特許 7598592出願番号特願 2021-508907
化合物、および該化合物を含む有機半導体材料

出願人国立大学法人大阪大学（識別番号 504176911）

2026年特許公開件数ランキング 301位 168件（※）

2026年特許取得件数ランキング 262位 121件（※）

2026年特許公開件数ランキング 226位 93件（※）

2026年特許取得件数ランキング 147位 125件（※）

公報発行日　2024年12月12

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7598592　ログイン済みの方はこのURLへ

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※ 共同出願を含む

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化合物、および該化合物を含む有機半導体材料

有機半導体材料としては、上述したように、電子受容性のｎ型有機半導体材料も必要であり、ｎ型有機半導体材料には、ＬＵＭＯ準位を低く維持したままＨＯＭＯ準位も低く維持することが求められる。

本発明は、以下の発明を含む。［１］式（１）で表される化合物。 TIFF 0007598592000001.tif 37 60 ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

本発明の化合物は、テトラゾロピリジン化合物が特定の官能基とキノイド構造を形成し、且つ電子求引性基を含んでいるため、本発明によれば、ＬＵＭＯ準位を低く維持したままＨＯＭＯ準位も低くすることができ、有機半導体材料、特にｎ型有機半導体材料として有用である新規の化合物を提供できる。

【図1】図１は、スピンコートして形成したＯＦＥＴ素子１について、１３０℃でアニール行った後におけるトランスファー曲線の測定結果を示すグラフである。

【図2】図２は、スピンコートして形成したＯＦＥＴ素子１について、大気中に取り出した後におけるトランスファー曲線の測定結果を示すグラフである。

【図3】図３は、ドロップキャストして形成したＯＦＥＴ素子２について、１３０℃でアニール行った後におけるトランスファー曲線の測定結果を示すグラフである。

【図4】図４は、ドロップキャストして形成したＯＦＥＴ素子２について、大気中に取り出した後におけるトランスファー曲線の測定結果を示すグラフである。

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