(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-13
(45)【発行日】2024-11-21
(54)【発明の名称】電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
H05B 33/10 20060101AFI20241114BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20241114BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20241114BHJP
【ＦＩ】
H05B33/10
H05B33/12 Z
H05B33/14 A
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2019114893
(22)【出願日】2019-06-20
(65)【公開番号】P2021002454
(43)【公開日】2021-01-07
【審査請求日】2022-04-26
【審判番号】
【審判請求日】2024-02-15
(73)【特許権者】
【識別番号】000002093
【氏名又は名称】住友化学株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100128381
【弁理士】
【氏名又は名称】清水 義憲
(74)【代理人】
【識別番号】100124062
【弁理士】
【氏名又は名称】三上 敬史
(74)【代理人】
【識別番号】100176658
【弁理士】
【氏名又は名称】和田 謙一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100223424
【弁理士】
【氏名又は名称】和田 雄二
(74)【代理人】
【識別番号】100165526
【弁理士】
【氏名又は名称】阿部 寛
(72)【発明者】
【氏名】岸川 英司
(72)【発明者】
【氏名】藤井 貴志
【合議体】
【審判長】神谷 健一
【審判官】橿本 英吾
【審判官】廣田 健介
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－１８５９９２（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／０３５５９２４（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００９－３０１７６９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－２３８１９５（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
IPC H10K 77/12
H10K 77/13
H10K 50/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に配置された第１電極層上に、第１機能層と、前記第１機能層上に配置され且つ前記第１機能層に接する第２機能層とを含むデバイス機能部を形成するデバイス機能部形成工程と、前記デバイス機能部上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
を備える、電子デバイスの製造方法であって、
前記第１機能層及び前記第２機能層を含む積層構造を形成する積層構造形成工程と、
前記積層構造に対し、判定波長に対する前記積層構造の光学特性値として、前記判定波長に対する反射率、透過率、吸収率、屈折率及び消衰係数のうちの何れか一つを取得する光学特性値取得工程と、
前記光学特性値が判定条件を満たすか否かを判定する判定工程と、
を備え、
前記積層構造形成工程は、
前記第２機能層の材料を含む塗布液を前記第１機能層上に塗布して塗布膜を形成する塗布工程と、
前記塗布膜を加熱して前記第２機能層を得る加熱工程と、
を有し、
前記積層構造形成工程は、前記デバイス機能部形成工程中又は前記デバイス機能部形成工程とは別に実施され、
前記判定工程において、前記判定条件を満たさない場合、前記加熱工程における前記塗布膜の加熱温度、または、前記塗布工程から前記加熱工程までの移行時間を調整する調整工程を前記第２電極層形成工程の前に実施し、前記判定条件を満たすと前記判定工程で判定されるまで、前記積層構造形成工程、前記判定工程及び前記調整工程を繰り返し、
前記積層構造形成工程が前記デバイス機能部形成工程中に実施され且つ前記判定工程において前記判定条件を満たすと判定された場合、前記第２電極層形成工程では、前記積層構造を含む前記デバイス機能部上に前記第２電極層を形成し、
前記積層構造形成工程が前記デバイス機能部形成工程とは別に実施され且つ前記判定工程において前記判定条件を満たすと判定された場合、前記積層構造形成工程における前記積層構造の形成条件と同じ条件を用いて前記デバイス機能部形成工程を実施する、
電子デバイスの製造方法。
【請求項2】
前記光学特性値取得工程の前に、前記判定波長を決定する準備工程を更に備え、前記準備工程は、
前記第１機能層に対応する第１層上に、前記第２機能層に対応している第２層を異なる形成条件で形成することによって基準積層構造及び少なくとも一つのサンプル積層構造を形成する工程と、
前記基準積層構造及び前記少なくとも一つのサンプル積層構造それぞれの光学特性として、反射率分布、透過率分布、吸収率分布、屈折率分布及び消衰係数分布のうちの何れかを取得する工程と、
前記基準積層構造の前記光学特性を示しており波長を独立変数とする第１関数と、前記少なくとも一つのサンプル積層構造の光学特性を示しており波長を独立変数とする少なくとも一つの第２関数とに基づいて、波長を独立変数とする少なくとも一つの第３関数を得る工程と、
前記少なくとも一つの第３関数における変曲点の位置に対応する波長の前後５０ｎｍ領域において、前記少なくとも一つの第３関数の関数値の絶対値が最大である波長を前記判定波長に決定する工程と、
を有する、
請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項3】
前記判定条件は、前記判定波長に対する前記光学特性値と前記判定波長に対する基準光学特性値との差を前記基準光学特性値で除した値の絶対値が所定値以下であることである、請求項１又は２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項4】
前記光学特性値取得工程では、前記判定波長に対する前記積層構造の前記反射率を前記光学特性値として取得し、前記所定値は０．１である、
請求項３に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項5】
前記光学特性値取得工程では、前記判定波長に対する前記積層構造の前記透過率を前記光学特性値として取得し、前記所定値は、０．００９である、
請求項３に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項6】
前記判定条件は、前記判定波長に対する前記光学特性値と前記判定波長に対する基準光学特性値との差の絶対値が所定値以下であることである、請求項１又は２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項7】
前記光学特性値取得工程では、前記判定波長に対する前記積層構造の前記反射率を前記光学特性値として取得し、前記所定値は０．００８である、
請求項６に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項8】
前記光学特性値取得工程では、前記判定波長に対する前記積層構造の前記透過率を前記光学特性値として取得し、前記所定値は、０．００６である、
請求項６に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項9】
前記第１機能層及び前記第２機能層は有機層であり、前記第１機能層または前記第２機能層は、低分子材料を５０質量％以上含む、
請求項１～８の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項10】
前記積層構造は、前記第１機能層と前記第２機能層との積層構造であり、前記光学特性値取得工程は、前記加熱工程の後、前記第２機能層上に他の層を形成する前に実施する、
請求項１～９の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
電子デバイスは、基板上に設けられた第１電極層と、第１電極層上に設けられており複数の機能層を含むデバイス機能部と、デバイス機能部上に設けられた第２電極層と、を備える。電子デバイスを製造する際に、デバイス機能部が有する複数の機能層は、特許文献１に記載されているように例えば塗布法（湿式成膜法）で形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１７－１４２９７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載されているように、電子デバイスが有する複数の機能層を塗布法で形成する場合、第１機能層上に第２機能層の材料を含む塗布液を塗布して塗布膜を形成し、塗布膜を加熱することによって第２機能層が形成される。この場合、第２機能層の形成工程で、第１及び第２機能層の材料が熱、膨潤、溶出といった要因によって拡散する。それによって、第１機能層と第２機能層との界面近傍にそれらの混合層が形成され、混合層の影響で所望のデバイス特性とは異なる電子デバイス（すなわち、不良品である電子デバイス）が製造されていた。その結果、電子デバイスの製造歩留まりが低下していた。
【0005】
そこで、本発明は、製造歩留まりを向上可能な電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一側面に係る電子デバイスの製造方法は、基板上に配置された第１電極層上に、第１機能層と、上記第１機能層上に配置され且つ上記第１機能層に接する第２機能層とを含むデバイス機能部を形成するデバイス機能部形成工程と、上記デバイス機能部上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、を備える、電子デバイスの製造方法である。上記電子デバイスの製造方法は、上記第１機能層及び上記第２機能層を含む積層構造を形成する積層構造形成工程と、上記積層構造に対し、判定波長に対する上記積層構造の光学特性値として、上記判定波長に対する反射率、透過率、吸収率、屈折率及び消衰係数のうちの何れか一つを取得する光学特性値取得工程と、上記光学特性値が判定条件を満たすか否かを判定する判定工程と、を備える。上記積層構造形成工程は、上記第２機能層の材料を含む塗布液を上記第１機能層上に塗布して塗布膜を形成する塗布工程と、上記塗布膜を加熱して上記第２機能層を得る加熱工程と、を有する。上記積層構造形成工程は、上記デバイス機能部形成工程中又は上記デバイス機能部形成工程とは別に実施される。上記判定工程において、上記判定条件を満たさない場合、上記加熱工程における上記塗布膜の加熱温度、または、上記塗布工程から上記加熱工程までの移行時間を調整する調整工程を上記第２電極層形成工程の前に実施し、上記判定条件を満たすと上記判定工程で判定されるまで、上記積層構造形成工程、上記判定工程及び上記調整工程を繰り返す。上記積層構造形成工程が上記デバイス機能部形成工程中に実施され且つ上記判定工程において上記判定条件を満たすと判定された場合、上記第２電極層形成工程では、上記積層構造を含む上記デバイス機能部上に上記第２電極層を形成する。上記積層構造形成工程が上記デバイス機能部形成工程とは別に実施され且つ上記判定工程において上記判定条件を満たすと判定された場合、上記積層構造形成工程における上記積層構造の形成条件と同じ条件を用いて上記デバイス機能部形成工程を実施する。
【0007】
上記電子デバイスの製造方法では、デバイス機能部を形成する工程において、第２機能層を形成した後、第１機能層と第２機能層とを含む積層構造の光学特性値を取得する。取得した光学特性値が判定条件を満たしていない場合、上記判定条件を満たすように、上記加熱工程における上記塗布膜の加熱温度、または、上記塗布工程から上記加熱工程までの移行時間を調整する調整工程を上記第２電極層形成工程の前に実施する。調整工程を実施した場合、上記積層構造形成工程、上記判定工程及び上記調整工程を繰り返す。上記積層構造形成工程が上記デバイス機能部形成工程中に実施され且つ上記判定工程において上記判定条件を満たすと判定された場合、上記第２電極層形成工程では、上記積層構造を含む上記デバイス機能部上に上記第２電極層を形成する。上記積層構造形成工程が上記デバイス機能部形成工程とは別に実施され且つ上記判定工程において上記判定条件を満たすと判定された場合、上記積層構造形成工程における上記積層構造の形成条件と同じ条件を用いて上記デバイス機能部形成工程を実施する。そのため、第２機能層を、上記塗布工程と上記加熱工程とによって形成しても、第１機能層と第２機能層との間の混合層の状態を制御しながら、電子デバイスを製造可能である。その結果、電子デバイスの製造歩留まりが向上する。
【0008】
一実施形態に係る電子デバイスの製造方法は、上記光学特性値取得工程の前に、上記判定波長を決定する準備工程を更に備えてもよい。上記準備工程は、上記第１機能層に対応する第１層上に、上記第２機能層に対応している第２層を異なる形成条件で形成することによって基準積層構造及び少なくとも一つのサンプル積層構造を形成する工程と、上記基準積層構造及び上記少なくとも一つのサンプル積層構造それぞれの光学特性として、反射率分布、透過率分布、吸収率分布、屈折率分布及び消衰係数分布のうちの何れかを取得する工程と、上記基準積層構造の上記光学特性を示しており波長を独立変数とする第１関数と、上記少なくとも一つのサンプル積層構造の光学特性を示しており波長を独立変数とする少なくとも一つの第２関数とに基づいて、波長を独立変数とする少なくとも一つの第３関数を得る工程と、上記少なくとも一つの第３関数における変曲点の位置に対応する波長の前後５０ｎｍ領域において、上記少なくとも一つの第３関数の関数値の絶対値が最大である波長を上記判定波長に決定する工程と、を有してもよい。
【0009】
この場合、判定工程における判定条件を適切に設定できる。その結果、第１機能層と第２機能層との間の混合層の状態をより確実に制御しながら電子デバイスを製造可能である。
【0010】
一実施形態において、上記判定条件の例は、上記判定波長に対する上記光学特性値と上記判定波長に対する基準光学特性値との差を上記基準光学特性値で除した値の絶対値が所定値以下であることである。この場合、上記光学特性値取得工程では、上記判定波長に対する上記積層構造の上記反射率を上記光学特性値として取得し、上記所定値は０．１であってもよい。或いは、上記光学特性値取得工程では、上記判定波長に対する上記積層構造の上記透過率を上記光学特性値として取得し、上記所定値は、０．００９であってもよい。
【0011】
一実施形態において、上記判定条件の他の例は、上記判定波長に対する上記光学特性値と上記判定波長に対する基準光学特性値との差の絶対値が所定値以下であることである。この場合、上記光学特性値取得工程では、上記判定波長に対する上記積層構造の上記反射率を上記光学特性値として取得し、上記所定値は０．００８であってもよい。或いは、上記光学特性値取得工程では、上記判定波長に対する上記積層構造の上記透過率を上記光学特性値として取得し、上記所定値は、０．００６であってもよい。
【0012】
一実施形態において、上記第１機能層及び上記第２機能層は有機層であり、上記第１機能層または上記第２機能層は、低分子材料を５０質量％以上含んでもよい。上記第１機能層または上記第２機能層が低分子材料を５０質量％以上含んでいる場合、第１機能層と第２機能層との界面に混合層が形成されやすい。よって、上記電子デバイスの製造方法がより有効である。
【0013】
一実施形態において、上記積層構造は、上記第１機能層と上記第２機能層との２層構造であり、上記光学特性値取得工程は、上記加熱工程の後、上記第２機能層上に他の層を形成する前に実施してもよい。これにより、第２機能層の形成条件を調整し易い。その結果、第１機能層と第２機能層との間の混合層の影響をより低減できる。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、製造歩留まりを向上可能な有機電子デバイスの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【0017】
図１は、一実施形態に係る電子デバイスの製造方法を用いて製造される有機エレクトロルミネッセンスデバイス（以下、「有機ＥＬデバイス」とも称す）の概略構成を示す模式図である。有機ＥＬデバイス１は、基板２と、陽極層（第１電極層）３と、デバイス機能部４と、陰極層（第２電極層）５とを有する。陽極層３、デバイス機能部４及び陰極層５は、陽極層３、デバイス機能部４及び陰極層５の順に基板２上に積層されている。有機ＥＬデバイス１は、トップエミッション型の有機ＥＬデバイスでもよいし、ボトムエミッション型の有機ＥＬデバイスでもよい。以下では、断らない限り、有機ＥＬデバイス１は、ボトムエミッション型の有機ＥＬデバイスである。
【0018】
［基板］
基板２は、有機ＥＬデバイス１が出射する光（波長４００ｎｍ～８００ｎｍの可視光を含む）に対して透光性を有する。基板２の厚さの例は、３０μｍ～７００μｍである。
基板２は、有機ＥＬデバイス１が出射する光（波長４００ｎｍ～８００ｎｍの可視光を含む）に対して透光性を有する。基板２の厚さの例は、３０μｍ～７００μｍである。
【0019】
基板２は、例えばガラス基板及びシリコン基板などのリジッド基板であってもよいし、又は、プラスチック基板及び高分子フィルムなどの可撓性基板であってもよい。可撓性基板とは、基板に所定の力を加えても基板が剪断したり破断したりすることがなく、基板を撓めることが可能な性質を有する基板である。
【0020】
基板２がリジッド基板である場合、基板２の厚さの例は、５０μｍ～１００μｍである。基板２が可撓性基板である場合、基板２の厚さの例は、３０μｍ～７００μｍである。
【0021】
基板２上には、水分バリア機能を有するバリア層が形成されていてもよい。バリア層は、水分をバリアする機能に加えて、ガス（例えば酸素）をバリアする機能を有してもよい。
【0022】
［陽極層］
陽極層３は基板２に設けられている。陽極層３には、光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極の例は、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等を含む薄膜である。光透過性を示す電極は、光透過率の高い薄膜が好ましい。陽極層３は、導電体（例えば金属）からなるネットワーク構造を有してもよい。陽極層３の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定され得る。陽極層３の厚さは、通常、１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。
陽極層３は基板２に設けられている。陽極層３には、光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極の例は、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等を含む薄膜である。光透過性を示す電極は、光透過率の高い薄膜が好ましい。陽極層３は、導電体（例えば金属）からなるネットワーク構造を有してもよい。陽極層３の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定され得る。陽極層３の厚さは、通常、１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。
【0023】
陽極層３の材料としては、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等が挙げられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズが好ましい。陽極層３は、例示した材料からなる薄膜として形成され得る。陽極層３の材料には、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物を用いてもよい。この場合、陽極層３は、透明導電膜として形成され得る。
【0024】
［デバイス機能部］
デバイス機能部４は、陽極層３上に設けられる。デバイス機能部４は、陽極層３及び陰極層５に印加された電圧に応じて、電荷の移動及び電荷の再結合などの有機ＥＬデバイス１の発光に寄与する機能部である。デバイス機能部４は、正孔注入層４ａ、正孔輸送層４ｂ、発光層４ｃ、電子輸送層４ｄ及び電子注入層４ｅを有する。これらの層は、陽極層３上に、正孔注入層４ａ、正孔輸送層４ｂ、発光層４ｃ、電子輸送層４ｄ及び電子注入層４ｅの順に積層されている。
デバイス機能部４は、陽極層３上に設けられる。デバイス機能部４は、陽極層３及び陰極層５に印加された電圧に応じて、電荷の移動及び電荷の再結合などの有機ＥＬデバイス１の発光に寄与する機能部である。デバイス機能部４は、正孔注入層４ａ、正孔輸送層４ｂ、発光層４ｃ、電子輸送層４ｄ及び電子注入層４ｅを有する。これらの層は、陽極層３上に、正孔注入層４ａ、正孔輸送層４ｂ、発光層４ｃ、電子輸送層４ｄ及び電子注入層４ｅの順に積層されている。
【0025】
正孔注入層４ａは、陽極層３から発光層４ｃへの正孔注入効率を向上させる機能を有する機能層である。正孔注入層４ａは、無機層でもよいし、有機層でもよい。正孔注入層４ａを構成する正孔注入材料は、低分子化合物でもよいし、高分子化合物でもよい。
【0026】
低分子化合物としては、例えば、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、及び酸化アルミニウムなどの金属酸化物、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン化合物、カーボンなどが挙げられる。
【0027】
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）のようなポリチオフェン誘導体、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子などが挙げられる。
【0028】
正孔注入層４ａの厚さは、用いる材料によって最適値が異なる。正孔注入層４ａの厚さは、求められる特性及び成膜の簡易さなどを勘案して適宜決定されればよい。正孔注入層４ａの厚さは、例えば１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。
【0029】
正孔輸送層４ｂは、正孔注入層４ａ（正孔注入層４ａが存在しない形態では陽極層３）から発光層４ｃへの正孔注入効率を向上させる機能を有する機能層である。
【0030】
正孔輸送層４ｂは正孔輸送材料を含む有機層である。正孔輸送材料は正孔輸送機能を有する有機化合物であれば限定されない。正孔輸送機能を有する有機化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリフルオレン誘導体、芳香族アミン残基を有する高分子化合物、及びポリ（２，５－チエニレンビニレン）若しくはその誘導体が挙げられる。
【0031】
正孔輸送材料の例として、特開昭６３－７０２５７号公報、特開昭６３－１７５８６０号公報、特開平２－１３５３５９号公報、特開平２－１３５３６１号公報、特開平２－２０９９８８号公報、特開平３－３７９９２号公報、特開平３－１５２１８４号公報に記載されている正孔輸送材料等も挙げられる。
【0032】
正孔輸送層４ｂの厚さは、用いる材料によって最適値が異なる。正孔輸送層４ｂの厚さは、求められる特性及び成膜の簡易さなどを勘案して適宜決定されればよい。正孔輸送層４ｂの厚さは、例えば、１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。
【0033】
発光層４ｃは、光(可視光を含む)を発する機能を有する機能層である。発光層４ｃは、通常、主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する有機物、又はこの有機物とこれを補助するドーパント材料とを含む。よって、発光層４ｃは有機層である。ドーパント材料は、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。上記有機物は、低分子化合物でもよいし、高分子化合物でもよい。発光層４ｃの厚さの例は２ｎｍ～２００ｎｍである。
【0034】
主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する発光性材料である有機物としては、例えば以下の色素系材料、金属錯体系材料及び高分子系材料が挙げられる。
【0035】
（色素系材料）
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などが挙げられる。
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などが挙げられる。
【0036】
（金属錯体系材料）
金属錯体系材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体が挙げられ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などが挙げられる。
金属錯体系材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体が挙げられ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などが挙げられる。
【0037】
（高分子系材料）
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
【0038】
（ドーパント材料）
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどが挙げられる。
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどが挙げられる。
【0039】
デバイス機能部４は、発光層４ｃの他、少なくとも一つの機能層を有してもよい。すなわち、デバイス機能部４は多層構造を有してもよい。例えば、陽極層３と発光層４ｃの間には、正孔注入層４ａ及び正孔輸送層４ｂのうちの少なくとも一つが設けられてもよい。発光層４ｃと陰極層５との間には、電子輸送層４ｄ及び電子注入層４ｅのうちの少なくとも一つが設けられてもよい。
【0040】
電子輸送層４ｄは、電子注入層４ｅ（電子注入層４ｅが存在しない形態では陰極層５）から発光層４ｃへの電子注入効率を向上させる機能を有する機能層である。
【0041】
電子輸送層４ｄは電子輸送材料を含む有機層である。電子輸送材料には、公知の材料が用いられ得る。電子輸送材料の例は、芳香族炭化水素化合物にアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩がドープされた材料である。電子輸送材料の具体例としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８－ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などが挙げられる。
【0042】
電子輸送層４ｄの厚さは、求められる特性及び成膜の簡易さなどを勘案して適宜決定され得る。電子輸送層４ｄの厚さは、例えば１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。
【0043】
電子注入層４ｅは、陰極層５から発光層４ｃへの電子注入効率を向上させる機能を有する機能層である。
【0044】
電子注入層４ｅは無機層でもよいし、有機層でもよい。電子注入層４ｅを構成する材料は、発光層４ｃの種類に応じて最適な材料が適宜選択される。電子注入層４ｅを構成する材料の例としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、又はこれらの物質の混合物などが挙げられる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、及び炭酸塩の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどが挙げられる。
【0045】
この他に従来知られた電子輸送性の有機材料と、アルカリ金属の有機金属錯体を混合した層を電子注入層４ｅとして利用できる。
【0046】
デバイス機能部４の層構成は、発光層４ｃと、発光層４ｃに接する機能層とを含み、発光層４ｃとそれに接する機能層のうち陰極層（第２電極層）５寄りの機能層が塗布法で形成される層であれば、限定されない。
【0047】
デバイス機能部４が有する層構成の例を以下に示す。陽極層３及び陰極層５と各種機能層の配置関係を示すために、陽極層及び陰極層も括弧書きで記載している。
（ａ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／（陰極層）
（ｂ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｃ）（陽極層）／正孔注入層（又は正孔輸送層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｄ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（陰極層）
（ｅ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｆ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｇ）（陽極層）／発光層／電子輸送層（又は電子注入層）／（陰極層）
（ｉ）（陽極層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
記号「／」は、記号「／」の両側の層同士が接合していることを意味している。
（ａ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／（陰極層）
（ｂ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｃ）（陽極層）／正孔注入層（又は正孔輸送層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｄ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（陰極層）
（ｅ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｆ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｇ）（陽極層）／発光層／電子輸送層（又は電子注入層）／（陰極層）
（ｉ）（陽極層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
記号「／」は、記号「／」の両側の層同士が接合していることを意味している。
【0048】
デバイス機能部４が有する発光層４ｃの数は、１つでもよいし、２つ以上でもよい。上記構成例（ａ）～（ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極層３と陰極層５との間に配置された積層構造を［構造単位Ｉ］と称すると、２層の発光層４ｃを有するデバイス機能部４の構成として、以下の（ｊ）に示す層構成が挙げられる。２つの構造単位Ｉの層構成は互いに同じであっても、異なっていてもよい。
（ｊ）（陽極層）／［構造単位Ｉ］／電荷発生層／［構造単位Ｉ］／（陰極層）
（ｊ）（陽極層）／［構造単位Ｉ］／電荷発生層／［構造単位Ｉ］／（陰極層）
【0049】
電荷発生層は、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデンなどを含む薄膜が挙げられる。
【0050】
「［構造単位Ｉ］／電荷発生層」を［構造単位ＩＩ］と称すると、３層以上の発光層４ｃを有する有機ＥＬデバイスの構成として、以下の（ｋ）に示す層構成が挙げられる。
（ｋ）（陽極層）／［構造単位ＩＩ］ｘ／［構造単位Ｉ］／（陰極層）
記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「［構造単位ＩＩ］ｘ」は、［構造単位ＩＩ］がｘ段積層された積層構造を表す。複数の構造単位ＩＩの層構成は同じでも、異なっていてもよい。
（ｋ）（陽極層）／［構造単位ＩＩ］ｘ／［構造単位Ｉ］／（陰極層）
記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「［構造単位ＩＩ］ｘ」は、［構造単位ＩＩ］がｘ段積層された積層構造を表す。複数の構造単位ＩＩの層構成は同じでも、異なっていてもよい。
【0051】
電荷発生層を設けずに、複数の発光層４ｃを直接的に積層させてデバイス機能部４を構成してもよい。
【0052】
［陰極層］
陰極層５は、デバイス機能部４上に設けられている。陰極層５の厚さは、用いる材料によって最適値が異なる。陰極層５の厚さは、電気伝導度、耐久性等を考慮して設定される。陰極層５の厚さは、通常、１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。
陰極層５は、デバイス機能部４上に設けられている。陰極層５の厚さは、用いる材料によって最適値が異なる。陰極層５の厚さは、電気伝導度、耐久性等を考慮して設定される。陰極層５の厚さは、通常、１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。
【0053】
デバイス機能部４からの光（具体的には、発光層４ｃからの光）が陰極層５で反射して陽極層３側に進むように、陰極層５の材料は、デバイス機能部４が有する発光層４ｃからの光（特に可視光）に対して反射率の高い材料が好ましい。陰極層５の材料としては、例えばアルミニウム、銀等が挙げられる。陰極層５として、導電性金属酸化物及び導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いてもよい。
【0054】
有機ＥＬデバイス１は、デバイス機能部４の水分などによる劣化を防止するための封止部材を備えてもよい。封止部材は、少なくともデバイス機能部４を封止するように陰極層５上に設けられ得る。有機ＥＬデバイス１が封止部材を備える形態では、例えば、陽極層３及び陰極層５の一部は、外部接続のために封止部材から引き出され得る。
【0055】
次に、図２を利用して、一実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造方法の概略を説明する。断らない限り、デバイス機能部４が図１に示した多層構造を有する有機ＥＬデバイス１を製造する形態を説明する。図２に示したように、有機ＥＬデバイス１の製造方法は、基板２上に陽極層（第１電極層）３を形成する第１電極層形成工程Ｓ０１と、陽極層３上にデバイス機能部４を形成するデバイス機能部形成工程Ｓ０２と、デバイス機能部４上に陰極層（第２電極層）５を形成する第２電極層形成工程Ｓ０３とを備える。
【0056】
第１電極層形成工程Ｓ０１において、陽極層３は、例えばドライ成膜法、メッキ法、塗布法などにより形成され得る。ドライ成膜法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などが挙げられる。塗布法としては、例えば、スリットコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法及びノズル印刷法等が挙げられる。
【0057】
デバイス機能部形成工程Ｓ０２では、正孔注入層４ａ、正孔輸送層４ｂ、発光層４ｃ、電子輸送層４ｄ及び電子注入層４ｅをこの順に形成する。
【0058】
第２電極層形成工程Ｓ０３において、陰極層５は、例えば、スリットコーター法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、スプレーコーター法等の塗布法、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等によって形成され得る。
【0059】
有機ＥＬデバイス１が上記封止部材を有する形態では、上記第２電極層形成工程Ｓ０３の後に、封止部材でデバイス機能部４を封止する封止工程を実施すればよい。
【0060】
有機ＥＬデバイス１の製造に例えば長尺の基板２を用いる場合には、例えば長尺の基板２上に複数のデバイス形成領域を仮想的に設定し、デバイス形成領域毎に陽極層３、デバイス機能部４及び陰極層５を形成する。これにより、デバイス形成領域毎に有機ＥＬデバイス１が形成される。よって、デバイス形成領域毎に長尺の基板２を個片化することによって、複数の有機ＥＬデバイス１が製造され得る。
【0061】
上記長尺の基板２が可撓性を有する形態では、第１電極層形成工程Ｓ０１、デバイス機能部形成工程Ｓ０２及び第２電極層形成工程Ｓ０３の少なくとも一つの工程は、例えばロールツーロール方式で実施されてもよい。デバイス機能部４が有する正孔注入層４ａ、正孔輸送層４ｂ、発光層４ｃ、電子輸送層４ｄ及び電子注入層４ｅをそれぞれ形成する工程の少なくとも一つの工程は、ロールツーロール方式で実施されてもよい。
【0062】
次に、図３及び図４を利用して、有機ＥＬデバイス１の製造方法を詳細に説明する。図３は、一実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造方法の詳細を説明するためのフローチャートであり、図４は、一実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造方法の詳細を説明するための概念図である。
【0063】
有機ＥＬデバイス１の製造方法は、図３に示したように、積層構造形成工程Ｓ１０と、光学特性値取得工程Ｓ１１と、判定工程Ｓ１２と、調整工程Ｓ１３とを有する。以下では、積層構造形成工程Ｓ１０と、光学特性値取得工程Ｓ１１と、判定工程Ｓ１２と、調整工程Ｓ１３がデバイス機能部形成工程Ｓ０２に含まれる場合を説明する。
【0064】
［積層構造形成工程］
積層構造形成工程Ｓ１０では、図４に示したように、帯状の下地基板１０をその長手方向に搬送しながら積層構造２０を形成する。
積層構造形成工程Ｓ１０では、図４に示したように、帯状の下地基板１０をその長手方向に搬送しながら積層構造２０を形成する。
【0065】
積層構造２０は、第１機能層２１と第２機能層２３とを有する。第１機能層２１は、デバイス機能部４が有する正孔注入層４ａ、正孔輸送層４ｂ、発光層４ｃ及び電子輸送層４ｄのうち任意の層であり、第２機能層２３は、第１機能層２１に接し且つ陰極層５寄りに配置されている機能層である。第１機能層２１は、例えば塗布法、ドライ成膜法などにより形成され得る。塗布法及びドライ成膜法の例は、陽極層３の形成方法の説明において挙げた例と同様とし得る。第２機能層２３は塗布法で形成する。
【0066】
下地基板１０は、帯状の基板２を含み第１機能層２１が形成される基板である。すなわち、下地基板１０は、基板２上に第１機能層２１を形成する前までの他の層が形成された基板である。例えば、第１機能層２１が正孔注入層４ａである場合、下地基板１０は、基板２と陽極層３とを含む基板である。第１機能層２１が正孔輸送層４ｂである場合、下地基板１０は、基板２と陽極層３と正孔注入層４ａとを含む基板である。第１機能層２１が発光層４ｃである場合、下地基板１０は、基板２と陽極層３と正孔注入層４ａ及び正孔輸送層４ｂとを含む基板である。第１機能層２１が発光層４ｃである場合、下地基板１０は、基板２と、陽極層３と、正孔注入層４ａ、正孔輸送層４ｂ及び発光層４ｃと、を含む基板である。
【0067】
第１機能層２１を形成する工程（第１機能層形成工程）を実施した後、第２機能層２３を塗布法で形成する場合の上記積層構造２０の形成方法を具体的に説明する。
【0068】
図３及び図４に示したように、積層構造形成工程Ｓ１０では、下地基板１０を搬送しながら第１機能層２１上に、第２機能層２３の材料を含む塗布液を塗布装置３１から塗布することで塗布膜２２を形成する（塗布工程Ｓ１０ａ）。塗布装置３１は、第２機能層２３を形成するための塗布法に応じた装置であればよい。例えば、塗布法がインクジェット印刷法である場合には、塗布装置３１は、インクジェット印刷装置である。
【0069】
下地基板１０を搬送しながらインクジェット印刷法を用いて第２機能層２３を形成する際には、少なくともインクが下地基板１０に塗布されてから加熱装置３２に塗布膜２２が搬入されるまでは、下地基板１０は水平搬送されることが好ましい。この水平搬送のため、例えば下地基板１０をエア浮上させて水平を維持するエア浮上装置が用いられてもよい。
【0070】
次に、下地基板１０の搬送経路上に配置された加熱装置３２で塗布膜２２を加熱することによって第２機能層２３を得る（加熱工程Ｓ１０ｂ）。加熱装置３２は、例えばホットプレート、赤外線等を利用した加熱装置が挙げられる。塗布膜２２の加熱は、真空環境下で行ってもよい。加熱装置３２は、塗布膜２２を乾燥させる機能とともに、焼成する機能を有し得る。
【0071】
［光学特性値取得工程］
光学特性取得工程Ｓ１１では、積層構造形成工程Ｓ１０で形成した積層構造２０の光学測定を行い、判定波長に対する積層構造２０の光学特性値として、判定波長に対する反射率、透過率、吸収率、屈折率及び消衰係数のうちの何れか一つを取得する（光学特性値取得工程Ｓ１１）。
光学特性取得工程Ｓ１１では、積層構造形成工程Ｓ１０で形成した積層構造２０の光学測定を行い、判定波長に対する積層構造２０の光学特性値として、判定波長に対する反射率、透過率、吸収率、屈折率及び消衰係数のうちの何れか一つを取得する（光学特性値取得工程Ｓ１１）。
【0072】
図４では、積層構造２０の反射率測定のための光学系を模式的に示している。積層構造２０の反射率を測定する場合、下地基板１０の搬送経路において加熱装置３２から搬出された積層構造２０に光源３３から一定の波長範囲を含む光を照射し、積層構造２０で反射された光を分光器３４で検出する。光源３３の例としては、ハロゲンランプ、キセノンランプ、水銀ランプ、重水素ランプ、ＡｌＧａＮ系紫外ＬＥＤ等が挙げられる。分光器３４は、光源３３が出力する光の波長範囲の光を分光して検出可能なものであればよい。
【0073】
これにより、光源３３から出力された光の波長範囲における反射率分布が得られるので、上記反射率分布における判定波長の反射率として光学特性値を取得し得る。反射率を測定する場合の光学系では、光源３３は、積層構造２０に光が斜め入射するように配置され、分光器３４は、例えば光源３３の光軸に沿った光の積層構造２０による反射光の進行方向が分光器３４の光軸の方向と実質的に一致するように配置され得る。
【0074】
透過率を測定する場合には、光源３３と分光器３４とを下地基板１０に対して互いに反対側に配置した光学系を採用すればよい。この場合、例えば、光源３３からの光が積層構造２０に対して斜め入射するように配置し、光源３３の光軸上に、分光器３４を配置すればよい。透過率を測定する場合においても、反射率の場合と同様にして、光源３３から出力された光の波長範囲における透過率分布が得られるので、上記透過率分布における判定波長の透過率として光学特性値を取得し得る。
【0075】
［判定工程］
判定工程Ｓ１２では、光学特性値取得工程Ｓ１１で取得した光学特性値が判定条件を満たしているか否か判定する。上記判定条件の例は以下の条件１及び条件２が挙げられる。
条件１：判定波長に対する光学特性値と判定波長に対する基準光学特性値との差を基準光学特性値で除した値の絶対値が第１所定値以下である。
条件２：判定波長に対する光学特性値と判定波長に対する基準光学特性値との差の絶対値が第２所定値以下である。
判定工程Ｓ１２では、光学特性値取得工程Ｓ１１で取得した光学特性値が判定条件を満たしているか否か判定する。上記判定条件の例は以下の条件１及び条件２が挙げられる。
条件１：判定波長に対する光学特性値と判定波長に対する基準光学特性値との差を基準光学特性値で除した値の絶対値が第１所定値以下である。
条件２：判定波長に対する光学特性値と判定波長に対する基準光学特性値との差の絶対値が第２所定値以下である。
【0076】
判定波長に対する光学特性値をＬとし、判定波長に対する基準光学特性値をＬ０とし、第１所定値をＡとし、第２所定値をＢとした場合、条件１及び条件２のそれぞれは、以下の式（１ａ）及び式（１ｂ）で表される。
｜（Ｌ－Ｌ０）／Ｌ０｜≦Ａ・・・（１ａ）
｜Ｌ－Ｌ０｜≦Ｂ・・・（１ｂ）
｜（Ｌ－Ｌ０）／Ｌ０｜≦Ａ・・・（１ａ）
｜Ｌ－Ｌ０｜≦Ｂ・・・（１ｂ）
【0077】
［調整工程］
光学特性値が判定条件を満たしていなければ（判定工程Ｓ１２で「ＮＯ」）、塗布膜処理条件を調整する調整工程Ｓ１３を実施する。上記塗布膜処理条件は、加熱工程Ｓ１０ｂにおける塗布膜２２の加熱温度、または、塗布工程Ｓ１０ａから加熱工程Ｓ１０ｂまでの移行時間である。図４に示したように、帯状の下地基板１０を搬送しながら第２機能層２３を形成する場合、上記移行時間は、下地基板１０の搬送方向において、塗布膜２２の先頭が塗布装置３１を通り過ぎた後から加熱装置３２に搬入されるまでの搬送時間とし得る。
光学特性値が判定条件を満たしていなければ（判定工程Ｓ１２で「ＮＯ」）、塗布膜処理条件を調整する調整工程Ｓ１３を実施する。上記塗布膜処理条件は、加熱工程Ｓ１０ｂにおける塗布膜２２の加熱温度、または、塗布工程Ｓ１０ａから加熱工程Ｓ１０ｂまでの移行時間である。図４に示したように、帯状の下地基板１０を搬送しながら第２機能層２３を形成する場合、上記移行時間は、下地基板１０の搬送方向において、塗布膜２２の先頭が塗布装置３１を通り過ぎた後から加熱装置３２に搬入されるまでの搬送時間とし得る。
【0078】
調整工程Ｓ１３を実施した場合、積層構造形成工程Ｓ１０、光学特性値取得工程Ｓ１１、判定工程Ｓ１２及び調整工程Ｓ１３を、光学特性値が判定条件を満たすと判定工程Ｓ１２で判定されるまで繰り返す。図４に示したように、帯状の下地基板１０を搬送しながら積層構造２０を形成する形態では、積層構造形成工程Ｓ１０を再度実施する際には、塗布膜形成工程Ｓ１０ａ以降を実施すればよい。
【0079】
光学特性値が判定条件を満たしていれば（判定工程Ｓ１２で「ＹＥＳ」）、積層構造２０の形成を終了し、第２機能層２３上に他の層を形成する。例えば、第２機能層２３が電子注入層４ｅ以外の層であれば、第２機能層２３を新しい第１機能層２１とみなして新しい第１機能層２１上に次の第２機能層２３を形成する。この場合、新しい第１機能層２１及び第２機能層２３の組に対して、図３に示した各工程を実施すればよい。第２機能層２３が電子注入層４ｅであれば、第２機能層２３上に陰極層５を形成する。
【0080】
本実施形態のデバイス機能部形成工程Ｓ０３では、正孔輸送層４ｂ、発光層４ｃ、電子輸送層４ｄ及び電子注入層４ｅのうちの少なくとも一つの機能層を塗布法で形成する。よって、デバイス機能部形成工程Ｓ０３は、図３に示した積層構造形成工程Ｓ１０と、光学特性値取得工程Ｓ１１と、判定工程Ｓ１２とを少なくとも一回行う。
【0081】
図３に示したように、第１機能層２１及び第２機能層２３を含む積層構造２０を形成する場合において、光学特性値取得工程Ｓ１１を実施することの作用効果を、光学特性値取得工程Ｓ１１を実施しない場合と比較して説明する。
【0082】
光学特性値取得工程Ｓ１１を実施しない場合を説明する。この場合、デバイス機能部形成工程において、第１機能層上に第２機能層を形成する。続けて、形成した第２機能層を新しい第１機能層とみなして新しい第１機能層上に次の第２機能層を形成することを繰り返す。このように第１機能層の形成と第２機能層の形成とを繰り返すことで、デバイス機能部が形成される。その後、デバイス機能部上に陰極層を形成することによって、有機ＥＬデバイスを得る。
【0083】
第１機能層上に第２機能層を塗布法で形成する際、第２機能層となる塗布膜の形成後に、第１及び第２機能層の材料が熱、膨潤、溶出といった要因によって拡散する。これによって、第１機能層と第２機能層との界面近傍にそれらの混合層が形成され、その混合層の影響によって、製造した有機ＥＬデバイスのデバイス特性が所望のデバイス特性（設計上のデバイス特性）から乖離する場合がある。換言すれば、混合層に起因した不良品としての有機ＥＬデバイスが製造される。その結果、有機ＥＬデバイスの生産性は低く、且つ、製造歩留まりも低下する。
【0084】
更に、陰極層が形成された後では、光学特性値取得工程Ｓ１１で実施する光学測定をデバイス機能部に対して実施することが困難である。よって、混合層を形成しないような条件を製造過程にフィードバックしにくい。その結果、有機ＥＬデバイスが製造された後、有機ＥＬデバイスの特性評価が実施されるまで有機ＥＬデバイスの良否が不明である。更に、製造した有機ＥＬデバイスの特性評価によるフィードバックは、一般的に、第２機能層となる塗布膜を形成後、相当な時間を経過しているので、その間、異常条件で有機ＥＬデバイスが製造される。よって、その間に製造された有機ＥＬデバイスは不良品となり、有機ＥＬデバイスの製造に使用した材料も無駄になる。その結果、有機ＥＬデバイスの製造コストも増加する。
【0085】
更に、上述した膨潤、溶出などに起因した第１及び第２機能層の混合状態（例えば混合層の厚さ）は、例えば液体状態である塗布液の第１機能層との接触時間によって変動が大きいことから有機ＥＬデバイスのデバイス特性のバラツキが大きくなる傾向にある。
【0086】
これに対して、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造方法では、陰極層形成工程Ｓ０３を実施する前に、光学特性値取得工程Ｓ１１を実施する。第２機能層２３を塗布法で形成して積層構造２０を得る場合、第１機能層２１と第２機能層２３との界面近傍において混合層が形成されていれば、混合層の影響によって光学特性値が変化する。よって、有機ＥＬデバイス１が所望のデバイス特性を有するために許容可能な光学特性値に対する条件を判定条件として予め設定しておくことで、取得した光学特性値が上記判定条件を満たしていない場合、図３に示した調整工程Ｓ１３を実施して、第２機能層２３の形成条件（具体的には、前述した塗布膜処理条件）を調整可能である。これにより、混合層の影響が低減された有機ＥＬデバイス１が製造される。よって、不良品が製造されにくいので、有機ＥＬデバイス１の製造歩留まりも向上する。
【0087】
更に、第２機能層２３の形成条件を調整することで、所望のデバイス特性を有する有機ＥＬデバイス１を効率的に製造できる。その結果、工業能力指数が上昇し、有機ＥＬデバイス１の生産性が向上する。
【0088】
図２及び図３に示した製造方法では、光学特性値取得工程Ｓ１１及び判定工程Ｓ１２を経ることで塗布膜処理条件へのフィードバックを効率的に実施できるので、不良品が製造されることに伴う材料などの無駄も削減可能である。よって、有機ＥＬデバイス１の製造コストも低減できる。
【0089】
更に、判定工程Ｓ１２での判定結果に応じて、塗布膜処理条件を調整するため、混合層が生じていても第１機能層２１及び第２機能層２３の混合割合が均一化し易い。その結果、デバイス特性が実質的にそろった有機ＥＬデバイス１を製造可能である。
【0090】
光学特性値取得工程Ｓ１１で反射率を取得する形態では、例えば、条件１の第１所定値（式（１ａ）のＡ）の例は０．１であり、０．０３が好ましく、光学特性値取得工程Ｓ１１で透過率を取得する形態では条件２の第２所定値（式（１ｂ）のＢ）の例は０．００８であり、０．００３が好ましい。第１所定値が例示した値であれば、混合層の影響が許容可能な場合と許容不可の場合とを好適に分離できる。同様の観点から、光学特性値取得工程Ｓ１１で反射率を取得する形態では、条件１の第１所定値（式（１ａ）のＡ）の例は０．００９であり、０．００５が好ましく、光学特性値取得工程Ｓ１１で透過率を取得する形態では、例えば、条件２の第２所定値（式（１ｂ）のＢ）の例は０．００６であり、０．００５が好ましい。
【0091】
光学特性値取得工程Ｓ１１において光学特性取得値を取得する際の「判定波長」は、積層構造２０に対して測定する光学特性（反射率分布、透過率分布、吸収率分布、屈折率分布及び消衰係数分布のうちの何れか一つ）において、混合層の影響が有機ＥＬデバイス１の所望のデバイス特性に対して許容可能な場合と許容不可の場合との分離に適した波長であればよい。
【0092】
有機ＥＬデバイス１の製造方法は、光学特性値取得工程Ｓ１１の前に、判定波長を決定する準備工程を備えてもよい。
【0093】
上記準備工程は、第１機能層２１に対応する第１層上に、第２機能層２３に対応している第２層を異なる形成条件で形成することによって基準積層構造及び複数のサンプル積層構造を形成する。基準積層構造は、例えば、混合層の影響が実質的に存在しない（或いは、混合層の影響が非常に小さい）積層構造の基準サンプル（例えば後述の実験例２のサンプルＳ１）である。複数のサンプル積層構造は、例えば、混合層の影響が生じている可能性の高い積層構造の複数のサンプル（例えば後述のサンプルＳ２，Ｓ３）である。
【0094】
その後、基準積層構造及び複数のサンプル積層構造それぞれの光学特性として、反射率分布、透過率分布、吸収率分布、屈折率分布及び消衰係数分布のうちの何れかを取得する。次に、基準積層構造の光学特性を示しており波長を独立変数とする第１関数Ｌ０（λ）と、複数のサンプル積層構造の光学特性を示しており波長を独立変数とする複数の第２関数Ｌ（λ）とに基づいて、波長を独立変数とする複数の第３関数Ｋ（λ）を得る。第３関数は、判定工程Ｓ１２において、判定に使用するためのものである。本実施形態では式（１ａ）又は式（１ｂ）の左辺に対応する式であり、式（１ａ）の左辺に対応する第３関数Ｋ（λ）をＫ１（λ）と称し、式（１ｂ）の左辺に対応する第３関数Ｋ（λ）をＫ２（λ）と称した場合、Ｋ１（λ）及びＫ２（λ）は、式（２ａ）又は式（２ｂ）である。
Ｋ１（λ）＝（Ｌ（λ）－Ｌ０（λ））／Ｌ０（λ）・・・（２ａ）
Ｋ２（λ）＝（Ｌ（λ）－Ｌ０（λ））×１００・・・（２ｂ）
Ｋ１（λ）＝（Ｌ（λ）－Ｌ０（λ））／Ｌ０（λ）・・・（２ａ）
Ｋ２（λ）＝（Ｌ（λ）－Ｌ０（λ））×１００・・・（２ｂ）
【0095】
その後、複数の第３関数Ｋ（λ）それぞれにおける変曲点の位置に対応する波長の前後５０ｎｍ領域において、複数の第３関数Ｋ（λ）の関数値の絶対値が最大である波長を判定波長に決定する。
【0096】
例えば、２つの第３関数Ｋ（λ）としてＫａ（λ）とＫｂ（λ）を仮定し、Ｋａ（λ）における変曲点の位置に対応する波長の前後５０ｎｍ領域における関数値の絶対値が最大の波長をλ１とし、Ｋｂ（λ）における変曲点の位置に対応する波長の前後５０ｎｍ領域における関数値の絶対値が最大の波長をλ２とし、Ｋａ（λ１）がＫｂ（λ２）より大きいとする。この場合、波長λ１を判定波長とする。このように、判定波長を決定した場合、その判定波長において、基準積層構造と、複数のサンプル積層構造とを分離可能なように、上記第１所定値または第２所定値を決定してもよい。
【0097】
サンプル積層構造の数は、一つでもよい。ここでは、実際に実験を実施する場合を説明したが、例えば判定波長及び上記所定値を、シミュレーションなどを用いて予め設定してもよい。更に、準備工程をシミュレーションで実施してもよい。
【0098】
図３に示したように、加熱工程Ｓ１０ｂを実施して第２機能層２３を形成した後に、続けて光学特性値取得工程Ｓ１１を実施する形態では、混合層の影響を低減するような条件を第２機能層２３の形成条件のうち塗布膜処理条件にフィードバックし易い。その結果、有機ＥＬデバイス１の生産性及び製造歩留まりが一層向上するとともに、製造コストもより低減できる。
【0099】
第１機能層２１及び第２機能層２３のうちの少なくとも一方が低分子材料を５０質量％以上含む場合、上記混合層が生じやすい。よって、本実施形態の有機ＥＬデバイスの製造方法が有効である。
【0100】
積層構造形成工程Ｓ１０、光学特性値取得工程Ｓ１１、判定工程Ｓ１２及び調整工程Ｓ１３は、デバイス機能部形成工程Ｓ０２が有する工程である必要はない。例えば、積層構造形成工程Ｓ１０、光学特性値取得工程Ｓ１１、判定工程Ｓ１２及び調整工程Ｓ１３は、デバイス機能部形成工程Ｓ０２とは別に（例えば、デバイス機能部形成工程Ｓ０２の前）に実施されてもよい。この場合、積層構造形成工程Ｓ１０、光学特性値取得工程Ｓ１１、判定工程Ｓ１２及び調整工程Ｓ１３を実施する工程は、デバイス機能部４が有する積層構造２０の形成条件（上述した混合層の影響を低減可な条件）を、サンプルを用いて予め決定する工程に対応する。この形態において、判定工程Ｓ１２で判定条件を満たすと判定された後は、次のようにして有機ＥＬデバイス１を製造する。
【0101】
すなわち、上記判定工程Ｓ１２で判定条件を満たすと判定された積層構造の形成条件と同じ条件で、デバイス機能部形成工程Ｓ０２において積層構造２０を形成することによって、デバイス機能部４を形成する。デバイス機能部４において、複数の積層構造２０が存在する場合（すなわち、第１機能層２１及び第２機能層２３の組み合わせが複数存在する場合）には、積層構造２０毎に、積層構造形成工程Ｓ１０、光学特性値取得工程Ｓ１１、判定工程Ｓ１２及び調整工程Ｓ１３を予め実施し、各積層構造２０の形成条件を決定しておけばよい。
【0102】
次に、実験結果を説明する。
【0103】
［実験例１］
実験例１では、図１に示した層構成を有する５つの有機ＥＬデバイスを製造した。実験例１で製造した５つの有機ＥＬデバイスそれぞれを、デバイスＤ１，デバイスＤ２、デバイスＤ３、デバイスＤ４及びデバイスＤ５と称す。
実験例１では、図１に示した層構成を有する５つの有機ＥＬデバイスを製造した。実験例１で製造した５つの有機ＥＬデバイスそれぞれを、デバイスＤ１，デバイスＤ２、デバイスＤ３、デバイスＤ４及びデバイスＤ５と称す。
【0104】
ガラス基板上に、陽極層、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を順に形成することによってデバイスＤ１～Ｄ５を製造した。実験例１では、正孔輸送層を第１機能層とみなし且つ発光層を第２機能層とみなした。よって、デバイスＤ１～Ｄ５を製造する際には発光層を塗布法で形成した。デバイスＤ１～Ｄ５の製造方法は、発光層の形成工程において、採用した塗布法、塗布膜の加熱温度（焼成温度）、及び、塗布膜を形成する工程から加熱工程までの移行時間が異なる点以外は、同じ条件で製造した。
【0105】
デバイスＤ１～Ｄ５の製造方法が有する発光層形成工程において、採用した塗布法、塗布膜の加熱温度（焼成温度）、及び、塗布工程から加熱工程までの移行時間は表１のとおりであった。表中、「Ｓｐｉｎ」はスピンコート法を意味しており、「ＩＪ」はインクジェット印刷法を意味している。スピンコート法の場合はスピンコート成膜(回転成膜)が終了した時点で液の流動性が殆ど無視できる領域まで乾燥が進んでいる。よって、表１中のデバイスＤ１の移行時間は空欄としている。
【表1】
【0106】
表１に示したように、デバイスＤ１では、塗布膜をスピンコート法で形成しており、デバイスＤ２～Ｄ５では、塗布膜をインクジェット印刷法で形成した。スピンコート法で使用した塗布液に含まれている発光層用の材料と、インクジェット印刷法で使用した塗布液に含まれている発光層用の材料は同じであった。しかしながら、インクジェット印刷法に使用した塗布液の方がスピンコート法で使用した塗布液より乾燥しにくい特性を有していた。これは、インクジェット印刷法では、塗布液を塗布するノズルの詰まりを防止する塗布液を使用する必要があるためであった。このような違いにより、スピンコート法の方が、インクジェット印刷法より、塗布膜と正孔輸送層との混合が生じにくいと考えられた。そのため、デバイスＤ１のデバイス特性を基準として、デバイスＤ１のデバイス特性に対するデバイスＤ２～Ｄ５のデバイス特性を以下のように評価した。
【0107】
製造したデバイスＤ１～Ｄ５に電圧を印加して発光させ、指定輝度に対する駆動電圧を取得した。図５は、デバイスＤ１の指定輝度に対する駆動電圧と、デバイスＤ１～Ｄ５の指定輝度に対する駆動電圧との差を示したグラフである。図５中のＤ１～Ｄ５は、デバイスＤ１～Ｄ５を意味している。図５の縦軸は、デバイスＤ１～Ｄ５それぞれの指定輝度に対する駆動電圧からデバイスＤ１の指定輝度に対する駆動電圧を減算した値を示している。よって、図５において縦軸の正の方向に沿って値が大きいほど、有機ＥＬデバイスの発光効率が低下している。
【0108】
すなわち、デバイスＤ１の発光効率に対して、デバイスＤ２及びデバイスＤ３は実質的にデバイスＤ１と同様のデバイス特性を有する一方、デバイスＤ４及びデバイスＤ５はデバイス特性が大幅に低下していた。
【0109】
図６は、製造したデバイスＤ１～Ｄ５に電圧を印加した場合において、印加した電圧（Ｖ）に対する電流密度（任意単位）の変化を示すグラフである。図６からも、デバイスＤ１のデバイス特性を基準とした場合、デバイスＤ２及びデバイスＤ３はデバイスＤ１と実質的に同じデバイス特性を有していた一方、デバイスＤ４及びデバイスＤ５はデバイスＤ１に対して大幅にデバイス特性が低下していたことが理解され得る。
【0110】
図５及び図６に示した結果より、表１に示したデバイスＤ２，Ｄ３の製造条件ではデバイスＤ１と同様の特性を有するデバイスが製造できる一方、デバイスＤ４，Ｄ５の製造条件では、デバイスＤ１のデバイス特性に対して大幅にデバイス特性が低下したデバイスが製造されることがわかった。
【0111】
デバイスＤ２～Ｄ５は、発光層を塗布法で形成する際の塗布膜の加熱温度及び移行時間が異なっていた点以外は、採用した塗布法も含めて同じ製造条件で製造されたものであった。よって、発光層を形成する際に、正孔輸送層（第１機能層）と発光層（第２機能層）との界面に形成された混合層の影響でデバイスＤ２～Ｄ５のデバイス特性の違いが現れており、混合層の状態は、加熱温度と移行時間を調整することで制御可能であることが理解され得る。例えば、デバイスＤ２とデバイスＤ４を比較すると、移行時間は同じである一方、加熱温度はデバイスＤ４の方が高い。すなわち、加熱温度を高くすると混合層がより形成され易く、結果としてデバイスのデバイス特性が低下する。デバイスＤ３とデバイスＤ５を比較すると、加熱温度は同じである一方、移行時間はデバイスＤ５の方が長い。すなわち、移行時間を長くすると混合層がより形成され易く、結果としてデバイスのデバイス特性が低下する。
【0112】
したがって、図３に示した調整工程Ｓ１３において、塗布工程Ｓ１０ａから加熱工程Ｓ１０ｂまでの移行時間と加熱温度の少なくとも一方を調整することによって、混合層の影響を低下させ、所望のデバイス特性を有する有機ＥＬデバイスを製造できることが理解され得る。
【0113】
［実験例２］
実験例２では、ガラス基板上に、正孔輸送層及び発光層を順に積層した３つのサンプルを製造した。製造した３つのサンプルを、サンプルＳ１、サンプルＳ２及びサンプルＳ３と称す。
実験例２では、ガラス基板上に、正孔輸送層及び発光層を順に積層した３つのサンプルを製造した。製造した３つのサンプルを、サンプルＳ１、サンプルＳ２及びサンプルＳ３と称す。
【0114】
サンプルＳ１～Ｓ３の製造に使用したガラス基板は同じであった。サンプルＳ１が有する正孔輸送層及び発光層の形成方法は、実験例１のデバイスＤ１が有する正孔輸送層及び発光層の形成方法と同じであった。サンプルＳ２が有する正孔輸送層及び発光層の形成方法は、実験例１のデバイスＤ２が有する正孔輸送層及び発光層の形成方法と同じであった。サンプルＳ３が有する正孔輸送層及び発光層の形成方法は、実験例１のデバイスＤ４が有する正孔輸送層及び発光層の形成方法と同じであった。
【0115】
実験例１で説明したように、デバイスＤ１，Ｄ２，Ｄ４の製造方法は、デバイスＤ１，Ｄ２，Ｄ４が有する発光層の形成方法が異なる点以外は同じであった。従って、サンプルＳ１、サンプルＳ２及びサンプルＳ３の光学特性の評価は、デバイスＤ１，Ｄ２，Ｄ４における正孔輸送層（第１機能層）と発光層（第２機能層）の積層構造の光学特性の評価に相当した。
【0116】
実験例２でも、実験例１で説明したように、デバイスＤ１のデバイス特性を基準とした場合を想定した。これにより、実験例２では、サンプルＳ１の光学特性に対するサンプルＳ２，Ｓ３の光学特性を評価した。以下では、サンプルＳ１を基準サンプルとも称し、サンプルＳ２，Ｓ３を評価サンプルとも称す。実験例２では、反射率及び透過率を光学特性として測定した。
【0117】
まず、光学特性として反射率分布を採用した場合を説明する。
【0118】
製造したサンプルＳ１～Ｓ３に対して波長範囲３８０ｎｍ～４８０ｎｍに対する反射率を測定した。反射率の測定方法は、図４に示した光源３３及び分光器３４を含む光学系で積層構造２０の反射率を測定する場合に説明した方法と同じであった。すなわち、図４に示したように光源３３と分光器３４とを測定対象（サンプルＳ１，Ｓ２，Ｓ３）に対して同じ側に配置した光学系を用いて反射率測定を行った。反射率の測定では、光源３３からの光が測定対象に対して斜め入射するように配置し、光源３３の光軸に沿った光の測定対象による反射光の進行方向が分光器３４の光軸の方向と実質的に一致するように分光器３４を配置した。
【0119】
図７は、波長に対する反射率の変化（反射率分布）を示すグラフであり、横軸は波長（ｎｍ）を示し、縦軸は反射率（％）を示している。
【0120】
基準サンプル（サンプルＳ１）の波長λ（ｎｍ）に対する反射率を基準反射率Ｌｒ０（λ）［％］とし、評価サンプル（サンプルＳ２又はサンプルＳ３）の波長λ（ｎｍ）に対する反射率をＬｒ（λ）［％］とし、以下の式（３ａ）で定義したＲ１（λ）［％］及び式（３ｂ）で定義したＲ２（λ）［％］を算出した。Ｒ１（λ）は、波長λに対する評価サンプルの反射率と基準サンプルの反射率との差を基準サンプルの反射率で除した値を１００倍したものである。Ｒ２（λ）は、波長λに対する評価サンプルの反射率と基準サンプルの反射率との差を１００倍したものである。
Ｒ１（λ）＝（Ｌｒ（λ）－Ｌｒ０（λ））／Ｌｒ０（λ）×１００・・・（３ａ）
Ｒ２（λ）＝（Ｌｒ（λ）－Ｌｒ０（λ））×１００・・・（３ｂ）
Ｒ１（λ）＝（Ｌｒ（λ）－Ｌｒ０（λ））／Ｌｒ０（λ）×１００・・・（３ａ）
Ｒ２（λ）＝（Ｌｒ（λ）－Ｌｒ０（λ））×１００・・・（３ｂ）
【0121】
波長λを変化させた場合のＲ１（λ）の変化は、図８に示したとおりであり、波長λを変化させた場合のＲ２（λ）の変化は、図９に示したとおりであった。図８中の実線α１及び図９中の実線α２は、Ｒ１（λ）及びＲ２（λ）の定義式中のＬｒ（λ）として、サンプルＳ２の反射率を適用した場合を示しており、図８中の破線β１及び図９中の破線β２は、Ｒ１（λ）及びＲ２（λ）の定義式中のＬｒ（λ）として、サンプルＳ３の反射率を適用した場合を示している。図８及び図９の横軸は波長λ（ｎｍ）を示しており、図８の縦軸は、波長λにおけるＲ１（λ）の値を示しており、図９の縦軸は波長λにおけるＲ２（λ）の値を示している。
【0122】
図８より、判定波長を例えば４０５ｎｍとした場合、実線α１では上記判定波長に対するＲ１（λ）の絶対値は２．８％、すなわち、１０％以下（０．１以下）である一方、破線β１では上記判定波長に対するＲ１（λ）の絶対値は１１．４％であり、１０％を超えている。したがって、判定波長が上記範囲内の波長であれば、１０％を判定用基準値（或いは閾値）として、サンプルＳ２とサンプルＳ３とを分離できることが理解され得る。
【0123】
判定波長に対するＲ１（λ）の絶対値は、光学特性値として反射率を採用した場合の式（１ａ）の左辺に相当し、上記判定基準値は、条件１の第１所定値（すなわち、式（１ａ）のＡ）に相当する。サンプルＳ２及びサンプルＳ３の評価はデバイスＤ２及びデバイスＤ４の製造過程において、図３に示した光学特性値取得工程Ｓ１１で取得した光学特性値が判定条件を満たすか否かの判定に相当することから、条件１を採用する場合には第１所定値を０．１と設定しておくことで、デバイスＤ１と実質的に同じデバイス特性を有するデバイス（デバイスＤ２）か、デバイスＤ１に対してデバイス特性が低下したデバイス（デバイスＤ４）であるか否かを判定可能であることが理解され得る。更に、図３に示した光学特性値取得工程Ｓ１１で取得した光学特性値が判定条件を満たさない場合、実験例１で述べたように、塗布膜処理条件を調整することで、デバイスＤ１と実質的に同じデバイス特性のデバイスを製造できることがわかる。
【0124】
図９より、判定波長を４０５ｎｍとした場合、実線α２では上記判定波長に対するＲ２（λ）は０．２％、すなわち、０．８％以下（０．００８以下）である一方、破線β２では上記特性波長に対するＲ２（λ）は０．９％であり、０．８％を超えている。したがって、判定波長が上記範囲内の波長であれば、０．８％を判定用基準値（閾値）として、サンプルＳ２とサンプルＳ３とを分離できることが理解され得る。
【0125】
判定波長に対するＲ２（λ）の絶対値は、光学特性値として反射率を採用した場合の式（１ｂ）の左辺に相当し、上記判定基準値は、条件２の第２所定値（すなわち、式（１ｂ）のＢ）に相当する。サンプルＳ２及びサンプルＳ３の評価はデバイスＤ２及びデバイスＤ４の製造過程において、図３に示した光学特性値取得工程Ｓ１１で取得した光学特性値が判定条件を満たすか否かの判定に相当することから、条件２を採用する場合には第２所定値を０．００８と設定しておくことで、デバイスＤ１と実質的に同じデバイス特性を有するデバイス（デバイスＤ２）か、デバイスＤ１に対してデバイス特性が低下したデバイス（デバイスＤ４）であるか否かを判定可能であることが理解され得る。更に、図３に示した光学特性値取得工程Ｓ１１で取得した光学特性値が判定条件を満たさない場合、実験例１で述べたように、塗布膜処理条件を調整することで、デバイスＤ１と実質的に同じデバイス特性のデバイスを製造できることがわかる。
【0126】
次に、光学特性として透過率分布を採用した場合を説明する。
【0127】
製造したサンプルＳ１～Ｓ３に対して波長範囲３８０ｎｍ～４８０ｎｍに対する透過率測定した。透過率は、光学特性値取得工程Ｓ１１の説明で説明したように、図４に示した光源３３と分光器３４とを測定対象（サンプルＳ１，Ｓ２，Ｓ３）に対して互いに反対側に配置した光学系で行った。透過率の測定では、光源３３からの光が測定対象に対して斜め入射するように配置し、光源３３の光軸上に、分光器３４を配置した。
【0128】
図１０は、波長に対する透過率の変化（透過率分布）を示すグラフであり、横軸は波長（ｎｍ）を示し、縦軸は透過率（％）を示している。
【0129】
基準サンプル（サンプルＳ１）の波長λ（ｎｍ）に対する透過率を基準透過率Ｌｔ０（λ）［％］とし、評価サンプル（サンプルＳ２又はサンプルＳ３）の波長λ（ｎｍ）に対する透過率をＬｔ（λ）［％］とし、以下の式（４ａ）で定義したＴ１（λ）［％］及び式（４ｂ）で定義したＴ２（λ）［％］を算出した。Ｔ１（λ）は、波長λに対する評価サンプルの透過率と基準サンプルの透過率との差を基準サンプルの透過率で除した値を１００倍したものである。Ｔ２（λ）は、波長λに対する評価サンプルの透過率と基準サンプルの透過率との差を１００倍したものである。
Ｔ１（λ）＝（Ｌｔ（λ）－Ｌｔ０（λ））／Ｌｔ０（λ）×１００・・・（４ａ）
Ｔ２（λ）＝（Ｌｔ（λ）－Ｌｔ０（λ））×１００・・・（４ｂ）
Ｔ１（λ）＝（Ｌｔ（λ）－Ｌｔ０（λ））／Ｌｔ０（λ）×１００・・・（４ａ）
Ｔ２（λ）＝（Ｌｔ（λ）－Ｌｔ０（λ））×１００・・・（４ｂ）
【0130】
波長λを変化させた場合のＴ１（λ）の変化は、図１１に示したとおりであり、波長λを変化させた場合のＴ２（λ）の変化は、図１２に示したとおりであった。図１１中の実線α３及び図１２中の実線α４は、Ｔ１（λ）及びＴ２（λ）の定義式中のＬｔ（λ）として、サンプルＳ２の透過率を適用した場合を示しており、図１１中の破線β３及び図１２中の破線β４は、Ｔ１（λ）及びＴ２（λ）の定義式中のＬｔ（λ）として、サンプルＳ３の透過率を適用した場合を示している。図１１及び図１２の横軸は波長λ（ｎｍ）を示しており、図１１の縦軸は、波長λにおけるＴ１（λ）の値を示しており、図１２の縦軸は波長λにおけるＴ２（λ）の値を示している。
【0131】
図１１より、判定波長を３８５ｎｍとした場合、実線α３では上記判定波長に対するＴ１（λ）の絶対値は０．１％、すなわち、０．９％以下（０．００９以下）である一方、破線β３では上記判定波長に対するＴ１（λ）の絶対値は１．０％であり、０．９％を超えている。したがって、判定波長が上記範囲内の波長であれば、０．９％を判定用基準値（或いは閾値）として、サンプルＳ２とサンプルＳ３とを分離できることが理解され得る。
【0132】
判定波長に対するＴ１（λ）の絶対値は、光学特性値として透過率を採用した場合の式（１ａ）の左辺に相当し、上記判定基準値は、条件１の第１所定値（すなわち、式（１ａ）のＡ）に相当する。サンプルＳ２及びサンプルＳ３の評価はデバイスＤ２及びデバイスＤ４の製造過程において、図３に示した光学特性値取得工程Ｓ１１で取得した光学特性値が判定条件を満たすか否かの判定に相当することから、条件１を採用する場合には第１所定値を０．００９と設定しておくことで、デバイスＤ１と実質的に同じデバイス特性を有するデバイス（デバイスＤ２）か、デバイスＤ１に対してデバイス特性が低下したデバイス（デバイスＤ４）であるか否かを判定可能であることが理解され得る。更に、図３に示した光学特性値取得工程Ｓ１１で取得した光学特性値が判定条件を満たさない場合、実験例１で述べたように、塗布膜処理条件を調整することで、デバイスＤ１と実質的に同じデバイス特性のデバイスを製造できることがわかる。
【0133】
図１２より、判定波長を３８５ｎｍとした場合、実線α４では上記判定波長に対するＴ２（λ）の絶対値は０．１％、すなわち０．６％以下（０．００６以下）である一方、破線β４では上記判定波長に対するＴ２（λ）の絶対値は０．７％であり、０．６％を超えている。したがって、判定波長が上記範囲内の波長であれば、０．６％を判定用基準値（或いは閾値）として、サンプルＳ２とサンプルＳ３とを分離できることが理解され得る。
【0134】
判定波長に対するＴ２（λ）の絶対値は、光学特性値として透過率を採用した場合の式（１ｂ）の左辺に相当し、上記判定基準値は、条件２の第２所定値（すなわち、式（１ｂ）のＢ）に相当する。サンプルＳ２及びサンプルＳ３の評価はデバイスＤ２及びデバイスＤ４の製造過程において、図３に示した光学特性値取得工程Ｓ１１で取得した光学特性値が判定条件を満たすか否かの判定に相当することから、条件２を採用する場合には第２所定値を０．００６と設定しておくことで、デバイスＤ１と実質的に同じデバイス特性を有するデバイス（デバイスＤ２）か、デバイスＤ１に対してデバイス特性が低下したデバイス（デバイスＤ４）であるか否かを判定可能であることが理解され得る。更に、図３に示した光学特性値取得工程Ｓ１１で取得した光学特性値が判定条件を満たさない場合、実験例１で述べたように、塗布膜処理条件を調整することで、デバイスＤ１と実質的に同じデバイス特性のデバイスを製造できることがわかる。
【0135】
以上、本発明の種々の実施形態を説明した。しかしながら、本発明は、例示した種々の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0136】
光学特性値取得工程は、塗布法で形成される第２機能層を形成した後、第２電極層形成工程が実施される前までに行われればよい。すなわち、光学特性取得工程で光学測定を行う測定対象である積層構造は、第１機能層と第２機能層の２層構造に限定されず、３層以上を有していてもよい。ただし、上記測定対象である積層構造は、第１機能層と第２機能層の２層構造であることが、第２機能層の形成条件へのフィードバックが容易であるため、好ましい。デバイス機能部において第１機能層及び第２機能層の組み合わせが複数存在する場合、少なくとも一つの第１機能層及び第２機能層に対して、図３及び図４を用いて説明した工程が実施されればよい。この場合でも、少なくとも一つの第１機能層及び第２機能層の組における混合層の影響が低減されるからである。
【0137】
これまでの説明では、図３に示した光学特性値取得工程Ｓ１１では、分光計測によって、一定の波長範囲に対して光学特性を取得した後、判定波長に対する光学特性値を特定した。しかしながら、判定波長に対する光学特性値を取得できれば、上記方法に限定されない。例えば、判定波長の光を利用して光学特性値を取得してもよい。
【0138】
図２に例示した製造方法は、陽極層形成工程Ｓ０１、有機ＥＬ部形成工程Ｓ０２及び陰極層形成工程Ｓ０３を備える。しかしながら、例えば陽極層が予め形成された基板を準備しておけば、陽極層形成工程Ｓ０１は不要である。すなわち、有機ＥＬデバイスの製造方法は、有機ＥＬ部形成工程Ｓ０２及び陰極層形成工程Ｓ０３を備えればよい。
【0139】
第１の電極層が陽極層であり、第２の電極層が陰極層である形態を説明したが、第１の電極層が陰極層であり、第２の電極層が陽極層でもよい。
【0140】
本発明は、有機ＥＬデバイス以外の有機電子デバイス、例えば、有機太陽電池、有機フォトディテクタ、有機トランジスタなどを製造する場合にも適用可能である。更に、本発明は、デバイス機能部が有する全ての機能層が無機材料によって構成されている電子デバイスの製造にも適用可能である。
【符号の説明】
【0141】
１…有機ＥＬデバイス（有機電子デバイス）、２…基板、３…陽極層（第１電極層）、４…デバイス機能部、４ａ…正孔注入層（機能層）、４ｂ…正孔輸送層（機能層）、４ｃ…発光層（機能層）、４ｄ…電子輸送層（機能層）、４ｅ…電子注入層（機能層）、５…陰極層（第２電極層）。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】