特許7584281IP Force 特許公報全文掲載

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被加工物のレーザー加工方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、近年の小チップ化に伴い、加工済の領域から生じる未加工領域への圧縮応力の影響が無視できなくなっている。すなわち、特許文献２のように被加工物の外側から中央に向かって加工する方法を用いると、加工済の領域と未加工領域との対称性の崩れによって未加工領域のストリートが湾曲して加工時にデバイスを損傷する可能性がある。また、被加工物の中央領域にかかった圧縮応力により改質層の形成が妨げられ、被加工物の中央領域で未分割が起きやすいという問題もある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の被加工物のレーザー加工方法は、被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザービームを照射する集光器を備えたレーザービーム照射ユニットと、該チャックテーブルと該レーザービーム照射ユニットとを加工送り方向に相対的に移動する加工送りユニットと、該チャックテーブルと該レーザービーム照射ユニットとを割り出し・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本願発明は、ストリートの湾曲によるデバイスの損傷および被加工物の未分割を抑制することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、レーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。
【図2】 図２は、レーザー加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図3】 図３は、図２に示す保護部材貼着ステップの一例を示す斜視図である。
【図4】 図４は、図２に示す第一のレーザー加工ステップの一状態を示す側面図である。
【図5】 図５は、図４における被加工物の平面図である。
【図6】 図６は、図２に示す第一のレーザー加工ステップの後の状態を示す側面図である。
【図7】 図７は、図６における被加工物の平面図である。
【図8】 図８は、図２に示す第二のレーザー加工ステップの一状態における被加工物の平面図である。
【図9】 図９は、図２に示す第二のレーザー加工ステップの後の状態における被加工物の平面図である。
【図10】 図１０は、図２に示す吸引保持解除ステップの前の被加工物の断面の圧縮応力の分布を示す図である。
【図11】 図１１は、図２に示す吸引保持解除ステップの後の被加工物の断面の圧縮応力の分布を示す図である。
【図12】 図１２は、図２に示す再吸引保持ステップの後の第一のレーザー加工ステップの一状態における被加工物の平面図である。
【図13】 図１３は、図２に示す再吸引保持ステップの後の第二のレーザー加工ステップの一状態における被加工物の平面図である。
【図14】 図１４は、図２に示す再吸引保持ステップの後の第二のレーザー加工ステップの後の状態における被加工物の平面図である。
【図15】 図１５は、第１比較例に係るレーザー加工方法を模式的に示すダミーウェーハの平面図である。
【図16】 図１６は、図１５に示されたダミーウェーハの湾曲状態を示す図である。
【図17】 図１７は、第２比較例に係るレーザー加工方法を模式的に示すダミーウェーハの平面図である。
【図18】 図１８は、図１７に示されたダミーウェーハの湾曲状態を示す図である。
【図19】 図１９は、レーザー加工方法を模式的に示すダミーウェーハの平面図である。
【図20】 図２０は、図１９に示されたダミーウェーハの湾曲状態を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ レーザー加工装置 １０ チャックテーブル ２０ レーザービーム照射ユニット ２１ レーザービーム ２２ 集光点 ４０ 加工送りユニット ５０ 割り出し送りユニット ９０ 制御ユニット １００ 被加工物 １０１ 基板 １０２ 表面 １０３ ストリート １０４ デバイス １０５ 裏面 １０６、１０７ 半面領域 １１０ 保護部材 １１１ フレーム １２０ 改質層

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