▶ アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-12
(45)【発行日】2024-11-20
(54)【発明の名称】レイアウト適応型パッケージングの動的生成
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20241113BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 521
G03F7/20 501
【請求項の数】
20
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2023109686
(22)【出願日】2023-07-04
(62)【分割の表示】P 2021525799の分割
【原出願日】2019-08-28
(65)【公開番号】P2023145447
(43)【公開日】2023-10-11
【審査請求日】2023-08-01
(31)【優先権主張番号】16/192,448
(32)【優先日】2018-11-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ホレルバッハ， ウーウェ
(72)【発明者】
【氏名】レイディグ， トーマス エル．
【審査官】植木 隆和
(56)【参考文献】
【文献】特開２００４－２９６５３１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１３－５２０８２５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－０２３６９９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０７１０２２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－０６７９９２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／０２７
Ｇ０３Ｆ ７／２０
Ｇ０２Ｂ １９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
マスクレスリソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法であって、設計状態における、ダイの座標データの第１のセットと、前記ダイへの電気接続の態様とを取得することと、
少なくとも１つのデバイスを用いて前記ダイを測定して、前記ダイについての座標データの第２のセットを生成することと、
前記ダイの取得された前記座標データの前記第１のセットを、前記ダイについての前記座標データの前記第２のセットと比較して、前記デバイスを用いて測定された前記ダイの前記設計状態に対するオフセットを判定することと、
前記電気接続を形成する前に、前記オフセットと、前記ダイについての前記座標データの前記第２のセットを生成するために使用された前記ダイの画像と、前記ダイについての前記座標データの前記第２のセットとのうちの１つに少なくとも部分的に基づいて、前記ダイへの前記電気接続の前記態様を変更することと、
前記ダイと固定された外部領域との間の電気接続位置に、変更された電気接続を形成し、さらに、いずれも移動された前記ダイと別のダイとの間の別の電気接続位置に、別の変更された電気接続を形成することと
を含む方法。
【請求項2】
前記ダイが基板上に配置され、前記基板が、前記マスクレスリソグラフィシステムの割り付けテーブル上において、前記マスクレスリソグラフィシステムに関連付けられた前記少なくとも１つのデバイスの範囲内に配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記方法が前記マスクレスリソグラフィシステム内においてインシトゥで行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
取得された前記座標データの前記第１のセットを前記座標データの前記第２のセットと前記比較することが、前記オフセットを閾値と比較することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項5】
前記オフセットが前記閾値未満である場合、前記オフセットをゼロに設定することをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項6】
前記オフセットが前記閾値より大きい場合、前記閾値を超えたというユーザへの警告を生成することをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項7】
変更された電気接続が、長過ぎる配線接続を含む場合、警告を生成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項8】
前記電気接続の前記態様を前記変更することが、前記オフセットに基づいている、請求項１に記載の方法。
【請求項9】
マスクレスリソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法であって、設計状態について、ダイの座標データの第１のセットと、前記ダイへの電気接続の態様とを取得することと、
少なくとも１つのデバイスを用いて前記ダイを含むステージを測定して、前記ダイ及び前記電気接続についての座標データの第２のセットを生成することと、
前記ダイの取得された前記座標データの前記第１のセットを、前記ダイについての前記座標データの前記第２のセットと比較して、前記少なくとも１つのデバイスを用いて測定された前記ダイの前記設計状態に対するオフセットを判定することと、
前記電気接続を形成する前に、前記オフセットに少なくとも部分的に基づいて、前記ダイへの前記電気接続の前記態様を変更することと、
前記ダイと固定された外部領域との間の電気接続位置に、変更された電気接続を形成し、さらに、いずれも移動された前記ダイと別のダイとの間の別の電気接続位置に、別の変更された電気接続を形成することと
を含む方法。
【請求項10】
前記方法が前記マスクレスリソグラフィシステム内においてインシトゥで行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
基板上に前記ダイを配置することと、前記マスクレスリソグラフィシステム内の前記ステージ上に、前記基板を配置することと、
前記マスクレスリソグラフィシステムの前記少なくとも１つのデバイスの範囲内に、前記ステージを配置することと
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項12】
変更された電気接続が、長過ぎる配線接続を含む場合、警告を生成することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項13】
マスクレスリソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法であって、
設計状態について、ダイの座標データの第１のセットと、前記ダイへの電気接続の態様とを取得することと、
少なくとも１つのデバイスを用いて前記ダイを含むステージを測定して、前記ダイ及び前記電気接続についての座標データの第２のセットを生成することと、
前記ダイの取得された前記座標データの前記第１のセットを、前記ダイについての前記座標データの前記第２のセットと比較して、前記少なくとも１つのデバイスを用いて測定された前記ダイの前記設計状態に対するオフセットを判定することと、
前記電気接続を形成する前に、前記オフセットに少なくとも部分的に基づいて、前記ダイへの前記電気接続の前記態様を変更することと、
前記ダイと、固定された外部領域または他のダイとの間の電気接続位置に、変更された電気接続を形成することと
を含む方法であって、
取得された前記座標データの前記第１のセットを前記座標データの前記第２のセットと前記比較することが、前記オフセットを閾値と比較することをさらに含み、
前記オフセットが前記閾値未満である場合、前記オフセットをゼロに設定し、
前記オフセットが前記閾値より大きい場合、前記閾値を超えたというユーザへの警告を生成する、方法。
【請求項14】
前記電気接続の前記態様を前記変更することが、前記オフセットに基づいている、請求項９に記載の方法。
【請求項15】
マスクレスリソグラフィシステムにおいて基板を処理するための方法であって、少なくとも１つのダイに関係する設計状態における座標データの第１のセット、及び前記少なくとも１つのダイへの少なくとも１つの配線接続の態様を取得することであって、前記ダイが、前記基板上にあるダイである、取得することと、
デバイスを用いて前記ダイを含む前記基板を測定して、前記ダイについての座標データの第２のセットを生成することと、
ステージの前記ダイの取得された前記座標データの前記第１のセットを、前記ダイについての前記座標データの前記第２のセットと比較して、前記デバイスを用いて測定された前記ダイの前記設計状態に対するオフセットを判定することと、
前記少なくとも１つの配線接続を形成する前に、前記オフセットと、前記ダイについての前記座標データの前記第２のセットを生成するために使用された前記ダイの画像と、前記ダイについての前記座標データの前記第２のセットとのうちの１つに少なくとも部分的に基づいて、前記ダイへの前記少なくとも１つの配線接続の前記態様を変更することと、
前記ダイと固定された外部領域との間の電気接続位置に、変更された配線接続を形成し、さらに、いずれも移動された前記ダイと別のダイとの間の別の電気接続位置に、別の変更された配線接続を形成することと
を含む方法。
【請求項16】
前記方法が前記マスクレスリソグラフィシステム内においてインシトゥで行われる、請求項１５に記載の方法。
【請求項17】
マスクレスリソグラフィシステムにおいて基板を処理するための方法であって、
少なくとも１つのダイに関係する設計状態における座標データの第１のセット、及び前記少なくとも１つのダイへの少なくとも１つの配線接続の態様を取得することであって、前記ダイが、前記基板上にあるダイである、取得することと、
デバイスを用いて前記ダイを含む前記基板を測定して、前記ダイについての座標データの第２のセットを生成することと、
ステージの前記ダイの取得された前記座標データの前記第１のセットを、前記ダイについての前記座標データの前記第２のセットと比較して、前記デバイスを用いて測定された前記ダイの前記設計状態に対するオフセットを判定することと、
前記少なくとも１つの配線接続を形成する前に、前記オフセットと、前記ダイについての前記座標データの前記第２のセットを生成するために使用された前記ダイの画像と、前記ダイについての前記座標データの前記第２のセットとのうちの１つに少なくとも部分的に基づいて、前記ダイへの前記少なくとも１つの配線接続の前記態様を変更することと、
前記ダイと、固定された外部領域または他のダイとの間の電気接続位置に、変更された配線接続を形成することと
を含む方法であって、
取得された前記座標データの前記第１のセットを前記座標データの第２のセットと前記比較することが、前記オフセットを閾値と比較することをさらに含み、
前記オフセットが前記閾値未満である場合、前記オフセットをゼロに設定し、
前記オフセットが前記閾値より大きい場合、前記閾値を超えたというユーザへの警告を生成する、方法。
【請求項18】
前記基板上に前記ダイを配置することと、前記マスクレスリソグラフィシステム内の前記ステージ上に、前記基板を配置することと、
前記マスクレスリソグラフィシステムの前記デバイスの方向に、前記ステージ上の前記基板を移動させることと
をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項19】
変更された配線接続が、長過ぎる配線接続を含む場合、警告を生成することをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項20】
前記少なくとも１つの配線接続の前記態様を前記変更することが、前記オフセットに基づいている、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［０００１］本開示の実施形態は、概して、１つ又は複数の基板を処理するための装置、システム、及び方法に関し、より具体的には、フォトリソグラフィプロセスを実行するための装置、システム、及び方法に関する。より具体的には、本開示の態様は、適応型パッケージング方法及び装置に関する。
【背景技術】
【0002】
［０００２］フォトリソグラフィは、半導体デバイスや表示デバイス（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ））の製造に広く用いられている。ＬＣＤの製造においては、大面積基板が利用されることが多い。ＬＣＤ又はフラットパネルは、一般的に、コンピュータ、タッチパネルデバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、携帯電話、テレビモニタなどのアクティブマトリクスディスプレイに使用される。通常、フラットパネルは、２枚のプレートの間に挟まれた画素を形成する液晶材料の層を含む。電源からの電力が液晶材料にわたって印加されると、液晶材料を通過する光の量が画素の位置において制御され、これにより画像の生成が可能となる。コンピュータ、モニタ、及び視覚出力を与える他のシステムに使用される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイを製造するために、他の製造技術が利用される。
【0003】
［０００３］画素を形成する液晶材料層の一部として組み込まれる電気的特徴を作製するために、マイクロリソグラフィ技術が利用されてきた。この技法によれば、感光性フォトレジストが基板の少なくとも１つの表面に塗布される。次に、パターン発生器が、パターンの一部として感光性フォトレジストの選択領域を光で露光して、選択領域のフォトレジストに化学変化を引き起こし、これらの選択領域を、電気的特徴を生成するための後続の材料除去工程及び／又は材料追加工程のために準備する。
【0004】
［０００４］消費者が要求する価格でディスプレイデバイス及び他のデバイスを提供し続けるために、大面積基板などの基板上にパターンを正確且つ費用効果的に作製するための新しい装置及びアプローチが必要とされている。
【0005】
［０００５］デジタルリソグラフィツールにおいては、カメラからの画像を使用して、位置合わせマークの位置を見つけ、その結果、既知の位置にわたって処理が起こり得る。画像を取得するために、カメラは、較正され、特に画素サイズ、配向（回転）、及び均一性に関して選択される。
【0006】
［０００６］マイクロリソグラフィシステムの主な課題のうちの１つは、構成要素間の配線の配置である。多くの場合、対象の構成には、画定領域内に配置された構成要素の固定された外周が伴う。配線は、固定された外周（これは別の構成要素への接続点であり得る）から、画定領域内の構成要素の個々の接続点（例えば、ダイ）へと配置しなければならない。
【0007】
［０００７］この画定領域内に構成要素を配置することは重要である。概して、周辺から構成要素までの接続配線は固定（静止）されている。構成要素が、画定領域内の意図された位置に対して位置ずれしている場合、配線構成要素も作製時に位置ずれしてしまう。構成要素が適切に配置され、処理中に動かないように、十分な注意が払わなければならない。このように構成要素を正確に配置することは、非常に問題があり、処理中に位置ずれが生じる恐れがある。これにより生じる問題には、仕様外の構成要素から全く機能しない構成要素までが作製されることが含まれる。このような種類の問題は、リソグラフィプロセスの全体的な経済的実行可能性に影響を及ぼす。
【0008】
［０００８］処理中の構成要素の位置ずれが閾値量まで可能であるような、構成要素の配線システムの作製を可能にする必要がある。
【0009】
［０００９］マスクレスマイクロリソグラフィシステムを用いて、構成要素のより迅速な処理を可能にすることがさらに必要である。
【0010】
［００１０］マスクレスマイクロリソグラフィシステムを用いて、構成要素の処理のより高いスループットを可能にすることがさらに必要である。
【0011】
［００１１］さらに、処理中に、システムが、達成困難な仮想的な精密な位置合わせではなく、「現場」における構成要素の実際の処理に適応できるように、画定されたフィールド内の構成要素の配置のわずかな偏差を許容する必要がある。
【発明の概要】
【0012】
［００１２］開示の態様は、正確な配線接続を実現するために、構成要素の設計データとフィールド測定データの両方を使用して、配線接続を構成要素に取り付けるための方法を提供する。
【0013】
［００１３］１つの例示的な実施形態では、リソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法が開示されている。当該方法は、設計状態における構成要素の座標データ及び構成要素への接続パターンを取得することと、リソグラフィシステムに関連付けられた少なくとも１つの走査デバイスの範囲内に構成要素を配置することと、少なくとも１つの走査デバイスを用いて構成要素を走査して、構成要素についての座標データの第２のセットを生成することと、取得された構成要素の座標データを座標データの第２のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することと、オフセットのデータ、座標データの第２のセットを生成するために使用された構成要素の走査の視覚画像、及び構成要素についての座標データの第２のセットのうちの１つに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への接続パターンを拡張することを含む。
【0014】
［００１４］別の例示的な実施形態では、マスクレスマイクロリソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法が開示されている。当該方法は、設計状態の構成要素の位置データ及び構成要素への電気接続パターンを取得することと、マイクロリソグラフィシステムのステージ上に構成要素を配置することと、マイクロリソグラフィシステムの少なくとも１つの走査デバイスの範囲内にステージを配置することと、少なくとも１つの走査デバイスを用いて構成要素を含むステージを走査して、構成要素及び電気接続パターンのための座標データの第２のセットを生成することと、取得された構成要素の座標データを座標データの第２のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することと、オフセットのデータに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への電気接続パターンを拡張することを含む。
【0015】
［００１５］１つの例示的な実施形態では、マイクロリソグラフィシステムにおいて基板を処理するための方法が開示されている。当該方法は、少なくとも１つの構成要素、及び少なくとも１つの構成要素への少なくとも１つの配線接続パターンに関係する、設計状態における座標データを取得することであって、構成要素が、基板上にある構成要素又は基板の中にある構成要素のうちの１つである、設計状態における座標データを取得することと、マイクロリソグラフィシステム内のステージ上に基板を配置することと、ステージ上の基板をリソグラフィシステムの走査デバイスへと移動させることと、走査デバイスを用いて構成要素を含む基板を走査して、構成要素のための座標データの第２のセットを生成することと、取得されたステージの構成要素の座標データを座標データの第２のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することと、オフセットのデータ、座標データの第２のセットを生成するために使用された構成要素の走査の視覚画像、及び構成要素のための座標データの第２のセットのうちの１つに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への少なくとも１つの配線接続パターンを拡張することを含む。
【0016】
［００１６］本開示の上述の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによって、得ることができる。そのうちの幾つかの実施形態は添付の図面で例示されている。しかし、添付図面は例示的な実施形態のみを示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、その他の等しく有効な実施形態も許容し得ることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1A】本明細書に開示された実施形態に係るフォトリソグラフィシステムの斜視図である。
【図1B】本明細書に開示された実施形態に係るフォトリソグラフィシステムの斜視図である。
【図2A】本明細書に開示された実施形態に係る画像投影装置の概略斜視図である。
【図2B】本明細書に開示された実施形態に係る画像投影装置の概略斜視図である。
【図2C】本明細書に開示された実施形態に係る画像投影装置の概略斜視図である。
【図3】仮想接続を有するデバイスの概略図である。
【図5】デバイスへの配線接続を生成する方法を示す。
【図6】デバイスへの配線接続を生成する第２の方法を示す。
【図7】デバイスへの配線接続を生成する第３の方法を示す。
【発明を実施するための形態】
【0018】
［００２６］理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及びフィーチャは、さらなる記述がなくても、他の実施形態に有益に組み込むことができると考えられている。
【0019】
［００２７］以下に説明する態様では、アイ構成（ｅｙｅ ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）、位置合わせマーク形状、及びセルコードが例を示す。位置合わせマーク画像を取得するためには、任意の数のアイ及び任意の数のステップが存在し得る。位置合わせマークの形状は、十字形状に制限されない。位置合わせマークは、任意の形状であってもよい。マークセルコード（ｍａｒｋ ｃｅｌｌ ｃｏｄｅ）は、ＯＣＲ、形状変更、又はサイズ変更のいずれかによって実装されてもよい。マークセルコードは、線の太さを変更することによって、又は線に追加のフィーチャを追加することによって、マーク自体に埋め込むこともできる。したがって、例示された実施形態は、実質的に説明的なものに過ぎず、限定的であると見なすべきではない。
【0020】
［００２８］図１Ａは、本明細書に開示された実施形態に係るフォトリソグラフィシステム１００の斜視図である。当該システム１００は、ベースフレーム１１０、スラブ１２０、ステージ１３０、及び処理装置１６０を含む。ベースフレーム１１０は、製造施設の床に載置され、スラブ１２０を支持する。受動空気アイソレータ１１２が、ベースフレーム１１０とスラブ１２０との間に位置付けられる。一実施形態では、スラブ１２０は、花崗岩製の一体型構成要素であり、ステージ１３０は、スラブ１２０上に配置される。基板１４０が、ステージ１３０によって支持されている。複数の孔（図示せず）がステージ１３０に形成されており、それにより、複数のリフトピン（図示せず）がそれらを通って延在することが可能になる。幾つかの実施形態では、リフトピンは、延長位置まで上昇し、１つ又は複数の移送ロボット（図示せず）などから基板１４０を受け取る。１つ又は複数の搬送ロボットを使用して、基板１４０をステージ１３０へとロードし、ステージ１３０からアンロードする。
【0021】
［００２９］基板１４０は、任意の適切な材料、例えば、フラットパネルディスプレイの一部として使用される石英を含む。他の実施形態では、基板１４０は、その他の材料で作られる。幾つかの実施形態では、基板１４０は、その上にフォトレジスト層が形成されている。フォトレジストは放射線に敏感である。ポジ型フォトレジストは、放射線に露光されたとき、フォトレジスト現像液にそれぞれ溶解するフォトレジストの部分を含む。フォトレジスト現像液は、パターンがフォトレジストに書き込まれた後にフォトレジストに塗布される。ネガ型フォトレジストは、放射線に露光されたとき、フォトレジスト現像液に対してそれぞれ不溶性となるフォトレジストの部分を含む。フォトレジスト現像液は、パターンがフォトレジストに書き込まれた後にフォトレジストに塗布される。フォトレジストの化学組成により、そのフォトレジストがポジ型フォトレジストになるか、それともネガ型フォトレジストになるかが決まる。フォトレジストの例には、ジアゾナフトキノン、フェノールホルムアルデヒド樹脂、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（メチルグルタルイミド）、及びＳＵ－８のうちの少なくとも１つが含まれるが、これらに限定されない。この態様では、電子回路を形成するために、パターンが基板１４０の表面上に生成される。
【0022】
［００３０］システム１００は、一対の支持体１２２、及び一対のトラック１２４を含む。一対の支持体１２２は、スラブ１２０上に配置される。スラブ１２０と一対の支持体１２２は、単片の材料である。一対のトラック１２４は、一対の支持体１２２に支持されており、ステージ１３０は、トラック１２４に沿ってＸ方向に移動する。一実施形態では、一対のトラック１２４は、一対の平行な磁気チャネルである。図示されるように、一対のトラック１２４の各トラック１２４は線形である。他の実施形態では、１つ又は複数のトラック１２４は、非線形である。コントローラ（図示せず）に位置情報を提供するために、エンコーダ１２６がステージ１３０に連結される。
【0023】
［００３１］処理装置１６０は、支持体１６２及び処理ユニット１６４を含む。支持体１６２は、スラブ１２０上に配置され、ステージ１３０が処理ユニット１６４の下方を通過ための開口１６６を含む。処理ユニット１６４は支持体１６２によって支持される。一実施形態では、処理ユニット１６４は、フォトリソグラフィプロセスにおいてフォトレジストを露光させるよう構成された、パターン発生器である。幾つかの実施形態では、パターン発生器は、マスクレスリソグラフィプロセスを実行するように構成される。処理ユニット１６４は、複数の画像投影装置（図２Ａ及び図２Ｂに示す）を含む。一実施形態では、処理ユニット１６４は、８４個もの画像投影装置を含む。各画像投影装置は、ケース１６５内に配置されている。処理装置１６０は、マスクレス直接パターニングを実施するのに有用である。
【0024】
［００３２］稼働中、ステージ１３０は、図１Ａに示すローディング位置から処理位置へとＸ方向に移動する。処理位置は、ステージ１３０が処理ユニット１６４の下方を通過する際の、ステージ１３０の１つ又は複数の位置である。稼働中、ステージ１３０は、複数の空気ベアリング（図示せず）によって持ち上げられ、一対のトラック１２４に沿ってローディング位置から処理位置まで移動する。複数の垂直誘導空気ベアリング（図示せず）が、ステージ１３０に連結されており、ステージ１３０の移動を安定化させるために、各支持体１２２の内壁１２８に隣接するように配置される。基板１４０を処理且つ／又はインデックス付けするために、ステージ１３０は、トラック１５０に沿って移動することにより、Ｙ方向にも移動する。ステージ１３０は、独立した動作が可能であり、一方向に基板１４０を走査し、他方向に進むことができる。
【0025】
［００３３］計測システムは、リアルタイムで各々のステージ１３０のＸ及びＹの横方向位置座標を測定し、その結果、複数の画像投影装置の各々は、フォトレジストで覆われた基板に書き込まれているパターンの位置を正確に特定することができる。さらに、計測システムは、垂直軸又はＺ軸の周囲のステージ１３０のそれぞれの角度位置のリアルタイム測定を提供する。角度位置の測定は、サーボ機構を用いた走査中に角度位置を一定に保つために使用することができ、又は、図２Ａー２Ｂに示す画像投影装置２７０によって、基板１４０に書き込まれるパターンの位置に補正を加えるために使用することができる。これらの技法は、組み合わせにより使用することができる。
【0026】
［００３４］図１Ｂは、本明細書に開示される実施形態に係る、フォトリソグラフィシステム２００の斜視図である。システム２００は、システム１００と類似しているが、システム２００は、２つのステージ１３０を含む。２つのステージ１３０は、それぞれ独立した動作が可能であり、基板１４０を一方向に走査し、他の方向に進むことができる。幾つかの実施形態では、２つのステージ１３０のうちの片方のステージが基板１４０を走査しているとき、２つのステージ１３０のうちの別のステージが、露光された基板をアンロードし、次に露光される基板をロードする。
【0027】
［００３５］図１Ａ及び図１Ｂは、フォトリソグラフィシステムの２つの実施形態を示しているが、本明細書では、他のシステム及び構成も意図されている。例えば、任意の適切な数のステージを含むフォトリソグラフィシステムも想定される。
【0028】
［００３６］図２Ａは、一実施形態に係る画像投影装置２７０の概略斜視図であり、システム１００又はシステム２００などのフォトリソグラフィシステムに有用である。画像投影装置２７０は、１つ又は複数の空間光変調器２８０、焦点センサ２８３及びカメラ２８５を含む位置合わせ及び検査システム２８４、並びに投影光学系２８６を含む。画像投影装置の構成要素は、使用される空間光変調器によって異なる。空間光変調器には、マイクロＬＥＤ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、及び液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が含まれるが、これらに限定されない。
【0029】
［００３７］稼働中、空間光変調器２８０を使用して、光の１つ又は複数の特性（例えば、振幅、位相、又は偏光）を変調する。この光は、画像投影装置２７０を通して、基板（例えば、基板１４０）に投影される。位置合わせ及び検査システム２８４は、画像投影装置２７０の構成要素の位置合わせ及び検査のために使用される。一実施形態では、焦点センサ２８３は、複数のレーザを含む。複数のレーザは、カメラ２８５のレンズを通り、カメラ２８５のレンズを通って戻るように方向付けられ、画像投影装置２７０の焦点が合っているかどうかを検出するためにセンサ上で結像する。画像投影装置２７０及びフォトリソグラフィシステム１００又は２００の位置合わせが、確実に、正確に行われるように又は所定の許容範囲内に入るように、カメラ２８５を使用して、基板（例えば、基板１４０）を画像化する。投影光学系２８６（例えば、１つ又は複数のレンズ）を使用して、基板（例えば、基板１４０）に光を投影する。
【0030】
［００３８］図２Ｂは、本明細書に記載された実施形態に係る画像投影装置２７１である。図２Ｂに示す実施形態では、画像投影装置２７１は、空間光変調器としての１つ又は複数のマイクロＬＥＤ２８７、焦点センサ２８３、カメラ２８５、及び投影光学系２８６を含む。一実施形態では、画像投影装置２７１は、さらにビームスプリッタ（図示せず）を含む。マイクロＬＥＤは、微小（例えば、約１００μｍ未満の）発光ダイオードであり、これは、アレイ状に配列され、ディスプレイデバイスなどの基板の個々の画素を形成するために使用され得る。マイクロＬＥＤは、無機窒化ガリウム（ＧａＮ）材料などの無機材料を含む。マイクロＬＥＤは自己発光性であるので、画像投影装置２７１には外部光源は必要ない。
【0031】
［００３９］マイクロＬＥＤを使用する実施形態では、カメラ２８５は、マイクロＬＥＤデバイスで起こる任意の熱膨張を較正するために、１つ又は複数のマイクロＬＥＤの画像画素ピッチを測定するのにも有用である。
【0032】
［００４０］図２Ｃは、本明細書に記載された実施形態に係る画像投影装置２８１である。図２Ｂに示す実施形態では、画像投影装置２８１は、空間光変調器として１つ又は複数のＤＭＤ２８９を使用する。画像投影装置２８１は、画像投影システム２９０の一部であり、画像投影システム２９０には、位置合わせ及び検査システム２８４、並びに投影光学系２８６に加えて、光源２７２、開孔２７４、レンズ２７６、フラストレートプリズムアセンブリ２８８、１つ又は複数のＤＭＤ２８９（１つが示される）、及び光ダンプ（ｌｉｇｈｔｄｕｍｐ）２８２が含まれる。光源２７２は、所定の波長の光を生成することが可能な、任意の適切な光源（例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）又はレーザ）である。一実施形態では、所定の波長とは、青色範囲又は近紫外（ＵＶ）範囲内（例えば、約４５０ｎｍ未満）のものである。フラストレートプリズムアセンブリ２８８は、複数の反射面を含む。一例として、投影光学系２８６は、１０倍対物レンズである。図２Ｃに示す画像投影装置２８１の動作中に、青色範囲の波長などの所定の波長を有する光ビーム２７３が光源２７２によって生成される。光ビーム２７３は、フラストレートプリズムアセンブリ２８８によってＤＭＤ２８９へと反射される。ＤＭＤは、複数のミラーを含み、ミラーの数は、投影される画素の数に対応する。複数のミラーは個別に制御可能であり、複数のミラーの各マイクロミラーは、コントローラ（図示せず）によってＤＭＤ２８９に提供されるマスクデータに基づいて、オン位置又はオフ位置に設定される。光ビーム２７３がＤＭＤ２８９のミラーに到達すると、「オン」位置にあるミラーは、光ビーム２７３を投影レンズ２８６へと反射する（すなわち、複数の書き込みビームを形成する）。次いで、投影光学系２８６は、書き込みビームを基板１４０の表面へと投影する。「オフ」位置にあるミラーは、光ビーム２７３を、基板１４０の表面の代わりに光ダンプ２８２へと反射する。
【0033】
［００４１］リソグラフィシステムを通して材料を処理するにあたって、１つ又は複数のダイを有する構成要素が、処理のためにステージ上に配置される。処理のために構成要素の理想的なレイアウトが達成可能かもしれないが、様々な要因が、そのような理想的なレイアウトに影響を及ぼし得る。リソグラフィシステムが構成要素を取り扱うとき、リソグラフィシステムの処理速度が、構成要素をわずかに動かす場合がある。小型の構成要素については、起点から終点までの配線が短くなり得るため、これらのわずかな動きが、最終製品に大きな影響を与える可能性がある。さらに、各構成要素は、幾つかのダイを有し得るので、「完全な」又は理想的なレイアウトと比べて、構成要素の不正確な位置合わせによって、多くの接続が影響を受ける可能性がある。
【0034】
［００４２］本開示の態様では、パッケージングレイアウト内の１つ又は複数のダイの理想的な配置、及び幾つかの誤りを伴い得る実際の配置を前提として、実際の配置に一致するように理想的な配置を修正又は変形することができ、これにより、より大きなアセンブリへのダイのパッケージングのためのルーティングを適応的に生成することが提供されている。
【0035】
［００４３］図３を参照すると、理想的なレイアウトプロットが示されている。各構成要素が、意図された通りに、処理のために基板上に配置された場合、このような理想的なレイアウトプロットが生じることになる。理解されるように、極めて高い精度で構成要素を配置することは困難であり得る。このため、たとえ構成要素を高精度で配置しても、デジタルリソグラフィシステムが高速で大型基板を動かすので、処理中に移動が起きる可能性がある。
【0036】
［００４４］図４を参照すると、構成要素の実際のレイアウトプロットが示されている。図からわかるように、構成要素は、図３の位置から移動している。したがって、構成要素を正しく動作させるには、構成要素への配線接続を変更する必要がある。このため、配線が適切であるように、拡張配線スキームが生成される。
【0037】
［００４５］図５を参照すると、リソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法５００が示されている。第１のステップでは、設計状態５０２における構成要素上の座標データ、及び構成要素への接続パターンなどのデータが取得され得る。このデータは、例えば、製造図面から得ることができる。構成要素は、プロセッサのような（ただし、これに限定されない）配線取り付けを必要とする任意の種類の構成要素であってもよい。配線は、例えば、構成要素から固定された外部領域へのものであり得、最終的に構成要素が分離されたとき、配線は所定の位置で終端する。
【0038】
［００４６］理解されるように、構成要素は、処理のために画定されたフィールド内に位置付けされる。実際の（ｘ、ｙ）構成要素は、様々な要因によりわずかに変動し得る。この様々な要因には、プラテン（割り付けテーブル）をマイクロリソグラフィ装置にロードする前のプラテンの初期処理中に、このような構成要素を正確に位置特定する能力が含まれる。他の要因（例えば、マイクロリソグラフィ工程中の構成要素の取り扱い）も構成要素の移動を引き起こし得る。固定された外側フィールドへと延びるような構成要素の配線接続を達成するために、プラテン上の構成要素の「インシトゥ（その場の）」位置決めが、少なくとも１つの走査デバイスで走査され、これにより、各構成要素５０４の正確な位置決めを確認することが可能である。したがって、プラテンは、リソグラフィシステムにおけるある位置に移動させられ、座標データの処理のために走査が起きる。理解されるように、実際の状態の走査は、必要に応じて、別個のプロセスによって達成することができ、データは、使用のためにマイクロリソグラフィ装置に供給される。取得されたデータ、すなわちデータの第２のセットは、必要に応じて記憶され得る。理想的に設計された位置決めと比べて、構成要素の実際の配置に存在し得る任意のオフセットを判定するために、座標データの第２のセットを取得された座標データ（「設計通りのデータ」）と比較することができる（５０６）。マイクロリソグラフィ装置が構成要素の正確な配置を理解することを可能にするために、５０８においてオフセットを計算することができる。次に、オフセット計算からのデータを使用して、理想的な設計状態からの接続パターンを拡張することができる（５１０）。理解されるように、視覚画像データも使用して、接続パターンに必要な違いを判定することができる。
【0039】
［００４７］必要なオフセットを判定するために、データのコンピュータ分析を実行することができる。コンピュータ分析は、オフセットを計算するだけでなく、構成要素と固定周囲との間の新しい接続配線位置を割り出すことができ、したがって、処理を高速化することができる。
【0040】
［００４８］諸実施形態では、ハードウェアアーキテクトは、理想的な配置からのわずかな変動が許容可能であると判断することができる。配線接続及び構成要素の偏差が、許容可能なレベル内であると判断され得る。その場合、配線接続の変更は必要ない。
【0041】
［００４９］このような許容レベルからの偏差が発見された場合、プロセッサに警告を発して、配線の変更／修正が必要であることが通知され得る。他の実施形態では、構成要素の位置及び配向が最大閾値外にある場合、構成要素への接続を効果的に行うことができない。構成要素が許容範囲外であり、配線接続を変更しても、この接続が損なわれ得るという別個の警告をプロセッサに発する場合がある。
【0042】
［００５０］理解されるように、配線接続のための設計では、接続の開始点及び終了点の配置の精度だけでなく、配線接続の長さも考慮され得る。ワイヤの長さが、効果的な動作を行うのには長過ぎて、例えば、過剰な待機時間を生じさせる場合、このような配線が生成されたら仕様外になるという警告がプロセッサに発せられ得る。諸実施形態では、接続とは、マイクロプロセッサのダイなどの構成要素と確立される電気接続を意味すると理解される。
【0043】
［００５１］図６を参照すると、マイクロリソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法６００が開示される。一実施形態では、設計状態の構成要素の位置データ及び構成要素への電気接続パターンが取得される（６０２）。次に、６０４では、構成要素は、マイクロリソグラフィシステムのステージ上に配置される。６０６では、少なくとも１つの走査デバイスを用いて構成要素を含むステージが走査され、構成要素及び電気接続パターンのための第２のセットの座標データが生成される。６０８では、取得された構成要素の座標データが、座標データの第２のセットと比較され、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットが判定される。６１０では、構成要素への電気接続パターンが、オフセットデータに基づいて少なくとも部分的に拡張される。６１２では、電気接続パターンが製造される。
【0044】
［００５２］図７を参照すると、マイクロリソグラフィシステムにおいて基板を処理するための方法７００が開示される。一実施形態では、少なくとも１つの構成要素、及び少なくとも１つの構成要素への少なくとも１つの配線接続パターンに関係する、設計状態の座標データが取得される（７０２）。構成要素は、基板上にある構成要素又は基板の中にある構成要素のうちの１つである。７０４では、方法は、マイクロリソグラフィシステム内のステージ上に基板を配置することにより継続する。次いで、方法は、７０６では、ステージ上の基板をリソグラフィシステムの走査デバイスに移動させることにより継続する。７０８では、方法は、走査デバイスを用いて構成要素を含む基板を走査して、構成要素についての第２の座標データセットを生成することにより継続する。７１０では、方法は、取得されたステージの構成要素の座標データを座標データの第２のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することにより継続する。次いで、方法は、７１２では、オフセットのデータ、座標データの第２のセットを生成するために使用された構成要素の走査の視覚画像、及び構成要素のための座標データの第２のセットのうちの１つに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への少なくとも１つの配線接続パターンを拡張することにより継続する。７１４では、少なくとも１つの配線接続パターンが製造される。
【0045】
［００５３］１つの例示的な実施形態では、リソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法が開示されている。当該方法は、設計状態における構成要素の座標データ及び構成要素への接続パターンを取得することと、リソグラフィシステムに関連付けられた少なくとも１つの走査デバイスの範囲内に構成要素を配置することと、少なくとも１つの走査デバイスを用いて構成要素を走査して、構成要素のための座標データの第２のセットを生成することと、取得された構成要素の座標データを座標データの第２のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することと、オフセットのデータ、座標データの第２のセットを生成するために使用された構成要素の走査の視覚画像、及び構成要素のための座標データの第２のセットのうちの１つに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への接続パターンを拡張することを含む。
【0046】
［００５４］別の非限定的な実施形態では、構成要素が基板上に配置される方法を実行することができる。
【0047】
［００５５］別の非限定的な実施形態では、基板がリソグラフィシステムの割り付けテーブル上に配置される方法を実行することができる。
【0048】
［００５６］別の非限定的な実施形態では、接続パターンの拡張がコンピュータ分析によって実行される方法を実行することができる。
【0049】
［００５７］別の非限定的な実施形態では、取得された座標データを座標データの第２のセットと比較することが、オフセットを閾値と比較することをさらに含む方法を実行することができる。
【0050】
［００５８］別の非限定的な実施形態では、この方法は、オフセットが閾値未満である場合、オフセットをゼロに設定することをさらに含み得る。
【0051】
［００５９］別の非限定的な実施形態では、方法は、取得された座標データを座標データの第２のセットと比較することが、オフセットを閾値と比較することと、比較が閾値よりも大きい場合、閾値を超えたというユーザへの警告を生成することとをさらに含むことをさらに含み得る。
【0052】
［００６０］別の非限定的な実施形態では、方法は、拡張された接続パターンのデータに基づいて、接続パターンを作製することをさらに含み得る。
【0053】
［００６１］別の例示的な実施形態では、マスクレスマイクロリソグラフィシステムにおいて装置を処理するための方法が開示されている。当該方法は、設計状態の構成要素の位置データ及び構成要素への電気接続パターンを取得することと、マイクロリソグラフィシステムのステージ上に構成要素を配置することと、マイクロリソグラフィシステムの少なくとも１つの走査デバイスの範囲内にステージを配置することと、少なくとも１つの走査デバイスを用いて構成要素を含むステージを走査して、構成要素及び電気接続パターンについての座標データの第２のセットを生成することと、取得された構成要素の座標データを座標データの第２のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することと、オフセットのデータに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への電気接続パターンを拡張することを含む。
【0054】
［００６２］例示的な一実施形態では、方法は、拡張された接続パターンのデータに基づいて、接続パターンを作製することをさらに含み得る。
【0055】
［００６３］別の例示的な実施形態では、構成要素が基板上に配置される方法を実行することができる。
【0056】
［００６４］別の例示的な実施形態では、接続パターンの拡張がコンピュータ分析によって実行される方法を実行することができる。
【0057】
［００６５］別の例示的な実施形態では、取得された座標データを座標データの第２のセットと比較することが、オフセットを閾値と比較することをさらに含む方法を実行することができる。
【0058】
［００６６］別の例示的な実施形態では、マイクロリソグラフィシステムがマスクレスシステムである方法を実行することができる。
【0059】
［００６７］別の例示的な実施形態では、取得された座標データを座標データの第２のセットと比較することが、オフセットを閾値と比較することをさらに含む方法を実行することができる。
【0060】
［００６８］例示的な一実施形態では、マイクロリソグラフィシステムにおいて基板を処理するための方法が開示されている。当該方法は、少なくとも１つの構成要素、及び少なくとも１つの構成要素への少なくとも１つの配線接続パターンに関係する、設計状態における座標データを取得することであって、構成要素が、基板上にある構成要素又は基板の中にある構成要素のうちの１つである、設計状態における座標データを取得することと、マイクロリソグラフィシステム内のステージ上に基板を配置することと、ステージ上の基板をリソグラフィシステムの走査デバイスへと移動させることと、走査デバイスを用いて構成要素を含む基板を走査して、構成要素のための座標データの第２のセットを生成することと、取得されたステージの構成要素の座標データを座標データの第２のセットと比較して、走査デバイスを用いて走査された構成要素と設計状態とのオフセットを判定することと、オフセットのデータ、座標データの第２のセットを生成するために使用された構成要素の走査の視覚画像、及び構成要素のための座標データの第２のセットのうちの１つに少なくとも部分的に基づいて、構成要素への少なくとも１つの配線接続パターンを拡張することを含む。
【0061】
［００６９］別の例示的な実施形態では、方法は、拡張された接続パターンのデータに基づいて、少なくとも１つの配線接続パターンを作製することをさらに含み得る。
【0062】
［００７０］別の例示的な実施形態では、接続パターンの拡張がコンピュータ分析によって実行される方法を実行することができる。
【0063】
［００７１］さらに別の例示的な実施形態では、取得された座標データを座標データの第２のセットと比較することが、オフセットを閾値と比較することをさらに含む方法を実行することができる。
【0064】
［００７２］諸実施形態が本明細書に記載されているが、本開示の恩恵を受ける当業者は、本出願の発明の範囲から逸脱しない他の実施形態が想定されることを理解するであろう。したがって、本特許請求の範囲又は後続の関連する特許請求の範囲は、本明細書に記載された実施形態の説明によって過度に限定されるものではない。
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】