特許 7594883 基板処理装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-11-27

(45)【発行日】2024-12-05

(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20241128BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20241128BHJP

   G03F 7/30 20060101ALI20241128BHJP

   G03F 7/16 20060101ALI20241128BHJP

   B05C 11/10 20060101ALI20241128BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 564C

H01L21/304 643A

H01L21/304 648K

H01L21/304 648G

H01L21/304 648F

H01L21/30 569A

G03F7/30 502

G03F7/16 502

B05C11/10

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2020185680

(22)【出願日】2020-11-06

(65)【公開番号】P2022075109

(43)【公開日】2022-05-18

【審査請求日】2023-08-21

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100171099

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 茂樹

(72)【発明者】

【氏名】矢野 英嗣

(72)【発明者】

【氏名】一野 克憲

【審査官】植木 隆和

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１１－２３８６６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－１５４８６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／１８１３８６（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｂ０５Ｃ １１／１０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板に処理液を吐出するノズルを有する吐出部と、
前記処理液を前記吐出部に送る送液部と、
前記吐出部に送るための前記処理液を前記送液部に供給する供給源と、
前記送液部を制御する制御部と、
前記供給源と前記送液部との間を開閉する第１バルブと、
前記送液部と前記吐出部との間を開閉する第２バルブと、
を備え、
前記送液部は、
前記処理液が流れる管路と、
前記管路上の互いに異なる位置に設けられ、前記処理液に含まれることが想定される複数種類の異物に対する捕集特性が互いに異なる複数のフィルタと、を有し、
前記管路は、
前記供給源と前記ノズルとを接続する主管路と、
前記主管路に設けられた２つの分岐点を接続するように形成されたバイパス管路と、を含み、
前記送液部は、
前記バイパス管路に設けられた送液用ポンプと、
前記バイパス管路を開閉する１以上のバルブと、
前記バイパス管路のうち前記送液用ポンプよりも下流側において前記処理液中の異物を検出する異物検出部と、をさらに有し、
前記複数のフィルタのうち、前記基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高い第１のフィルタは、前記主管路のうち前記２つの分岐点の間において前記第１のフィルタとは異なるフィルタよりも下流側に設けられ、
前記第１のフィルタとは異なるフィルタのうちの少なくとも１つのフィルタは、前記バイパス管路に設けられ、
前記制御部は、前記異物検出部による検出結果に応じて、前記主管路及び前記バイパス管路における前記処理液の流れを変更するように、前記第１バルブと、前記第２バルブと、前記バイパス管路を開閉する１以上のバルブと、前記送液用ポンプと、を制御する、基板処理装置。

【請求項2】

基板に処理液を吐出するノズルを有する吐出部と、
前記処理液を前記吐出部に送る送液部と、
前記吐出部に送るための前記処理液を前記送液部に供給する供給源と、
前記送液部を制御する制御部と、
前記供給源と前記送液部との間を開閉する第１バルブと、
前記送液部と前記吐出部との間を開閉する第２バルブと、
を備え、
前記送液部は、
前記処理液が流れる管路と、
前記管路上の互いに異なる位置に設けられ、前記処理液に含まれることが想定される複数種類の異物に対する捕集特性が互いに異なる複数のフィルタと、を有し、
前記管路は、前記供給源と前記ノズルとを接続する主管路と、前記主管路に設けられた２つの分岐点を接続するように形成されたバイパス管路とを含み、
前記送液部は、
前記バイパス管路に設けられた送液用ポンプと、
前記バイパス管路を開閉する１以上のバルブと、をさらに有し、
前記複数のフィルタのうち、前記基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高い第１のフィルタは、前記主管路のうち前記２つの分岐点の間において前記第１のフィルタとは異なるフィルタよりも下流側に設けられ、
前記第１のフィルタとは異なるフィルタのうちの少なくとも１つのフィルタは、前記バイパス管路に設けられ、
前記制御部は、処理後の前記基板における欠陥の発生状況に応じて、前記処理液が前記ノズルに到達する前に最後に通過するフィルタを変更するように、前記第１バルブと、前記第２バルブと、前記バイパス管路を開閉する１以上のバルブと、前記送液用ポンプと、を制御する、基板処理装置。

【請求項3】

前記複数のフィルタは、前記複数種類の異物のうち、前記基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が高いフィルタを含む、請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記複数のフィルタは、捕集部における前記処理液との接触面積が互いに異なる、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記バイパス管路に設けられるフィルタは、前記バイパス管路のうち前記送液用ポンプよりも上流側に設けられる、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項6】

供給源からの処理液を、管路を介してノズルから基板に吐出する基板処理方法であって、
前記管路上の互いに異なる位置に設けられ、前記処理液に含まれることが想定される複数種類の異物に対する捕集特性が互いに異なる複数のフィルタを通過させ、
前記管路は、前記供給源と前記ノズルとを接続する主管路と、前記主管路に設けられた２つの分岐点を接続するように形成されたバイパス管路と、前記バイパス管路に設けられた送液用ポンプと、を有し、
前記複数のフィルタのうち、前記基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高い第１のフィルタは、前記主管路のうち前記２つの分岐点の間において前記第１のフィルタとは異なるフィルタよりも下流側に設けられ、
前記第１のフィルタとは異なるフィルタのうちの少なくとも１つのフィルタは、前記バイパス管路に設けられ、
前記バイパス管路のうち前記送液用ポンプよりも下流側において前記処理液中の異物を検出する異物検出部による検出結果に応じて、前記主管路及び前記バイパス管路における前記処理液の流れを変更するように、前記供給源と前記管路との間を開閉する第１バルブと、前記管路と前記ノズルとの間を開閉する第２バルブと、前記バイパス管路を開閉する１以上のバルブと、前記送液用ポンプと、を制御する、基板処理方法。

【請求項7】

供給源からの処理液を、管路を介してノズルから基板に吐出する基板処理方法であって、
前記管路上の互いに異なる位置に設けられ、前記処理液に含まれることが想定される複数種類の異物に対する捕集特性が互いに異なる複数のフィルタを通過させ、
前記管路は、前記供給源と前記ノズルとを接続する主管路と、前記主管路に設けられた２つの分岐点を接続するように形成されたバイパス管路と、前記バイパス管路に設けられた送液用ポンプと、を有し、
前記複数のフィルタのうち、前記基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高い第１のフィルタは、前記主管路のうち前記２つの分岐点の間において前記第１のフィルタとは異なるフィルタよりも下流側に設けられ、
前記第１のフィルタとは異なるフィルタのうちの少なくとも１つのフィルタは、前記バイパス管路に設けられ、
処理後の前記基板における欠陥の発生状況に応じて、前記処理液が前記ノズルに到達する前に最後に通過するフィルタを変更するように、前記供給源と前記管路との間を開閉する第１バルブと、前記管路と前記ノズルとの間を開閉する第２バルブと、前記バイパス管路を開閉する１以上のバルブと、前記送液用ポンプと、を制御する、
基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１では、フォトレジスト塗布装置において、フィルターユニットを含んで構成される供給用配管に対して循環用配管を設け、塗布停止時にはフォトレジストを循環させる構成が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開平１０－１７２８８１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、基板に吐出される処理液中の異物の低減に有用な技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板処理装置は、基板に処理液を吐出するノズルを有する吐出部と、前記処理液を前記吐出部に送る送液部と、前記吐出部に送るための前記処理液を前記送液部に供給する供給源と、を備え、前記送液部は、前記処理液が流れる管路と、前記管路上の互いに異なる位置に設けられ、前記処理液に含まれることが想定される複数種類の異物に対する捕集特性が互いに異なる複数のフィルタと、を有する。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、基板に吐出される処理液中の異物の低減に有用な技術が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、基板処理システムの概略構成の一例を示す模式図である。

【図2】図２は、塗布・現像装置の内部構成の一例を示す模式図である。

【図3】図３は、液処理ユニットの構成の一例を示す模式図である。

【図4】図４は、処理液供給部の一例を示す模式図である。

【図5】図５は、制御装置の機能上の構成の一例を示すブロック図である。

【図6】図６は、制御装置のハードウェア上の構成の一例を示すブロック図である。

【図7】図７は、液処理手順の一例を示すフローチャートである。

【図8】図８（ａ）、図８（ｂ）、図８（ｃ）は、それぞれ液処理手順での各部の動作の一例を説明するための模式図である。

【図9】図９は、異物検出結果に応じて指令内容を変更する場合の手順の一例を示すフローチャートである。

【図10】図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）は、それぞれ送液部における処理液の流れを変更する場合の一例を説明するための模式図である。

【図11】図１１（ａ）、図１１（ｂ）は、それぞれフィルタの配置を変更する場合の一例を説明するための模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、種々の例示的実施形態について説明する。

【0009】

一つの例示的実施形態において、基板処理装置が提供される。基板処理装置は、基板に処理液を吐出するノズルを有する吐出部と、前記処理液を前記吐出部に送る送液部と、前記吐出部に送るための前記処理液を前記送液部に供給する供給源と、を備え、前記送液部は、前記処理液が流れる管路と、前記管路上の互いに異なる位置に設けられ、前記処理液に含まれることが想定される複数種類の異物に対する捕集特性が互いに異なる複数のフィルタと、を有する。

【0010】

上記の基板処理装置では、処理液が流れる管路上の互いに異なる位置に複数のフィルタが設けられるため、供給源からの処理液は複数のフィルタを通過してノズルに供給される。また、これらのフィルタは、処理液に含まれることが想定される複数種類の異物に対する捕集特性が互いに異なるため、処理液中に含まれる複数種類の異物が複数のフィルタによって捕集され得る。したがって、基板に吐出される処理液中の異物をより低減することが可能となる。

【0011】

前記複数のフィルタは、前記複数種類の異物のうち、前記基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が高いフィルタを含む態様としてもよい。

【0012】

上記のように、基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が高いフィルタに対して処理液を通過させる構成とすることによって、処理液中から欠陥の発生頻度が高い異物を除去させることができる。そのため、基板における欠陥の発生を抑制することができる。

【0013】

前記複数のフィルタは、捕集部における前記処理液との接触面積が互いに異なる態様としてもよい。

【0014】

上記のように、処理液との接触面積が互いに異なる捕集部を有するフィルタを用いることで、異物の種類毎の捕集特性を互いに異ならせることができる。このようなフィルタを用いることで、処理液に含まれる異物の種類を考慮して、使用するフィルタを選択することが可能となる。

【0015】

前記複数のフィルタのうち、前記基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高いフィルタが、前記管路の最下流に位置する態様としてもよい。

【0016】

上記のように、基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高いフィルタを最下流に配置する構成とすることで、欠陥の発生頻度が高い異物が最下流のフィルタによって適切に除去される。そのため、基板における欠陥の発生を抑制することができる。

【0017】

前記管路は、前記供給源と前記ノズルとを接続する主管路と、前記主管路に設けられた２つの分岐点を接続するように形成されたバイパス管路とを含み、前記送液部は、前記バイパス管路に設けられた送液用ポンプをさらに有し、前記複数のフィルタのうち、前記基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高い第１のフィルタは、前記主管路のうち前記２つの分岐点の間において前記第１のフィルタとは異なるフィルタよりも下流側に設けられ、前記第１のフィルタとは異なるフィルタのうちの少なくとも１つのフィルタは、前記バイパス管路に設けられる態様としてもよい。

【0018】

上記のように、管路が主管路とバイパス管路とを含む構成において、欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高い第１のフィルタが主管路に設けられる構成とすると、第１のフィルタを用いた異物の除去を適切に行うことができる。

【0019】

前記バイパス管路に設けられるフィルタは、前記バイパス管路のうち前記送液用ポンプよりも上流側に設けられる態様としてもよい。

【0020】

上記のようにバイパス管路のうち送液用ポンプよりも上流側に設けることによって、送液用ポンプによって、ノズルから処理液を吐出する際に、第１のフィルタを最後に通過させることができる。すなわち、第１のフィルタを実質的に最下流に配置することができるため、欠陥の発生頻度が高い異物が最下流のフィルタによって適切に除去される。

【0021】

前記送液部を制御する制御部をさらに備え、前記送液部は、前記バイパス管路のうち前記送液用ポンプよりも下流側において前記処理液中の異物を検出する異物検出部をさらに有し、前記制御部は、前記異物検出部による検出結果に応じて、前記主管路及び前記バイパス管路における前記処理液の流れを変更する制御を行う態様としてもよい。

【0022】

上記のように、制御部が異物検出部による検出結果に応じて、主管路及びバイパス管路における処理液の流れを変更する構成とすることで、例えば、処理液中の異物の残留程度等を考慮してフィルタに対する処理液の通過回数を変更することができる。このように、処理液中の異物をより適切に除去できるような制御を選択することができる。

【0023】

前記送液部を制御する制御部をさらに備え、前記制御部は、処理後の前記基板における欠陥の発生状況に応じて、前記処理液が前記ノズルに到達する前に最後に通過するフィルタを変更するように、前記主管路及び前記バイパス管路における前記処理液の流れを変更する制御を行う態様としてもよい。

【0024】

上記のように、制御部が処理後の前記基板における欠陥の発生状況に応じてノズルに到達する前に最後に通過するフィルタを変更する構成とすることで、例えば、処理後の基板での欠陥の発生状況に応じてより適切な順序でフィルタを通過させることができる。そのため、処理後の基板において欠陥が発生しないための適切な制御内容を決定することができる。

【0025】

一つの例示的実施形態において、基板処理方法が提供される。基板処理方法は、供給源からの処理液を、管路を介してノズルから基板に吐出する基板処理方法であって、前記管路上の互いに異なる位置に設けられ、前記処理液に含まれることが想定される複数種類の異物に対する捕集特性が互いに異なる複数のフィルタを通過させる。

【0026】

上記の基板処理方法では、処理液が流れる管路上の互いに異なる位置に設けられた複数のフィルタを通過した処理液がノズルに供給される。また、これらのフィルタは、処理液に含まれることが想定される複数種類の異物に対する捕集特性が互いに異なるため、処理液中に含まれる複数種類の異物が複数のフィルタによって捕集され得る。したがって、基板に吐出される処理液中の異物をより低減することが可能となる。

【0027】

前記複数のフィルタのうち前記基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高いフィルタに対して前記処理液を最後に通過させる態様としてもよい。

【0028】

上記のように、基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高いフィルタに対して処理液を最後に通過させる構成とすることで、欠陥の発生頻度が高い異物が最下流のフィルタによって適切に除去される。そのため、基板における欠陥の発生を抑制することができる。

【0029】

前記管路は、前記供給源と前記ノズルとを接続する主管路と、前記主管路に設けられた２つの分岐点を接続するように形成されたバイパス管路と、前記バイパス管路に設けられた送液用ポンプと、を有し、前記複数のフィルタのうち、前記基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高い第１のフィルタは、前記主管路のうち前記２つの分岐点の間において前記第１のフィルタとは異なるフィルタよりも下流側に設けられ、前記第１のフィルタとは異なるフィルタのうちの少なくとも１つのフィルタは、前記バイパス管路に設けられる態様としてもよい。

【0030】

上記のように、管路が主管路とバイパス管路とを含む構成において、欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高い第１のフィルタが主管路に設けられる構成とすることで、第１のフィルタを用いた異物の除去を適切に行うことができる。

【0031】

前記バイパス管路のうち前記送液用ポンプよりも下流側において前記処理液中の異物を検出する異物検出部をさらに有し、前記異物検出部による検出結果に応じて、前記主管路及び前記バイパス管路における前記処理液の流れを変更する態様としてもよい。

【0032】

上記のように、異物検出部による検出結果に応じて、主管路及びバイパス管路における処理液の流れを変更する構成とすることで、例えば、処理液中の異物の残留程度等を考慮してフィルタに対する処理液の通過回数を変更することができる。このように、処理液中の異物をより適切に除去できるような制御を選択することができる。

【0033】

処理後の前記基板における欠陥の発生状況に応じて、前記処理液が前記ノズルに到達する前に最後に通過するフィルタを変更するように、前記主管路及び前記バイパス管路における前記処理液の流れを変更する態様としてもよい。

【0034】

上記のように、制御部が処理後の前記基板における欠陥の発生状況に応じてノズルに到達する前に最後に通過するフィルタを変更する構成とすることで、例えば、処理後の基板での欠陥の発生状況に応じてより適切な順序でフィルタを通過させることができる。そのため、処理後の基板において欠陥が発生しないための適切な制御内容を決定することができる。

【0035】

［例示的実施形態の説明］
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

【0036】

まず、図１～図６を参照して本開示の一実施形態に係る基板処理システムを説明する。

【0037】

［基板処理システム］
図１に示される基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

【0038】

基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。塗布・現像装置２は、ワークＷの表面にレジスト膜（感光性被膜）を形成するように構成されている。また、塗布・現像装置２は、露光装置による露光処理の後にレジスト膜の現像処理を行うように構成されている。露光装置３は、塗布・現像装置２との間でワークＷを授受して、ワークＷの表面に形成されたレジスト膜の露光処理（パターン露光）を行うように構成されている。露光装置３は、例えば、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射してもよい。塗布・現像装置２及び露光装置３によって所定のパターンのレジスト膜が表面に形成されたワークＷは、その後エッチング処理に供される。エッチング処理では、例えば、プラズマを用いたドライエッチングにより、レジスト膜に覆われていない領域の対象材料の加工が行われる。

【0039】

処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。ワークＷに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークＷ（基板）は、円形に形成されていてもよいし、多角形など円形以外の板状に形成されていてもよい。ワークＷは、一部が切り欠かれた切欠部を有していてもよい。切欠部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。ワークＷの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。

【0040】

エネルギー線は、例えば、電離放射線、非電離放射線などであってもよい。電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有する放射線である。電離放射線は、例えば、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）、電子線、イオンビーム、Ｘ線、α線、β線、γ線、重粒子線、陽子線などであってもよい。非電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有しない放射線である。非電離放射線は、例えば、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザーなどであってもよい。

【0041】

［基板処理装置］
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００とを備える。

【0042】

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布・現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。

【0043】

処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３，１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送アームを含む搬送装置Ａ３とを内蔵している。

【0044】

処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

【0045】

処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

【0046】

処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。

【0047】

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。液処理ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布する。また、液処理ユニットＵ１は、塗布された現像液をリンス液により洗い流す。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。

【0048】

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。

【0049】

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

【0050】

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

【0051】

制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

【0052】

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

【0053】

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

【0054】

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

【0055】

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。

【0056】

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。

【0057】

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、ワークＷに処理液を吐出して液処理を行う液処理ユニットと、これを制御可能な制御装置とを備えていればどのようなものであってもよい。

【0058】

（液処理ユニット）
続いて、図３及び図４を参照して、処理モジュール１２における液処理ユニットＵ１の一例について詳細に説明する。液処理ユニットＵ１は、回転保持部２０と、処理液供給部２９と、を備える。

【0059】

回転保持部２０は、制御装置１００の動作指示に基づき、ワークＷを保持して回転させる。回転保持部２０は、保持部２１と、駆動部２２とを備える。保持部２１は、表面Ｗａを上方に向けて水平に配置されたワークＷの中心部を支持し、当該ワークＷを吸着（例えば真空吸着）等により保持する。駆動部２２は、例えば電動モータ等を動力源とした回転アクチュエータであり、鉛直な回転軸周りに保持部２１を回転させる。これにより、鉛直な回転軸周りにワークＷが回転する。

【0060】

処理液供給部２９は、回転保持部２０に回転保持されたワークＷに処理液を供給する。処理液供給部２９は、図３及び図４に示されるように、吐出部３０と、送液部６０と、補充部５０と、第１接続部８１と、第２接続部８３と、を備える。

【0061】

吐出部３０は、ワークＷの表面Ｗａに向けて処理液を吐出する。吐出部３０は、ノズル３１と、送液管３２とを備える。ノズル３１は、ワークＷに処理液を吐出する。ノズル３１は、図３に示されるように、例えば、ワークＷの上方に配置され、処理液を下方に吐出する。送液管３２は、ノズル３１まで処理液を導く。ノズル３１からワークＷに向けて処理液が吐出されることで、ワークＷに処理液が塗布（供給）される。

【0062】

図４に示されるように、送液部６０は、処理液を吐出部３０に送る。具体的には、送液部６０は、処理液を所定圧力で吐出部３０（ノズル３１）に向けて送り出す。送液部６０は、送液管６１と、第１フィルタ６２と、第２フィルタ６３と、圧送部６４と、分岐管６５ａ，６５ｂと、第１接続バルブ６６と、第２接続バルブ６７と、圧力測定部６８と、異物検出部６９と、を備える。送液管６１及び分岐管６５ａ，６５ｂは、処理液が流れる管路を構成する。また、送液管６１及び分岐管６５ａ，６５ｂは、処理液を循環させる循環路としても機能する。

【0063】

送液管６１は、処理液を吐出部３０まで導く主管路である。具体的には、送液管６１は、吐出部３０の送液管３２の上流側における端部に接続されている。第１フィルタ６２は、送液管６１に設けられており、処理液に含まれる異物を除去する。第１フィルタ６２は、送液管６１内を通過する処理液に含まれる異物を捕集する。

【0064】

圧送部６４は、送液管６１を経て処理液を受け入れ、受け入れた処理液を加圧して吐出部３０に向けて送り出す。圧送部６４は、例えば、ポンプ７１と、ポンプ駆動部７２と、流量測定部７３と、圧力測定部７４と、を備える。

【0065】

ポンプ７１（送液用ポンプ）は、処理液を収容する収容室と、収容室を収縮させる収縮部とを有する。ポンプ７１は、収縮部により収容室を拡大して処理液を受け入れ、収縮部により収容室を収縮させて処理液を送り出す。ポンプ７１として、例えば、チューブフラムポンプ、ダイヤフラムポンプ、又はベローズポンプが用いられてもよい。

【0066】

ポンプ駆動部７２は、制御装置１００の動作指示に基づき、ポンプ７１を駆動する。具体的には、ポンプ駆動部７２は、ポンプ７１の収容室を収縮させるように収縮部を動作させる（駆動する）。例えば、ポンプ駆動部７２は、気体により収縮部を動作させるエアオペレーション型の駆動部である。ポンプ駆動部７２は、上記気体の圧力（駆動圧）を調節することで、ポンプ７１の収容室を収縮させてもよい。

【0067】

流量測定部７３は、ポンプ７１に対する処理液の入出量に関する情報を取得する。ポンプ７１を駆動するための気体の流量は、ポンプ７１に対する処理液の入出量に相関するので、ポンプ７１に対する処理液の入出量に関する情報である。例えば、流量測定部７３は、ポンプ７１とポンプ駆動部７２との間の接続管内を流れる気体の流量を測定する。流量測定部７３は、測定値を制御装置１００に出力する。圧力測定部７４は、ポンプ７１内の圧力に関する情報を取得する。例えば、圧力測定部７４は、ポンプ７１とポンプ駆動部７２との間の接続管内の圧力を測定する。圧力測定部７４は、測定値を制御装置１００に出力する。

【0068】

分岐管６５ａは、送液管６１のうちの第１フィルタ６２の上流部分の分岐点Ｐ１から分岐し、送液管６１とポンプ７１とを接続する。分岐管６５ｂは、送液管６１のうちの第１フィルタ６２の下流部分の分岐点Ｐ２から分岐し、送液管６１とポンプ７１とを接続する。分岐管６５ａ，分岐管６５ｂによって、送液管６１（主管路）における分岐点Ｐ１，Ｐ２間を接続するバイパス管路が形成される。第２フィルタ６３は、分岐管６５ａに設けられており、処理液に含まれる異物を除去する。第２フィルタ６３は、分岐管６５ａ内を通過する処理液に含まれる異物を捕集する。

【0069】

第１接続バルブ６６は、分岐管６５ａに設けられており、制御装置１００の動作指示に基づき、送液管６１と圧送部６４との間を開閉する。第１接続バルブ６６は、例えば、エアオペレーションバルブである。上述の第２フィルタ６３は、第１接続バルブ６６よりも上流側に設けられてもよい。第２接続バルブ６７は、分岐管６５ｂに設けられており、制御装置１００の動作指示に基づき、送液管６１と圧送部６４との間を開閉する。第２接続バルブ６７は、例えば、エアオペレーションバルブである。

【0070】

圧力測定部６８は、送液部６０内の管路を流れる処理液の圧力を測定する。例えば、圧力測定部６８は、第１フィルタ６２と圧送部６４との間の圧力を測定する。具体的には、圧力測定部６８は、分岐管６５ｂに設けられており、分岐管６５ｂ内の処理液の圧力（液圧）を測定する。圧力測定部６８は、測定値を制御装置１００に出力する。

【0071】

異物検出部６９は、送液部６０内の管路を流れる処理液に含まれる異物を検出する。例えば、異物検出部６９は、分岐管６５ｂのうち、第２接続バルブ６７と圧力測定部６８との間に設けられてもよい。また、異物検出部６９は、分岐管６５ｂに対して測定光を照射することによって分岐管６５ｂから出射される散乱光を分析すること等によって、処理液内の異物の数・特性（大きさ、異物の種類）等を測定してもよい。ただし、異物検出部６９による異物の検出方法は上記に限定されない。また、異物検出部６９の設置位置は適宜変更することができる。異物検出部６９は、異物の検出結果は制御装置１００に出力する。

【0072】

補充部５０は、吐出部３０に向けて送るための処理液を送液部６０に補充する。補充部５０は、液源５１と、圧送部５３と、送出管５５と、を備える。

【0073】

液源５１は、送液部６０に補充される処理液の供給源である。圧送部５３は、液源５１から送液部６０に処理液を送り出す。圧送部５３は、例えば、液源５１から供給された処理液を一時的に貯留し、当該処理液を加圧した状態で送液部６０に送り出す。あるいは、圧送部５３は、例えば、液源５１内の処理液を吸い込むことで処理液を受け入れ、受け入れた処理液を送液部６０に送り出す。圧送部５３は、例えば、ポンプ５６と、ポンプ駆動部５７と、圧力測定部５４と、を備える。

【0074】

ポンプ５６は、液源５１内の処理液を吸い込み、吸い込んだ処理液を吐出部３０に向けて送り出す。ポンプ５６は、例えば、処理液を収容する収容室と、収容室を収縮させる収縮部とを有する。ポンプ５６は、収縮部により収容室を拡大して処理液を受け入れ、収縮部により収容室を収縮させて処理液を送り出す。ポンプ５６として、例えば、チューブフラムポンプ、ダイヤフラムポンプ、又はベローズポンプが用いられてもよい。

【0075】

ポンプ駆動部５７は、制御装置１００に動作指示に基づき、ポンプ５６を駆動する。具体的には、ポンプ駆動部５７は、ポンプ５６の収容室を収縮させるように収縮部を動作させる（駆動する）。例えば、ポンプ駆動部５７は、気体により収縮部を動作させるエアオペレーション型の駆動部である。ポンプ駆動部５７は、上記気体の圧力（以下、「駆動圧」という。）を調節することで、ポンプ５６の収容室を収縮させてもよい。

【0076】

圧力測定部５４は、ポンプ５６内の圧力に関する情報を取得する。例えば、圧力測定部５４は、ポンプ５６とポンプ駆動部５７との間の接続管に接続されており、当該接続管内の圧力を測定する。圧力測定部５４は、例えば、ポンプ５６を駆動するための気体の圧力を測定する。圧力測定部５４は、測定値を制御装置１００に出力する。

【0077】

送出管５５は、圧送部５３（ポンプ５６）から送液部６０まで処理液を導く。具体的には、送出管５５は、送液部６０の送液管６１の上流側における端部に接続されている。つまり、送液管６１は、第１フィルタ６２を介して補充部５０と送液部６０との間を接続している。第１フィルタ６２は、送液管６１内の流路を流れる処理液（補充部５０から送液部６０に補充される処理液）に含まれる異物を除去する。

【0078】

第１接続部８１は、補充部５０と送液部６０とを接続する。第１接続部８１は、例えば、切替バルブ８２を有する。切替バルブ８２は、制御装置１００の動作指示に基づき、補充部５０と送液部６０との間を開閉する。切替バルブ８２は、補充部５０の送出管５５と送液部６０の送液管６１との接続箇所に設けられている。切替バルブ８２は、例えば、エアオペレーションバルブである。

【0079】

切替バルブ８２は、第１接続バルブ６６及び第２接続バルブ６７の少なくとも一方の開度変化率よりも小さい開度変化率で開閉してもよい。開度変化率とは、単位時間あたりのバルブの開度の変化の割合である。バルブが閉状態から開状態に切り替わる場合、開度変化率は、バルブの開度の増加率である。バルブが開状態から閉状態に切り替わる場合、開度変化率は、バルブの開度の減少率である。

【0080】

第２接続部８３は、送液部６０と吐出部３０とを接続する。第２接続部８３は、例えば、吐出バルブ８４を有する。吐出バルブ８４は、制御装置１００の動作指令に基づき、送液部６０と吐出部３０との間を開閉する。吐出バルブ８４は、送液部６０の送液管６１と吐出部３０の送液管３２との接続箇所に設けられている。吐出バルブ８４は、例えば、エアオペレーションバルブである。

【0081】

吐出バルブ８４と第１接続バルブ６６（第２接続バルブ６７）との開度変化率の関係は、切替バルブ８２と第１接続バルブ６６（第２接続バルブ６７）との開度変化率の関係と同様であってもよい。つまり、吐出バルブ８４は、第１接続バルブ６６及び第２接続バルブ６７の少なくとも一方の開度変化率よりも小さい開度変化率で開閉してもよい。

【0082】

処理液供給部２９には、上述のように第１フィルタ６２及び第２フィルタ６３の２つのフィルタが設けられる。この２つのフィルタとしては、処理液中に含まれる異物を捕集する際の捕集特性が互いに異なるものが選択される。「異物の捕集特性」とは、処理液中に含まれて互いに異なる複数種類の異物のうち、どの種類の異物に対して高い捕集性能を有しているかを示している。また、「捕集性能が高い」とは、他の異物に対する捕集性能と比べて当該異物に対する捕集性能が高いことをいう。

【0083】

処理液がレジスト液である場合、処理液に含まれる異物は、例えば、異物を構成する成分に基づいて２種類に分類することができる。具体的には、一方は、処理液と同種の材料から構成される異物であり、他方は、異種の材料から構成される異物である。同種の材料から構成される異物とは、例えば、レジスト液に含まれるポリマーが塊状になったもの、装置内のレジスト液の残渣に由来するものなどである。また、異種の材料から構成される異物は、例えば、装置の配管等処理液と接触し得る場所に付着していた異物である。この２種類の異物がワークＷ上に供給された場合、ワークＷ上での欠陥となる場合が考えられる。特に、異種の材料から構成される異物は、レジスト液の材料との化学反応を利用して加工が行われるエッチングに影響を与えることが考えられる。

【0084】

また、フィルタは、その形状、材質等によって、異物の捕集特性が異なり得る。例えば、処理液がレジスト液である場合、捕集部として機能するろ過膜として中空糸膜を用いたフィルタが一般的に用いられている。このようなフィルタでは、ろ過膜の表面積、すなわち、ろ過膜と処理液との接触面積に応じて異物の捕集特性が変化することが考えられる。一例としては、ろ過膜の表面積が互いに異なる２種類のフィルタが存在するとする。この場合、上述の異種の材料から構成される異物の捕集性能は、表面積が大きなフィルタのほうが高いと考えられる。一方、上述の同種の材料から構成される異物は、表面積が大きなフィルタから後段へ流出しやすいと考えられ、表面積が小さなフィルタのほうが高い捕集性能を有すると考えられる。このように、フィルタによる異物の捕集特性は、フィルタの種類によって互いに異なる。なお、処理液と捕集部（ろ過膜）との接触面積が大きい状態は、例えば、処理液が流れる流路が長いことによって形成されていてもよく、１次側及び２次側の各部の面積が大きな（つまり、フィルタ内の捕集部において１次側から２次側へ連通する微小流路が多数設けられる）ことによって形成されていてもよい。

【0085】

本実施形態では、第１フィルタ６２として、異種の材料から構成される異物の捕集性能が高い、表面積が大きなフィルタを用いる。また、第２フィルタ６３として、同種の材料から構成される異物の捕集性能が高い、表面積が小さなフィルタを用いる。なお、装置の用途、処理液の種類等に応じてフィルタの種類の選択及び配置は変更することができる。

【0086】

なお、「異物の種類」とは、異物の「成分」に基づいて分類されていてもよいが、他の観点で分類されていてもよい。例えば、異物の「大きさ」に基づいて分類されていてもよい。処理液の種類、処理液を供給した後のワークＷに対する処理の内容、処理液中に存在する異物に由来して生じ得る欠陥の種類に応じて、種類の分類の基準は変更され得る。また、分類の基準が変更されると、異物の種類毎に、捕集性能を高めるための条件が変更され得る。そのため、フィルタ間で異物の種類毎の捕集特性が変化する原因となる要素（例えば、材質、処理液との接触面積等）が変わり得る。このようにフィルタにおける「異物の捕集特性」は、異物の分類手法によっても異なり得る。

【0087】

（制御装置）
図５及び図６を参照して、制御装置１００について詳細に説明する。図５に示されるように、制御装置１００は、機能上のモジュール（以下、「機能モジュール」という。）として、動作指令保持部１０２と、第１圧力取得部１０３と、第２圧力取得部１０４と、流量取得部１０５と、液圧取得部１０６と、変更制御部１０７と、処理液供給制御部１０１と、を備える。

【0088】

動作指令保持部１０２は、液処理ユニットＵ１において実行される液処理手順を規定する動作指令を保持する。この動作指令には、ノズル３１から処理液を吐出する際の吐出圧力の目標値（設定値）、ノズル３１から処理液を吐出させる実行時間、補充圧力及び補充流量の目標値（設定値）、並びに補充部５０から送液部６０に処理液を補充させる実行時間等が含まれてもよい。また、動作指令には、ノズル３１から供給する前の処理液を循環させる循環処理の内容及び時間等が含まれてもよい。

【0089】

第１圧力取得部１０３は、圧力測定部５４から測定値を取得する。具体的には、第１圧力取得部１０３は、補充部５０においてポンプ５６とポンプ駆動部５７との間の接続管内の圧力（ポンプ５６への駆動圧）を示す測定値を取得する。第１圧力取得部１０３は、取得した測定値を処理液供給制御部１０１に出力する。

【0090】

第２圧力取得部１０４は、圧力測定部７４から測定値を取得する。具体的には、第２圧力取得部１０４は、送液部６０においてポンプ７１とポンプ駆動部７２との間の接続管内の圧力（ポンプ７１への駆動圧）を示す測定値を取得する。第２圧力取得部１０４は、取得した測定値を処理液供給制御部１０１に出力する。

【0091】

流量取得部１０５は、流量測定部７３から測定値を取得する。具体的には、流量取得部１０５は、ポンプ７１とポンプ駆動部７２との間の接続管内のポンプ７１を駆動するための気体の流量を示す測定値を取得する。流量取得部１０５は、取得した測定値を処理液供給制御部１０１に出力する。

【0092】

液圧取得部１０６は、圧力測定部６８から測定値を取得する。具体的には、液圧取得部１０６は、第１フィルタ６２と圧送部６４（ポンプ７１）との間の処理液の圧力を示す測定値を取得する。液圧取得部１０６は、取得した測定値を処理液供給制御部１０１に出力する。

【0093】

変更制御部１０７は、異物検出部６９から異物の検出結果を取得する。具体的には、変更制御部１０７は、分岐管６５ｂを流れる処理液に含まれる異物の数、大きさ等に係る情報を取得する。また、変更制御部１０７は、異物の検出結果に基づいて、処理液供給制御部１０１において実行される動作指令の内容を変更するか否かを判断する。そして、動作指令の内容を変更する場合、動作指令保持部１０２において保持される動作指令を更新する。変更制御部１０７による変更制御については後述する。なお、変光制御を行わない場合、変更制御部１０７は省略されてもよい。

【0094】

処理液供給制御部１０１は、ノズル３１から処理液を吐出させるように処理液供給部２９を制御する。処理液供給制御部１０１は、例えば、機能モジュールとして、補充準備部１１１と、補充制御部１１２と、循環制御部１１３と、吐出準備部１１４と、吐出制御部１１５と、を備える。

【0095】

補充準備部１１１は、補充部５０から送液部６０へ処理液を補充するための準備を行うように構成されている。具体的には、補充準備部１１１は、補充部５０から送液部６０への処理液の補充前に、補充部５０内と送液部６０内との圧力差を縮小させ、当該圧力差を縮小させた状態で切替バルブ８２を開いてもよい。補充準備部１１１は、例えば、切替バルブ８２が閉じた状態で、補充部５０内と送液部６０内との圧力差を縮小させるように補充部５０内の圧力を変更してもよい。補充準備の一例として、補充準備部１１１は、切替バルブ８２が閉じた状態で、補充部５０内と送液部６０内との圧力差が縮小するように圧送部５３（ポンプ駆動部５７）を制御してもよい。

【0096】

補充制御部１１２は、補充部５０から送液部６０へ処理液を補充させるように構成されている。具体的には、補充制御部１１２は、切替バルブ８２を開けた後、補充部５０から送液部６０への処理液の補充を開始させる。一例として、補充制御部１１２は、切替バルブ８２を開いた後に、補充部５０内の圧力の調節、送液部６０内の圧力の調節、及び切替バルブ８２の開状態への再切替えが順に実行された後に、送液部６０への処理液の補充を開始させる。補充制御部１１２は、補充準備部１１１によって補充部５０内と送液部６０内との圧力差を縮小させた状態で、補充部５０から送液部６０へ処理液を補充させる。

【0097】

補充制御部１１２は、圧送部５３から圧送部６４に送られる処理液の圧力を目標値に追従させるように、圧送部５３及び圧送部６４のいずれか一方を制御する。処理液の圧力を目標値へ追従させるように制御しつつ、補充制御部１１２は、処理液の単位時間あたりの流量を目標値に追従させるように、圧送部５３（ポンプ駆動部５７）及び圧送部６４（ポンプ駆動部７２）の他方を制御してもよい。

【0098】

循環制御部１１３は、送液部６０内で処理液を循環させるように構成されている。具合的には、循環制御部１１３は、補充制御部１１２によって処理液が補充された状態で、切替バルブ８２及び吐出バルブ８４を閉じた状態で、ポンプ駆動部７２、第１接続バルブ６６及び第２接続バルブ６７の開閉を制御する。この状態で、圧送部６４（ポンプ駆動部７２）を制御することで、送液管６１と、分岐管６５ａ，６５ｂとの間で処理液を循環させる制御を行ってもよい。

【0099】

吐出準備部１１４は、ノズル３１から処理液を吐出するための準備を行うように構成されている。具体的には、吐出準備部１１４は、ノズル３１からの処理液の吐出を開始する前に、送液部６０内の処理液の圧力を調節してもよい。吐出準備部１１４は、吐出バルブ８４が閉じた状態で、送液部６０内と吐出部３０内との圧力差を縮小させるように送液部６０内の圧力を変更してもよい。

【0100】

吐出制御部１１５は、ノズル３１から処理液をワークＷに向けて吐出させるように構成されている。具体的には、吐出制御部１１５は、吐出バルブ８４を開き、吐出バルブ８４が開かれた状態で、ノズル３１からワークＷへ処理液を吐出させる。吐出制御部１１５は、ノズル３１まで送られる処理液の圧力を目標値に追従させるように圧送部６４（ポンプ駆動部７２）を制御してもよい。また、吐出制御部１１５は、目標値を一定の設定値に維持することにより、ノズル３１からワークＷに向けて略一定の流量で処理液を吐出させてもよい。

【0101】

制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば、制御装置１００は、図６に示される回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマ１２５と、を備える。

【0102】

ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の液処理手順を塗布・現像装置２に実行させるためのプログラムを記録している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、塗布・現像装置２の各部との間で電気信号の入出力を行う。タイマ１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。

【0103】

なお、制御装置１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。

【0104】

［処理液供給手順］
図７及び図８を参照して、基板処理装置の制御方法（基板処理方法）の一例として、制御装置１００により実行される液処理手順について説明する。図７は、液処理手順の一例を示すフローチャートである。

【0105】

図７に示されるように、制御装置１００は、ステップＳ０１，Ｓ０２を順に実行する。ステップＳ０１では、例えば、補充準備部１１１が、補充部５０から送液部６０に処理液を補充する準備として、補充部５０内と送液部６０内との圧力差を縮小させるように処理液供給部２９を制御する。ステップＳ０２では、例えば、補充制御部１１６が、補充部５０内と送液部６０内との圧力差が縮小した状態で、補充部５０から送液部６０に処理液を補充させるように処理液供給部２９を制御する。

【0106】

次に、制御装置１００は、ステップＳ０３を順に実行する。ステップＳ０３では、例えば、循環制御部１１３が、切替バルブ８２及び吐出バルブ８４を閉じた状態で、ポンプ駆動部７２、第１接続バルブ６６及び第２接続バルブ６７の開閉を制御する。この状態で、圧送部６４（ポンプ駆動部７２）を制御する。循環制御の詳細については後述する。

【0107】

次に、制御装置１００は、ステップＳ０４，Ｓ０５を順に実行する。ステップＳ０４では、例えば、吐出準備部１１４が、ノズル３１からの処理液の吐出の準備として、送液部６０内と吐出部３０内との圧力差を縮小させるように処理液供給部２９を制御する。ステップＳ０５では、例えば、吐出制御部１１５が、送液部６０内と吐出部３０内との圧力差が縮小した状態で、ノズル３１から処理液をワークＷに向けて吐出させるように処理液供給部２９を制御する。吐出準備処理及び吐出処理の詳細については後述する。以上により、一連の液処理手順が終了する。

【0108】

ここで、上記の一連の処理のうち、補充、循環、及び吐出の各処理について図８を参照しながら説明する。

【0109】

補充制御（ステップＳ０２）では、制御装置１００の補充制御部１１２は、切替バルブ８２を閉状態から開状態に切り替える。その後、補充部５０の圧送部５３から送液部６０の圧送部６４に送られる処理液の補充圧力、及び当該処理液の補充流量を調節する。このとき、補充制御部１１２は、図８（ａ）に示されるように、例えば、圧力測定部７４による測定値に基づいて、補充圧力を目標値に追従させるように圧送部５３（ポンプ駆動部５７）を制御してもよい。補充制御部１１２は、流量測定部６５による測定値に基づいて、補充流量を目標値に追従させるように圧送部６４（ポンプ駆動部７２）を制御してもよい。図８（ａ）では、内部に処理液が流れている状態の管路が太い線で示されており、開状態のバルブが白抜きで示され、閉状態のバルブが黒塗りで示されている（図８（ｂ），（ｃ）でも同様）。

【0110】

循環制御（ステップＳ０３）では、制御装置１００の吐出制御部１１５は、切替バルブ８２を開状態から閉状態に切り替える。その後、循環制御部１１３は、第１接続バルブ６６を開き、第２接続バルブ６７を閉じた状態で圧送部６４（ポンプ駆動部７２）を駆動させることで、第２フィルタ６３を処理液が通過するように処理液を移動させる。その後、第１接続バルブ６６を閉じ、第２接続バルブ６７を開いた状態で圧送部６４（ポンプ駆動部７２）を駆動させる。この動作を繰り返すことによって、第２接続バルブ６７、ポンプ７１、第１接続バルブ６６の順で処理液が通過するように、処理液の循環が行われる。このとき、処理液が第１フィルタ６２及び第２フィルタ６３を交互に通過する。

【0111】

吐出制御（ステップＳ０５）では、制御装置１００の吐出制御部１１５は、切替バルブ８２及び第１接続バルブ６６を閉じた状態で、吐出バルブ８４を閉状態から開状態に切り替える。その後、吐出制御部１１５は、ノズル３１まで送られる処理液の吐出圧力を調節する。具体的には、圧送部６４（ポンプ７１の収縮部）の制御を開始する。これにより、吐出制御部１１５は、吐出バルブ８４が開かれた状態でノズル３１からの処理液の吐出を開始させる。このとき、吐出制御部１１５は、圧力測定部６８による測定値に基づいてポンプ駆動部７２（ポンプ７１から処理液に加わる圧力）を調節してもよい。所定時間が経過した後、吐出制御部１１５が、切替バルブ８２及び第１接続バルブ６６を閉じた状態に維持したまま、第２接続バルブ６７及び吐出バルブ８４を開状態から閉状態にそれぞれ切り替える。これにより、吐出が終了する。
上記所定時間は、動作指令保持部１０２が保持する動作指令に定められており、例えば、１回あたりの液処理において使用される処理液の量に応じて予め設定されている。処理液の吐出中は、制御装置１００が、ワークＷが回転するように回転保持部２０を制御することで、ワークＷの表面Ｗａにレジスト塗布膜が形成されてもよい。

【0112】

［処理液の移動経路の変更について］
上記の基板処理装置には異物検出部６９が設けられている。変更制御部１０７は、異物検出部６９による異物の検出結果に基づいて、処理液供給制御部１０１において実行される動作指令の内容を変更するか否かを判断してもよい。図９及び図１０を参照しながら、異物の検出結果に基づく処理の変更の手順について説明する。

【0113】

図９に示されるように、制御装置１００は、ステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、例えば、変更制御部１０７が、異物検出部６９による検出結果を取得する。異物検出部６９による検出結果には、例えば、処理液中に含まれる異物の数（単位体積あたりの異物の個数）に対応する情報が含まれ得る。また、検出結果には、処理液中にどのような種類の異物が含まれているか（どの種類の異物がどの程度含まれているか）を示す情報が含まれていてもよい。

【0114】

次に、制御装置１００は、ステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、例えば、変更制御部１０７が異物の検出結果に基づいて動作指令を変更するかを判定する。動作指令を変更するか否かは、例えば、処理液中の異物の数について予め定めた閾値に基づいて判定してもよい。例えば、処理液中の異物の数が閾値以下になっている場合には、処理液の循環を終了するように動作指令を変更することとしてもよい。また、処理液中の異物の数が閾値以上になっている場合には、処理液の循環を繰り返す（循環回数を増やす）ように動作指令を変更することとしてもよい。

【0115】

ステップＳ１２において動作指令の内容を変更すると判定した場合、制御装置１００はステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、例えば、動作指令保持部１０２において保持される動作指令に記載された内容を変更する。変更する内容は、例えば、処理液の循環回数の変更等、判定基準に対応したものである。以上により、指令内容の変更に係る一連の手順が終了する。指令内容を変更した場合、処理液供給制御部１０１は変更内容を即時に反映して変更内容に基づいた処理を行ってもよい。

【0116】

図１０（ａ）及び図１０（ｂ）では、循環の有無による処理液の移動経路の違いを示している。例えば、図１０（ａ）では、処理液が、送液管６１、分岐管６５ｂ、６５ａの順に循環した後に、再度送液管６１、分岐管６５ｂを経て後段の吐出バルブ８４へ到達することを示している。この場合、処理液は、第１フィルタ６２、第２フィルタ６３、第１フィルタ６２の順にフィルタを通過した後に、吐出バルブ８４を経て後段のノズルへ到達する。動作指令保持部１０２で保持される動作指令は、このような処理液の流れを規定していたとする。

【0117】

一方、図１０（ｂ）では、処理液が循環せずに送液管６１、分岐管６５ｂを経て後段の吐出バルブ８４へ到達することを示している。この場合、処理液は、第１フィルタ６２のみを通過した後に、吐出バルブ８４を経て後段のノズルへ到達する。図１０（ｂ）に示すように分岐管６５ｂに異物検出部６９が設けられている場合、処理液が分岐管６５ｂに到達した段階で処理液中の異物の評価を行うことができる。この段階で異物の評価を行い、その結果に応じてその後の処理の内容を変更してもよい。例えば、処理液中の異物が十分少ないと判定される場合、図１０（ｂ）に示すようにそのまま吐出バルブ８４を経てノズルへ到達するように指令内容を変更してもよい。また、処理液中にある程度の数の異物が含まれると判定される場合、図１０（ａ）に示すように当初の指令内容に沿って分岐管６５ａに対して処理液が流れるように制御してもよい。このように、異物検出部６９による検出結果を利用して、処理液の流れを変更する制御を行ってもよい。処理液の流れを変更するように動作指令の内容が変更された場合、変更された処理液の流れが形成されるように、制御装置１００によって各バルブ及び圧送部６４の制御が行われる。

【0118】

なお、上記では、処理液供給部２９における処理液の流れについて説明したが、上述の各バルブの開閉動作及び圧送部６４の動作は一例であり、これらの各部の動作を変更することで、種々の処理液の流れを形成することができる。換言すると、各バルブの開閉動作及び圧送部６４の動作を変更することで、送液管６１、分岐管６５ｂ、６５ａにおける処理液の流れを柔軟に制御することができる。例えば、上記の処理液供給部２９では、処理液の循環方向が分岐管６５ｂから分岐管６５ａに向かう方向ではなく、図１０（ｃ）に示すように逆方向となるように制御することもできる。具体的には、分岐管６５ｂ上の第１接続バルブ６６（図４参照）を開いた状態とし、分岐管６５ｂ上の第２接続バルブ６７（図４参照）及び切替バルブ８２が閉じた状態とした上で、ポンプ７１が処理液を吸い込む動作をすると、逆方向に処理液が移動する。この場合、第１フィルタ６２を下流側から上流側へ向かうように処理液の循環の流れが形成されることになる。この逆方向の循環を行った後に、第１接続バルブ６６及び第２接続バルブ６７の開閉状態の切替えとポンプ７１の動作とによって、分岐管６５ａを流れる処理液が分岐管６５ｂ、吐出バルブ８４を経てノズルから吐出されるように制御をしてもよい。この場合、第２フィルタ６３を通過した処理液がノズルから吐出されるので、実質的に第２フィルタ６３が最下流のフィルタとなる。このように、上記の処理液供給部２９によれば、処理液の流れを制御するための指令内容を変更することで、実質的に最下流となるフィルタを変更することも可能である。

【0119】

また、処理液の流れを変更する契機として、異物検出部６９による検出結果に代えて、後段のワークＷに対する処理の結果を利用してもよい。例えば、後段でワークＷに対するエッチング処理が行われる場合、エッチング後の検査（ＡＥＩ：After Etching Inspection）に応じて処理液の流れを変更することとしてもよい。例えば、エッチング後の検査の結果、第２フィルタ６３による捕集性能が高い種類の異物に由来した欠陥が多く残っていたとする。この場合、第１フィルタ６２よりも第２フィルタ６３を後段に配置した状態で処理液を通過させたほうが、第２フィルタ６３による捕集性能を利用した異物の除去の効果が高まると考えられる。したがって、上述の処理液の流れが変更可能であることを利用して、第２フィルタ６３が後段（最下流）になるように、処理液の流れを変更する構成としてもよい。

【0120】

［作用］
上記の基板処理装置（塗布・現像装置２）及び基板処理方法によれば、処理液が流れる管路（送液管６１及び分岐管６５ａ，６５ｂ）上の互いに異なる位置に複数のフィルタ（第１フィルタ６２及び第２フィルタ６３）が設けられる。そのため、供給源（液源５１）からの処理液は、複数のフィルタを通過してノズル３１に供給される。また、これらのフィルタは、処理液に含まれることが想定される複数種類の異物に対する捕集特性が互いに異なるため、処理液中に含まれる複数種類の異物が複数のフィルタによって捕集され得る。したがって、基板に吐出される処理液中の異物をより低減することが可能となる。

【0121】

基板に対して処理液を吐出して液処理を行う場合、処理液に含まれる異物が欠陥を引き起こす可能性があるため、異物を除去するために流路上にフィルタを設けて処理液を通過させることが検討されている。上記実施形態で説明した基板処理装置及び基板処理方法では、処理液に含まれる異物の種類が複数あることに着目し、異物に対する捕集特性が互いに異なる複数のフィルタを管路上に設けている。そのため、複数のフィルタにおける互いに異なる捕集特性を利用して、処理液中の異物を効果的に除去することが可能となる。また、フィルタによっては、以前に処理液を流通させた際に残存した処理液の成分が異物の一種として後段に流出する場合がある。このような場合には、例えば、後段にこの種の異物に対する捕集性能が高いフィルタを設けることで、基板に対して吐出する前に処理液中から異物を除去することができる。このように、捕集特性が互いに異なるフィルタを複数設ける構成とすることで、基板に吐出する前に処理液中の異物を低減することができる。

【0122】

また、フィルタの捕集特性は、フィルタの種類によって多様に存在し得るが、基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が高いフィルタを選択して使用することができる。このようなフィルタに対して処理液を通過させる構成とすることによって、処理液中から欠陥の発生頻度が高い異物を除去させることができる。そのため、基板における欠陥の発生を抑制することができる。

【0123】

また、複数のフィルタとして、捕集部（例えば、中空糸膜）における処理液との接触面積が互いに異なるものを選択してもよい。特定の処理液に対して同種の形状・材質からなるフィルタを適用する場合、捕集部の処理液との接触面積を互いに異ならせることで異物に対する捕集特性が変化し得る。このようなフィルタの特徴を利用して基板処理装置の多段のフィルタを構成してもよい。

【0124】

また、複数のフィルタを用いる場合、基板に対する後段の液処理を行った後に生じ得る欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高いフィルタが、管路の最下流に位置する態様としてもよい。また、最下流とは、実質的に最下流であればよく、ノズル３１から吐出される前の処理液が最後に通過する態様であればよい。このような構成とすることで、欠陥の発生頻度が高い異物が最下流のフィルタによって適切に除去されるため、基板における欠陥の発生を抑制することができる。

【0125】

管路は、供給源とノズルとを接続する主管路としての送液管６１と、主管路に設けられた２つの分岐点を接続するように形成されたバイパス管路としての分岐管６５ａ，６５ｂとを含んでいてもよい。送液部６０は、バイパス管路に設けられた送液用ポンプとしてのポンプ７１を有していてもよい。また、複数のフィルタのうち、欠陥の発生頻度が高い種類の異物に対する捕集性能が最も高い第１のフィルタ（第１フィルタ６２）は、主管路のうち２つの分岐点Ｐ１，Ｐ２の間に設けられる。このとき、第１フィルタ６２は、他のフィルタよりも下流側に設けられ得る。さらに、第１のフィルタとは異なるフィルタのうちの少なくとも１つのフィルタは、バイパス管路に設けられてもよい。このような構成とすることで、第１のフィルタを用いて欠陥に関係し得る異物の除去を適切に行うことができる。

【0126】

なお、バイパス管路に設けられるフィルタは、バイパス管路のうち前記送液用ポンプよりも上流側に設けられる態様としてもよい。この場合、送液用ポンプ（ポンプ７１）によって、ノズル３１から処理液を吐出する際に、第１のフィルタを最後に通過させることができる。すなわち、第１のフィルタを実質的に最下流に配置することができるため、欠陥の発生頻度が高い異物が最下流のフィルタ（第１フィルタ６２）によって適切に除去される。

【0127】

また、上記実施形態で説明したように、送液部６０を制御する制御部（制御装置１００）をさらに備えてもよい。また、送液部６０は、バイパス管路のうち送液用ポンプよりも下流側において、処理液中の異物を検出する異物検出部６９をさらに有していてもよい。また、制御装置１００は、異物検出部６９による検出結果に応じて、管路における処理液の流れを変更する制御を行ってもよい。このように、異物検出部６９による検出結果に応じて、主管路及びバイパス管路における処理液の流れを変更する構成とすることで、例えば、処理液中の異物の残留程度等を考慮してフィルタに対する処理液の通過回数を変更することができる。このように、処理液中の異物をより適切に除去できるような制御を選択することができる。

【0128】

また、処理後の基板における欠陥の発生状況に応じて、処理液がノズル３１に到達する前に最後に通過するフィルタを変更するように、主管路及びバイパス管路における処理液の流れを変更する制御を行ってもよい。この場合、例えば、処理後の基板での欠陥の発生状況に応じてより適切な順序でフィルタを通過させることができる。そのため、処理後の基板において欠陥が発生しないための適切な制御内容を決定することができる。

【0129】

［他の実施形態］
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

【0130】

例えば、供給源（液源５１）とノズル３１との間の構成、すなわち、処理液をノズル３１（吐出部３０）へ供給するための構成は、圧送部、管路等の構成を含めて、適宜変更することができる。管路における供給用ポンプ（ポンプ７１）の配置についても適宜変更することができる。また、管路の構成に応じてフィルタの配置も適宜変更し得る。

【0131】

図１１（ａ）及び図１１（ｂ）では、上記実施形態と同様の管路構成におけるフィルタの配置の変更例を示している。図１１（ａ）は、分岐管６５ａ上に代えてポンプ７１よりも下流側の分岐管６５ｂに第２フィルタ６３を配置した例を示している。このような構成とした場合、図８（ｃ）に示した動作と同様の動作で吐出バルブ８４を経てノズル３１に対して処理液を供給する場合、処理液は第２フィルタ６３を通過した後にノズル３１に対して供給される。一方、ポンプ７１及びバルブの動作の内容によっては、処理液が最後に第１フィルタ６２を通過してノズル３１に共有される構成とすることもできる。このように、フィルタの配置はポンプ７１の上流側であっても下流側であってもよい。

【0132】

また、図１１（ｂ）は、バイパス管路としての分岐管６５ｂの下流側の分岐点Ｐ２よりも下流側に第１フィルタ６２を配置した例を示している。この場合、バイパス管路を含む循環路を循環するか、もしくは、送液管６１を通過した処理液は、必ず第１フィルタ６２を通過して吐出バルブ８４を経てノズル３１に供給される。このような構成とした場合、最下流の第１フィルタ６２を通過しない態様は実現できないが、上流での処理液の循環回数を変更することによって、例えば、第２フィルタ６３を通過させない制御も可能となる。このように、フィルタの配置は、例えば処理液の特性、フィルタによる除去対象の異物等の特性に応じて適宜変更することができる。なお、バルブとフィルタとの位置関係についても適宜変更できることは言うまでもない。

【0133】

また、フィルタの数についても適宜変更することができる。また、フィルタの数を増やす場合、複数のフィルタのうちの一部が同じ捕集特性を有する同種のフィルタであってもよい。

【0134】

また、上記実施形態では処理液がレジスト液である場合について説明したが、レジスト液とは異なる処理液を対象に同様の構成を設けてもよい。

【0135】

また、異物検出部６９を有しない構成であってもよい。また、異物検出部６９を管路の他の位置（分岐管６５ｂとは異なる位置）に設けてもよい。

【0136】

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

【符号の説明】

【0137】

１…基板処理システム、２…塗布・現像装置、３…露光装置、４…キャリアブロック、５…処理ブロック、６…インタフェースブロック、２０…回転保持部、２１…保持部、２２…駆動部、２９…処理液供給部、３０…吐出部、３１…ノズル、３２…送液管、５０…補充部、５１…液源、５３…圧送部、５４…圧力測定部、５５…送出管、５６…ポンプ、５７…ポンプ駆動部、６０…送液部、６１…送液管、６２…第１フィルタ、６３…第２フィルタ、６４…圧送部、６５…流量測定部、６５ａ，６５ｂ…分岐管、６６…第１接続バルブ、６７…第２接続バルブ、６８…圧力測定部、６９…異物検出部、７１…ポンプ、７２…ポンプ駆動部、７３…流量測定部、７４…圧力測定部、８１…第１接続部、８２…切替バルブ、８３…第２接続部、８４…吐出バルブ、１００…制御装置、１０１…処理液供給制御部、１０２…動作指令保持部、１０３…第１圧力取得部、１０４…第２圧力取得部、１０５…流量取得部、１０６…液圧取得部、１０７…変更制御部、１１１…補充準備部、１１２…補充制御部、１１３…循環制御部、１１４…吐出準備部、１１５…吐出制御部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】