特許7598781IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

ハイブリッドアレイ導波路型光偏向器に係り、特に、電気光学効果を利用するハイブリッドアレイ導波路型光偏向器

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

従来例1のアレイ導波路型光偏向器では、導波路コアに用いるSiの屈折率が3.5程度であることから、狭ピッチ化が可能であって偏向角度θを拡大する効果を有すると共に、TO効果やキャリアプラズマ効果による光変調が可能である。しかし、この従来例1では、導波路コアに用いるSiが、可視光波長域に強い光吸収特性を有するため、光偏向器として使用できる光の波長帯域が、ブロードバンドとは言えず、赤外光領域だけになってしまうという制約がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

前記課題を解決するために、本発明の第1の観点に係るハイブリッドアレイ導波路型光偏向器は、基板上にコアおよびクラッドを有する光導波路の材料として無機材料と有機材料とを両方とも用いたハイブリッド光導波路構造が形成され、入力される光の位相を制御して光変調を行う光変調部を備えるハイブリッドアレイ導波路型光偏向器であって、前記ハイブリッド光導波路構造のクラッドは、電気光学材料からなり平面状に形成された・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、ポーリング処理が簡易なハイブリッドアレイ導波路型光偏向器を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明のハイブリッドアレイ導波路型光偏向器を模式的に示す全体概略図である。
【図2】 光スプリッタの構成例であって、(a)は1×8MMIカプラ、(b)は1×2MMIカプラのカスケード接続による構成例をそれぞれ示している。
【図3】 光変調部における光導波路断面図であって、図1のA-A線断面矢視図である。
【図4】 光変調部以外の光導波路断面図であって、図1のB-B線断面矢視図である。
【図5】 実施例に係る光変調部における導波路断面図である。
【図6】 実施例に係る光変調部における位相分布の一例を示す図である。
【図7】 実施例に係る光変調部に対する印加電圧と隣接する導波路の位相差との関係を示すグラフである。

代表図 図1本件の代表的な図

10 光偏向器(ハイブリッドアレイ導波路型光偏向器) 20 基板 30 光入射部 40 光スプリッタ 50 光変調部 51 下部クラッド 52 コア 53 下部電極 54 スラブ状クラッド 55 上部電極 56 上部クラッド 60 中継導波路部 70 光出射部

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