特許 7590839 シリコンウェーハの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-19

(45)【発行日】2024-11-27

(54)【発明の名称】シリコンウェーハの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/322 20060101AFI20241120BHJP

   C30B 29/06 20060101ALI20241120BHJP

   C30B 15/00 20060101ALI20241120BHJP

【ＦＩ】

H01L21/322 Y

C30B29/06 B

C30B15/00 Z

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2020156443

(22)【出願日】2020-09-17

(65)【公開番号】P2022050070

(43)【公開日】2022-03-30

【審査請求日】2023-08-21

(73)【特許権者】

【識別番号】312007423

【氏名又は名称】グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100101878

【弁理士】

【氏名又は名称】木下 茂

(74)【代理人】

【識別番号】100187506

【弁理士】

【氏名又は名称】澤田 優子

(74)【代理人】

【識別番号】100193378

【弁理士】

【氏名又は名称】野口 明生

(72)【発明者】

【氏名】須藤 治生

(72)【発明者】

【氏名】青木 竜彦

(72)【発明者】

【氏名】南 俊郎

(72)【発明者】

【氏名】早川 兼

【審査官】正山 旭

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－０７４１３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－２６１６３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１４３５０４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００６／０１８９１６９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１５／０００１６８０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００８－２０７９９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１０／０１０５１９１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１１－２４３９２３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３２２

Ｃ３０Ｂ ２９／０６

Ｃ３０Ｂ １５／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

チョクラルスキー法において、結晶の引き上げ速度と固液界面における結晶軸方向の温度勾配を制御して育成された無欠陥型の単結晶シリコンインゴットからスライスして得られた酸素濃度が０．５×１０ ^１８ ／ｃｍ ^３ 以上１．０×１０ ^１８ ／ｃｍ ^３ 以下であるシリコンウェーハに対し、
酸化性雰囲気下において、前記シリコンウェーハの表層に酸素を内方拡散させると供に、前記シリコンウェーハのバルク部に原子空孔を凍結させる第一熱処理工程と、
炉入れ温度から７００℃までの体験時間を２時間未満とし、８００℃以上１０００℃以下で１時間以上１０時間以下保持し、その後、１１００℃以上１２００℃以下まで昇温して１０分以上４時間以下保持する、非酸化性雰囲気下で行う第二熱処理工程と、
を備え、前記第二熱処理工程は、前記第一熱処理工程後、前記シリコンウェーハに形成された酸化膜を剥離した後に行われることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

【請求項2】

前記第一熱処理工程は、１３００℃以上１３５０℃以下で、１秒以上６０秒以下保持し、１０００℃以下まで冷却速度５０℃毎秒よりも速く１２０℃毎秒以下で急冷することを特徴とする請求項１に記載のシリコンウェーハの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、シリコンウェーハの製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイス用の基板として用いられるシリコンウェーハ（以下、単にウェーハと略すことがある）は、デバイス品質の向上を目的に、表層の無欠陥化のみならず、近年では、ウェーハの機械的強度や金属不純物を捕獲する、いわゆるゲッタリングの性能が要求されている。ゲッタリングとは、ウェーハ中の不純物が特定の領域に集まる現象を積極的利用することによって、最終製品の性能への悪影響を減らす技術であり、イントリンシック・ゲッタリングとエクストリンシック・ゲッタリングとに大きく分けることができる。

【0003】

イントリンシック・ゲッタリング（以下、こちらを単にゲッタリングという）では、ＢＭＤ（Bulk Micro Defects）と呼ばれる酸素析出物をウェーハ内部に設計的に作り込むことで最終製品の性能への悪影響を減らす。ウェーハ内部のＢＭＤは金属不純物と化合し固定化する働きをすることができる。そして、ゲッタリングの性能を向上するためには、ＢＭＤが析出する領域を上手く制御することが重要である。例えば、特許文献１では、ウェーハに１３００℃以上の急速昇降温熱処理（以下、ＲＴＰという）を施すことで、点欠陥である空孔をウェーハのバルク（表層ではなく内部）に多量に残存させることで、その後のＢＭＤ析出熱処理時にＢＭＤを高密度に形成させる方法が提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１５－２０４３２６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、近年、半導体デバイス形成工程における各種熱処理は、低温かつ短時間化している傾向がある。このことによって、シリコンウェーハ中に予期せずに入り込んだ金属不純物の拡散距離が短くなる。すると、ＢＭＤが形成されたゲッタリングサイトの深さまで金属不純物が拡散できなくなってしまい、十分なゲッタリング効果を得られなくなってしまう。そこで、近年ではシリコンウェーハの表層に十分な無欠陥層を確保しつつ、表層直下数μｍにゲッタリングサイトを形成する、いわゆる近接ゲッタリングウェーハが求められている。

【0006】

本発明の目的は、上述した課題を鑑み、表層に十分な無欠陥層を確保しつつ、表層直下数μｍにゲッタリングサイトを形成することに寄与するシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記の課題を解決するために、本発明のシリコンウェーハの製造方法においては、チョクラルスキー法で育成した単結晶シリコンインゴットからスライスして得たシリコンウェーハに対し、酸化性雰囲気下において、前記シリコンウェーハの表層に酸素を内方拡散させると供に、前記シリコンウェーハのバルク部に原子空孔を凍結させる第一熱処理工程と、炉入れ温度から７００℃までの体験時間を２時間未満とし、８００℃以上１０００℃以下で１時間以上１０時間以下保持し、その後、１１００℃以上１２００℃以下まで昇温して１０分以上４時間以下保持する第二熱処理工程とを備える。

【0008】

このように、本発明のシリコンウェーハの製造方法は第一熱処理工程と第二熱処理工程の組み合わせによって、デバイス活性層の直下数μｍにＢＭＤの析出領域を形成する。第一熱処理工程では、表層に酸素を内方拡散させて表層領域の酸素濃度を増大させると伴に、ウェーハバルク部に原子空孔（以下、空孔）を凍結させる。そして、第二熱処理工程では、表層数μｍ領域に酸素析出物を顕在化させる。

【0009】

第二熱処理工程において、炉入れ温度から７００℃までの体験時間を２時間未満とする理由は、表面直下１μｍ領域に酸素析出物を形成させるのを防ぐためである。また、８００℃以上１０００℃以下で保持する理由は、空孔起因で生じる酸素析出物の主たる核発生温度だからである。その後、１１００℃以上１２００℃以下で１０分以上２時間以下保持する理由は、発生した酸素析出物の核を成長させ析出物の表面積を大きくして金属不純物のゲッタリング力を高めるためである。

【0010】

さらに、第一熱処理工程では、１３００℃以上１３５０℃以下で、１秒以上６０秒以下保持し、１０００℃以下まで冷却速度５０℃毎秒よりも速く１２０℃毎秒以下で急冷することが好ましい。１３００℃以上１３５０℃以下で１秒以上６０秒以下保持することで表層領域の酸素濃度を増大させると伴に、冷却速度を５０℃毎秒よりも速くする理由は、増大させた酸素と空孔の外方拡散による濃度低下を防ぐためである。また、冷却速度を１２０℃毎秒以下とする理由は、熱応力によるスリップの発生を防止するためである。

【0011】

さらに、第一熱処理後、前記シリコンウェーハの表層を除去せずに前記第二熱処理を続けて行うことが好ましい。前記シリコンウェーハの表面から数μｍの無欠陥層と、当該無欠陥層直下に酸素析出物の形成領域を作成するためである。

【0012】

さらに、第一熱処理後、前記シリコンウェーハに形成された酸化膜を剥離した後、前記第二熱処理を非酸化性雰囲気下で行うことが好ましい。酸素の外方拡散を促進し、無欠陥領域が約２μｍ確保するためである。

【0013】

さらに、チョクラルスキー法において、結晶の引き上げ速度と固液界面における結晶軸方向の温度勾配を制御することによって得られる無欠陥型シリコンインゴットを使用することが好ましい。第一熱処理方法では、表面から１μｍ領域内にボイド欠陥（結晶成長時導入欠陥）が残留する。ボイド欠陥が存在しない無欠陥型シリコンを使用することでこの問題を避けることができるからである。

【発明の効果】

【0014】

本発明によれば、表層に十分な無欠陥層を確保しつつ、表層直下数μｍにゲッタリングサイトを形成することに寄与するシリコンウェーハの製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】図１は、本発明の実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法に用いられるＲＴＰ装置の一例の概要を示す断面図である。

【図2】図２は、本発明の実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法の手順を示すフローチャートである。

【図3】図３は、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法における熱処理のシーケンスを示す図である。

【図4】図４は、深さ方向の酸素濃度プロファイルを示す図である。

【図5】図５は、無欠陥層の厚さの変化を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。ただし、以下に説明する実施形態により本発明が限定されるものではない。また、各図面において、同一または対応する要素には適宜同一の符号を付している。さらに、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実のものとは異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

【0017】

図１は、本発明の実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法に用いられるＲＴＰ装置の一例の概要を示す断面図である。

【0018】

図１に示すように、ＲＴＰ装置１０は、雰囲気ガス導入口２０ａ及び雰囲気ガス排出口２０ｂを備えたチャンバ（反応管）２０と、チャンバ２０の上部に離間して配置された複数のランプ３０と、チャンバ２０内の反応空間２５にウェーハＷを支持するウェーハ支持部４０とを備えている。

【0019】

ウェーハ支持部４０は、ウェーハＷの外周部を支持する環状のサセプタ４０ａと、サセプタ４０ａを支持するステージ４０ｂとを備える。また、ウェーハ支持部４０は、ウェーハＷをその中心軸周りに所定速度で回転させる回転手段を備えている。

【0020】

チャンバ２０は、例えば、石英で構成されている。ランプ３０は、例えば、ハロゲンランプで構成されている。サセプタ４０ａは、例えば、シリコンで構成されている。ステージ４０ｂは、例えば、石英で構成されている。

【0021】

図１に示すＲＴＰ装置１０を用いてウェーハＷに対しＲＴＰを行う場合は、ウェーハＷを反応空間２５内に導入し、ウェーハ支持部４０のサセプタ４０ａ上にウェーハＷを支持する。そして、雰囲気ガス導入口２０ａから後述する雰囲気ガスを導入すると共に、ウェーハＷを回転させながら、ランプ３０によりウェーハＷ表面に対してランプ照射をすることで行う。

【0022】

このＲＴＰ装置１０における反応空間２５内の温度制御は、ウェーハ支持部４０のステージ４０ｂに埋め込まれた複数の放射温度計５０によってウェーハＷの下部のウェーハ径方向におけるウェーハ面内多点の平均温度を測定し、その測定された温度に基づいて複数のハロゲンランプ３０の制御（各ランプの個別のＯＮ－ＯＦＦ制御や、発光する光の発光強度の制御等）を行う。

【0023】

図２は、本発明の実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法の手順を示すフローチャートである。図２に示すように、本発明の実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法は、主にシリコンウェーハの準備工程Ｓ１と、第一熱処理工程Ｓ２と、第二熱処理工程Ｓ３とを備えている。

【0024】

シリコンウェーハの準備工程Ｓ１では、チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを用意する。チョクラルスキー法によるシリコン単結晶インゴットの育成は周知の方法にて行うことができる。石英ルツボに充填した多結晶シリコンを加熱してシリコン融液とし、このシリコン融液の液面上方から種結晶を接触させて、種結晶と石英ルツボを回転させながら引上げ、所望の直径まで拡径して直胴部を育成することでシリコン単結晶インゴットを製造する。

【0025】

ここで、チョクラルスキー法において、結晶の引き上げ速度と固液界面における結晶軸方向の温度勾配を制御することによって得られる無欠陥型シリコンインゴットを使用することが好ましい。後段の第一熱処理方法では、表面から１μｍ領域内にボイド欠陥（結晶成長時導入欠陥）が残留する。ボイド欠陥が存在しない無欠陥型シリコンを使用することでこの問題を避けることができるからである。

【0026】

こうして得られたシリコン単結晶インゴットは、周知の方法によりシリコンウェーハに加工される。シリコン単結晶インゴットを内周刃又はワイヤソー等によりウェーハ状にスライスした後、外周部の面取り、ラッピング、エッチング、研磨等の加工工程を経て、熱処理前のシリコンウェーハを作成する。

【0027】

第一熱処理工程Ｓ２では、酸化性雰囲気下において、シリコンウェーハの表層に酸素を内方拡散させると供に、シリコンウェーハのバルク部に原子空孔を凍結させる。そして、第二熱処理工程Ｓ３では、表層数μｍ領域に酸素析出物を顕在化させる。なお、第一熱処理工程Ｓ２および第二熱処理工程Ｓ３における最適条件については後に詳述するものとする。

【0028】

一方、第一熱処理Ｓ２の後、シリコンウェーハの表層を除去せずに第二熱処理Ｓ３を続けて行うことが好ましい。シリコンウェーハの表面から数μｍの無欠陥層と、当該無欠陥層直下に酸素析出物の形成領域を作成するためである。また、第一熱処理Ｓ２の後、シリコンウェーハに形成された酸化膜を剥離した後、第二熱処理Ｓ３を非酸化性雰囲気下で行うことが好ましい。酸素の外方拡散を促進し、無欠陥層を十分に確保するためである。

【0029】

図３は、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法における熱処理のシーケンスを示す図である。図３において、縦軸Ｔは温度を示し、横軸ｔは時間を示す。図３に示すように、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、第一熱処理工程ＴＨ_１と第二熱処理工程ＴＨ_２を備えている。

【0030】

図３に示すように、第一熱処理工程ＴＨ_１は、温度Ｔ_１まで昇温し、当該温度で時間Ｄ_１保持し、冷却速度Ｒ_１で急速に冷却する。第一熱処理工程ＴＨ_１は、例えば図１に示したようなＲＴＰ装置１０を用いて、酸化性雰囲気下において行う。

【0031】

第一熱処理工程ＴＨ_１における温度Ｔ_１は、例えば１３００℃以上１３５０℃以下とすることが好ましく、時間Ｄ_１は、１秒以上６０秒以下であることが好ましい。シリコンウェーハの表層領域の酸素濃度を十分に増大させるためである。また、第一熱処理工程ＴＨ_１における冷却速度Ｒ_１は、５０℃毎秒よりも速く１２０℃毎秒以下であることが好ましい。酸化性雰囲気下で加熱することでシリコンウェーハ内に増大させた酸素と空孔の外方拡散による濃度低下を防ぐためである。

【0032】

図３に示すように、第ニ熱処理工程ＴＨ_２は、温度Ｔ_２まで昇温し、当該温度で時間Ｄ_２保持し、その後、温度Ｔ_３まで昇温し、当該温度で時間Ｄ_３保持する。ただし、温度Ｔ_２まで昇温する際の昇温速度は、炉入れ温度から温度Ｔ_４までの体験時間を時間Ｄ_４未満とする。

【0033】

第ニ熱処理工程ＴＨ_２における温度Ｔ_２は、例えば８００℃以上１０００℃以下とすることが好ましく、時間Ｄ_２は、１時間以上１０時間以下であることが好ましい。この温度条件は、空孔起因で生じる酸素析出物の主たる核発生温度だからであり、酸素析出物を発生させるために好ましいからである。また、温度Ｔ_３は、例えば１１００℃以上１２００℃以下とすることが好ましく、時間Ｄ_３は、１０分以上４時間以下であることが好ましい。発生した酸素析出物の核を成長させ析出物の表面積を大きくして金属不純物のゲッタリング力を高めるためである。

【0034】

また、第ニ熱処理工程ＴＨ_２における昇温時の温度Ｔ_４は７００℃とし、当該温度までの体験時間Ｄ_４は２時間未満とすることが好ましい。表面直下１μｍ領域に酸素析出物を形成させるのを防ぎ、十分に広い無欠陥層を確保するためである。

【0035】

〔実施例〕
次に、上記説明した本発明に係るシリコンウェーハの製造方法の効果を検証した実施例について説明する。

【0036】

（検証実験１）
検証実験１では、酸素濃度の異なるシリコンウェーハと酸素析出物の発生領域との関係を調べた。検証実験１で用いた実施例のシリコンウェーハは以下の通りである。

【0037】

【表1】

【0038】

これら実施例Ａ～Ｃのシリコンウェーハに対し、第一熱処理工程と第二熱処理工程を施す。第一熱処理工程では、１００％のＯ_２雰囲気下にて、温度１３５０℃で３０秒保持し、その後、冷却速度１２０℃毎秒で急冷した。そして、酸化膜を剥離した後、第二熱処理工程の条件では、１００％Ａｒ雰囲気下で、炉入れ温度６００℃から７００℃までの体験時間を６０分とし、温度８５０℃で３時間保持し、続いて、温度１１５０℃で３０分保持した。

【0039】

この第一熱処理工程と第二熱処理工程を施した実施例Ａ～Ｃのシリコンウェーハに対し、二次イオン質量分析装置（Secondary Ion Mass Spectrometry（ＳＩＭＳ））を用いて、深さ方向の酸素濃度プロファイルを分析した。図４は、深さ方向の酸素濃度プロファイルを示す図である。なお、図４には、比較のため、実施例Ｂに第一熱処理工程のみ施した例（比較例）と、酸素の拡散のみを考慮して計算した例（計算例）が示されている。

【0040】

図４に示されるように、第一熱処理工程のみ施した例（比較例）では、酸素の内方拡散によって表層で濃度が増大している。一方、第一熱処理工程および第二熱処理工程を施した例（実施例Ａ～Ｃ）では、深さ１～６μｍにかけて酸素析出物によるピークが検出されている。そして、実施例Ａ～Ｃにおける酸素析出物のピークの高さは、第一熱処理工程を施す前のシリコンウェーハにおける酸素濃度に依存している。

【0041】

また、酸素の拡散のみを考慮して計算した例（計算例）との比較では、表面に向かって酸素濃度が低下している。一方、第一熱処理工程および第二熱処理工程を施した例（実施例Ａ～Ｃ）では、深さ１～６μｍにかけて酸素析出物によるピークが検出されていることから、このようなプロファイルが生じる原理は酸素の拡散のみでは説明できない。

【0042】

さらに、第一熱処理工程および第二熱処理工程を施した例（実施例Ａ～Ｃ）では、表面からおよそ１μｍまでは無欠陥層（ＤＺ）が形成されている。しかも、この無欠陥層の厚さは、第一熱処理工程の前のシリコンウェーハにおける酸素濃度に依存しない。

【0043】

以上、この検証実験１から、第二熱処理工程は、第一熱処理工程によってシリコンウェーハの表層に内方拡散させた酸素濃度のプロファイルを、およそ１μｍの無欠陥層を形成するとともに、深さ１～６μｍにかけてゲッタリングサイト（ＧＳ）を形成することに有効であることが示された。

【0044】

（検証実験２）
次に、第ニ熱処理工程における炉入れ温度から温度７００℃までの体験時間の影響を検証する実験を行った。この検証実験２に用いたシリコンウェーハは、実施例Ｃと同じ酸素濃度１．２×１０^１８／ｃｍ^３の直径３００ｍｍのシリコンウェーハであった。

【0045】

これを第一熱処理工程では、検証実験１と同様に、１００％のＯ_２雰囲気下にて、温度１３５０℃で３０秒保持し、その後、冷却速度１２０℃毎秒で急冷した。そして、第一熱処理工程の後に酸化膜を剥離し、シリコンウェーハの表層は除去せずに第二熱処理工程を続けて行った。

【0046】

第一熱処理工程では、１００％Ａｒ雰囲気下で、炉入れ温度６００℃から７００℃までの体験時間を変化させ、この体験時間が酸素析出物のピークに与える影響を実験した。なお、酸素析出物のピークとは、先述した図４に示されるような深さ方向の酸素濃度プロファイルにおけるピークのことである。この酸素濃度プロファイルは検証実験１と同様に二次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ）を用いて測定することができる。

【0047】

検証実験２において、変化させる炉入れ温度６００℃から７００℃までの体験時間を３０分、６０分、１２０分、１８０分、および２４０分とし、各体験時間において、表面直下１μｍ領域に酸素析出物のピークを形成させるか否かを測定した。十分に広い無欠陥層を確保する観点から、表面直下１μｍ領域に酸素析出物のピークを形成しない場合を良品（〇）とし、表面直下１μｍ領域に酸素析出物のピークを形成する場合を不良品（×）とする。

【0048】

【表2】

【0049】

上記表に示されるように、第ニ熱処理工程ＴＨ_２における昇温時の７００℃までの体験時間Ｄ_４は２時間未満とすることが好ましい。シリコンウェーハの表面直下１μｍ領域に酸素析出物を形成させるのを防ぎ、十分に広い無欠陥層を確保することができるからである。

【0050】

（検証実験３）
次に、十分に広い無欠陥層を作成するための条件について調べた。この検証実験３に用いたシリコンウェーハは、実施例Ｃと同じ酸素濃度１．２×１０^１８／ｃｍ^３の直径３００ｍｍのシリコンウェーハであった。

【0051】

これを第一熱処理工程では、検証実験１と同様に、１００％のＯ_２雰囲気下にて、温度１３５０℃で３０秒保持し、その後、冷却速度１２０℃毎秒で急冷した。酸化膜を剥離した後、第二熱処理工程の条件では、１００％Ａｒ雰囲気下で、炉入れ温度６００℃から７００℃までの体験時間を６０分とし、温度８５０℃で３時間保持したが、続く温度１１５０℃で保持する時間を、１分間から５時間まで変化させた。この結果得られたシリコンウェーハに対して、無欠陥層の厚さの変化を調べた。図５は、無欠陥層の厚さの変化を示す図である。

【0052】

図５に示されるように、温度１１５０℃の保持時間に依存して無欠陥層の厚さ（ＤＺ幅）が増大する。これは、温度１１５０℃の保持時間が長いほど表層部の酸素の外方拡散が進行するからである。ただし、温度１１５０℃の保持時間が１０分より短いと無欠陥層の厚さが不十分であるので好ましくない。一方、温度１１５０℃の保持時間が４時間よりも長くても無欠陥層の厚さに大きな変化は見られないので、効率性の観点から好ましくない。したがって、温度１１５０℃の保持時間は、１０分以上４時間以下とすることが好ましい。

【0053】

以上、本発明のシリコンウェーハの製造方法によれば、無欠陥層の厚さが１～２μｍであり、ゲッタリングサイトの深さが１～６μｍである、いわゆる近接ゲッタリングウェーハの製造を行うことができることが示された。

【0054】

以上、図面を参照しながら本発明を実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上記の実施形態よって限定されるものではない。特に、本明細書に記載した数値範囲については、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で修正ないし変更することが可能であると解釈されるべきである。

【符号の説明】

【0055】

１０ ＲＴＰ装置
２０ チャンバ
２０ａ 雰囲気ガス導入口
２０ｂ 雰囲気ガス排出口
２５ 反応空間
３０ ランプ
４０ ウェーハ支持部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】