特許 7584281 被加工物のレーザー加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-07

(45)【発行日】2024-11-15

(54)【発明の名称】被加工物のレーザー加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20241108BHJP

   B23K 26/02 20140101ALI20241108BHJP

   B23K 26/53 20140101ALI20241108BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20241108BHJP

   H01L 21/68 20060101ALI20241108BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 B

B23K26/02 A

B23K26/53

H01L21/78 N

H01L21/78 C

H01L21/68 P

H01L21/68 F

【請求項の数】 1

(21)【出願番号】P 2020187558

(22)【出願日】2020-11-10

(65)【公開番号】P2022076905

(43)【公開日】2022-05-20

【審査請求日】2023-09-25

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】田中 圭

【審査官】宮久保 博幸

(56)【参考文献】

【文献】特開２００８－０８７０２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２０５９００（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－０６０１６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－０４９４５４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｂ２３Ｋ ２６／０２

Ｂ２３Ｋ ２６／５３

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２１／６８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザービームを照射する集光器を備えたレーザービーム照射ユニットと、
該チャックテーブルと該レーザービーム照射ユニットとを加工送り方向に相対的に移動する加工送りユニットと、
該チャックテーブルと該レーザービーム照射ユニットとを割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りユニットと、
各構成要素を制御する制御ユニットと、
を備えたレーザー加工装置を用いて、
表面に複数のストリートが設定された被加工物に該ストリートに沿ってレーザー加工を施す被加工物のレーザー加工方法であって、
被加工物の表面または裏面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
被加工物の該保護部材側を該チャックテーブルで吸引保持する吸引保持ステップと、
該ストリートの延びる方向が加工送り方向と平行になるように位置付ける位置付けステップと、
該位置付けステップを実施した後に、
該被加工物の割り出し送り方向における一方の縁から中央までの一方の半面領域に設定された複数のストリートのうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリートに対して該レーザービームの集光点を位置づけ、
該被加工物と該レーザービームの集光点とを加工送り方向に相対的に移動する加工送りと、該被加工物と該レーザービームの集光点とを加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返して、
該一方の半面領域に設定された複数のストリートのうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリートから内側に向かって所定の本数分のストリートに対してレーザー加工を施す第一のレーザー加工ステップと、
該第一のレーザー加工ステップを実施した後に、
該被加工物の割り出し送り方向における他方の縁から中央までの他方の半面領域に設定された複数のストリートのうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリートに対して該レーザービームの集光点を位置づけ、
該被加工物と該レーザービームの集光点とを加工送り方向に相対的に移動する加工送りと、該被加工物と該レーザービームの集光点とを加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返して、
該他方の半面領域に設定された複数のストリートのうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリートから内側に向かって所定の本数分のストリートに対してレーザー加工を施す第二のレーザー加工ステップと、
を含み、
該第一のレーザー加工ステップおよび該第二のレーザー加工ステップを交互に繰り返して該被加工物に設定された全てのストリートに対してレーザー加工を施し、
該第一のレーザー加工ステップおよび該第二のレーザー加工ステップを実施した後に、
該チャックテーブルによる該被加工物の吸引保持を解除して、該被加工物に生じた圧縮応力を解放する吸引保持解除ステップと、
該吸引保持解除ステップの後に、
該被加工物を再び該チャックテーブルで吸引保持する再吸引保持ステップと、
を更に有することを特徴とする、被加工物のレーザー加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、被加工物のレーザー加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体ウェーハ等の板状の被加工物を分割してチップを形成する方法として、被加工物に対して透過性を有するレーザービームを被加工物の内部に集光照射して改質層を形成し、外力を付与することで分割する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

【0003】

このような加工方法では、被加工物に形成されたストリートに沿って改質層を形成した際に、ストリートが延びる方向と直交する方向に被加工物が僅かに膨張する。この結果、レーザービームの集光点とストリートとの位置関係に累積的な位置ズレが生じていくため、加工途中でこの位置ズレを補正するためのアライメント作業を実施しなければならず、生産性が低下するという課題があった。

【0004】

この課題を解決するため、ストリートに沿って改質層またはレーザー加工溝を形成する際に面積が相対的に小さいほうに被加工物が膨張する現象を利用して、面積が最も大きい中央領域を最後に加工するレーザー加工方法が提案されている（特許文献２参照）。この方法を用いれば、被加工物の膨張に起因する位置ズレの補正（アライメント作業）を少なくすることが可能となる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特許第３４０８８０５号公報

【文献】特開２００８－６０１６４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、近年の小チップ化に伴い、加工済の領域から生じる未加工領域への圧縮応力の影響が無視できなくなっている。すなわち、特許文献２のように被加工物の外側から中央に向かって加工する方法を用いると、加工済の領域と未加工領域との対称性の崩れによって未加工領域のストリートが湾曲して加工時にデバイスを損傷する可能性がある。また、被加工物の中央領域にかかった圧縮応力により改質層の形成が妨げられ、被加工物の中央領域で未分割が起きやすいという問題もある。

【0007】

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ストリートの湾曲によるデバイスの損傷および被加工物の未分割を抑制することができる被加工物のレーザー加工方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の被加工物のレーザー加工方法は、被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザービームを照射する集光器を備えたレーザービーム照射ユニットと、該チャックテーブルと該レーザービーム照射ユニットとを加工送り方向に相対的に移動する加工送りユニットと、該チャックテーブルと該レーザービーム照射ユニットとを割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りユニットと、各構成要素を制御する制御ユニットと、を備えたレーザー加工装置を用いて、表面に複数のストリートが設定された被加工物に該ストリートに沿ってレーザー加工を施す被加工物のレーザー加工方法であって、被加工物の表面または裏面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、被加工物の該保護部材側を該チャックテーブルで吸引保持する吸引保持ステップと、該ストリートの延びる方向が加工送り方向と平行になるように位置付ける位置付けステップと、該位置付けステップを実施した後に、該被加工物の割り出し送り方向における一方の縁から中央までの一方の半面領域に設定された複数のストリートのうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリートに対して該レーザービームの集光点を位置づけ、該被加工物と該レーザービームの集光点とを加工送り方向に相対的に移動する加工送りと、該被加工物と該レーザービームの集光点とを加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返して、該一方の半面領域に設定された複数のストリートのうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリートから内側に向かって所定の本数分のストリートに対してレーザー加工を施す第一のレーザー加工ステップと、該第一のレーザー加工ステップを実施した後に、該被加工物の割り出し送り方向における他方の縁から中央までの他方の半面領域に設定された複数のストリートのうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリートに対して該レーザービームの集光点を位置づけ、該被加工物と該レーザービームの集光点とを加工送り方向に相対的に移動する加工送りと、該被加工物と該レーザービームの集光点とを加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返して、該他方の半面領域に設定された複数のストリートのうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリートから内側に向かって所定の本数分のストリートに対してレーザー加工を施す第二のレーザー加工ステップと、を含み、該第一のレーザー加工ステップおよび該第二のレーザー加工ステップを交互に繰り返して該被加工物に設定された全てのストリートに対してレーザー加工を施し、該第一のレーザー加工ステップおよび該第二のレーザー加工ステップを実施した後に、該チャックテーブルによる該被加工物の吸引保持を解除して、該被加工物に生じた圧縮応力を解放する吸引保持解除ステップと、該吸引保持解除ステップの後に、該被加工物を再び該チャックテーブルで吸引保持する再吸引保持ステップと、を更に有することを特徴とする。

【発明の効果】

【0010】

本願発明は、ストリートの湾曲によるデバイスの損傷および被加工物の未分割を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、実施形態に係るレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。

【図2】図２は、実施形態に係るレーザー加工方法の流れを示すフローチャートである。

【図3】図３は、図２に示す保護部材貼着ステップの一例を示す斜視図である。

【図4】図４は、図２に示す第一のレーザー加工ステップの一状態を示す側面図である。

【図5】図５は、図４における被加工物の平面図である。

【図6】図６は、図２に示す第一のレーザー加工ステップの後の状態を示す側面図である。

【図7】図７は、図６における被加工物の平面図である。

【図8】図８は、図２に示す第二のレーザー加工ステップの一状態における被加工物の平面図である。

【図9】図９は、図２に示す第二のレーザー加工ステップの後の状態における被加工物の平面図である。

【図10】図１０は、図２に示す吸引保持解除ステップの前の被加工物の断面の圧縮応力の分布を示す図である。

【図11】図１１は、図２に示す吸引保持解除ステップの後の被加工物の断面の圧縮応力の分布を示す図である。

【図12】図１２は、図２に示す再吸引保持ステップの後の第一のレーザー加工ステップの一状態における被加工物の平面図である。

【図13】図１３は、図２に示す再吸引保持ステップの後の第二のレーザー加工ステップの一状態における被加工物の平面図である。

【図14】図１４は、図２に示す再吸引保持ステップの後の第二のレーザー加工ステップの後の状態における被加工物の平面図である。

【図15】図１５は、第１比較例に係るレーザー加工方法を模式的に示すダミーウェーハの平面図である。

【図16】図１６は、図１５に示されたダミーウェーハの湾曲状態を示す図である。

【図17】図１７は、第２比較例に係るレーザー加工方法を模式的に示すダミーウェーハの平面図である。

【図18】図１８は、図１７に示されたダミーウェーハの湾曲状態を示す図である。

【図19】図１９は、実施形態に係るレーザー加工方法を模式的に示すダミーウェーハの平面図である。

【図20】図２０は、図１９に示されたダミーウェーハの湾曲状態を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。更に、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

【0013】

〔実施形態〕
まず、本発明の実施形態に係るレーザー加工方法に用いるレーザー加工装置１の構成について図面に基づいて説明する。図１は、実施形態に係るレーザー加工装置１の構成例を示す斜視図である。以下の説明において、Ｘ軸方向は、水平面における一方向である。Ｙ軸方向は、水平面において、Ｘ軸方向に直交する方向である。Ｚ軸方向は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に直交する方向である。Ｚ軸方向は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に直交する方向である。実施形態のレーザー加工装置１は、加工送り方向がＸ軸方向であり、割り出し送り方向がＹ軸方向である。

【0014】

図１に示すように、レーザー加工装置１は、チャックテーブル１０と、レーザービーム照射ユニット２０と、加工送りユニット４０と、割り出し送りユニット５０と、集光点位置調整ユニット６０と、撮像ユニット７０と、表示ユニット８０と、制御ユニット９０と、を備える。実施形態に係るレーザー加工装置１は、チャックテーブル１０に保持された被加工物１００に対して、レーザービーム照射ユニット２０によってレーザービーム２１を照射することにより、被加工物１００を加工する装置である。レーザー加工装置１による被加工物１００の加工は、例えば、ステルスダイシングによって被加工物１００の内部に改質層を形成する改質層形成加工である。

【0015】

被加工物１００は、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）等を基板１０１（図３参照）とする円板状の半導体デバイスウェーハ、光デバイスウェーハ等のウェーハである。なお、被加工物１００は実施形態に限定されず、本発明では円板状でなくともよい。被加工物１００は、実施形態において、保護部材１１０および環状のフレーム１１１に支持された状態で、チャックテーブル１０に保持される。

【0016】

チャックテーブル１０は、被加工物１００を保持面１１で保持する。保持面１１は、ポーラスセラミック等から形成された円板形状である。保持面１１は、実施形態において、水平方向と平行な平面である。保持面１１は、例えば、真空吸引経路を介して真空吸引源と接続している。チャックテーブル１０は、保持面１１上に載置された被加工物１００を吸引保持する。チャックテーブル１０の周囲には、被加工物１００を支持するフレーム１１１を挟持するクランプ部１２が複数配置されている。

【0017】

チャックテーブル１０は、回転ユニット１３によりＺ軸方向と平行な軸心回りに回転される。回転ユニット１３は、Ｘ軸方向移動プレート１４に支持される。回転ユニット１３およびチャックテーブル１０は、Ｘ軸方向移動プレート１４を介して、加工送りユニット４０によりＸ軸方向に移動される。回転ユニット１３およびチャックテーブル１０は、Ｘ軸方向移動プレート１４、加工送りユニット４０およびＹ軸方向移動プレート１５を介して、割り出し送りユニット５０によりＹ軸方向に移動される。

【0018】

レーザービーム照射ユニット２０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物１００に対してパルス状のレーザービーム２１を照射するユニットである。レーザービーム照射ユニット２０は、少なくとも、チャックテーブル１０に保持された被加工物１００に対してレーザービーム２１を集光照射する集光器を備える。

【0019】

加工送りユニット４０は、チャックテーブル１０と、レーザービーム照射ユニット２０とを加工送り方向であるＸ軸方向に相対的に移動させるユニットである。加工送りユニット４０は、実施形態において、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させる。加工送りユニット４０は、実施形態において、レーザー加工装置１の装置本体２上に設置されている。

【0020】

加工送りユニット４０は、Ｘ軸方向移動プレート１４をＸ軸方向に移動自在に支持する。加工送りユニット４０は、周知のボールねじ４１と、周知のパルスモータ４２と、周知のガイドレール４３と、を含む。ボールねじ４１は、軸心回りに回転自在に設けられる。パルスモータ４２は、ボールねじ４１を軸心回りに回転させる。ガイドレール４３は、Ｘ軸方向移動プレート１４をＸ軸方向に移動自在に支持する。ガイドレール４３は、Ｙ軸方向移動プレート１５に固定して設けられる。

【0021】

割り出し送りユニット５０は、チャックテーブル１０と、レーザービーム照射ユニット２０とを割り出し送り方向であるＹ軸方向に相対的に移動させるユニットである。割り出し送りユニット５０は、実施形態において、チャックテーブル１０をＹ軸方向に移動させる。割り出し送りユニット５０は、実施形態において、レーザー加工装置１の装置本体２上に設置されている。

【0022】

割り出し送りユニット５０は、Ｙ軸方向移動プレート１５をＹ軸方向に移動自在に支持する。割り出し送りユニット５０は、周知のボールねじ５１と、周知のパルスモータ５２と、周知のガイドレール５３と、を含む。ボールねじ５１は、軸心回りに回転自在に設けられる。パルスモータ５２は、ボールねじ５１を軸心回りに回転させる。ガイドレール５３は、Ｙ軸方向移動プレート１５をＹ軸方向に移動自在に支持する。ガイドレール５３は、装置本体２に固定して設けられる。

【0023】

集光点位置調整ユニット６０は、レーザービーム照射ユニット２０の集光器によって集光されたレーザービーム２１の集光点２２を、チャックテーブル１０の保持面１１に垂直な光軸方向に移動させるユニットである。より詳しくは、集光点位置調整ユニット６０は、チャックテーブル１０と、レーザービーム照射ユニット２０とを集光点位置調整方向であるＺ軸方向に相対的に移動させる。集光点位置調整ユニット６０は、実施形態において、レーザービーム照射ユニット２０の集光器をＺ軸方向に移動させる。集光点位置調整ユニット６０は、実施形態において、レーザー加工装置１の装置本体２から立設した柱３に設置されている。

【0024】

集光点位置調整ユニット６０は、レーザービーム照射ユニット２０のうち少なくとも集光器をＺ軸方向に移動自在に支持する。集光点位置調整ユニット６０は、周知のボールねじ６１と、周知のパルスモータ６２と、周知のガイドレール６３と、を含む。ボールねじ６１は、軸心回りに回転自在に設けられる。パルスモータ６２は、ボールねじ６１を軸心回りに回転させる。ガイドレール６３は、レーザービーム照射ユニット２０をＺ軸方向に移動自在に支持する。ガイドレール６３は、柱３に固定して設けられる。

【0025】

撮像ユニット７０は、例えば、レーザービーム照射ユニット２０の集光器の直上から下方を撮像するように配置されている。撮像ユニット７０は、同軸カメラ、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラまたは赤外線カメラを含む。

【0026】

表示ユニット８０は、液晶表示装置等により構成される表示部である。表示ユニット８０は、撮像ユニット７０が撮像した画像、加工条件の設定画面、加工動作の状態等を表示する表示面を含む。表示面がタッチパネルを含む場合、表示ユニット８０は、入力部を含んでもよい。入力部は、オペレータが加工内容情報を登録する等の各種操作を受付可能である。入力部は、キーボード等の外部入力装置であってもよい。表示ユニット８０は、表示面に表示される情報や画像が入力部等からの操作により切り換えられる。表示ユニット８０は、報知部を含んでもよい。報知部は、音および光の少なくとも一方を発してレーザー加工装置１のオペレータに予め定められた報知情報を報知する。報知部は、スピーカーまたは発光装置等の外部報知装置であってもよい。

【0027】

制御ユニット９０は、レーザー加工装置１の上述した各構成要素をそれぞれ制御して、被加工物１００に対する加工動作をレーザー加工装置１に実行させる。制御ユニット９０は、チャックテーブル１０、レーザービーム照射ユニット２０、加工送りユニット４０、割り出し送りユニット５０、集光点位置調整ユニット６０、撮像ユニット７０、および表示ユニット８０を制御する。

【0028】

制御ユニット９０は、演算手段としての演算処理装置と、記憶手段としての記憶装置と、通信手段としての入出力インターフェース装置と、を含むコンピュータである。演算処理装置は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のマイクロプロセッサを含む。記憶装置は、ＲＯＭ（Read Only Memory）またはＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリを有する。演算処理装置は、記憶装置に格納された所定のプログラムに基づいて各種の演算を行う。演算処理装置は、演算結果に従って、入出力インターフェース装置を介して各種制御信号を上述した各構成要素に出力し、レーザー加工装置１の制御を行う。

【0029】

次に、実施形態に係る被加工物１００のレーザー加工方法について説明する。図２は、実施形態に係るレーザー加工方法の流れを示すフローチャートである。被加工物１００のレーザー加工方法は、保護部材貼着ステップ２０１と、吸引保持ステップ２０２と、位置付けステップ２０３と、第一のレーザー加工ステップ２０４と、第二のレーザー加工ステップ２０５と、吸引保持解除ステップ２０６と、終了判定ステップ２０７と、再吸引保持ステップ２０８と、を含む。

【0030】

（保護部材貼着ステップ２０１）
図３は、図２に示す保護部材貼着ステップ２０１の一例を示す斜視図である。保護部材貼着ステップ２０１は、被加工物１００の表面１０２または裏面１０５に保護部材１１０を貼着するステップである。実施形態の保護部材貼着ステップ２０１では、被加工物１００の裏面１０５に保護部材１１０を貼着する。

【0031】

まず、実施形態の被加工物１００について、より詳しく説明する。図３に示すように、被加工物１００は、基板１０１の表面１０２に格子状に設定されたストリート１０３と、ストリート１０３によって区画された領域に形成されたデバイス１０４と、を有している。デバイス１０４は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、またはＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ、またはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサである。

【0032】

実施形態において、被加工物１００は、ストリート１０３に沿って改質層１２０（図６参照）が形成される。被加工物１００は、ストリート１０３に形成された改質層１２０に沿って個々のデバイス１０４に分割されて、チップに個片化される。なお、実施形態の被加工物１００は、外径が８インチであり、厚みが１００μｍである。また、チップは、実施形態では正方形状であるが、本発明では長方形状であってもよい。

【0033】

保護部材貼着ステップ２０１では、まず、保護部材１１０を、フレーム１１１の裏面側に貼着する。フレーム１１１は、被加工物１００の外径より大きな開口を有する。次に、被加工物１００を、フレーム１１１の開口の所定の位置に位置決めし、裏面１０５を保護部材１１０に貼着させる。これにより、被加工物１００を、保護部材１１０およびフレーム１１１に固定させる。

【0034】

保護部材１１０は、例えば、合成樹脂で構成された基材層と、基材層に積層されかつ粘着性を有する合成樹脂で構成された糊層と、を含む。保護部材１１０は、エキスパンド性を有していてもよい。この場合、被加工物１００にストリート１０３に沿って改質層１２０（図６参照）を形成した後、保護部材１１０を面方向にエキスパンドさせることによって、被加工物１００に外力を付与し、個々のチップに分割することができる。

【0035】

（吸引保持ステップ２０２）
吸引保持ステップ２０２は、被加工物１００の保護部材１１０側をチャックテーブル１０で吸引保持するステップである。実施形態の吸引保持ステップ２０２では、まず、被加工物１００の裏面１０５側を、保護部材１１０を介して、図１に示すレーザー加工装置１のチャックテーブル１０の保持面１１で保持する。次に、被加工物１００を支持するフレーム１１１をクランプ部１２で挟持する。次に、保持面１１に真空吸引経路を介して接続する真空吸引源によって負圧を作動させて、保持面１１上に載置された被加工物１００を吸引保持する。

【0036】

（位置付けステップ２０３）
位置付けステップ２０３は、ストリート１０３が延びる方向が、加工送り方向（Ｘ軸方向）と平行になるように位置付けるステップである。ここで、加工送り方向と平行にするストリート１０３は、被加工物１００の表面１０２に設定された格子状の複数のストリート１０３のうち、実施形態の加工方法によって改質層１２０を形成するストリート１０３である。実施形態において、ストリート１０３が延びる方向の位置合わせは、回転ユニット１３によって、チャックテーブル１０を鉛直方向軸回りに回転させることで行う。位置付けステップ２０３を完了すると、第一のレーザー加工ステップ２０４に移行する。

【0037】

（第一のレーザー加工ステップ２０４）
図４は、図２に示す第一のレーザー加工ステップ２０４の一状態を示す側面図である。図５は、図４における被加工物１００の平面図である。図６は、図２に示す第一のレーザー加工ステップ２０４の後の状態を示す側面図である。図７は、図６における被加工物１００の平面図である。

【0038】

第一のレーザー加工ステップ２０４は、位置付けステップ２０３を実施した後に実施される。第一のレーザー加工ステップ２０４は、加工送り方向と平行なストリート１０３に対して、割り出し方向の一方向に向かって所定の本数分、レーザー加工を施すステップである。実施形態の第一のレーザー加工ステップ２０４では、割り出し方向の一方向に向かって所定の本数分の加工送り方向と平行なストリート１０３に、改質層１２０を形成する。

【0039】

改質層１２０とは、密度、屈折率、機械的強度またはその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味する。改質層１２０は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、およびこれらの領域が混在した領域等である。改質層１２０は、被加工物１００の他の部分よりも機械的な強度等が低い。

【0040】

第一のレーザー加工ステップ２０４では、まず、撮像ユニット７０で被加工物１００を撮像することによって、ストリート１０３を検出する。ストリート１０３が検出されたら、図５に示すように、被加工物１００のストリート１０３－１とレーザービーム２１の集光点２２を位置づけるアライメントを遂行する。ストリート１０３－１は、被加工物１００の割り出し送り方向（Ｙ軸方向）における一方の縁（図５における上端）から中央までの一方の半面領域１０６に設定された複数のストリート１０３のうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリート１０３－１である。

【0041】

第一のレーザー加工ステップ２０４では、次に、図６に示すように、レーザービーム照射ユニット２０からパルス状のレーザービーム２１を被加工物１００の内部に集光して照射させる。レーザービーム２１は、被加工物１００に対して透過性を有する波長のレーザービームである。

【0042】

次に、被加工物１００とレーザービーム２１の集光点２２とを加工送り方向に相対的に移動する加工送りと、被加工物１００とレーザービーム２１の集光点２２とを加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返す。すなわち、レーザービーム照射ユニット２０に対してチャックテーブル１０を相対的に移動させながら、被加工物１００のストリート１０３－１から内側（図５における下方）に向かって所定の本数分のストリート１０３－２（図７参照）に対応する部分にレーザービーム２１を照射させる。

【0043】

これにより、図７に示すように、被加工物１００の割り出し送り方向における一方の縁から中央までの一方の半面領域１０６に設定された複数のストリート１０３のうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリート１０３－１から内側に向かって所定の本数分のストリート１０３－２に対して、レーザー加工を施して、改質層１２０を形成する。第一のレーザー加工ステップ２０４を完了すると、第二のレーザー加工ステップ２０５に移行する。

【0044】

（第二のレーザー加工ステップ２０５）
図８は、図２に示す第二のレーザー加工ステップ２０５の一状態における被加工物１００の平面図である。図９は、図２に示す第二のレーザー加工ステップ２０５の後の状態における被加工物１００の平面図である。

【0045】

第二のレーザー加工ステップ２０５は、第一のレーザー加工ステップ２０４を実施した後に実施される。第二のレーザー加工ステップ２０５は、加工送り方向と平行なストリート１０３に対して、割り出し方向の他方向に向かって所定の本数分、レーザー加工を施すステップである。実施形態の第二のレーザー加工ステップ２０５では、割り出し方向の他方向に向かって所定の本数分の加工送り方向と平行なストリート１０３に、改質層１２０を形成する。

【0046】

第二のレーザー加工ステップ２０５では、まず、図８に示すように、被加工物１００のストリート１０３－３とレーザービーム２１の集光点２２を位置づけるアライメントを遂行する。ストリート１０３－３は、被加工物１００の割り出し送り方向（Ｙ軸方向）における他方の縁（図５における下端）から中央までの他方の半面領域１０７に設定された複数のストリート１０３のうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリート１０３－３である。

【0047】

第二のレーザー加工ステップ２０５では、次に、レーザービーム照射ユニット２０からパルス状のレーザービーム２１を被加工物１００の内部に集光して照射させる（図６等参照）。次に、被加工物１００とレーザービーム２１の集光点２２とを加工送り方向に相対的に移動する加工送りと、被加工物１００とレーザービーム２１の集光点２２とを加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返す。すなわち、レーザービーム照射ユニット２０に対してチャックテーブル１０を相対的に移動させながら、被加工物１００のストリート１０３－３から内側（図８における上方）に向かって所定の本数分のストリート１０３－４（図９参照）に対応する部分にレーザービーム２１を照射させる。

【0048】

これにより、図９に示すように、被加工物１００の割り出し送り方向における他方の縁から中央までの他方の半面領域１０７に設定された複数のストリート１０３のうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリート１０３－３から内側に向かって所定の本数分のストリート１０３－４に対して、レーザー加工を施して、改質層１２０を形成する。なお、第二のレーザー加工ステップ２０５でレーザー加工を施すストリート１０３の本数は、第一のレーザー加工ステップ２０４でレーザー加工を施すストリート１０３の本数と同一であることが好ましい。第二のレーザー加工ステップ２０５を完了すると、吸引保持解除ステップ２０６に移行する。

【0049】

（吸引保持解除ステップ２０６）
図１０は、図２に示す吸引保持解除ステップ２０６の前の被加工物１００の断面の圧縮応力の分布を示す図である。図１１は、図２に示す吸引保持解除ステップ２０６の後の被加工物１００の断面の圧縮応力の分布を示す図である。吸引保持解除ステップ２０６は、第一のレーザー加工ステップ２０４および第二のレーザー加工ステップ２０５を実施した後に実施される。吸引保持解除ステップ２０６は、チャックテーブル１０による被加工物１００の吸引保持を解除して、被加工物１００に生じた圧縮応力を解放するステップである。

【0050】

第一のレーザー加工ステップ２０４および第二のレーザー加工ステップ２０５においてストリート１０３－２、１０３－４に改質層１２０を形成したことにより、被加工物１００は、割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に膨張する。これにより、図１０に示すように、ストリート１０３に改質層１２０が形成されていない基板１０１の中央領域１０１－１において、圧縮応力が大きくなる。

【0051】

吸引保持解除ステップ２０６では、チャックテーブル１０の保持面１１に接続する真空吸引源を制御して、保持面１１上に載置された被加工物１００の吸引保持を解除する。これにより、図１１に示すように、ストリート１０３に改質層１２０が形成されていない基板１０１の中央領域１０１－１において生じていた圧縮応力を解放する。吸引保持解除ステップ２０６を完了すると、終了判定ステップ２０７に移行する。

【0052】

（終了判定ステップ２０７）
終了判定ステップ２０７は、図２のフローチャートに示す実施形態の加工方法を終了するか否かを判定するステップである。具体的には、実施形態の加工方法によって改質層１２０を形成するストリート１０３の全てに対して改質層１２０の形成が完了したか否かを判定する。全てのストリート１０３に改質層１２０を形成している場合、図２に示すフローチャートの工程を終了する。被加工物１００の中央部に改質層１２０を形成していないストリート１０３が残っている場合、再吸引保持ステップ２０８に移行する。

【0053】

（再吸引保持ステップ２０８）
再吸引保持ステップ２０８は、吸引保持解除１０６ステップの後、被加工物１００の中央部に改質層１２０を形成していないストリート１０３が残っている場合に実施される。再吸引保持ステップ２０８は、被加工物１００を再びチャックテーブル１０で吸引保持するステップである。

【0054】

再吸引保持ステップ２０８では、チャックテーブル１０の保持面１１に真空吸引経路を介して接続する真空吸引源によって負圧を作動させて、保持面１１上に載置された被加工物１００を再び吸引保持する。再吸引保持ステップ２０８を完了すると、第一のレーザー加工ステップ２０４に戻る。なお、実施形態では被加工物１００を支持するフレーム１１１をクランプ部１２で挟持しているが、吸引保持解除ステップ２０６において被加工物１００がチャックテーブル１０に対して水平方向にズレてしまう場合は、位置付けステップ２０３に戻って、位置合わせを再度実施する。

【0055】

例えば、チャックテーブル１０の真空吸引経路が保持面１１の複数の領域毎に区分けされている場合、領域毎に保持面１１を吸引可能である。すなわち、第一のレーザー加工ステップ２０４および第二のレーザー加工ステップ２０５においてレーザー加工を施した領域に対応するチャックテーブル１０の領域のみ、吸引保持解除ステップ２０６で吸引保持を解除し、再吸引保持ステップ２０８で再び吸引保持してもよい。このような方法によると、未加工であるストリート１０３を含む領域の吸引保持が維持されて、水平方向のズレが抑制されるため、位置ズレを補正するアライメント作業を省略できる。

【0056】

（再吸引保持ステップ２０８の後の第一のレーザー加工ステップ２０４）
図１２は、図２に示す再吸引保持ステップ２０８の後の第一のレーザー加工ステップ２０４の一状態における被加工物１００の平面図である。

【0057】

再吸引保持ステップ２０８の後の第一のレーザー加工ステップ２０４では、まず、図１２に示すように、被加工物１００のストリート１０３－５とレーザービーム２１の集光点２２を位置づけるアライメントを遂行する。ストリート１０３－５は、被加工物１００の一方の半面領域１０６に設定された複数のストリート１０３のうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリート１０３－５である。すなわち、ストリート１０３－５は、前回の第一のレーザー加工ステップ２０４で加工したストリート１０３－２より１つ内側のストリート１０３－５である。

【0058】

再吸引保持ステップ２０８の後の第一のレーザー加工ステップ２０４では、次に、前回の第一のレーザー加工ステップ２０４と同様に、レーザービーム照射ユニット２０からパルス状のレーザービーム２１を被加工物１００の内部に集光して照射させる。次に、被加工物１００とレーザービーム２１の集光点２２とを加工送り方向に相対的に移動する加工送りと、被加工物１００とレーザービーム２１の集光点２２とを加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返す。すなわち、レーザービーム照射ユニット２０に対してチャックテーブル１０を相対的に移動させながら、被加工物１００のストリート１０３－５から内側（図１２における下方）に向かって所定の本数分のストリート１０３－６（図１３参照）に対応する部分にレーザービーム２１を照射させる。

【0059】

これにより、一方の半面領域１０６に設定された複数のストリート１０３のうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリート１０３－５から内側に向かって所定の本数分のストリート１０３－６に対して、レーザー加工を施して、改質層１２０を形成する（図１３参照）。第一のレーザー加工ステップ２０４を完了すると、第二のレーザー加工ステップ２０５に移行する。

【0060】

（再吸引保持ステップ２０８の後の第二のレーザー加工ステップ２０５）
図１３は、図２に示す再吸引保持ステップ２０８の後の第二のレーザー加工ステップ２０５の一状態における被加工物１００の平面図である。図１４は、図２に示す再吸引保持ステップ２０８の後の第二のレーザー加工ステップ２０５の後の状態における被加工物１００の平面図である。

【0061】

再吸引保持ステップ２０８の後の第二のレーザー加工ステップ２０５では、まず、図１３に示すように、被加工物１００のストリート１０３－７とレーザービーム２１の集光点２２を位置づけるアライメントを遂行する。ストリート１０３－７は、被加工物１００の他方の半面領域１０７に設定された複数のストリート１０３のうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリート１０３－７である。すなわち、ストリート１０３－７は、前回の第二のレーザー加工ステップ２０５で加工したストリート１０３－４より１つ内側のストリート１０３－７である。

【0062】

再吸引保持ステップ２０８の後の第二のレーザー加工ステップ２０５では、次に、前回の第二のレーザー加工ステップ２０５と同様に、レーザービーム照射ユニット２０からパルス状のレーザービーム２１を被加工物１００の内部に集光して照射させる。次に、被加工物１００とレーザービーム２１の集光点２２とを加工送り方向に相対的に移動する加工送りと、被加工物１００とレーザービーム２１の集光点２２とを加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返す。すなわち、レーザービーム照射ユニット２０に対してチャックテーブル１０を相対的に移動させながら、被加工物１００のストリート１０３－７から内側（図１３における上方）に向かって所定の本数分のストリート１０３－８に対応する部分にレーザービーム２１を照射させる。

【0063】

これにより、図１４に示すように、他方の半面領域１０７に設定された複数のストリート１０３のうち、未加工でありかつ最も外側にあるストリート１０３－７から内側に向かって所定の本数分のストリート１０３－８に対して、レーザー加工を施して、改質層１２０を形成する。第二のレーザー加工ステップ２０５を完了すると、再び吸引保持解除ステップ２０６に移行する。

【0064】

このように、実施形態の被加工物１００の加工方法は、第一のレーザー加工ステップ２０４および第二のレーザー加工ステップ２０５を交互に繰り返して、被加工物１００に設定された全てのストリート１０３に対してレーザー加工を施す。終了判定ステップ２０７において、全てのストリート１０３に対してレーザー加工を完了したと判定されると、図２に示すフローチャートの工程を終了する。

【0065】

以上説明したように、実施形態に係る被加工物１００のレーザー加工方法は、被加工物１００の一方の端部側からの加工（第一のレーザー加工ステップ２０４）と、他方の端部側からの加工（第二のレーザー加工ステップ２０５）と、を交互に行う。これにより、加工済みのストリート１０３から生じる圧縮応力のバランス（対称性）が保たれるため、ストリート１０３の湾曲が抑制でき、結果としてデバイス１０４の損傷を抑制することができる。また、未加工領域のストリート１０３の一方向へのズレを抑制できるので、位置ズレを補正するアライメント作業を省略できる、またはアライメント作業の頻度を低減できるという効果を奏する。

【0066】

また、被加工物１００のストリート１０３を所定の本数分加工した後に、チャックテーブル１０による被加工物１００の吸引保持を解除することによって、被加工物１００の中央領域１０１－１にかかった圧縮応力を解放するようにしてもよい。これにより、改質層１２０の形成を妨げる圧縮応力を排除することができるので、チップに分割する際に、未分割になることを抑制できる。

【0067】

従来では、未分割の領域を分割するためにスキージ等で押圧することで被加工物の分割をアシストする作業を行っていたが、未分割を抑制することによって、この作業工程を省略することができるため、工数削減および省スペース化を実現でき、更に、スキージで押圧する際のパーティクルの発生を抑制できる。

【0068】

次に、実施形態の効果について検証する。図１５は、第１比較例に係るレーザー加工方法を模式的に示すダミーウェーハ３００の平面図である。図１６は、図１５に示されたダミーウェーハ３００の湾曲状態を示す図である。図１７は、第２比較例に係るレーザー加工方法を模式的に示すダミーウェーハ３００の平面図である。図１８は、図１７に示されたダミーウェーハ３００の湾曲状態を示す図である。図１９は、実施形態に係るレーザー加工方法を模式的に示すダミーウェーハ３００の平面図である。図２０は、図１９に示されたダミーウェーハ３００の湾曲状態を示す図である。

【0069】

本発明の発明者らは、図１５、図１７および図１９に示す第１比較例、第２比較例、および本発明品のダミーウェーハ３００にレーザー加工を施して、実施形態に係るレーザー加工方法の効果を確認した。ダミーウェーハ３００は、デバイス（例えば、図３に示す被加工物１００のデバイス１０４）が形成されていない、すなわち基板３０１のみで形成されたウェーハであり、実験では、外径が８インチであり、厚みが１００μｍのものを用いた。

【0070】

また、実験では、第一の位置４００および第二の位置５００の表面の加工送り方向（Ｘ軸方向）における各位置のＹ軸方向の位置を測定することによって、ダミーウェーハ３００の湾曲状態を確認した。第一の位置４００は、ダミーウェーハ３００の割り出し送り方向（Ｙ軸方向）における一方の縁（図１５等における上端）から中央までの一方の半面領域３０６において、一方の縁から中央に向かって５０ｍｍの位置であり、図中では実線で示す。第二の位置５００は、ダミーウェーハ３００の割り出し送り方向（Ｙ軸方向）における他方の縁（図１５等における下端）から中央までの他方の半面領域３０７において、他方の縁から中央に向かって５０ｍｍの位置であり、図中では一点鎖線で示す。

【0071】

また、図１６、図１８および図２０に示すグラフにおいて、横軸は、加工送り方向（Ｘ軸方向）の各位置を示し、縦軸は、ダミーウェーハ３００の表面のＹ軸方向の位置を示す。また、縦軸は、レーザー加工前のダミーウェーハ３００の表面のＹ軸方向の位置をゼロとし、レーザー加工前の位置よりも上方をプラス、下方をマイナスで示している。

【0072】

図１５にレーザー加工方法および図１６に湾曲状態を示す第１比較例では、他方の半面領域３０７の他方の縁から一方の半面領域３０６の一方の縁に向かって、前述した第一の位置４００位置まで、インデックス送りを０．２ｍｍとしてレーザー加工を施した。

【0073】

図１７にレーザー加工方法および図１８に湾曲状態を示す第２比較例では、一方の半面領域３０６の一方の縁から前述した位置４００位置まで、インデックス送りを０．２ｍｍとしてレーザー加工を施し、その後、他方の半面領域１０７の他方の縁からダミーウェーハ３００の中央まで、インデックス送りを０．２ｍｍとしてレーザー加工を施した。

【0074】

図１９にレーザー加工方法および図２０に湾曲状態を示す実施形態の例では、一方の半面領域３０６の一方の縁からダミーウェーハ３００の中央に向かってインデックス送りを０．２ｍｍとした第一のレーザー加工ステップ２０４と、他方の半面領域３０７の他方の縁からダミーウェーハ３００の中央に向かってインデックス送りを０．２ｍｍとした第二のレーザー加工ステップ２０５とを交互に５回ずつ繰り返して、前述した第一の位置４００および第二の位置５００まで、実施形態に示されたレーザー加工方法のレーザー加工を施した。

【0075】

図１６に湾曲状態を示す第１比較例では、第一の位置４００の最大の湾曲量４０１が約１２μｍであり、第二の位置５００の最大の湾曲量５０１が約４．５μｍであった。図１８に湾曲状態を示す第２比較例では、第一の位置４００の最大の湾曲量４０２が約６μｍであり、第二の位置５００の最大の湾曲量５０２が約３μｍであった。

【0076】

これら第１比較例および第２比較例に対して、図２０に湾曲状態を示す実施形態の例では、第一の位置４００の最大の湾曲量４０３が約３μｍであり、第二の位置５００の最大の湾曲量５０３が約３μｍであった。

【0077】

したがって、図１６、図１８および図２０に示すように、実施形態の加工方法で加工したダミーウェーハ３００は、各比較例の加工方法で加工したダミーウェーハ３００よりも加工後の湾曲が少ないという実験結果を得た。すなわち、被加工物１００の一方の端部側からの加工（第一のレーザー加工ステップ２０４）と、他方の端部側からの加工（第二のレーザー加工ステップ２０５）と、を交互に行うことによって、ストリート１０３の湾曲が抑制でき、結果としてデバイス１０４の損傷を抑制することができることが明らかとなった。

【0078】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、吸引保持解除ステップ２０６および再吸引保持ステップ２０８は、必ずしも含まなくてもよい。また、実施形態の説明で使用した各図面において、被加工物１００のデバイス１０４、すなわち分割後のチップは、正方形状であるが、本発明では長方形状であってもよい。

【0079】

例えば、割り出し送り方向のインデックス量が大きくなるストリート１０３には、本発明の加工方法を用いず、割り出し送り方向のインデックス量が小さくなるストリート１０３には、本発明の加工方法を用いるようにしてもよい。例えば、チップサイズが、０．２２３ｍｍ×１０ｍｍである場合、レーザー加工装置１は、第一のチャンネルで本発明の加工方法を用いずに１０ｍｍの大インデックス側を加工し、第二のチャンネルで本発明の加工方法を用いて０．２２３ｍｍの小インデックス側を加工してもよい。

【0080】

この場合、第二のチャンネルでは、被加工物１００の端部から、例えば、１２．５ｍｍずつの第一のレーザー加工ステップ２０４および第二のレーザー加工ステップ２０５と、吸引保持解除ステップ２０６と、を繰り返して加工を施すことにより、エキスパンドのみで個々のチップに分割することが可能である。

【0081】

なお、割り出し送り方向の一方の縁から中央に向かって、中央より一方の縁側の所定の位置までのストリートの加工を施した後、他方の縁から一方の縁に向かって残りのストリートの加工を施した場合の分割率は、約５０％である。また、５０ｍｍずつの第一のレーザー加工ステップ２０４および第二のレーザー加工ステップ２０５と、吸引保持解除ステップ２０６と、を繰り返して加工を施した場合の分割率は、約７０％である。また、２５ｍｍずつの第一のレーザー加工ステップ２０４および第二のレーザー加工ステップ２０５と、吸引保持解除ステップ２０６と、を繰り返して加工を施した場合の分割率は、約７５％である。

【0082】

また、レーザー加工装置１は、第一のレーザー加工ステップ２０４および第二のレーザー加工ステップ２０５においてそれぞれ何ｍｍずつ加工するか、すなわち加工方向の切り替えのタイミングを、制御ユニット９０によって自動的に判断させてもよい。制御ユニット９０は、例えば、被加工物１００の中心に設定したターゲットの位置を撮像ユニット７０等から取得し、ターゲットが所定量（例えば、２μｍ）以上ズレた場合に、加工方向を切り替える制御を行ってもよい。

【0083】

被加工物１００の中心に設定するターゲットは、例えば、被加工物１００の表面１０２のパターン面に含まれる要素であってもよいし、裏面１０５に存在する研削痕または保護部材１１０の表面に含まれる要素等であってもよい。ターゲットがチャックテーブル１０に対面している場合には被加工物１００の下方から可視光カメラを用いて観察し、ターゲットが設定されている面とは逆の面がチャックテーブル１０に対面している場合には被加工物１００の下方からＩＲ（赤外線）カメラを用いて観察する。

【0084】

なお、ターゲットが設定されている面とは逆の面がチャックテーブル１０に対面している場合、被加工物１００の上方から可視光カメラを用いて撮像してもよい。被加工物１００の上方から撮像する場合は、被加工物１００の下方から撮像するために撮像ユニットを追加する必要がなくなるため、コストの削減に寄与できる。

【0085】

一方で、被加工物１００の下方から撮像する場合は、加工しながらターゲットのズレを常時監視することができるため、ズレ確認のための時間が不要となり歩留まりの向上に貢献する。

【0086】

上述のように加工方向の切り替えを自動で制御することによって、定量的に被加工物１００の位置ズレを判断し、適切なタイミングで加工方向を切り替えることができる。これにより、未加工領域のストリート１０３の一方向へのズレを抑制できるので、位置ズレを補正するアライメント作業を省略できる、またはアライメント作業の頻度を低減できる。

【0087】

また、加工方向の切り替えの自動制御によって、位置ズレを抑制可能である最小限のＹ軸方向の補正距離を算出することができる。これにより、加工方向の切り換えに伴うＹ軸方向の移動処理が増加することによるスループットの低下を抑制することができる。

【0088】

更に、量産工程において、同じ厚さかつ同じチップサイズとなるウェーハである複数の被加工物１００を次々に加工する場合、加工方向を切り替える適切なタイミングがほぼ同等であると推定できる。したがって、１枚目の被加工物１００の加工時に算出した切り替えタイミングのデータを、２枚目以降の被加工物１００の加工に適用してもよい。これにより、更に加工時間の短縮に寄与する。

【符号の説明】

【0089】

１ レーザー加工装置
１０ チャックテーブル
２０ レーザービーム照射ユニット
２１ レーザービーム
２２ 集光点
４０ 加工送りユニット
５０ 割り出し送りユニット
９０ 制御ユニット
１００ 被加工物
１０１ 基板
１０２ 表面
１０３ ストリート
１０４ デバイス
１０５ 裏面
１０６、１０７ 半面領域
１１０ 保護部材
１１１ フレーム
１２０ 改質層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】