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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-11-25
(45)【発行日】2024-12-03
(54)【発明の名称】マイクロ流路チップ及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
B81B 1/00 20060101AFI20241126BHJP
B81C 3/00 20060101ALI20241126BHJP
G01N 37/00 20060101ALI20241126BHJP
【ＦＩ】
B81B1/00
B81C3/00
G01N37/00 101
【請求項の数】
5
(21)【出願番号】P 2022526539
(86)(22)【出願日】2021-05-24
(86)【国際出願番号】 JP2021019664
(87)【国際公開番号】W WO2021241516
(87)【国際公開日】2021-12-02
【審査請求日】2024-04-05
(31)【優先権主張番号】P 2020094889
(32)【優先日】2020-05-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000229117
【氏名又は名称】日本ゼオン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100147485
【弁理士】
【氏名又は名称】杉村 憲司
(74)【代理人】
【識別番号】230118913
【弁護士】
【氏名又は名称】杉村 光嗣
(74)【代理人】
【識別番号】100150360
【弁理士】
【氏名又は名称】寺嶋 勇太
(74)【代理人】
【識別番号】100173473
【弁理士】
【氏名又は名称】高井良 克己
(72)【発明者】
【氏名】西岡 寛哉
【審査官】豊島 唯
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１８／１８０５０８（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１２－６６５１８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１２９７４８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１６１６８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１５４３４９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－２１７９１８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１９９３４０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ８１Ｂ １／００
Ｂ８１Ｃ ３／００
Ｇ０１Ｎ ３７／００
Ｇ０１Ｎ ３５／１０
Ｃ１２Ｍ １／００
Ｃ１２Ｍ ３／００
Ｂ３２Ｂ ２７／２２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも一方の表面に微細な流路を形成した流路基板と、蓋基板と、それらを接合する接合層とを含む、マイクロ流路チップであって、流路基板と、蓋基板と、接合層は、環状オレフィン重合体からなり、
流路基板を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs1、蓋基板を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs2、接合層を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇ2の関係は、
Ｔｇs1＞Ｔｇ2、かつ
Ｔｇs2＞Ｔｇ2であり、
接合層の厚さが、５０μｍ未満である、
マイクロ流路チップ。
【請求項2】
Ｔｇs1及びＴｇs2は、１２５℃以上であり、且つ、Ｔｇs1≧Ｔｇ2＋１０℃、
Ｔｇs2≧Ｔｇ2＋１０℃
である、請求項１記載のマイクロ流路チップ。
【請求項3】
流路基板と蓋基板を接合層を介して熱融着によって接合することを含む、請求項１又は２記載のマイクロ流路チップの製造方法。
【請求項4】
流路形成用基板及び蓋基板の少なくとも一方上に接合層を形成する工程、接合層が形成された流路形成用基板又は接合層が形成されていない流路形成用基板に流路を形成して、接合層が形成された流路基板又は接合層が形成されていない流路基板を形成する工程、
接合層が形成された流路基板と接合層が形成されていない蓋基板との組合せ、接合層が形成されていない流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せ、及び接合層が形成された流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せの少なくとも一つの組合せを、接合層を介して熱融着によって接合する工程
を含む、請求項３記載の製造方法。
【請求項5】
少なくとも一方の面に流路が形成された流路基板を形成する工程、流路基板及び蓋基板の少なくとも一方の、少なくとも一方の面における流路に相当する部分以外の部分上に接合層を形成する工程、
接合層が形成された流路基板と接合層が形成されていない蓋基板との組合せ、接合層が形成されていない流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せ、及び接合層が形成された流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せの少なくとも一つの組合せを、接合層を介して熱融着によって接合する工程
を含む、請求項３記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、マイクロ流路チップ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年、微細加工技術を利用してマイクロメートルオーダーの微小流路や反応容器を形成したチップ（マイクロ流路チップ）が、ＤＮＡ、ＲＮＡ、タンパク質等の生体物質の分析・検査、創薬・製薬開発、有機合成、水質分析などの様々な分野で利用されている。
【0003】
また、マイクロ流路チップとしては、低コストで製造可能な樹脂製のマイクロ流路チップが注目されている。
【0004】
そして、樹脂製のマイクロ流路チップは、少なくとも一方の表面に微細な流路を形成した樹脂製の基板と、蓋材としての樹脂製の蓋基板との間に接合層を介在させて加熱により接合させることにより製造されている（例えば、特許文献１～４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特許第５９４８２４８号
【文献】特開２００８－３０４３５２号公報
【文献】特許第５９４８２４８号
【文献】国際公開第２０１４／１７８４３９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
マイクロ流路チップに、例えば蒸気滅菌処理のような高温高圧滅菌処理を施した場合、接合層が厚いと滅菌処理時に流路が変形する問題が生じる。また、基板の材料として、透明かつ低自家蛍光性である環状オレフィン重合体を用いて作製されたマイクロ流路チップでは、従来、基板同士の接合性を強力にするために環状オレフィン重合体以外の接着性材料が用いられており、このようなマイクロ流路チップでは、接着性材料による自家蛍光による光シグナル検出の際のノイズの問題が生じる。全ての部材が環状オレフィン重合体から構成され、自家蛍光性材料のような接着性材料を用いずに基板同士の強力な接合性が維持されたマイクロ流路チップは、これまで知られていなかった。
【0007】
そこで、本発明は、高温高圧滅菌処理を行っても流路は変形せず、マイクロ流路チップ全体の材料として環状オレフィン重合体を用いても基板同士の強力な接合性が維持された、マイクロ流路チップ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、接合層を薄膜とすることにより、高温高圧滅菌処理による流路変形を抑制することができ、基板及び接合層の材料として、所定のガラス転移温度の関係にある環状オレフィン重合体をそれぞれ用いることにより、基板同士の強力な接合性を維持することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
かくして本発明によれば、下記に示すマイクロ流路チップ及びその製造方法が提供される。
かくして本発明によれば、下記に示すマイクロ流路チップ及びその製造方法が提供される。
【0009】
〔１〕少なくとも一方の表面に微細な流路を形成した流路基板と、蓋基板と、それらを接合する接合層とを含む、マイクロ流路チップであって、
流路基板と、蓋基板と、接合層は、環状オレフィン重合体からなり、
流路基板を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs1、蓋基板を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs2、接合層を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇ2の関係は、
Ｔｇs1＞Ｔｇ2、かつ
Ｔｇs2＞Ｔｇ2であり、
接合層の厚さが、５０μｍ未満である、
マイクロ流路チップ。
〔２〕Ｔｇs1及びＴｇs2は、１２５℃以上であり、且つ、
Ｔｇs1≧Ｔｇ2＋１０℃、
Ｔｇs2≧Ｔｇ2＋１０℃
である、前記〔１〕記載のマイクロ流路チップ。
〔３〕流路基板と蓋基板を接合層を介して熱融着によって接合することを含む、
前記〔１〕又は〔２〕記載のマイクロ流路チップの製造方法。
〔４〕流路形成用基板及び蓋基板の少なくとも一方上に接合層を形成する工程、
接合層が形成された流路形成用基板又は接合層が形成されていない流路形成用基板に流路を形成して、接合層が形成された流路基板又は接合層が形成されていない流路基板を形成する工程、
接合層が形成された流路基板と接合層が形成されていない蓋基板との組合せ、接合層が形成されていない流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せ、及び接合層が形成された流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せの少なくとも一つの組合せを、接合層を介して熱融着によって接合する工程
を含む、前記〔３〕記載の製造方法。
〔５〕少なくとも一方の面に流路が形成された流路基板を形成する工程、
流路基板及び蓋基板の少なくとも一方の、少なくとも一方の面における流路に相当する部分以外の部分上に接合層を形成する工程、
接合層が形成された流路基板と接合層が形成されていない蓋基板との組合せ、接合層が形成されていない流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せ、及び接合層が形成された流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せの少なくとも一つの組合せを、接合層を介して熱融着によって接合する工程
を含む、前記〔３〕記載の製造方法。
流路基板と、蓋基板と、接合層は、環状オレフィン重合体からなり、
流路基板を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs1、蓋基板を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs2、接合層を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇ2の関係は、
Ｔｇs1＞Ｔｇ2、かつ
Ｔｇs2＞Ｔｇ2であり、
接合層の厚さが、５０μｍ未満である、
マイクロ流路チップ。
〔２〕Ｔｇs1及びＴｇs2は、１２５℃以上であり、且つ、
Ｔｇs1≧Ｔｇ2＋１０℃、
Ｔｇs2≧Ｔｇ2＋１０℃
である、前記〔１〕記載のマイクロ流路チップ。
〔３〕流路基板と蓋基板を接合層を介して熱融着によって接合することを含む、
前記〔１〕又は〔２〕記載のマイクロ流路チップの製造方法。
〔４〕流路形成用基板及び蓋基板の少なくとも一方上に接合層を形成する工程、
接合層が形成された流路形成用基板又は接合層が形成されていない流路形成用基板に流路を形成して、接合層が形成された流路基板又は接合層が形成されていない流路基板を形成する工程、
接合層が形成された流路基板と接合層が形成されていない蓋基板との組合せ、接合層が形成されていない流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せ、及び接合層が形成された流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せの少なくとも一つの組合せを、接合層を介して熱融着によって接合する工程
を含む、前記〔３〕記載の製造方法。
〔５〕少なくとも一方の面に流路が形成された流路基板を形成する工程、
流路基板及び蓋基板の少なくとも一方の、少なくとも一方の面における流路に相当する部分以外の部分上に接合層を形成する工程、
接合層が形成された流路基板と接合層が形成されていない蓋基板との組合せ、接合層が形成されていない流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せ、及び接合層が形成された流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せの少なくとも一つの組合せを、接合層を介して熱融着によって接合する工程
を含む、前記〔３〕記載の製造方法。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、高温高圧滅菌処理を行っても流路は変形せず、基板同士の強力な接合性が維持された、マイクロ流路チップ及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【0013】
（マイクロ流路チップ）
本発明のマイクロ流路チップは、少なくとも一方の表面に微細な流路を形成した流路基板ｓ１と、蓋基板ｓ２と、それらを接合する接合層とを含む。また、本発明のマイクロ流路チップにおいて、
流路基板ｓ１と、蓋基板ｓ２と、接合層は、環状オレフィン重合体からなり、
流路基板を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs1、蓋基板を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs2、接合層を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇ2の関係は、
Ｔｇs1＞Ｔｇ2、かつ
Ｔｇs2＞Ｔｇ2であり、
接合層の厚さが、５０μ未満である。
本発明のマイクロ流路チップは、少なくとも一方の表面に微細な流路を形成した流路基板ｓ１と、蓋基板ｓ２と、それらを接合する接合層とを含む。また、本発明のマイクロ流路チップにおいて、
流路基板ｓ１と、蓋基板ｓ２と、接合層は、環状オレフィン重合体からなり、
流路基板を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs1、蓋基板を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs2、接合層を構成する環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇ2の関係は、
Ｔｇs1＞Ｔｇ2、かつ
Ｔｇs2＞Ｔｇ2であり、
接合層の厚さが、５０μ未満である。
【0014】
＜流路基板＞
流路基板としては、少なくとも一方の表面に微細な流路を形成した環状オレフィン重合体製の基板を用いることができる。そして、流路基板は、微細な流路が形成されている面を接合面として、蓋基板と接合される。
流路基板としては、少なくとも一方の表面に微細な流路を形成した環状オレフィン重合体製の基板を用いることができる。そして、流路基板は、微細な流路が形成されている面を接合面として、蓋基板と接合される。
【0015】
ここで、微細な流路の幅、深さおよび形状は、マイクロ流路チップの用途に応じて適宜に変更することができるが、通常、ミリメートルオーダー以下であり、ナノメートルオーダーであってもよいが、マイクロメートルオーダーであることが好ましい。具体的には、微細な流路の幅は、特に限定されることなく、例えば１０μｍ以上８００μｍ以下とすることができる。
【0016】
そして、環状オレフィン重合体製の基板への微細な流路の形成は、例えば、フォトリソグラフィ、熱インプリント等の微細加工技術、切削、射出成形などを用いて行うことができる。また、流路の形成は、接合層が形成されていない流路形成用基板に対して行ってもよく、接合層が形成された後の流路形成用基板に対して行ってもよい。接合層が形成されていない流路形成用基板に対する流路の形成は、例えば、フォトリソグラフィ、熱インプリント等の微細加工技術、切削、射出成形などを用いて行うことができる。接合層が形成された後の流路形成用基板に対する流路の形成は、例えば、フォトリソグラフィ、熱インプリント等の微細加工技術、切削などを、流路形成用基板の接合層が形成された面に対して適用することにより、行うことができる。
【0017】
＜蓋基板＞
蓋基板としては、流路基板に形成された微細な流路に蓋をし得る任意の環状オレフィン重合体製の基板を用いることができる。具体的には、蓋基板としては、流路基板に蓋をし得る平滑面を有し、任意に、流路基板と共にマイクロ流路チップを形成した際に流路基板の微細な流路内へのサンプル等の注入口となる貫通孔を有する基板を用いることができる。そして、蓋基板は、平滑面側を接合面として、流路基板と接合される。なお、蓋基板としては、流路基板に接合される平滑面側とは反対側の面に微細な流路が形成された基板を用いてもよい。
蓋基板としては、流路基板に形成された微細な流路に蓋をし得る任意の環状オレフィン重合体製の基板を用いることができる。具体的には、蓋基板としては、流路基板に蓋をし得る平滑面を有し、任意に、流路基板と共にマイクロ流路チップを形成した際に流路基板の微細な流路内へのサンプル等の注入口となる貫通孔を有する基板を用いることができる。そして、蓋基板は、平滑面側を接合面として、流路基板と接合される。なお、蓋基板としては、流路基板に接合される平滑面側とは反対側の面に微細な流路が形成された基板を用いてもよい。
【0018】
なお、環状オレフィン重合体製の基板への貫通孔の形成は、例えば、フォトリソグラフィ、熱インプリント等の微細加工技術、切削、射出成形などを用いて行うことができる。また、貫通孔の形成は、接合層が形成されていない流路形成用基板に対して行ってもよく、接合層が形成された後の流路形成用基板に対して行ってもよい。接合層が形成されていない流路形成用基板に対する貫通孔の形成は、例えば、フォトリソグラフィ、熱インプリント等の微細加工技術、切削、射出成形などを用いて行うことができる。接合層が形成された後の流路形成用基板に対する貫通孔の形成は、例えば、フォトリソグラフィ、熱インプリント等の微細加工技術、切削などを、流路形成用基板の接合層が形成された面に対して適用することにより、行うことができる。
【0019】
＜接合層＞
接合層は、流路基板上又は蓋基板上に形成され、流路基板と蓋基板を接合するための部材である。
接合層の厚さは、５０μｍ未満であり、４０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下が更に好ましい。接合層の厚さが薄いほど、接合層が薄膜となるため、マイクロ流路チップの蒸気滅菌処理を行った際の流路変形が抑制される。また、接合層の厚さは、流路基板と蓋基板との接着性を確保可能な最低限の厚さであればよく、例えば０．１μｍ以上、好ましくは０．１２μｍ以上、より好ましくは０．１５μｍｍ以上、更に好ましくは０．２μｍ以上であってもよい。
接合層の厚さの流路の深さに対する比は、例えば０．１／１００以上、好ましくは０．１２／１００以上、より好ましくは０．１５／１００以上、更に好ましくは０．２／１００以上であってもよい。また、接合層の厚さの流路の深さに対する比は、例えば５０／１００以下、好ましくは３０／１００以下、より好ましくは２０／１００以下、更に好ましくは１０／１００以下であってもよい。
接合層は、流路基板上又は蓋基板上に形成され、流路基板と蓋基板を接合するための部材である。
接合層の厚さは、５０μｍ未満であり、４０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下が更に好ましい。接合層の厚さが薄いほど、接合層が薄膜となるため、マイクロ流路チップの蒸気滅菌処理を行った際の流路変形が抑制される。また、接合層の厚さは、流路基板と蓋基板との接着性を確保可能な最低限の厚さであればよく、例えば０．１μｍ以上、好ましくは０．１２μｍ以上、より好ましくは０．１５μｍｍ以上、更に好ましくは０．２μｍ以上であってもよい。
接合層の厚さの流路の深さに対する比は、例えば０．１／１００以上、好ましくは０．１２／１００以上、より好ましくは０．１５／１００以上、更に好ましくは０．２／１００以上であってもよい。また、接合層の厚さの流路の深さに対する比は、例えば５０／１００以下、好ましくは３０／１００以下、より好ましくは２０／１００以下、更に好ましくは１０／１００以下であってもよい。
【0020】
＜流路基板、蓋基板、接合層の材料＞
流路基板、蓋基板、接合層の材料としては、環状オレフィン重合体が用いられる。環状オレフィン重合体は、吸湿による接合強度の経時的な低下および光学的安定性の低下が少ないため、耐久性に優れるマイクロ流路チップに適している。また、環状オレフィン重合体は、透明かつ低自家蛍光性の材料であるため、マイクロ流路チップの微細な流路からの光シグナル検出に適している。マイクロ流路チップの全ての材料を環状オレフィン重合体とし、自家蛍光性材料のような接着性材料を用いないことにより、接着性材料による自家蛍光による光シグナル検出の際のノイズを抑制することができる。流路基板、蓋基板、接合層の材料として用いられる環状オレフィン重合体は、後述するガラス転移温度の関係を満たす。このようなガラス転移温度の関係を満たすことにより、マイクロ流路チップの全ての材料を環状オレフィン重合体としても、基板同士の強力な接合性を維持することができる。流路基板、蓋基板、接合層の材料として用いられる環状オレフィン重合体の種類は、例えば、後述する具体例の中から、当該ガラス転移温度の関係を満たすものを適宜選択してもよい。流路基板、蓋基板、接合層の材料として用いられる環状オレフィン重合体は、吸水率が０．０１質量％以下の環状オレフィン重合体が好ましい。流路基板、蓋基板の材料として用いられる環状オレフィン重合体の種類は、同じであっても異なっていてもよい。
流路基板、蓋基板、接合層の材料としては、環状オレフィン重合体が用いられる。環状オレフィン重合体は、吸湿による接合強度の経時的な低下および光学的安定性の低下が少ないため、耐久性に優れるマイクロ流路チップに適している。また、環状オレフィン重合体は、透明かつ低自家蛍光性の材料であるため、マイクロ流路チップの微細な流路からの光シグナル検出に適している。マイクロ流路チップの全ての材料を環状オレフィン重合体とし、自家蛍光性材料のような接着性材料を用いないことにより、接着性材料による自家蛍光による光シグナル検出の際のノイズを抑制することができる。流路基板、蓋基板、接合層の材料として用いられる環状オレフィン重合体は、後述するガラス転移温度の関係を満たす。このようなガラス転移温度の関係を満たすことにより、マイクロ流路チップの全ての材料を環状オレフィン重合体としても、基板同士の強力な接合性を維持することができる。流路基板、蓋基板、接合層の材料として用いられる環状オレフィン重合体の種類は、例えば、後述する具体例の中から、当該ガラス転移温度の関係を満たすものを適宜選択してもよい。流路基板、蓋基板、接合層の材料として用いられる環状オレフィン重合体は、吸水率が０．０１質量％以下の環状オレフィン重合体が好ましい。流路基板、蓋基板の材料として用いられる環状オレフィン重合体の種類は、同じであっても異なっていてもよい。
【0021】
＜＜環状オレフィン重合体のガラス転移温度＞＞
流路基板ｓ１の材料である環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs1、蓋基板ｓ２の材料である環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs2、接合層の材料である環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇ2の関係は、以下を満たす。
Ｔｇs1＞Ｔｇ2、かつ
Ｔｇs2＞Ｔｇ2である。
上記の関係を満たすことにより、マイクロ流路チップの製造において、流路基板と蓋基板との接合を、Ｔｇ2より高く、かつＴｇs1及びＴｇs2より低い温度で行えば、流路基板と蓋基板を軟化、変形、変質させずに接合層のみを軟化させることができ、熱融着による接合が可能となる。
流路基板ｓ１の材料である環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs1、蓋基板ｓ２の材料である環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇs2、接合層の材料である環状オレフィン重合体のガラス転移温度Ｔｇ2の関係は、以下を満たす。
Ｔｇs1＞Ｔｇ2、かつ
Ｔｇs2＞Ｔｇ2である。
上記の関係を満たすことにより、マイクロ流路チップの製造において、流路基板と蓋基板との接合を、Ｔｇ2より高く、かつＴｇs1及びＴｇs2より低い温度で行えば、流路基板と蓋基板を軟化、変形、変質させずに接合層のみを軟化させることができ、熱融着による接合が可能となる。
【0022】
Ｔｇs1は、１２５℃以上が好ましく、１３０℃以上がより好ましい。Ｔｇs1がこのような範囲にあることにより、マイクロ流路チップの製造及び滅菌時の加熱（例、オートクレーブ）による流路基板の軟化、変形、変質を抑制することができる。また、Ｔｇs1は、１８０℃以下が好ましく、１６０℃以下がより好ましい。更に、この場合において、Ｔｇs1とＴｇ2の差は、１０℃以上（即ち、Ｔｇs1≧Ｔｇ2＋１０℃）が好ましく、１５℃以上（即ち、Ｔｇs1≧Ｔｇ2＋１５℃）がより好ましく、２０℃以上（即ち、Ｔｇs1≧Ｔｇ2＋２０℃）が更に好ましい。Ｔｇs1とＴｇ2の差が大きくなるほど、マイクロ流路チップの製造において、流路基板を軟化、変形、変質させずに接合層のみを軟化させるための加熱温度設定が容易となる。また、Ｔｇs1とＴｇ2の差は、１００℃以下が好ましく、９０℃以下がより好ましく、８０℃以下が更に好ましい。Ｔｇs1とＴｇ2の差が小さくなるほど、接合層の温度安定性が良好となる。
【0023】
Ｔｇs2は、１２５℃以上が好ましく、１３０℃以上がより好ましい。Ｔｇs2がこのような範囲にあることにより、マイクロ流路チップの製造及び滅菌時の加熱（例、オートクレーブ）による蓋基板の軟化、変形、変質を抑制することができる。また、Ｔｇs2は、１８０℃以下が好ましく、１６０℃以下がより好ましい。更に、この場合において、Ｔｇs2とＴｇ2の差は、１０℃以上（即ち、Ｔｇs2≧Ｔｇ2＋１０℃）が好ましく、１５℃以上（即ち、Ｔｇs2≧Ｔｇ2＋１５℃）がより好ましく、２０℃以上（即ち、Ｔｇs2≧Ｔｇ2＋２０℃）が更に好ましい。Ｔｇs2とＴｇ2の差が大きくなるほど、マイクロ流路チップの製造において、蓋基板を軟化、変形、変質させずに接合層のみを軟化させるための加熱温度設定が容易となる。また、Ｔｇs2とＴｇ2の差は、１００℃以下が好ましく、９０℃以下がより好ましく、８０℃以下が更に好ましい。Ｔｇs2とＴｇ2の差が小さくなるほど、接合層の温度安定性が良好となる。
【0024】
Ｔｇ2は、５０℃以上が好ましく、６５℃以上がより好ましい。Ｔｇ2がこのような範囲にあることにより、接合層の温度安定性が良好となる。また、Ｔｇ2は、１３０℃以下が好ましく、１１０℃以下がより好ましく、１００℃以下がさらに好ましい。Ｔｇ2がこのような範囲にあることにより、マイクロ流路チップの製造において、接合層のみを軟化させるための加熱温度設定が容易となる。
【0025】
本発明においてガラス転移温度は、ＪＩＳ－Ｋ７１２１に基づいて示差走査熱量分析法（ＤＳＣ）で測定することができる。
【0026】
＜＜環状オレフィン重合体の種類＞＞
環状オレフィン重合体は、例えば、後述するような単量体を重合して得られる重合体又は共重合体（以下、まとめて「重合体」と呼ぶこともある。）、あるいはそれらの水素化物である。環状オレフィン重合体は、結晶性でも非晶性でも良いが、非晶性であることが好ましい。環状オレフィン重合体の単量体としては、好ましくはノルボルネン系単量体が挙げられる。ノルボルネン系単量体は、ノルボルネン環を含む単量体である。ノルボルネン系単量体としては、例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン（慣用名：ノルボルネン）、５－エチリデン－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン（慣用名：エチリデンノルボルネン）、および、それらの誘導体（環に置換基を有するもの）等の２環式単量体；トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカ－３，８－ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、および、その誘導体等の３環式単量体；テトラシクロ［７．４．０．０2,7．１10,13］テトラデカ－２，４，６，１１－テトラエン（慣用名：メタノテトラヒドロフルオレン）、テトラシクロ［６．２．１．１3,6．０2,7］ドデカ－４－エン（慣用名：テトラシクロドデセン）、９－エチリデンテトラシクロ［６．２．１．１3,6．０2,7］ドデカ－４－エン、および、それらの誘導体等の４環式単量体；等が挙げられる。これらの単量体は、任意の位置に置換基を有していてもよい。置換基としては、アルキル基、アルキレン基、ビニル基、アルコキシカルボニル基、アルキリデン基などが例示でき、上記ノルボルネン系単量体は、これらを２種以上有していてもよい。誘導体としては、具体的には、８－メトキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ－３－エン、８－メチル－８－メトキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ－３－エン、８－エチリデン－テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ－３－エンなどが挙げられる。これらのノルボルネン系単量体は、それぞれ単独で又は２種以上を組み合わせて用いられてもよい。また、環状オレフィン重合体は、付加重合体であってもよいし、開環重合体であってもよいし、それらの水素化物であってもよいが、開環重合体または開環重合体水素化物であることが好ましい。基板（流路基板、蓋基板）の材料として用いられる環状オレフィン重合体は、単量体の合計１００重量部に対してメタノテトラヒドロフルオレン（ＭＴＦ）の含有量が２５重量部以上の単量体を重合して得られる重合体が好ましい。接合層の材料として用いられる環状オレフィン重合体は、単量体の合計１００重量部に対してジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）の含有量が３０重量部以上の単量体を重合して得られる重合体が好ましい。
環状オレフィン重合体は、例えば、後述するような単量体を重合して得られる重合体又は共重合体（以下、まとめて「重合体」と呼ぶこともある。）、あるいはそれらの水素化物である。環状オレフィン重合体は、結晶性でも非晶性でも良いが、非晶性であることが好ましい。環状オレフィン重合体の単量体としては、好ましくはノルボルネン系単量体が挙げられる。ノルボルネン系単量体は、ノルボルネン環を含む単量体である。ノルボルネン系単量体としては、例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン（慣用名：ノルボルネン）、５－エチリデン－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン（慣用名：エチリデンノルボルネン）、および、それらの誘導体（環に置換基を有するもの）等の２環式単量体；トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカ－３，８－ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、および、その誘導体等の３環式単量体；テトラシクロ［７．４．０．０2,7．１10,13］テトラデカ－２，４，６，１１－テトラエン（慣用名：メタノテトラヒドロフルオレン）、テトラシクロ［６．２．１．１3,6．０2,7］ドデカ－４－エン（慣用名：テトラシクロドデセン）、９－エチリデンテトラシクロ［６．２．１．１3,6．０2,7］ドデカ－４－エン、および、それらの誘導体等の４環式単量体；等が挙げられる。これらの単量体は、任意の位置に置換基を有していてもよい。置換基としては、アルキル基、アルキレン基、ビニル基、アルコキシカルボニル基、アルキリデン基などが例示でき、上記ノルボルネン系単量体は、これらを２種以上有していてもよい。誘導体としては、具体的には、８－メトキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ－３－エン、８－メチル－８－メトキシカルボニル－テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ－３－エン、８－エチリデン－テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ－３－エンなどが挙げられる。これらのノルボルネン系単量体は、それぞれ単独で又は２種以上を組み合わせて用いられてもよい。また、環状オレフィン重合体は、付加重合体であってもよいし、開環重合体であってもよいし、それらの水素化物であってもよいが、開環重合体または開環重合体水素化物であることが好ましい。基板（流路基板、蓋基板）の材料として用いられる環状オレフィン重合体は、単量体の合計１００重量部に対してメタノテトラヒドロフルオレン（ＭＴＦ）の含有量が２５重量部以上の単量体を重合して得られる重合体が好ましい。接合層の材料として用いられる環状オレフィン重合体は、単量体の合計１００重量部に対してジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）の含有量が３０重量部以上の単量体を重合して得られる重合体が好ましい。
【0027】
上述した開環重合体は、開環重合触媒を用いる方法により製造することができる。開環重合触媒としては、例えば、ルテニウム、オスミウムなどの金属のハロゲン化物と、硝酸塩又はアセチルアセトン化合物、及び還元剤とからなる触媒、又は、チタン、ジルコニウム、タングステン、モリブデンなどの金属のハロゲン化物又はアセチルアセトン化合物と、有機アルミニウム化合物とからなる触媒を用いることができる。開環重合体は、例えば、国際公開第２０１０／１１０３２３号に記載のルテニウムカルベン錯体触媒などのメタセシス反応触媒（開環重合触媒）を用いる方法、および、特開２０１５－５４８８５号公報に記載のタングステン（フェニルイミド）テトラクロリド・テトラヒドロフラン錯体、六塩化タングステン等の開環重合触媒を用いる方法、などにより製造することができる。
上述した付加重合体は、単量体を、公知の付加重合触媒、例えば、チタン、ジルコニウム又はバナジウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒を用いて重合させて得ることができる。付加重合体は、例えば、国際公開第２０１７／１９９９８０号に記載のメタロセン触媒の存在下に、環状オレフィン重合体の単量体及び必要に応じて、付加共重合可能な単量体（他の単量体）を付加共重合することにより製造することができる。
上述した付加重合体は、単量体を、公知の付加重合触媒、例えば、チタン、ジルコニウム又はバナジウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒を用いて重合させて得ることができる。付加重合体は、例えば、国際公開第２０１７／１９９９８０号に記載のメタロセン触媒の存在下に、環状オレフィン重合体の単量体及び必要に応じて、付加共重合可能な単量体（他の単量体）を付加共重合することにより製造することができる。
【0028】
ノルボルネン系単量体と開環共重合可能な他の単量体としては、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテンなどの単環の環状オレフィン系単量体などを挙げることができる。
これらの、ノルボルネン系単量体と開環共重合可能なその他の単量体は、それぞれ単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。ノルボルネン系単量体とこれと開環共重合可能なその他の単量体とを開環共重合する場合は、開環重合体中のノルボルネン系単量体由来の構造単位と開環共重合可能なその他の単量体由来の構造単位との割合が、重量比で通常７０：３０～９９：１、好ましくは８０：２０～９９：１、より好ましくは９０：１０～９９：１の範囲となるように適宜選択される。
これらの、ノルボルネン系単量体と開環共重合可能なその他の単量体は、それぞれ単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。ノルボルネン系単量体とこれと開環共重合可能なその他の単量体とを開環共重合する場合は、開環重合体中のノルボルネン系単量体由来の構造単位と開環共重合可能なその他の単量体由来の構造単位との割合が、重量比で通常７０：３０～９９：１、好ましくは８０：２０～９９：１、より好ましくは９０：１０～９９：１の範囲となるように適宜選択される。
【0029】
ノルボルネン系単量体と付加共重合可能なその他の単量体としては、例えば、エチレン、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセンなどの炭素数２～２０のα－オレフィン、及びこれらの誘導体；シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ－テトラヒドロ－４，７－メタノ－１Ｈ－インデンなどのシクロオレフィン、及びこれらの誘導体；１，４－ヘキサジエン、４－メチル－１，４－ヘキサジエン、５－メチル－１，４－ヘキサジエン、１，７－オクタジエンなどの非共役ジエン；などが挙げられる。これらの中でも、α－オレフィンが好ましく、エチレンが特に好ましい。
これらの、ノルボルネン系単量体と付加共重合可能なその他の単量体は、それぞれ単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。ノルボルネン系単量体とこれと付加共重合可能なその他の単量体とを付加共重合する場合は、付加重合体中のノルボルネン系単量体由来の構造単位と付加共重合可能なその他の単量体由来の構造単位との割合が、重量比で通常３０：７０～９９：１、好ましくは５０：５０～９７：３、より好ましくは７０：３０～９５：５の範囲となるように適宜選択される。
これらの、ノルボルネン系単量体と付加共重合可能なその他の単量体は、それぞれ単独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができる。ノルボルネン系単量体とこれと付加共重合可能なその他の単量体とを付加共重合する場合は、付加重合体中のノルボルネン系単量体由来の構造単位と付加共重合可能なその他の単量体由来の構造単位との割合が、重量比で通常３０：７０～９９：１、好ましくは５０：５０～９７：３、より好ましくは７０：３０～９５：５の範囲となるように適宜選択される。
【0030】
さらに、開環重合体を水素化して脂環式構造含有開環重合体水素化物を製造する方法としては、例えば、国際公開第２０１０／１１０３２３号に記載の水素化触媒を用いる方法などが挙げられる。また、例えば、開環重合触媒として上述したルテニウムカルベン錯体触媒を用いて、脂環式構造含有重合体を製造した後、当該ルテニウムカルベン触媒をそのまま水素化触媒としても使用し、脂環式構造含有開環重合体を水素化して脂環式構造含有開環重合体水素化物を製造することもできる。
【0031】
環状オレフィン重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、重合に用いる単量体の種類及び配合率、重合体の平均分子量及び分子量分布等に応じて適宜調整することができる。
【0032】
本発明のマイクロ流路チップにおいて、流路基板、蓋基板、及び接合層の少なくとも１つは、Ｔｇの異なる２層以上から構成されていてもよい。
【0033】
（マイクロ流路チップの製造方法）
本発明のマイクロ流路チップは、例えば、下記に説明する製造方法（以下、「本発明の製造方法」と呼ぶ。）により製造することができる。
本発明のマイクロ流路チップは、例えば、下記に説明する製造方法（以下、「本発明の製造方法」と呼ぶ。）により製造することができる。
【0034】
本発明の製造方法は、流路基板と蓋基板を接合層を介して熱融着によって接合することを含む。
【0035】
一実施形態では、本発明の製造方法は、基板の全面に接合層を形成した後に、基板上に流路を形成する順序を経て行われてもよい。即ち、本発明の製造方法は、以下の工程を経て行われてもよい。
（１）流路形成用基板及び蓋基板の少なくとも一方上に接合層を形成する工程、
（２）接合層が形成された流路形成用基板又は接合層が形成されていない流路形成用基板に、例えば、切削、フォトリソグラフィ、又は熱インプリントにより流路を形成して、接合層が形成された流路基板又は接合層が形成されていない流路基板を形成する工程、
（３）接合層が形成された流路基板と接合層が形成されていない蓋基板との組合せ、接合層が形成されていない流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せ、及び接合層が形成された流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せの少なくとも一つの組合せを、接合層を介して熱融着によって接合する工程。
この実施形態による製造方法の概念図の例を図１に示す。
（１）流路形成用基板及び蓋基板の少なくとも一方上に接合層を形成する工程、
（２）接合層が形成された流路形成用基板又は接合層が形成されていない流路形成用基板に、例えば、切削、フォトリソグラフィ、又は熱インプリントにより流路を形成して、接合層が形成された流路基板又は接合層が形成されていない流路基板を形成する工程、
（３）接合層が形成された流路基板と接合層が形成されていない蓋基板との組合せ、接合層が形成されていない流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せ、及び接合層が形成された流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せの少なくとも一つの組合せを、接合層を介して熱融着によって接合する工程。
この実施形態による製造方法の概念図の例を図１に示す。
【0036】
この実施形態において、接合層の形成は、接合層の材料となる環状オレフィン重合体の溶液を基板の全面に薄膜塗布し、溶媒を蒸発させることによって行ってもよい。溶媒としては、例えば、シクロヘキサン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、デカリン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の有機溶媒が挙げられ、混合溶媒として用いても良い。溶媒の蒸発は、例えば、接合層の材料となる環状オレフィン重合体のガラス転移温度よりも低い温度での乾燥（例、加熱乾燥、室温乾燥）、加熱真空（減圧）乾燥、またはこれらの組合せにより行ってもよい。
【0037】
また、この実施形態では、接合層が形成された流路形成用基板に流路を形成する場合、流路形成用基板の接合層が形成された面に、例えば、切削、フォトリソグラフィ、又は熱インプリント等の加工を行って、流路形成用基板の流路形成部分を接合層ごと除去することによって行われる。
【0038】
別の実施形態では、本発明の製造方法は、流路が形成された基板（流路基板）を作成した後に、基板（流路基板、蓋基板）の面における流路に相当する部分以外の部分上に接合層を形成する順序を経て行われてもよい。即ち、本発明の製造方法は、以下の工程を経て行われてもよい。
（１）少なくとも一方の面に流路が形成された流路基板を形成する工程、
（２）流路基板及び蓋基板の少なくとも一方の、少なくとも一方の面における流路に相当する部分以外の部分上に接合層を形成する工程、
（３）接合層が形成された流路基板と接合層が形成されていない蓋基板との組合せ、接合層が形成されていない流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せ、及び接合層が形成された流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せの少なくとも一つの組合せを、接合層を介して熱融着によって接合する工程。
この実施形態による製造方法の概念図の例を図２に示す。
（１）少なくとも一方の面に流路が形成された流路基板を形成する工程、
（２）流路基板及び蓋基板の少なくとも一方の、少なくとも一方の面における流路に相当する部分以外の部分上に接合層を形成する工程、
（３）接合層が形成された流路基板と接合層が形成されていない蓋基板との組合せ、接合層が形成されていない流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せ、及び接合層が形成された流路基板と接合層が形成された蓋基板との組合せの少なくとも一つの組合せを、接合層を介して熱融着によって接合する工程。
この実施形態による製造方法の概念図の例を図２に示す。
【0039】
この実施形態において、少なくとも一方の面に流路が形成された流路基板は、例えば、基板の材料となる環状オレフィン重合体の射出成形を行うことにより形成してもよく、流路形成用基板に、例えば、フォトリソグラフィ、熱インプリント等の微細加工技術、又は切削を行うことにより形成してもよい。
【0040】
また、この実施形態において、接合層の形成は、接合層の材料となる環状オレフィン重合体の溶液を、基板上の流路相当部分以外の部分にスクリーン印刷するか、又は基板上の流路相当部分をマスキングしてスプレー塗布することにより、パターン塗布し、溶媒を蒸発させることによって行ってもよい。
【0041】
製造容易性の観点から、本発明の製造方法は、基板の全面に接合層を形成することを経てた実施形態で行われることが好ましい。
【0042】
熱融着は、流路基板と蓋基板を接合層を介して重ね合わせて、仮止め接合体を形成し、仮止め接合体をＴｇ2より高く、かつＴｇs1及びＴｇs2より低い温度で加熱することにより行われる。熱融着を行う手段としては、例えば、オートクレーブ、熱プレス、ロールプレス等が挙げられる。熱融着を行う温度は、Ｔｇ2+５℃以上が好ましく、Ｔｇ2+１０℃以上がより好ましい。また、熱融着を行う温度は、Ｔｇ2+５０℃以下が好ましく、Ｔｇ2+４０℃以下がより好ましい。熱融着を行う前に、仮止め接合体から噛みこんだ空気を抜き、圧着を行うことが好ましいが、少量の気泡はオートクレーブ加工時に拡散する為、大きな空気が噛みこんでいなければ問題は無い。
【0043】
本発明の製造方法において、流路基板、蓋基板、及び接合層の少なくとも１つは、Ｔｇの異なる２層以上から構成されていてもよい。
【実施例】
【0044】
以下、本発明について実施例に基づき具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【0045】
＜物性の測定および評価方法＞
各種の物性の測定および評価は、下記の方法に従って行った。
各種の物性の測定および評価は、下記の方法に従って行った。
【0046】
（重量平均分子量Ｍｗの測定方法）
重量平均分子量Ｍｗは、シクロヘキサンを溶離液とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定し、標準ポリイソプレン換算値として求めた。標準ポリイソプレンとしては、東ソー株式会社製標準ポリイソプレンを用いた。サンプルがシクロヘキサンに溶解しない場合は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶離液としてＧＰＣにより測定し、標準ポリスチレン換算値として求めた。標準ポリスチレンとしては、東ソー株式会社製標準ポリスチレンを用いた。
重量平均分子量Ｍｗは、シクロヘキサンを溶離液とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定し、標準ポリイソプレン換算値として求めた。標準ポリイソプレンとしては、東ソー株式会社製標準ポリイソプレンを用いた。サンプルがシクロヘキサンに溶解しない場合は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶離液としてＧＰＣにより測定し、標準ポリスチレン換算値として求めた。標準ポリスチレンとしては、東ソー株式会社製標準ポリスチレンを用いた。
【0047】
（ガラス転移温度測定方法）
ガラス転移温度（Ｔｇ）は、示差走査熱量分析計（ナノテクノロジー社製、製品名：ＤＳＣ６２２０ＳＩＩ）を用いて、ＪＩＳ－Ｋ７１２１に基づき、昇温速度１０℃／分の条件で測定した。
ガラス転移温度（Ｔｇ）は、示差走査熱量分析計（ナノテクノロジー社製、製品名：ＤＳＣ６２２０ＳＩＩ）を用いて、ＪＩＳ－Ｋ７１２１に基づき、昇温速度１０℃／分の条件で測定した。
【0048】
［１－１．環状オレフィン重合体（ＣＯＰ）の製造］
＜ＣＯＰ－１の製造＞
（１－１－１）開環重合体の製造：
内部を窒素置換したガラス製反応容器に、後述する単量体の合計１００重量部に対して２００重量部の脱水したシクロヘキサン、１－ヘキセン０．７５ｍｏｌ％、ジイソプロピルエーテル０．１５ｍｏｌ％、及びトリイソブチルアルミニウム０．４４ｍｏｌ％を、室温で反応器に入れ、混合した。その後、４５℃に保ちながら、反応器に、単量体としてのメタノテトラヒドロフルオレン（ＭＴＦ）２８重量部、テトラシクロドデセン（ＴＣＤ）３５重量部、及びジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）３７重量部と、六塩化タングステン（０．６５重量％トルエン溶液）０．０２ｍｏｌ％とを、並行して２時間かけて連続的に添加し、重合した。次いで、重合溶液に、イソプロピルアルコール０．２ｍｏｌ％を加えて重合触媒を不活性化し、重合反応を停止させた。前記の説明において、単位「ｍｏｌ％」で示される量は、いずれも、単量体の合計量を１００ｍｏｌ％とした値である。得られたノルボルネン系開環重合体の重量平均分子量Ｍｗは２．８×１０4、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１であった。また、単量体の重合体への転化率は、１００％であった。
＜ＣＯＰ－１の製造＞
（１－１－１）開環重合体の製造：
内部を窒素置換したガラス製反応容器に、後述する単量体の合計１００重量部に対して２００重量部の脱水したシクロヘキサン、１－ヘキセン０．７５ｍｏｌ％、ジイソプロピルエーテル０．１５ｍｏｌ％、及びトリイソブチルアルミニウム０．４４ｍｏｌ％を、室温で反応器に入れ、混合した。その後、４５℃に保ちながら、反応器に、単量体としてのメタノテトラヒドロフルオレン（ＭＴＦ）２８重量部、テトラシクロドデセン（ＴＣＤ）３５重量部、及びジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）３７重量部と、六塩化タングステン（０．６５重量％トルエン溶液）０．０２ｍｏｌ％とを、並行して２時間かけて連続的に添加し、重合した。次いで、重合溶液に、イソプロピルアルコール０．２ｍｏｌ％を加えて重合触媒を不活性化し、重合反応を停止させた。前記の説明において、単位「ｍｏｌ％」で示される量は、いずれも、単量体の合計量を１００ｍｏｌ％とした値である。得られたノルボルネン系開環重合体の重量平均分子量Ｍｗは２．８×１０4、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１であった。また、単量体の重合体への転化率は、１００％であった。
【0049】
（１－１－２）水素化によるノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－１）の製造：
次いで、前記の工程（１－１－１）で得られた開環重合体を含む反応溶液３００重量部を攪拌器付きオートクレーブに移し、ケイソウ土担持ニッケル触媒（日揮化学社製「Ｔ８４００ＲＬ」、ニッケル担持率５７％）３重量部を添加し、水素圧４．５ＭＰａ、１６０℃で４時間オートクレーブして、水素化反応を行なった。
次いで、前記の工程（１－１－１）で得られた開環重合体を含む反応溶液３００重量部を攪拌器付きオートクレーブに移し、ケイソウ土担持ニッケル触媒（日揮化学社製「Ｔ８４００ＲＬ」、ニッケル担持率５７％）３重量部を添加し、水素圧４．５ＭＰａ、１６０℃で４時間オートクレーブして、水素化反応を行なった。
【0050】
水素化反応の終了後、得られた溶液を、ラヂオライト＃５００を濾過床として、圧力０．２５ＭＰａで加圧濾過（石川島播磨重工社製「フンダバックフィルター」）して、水素化触媒を除去し、無色透明な溶液を得た。得られた溶液を、大量のイソプロパノール中に注ぎ、開環重合体の水素化物としてのノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－１）を沈殿させた。沈殿したノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－１）を濾取した後に、真空乾燥機（２２０℃、１Ｔｏｒｒ）で６時間乾燥させて、ノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－１）を得た。ノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－１）の重量平均分子量は３．５×１０4、分子量分布Ｍｗ／Ｍｎは２．３であった。
【0051】
得られたノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－１）のガラス転移温度Ｔｇは、１３４℃であった。
【0052】
（１－１－３）熱可塑性ノルボルネン系樹脂の製造：
前記の工程（１－１－２）で得られたノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－１）を二軸押出機に投入し、熱溶融押出成形によりストランド状の成形体に成形した。この成形体をストランドカッターを用いて細断して、ノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－１）を含む熱可塑性ノルボルネン系樹脂のペレットを得た。
前記の工程（１－１－２）で得られたノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－１）を二軸押出機に投入し、熱溶融押出成形によりストランド状の成形体に成形した。この成形体をストランドカッターを用いて細断して、ノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－１）を含む熱可塑性ノルボルネン系樹脂のペレットを得た。
【0053】
＜ＣＯＰ－２の製造＞
単量体として、テトラシクロドデセン（ＴＣＤ）３３重量部、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）３３重量部、及びノルボルネン（ＮＢ）３４重量部を用いた以外はＣＯＰ－１の製造と同様にして、ノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－２）及びＣＯＰ－２を含む熱可塑性ノルボルネン系樹脂のペレットを得た。ＣＯＰ－２のガラス転移温度Ｔｇは、７０℃であった。
単量体として、テトラシクロドデセン（ＴＣＤ）３３重量部、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）３３重量部、及びノルボルネン（ＮＢ）３４重量部を用いた以外はＣＯＰ－１の製造と同様にして、ノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－２）及びＣＯＰ－２を含む熱可塑性ノルボルネン系樹脂のペレットを得た。ＣＯＰ－２のガラス転移温度Ｔｇは、７０℃であった。
【0054】
＜ＣＯＰ－３の製造＞
単量体として、テトラシクロドデセン（ＴＣＤ）２２重量部、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）７３重量部、及びノルボルネン（ＮＢ）５重量部を用いた以外はＣＯＰ－１の製造と同様にして、ノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－３）及びＣＯＰ－３を含む熱可塑性ノルボルネン系樹脂のペレットを得た。ＣＯＰ－３のガラス転移温度Ｔｇは、１０４℃であった。
単量体として、テトラシクロドデセン（ＴＣＤ）２２重量部、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）７３重量部、及びノルボルネン（ＮＢ）５重量部を用いた以外はＣＯＰ－１の製造と同様にして、ノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－３）及びＣＯＰ－３を含む熱可塑性ノルボルネン系樹脂のペレットを得た。ＣＯＰ－３のガラス転移温度Ｔｇは、１０４℃であった。
【0055】
＜ＣＯＰ－４の製造＞
単量体として、メタノテトラヒドロフルオレン（ＭＴＦ）８重量部、テトラシクロドデセン（ＴＣＤ）３６重量部、及びジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）５６重量部を用いた以外はＣＯＰ－１の製造と同様にして、ノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－４）及びＣＯＰ－４を含む熱可塑性ノルボルネン系樹脂のペレットを得た。ＣＯＰ－４のガラス転移温度Ｔｇは、１２４℃であった。
単量体として、メタノテトラヒドロフルオレン（ＭＴＦ）８重量部、テトラシクロドデセン（ＴＣＤ）３６重量部、及びジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）５６重量部を用いた以外はＣＯＰ－１の製造と同様にして、ノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－４）及びＣＯＰ－４を含む熱可塑性ノルボルネン系樹脂のペレットを得た。ＣＯＰ－４のガラス転移温度Ｔｇは、１２４℃であった。
【0056】
＜ＣＯＰ－５の製造＞
単量体として、メタノテトラヒドロフルオレン（ＭＴＦ）４０重量部、テトラシクロドデセン（ＴＣＤ）５６重量部、及びジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）４重量部を用いた以外はＣＯＰ－１の製造と同様にして、ノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－５）及びＣＯＰ－５を含む熱可塑性ノルボルネン系樹脂のペレットを得た。ＣＯＰ－５のガラス転移温度Ｔｇは、１５６℃であった。
単量体として、メタノテトラヒドロフルオレン（ＭＴＦ）４０重量部、テトラシクロドデセン（ＴＣＤ）５６重量部、及びジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）４重量部を用いた以外はＣＯＰ－１の製造と同様にして、ノルボルネン系環状オレフィン重合体（ＣＯＰ－５）及びＣＯＰ－５を含む熱可塑性ノルボルネン系樹脂のペレットを得た。ＣＯＰ－５のガラス転移温度Ｔｇは、１５６℃であった。
【0057】
［１－２．環状オレフィン共重合体（ＣＯＣ）の製造］
シクロヘキサン２５８リットルを装入した反応容器に、常温、窒素気流下でビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン（以下、「ＮＢ」という）（１２０ｋｇ）を加え、５分間撹拌を行った。さらにトリイソブチルアルミニウムを系内の濃度が１．０ｍＬ／リットルとなるように添加した。続いて、撹拌しながら常圧でエチレンを流通させ系内をエチレン雰囲気とした。オートクレーブの内温を７０℃に保ち、エチレンにて内圧がゲージ圧で６ｋｇ／ｃｍ2となるように加圧した。１０分間撹拌した後、予め用意したイソプロピリデン（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジルコニウムジクロリド及びメチルアルモキサンを含むトルエン溶液０．４リットルを系内に添加することによって、エチレン、ＮＢの共重合反応を開始させた。このときの触媒濃度は、全系に対してイソプロピリデン（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジルコニウムジクロリドが０．０１８ｍｍｏｌ／リットルであり、メチルアルモキサンが８．０ｍｍｏｌ／リットルであった。
シクロヘキサン２５８リットルを装入した反応容器に、常温、窒素気流下でビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン（以下、「ＮＢ」という）（１２０ｋｇ）を加え、５分間撹拌を行った。さらにトリイソブチルアルミニウムを系内の濃度が１．０ｍＬ／リットルとなるように添加した。続いて、撹拌しながら常圧でエチレンを流通させ系内をエチレン雰囲気とした。オートクレーブの内温を７０℃に保ち、エチレンにて内圧がゲージ圧で６ｋｇ／ｃｍ2となるように加圧した。１０分間撹拌した後、予め用意したイソプロピリデン（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジルコニウムジクロリド及びメチルアルモキサンを含むトルエン溶液０．４リットルを系内に添加することによって、エチレン、ＮＢの共重合反応を開始させた。このときの触媒濃度は、全系に対してイソプロピリデン（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジルコニウムジクロリドが０．０１８ｍｍｏｌ／リットルであり、メチルアルモキサンが８．０ｍｍｏｌ／リットルであった。
【0058】
重合中、系内にエチレンを連続的に供給することにより、温度を７０℃、内圧をゲージ圧で６ｋｇ／ｃｍ2に保持した。６０分後、イソプロピルアルコールを添加することにより、重合反応を停止した。脱圧後、ポリマー溶液を取り出し、その後、水１ｍ3に対し濃塩酸５リットルを添加した水溶液と１：１の割合で強撹拌下に接触させ、触媒残渣を水相へ移行させた。この接触混合液を静置したのち、水相を分離除去し、さらに水洗を２回行い、重合液相を精製分離した。
【0059】
次いで、精製分離された重合液を３倍量のアセトンと強撹拌下で接触させ、共重合体を析出させた後、固体部（共重合体）を濾過により採取し、アセトンで十分洗浄した。さらに、ポリマー中に存在する未反応のモノマーを抽出するため、この固体部を４０ｋｇ／ｍ3となるようにアセトン中に投入した後、６０℃で２時間の条件で抽出操作を行った。抽出処理後、固体部を濾過により採取し、窒素流通下、１３０℃、３５０ｍｍＨｇで１２時間乾燥し、エチレン・ＮＢ共重合体（環状オレフィン共重合体：ＣＯＣ）を得た。得られたエチレン・ＮＢ共重合体（ＣＯＣ）１００重量部、酸化防止剤（イルガノックス（登録商標）１０１０）０．１重量部を２軸混練機で混練して、エチレン・ＮＢ共重合体（ＣＯＣ）を含む熱可塑性ノルボルネン系樹脂のペレットを得た。
【0060】
以上のようにして、得られたエチレン・ＮＢ共重合体（ＣＯＣ）のＴｇは１３７℃であり、ＮＢ単位含量は５１モル％であった。
【0061】
［２．基板の製造］
実施例１～１０、比較例１、２において、表１に示す基板用環状オレフィン重合体または環状オレフィン共重合体（熱可塑性ノルボルネン系樹脂のペレット：ＣＯＰ－１、ＣＯＰ－５、またはＣＯＣ）をＴｇ－２０℃で５時間乾燥した。その後、常法によって該ペレットを射出成形機（ＦＡＮＵＣ ＲＯＢＯＳＨＯＴ（登録商標）α１００Ｂ、ファナック社製）を用いて樹脂温度Ｔｇ＋１５０℃、型温Ｔｇ－１０℃、保圧８０ＭＰａで射出成形し、平板１００ｍｍ×１００ｍｍ×２ｍｍの成形品として基板（流路形成用基板及び蓋基板）を得た。
実施例１～１０、比較例１、２において、表１に示す基板用環状オレフィン重合体または環状オレフィン共重合体（熱可塑性ノルボルネン系樹脂のペレット：ＣＯＰ－１、ＣＯＰ－５、またはＣＯＣ）をＴｇ－２０℃で５時間乾燥した。その後、常法によって該ペレットを射出成形機（ＦＡＮＵＣ ＲＯＢＯＳＨＯＴ（登録商標）α１００Ｂ、ファナック社製）を用いて樹脂温度Ｔｇ＋１５０℃、型温Ｔｇ－１０℃、保圧８０ＭＰａで射出成形し、平板１００ｍｍ×１００ｍｍ×２ｍｍの成形品として基板（流路形成用基板及び蓋基板）を得た。
【0062】
［３．基板上での接合層の形成］
（３－１．実施例１～８、比較例１、２での接合層の形成）
表１に示す接合層用熱可塑性ノルボルネン系樹脂（ＣＯＰ－２、ＣＯＰ－３、ＣＯＰ－４、またはＣＯＰ－１）のペレット２０重量部に対して、シクロヘキサン（特級：和光純薬製）を８０重量部をそれぞれガラス製密閉容器（パイレックス（登録商標）メディウム瓶：コーニング製）に密閉し、室温で振とう溶解させて、固形分濃度が２０重量％のシクロヘキサン溶液（接合層用溶液）を作成した。
得られた接合層用溶液を、上で得られた平板１００ｍｍ×１００ｍｍ×２ｍｍ成形品（流路形成用基板：ＣＯＰ－１またはＣＯＣ）上にキャストし、小型自動フィルムアプリケーター（オールグッド社製）を用いてウェットコーティングを行った。コーティングされた平板成形品を室温にて１０分ほど乾燥させ、次に８０℃オーブンにて１時間加熱乾燥を行い、接合層をコーティングした成形品（接合層が形成された流路形成用基板）を得た。
（３－１．実施例１～８、比較例１、２での接合層の形成）
表１に示す接合層用熱可塑性ノルボルネン系樹脂（ＣＯＰ－２、ＣＯＰ－３、ＣＯＰ－４、またはＣＯＰ－１）のペレット２０重量部に対して、シクロヘキサン（特級：和光純薬製）を８０重量部をそれぞれガラス製密閉容器（パイレックス（登録商標）メディウム瓶：コーニング製）に密閉し、室温で振とう溶解させて、固形分濃度が２０重量％のシクロヘキサン溶液（接合層用溶液）を作成した。
得られた接合層用溶液を、上で得られた平板１００ｍｍ×１００ｍｍ×２ｍｍ成形品（流路形成用基板：ＣＯＰ－１またはＣＯＣ）上にキャストし、小型自動フィルムアプリケーター（オールグッド社製）を用いてウェットコーティングを行った。コーティングされた平板成形品を室温にて１０分ほど乾燥させ、次に８０℃オーブンにて１時間加熱乾燥を行い、接合層をコーティングした成形品（接合層が形成された流路形成用基板）を得た。
【0063】
（３－２．実施例９での接合層の形成）
表１に示す接合層用熱可塑性ノルボルネン系樹脂（ＣＯＰ－２）のペレット２０重量部に対して、キシレン（特級：和光純薬製）を８０重量部をそれぞれガラス製密閉容器（パイレックス（登録商標）メディウム瓶：コーニング製）に密閉し、室温で振とう溶解させて、固形分濃度が２０重量％のキシレン溶液（接合層用溶液）を作成した。
得られた接合層用溶液を、上で得られた平板１００ｍｍ×１００ｍｍ×２ｍｍ成形品（流路形成用基板：ＣＯＰ－１）上にキャストし、小型自動フィルムアプリケーター（オールグッド社製）を用いてウェットコーティングを行った。コーティングされた平板成形品を室温にて１０分ほど乾燥させ、次に１２０℃オーブンにて５分加熱乾燥を行い、接合層をコーティングした成形品（接合層が形成された流路形成用基板）を得た。
表１に示す接合層用熱可塑性ノルボルネン系樹脂（ＣＯＰ－２）のペレット２０重量部に対して、キシレン（特級：和光純薬製）を８０重量部をそれぞれガラス製密閉容器（パイレックス（登録商標）メディウム瓶：コーニング製）に密閉し、室温で振とう溶解させて、固形分濃度が２０重量％のキシレン溶液（接合層用溶液）を作成した。
得られた接合層用溶液を、上で得られた平板１００ｍｍ×１００ｍｍ×２ｍｍ成形品（流路形成用基板：ＣＯＰ－１）上にキャストし、小型自動フィルムアプリケーター（オールグッド社製）を用いてウェットコーティングを行った。コーティングされた平板成形品を室温にて１０分ほど乾燥させ、次に１２０℃オーブンにて５分加熱乾燥を行い、接合層をコーティングした成形品（接合層が形成された流路形成用基板）を得た。
【0064】
（３－３．実施例１０での接合層の形成）
表１に示す接合層用熱可塑性ノルボルネン系樹脂（ＣＯＰ－３）のペレット２０重量部に対して、シクロヘキサン（特級：和光純薬製）を８０重量部をそれぞれガラス製密閉容器（パイレックス（登録商標）メディウム瓶：コーニング製）に密閉し、室温で振とう溶解させて、固形分濃度が２０重量％のシクロヘキサン溶液（接合層用溶液）を作成した。
得られた接合層用溶液を、上で得られた平板１００ｍｍ×１００ｍｍ×２ｍｍ成形品（流路形成用基板：ＣＯＰ－５）上にキャストし、小型自動フィルムアプリケーター（オールグッド社製）を用いてウェットコーティングを行った。コーティングされた平板成形品を室温にて１０分ほど乾燥させ、次に８０℃オーブンにて５分加熱乾燥を行い、接合層をコーティングした成形品（接合層が形成された流路形成用基板）を得た。
表１に示す接合層用熱可塑性ノルボルネン系樹脂（ＣＯＰ－３）のペレット２０重量部に対して、シクロヘキサン（特級：和光純薬製）を８０重量部をそれぞれガラス製密閉容器（パイレックス（登録商標）メディウム瓶：コーニング製）に密閉し、室温で振とう溶解させて、固形分濃度が２０重量％のシクロヘキサン溶液（接合層用溶液）を作成した。
得られた接合層用溶液を、上で得られた平板１００ｍｍ×１００ｍｍ×２ｍｍ成形品（流路形成用基板：ＣＯＰ－５）上にキャストし、小型自動フィルムアプリケーター（オールグッド社製）を用いてウェットコーティングを行った。コーティングされた平板成形品を室温にて１０分ほど乾燥させ、次に８０℃オーブンにて５分加熱乾燥を行い、接合層をコーティングした成形品（接合層が形成された流路形成用基板）を得た。
【0065】
［４．基板の流路切削］
接合層がコーティングされた成形品（接合層が形成された流路形成用基板）を超高精度高速微細加工機ＡｎｄｒｏｉｄＩＩ（碌々産業社製）で流路切削と外形加工を行い、片面に図３（ａ）に示すようなパターンの４本の流路１１（幅：１００μｍ、深さ１００μｍ）を有する、接合層が形成された流路基板１０（厚さ：２．０ｍｍ、外形：７６．０ｍｍ×２６．０ｍｍ）を得た。
また、上記［２．基板の製造］で得られた蓋基板に対し、図３（ｂ）に示すように直径２．０ｍｍの貫通孔２１（注入口）を８個形成し、外形加工を行い、蓋基板２０（厚さ：２．０ｍｍ、外形：７６．０ｍｍ×２６．０ｍｍ）とした。なお、貫通孔２１の位置は、流路基板１０の流路１１の端部１２に対応する位置とした。
接合層がコーティングされた成形品（接合層が形成された流路形成用基板）を超高精度高速微細加工機ＡｎｄｒｏｉｄＩＩ（碌々産業社製）で流路切削と外形加工を行い、片面に図３（ａ）に示すようなパターンの４本の流路１１（幅：１００μｍ、深さ１００μｍ）を有する、接合層が形成された流路基板１０（厚さ：２．０ｍｍ、外形：７６．０ｍｍ×２６．０ｍｍ）を得た。
また、上記［２．基板の製造］で得られた蓋基板に対し、図３（ｂ）に示すように直径２．０ｍｍの貫通孔２１（注入口）を８個形成し、外形加工を行い、蓋基板２０（厚さ：２．０ｍｍ、外形：７６．０ｍｍ×２６．０ｍｍ）とした。なお、貫通孔２１の位置は、流路基板１０の流路１１の端部１２に対応する位置とした。
【0066】
［５．基板同士の貼り合わせ］
接合層が形成された流路基板と蓋基板を重ね合わせた後、ゴムロールで数回押し当てて、噛みこんだ空気を抜き、圧着を行い、仮止め接合体Ａを作成した。なお、少量の気泡はオートクレーブ加工時に拡散する為、大きな空気が噛みこんでいなければ問題は無い。仮止め接合体Ａをレトルトパウチ用袋（メイワパックス製）に挿入し、真空包装機（ＴＥＣＨＮＯＶＡＣ Ｔ１０００；日本包装機械製）にて脱気包装した。この脱気包装体をオートクレーブ容器（タンデライオンＤＬ－２０１０；羽生田鐵工所製）に入れ、表１に示す温度で、０．８ＭＰａ、加熱加圧時間９０分でオートクレーブすることにより接合と消泡処理を行い、マイクロ流路チップを接合体として得た。
接合層が形成された流路基板と蓋基板を重ね合わせた後、ゴムロールで数回押し当てて、噛みこんだ空気を抜き、圧着を行い、仮止め接合体Ａを作成した。なお、少量の気泡はオートクレーブ加工時に拡散する為、大きな空気が噛みこんでいなければ問題は無い。仮止め接合体Ａをレトルトパウチ用袋（メイワパックス製）に挿入し、真空包装機（ＴＥＣＨＮＯＶＡＣ Ｔ１０００；日本包装機械製）にて脱気包装した。この脱気包装体をオートクレーブ容器（タンデライオンＤＬ－２０１０；羽生田鐵工所製）に入れ、表１に示す温度で、０．８ＭＰａ、加熱加圧時間９０分でオートクレーブすることにより接合と消泡処理を行い、マイクロ流路チップを接合体として得た。
【0067】
［６．評価］
＜接着強度＞
接着強度は、ＪＩＳ Ｋ ６８５４－２（１８０°剥離）に準拠して測定した。接合体を図３のようにシート（蓋基板）側に幅１０ｍｍの切り込みをシートと粘着層を貫通して入れた。端部から切り込みを入れた１０ｍｍ幅部分をチャック固定できるように剥き出し、オーブン付き万能試験機（オートグラフＡＧＳ－Ｘ１０ｋＮ；島津製作所製）の下部チャックに成形板（流路基板）側を、上部チャックにシート側を固定し、室温で５分保持した。保持後に、剥離幅１０ｍｍ、剥離速度１００ｍｍ／ｍｉｎにて１８０°剥離を行い、剥離強度を求め、これを接着強度とした。
＜接着強度＞
接着強度は、ＪＩＳ Ｋ ６８５４－２（１８０°剥離）に準拠して測定した。接合体を図３のようにシート（蓋基板）側に幅１０ｍｍの切り込みをシートと粘着層を貫通して入れた。端部から切り込みを入れた１０ｍｍ幅部分をチャック固定できるように剥き出し、オーブン付き万能試験機（オートグラフＡＧＳ－Ｘ１０ｋＮ；島津製作所製）の下部チャックに成形板（流路基板）側を、上部チャックにシート側を固定し、室温で５分保持した。保持後に、剥離幅１０ｍｍ、剥離速度１００ｍｍ／ｍｉｎにて１８０°剥離を行い、剥離強度を求め、これを接着強度とした。
【0068】
＜送液試験＞
５個のサンプルについて、作製したマイクロ流路チップの各流路に、圧力制御型無脈流ポンプＰ－Ｐｕｍｐ（高砂電気工業社製）を用いて、インク水溶液を注入口より注入した。出口側は、シリコンゴムで封止して、送液の圧力を６５０ｋＰａまで上げ３分間保持した。そして、流路から接合部へのインク水溶液のにじみの有無を目視により確認した。
５個のサンプルについて、作製したマイクロ流路チップの各流路に、圧力制御型無脈流ポンプＰ－Ｐｕｍｐ（高砂電気工業社製）を用いて、インク水溶液を注入口より注入した。出口側は、シリコンゴムで封止して、送液の圧力を６５０ｋＰａまで上げ３分間保持した。そして、流路から接合部へのインク水溶液のにじみの有無を目視により確認した。
【0069】
＜接合断面の観察、接合層の厚み測定＞
得られた接合体（マイクロ流路チップ）をイオンミリング装置ＩＭ４０００ＰＬＵＳ（日立ハイテク社製）を用いてクライオミリングモードで断面出しを行った。その断面を電界放出形走査電子顕微鏡ＦＥ－ＳＥＭ８２２０（日立ハイテク社製）で観察し、接合層の厚みを測定した。
得られた接合体（マイクロ流路チップ）をイオンミリング装置ＩＭ４０００ＰＬＵＳ（日立ハイテク社製）を用いてクライオミリングモードで断面出しを行った。その断面を電界放出形走査電子顕微鏡ＦＥ－ＳＥＭ８２２０（日立ハイテク社製）で観察し、接合層の厚みを測定した。
【0070】
＜蒸気滅菌前後の流路断面評価＞
（蒸気滅菌）
得られた接合体（マイクロ流路チップ）を小型高圧蒸気滅菌器を用いて、１２１℃、０．１２ＭＰａ、３０ｍｉｎの条件下で蒸気滅菌を行った。
（蒸気滅菌）
得られた接合体（マイクロ流路チップ）を小型高圧蒸気滅菌器を用いて、１２１℃、０．１２ＭＰａ、３０ｍｉｎの条件下で蒸気滅菌を行った。
【0071】
（流路断面評価）
蒸気滅菌前の断面積Ｓ１、蒸気滅菌後の面積Ｓ２を電界放出形走査電子顕微鏡ＦＥ－ＳＥＭ８２２０（日立ハイテク社製）で測定した。
流路形状保持率をＳ２／Ｓ１×１００（％）とした。
蒸気滅菌前の断面積Ｓ１、蒸気滅菌後の面積Ｓ２を電界放出形走査電子顕微鏡ＦＥ－ＳＥＭ８２２０（日立ハイテク社製）で測定した。
流路形状保持率をＳ２／Ｓ１×１００（％）とした。
【0072】
［７．結果］
基板（流路基板及び蓋基板）及び接合層に用いた環状オレフィン重合体の種類、ガラス転移温度Ｔｇ、接合層の厚さ、各評価結果を表１に示す。評価の符号は、以下の意味を表す。
＜送液試験＞
〇：液漏れなし
×：液漏れあり
＜蒸気滅菌後の流路断面評価＞
流路形状保持率
◎：９５％以上
〇：９０％以上９５％未満
△：８０％以上９０％未満
×：８０％未満
基板（流路基板及び蓋基板）及び接合層に用いた環状オレフィン重合体の種類、ガラス転移温度Ｔｇ、接合層の厚さ、各評価結果を表１に示す。評価の符号は、以下の意味を表す。
＜送液試験＞
〇：液漏れなし
×：液漏れあり
＜蒸気滅菌後の流路断面評価＞
流路形状保持率
◎：９５％以上
〇：９０％以上９５％未満
△：８０％以上９０％未満
×：８０％未満
【0073】
【表1】
【産業上の利用可能性】
【0074】
本発明によれば、高温高圧滅菌処理を行っても流路は変形せず、基板同士の強力な接合性が維持された、マイクロ流路チップ及びその製造方法を提供することができる。
【符号の説明】
【0075】
１０ 流路基板
１１ 流路
１２ 両端部
２０ 蓋基板
２１ 貫通孔
１１ 流路
１２ 両端部
２０ 蓋基板
２１ 貫通孔
【図1】
【図2】
【図3】