate tensile stress）又は降伏強度よりも著しく小さいことが好ましいので、ペリクル１９のプレストレスは限定されていることが好ましい。ペリクル１９の寿命及び信頼性を増大させるため、プレストレスと最大引張応力との間の差は、できる限り大きくなければならない。
【0069】
[00068] プレストレスをペリクル１９に組み込むため、化学量論、水素化、結晶サイズの制御、ドーピング、及びペリクル１９を基板に堆積する時の熱膨張係数（ＣＴＥ）の選択的な不整合を含む１つ以上の機構を使用できる。また、ペリクル１９は複数の層を含むことも可能である（例えば、水素ラジカルからペリクル１９を保護するためのキャッピング層）。ペリクルアセンブリ１５のペリクル１９部分のこれらの層のＣＴＥ不整合と、ペリクル１９の異なる層が堆積されるヘテロエピタキシのプロセスに起因して、多層ペリクル１９の各層の応力はそれぞれ異なる可能性がある。
【0070】
[00069] 使用時のペリクル１９内の張力は、上述したように加えられたプレストレスによってある程度支配される。また、ペリクル１９内の所望の張力を達成するように、ペリクル１９の境界２０への取り付けを制御することも可能である。例えば、ペリクル１９内の所望の張力を達成するため、ペリクル１９の境界２０への取り付け中に又は取り付け後にペリクル１９内の張力を測定し、この測定値に応じて張力を調整することができる。ペリクル１９内の張力は、例えばペリクル１９を伸ばすように境界２０のコンポーネントに外向きの力を加えることによって維持できる。ペリクル１９内の張力は、例えばフレームとペリクルとの間の熱膨張係数の差を用いて維持できる。
【0071】
[00070] 例示されている実施形態は、フレームをパターニングデバイスＭＡの前面に取り付けることを示しているが、他の例では、フレームをパターニングデバイスＭＡの他の部分に取り付けてもよい。例えば、フレームをパターニングデバイスＭＡの側面に取り付けることができる。これは、例えばフレームとパターニングデバイスＭＡの側面との間に解放可能に係合できる取り付けを提供するサブマウントを用いて達成できる。代替的な構成では、フレームをパターニングデバイスＭＡに取り付けるため、パターニングデバイスＭＡの側面のいくつかの取り付け位置とパターニングデバイスＭＡの前面のいくつかのの取り付け位置とを組み合わせてもよい。取り付けは、例えばフレームとパターニングデバイスＭＡを解放可能に係合するサブマウントによって提供できる。
【0072】
[00071] ペリクル１９内の所望の張力を達成するように、フレーム１７のパターニングデバイスＭＡへの取り付けを制御することができる。例えば、ペリクル１９内の所望の張力を達成するため、フレーム１７のパターニングデバイスＭＡへの取り付け中にペリクル１９内の張力を測定し、この測定値に応じて張力を調整すればよい。
【0073】
[00072] フレーム１７は、フレーム１７をパターニングデバイスＭＡに着脱可能に取り付けられる（すなわち、フレーム１７をパターニングデバイスＭＡに取り付け可能であると共にパターニングデバイスＭＡから取り外し可能である）ように構成された係合機構２２を含み得る。係合機構２２は、フレーム１７のブロック２３（図４を参照のこと）に配置することができる。係合機構２２は、パターニングデバイスＭＡ上に提供された取り付け部材２４と係合するように構成されている。取り付け部材２４は、例えばパターニングデバイスＭＡから延出している突起又はスタッドとすればよい。係合機構２２は、例えばこの突起と係合してフレーム１７をパターニングデバイスＭＡに固定するロック部材３２（図７を参照のこと）を含み得る。
【0074】
[00073] 複数の係合機構２２及びこれらに関連付けられた取り付け部材２４を提供できる。係合機構２２は、フレーム１７の周囲に分散させることができる（例えば、フレームの一方側に２つの係合機構２２Ａ、２２Ｂ、フレームの反対側に２つの係合機構２２Ｃ、２２Ｄ）。関連付けられた取り付け部材は、パターニングデバイスＭＡの周囲部に分散させることができる。係合機構２２は、フレーム１７のブロック２３（図４を参照のこと）に配置することができる。
【0075】
[00074] 次に図４を参照すると、フレーム１７の上面図が示されている。フレーム１７には４つの係合機構２２Ａ～２２Ｄが設けられている。各係合機構２２は、フレーム１７の周囲部の各側面の残り部分に対して半径方向外側に突出しているフレーム１７の各ブロック２３に配置することができる。各係合機構２２Ａ～２２Ｄは、（以下で記載されるように）パターニングデバイスＭＡから延出している各取り付け部材２４Ａ～２４Ｄを受容するよう構成されている。この例のフレーム１７は４つの側面を有する。フレーム１７の一方側３０Ａに２つの係合機構２２Ａ、Ｂが設けられ、フレーム１７の反対側に２つの係合機構２２Ｃ、２２Ｄが設けられている。これらの側面を支持側面３０Ａ、３０Ｂと呼ぶ。支持側面３０Ａ、３０Ｂを接続し、係合機構２２Ａ～２２Ｄを持たない他の２つの側面を、自由側面３０Ｃ、３０Ｄと呼ぶ。４つのフレーム側面の各々に１つの係合機構があるといった他の組み合わせも可能である。係合機構２２は、リソグラフィ装置で使用される際にスキャン方向に沿って配向される（図３及び図４では従来の表記に従ってｙ方向として示されている）フレーム１７の側面に設けられている。しかしながら、係合機構は、リソグラフィ装置で使用される際にスキャン方向に対して垂直に配向される（図３及び図４では従来の表記に従ってｘ方向として示されている）フレーム１７の側面に設けてもよい。
【0076】
[00075] 係合機構２２Ａ～２２Ｄによって受容される取り付け部材２４Ａ～２４Ｄ（突起）は、パターニングデバイスＭＡの前面すなわちパターン付与された表面２１に配置することができる。これに加えて又はこの代わりに、突起をパターニングデバイスの側面に配置してもよい。突起は、パターニングデバイスの側面から垂直方向に延出することができる。そのような構成において、突起の各々は、パターニングデバイスの側面への堅固な接合を容易にするため平坦な横面を有し得る。
【0077】
[00076] 各係合機構２２Ａ～２２Ｄは、例えばｘ－ｙ面内でフレーム１７の中心点ＣＰと実質的に対向するように、フレームの側面に対して斜めに配向することができる。この場合、中心点ＣＰはフレーム１７の幾何学的中心である。すなわち各係合機構２２Ａ～２２Ｄは、フレーム１７の中心と概ね対向するように、フレーム１７の側面に対する垂直な配向から回転している。このため、係合機構２２Ａは係合機構２２Ｄと対向し、係合機構２２Ｂは係合機構２２Ｃと対向する。図４において各係合機構から引かれたラインは中心点ＣＤで交差する。これによって２つの対称面が形成され、フレーム１７の中心点ＣＤに熱的な中心が生じる。これにより、パターニングデバイスＭＡに対するフレーム１７の熱的な膨張が可能となると共に、パターニングデバイスＭＡに応力が蓄積されるのを防止する。他の例では、係合機構２２をフレーム１７の中心点ＣＰと対向するまでは回転させない場合がある。この場合、応力蓄積低減の利点はそれほど大きくないものの、熱膨張の可能性は同様に増大させることができる。
【0078】
[00077] 再び図３を参照すると、フレーム１７は、第１の表面１７Ａと、この第１の表面１７Ａとは反対側の第２の表面１７Ｂと、を有し得る。第１及び第２の表面１７Ａ、１７Ｂは連続的とすることができる。ペリクル１９、又は、適用できる場合には境界２０は、全周にわたってフレームの第１の表面１７Ａと接触し得る。他の例では、第１及び／又は第２の表面１７Ａ、１７Ｂは、少なくとも１つのくぼみ又は複数のくぼみ（図示せず）を有し得る。図３において、第１の表面１７Ａは上面であり、第２の表面１７Ｂは下面である。ペリクル１９の使用中に、第１の表面１７Ａが下向きであり第２の表面１７Ｂが上向きである場合があるが、ここで使用される用語は単に理解を助けるためのものであり、使用時に第１及び第２の表面１７Ａ、１７Ｂが面する方向は異なるか又は逆であることもある。
【0079】
[00078] フレーム１７は、第１及び第２の表面１７Ａ、１７Ｂの間に設けられてこれらを接続及び分離する構造１８を含み得る。構造１８は、空隙、空間、中空、ポケット、チャンバ等の体積２８Ａ～２８Ｃを少なくとも部分的に画定する。
【0080】
[00079] 一例において、構造１８は第１の壁１７Ｃを含む。第１の壁１７Ｃはフレーム１７の内周部に位置付けられ、フレーム１７の周縁部の少なくとも一部に延出することができる。複数の例において、第１の壁１７Ｃはフレーム１７の内周部と外周部との間に位置付けられ、フレーム１７の周縁部の少なくとも一部に延出することができる。第１の壁１７Ｃは、フレーム１７の周縁部の少なくとも一部において又はフレーム１７の周縁部全体にわたって連続的であり得る。フレーム１７は、第１及び第２の表面１７Ａ、１７Ｂを接続する第２の壁１７Ｄを有することができる。第２の壁１７Ｄはフレーム１７の外周部に位置付けられ、フレーム１７の周縁部の少なくとも一部に延出し得る。複数の例において、第２の壁１７Ｄはフレーム１７の内周部と外周部との間に位置付けられ、フレーム１７の周縁部の少なくとも一部に延出することができる。第２の壁１７Ｄは、フレーム１７の周縁部の少なくとも一部において又はフレーム１７の周縁部全体にわたって連続的であり得る。複数の例において、第１及び／又は第２の壁１７Ｃ、１７Ｄは第１及び第２の表面１７Ａ、１７Ｂに対して概ね垂直に又は斜めに延出している。
【0081】
[00080] 図５Ａから図５Ｆは図４の断面を示す。図５Ａから図５Ｄに示されているように、フレーム１７内には、フレーム１７から材料が除去されたか又は失われている体積２８Ａ～２８Ｃが提供されている。すなわち、第１及び第２の表面１７Ａ、１７Ｂは、フレーム１７を形成する材料が存在しない複数の体積２８を第１及び第２の表面１７Ａ、１７Ｂの間に少なくとも部分的に画定する。複数の例では、フレーム１７は体積２８内に材料が存在しない状態で形成されている場合がある。体積２８は、例えば空気、プロセスガス、もしくは真空のような環境に開放するか、又は閉鎖することができる。他の例では、体積２８にフレーム１７の材料とは異なる材料を充填することができる。例えば体積２８に、フレーム１７の残りの大部分が形成される材料よりも密度が低い材料を充填できる。
【0082】
[00081] フレーム１７の周縁部に沿った様々な位置に多数の体積２８を位置付けることができる。これらの体積２８は、相互につなげて更に大きい体積を形成するか、又は第１及び第２の壁１７Ｃ、１７Ｄによって分離してもよい。すなわち、第１及び第２の表面１７Ａ、１７Ｂの間に体積２８の格子を形成することができる。
【0083】
[00082] 更に、フレームの少なくとも１つの部分は、フレームの少なくとも１つの他の部分とは異なる断面プロファイルを有することができる。具体的には、例えばこれらの位置において所望の機械的及び熱的な特性を与えるため、フレームの少なくとも１つの部分と少なくとも１つの他の部分とで、第１及び第２の表面１７Ａ、１７Ｂの間に設けられている構造１８の形態（例えば、壁１７Ｃ、１７Ｄの数、壁１７Ｃ、１７Ｄの相対的な配置等）並びに構造１８に対する体積２８の相対的な量は任意選択的に異なっている。例えば、フレーム１７の少なくとも１つの部分はＩ字形の断面を有し、フレーム１７の少なくとも１つの他の部分は四角形又は中空管の断面を有し得る。
【0084】
[00083] 図５Ｂは自由側面３０Ｃの側面図を示し、これは、支持側面３０Ａ、３０Ｂが少なくとも部分的にくり抜かれてｙ方向に延出する空の管構造（すなわち中空管）を形成することを示している。中空管内の空の空間が体積２８Ａである。これは図５Ｅに更に詳しく示されている。中空管はねじり剛性を与える。第１及び第２の表面１７Ａ、１７Ｂ並びに第１及び第２の壁１７Ｃ、１７Ｄは、フレーム１７の支持側面３０Ａの長さの少なくとも一部に沿って中空管を形成する。体積２８Ａは、第１及び第２の壁１７Ｃ、１７Ｄを通って又はこれらの間に延出していると考えることができる。好ましくは、中空管は支持側面３０Ａにおいて自由側面３０Ｃから係合機構２２Ａまで延出している。他の例では、中空管は支持側面３０Ａにおいて自由側面３０Ｃから係合機構２２Ａを保持しているブロック２３まで延出し得る。中空管は、支持側面３０Ａ、３０Ｂの一方又は双方の全長に沿って延出し得る。中空管は、支持側面３０Ａ、３０Ｂの一方又は双方の長さの一部のみに沿って延出し得る。他の例では、中空管は自由側面３０Ｃ、３０Ｄの一方又は双方の少なくとも一部に沿って延出し得る。他の例では、必要なねじり剛性が与えられるならば、支持側面３０Ａ、３０Ｂの一方又は双方の断面は別の形状又は中空管以外の中空構造であってもよい。
【0085】
[00084] 図５Ｃは図４のラインＤ－Ｄで切り取った断面を示し、これは、自由側面３０Ｃ、３０Ｄがｘ方向に延出するＩ字形断面を有することを示している。これは図５Ｆに更に詳しく示されている。Ｉ字形断面は曲げ剛性を与える。第１及び第２の表面１７Ａ、１７Ｂ並びに第１の壁１７Ｃは、自由側面３０Ｃの長さの少なくとも一部に沿ってＩ字形断面を形成する。このＩ字形断面のため、２つの体積２８Ｂが第１の壁１７Ｃの両側において側面３０Ｃの長さの少なくとも一部に沿ってｘ方向に延出している。好ましくは、Ｉ字形断面は自由側面３０Ｃにおいて支持側面３０Ａから支持側面３０Ｂまで延出している。Ｉ字形断面は、自由側面３０Ｃ、３０Ｄの一方又は双方の全長に沿って延出し得る。他の例では、Ｉ字形断面は、自由側面３０Ｃ、３０Ｄの一方又は双方の長さの少なくとも一部のみに沿って延出し得る。他の例では、Ｉ字形断面は、支持側面３０Ａ、３０Ｂの一方又は双方の少なくとも一部に沿って延出し得る。他の例では、必要な曲げ剛性が与えられるならば、自由側面３０Ｃ、３０Ｄの一方又は双方の断面はＩ字形以外の別の形状であってもよい。
【0086】
[00085] 図５ＡはラインＣ－Ｃで切り取った断面を示し、これは、支持側面３０Ａ上のブロック２３のうち少なくとも１つにおいて体積２８Ｃが除去されていることを示す。これは図５Ｄに更に詳しく示されている。体積２８Ｃを画定する第１及び第２の表面１７Ａ、１７Ｂは基準表面として必要とされるだけである。すなわち、体積２８Ｃは強度又は剛性のための材料を有する必要はない。ブロック２３の周囲部に延出している第２の壁１７Ｄを使用するので、体積２８Ｃは第２の壁１７Ｄまでｘ方向に延出していると考えられる。他の例では、体積２８Ｃはｘ方向で第２の壁１７Ｄを通って、フレーム１７の内周部における第１の壁１７Ｃまで到達し得る。体積２８Ｃは、第２の壁１７Ｄ及び内壁１７Ｃを通って延出することで、支持側面３０Ａの全体又は一部をｘ方向に延出し得る。ブロック２３における体積２８Ｃは任意の適切な大きさとすればよく、フレーム１７の別の部分に位置付けてもよい。すなわち体積２８Ｃは、フレーム１７の周縁部の任意の位置で、第１及び／又は第２の壁１７Ｃ、１７Ｄを通るように又はこれらの間に延出し得る。
【0087】
[00086] 図４は、ブロック２３の外側のかどが除去されていることを示す。すなわち、標準的なフレームでは存在するはずのブロック２３のかどから材料を除去することができる。これは、上述したような係合機構２２の回転のために、このエリアではもはやブロック２３のサポートが必要ないからである。
【0088】
[00087] 図６Ａは、ブロック２３に位置付けられた４つの係合機構２２Ａ～２２Ｄを備えるフレーム１７の斜視図を示す。体積２８Ａ～２８Ｃが、支持側面３０Ａ、３０Ｂ及び自由側面３０Ｃ、３０Ｄに示されている。
【0089】
[00088] 図６Ｂは、フレーム１７の平面断面の斜視図を示す。体積２８Ａ～２８Ｃが更に詳しく示されている。体積２８Ａは、支持側面３０Ａにおいて自由側面３０Ｃから係合機構２２Ａを保持しているブロック２３まで延出する中空管として示されている。別の体積２８Ａは、支持側面３０Ｂにおいて自由側面３０Ｃから係合機構２２Ｃを保持しているブロック２３まで延出する中空管として示されている。更に別の体積２８Ａは、支持側面３０Ａにおいて自由側面３０Ｄから係合機構２２Ｂを保持しているブロック２３まで延出する中空管として示されている。別の体積２８Ａは、支持側面３０Ｂにおいて自由側面３０Ｄから係合機構２２Ｄを保持しているブロック２３まで延出する中空管として示されている。
【0090】
[00089] 体積２８Ｂは、自由側面３０Ｃ、３０Ｄにおいて支持側面３０Ａから支持側面３０Ｂまで延出するＩ字形断面の両側に沿って延出して示されている。体積２８Ｃは、ブロック２３の周囲部の外側から第２の壁１７Ｄまで延出して示されている。すなわち、体積２８Ｃは三角形のキャビティの形態をとっている。
【0091】
[00090] 図４及び図５Ａから図５Ｆに関連付けて記載されているように、フレーム１７の材料は体積２８においてフレーム１７から除去されているか、又は、フレーム１７の製造時に材料は体積２８に含まれていなかった。体積２８におけるフレーム１７の材料の除去は、フライス加工やエッチング等、当技術分野において既知の任意の方法によって実行できる。他の例では、３Ｄプリント等によって、体積２８Ａ～２８Ｃに材料を配置することなくフレームを製造できる。すなわち、これらの体積には材料が存在しない。フレーム１７の材料が存在しない体積２８は、これらの体積２８に材料を有するフレーム１７と比べて、フレーム１７の重量が軽くなっていることを意味する。更に、体積２８にフレーム１７の材料が存在しないので、フレーム１７の固有振動数は上昇している。
【0092】
[00091] ペリクルは、すでに結晶シリコン（ｃ－Ｓｉ）ウェーハ上に直接製造されている。上述したのと同様に、これを実行するには、（例えば約３００ｎｍの）ＳｉＯｘ層の上に薄い層を直接堆積し、これをシリコンウェーハ上に堆積し、選択的にかつ異方的にｃ－Ｓｉをバックエッチすることによって膜（ペリクル）を自立させる。このため、ｃ－Ｓｉのフレームが残り、この上に、自立膜（例えば１１ｃｍ×１４ｃｍ、厚さは１５～５０ｎｍのオーダー）が載っている。
【0093】
[00092] 上に膜を成長させる基板は、ペリクル内に最終的に残る応力に影響を及ぼす。製造プロセスにおいて熱応力を最小限に抑えることが重要である。これが重要であるのは、応力を最小限に抑えることが、ペリクルの有用性、ロバスト性、及び寿命の増大につながるからである。応力が大きければ大きいほど、ペリクルは故障する可能性が高くなる。製造時の応力を最小限に抑えるため、基板の熱膨張係数（ＣＴＥ）と形成されている膜のＣＴＥを一致させることが好ましい。上述のように、ペリクルの作製には結晶シリコンが用いられている。一例として、結晶シリコンウェーハの熱膨張係数（ＣＴＥ）が多結晶コアのＣＴＥと一致する場合（２．６μｍ／ｍ／Ｋと、～４μｍ／ｍ／Ｋ）、製造プロセスにおいてあまり大きい熱応力は加わらない。
【0094】
[00093] 高ＣＴＥ材料の境界２０をペリクル１９に接合することによってペリクル１９内の応力を低減できるので、境界２０を用いることは有利である。約７～８μｍ／ｍ／Ｋ以上のＣＴＥは、ペリクルに対して高いＣＴＥであると考えられる。これは、フレーム１７とペリクル１９との間のＣＴＥ誘起応力を、境界２０とペリクル１９との間のＣＴＥ誘起応力に切り換える。このため、境界２０、フレーム１７、及びブロック２３を、同一の材料で提供することが有利である。境界２０をフレーム１７の材料と同一の材料とすることができる。ブロック２３をフレーム１７の材料と同一の材料とすることができる。
【0095】
[00094] 膜のＣＴＥの増大は、応力が増大することを意味する。多くの場合、結晶シリコン基板は膜のＣＴＥと一致させることができないので、結晶シリコン基板の使用は適切でない。
【0096】
[00095] シリコンは比較的高い比弾性率（specific modulus）（すなわちヤング率／密度）を有し、比較的高い熱伝導率を有する。このため、シリコンは軽量かつ剛性のエンジニアリングのために良好な構造物である。
【0097】
[00096] フレーム材料にシリコン以外の材料を使用すると、ペリクルアセンブリ１５に必要な仕様を得ることに関して問題が生じる。これらの仕様は、例えばペリクルフレームの固有周波数、ペリクルアセンブリの最大重量、アセンブリ内の温度変動等であり得る。
【0098】
[00097] 上述の位置に配置された体積２８を有するペリクルフレーム１７を構築すると、フレーム１７と、いくつかの例ではペリクルの境界２０とにおいて、シリコンの代わりに他の材料を使用できる。すなわち、フレーム１７の材料が存在しない体積２８を有することは、必要な仕様（固有振動数、重量等）内でペリクルアセンブリ１５を構築できることを意味する。
【0099】
[00098] フレーム１７及び／又は境界２０を結晶シリコンで作製することができる。フレーム１７及び／又は境界２０をアルミニウムで作製することができる。フレーム１７及び／又は境界２０を窒化アルミニウムで作製することができる。この記載はペリクルアセンブリを形成する材料に関してアルミニウム及び窒化アルミニウムに言及するが、例えばベリリウム又はその化合物のような他の材料も使用できる。
【0100】
[00099] ペリクル１９のフレーム１７及び／又は境界２０に異なる材料（アルミニウム又は窒化アルミニウム）を使用することは、膜ＣＴＥを更にぴったり一致させ得ることを意味する。これによって、ペリクル１９の製造中の熱応力が低減する。例えば、ペリクル１９をＭｏＳｉ（比較的高いＣＴＥ材料である）で形成し、フレーム１７をアルミニウム又は窒化アルミニウムを用いて作成することができる。これにより、フレーム１７とペリクル１９との間のＣＴＥを更にぴったり一致させて、ペリクル１９の製造中の熱応力を低減することが可能となる。
【0101】
[000100] アルミニウム又は窒化アルミニウムはシリコンよりも低いヤング率を有し、アルミニウムのヤング率は窒化アルミニウムよりも低い。これは、同一の密度ならば、アルミニウム又は窒化アルミニウムはシリコンよりも剛性が低いことを意味する。アルミニウムは窒化アルミニウムよりもヤング率が低いので、アルミニウムで作製されたフレームは、材料が存在しない体積から著しい利点を得ることができ、これに対して、窒化アルミニウムで作製されたフレームは、材料が存在しない体積からあまり利点を得られない場合がある。しかしながら、アルミニウム又は窒化アルミニウムのいずれかで作製されたフレームの設計は同一又は同様であり（すなわち材料が存在しない同一の体積を有する）、それに応じて固有周波数は増大する。
【0102】
[000101] 材料が存在しない体積２８は特定のエリア内にあるので、フレーム１７の剛性（ねじり剛性であるか曲げ剛性であるかにかかわらず）が著しく低下することはない。これは、アルミニウムがシリコンと同様の密度を有する場合、アルミニウム又は窒化アルミニウムのフレーム１７において要求される重量に必要な剛性が達成されることを意味する。従って、剛性に比較的寄与しないフレーム１７の体積２８が除去されている。材料が存在しない体積２８は、フレーム１７の剛性を著しく低減させることはない。フレーム１７の剛性はフレーム１７に対する負荷と合致する（align with）。
【0103】
[000102] フレーム１７の剛性は特定の方向において特定の位置で必要である。例えばフレーム１７の自由側面３０Ｃ、３０Ｄでは、ペリクルフレームの面（ｘ－ｙ面）内で剛性が必要であり、従ってこのエリアではＩ字形断面が用いられる。体積２８は、フレーム１７の曲げ剛性を大きく低減させることはない。例えばフレーム１７の支持側面３０Ａ、３０Ｂでは、ねじり剛性が必要であるので、このエリアでは中空管が用いられる。体積２８は、フレーム１７のねじり剛性を大きく低減させることはない。
【0104】
[000103] 堆積プロセスから発生する応力は、望ましい応力（例えばプレストレス）から分離させることができる。例えば、微細構造によって理想的な寿命が得られるが応力が小さすぎる場合、所望のバランスを得るようにこの構造を調整することができる。
【0105】
[000104] フレーム１７の材料が特定の位置で体積２８から除去されている例を示したが、フレーム１７の任意の部分において体積から材料を除去することによりフレーム１７の重量を低減できることは認められよう。更に、Ｉ字形断面及び中空管を例として示したが、ねじり剛性であるか曲げ剛性であるかにはかかわらずフレームの必要な剛性を与えるため、他の断面形状を使用してもよいことは認められよう。
【0106】
[000105] 一例では、材料としてアルミニウムを使用し、図４、図５Ａから図５Ｆに示されたフレームを用いて、フレーム１７、境界２０、ブロック２３、及び取り付け部材２４の重量を、１４グラム（アルミニウムから作製された標準的なフレームを用いた重量である）から１０グラムに低減させることができる。
【0107】
[000106] 上述のように、フレーム１７における特定の位置で体積２８内のフレーム１７の材料を除去すると、フレーム１７の固有振動数が上昇する。一例では、材料としてアルミニウムを使用すると共に図４、図５Ａから図５Ｆに示されたフレームを使用すると、最低固有振動数は４０５Ｈｚであるが、これに対して、シリコンで作製された標準的なフレームでは３５５Ｈｚである。
【0108】
[000107] 図７は、フレーム１７のブロック２３に固定された係合機構２２の上面図を示す。この例において、係合機構２２はフレーム１７の側面に対する直角の配向から回転しているが、他の例では、係合機構をｘ方向に位置合わせしてもよい。係合機構２２Ａ～２２Ｄは、ｘ及びｙ方向への移動が可能である（図４を参照のこと）。係合機構２２は、取り付け部材２４（図示されていない）に係合できるように構成されている。取り付け部材２４は、例えばパターニングデバイスＭＡにのり付けするか、又は他の接合手段（光学的接触、磁力、又はファンデルワールス力等）によって取り付けることができる。
【0109】
[000108] 係合機構２２及び取り付け部材２４は、ペリクルフレームとパターニングデバイスとの間にギャップＧ（スリットと考えることができる）があるように、ペリクルフレーム１７をパターニングデバイスＭＡに対して浮かせる（図３を参照のこと）。ギャップＧは、何らかの移動制限コンポーネントによって維持することができる。ギャップＧは、外部環境とペリクル及びパターニングデバイス間の空間との間の圧力の均一化を可能とするよう充分に広くすることができる。また、ギャップＧは、外部環境からペリクル及びパターニングデバイス間の空間へ汚染粒子が進入する可能性のあるルートに望ましい制限を与えるよう充分に狭くすることができる。ギャップＧは、外部環境とペリクル及びパターニングデバイス間の空間との間の圧力の均一化を可能とするため、例えば少なくとも１００ミクロンとすればよい。ギャップＧは、例えば５００ミクロン未満、より好ましくは３００ミクロン未満とすればよい。ギャップＧは、例えば２００ミクロン～３００ミクロンとすればよい。
【0110】
[000109] 係合機構２２は、取り付け部材２４に対してロックするよう構成されたロック部材３２を有する。ロック部材３２は、中間部３６から概ねｙ方向に延出している２つの第１の板バネの形態である２つの弾性的に可撓性の係合アーム３４を有する。これらの係合アーム３４は、取り付け部材２４を載置する表面を与える。中間部３６は概ねｘ方向に延出している。中間部３６は、同様に概ねｙ方向に延出しているが係合アーム３４よりも延出距離が大きい２つの第２の板バネの形態である２つの追加の弾性的に可撓性の係合アーム３８に接続されている。第１の板バネ３４及び第２の板バネ３８の長さは、１．５：１～２．５：１の間の比を有し、例えば２：１の比を有する。これによって、載置表面を有する取り付け部材（又はスタッド）をできる限り水平に維持する。
【0111】
[000110] ２つの係合アーム３４間にビーム４０が位置付けられ、中間部３６に対して係合部材２２の反対側から概ねｙ方向に延出している。ビーム４０は、係合アーム３４に対して取り付け部材２４を固定するための止め具として機能する。概ねｙ方向に延出しているビーム４０によって、取り付け部材２４のための空間が与えられる。従って、係合機構２２のビーム４０は、取り付け部材２４を係合機構２２内へ挿入することを可能とする距離だけ延出している。ビーム４０は、係合部材２２の幅の半分以上にわたって延出し得る。
【0112】
【0113】
[000112] 図９は、フレーム１７のブロック２３に固定された係合機構２２の斜視図を概略的に示す。
【0114】
【0115】
[000114] 図１１Ａは、係合機構２２をパターニングデバイスＭＡにロックするため使用される取り付け部材２４（スタッド）の端面図である。図１１Ｂは、係合機構２２をパターニングデバイスＭＡにロックするため使用される取り付け部材２４（スタッド）の側面図である。他の例では、取り付け部材は別の形状及び大きさを有し得る。
【0116】
[000115] 図１２は、図９のラインＣ－Ｃで切り取った係合機構２２の断面の側面図を概略的に示す。取り付け部材２４はパターニングデバイスＭＡ（図示せず）から延出し、パターニングデバイスＭＡに固定されている。ロック部材３２を用いてフレーム１７をパターニングデバイスＭＡにロックするには、フレーム１７を取り付け部材２４に対して押圧し、次いで係合機構２２を押し下げて、フレーム１７を所定位置に嵌め込むための空間を生成する。具体的には、取り付け部材２４を係合機構２２に対して矢印Ｄの方向に移動させる。その後、係合機構２２の中間部３６を矢印Ｅの方向に下方へ押す（図７のｚ方向）と、次いで係合機構２２の２つの係合アーム３４が押し下げられる。
【0117】
[000116] 係合アーム３４を下方へ押した状態で、取り付け部材２４をビーム４０の止め具の下方の所定位置に嵌め込むための空間が係合機構２２に生成される。これを行うため、フレーム１７、従って係合機構２２を、矢印Ｆの方向に移動させる。これは事実上、取り付け部材２４が係合機構２２に対して破線矢印Ｇの方向に移動するということである。すると取り付け部材２４はロック位置となる。
【0118】
[000117] 一度、中間部３６、従って係合アーム３４が解放されると、すなわち矢印Ｅの方向にそれらを押していた力が除去されると、取り付け部材２４はビーム４０の止め具と係合アーム３４との間に挟まれる。従って係合機構２２は取り付け部材２４にロックされ、係合機構２２がフレーム１７に固定されていると共に取り付け部材２４がパターニングデバイスＭＡに固定されているので、フレーム１７はパターニングデバイスＭＡにロックされる。上述のロックプロセスは、係合機構２２Ａ～２２Ｄの各々について実行できる。
【0119】
[000118] 係合機構２２の構成は、係合機構２２の中心に係合機構２２が装着されて望ましくないねじれを回避するという利点を有する。従って係合機構２２は、係合機構２２の実質的に中心の位置で取り付け部材２４を着脱可能に固定できるように構成されている。これとは対照的に、標準的な係合機構は、係合機構の側面の近くに位置付けられた支持アームを有し、望ましくないねじれが生じる。
【0120】
[000119] 係合機構２２に取り付け部材２４が固定され、係合機構２２はフレーム１７がｘ方向及びｙ方向の双方に曲がることを可能とするので、ペリクル１９の製造中の応力を低減できる。係合機構２２Ａ～２２Ｄ及び取り付け部材２４によって与えられる移動／柔軟性により、温度変化が生じた場合に必要に応じてペリクルフレーム１７はパターニングデバイスＭＡに対して曲がることができる。これは、ペリクルフレーム１７において損傷を与える可能性のある熱応力の発生を回避するので有利である。
【0121】
[000120] 一実施形態において、本発明はマスク検査装置の形態をとることができる。マスク検査装置は、ＥＵＶ放射を用いてマスクを照明し、結像センサを用いてマスクから反射した放射を監視することができる。結像センサによって受光された像を用いて、マスクに欠陥が存在するか否かを判定する。マスク検査装置は、ＥＵＶ放射源からＥＵＶ放射を受光すると共に、これをマスクへ誘導される放射ビームに形成するよう構成された光学系（例えばミラー）を含み得る。マスク検査装置は更に、マスクから反射したＥＵＶ放射を収集すると共に、結像センサにおいてマスクの像を形成するよう構成された光学系（例えばミラー）を含み得る。マスク検査装置は、結像センサにおけるマスクの像を解析すると共に、その解析からマスクに欠陥が存在するか否かを判定するよう構成されたプロセッサを含み得る。プロセッサは更に、マスクがリソグラフィ装置によって使用される場合、検出されたマスク欠陥が、基板に投影される像において許容できない欠陥を発生させるか否かを判定するよう構成できる。
【0122】
[000121] 一実施形態において、本発明はメトロロジ装置の形態をとることができる。メトロロジ装置を用いて、基板上にすでに存在するパターンに対する基板上のレジストに形成された投影パターンのアライメントを測定することができる。相対的なアライメントのこの測定をオーバーレイと呼ぶことがある。メトロロジ装置は、例えばリソグラフィ装置のすぐ隣に配置することができ、基板（及びレジスト）が処理される前にオーバーレイを測定するため使用できる。
【0123】
[000122] 本文ではリソグラフィ装置の文脈において本発明の実施形態に特に言及したが、本発明の実施形態は他の装置で使用することも可能である。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（もしくは他の基板）もしくはマスク（もしくは他のパターニングデバイス）のような物体を測定もしくは処理する任意の装置の一部を形成し得る。これらの装置は概してリソグラフィツールと呼ぶことができる。そのようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用できる。
【0124】
[000123] 「ＥＵＶ放射」という用語は、４～２０ｎｍの範囲内、例えば１３～１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含すると見なすことができる。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満の波長、例えば４～１０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍの波長を有し得る。
【0125】
[000124] 図１及び図２はレーザ生成プラズマＬＰＰ源としての放射源ＳＯを示しているが、任意の放射源を用いてＥＵＶ放射を生成することができる。例えば、放電を用いて燃料（例えばスズ）をプラズマ状態に変換することにより、ＥＵＶ放出プラズマを生成できる。このタイプの放射源を放電生成プラズマ（ＤＰＰ：discharge produced plasma）源と呼ぶことができる。放射源の一部を形成するか、又は電気的接続を介して放射源ＳＯに接続されている別個の要素である電源によって、放電を生成すればよい。
【0126】
[000125] 本文ではＩＣの製造においてリソグラフィ装置を使用することに特に言及したが、本明細書に記載されるリソグラフィ装置は他の用途を有し得ることは理解されよう。考えられる他の用途には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造が含まれる。
【0127】
[000126] 上記では光学リソグラフィの文脈において本発明の実施形態を使用することに特に言及したが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィのような他の用途に使用することができ、文脈上許される場合、光学リソグラフィに限定されないことは認められよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスにおけるトポグラフィが、基板上に生成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に供給されたレジスト層に押圧し、その後、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組み合わせを使用することによってレジストを硬化させる。レジストの硬化後、レジストからパターニングデバイスを移動させると、そこにパターンが残る。
【0128】
[000127] 本発明の特定の実施形態について上述したが、記載した以外の態様で本発明を実施してもよいことは認められよう。上記の説明は例示であって限定ではないことが意図される。従って、以下に述べる特許請求の範囲から逸脱することなく、記載した本発明に変更を実行してもよいことは、当業者には認められよう。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4-5C】
【図5D】
【図5E】
【図5F】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図9】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図12】