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特許7599185有機半導体薄膜、トランジスタ、有機半導体薄膜の製造方法、トランジスタの製造方法及び電子デバイスの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-12-05
(45)【発行日】2024-12-13
(54)【発明の名称】有機半導体薄膜、トランジスタ、有機半導体薄膜の製造方法、トランジスタの製造方法及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/368 20060101AFI20241206BHJP
H01L 29/786 20060101ALI20241206BHJP
H01L 21/336 20060101ALI20241206BHJP
H10K 10/46 20230101ALI20241206BHJP
H10K 50/10 20230101ALN20241206BHJP
H10K 59/00 20230101ALN20241206BHJP
【ＦＩ】
H01L21/368 L
H01L29/78 618B
H01L29/78 618A
H10K10/46
H10K50/10
H10K59/00
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2023522722
(86)(22)【出願日】2022-05-19
(86)【国際出願番号】 JP2022020853
(87)【国際公開番号】W WO2022244847
(87)【国際公開日】2022-11-24
【審査請求日】2023-10-02
(31)【優先権主張番号】P 2021085293
(32)【優先日】2021-05-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第２項適用 （１）発行日（公開日） 令和２年５月２１日 （２）刊行物 ＡＣＳ ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ＆ＩＮＴＥＲＦＡＣＥＳ ２０２０ Ｖｏｌ．１２，Ｎｏ２６，２９４９７－２９５０４ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ 発行 （ウェブ発行・公開ＵＲＬ ： ｈｔｔｐｓ：／／ｐｕｂｓ．ａｃｓ．ｏｒｇ／ｄｏｉ／１０．１０２１／ａｃｓａｍｉ．０ｃ０５１０５） ＜資料＞ ＡＣＳ ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ＆ＩＮＴＥＲＦＡＣＥＳ ２０２０ ウェブ発行ページ ＜資料＞ ＡＣＳ ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ＆ＩＮＴＥＲＦＡＣＥＳ ２０２０ 研究論文 抜粋
(73)【特許権者】
【識別番号】304021417
【氏名又は名称】国立大学法人東京科学大学
(73)【特許権者】
【識別番号】000004112
【氏名又は名称】株式会社ニコン
(74)【代理人】
【識別番号】100161207
【弁理士】
【氏名又は名称】西澤 和純
(74)【代理人】
【識別番号】100140774
【弁理士】
【氏名又は名称】大浪 一徳
(74)【代理人】
【識別番号】100175824
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 淳一
(72)【発明者】
【氏名】半那 純一
(72)【発明者】
【氏名】ウー ハオ
(72)【発明者】
【氏名】飯野 裕明
【審査官】長谷川 直也
(56)【参考文献】
【文献】特開２００４－３３５４９２（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／００６０８００（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００６－３３２２４９（ＪＰ，Ａ）
【文献】近藤光一郎，半那純一，飯野裕明，液晶性を利用した高速ブレードコートによる有機半導体の同時製膜パターニングを用いたトランジスタとその特性評価，第６８回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集，2021年02月26日，p. 11-353 (19a-Z18-5)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３６８
Ｈ０１Ｌ ２９／７８６
Ｈ０１Ｌ ２１／３３６
Ｈ１０Ｋ １０／４６
Ｈ１０Ｋ ５０／１０
Ｈ１０Ｋ ５９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
液晶性有機半導体を含む有機半導体薄膜であって、下記に記載の測定方法により測定されるＱｐ及びＱｔが下記（１）を満たし、
下記ロッキングスキャンパターンは、下記最大のピークのピーク強度であるＩｐｅａｋと、下記ベースラインの値であるＩｂａｓとの比Ｉｐｅａｋ／Ｉｂａｓが１０未満である、有機半導体薄膜。
０．０６≦Ｑｐ／Ｑｔ≦０．５ ・・・（１）
［測定方法］
（ｉ）有機半導体薄膜の基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θを特定する。
（ｉｉ）前記回折角２θ及び検出器の位置を固定し、有機半導体薄膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、ロッキングスキャンパターンを得る。
（ｉｉｉ）前記ロッキングスキャンパターンのベースラインを得る。
（ｉｖ）前記ロッキングスキャンパターンのうち、前記ベースラインを正の方向に超える最大のピークを特定し、前記ベースラインを超えるピーク部分の面積をＱｐとする。
（ｖ）前記ロッキングスキャンパターンの総ピーク面積をＱｔとする。
【請求項2】
請求項１に記載の有機半導体薄膜を半導体層として含む、トランジスタ。
【請求項3】
液晶性有機半導体を有機溶媒に溶解し、有機半導体溶液を調製する工程と、前記有機半導体溶液を基材に１０ｍｍ／秒を超える速度で塗布する工程と、
前記有機半導体溶液を乾燥する工程と、を有し、
前記塗布する工程は、前記有機半導体溶液に前記基材を浸漬した後、前記基材を前記有機半導体溶液の液面から１０ｍｍ／秒以上の速度で引き上げることにより行う、有機半導体薄膜の製造方法。
【請求項4】
液晶性有機半導体を有機溶媒に溶解し、有機半導体溶液を調製する工程と、前記有機半導体溶液を基材に４０ｍｍ／秒を超える速度で塗布する工程と、
前記有機半導体溶液を乾燥する工程と、を有する、
有機半導体薄膜の製造方法。
【請求項5】
液晶性有機半導体を有機溶媒に溶解し、有機半導体溶液を調製する工程と、前記有機半導体溶液を基材に１０ｍｍ／秒を超える速度で塗布する工程と、
前記有機半導体溶液を乾燥する工程と、を有し、
前記塗布する工程において、前記有機半導体溶液は前記基材に対して一方向に塗布され、
前記塗布する工程は、前記有機半導体溶液に前記基材を浸漬した後、前記基材を前記有機半導体溶液の液面から１０ｍｍ／秒以上の速度で引き上げることにより行う、
有機半導体薄膜の製造方法。
【請求項6】
液晶性有機半導体を有機溶媒に溶解し、有機半導体溶液を調製する工程と、
前記有機半導体溶液を基材に４０ｍｍ／秒を超える速度で塗布する工程と、
前記有機半導体溶液を乾燥する工程と、を有し、
前記塗布する工程において、前記有機半導体溶液は前記基材に対して一方向に塗布する、
有機半導体薄膜の製造方法。
【請求項7】
半導体層を有するトランジスタの製造方法であって、前記半導体層を、請求項３～６のいずれか１項に記載の有機半導体薄膜の製造方法により形成する工程を含む、トランジスタの製造方法。
【請求項8】
請求項７に記載のトランジスタの製造方法によりトランジスタを形成する工程を含む、電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機半導体薄膜、トランジスタ、有機半導体薄膜の製造方法、トランジスタの製造方法及び電子デバイスの製造方法に関する。
本願は、２０２１年５月２０日に、日本に出願された特願２０２１－０８５２９３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、２０２１年５月２０日に、日本に出願された特願２０２１－０８５２９３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【0002】
有機半導体薄膜を製造する方法として、溶媒蒸発法が検討されている。溶媒蒸発法は有機半導体溶液から溶媒を蒸発させて溶液から有機半導体物質を析出させ、有機半導体膜を製造する方法である。
【0003】
溶媒蒸発法を利用した成膜方法には、ディップコート法、ドロップキャスト法、スピンコート法、インクジェット法、グラビア印刷法などが挙げられる。これらの溶液を用いたプロセスでは、真空を必要とせず、簡易で安価に実施でき、２００℃以下の低温で製造が可能でありながら、高性能の有機半導体薄膜が製造できる点で工業的に有用な方法である。
【0004】
溶媒蒸発法により単結晶膜や単結晶性結晶膜を製造する場合、１～１０ｃｍ２／Ｖｓの高いキャリア移動度を持つ有機半導体結晶膜が製造可能である。しかし、例えば、非特許文献１に記載のように、成膜速度が１００μｍ／秒～１ｍｍ／秒程度と遅く、工業的な応用には成膜速度の観点から改善の余地があった。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0005】
【文献】Ｙａｍａｍｕｒａ ｅｔ ａｌ．， Ｓｃｉ． Ａｄｖ． ２０１８；４： ｅａａｏ５７５８ ２ Ｆｅｂｒｕａｒｙ ２０１８
【発明の概要】
【0006】
本発明の有機半導体膜は、下記に記載の測定方法により測定されるＱｐ及びＱｔが下記（１）を満たし、下記ロッキングスキャンパターンは、下記最大のピークのピーク強度であるＩｐｅａｋと、下記ベースラインの値であるＩｂａｓとの比Ｉｐｅａｋ／Ｉｂａｓが１０未満である。
０．０６≦Ｑｐ／Ｑｔ≦０．５ ・・・（１）
［測定方法］
（ｉ）有機半導体薄膜の基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θを特定する。
（ｉｉ）前記回折角２θ及び検出器の位置を固定し、有機半導体薄膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、ロッキングスキャンパターンを得る。
（ｉｉｉ）前記ロッキングスキャンパターンのベースラインを得る。
（ｉｖ）前記ロッキングスキャンパターンのうち、前記ベースラインを正の方向に超える最大のピークを特定し、前記ベースラインを超えるピーク部分の面積をＱｐとする。
（ｖ）前記ロッキングスキャンパターンの総ピーク面積をＱｔとする。
０．０６≦Ｑｐ／Ｑｔ≦０．５ ・・・（１）
［測定方法］
（ｉ）有機半導体薄膜の基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θを特定する。
（ｉｉ）前記回折角２θ及び検出器の位置を固定し、有機半導体薄膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、ロッキングスキャンパターンを得る。
（ｉｉｉ）前記ロッキングスキャンパターンのベースラインを得る。
（ｉｖ）前記ロッキングスキャンパターンのうち、前記ベースラインを正の方向に超える最大のピークを特定し、前記ベースラインを超えるピーク部分の面積をＱｐとする。
（ｖ）前記ロッキングスキャンパターンの総ピーク面積をＱｔとする。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1A】比較例１の有機半導体膜の偏光顕微鏡写真図である。
【図1B】比較例１の有機半導体膜のＸ線回折パターンである。
【図1C】比較例１の有機半導体膜のロッキングスキャンパターンである。
【図1D】比較例１の有機半導体膜のトランジスタの移動度の分布を示す図である。
【図2A】比較例２の有機半導体膜の偏光顕微鏡写真図である。
【図2B】比較例２の有機半導体膜のＸ線回折パターンである。
【図2C】比較例２の有機半導体膜のロッキングスキャンパターンである。
【図2D】５ｍｍ／秒の成膜速度で形成したトランジスタの移動度の分布を示す図である。
【図3A】比較例３の有機半導体膜の偏光顕微鏡写真図である。
【図3B】比較例３の有機半導体膜のＸ線回折パターンである。
【図3C】比較例３の有機半導体膜のロッキングスキャンパターンである。
【図3D】１０ｍｍ／秒の成膜速度で形成したトランジスタの移動度の分布を示す図である。
【図4A】実施例１の有機半導体膜の偏光顕微鏡写真図である。
【図4B】実施例１の有機半導体膜のＸ線回折パターンである。
【図4C】実施例１の有機半導体膜のロッキングスキャンパターンである。
【図5A】実施例２の有機半導体膜の偏光顕微鏡写真図である。
【図5B】実施例２の有機半導体膜のＸ線回折パターンである。
【図5C】実施例２の有機半導体膜のロッキングスキャンパターンである。
【図6A】実施例３の有機半導体膜の偏光顕微鏡写真図である。
【図6B】実施例３の有機半導体膜のＸ線回折パターンである。
【図6C】実施例３の有機半導体膜のロッキングスキャンパターンである。
【図7A】実施例４の有機半導体膜の偏光顕微鏡写真図である。
【図7B】実施例４の有機半導体膜のＸ線回折パターンである。
【図7C】実施例４の有機半導体膜のロッキングスキャンパターンである。
【図7D】４０ｍｍ／秒の成膜速度で形成したトランジスタの移動度の分布を示す図である。
【図8A】比較例４の有機半導体膜の偏光顕微鏡写真図である。
【図8B】比較例４の有機半導体膜のＸ線回折パターンである。
【図8C】比較例４の有機半導体膜のロッキングスキャンパターンである。
【図9】引き上げ速度を横軸、Ｑｐ／Ｑｔを縦軸とし、さらに移動度のバラツキを示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0008】
＜有機半導体薄膜＞
本実施形態は、液晶性有機半導体を含む有機半導体薄膜である。
本実施形態の有機半導体薄膜は、後述する本実施形態の有機半導体薄膜の製造方法によって製造される。
本実施形態は、液晶性有機半導体を含む有機半導体薄膜である。
本実施形態の有機半導体薄膜は、後述する本実施形態の有機半導体薄膜の製造方法によって製造される。
【0009】
本実施形態の有機半導体薄膜は、以下に記載の測定方法により測定されるＱｐ及びＱｔが（１）を満たす。さらに、下記最大のピークのピーク強度であるＩｐｅａｋと、下記ベースラインの値であるＩｂａｓとの比Ｉｐｅａｋ／Ｉｂａｓが１０未満である。
０．０６≦Ｑｐ／Ｑｔ≦０．５ ・・・（１）
［測定方法］
（ｉ）有機半導体薄膜の基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θを特定する。
（ｉｉ）前記回折角２θ及び検出器の位置を固定し、有機半導体薄膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、ロッキングスキャンパターンを得る。
（ｉｉｉ）前記ロッキングスキャンパターンのベースラインを得る。
（ｉｖ）前記ロッキングスキャンパターンのうち、前記ベースラインを正の方向に超える最大のピークを特定し、前記ベースラインを超えるピーク部分の面積をＱｐとする。
（ｖ）前記ロッキングスキャンパターンの総ピーク面積をＱｔとする。
０．０６≦Ｑｐ／Ｑｔ≦０．５ ・・・（１）
［測定方法］
（ｉ）有機半導体薄膜の基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θを特定する。
（ｉｉ）前記回折角２θ及び検出器の位置を固定し、有機半導体薄膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、ロッキングスキャンパターンを得る。
（ｉｉｉ）前記ロッキングスキャンパターンのベースラインを得る。
（ｉｖ）前記ロッキングスキャンパターンのうち、前記ベースラインを正の方向に超える最大のピークを特定し、前記ベースラインを超えるピーク部分の面積をＱｐとする。
（ｖ）前記ロッキングスキャンパターンの総ピーク面積をＱｔとする。
【0010】
工程（ｉ）において、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θを特定するのは、（０２０）結晶面のピークがより強く観察されやすいためである。例えば他の結晶面である（１１０）面や（１２０）面のピークを観察しても、同様に回折角２θχを特定できる。
【0011】
工程（ｉｉ）において、検出器の位置を２θχに固定し、有機半導体薄膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行うことで、全方位からＸ線を照射でき、結晶面の向きの配向を全方位的に確認できる。
【0012】
工程（ｉｉｉ）において、工程（ｉｉ）で得たロッキングスキャンパターンを解析ソフトで解析する。解析ソフトにおける平滑化処理の際は、例えばＲｉｇａｋｕ社製のＧｌｏｂａｌ ｆｉｔが使用できる。
平滑化処理の一例としてはガウス関数による畳み込みを行う。
平滑化処理の一例としてはガウス関数による畳み込みを行う。
【0013】
工程（ｉｉｉ）において、ロッキングスキャンパターンのベースラインを得る。ここで、「ベースライン」とは、解析ソフトによる平滑化処理の上、最小値を探し出し、急峻なピークを含まない範囲で平均値を計算し得た値である。急峻なピークを含まない範囲とは、最小値の前後２．５度の範囲である。
【0014】
本実施形態において、ロッキングスキャンパターンにおいて比Ｉｐｅａｋ／Ｉｂａｓが１０未満である。これは即ち上記の測定方法においては（０２０）結晶面が全方位的に観察されるランダム膜であることを示す。
【0015】
工程（ｖ）において、ロッキングスキャンパターンのうち、ベースラインを正の方向に超えるピークを特定し、ベースラインを超えるピーク部分の面積をＱｐとする。本実施形態の有機半導体薄膜のロッキングスキャンパターンには、ピークが観察される。これは有機半導体膜を製造する工程において、有機半導体溶液を基材に１０ｍｍ／秒を超える速度で一方向に塗布するため、結晶の配向が異方性を有するためである。
【0016】
例えば有機半導体溶液を基材にスピンコートして塗布した場合には結晶の配向が異方性を有さないため、有機半導体薄膜のロッキングスキャンパターンにはピークが観察されない。
【0017】
Ｑｐは、ベースラインと、ベースラインを超える部分とで形成される面積である。
【0018】
工程（ｖ）において、ロッキングスキャンパターンの総面積であるＱｔを得る。
【0019】
Ｑｐ及びＱｔが（１）を満たすと、上記の測定方法においては（０２０）結晶面が全方位的に観察されるランダム膜であって、結晶の配向が異方性を有することがわかる。
【0020】
（１）は、下記（１）－１～（１）－３のいずれかであることが好ましい。
０．０７≦Ｑｐ／Ｑｔ≦０．４９ ・・・（１）－１
０．０８≦Ｑｐ／Ｑｔ≦０．４８ ・・・（１）－２
０．０９≦Ｑｐ／Ｑｔ≦０．４７ ・・・（１）－３
０．０７≦Ｑｐ／Ｑｔ≦０．４９ ・・・（１）－１
０．０８≦Ｑｐ／Ｑｔ≦０．４８ ・・・（１）－２
０．０９≦Ｑｐ／Ｑｔ≦０．４７ ・・・（１）－３
【0021】
Ｑｐ及びＱｔが（１）を満たす有機半導体膜は、移動度のばらつきが小さい。ここで、「移動度のばらつきが小さい」とは、下記に示す［キャリア移動度の評価］に記載の方法により求めた変異係数が、２０％以下であることを意味する。
【0022】
［キャリア移動度の評価］
（キャリア移動度μＡＶの測定）
有機薄膜トランジスタについて、製造したキャリア移動度測定用検体すべてのキャリア移動度を測定する。
具体的には、各有機薄膜トランジスタ素子のソース電極－ドレイン電極間に－５０Ｖの電圧を印加し、ゲート電圧を＋１０Ｖ～－７０Ｖの範囲で変化させ、ドレイン電流Ｉｄを表す下記式を用いてキャリア移動度μ（ｃｍ２／Ｖｓ）を算出する。すべての検体のキャリア移動度の平均値を求め、これを、キャリア移動度μＡＶとする。
キャリア移動度μＡＶは高いほど好ましい。
（キャリア移動度μＡＶの測定）
有機薄膜トランジスタについて、製造したキャリア移動度測定用検体すべてのキャリア移動度を測定する。
具体的には、各有機薄膜トランジスタ素子のソース電極－ドレイン電極間に－５０Ｖの電圧を印加し、ゲート電圧を＋１０Ｖ～－７０Ｖの範囲で変化させ、ドレイン電流Ｉｄを表す下記式を用いてキャリア移動度μ（ｃｍ２／Ｖｓ）を算出する。すべての検体のキャリア移動度の平均値を求め、これを、キャリア移動度μＡＶとする。
キャリア移動度μＡＶは高いほど好ましい。
【0023】
Ｉｄ＝（ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ－Ｖｔｈ）２
式中、Ｌはチャネル長、ｗはチャネル幅、μはキャリア移動度、Ｃｉはゲート絶縁層の単位面積当たりの容量、Ｖｇはゲート電圧、Ｖｔｈは閾値電圧を、それぞれ、表す。
式中、Ｌはチャネル長、ｗはチャネル幅、μはキャリア移動度、Ｃｉはゲート絶縁層の単位面積当たりの容量、Ｖｇはゲート電圧、Ｖｔｈは閾値電圧を、それぞれ、表す。
【0024】
（変異係数の算出）
有機薄膜トランジスタについて、上記（キャリア移動度μＡＶの測定）に記載の試験において測定したすべての検体のキャリア移動度μに対して、下記式により、変異係数を算出する。
下記式において、標準偏差は定法により算出し、平均値は上記キャリア移動度μＡＶを用いる。この変異係数を、キャリア移動度のばらつきの指標として、評価する。
有機薄膜トランジスタについて、上記（キャリア移動度μＡＶの測定）に記載の試験において測定したすべての検体のキャリア移動度μに対して、下記式により、変異係数を算出する。
下記式において、標準偏差は定法により算出し、平均値は上記キャリア移動度μＡＶを用いる。この変異係数を、キャリア移動度のばらつきの指標として、評価する。
【0025】
異係数（％）＝（標準偏差／平均値）×１００
【0026】
本実施形態において、Ｑｐ及びＱｔが（１）を満たすと、多結晶膜であっても移動度のばらつきを小さくすることが可能である。その合理的な理由として、以下のように説明できる。
Ｑｐ及びＱｔが（１）を満たすと、結晶粒が結晶膜の特定方向に配向した結晶粒の割合が小さく、面内にランダムに配向している割合が高くなる。このような結晶膜を用いた素子を形成した場合、結晶粒内の移動度に異方性があったとしても、その特性は平均化され、素子の移動度のばらつきを小さく抑えることができる。この点は、従来の単結晶性結晶膜を用いる取り組みとは異なるアプローチで、工業的に大きな優位性を与える。
Ｑｐ及びＱｔが（１）を満たすと、結晶粒が結晶膜の特定方向に配向した結晶粒の割合が小さく、面内にランダムに配向している割合が高くなる。このような結晶膜を用いた素子を形成した場合、結晶粒内の移動度に異方性があったとしても、その特性は平均化され、素子の移動度のばらつきを小さく抑えることができる。この点は、従来の単結晶性結晶膜を用いる取り組みとは異なるアプローチで、工業的に大きな優位性を与える。
【0027】
本実施形態の有機半導体薄膜の一実施形態において、１ｃｍ２／Ｖｓ以上の平均移動度を有することができる。
【0028】
移動度は一般的に行われるＦＥＴの移動度評価法、つまり、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板をゲート絶縁膜／ゲート電極にもちいて、ボトムゲートボトムコンタクト型トランジスタを作製し、飽和領域におけるトランジスタ特性から移動度を算出する。
【0029】
本実施形態の有機半導体薄膜の一実施形態において、平均膜厚は１００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下がさらに好ましい。
【0030】
＜トランジスタ＞
本実施形態は、前記本実施形態の有機半導体薄膜を半導体層として含むトランジスタである。
本実施形態は、前記本実施形態の有機半導体薄膜を半導体層として含むトランジスタである。
【0031】
本実施形態のトランジスタが備える有機半導体膜は、上記Ｑｐ及びＱｔが上記（１）を満たす。さらに、上記ロッキングスキャンパターン下記最大のピークのピーク強度であるＩｐｅａｋと、下記ベースラインの値であるＩｂａｓとの比Ｉｐｅａｋ／Ｉｂａｓが１０未満である。
【0032】
従来、有機半導体膜を作製する場合、有機半導体の結晶粒の成長を制御し結晶粒の配向方向を揃え、かつ、粒径サイズを大きくすることにより結晶粒界の影響を軽減し、結晶膜の特性の均一化が図られていた。しかしながら、この方法では結晶膜全体における粒界の密度は低減できるが、トランジスタの半導体層として用いた場合、チャネル領域に存在し得る少ない結晶粒界の数は素子間で大きく異なり、結果として、素子特性に大きなバラつきが生じてしまう。
【0033】
そこで、トランジスタの素子間のバラつきを低減するためには、逆に、有機半導体膜中の結晶粒界を増やすことが考えられるが、この場合、トランジスタのチャネル領域に存在する結晶粒界の密度も大きくなるため、キャリア輸送の特性が低下して素子としての性能が損なわれる。
【0034】
一方、本実施形態の有機半導体膜は、結晶粒界の数を増やしながらも、キャリア輸送を阻害する結晶粒界の形成を抑制することができる。ここで、キャリア輸送を阻害する結晶粒界とは、特定の方向に配向した結晶ドメインにより形成されるものであり、本実施形態の有機半導体膜は、結晶ドメインの特定の方向への配向が抑制されている。
【0035】
本実施形態の有機半導体膜は、結晶ドメインの平均粒径が１μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以上１００μｍ以下であることがよりさらに好ましい。
【0036】
また、本実施形態の有機半導体膜は、結晶ドメインのアスペクト比（短径に対する長径の比（長径／短径））が５以下であることが好ましく、３以下であることがより好ましく、２以下であることがよりさらに好ましい。また、有機半導体膜中に上述したアスペクト比とは異なるアスペクト比を有する結晶ドメインが含まれる場合、上述したアスペクト比を有する結晶ドメインの有機半導体膜中における面積割合は、３０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがよりさらに好ましい。
【0037】
＜有機半導体薄膜の製造方法＞
本実施形態は、有機半導体薄膜の製造方法に関する。
本実施形態の有機半導体薄膜の製造方法は、液晶性有機半導体を有機溶媒に溶解し、有機半導体溶液を調製する工程と、有機半導体溶液を基材に１０ｍｍ／秒を超える速度で塗布する工程と、有機半導体溶液を乾燥する工程と、を有する。
以下、各工程について説明する。
本実施形態は、有機半導体薄膜の製造方法に関する。
本実施形態の有機半導体薄膜の製造方法は、液晶性有機半導体を有機溶媒に溶解し、有機半導体溶液を調製する工程と、有機半導体溶液を基材に１０ｍｍ／秒を超える速度で塗布する工程と、有機半導体溶液を乾燥する工程と、を有する。
以下、各工程について説明する。
【0038】
［有機半導体溶液を調製する工程］
まず、有機半導体を有機溶媒に溶解し、有機半導体溶液を調製する。
本実施形態において用いる有機半導体としては、例えば電荷輸送を担うπ電子系骨格の分子長軸方向にアルキル鎖を一つ、または、二つ置換した構造を持つ有機半導体が挙げられる。
まず、有機半導体を有機溶媒に溶解し、有機半導体溶液を調製する。
本実施形態において用いる有機半導体としては、例えば電荷輸送を担うπ電子系骨格の分子長軸方向にアルキル鎖を一つ、または、二つ置換した構造を持つ有機半導体が挙げられる。
【0039】
本実施形態に用いる有機半導体のπ電子系骨格としては、Ｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｅｏｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ骨格に代表されるチエノアセン系骨格が好ましいが、これに限定されるものではない。
チエノアセン系骨格を有する化合物の代表的な例は、国際公開第２０１２－１２１３９３号公報に記載の化合物が挙げられる。
チエノアセン系骨格を有する化合物の代表的な例は、国際公開第２０１２－１２１３９３号公報に記載の化合物が挙げられる。
【0040】
本実施形態においては、中でも、２－ｄｅｃｙｌ－７－ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｅｏｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０） および、その鎖長の異なる誘導体、側鎖がｐｈｅｎｙｌ基側に置換した誘導体が好ましい。
【0041】
本実施形態に用いるアルキル基を有する有機半導体分子は、液晶性を発現する。液晶性を発現すると、均一で平坦な結晶膜を製造することができる。また、結晶粒界を制御しやすくする観点からトランジスタ用有機結晶膜の形成に好ましい（例えば、非特許論文（Ａｄｖ． Ｍａｔｅｒ．， ２３、１７４８－１７５１、２００６）、非特許文献（Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．， ４５、Ｌ８６７－８７０， ２００６）等を参照）。
【0042】
半導体溶液の調製には、形成する有機半導体膜のモフォロジーの制御のため、ポリスチレンなどの絶縁性のポリマーを少量添加してもよい。絶縁性のポリマーを添加する場合には、有機半導体の全量に対し、０．１質量％以上１０質量％以下の範囲で適宜調整できる。
【0043】
本実施形態に用いる有機溶媒としては、室温付近での成膜では沸点が２５０℃以下、より好ましくは、沸点が２００℃以下の有機溶媒が好ましい。
具体的には、有機半導体が溶解可能なトルエン、キシレン、ジエチルベンゼンなどのアルキル置換ベンゼン誘導体が挙げられる。
また、アルキル置換ベンゼン誘導体はハロゲン原子またはアルコキシ、チオアルコキシ基で置換されていてもよい。
アルコキシ基で置換されたものの例としては、アニソール、チオアニソール誘導体が挙げられる。
具体的には、有機半導体が溶解可能なトルエン、キシレン、ジエチルベンゼンなどのアルキル置換ベンゼン誘導体が挙げられる。
また、アルキル置換ベンゼン誘導体はハロゲン原子またはアルコキシ、チオアルコキシ基で置換されていてもよい。
アルコキシ基で置換されたものの例としては、アニソール、チオアニソール誘導体が挙げられる。
【0044】
本実施形態においては、上記の中でも有機半導体の濃度を０．０１質量％以上溶解する有機溶媒を用いることが好ましく、０．１質量％以上溶解する有機溶媒を用いることがより好ましい。
【0045】
［塗布する工程］
次に、塗布方法に応じて、基材に有機半導体溶液の液膜を形成する。
本実施形態において、有機半導体溶液は基材に対して一方向に塗布されることが好ましい。有機半導体溶液を塗布する方法としては、例えば、ディップコート法が挙げられるが、これに限られず、基材に対して一方向に塗布可能であれば他の公知の方法を用いてもよい。
次に、塗布方法に応じて、基材に有機半導体溶液の液膜を形成する。
本実施形態において、有機半導体溶液は基材に対して一方向に塗布されることが好ましい。有機半導体溶液を塗布する方法としては、例えば、ディップコート法が挙げられるが、これに限られず、基材に対して一方向に塗布可能であれば他の公知の方法を用いてもよい。
【0046】
有機半導体膜厚は一般に、有機EL素子、光センサ、太陽電池、トランジスタ等、作製するデバイスの種類により選ばれる。例えば、有機トランジスタを作製する場合は、その膜厚は５ｎｍ以上２００ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定する。作製する結晶膜の膜厚は基材に塗布する液膜の厚さにより直接、制御することも可能である。また、一般に、用いる溶媒の種類、有機半導体の濃度、基材の種類や有機半導体溶液の温度、塗布される基材の温度によって形成する結晶膜の厚さは適宜制御できることが知られている。
【0047】
本実施形態において、液晶性を発現する有機半導体を用いる場合には、基材に有機半導体溶液の液膜を形成する温度は用いる液晶性有機半導体の液晶相温度付近とすることが有効である。
液膜形成時の温度は、基材を加熱することにより制御してもよい。ディップコート法を用いる場合は、基材を浸漬する際の有機半導体溶液の温度により制御することができる。
液膜形成時の温度は、基材を加熱することにより制御してもよい。ディップコート法を用いる場合は、基材を浸漬する際の有機半導体溶液の温度により制御することができる。
【0048】
例えば、液晶性を発現する有機半導体としてＰｈ－ＢＴＢＴ－１０を用いる場合、成膜温度を４０℃以上１５０℃以下の範囲に調整することが好ましい。また、Ｃ８－ＢＴＢＴを用いる場合には、成膜温度を３０℃以上１２０℃以下の範囲に調整することが好ましい。
【0049】
本実施形態において、有機半導体溶液を基材に塗布する速度は１０ｍｍ／秒を超え、１５ｍｍ／秒以上が好ましく、３０ｍｍ／秒以上がより好ましい。
【0050】
有機半導体溶液を基材に塗布する速度の上限値は特に限定されないが、例えば５０００ｍｍ／秒以下、１０００ｍｍ／秒以下、５００ｍｍ／秒以下、１００ｍｍ／秒以下が挙げられる。
【0051】
引き上げ速度の上記上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
組み合わせの例としては、１０ｍｍ／秒を超え１２０ｍｍ／秒以下、１０ｍｍ／秒を超え１００ｍｍ／秒以下、２０ｍｍ／秒以上８０ｍｍ／秒以下、４０ｍｍ／秒以上６０ｍｍ／秒以下が挙げられる。
組み合わせの例としては、１０ｍｍ／秒を超え１２０ｍｍ／秒以下、１０ｍｍ／秒を超え１００ｍｍ／秒以下、２０ｍｍ／秒以上８０ｍｍ／秒以下、４０ｍｍ／秒以上６０ｍｍ／秒以下が挙げられる。
【0052】
［有機半導体溶液を乾燥する工程］
本実施形態の製造方法においては、基材に有機半導体溶液を塗布するとともに有機半導体溶液の液層が基材に形成される。さらに、液層に含まれる有機溶媒が蒸発により乾燥し、結晶が析出して基材の表面に有機半導体の固体膜が成膜される。即ち、本実施形態においては、基材を有機半導体溶液から引き上げる速度は、成膜速度と同義であり、以下、成膜速度と記載する場合がある。
本実施形態の製造方法においては、基材に有機半導体溶液を塗布するとともに有機半導体溶液の液層が基材に形成される。さらに、液層に含まれる有機溶媒が蒸発により乾燥し、結晶が析出して基材の表面に有機半導体の固体膜が成膜される。即ち、本実施形態においては、基材を有機半導体溶液から引き上げる速度は、成膜速度と同義であり、以下、成膜速度と記載する場合がある。
【0053】
本実施形態においては、１０ｍｍ／秒を超える成膜速度という、従来の成膜速度よりも顕著に速い速度で有機半導体薄膜を成膜することができる。
【0054】
本実施形態においては、ディップコーティング法の場合は、一般に、基材を有機半導体溶液の液面から垂直に引き上げるが、角度をもって引き上げることも液膜の厚さの制御に有効である。
【0055】
基材としては、特に限定されず、ガラス、石英ガラス、シリコンウェハ、金属板、フレキシブルな樹脂製シートを用いることができる。
例えば、プラスチックフィルムをシートとして用いることができる。前記プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。
例えば、プラスチックフィルムをシートとして用いることができる。前記プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。
【0056】
本実施形態の製造方法は、前記のように、２００℃以下の低温で半導体溶液の塗布により成膜できるため、基材の材料やサイズ、形状の制約を受けにくい。このため、いわゆるロール・ツー・ロールプロセス等の連続式量産装置においても適用可能である。
【0057】
＜トランジスタの製造方法＞
本実施形態は、半導体層を有するトランジスタの製造方法である。
本実施形態のトランジスタの製造方法は、半導体層を、前記本実施形態の有機半導体膜の製造方法により形成する工程を含む。
本実施形態は、半導体層を有するトランジスタの製造方法である。
本実施形態のトランジスタの製造方法は、半導体層を、前記本実施形態の有機半導体膜の製造方法により形成する工程を含む。
【0058】
＜電子デバイスの製造方法＞
本実施形態は、電子デバイスの製造方法である。
本実施形態の電子デバイスの製造方法は、前記本実施形態のトランジスタの製造方法によりトランジスタを形成する工程を含む。
本実施形態は、電子デバイスの製造方法である。
本実施形態の電子デバイスの製造方法は、前記本実施形態のトランジスタの製造方法によりトランジスタを形成する工程を含む。
【実施例】
【0059】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【0060】
＜半導体溶液の調製＞
Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０は、非特許文献（Ｎａｔｕｒｅ Ｃｏｍｍｕｎ．， ＤＯＩ： ０．１０３８／ｎｃｏｍｍｓ７８２８に従って合成した。その後、シリカカラムクロマトグラフィーと再結晶による精製を繰り返し、純度を向上させて使用した。
Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０は、非特許文献（Ｎａｔｕｒｅ Ｃｏｍｍｕｎ．， ＤＯＩ： ０．１０３８／ｎｃｏｍｍｓ７８２８に従って合成した。その後、シリカカラムクロマトグラフィーと再結晶による精製を繰り返し、純度を向上させて使用した。
【0061】
＜基板の調製＞
有機半導体膜の成膜には、３００ｎｍの熱酸化膜を形成したｐ＋‐Ｓｉ基板の上に、膜厚が約２０ｎｍのＢＣＢ膜を形成した基板を用いた。
ＢＣＢとは、Ｄｉｂｕｔｙｌｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ－ｂｉｓ｛ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）である。
有機半導体膜の成膜には、３００ｎｍの熱酸化膜を形成したｐ＋‐Ｓｉ基板の上に、膜厚が約２０ｎｍのＢＣＢ膜を形成した基板を用いた。
ＢＣＢとは、Ｄｉｂｕｔｙｌｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ－ｂｉｓ｛ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）である。
【0062】
＜ディップコート法による半導体溶液の塗布＞
結晶膜は、ディップコーターを用いて製造した。使用するディップコーターは、基板設置部と、引き上げ速度を電気的に制御可能な基板引き上げ部と、温度を一定に保つように制御された有機半導体溶液を満たした容器を備える。本実施例においては、基板の引き上げ速度が最大４０ｍｍ／秒であるディップコーターを用いた。
結晶膜は、ディップコーターを用いて製造した。使用するディップコーターは、基板設置部と、引き上げ速度を電気的に制御可能な基板引き上げ部と、温度を一定に保つように制御された有機半導体溶液を満たした容器を備える。本実施例においては、基板の引き上げ速度が最大４０ｍｍ／秒であるディップコーターを用いた。
【0063】
＜トランジスタの作製と評価＞
トランジスタの作製には、膜厚が約２０ｎｍのＢＣＢを被覆したＳｉＯ２（３００ｎｍ）／Ｓｉ基板に、真空蒸着法により、シャドーマスクを用いてＡｕを蒸着し、ソース、ドレイン電極を形成し、グローブボックス内でＰＦＢＴ（ペンタフルオロベンゼンチオール）処理を行ったものを基板とした。チャネル長、チャネル幅はそれぞれ、１００μｍ、５００μｍであった。
作製したトランジスタは、大気下、室温でその特性を調べ、飽和領域のトランジスタ特性から移動度を算出した。
トランジスタの作製には、膜厚が約２０ｎｍのＢＣＢを被覆したＳｉＯ２（３００ｎｍ）／Ｓｉ基板に、真空蒸着法により、シャドーマスクを用いてＡｕを蒸着し、ソース、ドレイン電極を形成し、グローブボックス内でＰＦＢＴ（ペンタフルオロベンゼンチオール）処理を行ったものを基板とした。チャネル長、チャネル幅はそれぞれ、１００μｍ、５００μｍであった。
作製したトランジスタは、大気下、室温でその特性を調べ、飽和領域のトランジスタ特性から移動度を算出した。
【0064】
＜キャリア移動度の評価＞
トランジスタのキャリア移動度は、前記［キャリア移動度の評価］に記載の方法により評価した。
トランジスタのキャリア移動度は、前記［キャリア移動度の評価］に記載の方法により評価した。
【0065】
＜比較例１＞
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に１ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に１ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
【0066】
基板上に形成した結晶膜は、１２０℃ １５分の熱処理を行った。
【0067】
【0068】
結晶膜の基板表面面内の方向について微小角入射Ｘ線回折測定を行い、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θχを特定した。この時得られたＸ線回折パターンを図１Ｂに示す。
【0069】
検出器の位置を前記回折角２θχに固定し、結晶膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向について微小角入射Ｘ線回折測定を行い、ロッキングスキャンパターンを得た。得られたロッキングスキャンパターンを図１Ｃに示す。
【0070】
ロッキングスキャンパターンを解析ソフト（Ｒｉｇａｋｕ社製、Ｇｌｏｂａｌ ｆｉｔ）を用いて平滑化処理（ガウス関数による畳み込み）の上、最小値を探し出し、急峻なピークを含まない範囲（最小値の前後２．５度）で平均値を計算し、ベースラインを得た。ロッキングスキャンパターンのうち、ベースラインを正の方向に超えるピークを特定し、ベースラインを超える面積をＱｐとした。また、ロッキングスキャンパターンの総面積をＱｔとした。
【0071】
比較例１の結晶膜は、Ｑｐ／Ｑｔが０．７４であった。また、図１Ｃから、ロッキングスキャンパターンにおいて、比Ｉｐｅａｋ／Ｉｂａｓは５３．３６であった。
【0072】
図１Ｄは、１ｍｍ／秒の成膜速度で形成したトランジスタの移動度の分布を示す図である。
トランジスタの平均移動度は、０．５３ｃｍ２／Ｖｓであった。また移動度のばらつきは２８．０％であった。
トランジスタの平均移動度は、０．５３ｃｍ２／Ｖｓであった。また移動度のばらつきは２８．０％であった。
【0073】
＜比較例２＞
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に５ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に５ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
【0074】
基板上に形成した結晶膜は、１２０℃ １５分の熱処理を行った。
【0075】
【0076】
結晶膜の基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θを特定した。この時得られたＸ線回折パターンを図２Ｂに示す。
【0077】
前記回折角２θ及び検出器の位置を固定し、結晶膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、ロッキングスキャンパターンを得た。得られたロッキングスキャンパターンを図２Ｃに示す。
【0078】
ロッキングスキャンパターンを解析ソフト（Ｒｉｇａｋｕ社製、Ｇｌｏｂａｌ ｆｉｔ）を用いて解析し、ベースラインを得た。ロッキングスキャンパターンのうち、ベースラインを正の方向に超える最大のピークを特定し、ベースラインを超えるピークの面積をＱｐとした。また、ロッキングスキャンパターンの総ピーク面積をＱｔとした。
【0079】
比較例２の結晶膜は、Ｑｐ／Ｑｔが０．７６であった。また、図２Ｃから、ロッキングスキャンパターンにおいて、比Ｉｐｅａｋ／Ｉｂａｓは２９．４０であった。
【0080】
図２Ｄは、５ｍｍ／秒の成膜速度で形成したトランジスタの移動度の分布を示す図である。
トランジスタの平均移動度は、４．５９ｃｍ２／Ｖｓであった。また移動度のばらつきは２４．１％であった。
トランジスタの平均移動度は、４．５９ｃｍ２／Ｖｓであった。また移動度のばらつきは２４．１％であった。
【0081】
＜比較例３＞
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に１０ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に１０ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
【0082】
基板上に形成した結晶膜は、１２０℃ １５分の熱処理を行った。
【0083】
【0084】
結晶膜の基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θを特定した。この時得られたＸ線回折パターンを図３Ｂに示す。
【0085】
前記回折角２θ及び検出器の位置を固定し、結晶膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、ロッキングスキャンパターンを得た。得られたロッキングスキャンパターンを図３Ｃに示す。
【0086】
ロッキングスキャンパターンを解析ソフト（Ｒｉｇａｋｕ社製、Ｇｌｏｂａｌ ｆｉｔ）を用いて解析し、ベースラインを得た。ロッキングスキャンパターンのうち、ベースラインを正の方向に超える最大のピークを特定し、ベースラインを超えるピークの面積をＱｐとした。また、ロッキングスキャンパターンの総ピーク面積をＱｔとした。
【0087】
比較例３の結晶膜は、Ｑｐ／Ｑｔが０．５７であった。また、図３Ｃから、ロッキングスキャンパターンにおいて、比Ｉｐｅａｋ／Ｉｂａｓは１０．０９であった。
【0088】
図３Ｄは、１０ｍｍ／秒の成膜速度で形成したトランジスタの移動度の分布を示す図である。
トランジスタの平均移動度は、４．５３ｃｍ２／Ｖｓであった。また移動度のばらつきは４０．５％であった。
トランジスタの平均移動度は、４．５３ｃｍ２／Ｖｓであった。また移動度のばらつきは４０．５％であった。
【0089】
＜実施例１＞
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に１５ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に１５ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
【0090】
基板上に形成した結晶膜は、１２０℃ １５分の熱処理を行った。
【0091】
【0092】
結晶膜の基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θを特定した。この時得られたＸ線回折パターンを図４Ｂに示す。
【0093】
前記回折角２θ及び検出器の位置を固定し、結晶膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、ロッキングスキャンパターンを得た。得られたロッキングスキャンパターンを図４Ｃに示す。
【0094】
ロッキングスキャンパターンを解析ソフト（Ｒｉｇａｋｕ社製、Ｇｌｏｂａｌ ｆｉｔ）を用いて解析し、ベースラインを得た。ロッキングスキャンパターンのうち、ベースラインを正の方向に超える最大のピークを特定し、ベースラインを超えるピークの面積をＱｐとした。また、ロッキングスキャンパターンの総ピーク面積をＱｔとした。
【0095】
実施例１の結晶膜は、Ｑｐ／Ｑｔが０．２４であった。また、図４Ｃから、ロッキングスキャンパターンにおいて、比Ｉｐｅａｋ／Ｉｂａｓは２．９４であった。
トランジスタの移動度のばらつきは１４．０％であった。
トランジスタの移動度のばらつきは１４．０％であった。
【0096】
＜実施例２＞
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に２０ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に２０ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
【0097】
基板上に形成した結晶膜は、１２０℃ １５分の熱処理を行った。
【0098】
【0099】
結晶膜の基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θを特定した。この時得られたＸ線回折パターンを図５Ｂに示す。
【0100】
前記回折角２θ及び検出器の位置を固定し、結晶膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、ロッキングスキャンパターンを得た。得られたロッキングスキャンパターンを図５Ｃに示す。
【0101】
ロッキングスキャンパターンを解析ソフト（Ｒｉｇａｋｕ社製、Ｇｌｏｂａｌ ｆｉｔ）を用いて解析し、ベースラインを得た。ロッキングスキャンパターンのうち、ベースラインを正の方向に超える最大のピークを特定し、ベースラインを超えるピークの面積をＱｐとした。また、ロッキングスキャンパターンの総ピーク面積をＱｔとした。
【0102】
実施例２の結晶膜は、Ｑｐ／Ｑｔが０．３０であった。また、図５Ｃから、ロッキングスキャンパターンにおいて、比Ｉｐｅａｋ／Ｉｂａｓは４．９５９であった。
トランジスタの移動度のばらつきは１１．７％であった。
トランジスタの移動度のばらつきは１１．７％であった。
【0103】
＜実施例３＞
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に３０ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に３０ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
【0104】
基板上に形成した結晶膜は、１２０℃ １５分の熱処理を行った。
【0105】
【0106】
結晶膜の基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θを特定した。この時得られたＸ線回折パターンを図６Ｂに示す。
【0107】
前記回折角２θ及び検出器の位置を固定し、結晶膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、ロッキングスキャンパターンを得た。得られたロッキングスキャンパターンを図６Ｃに示す。
【0108】
ロッキングスキャンパターンを解析ソフト（Ｒｉｇａｋｕ社製、Ｇｌｏｂａｌ ｆｉｔ）を用いて解析し、ベースラインを得た。ロッキングスキャンパターンのうち、ベースラインを正の方向に超える最大のピークを特定し、ベースラインを超えるピークの面積をＱｐとした。また、ロッキングスキャンパターンの総ピーク面積をＱｔとした。
【0109】
実施例３の結晶膜は、Ｑｐ／Ｑｔが０．１３であった。また、図６Ｃから、ロッキングスキャンパターンにおいて、比Ｉｐｅａｋ／Ｉｂａｓは１．６４５であった。
トランジスタの移動度のばらつきは１３．５％であった。
トランジスタの移動度のばらつきは１３．５％であった。
【0110】
＜実施例４＞
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に４０ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
１３０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液にＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板を浸漬し、基板を大気下、室温で重力と反対方向に４０ｍｍ／秒の速度で引き上げた。引き上げ直後の基板は目視で液膜が形成されていることが目視で確認でき、溶媒の乾燥に伴って、固体膜の形成が確認された。
【0111】
基板上に形成した結晶膜は、１２０℃ １５分の熱処理を行った。
【0112】
【0113】
結晶膜の基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θを特定した。この時得られたＸ線回折パターンを図７Ｂに示す。
【0114】
前記回折角２θ及び検出器の位置を固定し、結晶膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、ロッキングスキャンパターンを得た。得られたロッキングスキャンパターンを図７Ｃに示す。
【0115】
ロッキングスキャンパターンを解析ソフト（Ｒｉｇａｋｕ社製、Ｇｌｏｂａｌ ｆｉｔ）を用いて解析し、ベースラインを得た。ロッキングスキャンパターンのうち、ベースラインを正の方向に超える最大のピークを特定し、ベースラインを超えるピークの面積をＱｐとした。また、ロッキングスキャンパターンの総ピーク面積をＱｔとした。
【0116】
実施例４の結晶膜は、Ｑｐ／Ｑｔが０．３９であった。また、図７Ｃから、ロッキングスキャンパターンにおいて、比Ｉｐｅａｋ／Ｉｂａｓは５．１９９であった。
【0117】
図７Ｄは、４０ｍｍ／秒の成膜速度で形成したトランジスタの移動度の分布を示す図である。
トランジスタの平均移動度は、４．１３ｃｍ２／Ｖｓであった。また移動度のばらつきは１８．２％であった。
トランジスタの平均移動度は、４．１３ｃｍ２／Ｖｓであった。また移動度のばらつきは１８．２％であった。
【0118】
＜比較例４＞
８０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液をＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に３０００ｒｐｍでスピンコートした。スピンコートに伴って瞬時に、固体膜の形成が確認された。
８０℃に保った０．５質量％Ｐｈ－ＢＴＢＴ－１０ ｐ－キシレン溶液をＢＣＢで被覆したＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に３０００ｒｐｍでスピンコートした。スピンコートに伴って瞬時に、固体膜の形成が確認された。
【0119】
基板上に形成した結晶膜は、１２０℃ １５分の熱処理を行った。
【0120】
【0121】
結晶膜の基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、（０２０）結晶面のピークが観察される回折角２θを特定した。この時得られたＸ線回折パターンを図８Ｂに示す。
【0122】
前記回折角２θ及び検出器の位置を固定し、結晶膜が形成された基板のみを１８０°回転させながら基板表面面内の方向についてＸ線回折測定を行い、ロッキングスキャンパターンを得た。得られたロッキングスキャンパターンを図８Ｃに示す。
【0123】
ロッキングスキャンパターンには最大のピークが観察されず、Ｑｐを算出することができなかった。
【0124】
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9】