特許 7601013 電磁波吸収粒子分散体、電磁波吸収積層体、電磁波吸収透明基材、電磁波吸収粒子分散体の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-09

(45)【発行日】2024-12-17

(54)【発明の名称】電磁波吸収粒子分散体、電磁波吸収積層体、電磁波吸収透明基材、電磁波吸収粒子分散体の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G02B 5/22 20060101AFI20241210BHJP

   C01G 41/00 20060101ALI20241210BHJP

   B32B 27/18 20060101ALI20241210BHJP

   C09K 3/00 20060101ALI20241210BHJP

【ＦＩ】

G02B5/22

C01G41/00 A

B32B27/18 Z

C09K3/00 105

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2021574123

(86)(22)【出願日】2021-01-28

(86)【国際出願番号】 JP2021003100

(87)【国際公開番号】W WO2021153693

(87)【国際公開日】2021-08-05

【審査請求日】2023-09-13

(31)【優先権主張番号】P 2020015746

(32)【優先日】2020-01-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000183303

【氏名又は名称】住友金属鉱山株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】足立 健治

(72)【発明者】

【氏名】吉尾 里司

(72)【発明者】

【氏名】若林 正男

【審査官】藤岡 善行

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１９／０３１２４６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１３－１７３６４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２００５／０３７９３２（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｂ ５／２２

Ｃ０１Ｇ ４１／００

Ｃ０８Ｌ １０１／００

Ｃ０８Ｋ ３／２２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

一般式Ｃｓ_ｘＷ_１－ｙＯ_３－ｚ（０．２≦ｘ≦０．４、０＜ｙ≦０．４、０＜ｚ≦０．４６）で表わされ、斜方晶または六方晶の結晶構造を備えたセシウムタングステン酸化物を含有する電磁波吸収粒子と、固体媒体と、を含み、
前記電磁波吸収粒子が前記固体媒体中に分散している電磁波吸収粒子分散体。

【請求項2】

前記セシウムタングステン酸化物が、斜方晶の（０１０）面、六方晶のプリズム面である｛１００｝面、六方晶の底面である（００１）面から選択された１以上の面に線状または面状の欠陥を有する請求項１に記載の電磁波吸収粒子分散体。

【請求項3】

前記セシウムタングステン酸化物が欠陥を有し、前記欠陥がタングステン欠損を含む請求項１または請求項２に記載の電磁波吸収粒子分散体。

【請求項4】

前記セシウムタングステン酸化物の斜方晶または六方晶の結晶を構成するＷ－Ｏ八面体のＯの一部が、ランダムに欠損した請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電磁波吸収粒子分散体。

【請求項5】

前記セシウムタングステン酸化物は、六方晶換算のc軸長が７．５６０Å以上７．７５０Å以下である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電磁波吸収粒子分散体。

【請求項6】

前記セシウムタングステン酸化物のＣｓの一部が添加元素により置換されており、前記添加元素がＮａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａから選択された１種類以上である請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電磁波吸収粒子分散体。

【請求項7】

前記電磁波吸収粒子の平均粒径が０．１ｎｍ以上２００ｎｍ以下である請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電磁波吸収粒子分散体。

【請求項8】

前記電磁波吸収粒子の表面が、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択された１種類以上の原子を含む化合物で修飾されている請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電磁波吸収粒子分散体。

【請求項9】

前記固体媒体が樹脂である請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の電磁波吸収粒子分散体。

【請求項10】

前記樹脂が、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、オレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアセタール樹脂、および紫外線硬化樹脂からなる樹脂群から選択される１種の樹脂、または、前記樹脂群から選択される２種以上の樹脂の混合物である請求項９に記載の電磁波吸収粒子分散体。

【請求項11】

シート形状、ボード形状、またはフィルム形状を備えた請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の電磁波吸収粒子分散体。

【請求項12】

請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の電磁波吸収粒子分散体と透明基材とを含む積層構造を備えた電磁波吸収積層体。

【請求項13】

透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面に電磁波吸収層とを備えており、
前記電磁波吸収層が、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の電磁波吸収粒子分散体である電磁波吸収透明基材。

【請求項14】

請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の電磁波吸収粒子分散体の製造方法であって、
前記電磁波吸収粒子として、セシウムタングステン酸化物前駆体ｎＣｓ_２Ｏ・ｍＷＯ_３（ｎ，ｍは整数、３．６≦ｍ／ｎ≦９．０）の結晶粉末を、還元性気体の雰囲気中、６５０℃以上９５０℃以下で加熱、還元して得られる粒子を用いる電磁波吸収粒子分散体の製造方法。

【請求項15】

前記電磁波吸収粒子として、主相としてＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５相を含む前記セシウムタングステン酸化物前駆体を、還元性気体の雰囲気中、６５０℃以上９５０℃以下で加熱、還元して得られた粒子を用いる請求項１４に記載の電磁波吸収粒子分散体の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電磁波吸収粒子分散体、電磁波吸収積層体、電磁波吸収透明基材に関する。

【背景技術】

【0002】

理化学辞典第５版によれば、「波長が約１ｎｍ～１ｍｍの範囲にある電磁波を光と呼ぶ。」と定義される。この波長の範囲には、可視光線領域や赤外線領域が含まれる。

【0003】

太陽光線に含まれる近赤外線は、窓材等を透過して室内に入り込み、室内へ侵入し、室内の壁や床の表面温度を上昇させ、室内気温も上昇させる。室内の温熱環境を快適にするために、窓材等に遮光部材を用いるなどして、窓から侵入する近赤外線を遮ることで、室内気温を上昇させないことが従来からなされていた。

【0004】

窓材等に使用される遮光部材として、特許文献１には、カーボンブラック、チタンブラック等の無機顔料や、アニリンブラック等の有機顔料等を含む黒色微粉末を含有する遮光フィルムが提案されている。

【0005】

また、特許文献２には、赤外線反射性を有する帯状のフィルムと、赤外線吸収性を有する帯状のフィルムとを、それぞれ経糸あるいは緯糸として編織物としてなる保温用シートが開示されている。そして、赤外線反射性を有する帯状のフィルムとして、合成樹脂フィルムにアルミ蒸着加工を施し、さらに合成樹脂フィルムを積層したものを用いることも記載されている。

【0006】

本出願人は、特許文献３に、赤外線材料微粒子が媒体中に分散してなる赤外線遮蔽材料微粒子分散体であって、当該赤外線材料微粒子は、タングステン酸化物微粒子または／及び複合タングステン酸化物微粒子を含有し、当該赤外線材料微粒子の分散粒子径が１ｎｍ以上８００ｎｍ以下である赤外線遮蔽材料微粒子分散体を提案した。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】日本国特開２００３－０２９３１４号公報

【文献】日本国特開平９－１０７８１５号公報

【文献】国際公開第２００５／０３７９３２号

【非特許文献】

【0008】

【文献】K. Adachi and T. Asahi, "Activation of plasmons and polarons in solar control cesium tungsten bronze and reduced tungsten oxide nanoparticles," Journal of Material Research, Vol. 27, 965-970 (2012)

【文献】S. Yoshio and K. Adachi, "Polarons in reduced cesium tungsten bronzes studied using the DFT+U method," Materials Research Express, Vol. 6, 026548 (2019)

【文献】K. Machida, M. Okada, and K. Adachi, "Excitations of free and localized electrons at nearby energies in reduced cesium tungsten bronze nanocrystals," Journal of Applied Physics, Vol. 125, 103103 (2019)

【文献】S. F. Solodovnikov, N.V. Ivannikova, Z.A. Solodovnikova, E.S. Zolotova, "Synthesis and X-ray diffraction study of potassium, rubidium, and cesium polytungstates with defect pyrochlore and hexagonal tungsten bronze structures," Inorganic Materials, Vol. 34, 845-853 (1998)

【文献】M. Okada, K. Ono, S. Yoshio, H. Fukuyama and K. Adachi, "Oxygen vacancies and pseudo Jahn-Teller destabilization in cesium-doped hexagonal tungsten bronzes," Journal of American Ceramic Society, Vol. 102, 5386-5400 (2019)

【文献】S. Yoshio, M. Okada, K. Adachi, "Destabilization of Pseudo Jahn-Teller Distortion in Cesium-doped Hexagonal Tungsten Bronzes", J. Appl. Phys., vol. 124, 063109-1-8 (2018)

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

上述の特許文献３では、赤外線遮蔽材料微粒子として、タングステン酸化物微粒子または／及び複合タングステン酸化物微粒子が開示されている。これらのタングステン酸化物を分散した透過膜は青色の着色を伴い、青色の度合いは添加量が増加すると強くなる。

【0010】

しかし近年では、例えば自動車用のガラスや光熱変換材料などの用途において、近赤外線吸収率を上げ、すなわち日射透過率を下げつつも、透過色に青色などの着色が無い、ニュートラルな色が求められている。

【0011】

上記タングステン酸化物を分散した透過膜のような青色の材料をベースにすると、種々の顔料や染料でガラスの調色を行なう場合に得られる色相が限定される。特に補色である黄系の透過色は困難である。

【0012】

また、光熱変換材料、具体的には例えば光熱変換による透明樹脂部材の接着などの用途においては、純白の発色が求められるが、上記タングステン酸化物等の材料では純白の発色は困難である。

【0013】

これに対して、例えば複合タングステン酸化物を分散した透過膜について、透過色をニュートラル、すなわち透明な色調にすると、その用途を広げることができる。しかし、分散体とした場合に、日射透過率を下げつつ、ニュートラルな色を実現できる複合タングステン酸化物についてはこれまで報告されていなかった。

【0014】

そこで、本発明の一側面では、日射透過率を抑制しつつも、透過色がよりニュートラルな色調を備えた電磁波吸収粒子分散体を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0015】

本発明の一側面では、一般式Ｃｓ_ｘＷ_１－ｙＯ_３－ｚ（０．２≦ｘ≦０．４、０＜ｙ≦０．４、０＜ｚ≦０．４６）で表わされ、斜方晶または六方晶の結晶構造を備えたセシウムタングステン酸化物を含有する電磁波吸収粒子と、固体媒体と、を含み、
前記電磁波吸収粒子が前記固体媒体中に分散している電磁波吸収粒子分散体を提供する。

【発明の効果】

【0016】

本発明の一側面では、日射透過率を抑制しつつも、透過色がよりニュートラルな色調を備えた電磁波吸収粒子分散体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1A】図１Ａは、セシウムタングステン酸化物（Ｃｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５）の結晶構造の説明図である。

【図1B】図１Ｂは、セシウムタングステン酸化物（Ｃｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３６）の結晶構造の説明図である。

【図2A】図２Ａは、セシウムタングステン酸化物（Ｃｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５）のエネルギーバンド構造である。

【図2B】図２Ｂは、セシウムタングステン酸化物（Ｃｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３６）のエネルギーバンド構造である。

【図2C】図２Ｃは、セシウムタングステン酸化物（Ｃｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３６）のエネルギーバンド構造である。

【図2D】図２Ｄは、セシウムタングステン酸化物（Ｃｓ_６Ｗ_１７Ｏ_５４）のエネルギーバンド構造である。

【図3A】図３Ａは、セシウムタングステン酸化物の誘電関数である。

【図3B】図３Ｂは、セシウムタングステン酸化物の誘電関数である。

【図4】図４は、実施例１で得られた粉末Ａ´のｃ軸方向から撮った電子線回折像である。

【図5】図５は、実施例１で得られた粉末Ａの擬六方晶粒子の［００１］_ＨＥＸ晶帯軸の電子線回折像である。

【図6】図６は、実施例１で得られた粉末Ａの擬六方晶粒子の［２２１］晶帯軸から観察したＳＴＥＭ－ＨＡＡＤＦ像である。

【図7】図７は、実施例２で得られた粉末Ｂの擬六方晶粒子の［００１］_ＨＥＸ晶帯軸の電子線回折像である。

【図8】図８は、実施例３で得られた粉末Ｃの擬六方晶粒子の［００１］_ＨＥＸ晶帯軸の電子線回折像である。

【図9A】図９Ａは、実施例１４～実施例２０、比較例１で作製した分散液のモル吸収係数である。

【図9B】図９Ｂは、実施例１４～実施例２０、比較例１で作製した分散液のモル吸収係数である。

【図9C】図９Ｃは、実施例１５、１６、１８、２２、２３、比較例１で作製した分散液のモル吸収係数である。

【図10A】図１０Ａは、ＶＬＴが一定になるように導出した、実施例１５、実施例１６、実施例１９、比較例１～比較例３で作製した分散液の透過率プロファイルである。

【図10B】図１０Ｂは、ＶＬＴが一定になるように導出した、実施例１５、実施例１６、実施例１９、比較例１～比較例３で作製した分散液の透過率プロファイルである。

【図11A】図１１Ａは、比較例１～比較例３、実施例１５、実施例１６、実施例１９に係る分散液の近赤外線吸収特性の、還元時間に伴う変化の説明図である。

【図11B】図１１Ｂは、比較例１～比較例３、実施例１５、実施例１６、実施例１９に係る分散液の色指数の、還元時間に伴う変化の説明図である。

【図11C】図１１Ｃは、比較例１～比較例３、実施例１５、実施例１６、実施例１９に係る分散液の色指数の、還元時間に伴う変化の説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、本発明を実施するための形態について図面を用いながら説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
［電磁波吸収粒子、電磁波吸収粒子の製造方法］
本実施形態の電磁波吸収粒子分散体について説明する前に、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体で好適に用いることができる、電磁波吸収粒子、および電磁波吸収粒子の製造方法について説明する。
（１）電磁波吸収粒子
従来から、電磁波吸収粒子として用いられているセシウム添加六方晶タングステンブロンズナノ粒子の透過色は、その誘電関数虚部（ε_２）（実験で得られたε_２は非特許文献１に掲載されている）、およびバンド構造（非特許文献２）により規定される。

【0019】

可視光線のエネルギー領域（１．６ｅＶ～３．３ｅＶ）において、セシウム添加六方晶タングステンブロンズ（以下Ｃｓ－ＨＴＢと短縮する）はバンドギャップが十分に大きくなっている。加えてタングステンのｄ－ｄ軌道間電子遷移などがＦｅｒｍｉ黄金律により禁制となるため電子遷移の確率が小さくなり、ε_２が小さい値を取る。ε_２は電子による光子の吸収を表わすため、ε_２が可視波長で小さければ可視光透過性が生ずる。しかしながら可視光線領域で波長が最も短い青波長の近傍では、バンド間遷移による吸収が存在し、また波長が最も長い赤波長の近傍では、局在表面プラズモン共鳴（ＬＳＰＲ）吸収とポーラロニックな電子遷移吸収が存在する（非特許文献３）。このため、それぞれ光透過性の制約を受ける。

【0020】

上述の様にＣｓ－ＨＴＢではバンドギャップが十分大きいためにバンド間遷移が青波長の光のエネルギー以上となり、青の透過性が高くなる。逆に赤波長の側では、Ｃｓ－ＨＴＢは伝導電子が多いためＬＳＰＲ吸収とポーラロニック吸収が強くなり、同時に吸収波長が赤波長の側に近寄るため、透過性が低くなる。従ってＣｓ－ＨＴＢナノ粒子分散膜の透過色は青く見えるのである。

【0021】

すなわちＣｓ－ＨＴＢの青系の透過色を中性化するためには、青側の吸収を強め、赤側の透過を強めればよいが、そのためにはバンド間遷移の吸収位置を低エネルギーにシフトさせ、またＬＳＰＲ吸収とポーラロニック吸収を弱めて低エネルギー側へシフトさせることが好ましい。

【0022】

ＬＳＰＲ吸収やポーラロニック吸収を弱めるには、材料に含有される自由電子と束縛電子の量を減少させることが有効である。

【0023】

上述の青側の吸収の増加は、バンドギャップを低エネルギーにもつような異なるエネルギーバンド構造の材料をベースとすることにより実現される。また、赤側の透過は、自由電子や束縛電子の発生源であるセシウムイオン（Ｃｓ^＋）や酸素の空孔（Ｖ_Ｏ）の量を加減してコントロールできる。

【0024】

本発明の発明者らは、以上の考察に基づき、セシウム（Ｃｓ）、およびタングステン（Ｗ）を含む酸化物であるセシウムタングステン酸化物を種々検討の結果、ＣｓおよびＷを含むセシウムタングステン酸化物前駆体ｎＣｓ_２Ｏ・ｍＷＯ_３（ｎ，ｍは整数、３．６≦ｍ／ｎ≦９．０）の結晶粉末を還元することで得られたセシウムタングステン酸化物を含有する電磁波吸収粒子を用いた場合に、電磁波吸収粒子分散体である透過膜の色調も青みが減少して中性化することを見出した。

【0025】

上記電磁波吸収粒子は、バンドギャップが六方晶Ｃｓ－ＨＴＢよりも狭く青の透過性が低い化合物から出発して、これを還元することによってＶ_Ｏを徐々に増加させ、ＬＳＰＲ吸収とポーラロニック吸収を許容される範囲内で徐々に大きくして赤の透過率を適正化することで色調が中性化したものと考えられる。

【0026】

Ｃｓを含む上記セシウムタングステン酸化物前駆体ｎＣｓ_２Ｏ・ｍＷＯ_３では陽性元素であるＣｓとＷの電荷はＯによって中和されており、非導電体である。Ｃｓ_２Ｗ_７Ｏ_２２、Ｃｓ_６Ｗ_２０Ｏ_６３、Ｃｓ_２Ｗ_６Ｏ_１９、Ｃｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５、Ｃｓ_６Ｗ_１１Ｏ_３６、Ｃｓ_２Ｗ_３Ｏ_１０などＷＯ_３－Ｃｓ_２Ｏラインに並ぶ化合物では、価数がバランスしているため、フェルミエネルギーＥ_Ｆは価電子帯と伝導帯の間に存在し、非導電体となっている。Ｃｓ／Ｗ比（モル比）が０．２以上では、イオン半径の大きなＣｓを取り込むために、Ｗ－Ｏ八面体が作る基本骨格は、大きな六方空隙を有する六方対称の構造か、または大きな六方空隙を持つ六方晶や立方晶（パイロクロア構造）の原子配列にＷ欠損（タングステン欠損）を含む面欠陥が入って対称性が斜方晶や単斜晶に下がった結晶構造となっている。

【0027】

例えば２Ｃｓ_２Ｏ・１１ＷＯ_３では、Ｓｏｌｏｄｏｖｎｉｋｏｖ１９９８（非特許文献４）のモデルにおいて、六方晶タングステンブロンズと同様なＷ－Ｏ八面体の六方配列の中に、六方晶（１１０）面（＝斜方晶（０１０）面）に斜方晶単位胞のｂ／８ピッチでＷとＯが欠損した面が挿入されて全体としては斜方晶になっている。これらのセシウムタングステン酸化物前駆体ｎＣｓ_２Ｏ・ｍＷＯ_３（ｎ，ｍは整数、３．６≦ｍ／ｎ≦９．０）ではバンドギャップがＣｓ－ＨＴＢよりも狭く、従って青の透過性は低い。しかし、これを加熱還元すると、全体が徐々にタングステンブロンズの六方晶構造へと変化し、その過程でバンド構造が変化し、バンドギャップが広がって青の吸収が弱くなっていくために、青の透過が強くなっていくことが分かった。加えてこの時、還元の進行と共に、伝導帯に電子が徐々に注入されて導電体になると共に、バンドギャップはＢｕｒｓｔｅｉｎ－Ｍｏｓｓ効果により徐々に広がるので、青の透過は更に強くなる。

【0028】

加熱還元によって斜方晶が六方晶になる時、斜方晶中のＷ欠損を含む面欠陥は徐々に消滅して、Ｗ－Ｏ八面体の六方晶骨格が形成される。Ｗ欠損を含む面欠陥は（０１０）_ＯＲＴＨ面上に存在するが、この面は六方晶プリズム面｛１００｝_ＨＥＸ、すなわち［（１００）_ＨＥＸ，（０１０）_ＨＥＸ，（１１０）_ＨＥＸ］に引き継がれるので、加熱還元と共に徐々に｛１００｝_ＨＥＸ面に欠陥を含む六方晶となる。この時の六方晶は｛１００｝_ＨＥＸ面に欠陥を含むために完全な六方対称からはずれており、擬六方晶とも言える状態である。このように加熱還元と共に結晶構造は、斜方晶から擬六方晶、さらには六方晶へと変化をする。この時斜方晶に含まれていたＷ欠損を含む（０１０）_ＯＲＴＨ面の面欠陥は、｛１００｝_ＨＥＸ面の面欠陥に継承されて徐々に減少し、最終的に消滅すると考えられる。

【0029】

加熱還元時の結晶構造変化に伴って、電子構造も変化する。Ｗ欠損の消滅は材料に多量の電子注入をもたらす。斜方晶ではＣｓの外殻電子はＯの中和に費やされて全体として電荷中性となっているが、Ｗ欠損が減少して擬六方晶になると、Ｗ原子１個当たり６個の外殻電子がＯの中和に費やされることにより、Ｃｓの外殻電子は伝導帯下部のＷ－５ｄ軌道に入って自由電子となる。この自由電子はＬＳＰＲ吸収により近赤外線の吸収をもたらす。一方加熱還元は、同時にＶ_Ｏを生成する作用がある。Ｖ_Ｏの生成はランダムなサイトで進行する。Ｖ_Ｏが生ずるとその両隣のＷ原子は電荷過剰となり、Ｗ^５＋に束縛された局在電子が発生する（非特許文献２）。この局在電子は伝導帯上部の空位に遷移してポーラロニック吸収をもたらすが、一部は自由電子軌道に励起されてＬＳＰＲ吸収をもたらす（非特許文献３）。これらの自由電子と束縛電子による吸収は、いずれもピーク波長が近赤外であるために、吸収の裾野が赤の波長にかかり、従って赤の透過性を低くする。自由電子と束縛電子の量が多いほど、すなわち還元の度合いが増すほど、ＬＳＰＲ吸収とポーラロニック吸収波長は高波長へシフトし、吸収量も大きくなるので、赤の透過性は減少する。

【0030】

従って、セシウムタングステン酸化物前駆体ｎＣｓ_２Ｏ・ｍＷＯ_３（ｎ，ｍは整数、３．６≦ｍ／ｎ≦９．０）の結晶粉末を還元し、その際の還元の度合いを調整することで、青系の透過色を中性化できる。

【0031】

以上に説明した本実施形態の電磁波吸収粒子分散体に好適に用いることができる電磁波吸収粒子は、ＣｓおよびＷを含むセシウムタングステン酸化物前駆体ｎＣｓ_２Ｏ・ｍＷＯ_３の結晶粉末を、６５０℃以上９５０℃以下の還元雰囲気中で加熱することにより作製できる。上記セシウムタングステン酸化物の式中のｎ，ｍは整数であり、３．６≦ｍ／ｎ≦９．０を満たすことが好ましい。

【0032】

すなわち、電磁波吸収粒子として、セシウムおよびタングステンを含むセシウムタングステン酸化物前駆体ｎＣｓ_２Ｏ・ｍＷＯ_３（ｎ，ｍは整数、３．６≦ｍ／ｎ≦９．０）の結晶粉末を、還元性気体の雰囲気中、６５０℃以上９５０℃以下で加熱、還元して得られる粒子を用いることができる。

【0033】

加熱、還元によって全部または一部が六方晶タングステンブロンズとなるためには、上記ｍ／ｎの値は上述のように３．６≦ｍ／ｎ≦９．０の範囲にある必要がある。もし３．６未満の場合は加熱、還元後に立方晶パイロクロア相となり、着色が強く近赤外線吸収も起こらない。また９．０より大きい場合には、加熱、還元後に六方晶タングステンブロンズと三酸化タングステンに相分離して、近赤外線吸収効果が著しく減少する。上記セシウムタングステン酸化物前駆体は、ｍ／ｎ＝５．５である、Ｃｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５であることがより好ましい。すなわち、電磁波吸収粒子として、主相としてＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５相を含むセシウムタングステン酸化物前駆体を、還元性気体の雰囲気中、６５０℃以上９５０℃以下で加熱、還元して得られる粒子を用いることがより好ましい。Ｃｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５の高温還元により得られた電磁波吸収粒子を用いた電磁波吸収粒子分散体とすることで、青みの抑制された透過色をもちつつ大きな近赤外線吸収効果が得られる。なお、ここでいう主相とは、質量比で最も多く含まれている相であることを意味する。

【0034】

上述のようにセシウムタングステン酸化物を還元する際の加熱温度は６５０℃以上９５０℃以下が好ましい。６５０℃以上とすることで斜方晶から六方晶への構造変化を十分に進行させ、近赤外線吸収効果を高められる。また、９５０℃以下とすることで、結晶構造変化のスピードを適切に保ち、容易に適切な結晶状態と電子状態に制御することができる。なお、上記加熱温度を９５０℃よりも高くし、還元が行き過ぎるとＷメタルやＷＯ_２などの低級酸化物が生成される場合があり、係る観点からも好ましくない。

【0035】

そして、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体に好適に用いることができる電磁波吸収粒子は、一般式Ｃｓ_ｘＷ_１－ｙＯ_３－ｚ（０．２≦ｘ≦０．４、０＜ｙ≦０．４、０＜ｚ≦０．４６）で表わされ、斜方晶または六方晶の結晶構造を備えたセシウムタングステン酸化物を含有できる。

【0036】

電磁波吸収粒子が含有するセシウムタングステン酸化物が、上記一般式を充足することで、Ｗ欠損や、酸素の空孔Ｖｏの程度が適切な範囲にあり、電磁波吸収粒子分散体とした場合に、日射透過率を抑制しつつも、透過色がよりニュートラルな色調を備えた電磁波吸収粒子分散体とすることができる。

【0037】

なお、電磁波吸収粒子は、上記複合タングステン酸化物からなることもできる。ただし、この場合でも製造工程等で混入する不可避不純物を含有することを排除するものではない。

【0038】

従来知られている電磁波吸収用タングステンブロンズは六方晶構造を有している。一方、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体に用いる電磁波吸収粒子が有する複合タングステン酸化物は、斜方晶または六方晶の結晶構造を有することができる。なお、ここでの六方晶には、擬六方晶も含まれる。

【0039】

電磁波吸収粒子が含有する複合タングステン酸化物は、斜方晶の（０１０）面、六方晶のプリズム面である｛１００｝面、六方晶の底面である（００１）面から選択された１以上の面に、線状または面状の欠陥を有することが好ましい。上記欠陥は、面相互のずれに基づく積層不正や、面内でのＣｓ原子やＷ原子の配列や原子位置の乱れを含むものであり、そのために往々にして電子線回折スポットにストリークを伴うことがある。上記六方晶のプリズム面である｛１００｝面は、（１００）面、（０１０）面、および（１１０）面を意味する。複合タングステン酸化物の係る欠陥、すなわち格子欠陥は、少なくともＷ欠損、具体的にはＷの一部欠損を伴っており、このＷ欠損が結晶中の電子の欠落を招き、既述のようにこれが本質的な原因の一つとなって青色調の中性化に作用する。

【0040】

セシウムタングステン酸化物は欠陥を有し、係る欠陥は、上述のようにタングステン欠損を含むことができる。

【0041】

また、セシウムタングステン酸化物の基本構造である斜方晶または六方晶の結晶を構成するＷ－Ｏ八面体の、Ｏの一部がさらにランダムに欠損することもできる。この八面体酸素の空孔Ｖ_Ｏは上述のようにランダムに導入されるものであり、既知の六方晶タングステンブロンズＣｓ_０．３２ＷＯ_３－ｙにおいてはｙ＝０．４６またはＯ全格子点の最大１５％に及ぶことが知られている（非特許文献５）。本実施形態の電磁波吸収粒子分散体に用いる電磁波吸収粒子が含有するセシウムタングステン酸化物を示す一般式Ｃｓ_ｘＷ_１－ｙＯ_３－ｚにおいて最大ｚ＝０．４６の量のＶ_Ｏを含むことができる。すなわちｚは０．４６以下とすることができる。

【0042】

セシウムタング複合酸化物の格子定数は、結晶格子中の欠陥量、もしくは組成、及び結晶性に対応している。a軸の値はこれらの変数に対してバラつきが観察されるが、c軸の値は格子欠陥量もしくは光学特性と比較的良く対応する。その結果、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体に用いる電磁波吸収粒子が含有するセシウムタングステン酸化物は、六方晶換算のｃ軸長が７．５６０Å以上７．７５０Å以下であることが好ましい。セシウムタングステン酸化物の六方晶換算のｃ軸長を上記範囲とすることで、近赤外線吸収効果を十分高め、また可視光透過性を特に高められる。なお、セシウムタングステン酸化物が六方晶の場合には換算は不要であり、該六方晶でのｃ軸長が、上記六方晶換算のｃ軸長となる。

【0043】

本実施形態の電磁波吸収粒子分散体に用いる電磁波吸収粒子が含有するセシウムタングステン酸化物は、Ｘ線粉末回折法で試料の回折パターンを測定すると、斜方晶と六方晶の混合相と同定されることが多い。例えばＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５の原料を還元していくと、斜方晶Ｃｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５と六方晶Ｃｓ_０．３２ＷＯ_３の混相と同定される。この場合はＲｉｅｔｖｅｌｄ解析などで各相の格子定数を求め、これらを六方晶換算の値に変換することができる。斜方晶は、既に説明の通り、格子欠陥面をもつ六方晶であるので、斜方晶の格子定数は、適切な格子対応モデルにより六方晶の格子定数へ変換できる。斜方晶と六方晶との間の格子の変化の対応をＳｏｌｏｄｏｖｎｉｋｏｖ１９９８のモデル（非特許文献４）と仮定すれば、このモデルに対する幾何学的関係から、４ａ_ｏｒｔｈ ^２＋ｂ_ｏｒｔｈ ^２＝６４ａ_ｈｅｘ ^２= ６４ｂ_ｈｅｘ ^２、ｃ_ｏｒｔｈ＝ｃ_ｈｅｘの関係が抽出されるので、これらの式を用いて、すべて六方晶換算の格子定数を求めることができる。なお、上記式中のａ_ｏｒｔｈ、ｂ_ｏｒｔｈ、ｃ_ｏｒｔｈは斜方晶のａ軸、ｂ軸、ｃ軸の長さを意味する。また、ａ_ｈｅｘ、ｂ_ｈｅｘ、ｃ_ｈｅｘは六方晶のａ軸、ｂ軸、ｃ軸の長さを意味する。

【0044】

本実施形態の電磁波吸収粒子分散体に用いる電磁波吸収粒子が含有するセシウムタングステン酸化物は、Ｃｓの一部を添加元素により置換されていても良い。この場合、添加元素がＮａ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａから選択された１種類以上であることが好ましい。

【0045】

上記これらの添加元素は電子供与性があり、ＣｓサイトにあってＷ－Ｏ八面体骨格の伝導帯への電子供与を補助する。

【0046】

本実施形態の電磁波吸収粒子の平均粒径は特に限定されないが、０．１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。これは、電磁波吸収粒子の平均粒径を２００ｎｍ以下とすることで、局在表面プラズモン共鳴がより顕著に発現されるため、近赤外線吸収特性を特に高めることができる、すなわち日射透過率を特に抑制できるからである。また、電磁波吸収粒子の平均粒径を０．１ｎｍ以上とすることで、工業的に容易に製造することができるからである。また粒子径は分散透過膜、すなわち電磁波吸収粒子分散体の色と密接に関係しており、ミー散乱が支配的な粒径範囲では、粒径が小さいほど可視光線領域の短波長の散乱が減少する。従って粒径を大きくすれば青い色調を抑制する作用があるが、１００ｎｍを超えると光散乱に伴う膜のヘイズが無視できない大きさとなり、２００ｎｍを超えると膜のヘイズの上昇に加えて、表面プラズモンの発生が抑制されてＬＳＰＲ吸収が過度に小さくなる。

【0047】

ここで、電磁波吸収粒子の平均粒径は、透過型電子顕微鏡像から測定された複数の電磁波吸収粒子のメジアン径や、分散液の動的光散乱法に基づく粒径測定装置で測定される分散粒径から知ることができる。

【0048】

なお、例えば自動車のフロン卜ガラスのように、特に可視光線領域の透明性を重視する用途に適用する場合には、さらに電磁波吸収粒子による散乱低減を考慮することが好ましい。当該散乱低減を重視する場合には、電磁波吸収粒子の平均粒径は３０ｎｍ以下であることが特に好ましい。

【0049】

平均粒径とは粒度分布における積算値５０％での粒径を意味しており、本明細書において他の部分でも平均粒径は同じ意味を有している。平均粒径を算出するための粒度分布の測定方法としては、例えば透過型電子顕微鏡を用いて粒子ごとの粒径の直接測定を用いることができる。また、平均粒径は、上述のように分散液の動的光散乱法に基づく粒径測定装置により測定することもできる。

【0050】

また、電磁波吸収粒子は、表面保護や、耐久性向上、酸化防止、耐水性向上などの目的で、表面処理を施しておくこともできる。表面処理の具体的な内容は特に限定されないが、例えば、本実施形態の電磁波吸収粒子は、電磁波吸収粒子の表面を、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択された１種類以上の原子を含む化合物で修飾することができる。この際Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択された１種類以上の原子（元素）を含む化合物としては、酸化物、窒化物、炭化物等から選択された１種類以上が挙げられる。

【0051】

ここで、セシウムタングステン酸化物、セシウムタングステン酸化物前駆体のバンド構造について説明する。

【0052】

上述の説明のとおり、ｎＣｓ_２Ｏ・ｍＷＯ_３（ｎ，ｍは整数、３．６≦ｍ／ｎ≦９．０）を高温で還元すると、より中性に近い透過色の日射遮蔽材料が得られることが示された。高温還元時には、Ｗ欠損の消滅を含む六方晶化とＶ_Ｏの生成により伝導帯に電子が注入され、近赤外線吸収発現の源になると考えられるが、このような電子構造変化を第一原理計算によって裏付ける。

【0053】

図１ＡにＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５の結晶構造を示す。また、図１ＢにＣｓ_０．３３ＷＯ_３であるＣｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３６の結晶構造を示す。図１Ａ、図１Ｂにおいては、セシウム１１と、酸素１２とが示されている。なお、同じ種類の原子には同じハッチングをつけている。タングステンは酸素１２で形成された八面体中に配置されているため、図１Ａ、図１Ｂでは示されていない。図１ＢはＣｓ_０．３３ＷＯ_３を、図１ＡのＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５と対比可能なように斜方晶で軸を取り直した構造である。

【0054】

図１ＡのＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５の構造は図１ＢのＣｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３６の結晶構造において、ＷとＯが規則的に欠損した構造となっている。

【0055】

上記図１Ａ、図１Ｂの結晶構造のセシウムタングステン酸化物のバンド構造を、それぞれ図２Ａ、図２Ｂに示す。また、図１ＢのＣｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３６を基準して、Ｗが１個欠損したＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３６のバンド構造、およびｂ軸方向に１．５倍のセルにして、Ｗが１個欠損したＣｓ_６Ｗ_１７Ｏ_５４の各バンド構造をそれぞれ図２Ｃ、図２Ｄに示す。

【0056】

図２Ａ、図２Ｂに示したＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５のバンド構造、およびＣｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３６のバンド構造は類似しているが、フェルミエネルギー（Ｅ_Ｆ）の位置が前者はバンドギャップ内にあり、後者は伝導帯下部にある。従ってＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５は絶縁体であり、Ｃｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３６は導電体である。Ｃｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５ではＣｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３６を基準に見るとＷとＯが単位胞に各１個不足している。ＷとＯが満ち足りたＣｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３６では六方晶ＷＯ_３のネットワークが構成され、Ｃｓ電子がそのＷ－５ｄ軌道に注入されて導電体になると解釈されている（非特許文献6）。

【0057】

図２ＣのＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３６は、図２ＢのＣｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３６からＷを１個減じた構造である。

【0058】

図２ＤのＣｓ_６Ｗ_１７Ｏ_５４、すなわち３Ｃｓ_２Ｏ・１７ＷＯ_３は、図２ＢのＣｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３６、すなわちＣｓ_６Ｗ_１８Ｏ_５４からみて電荷中性を保持しながらＷを１個減じた構造である。

【0059】

Ｗ欠損の量が図２Ａ、図２Ｄ、図２Ｂの順に減少するが、Ｅ_Ｆが順に伝導体底部側に上昇しており、Ｗ電子がＷ－５ｄ軌道に注入されて伝導電子が増加し、近赤外線吸収が大きくなることを裏付けている
Ｃｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３６からＯが欠損した場合はすでに詳しい計算例が報告されており、伝導帯底部に局在軌道が導入されると共に自由電子と局在電子が顕著に増加することが分かっている（非特許文献２）。

【0060】

実験的に得られる擬六方晶（斜方晶と六方晶の相転移途中にある中間構造）では、以上の要素が混在した電子状態と考えられる。すなわち還元に伴って、Ｗ欠損の消滅を含む六方晶化とＶ_Ｏの生成により、伝導帯に少しずつ電子が注入され、フェルミエネルギーＥ_Ｆがバンドギャップから伝導帯下部へ上がる。

【0061】

これらのバンド構造を元にして、Ｄｒｕｄｅ項を含む誘電関数を計算した結果を図３Ａ、図３Ｂに示す。図３Ｂに示した誘電関数ε_１のε_１＝０の位置に着目すると、遮蔽されたプラズマ周波数（Ω_SP）は、Ｃｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５、Ｃｓ_６Ｗ_１７Ｏ_５４、Ｃｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３６、Ｃｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３５の順に増加することが分かる。この順に近赤外線吸収は大きくなると予想されるが、この傾向は観察結果と一致する。

【0062】

図３Ａに示した誘電関数ε_２プロットから、セシウムタングステン酸化物では可視領域のε_２は一般に小さいことが分かる。点線３１で示した青領域の３．３ｅＶでは、バンド間遷移に規定されて、バンドギャップが狭いＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５やＣｓ_６Ｗ_１７Ｏ_５４の吸収が大きくなる。一方、点線３２で示した赤領域の１．６ｅＶでは、表面プラズモン吸収の裾野に影響されて、Ｃｓ_４Ｗ_１２Ｏ_３５の吸収が大きいことが分かる。赤領域の透過光はΩ_ＳＰが減少する順に減少すると予想される。図３Ａに示した可視光線領域のε_２のプロファイルは、基本的に実験的に観察された図９Ｂに対応するものであり、その傾向をよく再現している。すなわち、従来用いられていたセシウムタングステン酸化物と比較し、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体に好適に用いることができる電磁波吸収粒子が含有するセシウムタングステン酸化物において青みが減少した理由は、ＷとＯの欠損があるｎＣｓ_２Ｏ・ｍＷＯ_３（３．６≦ｍ／ｎ≦９．０）を原料として用いたことによりＷ欠損を含むＣｓ_０．３３Ｗ_１－ｙＯ_３―ｚ相が形成され、高エネルギー側の吸収が増加したためと考えられる。ｎＣｓ_２Ｏ・ｍＷＯ_３（３．６≦ｍ／ｎ≦９．０）の高温還元を調節することによりバンドギャップと伝導帯注入電子量が調節され、青みかかった色調を調節することができる。またその時の近赤外線吸収効果は比較的高い状態で維持されることが確認された。
（電磁波吸収粒子の製造方法）
既述の電磁波吸収粒子の製造方法は特に限定されず、既述の特性を充足する電磁波吸収粒子を製造できる方法であれば特に限定されず用いることができる。ここでは、電磁波吸収粒子の製造方法の一構成例について説明する。

【0063】

電磁波吸収粒子の製造方法は、例えば以下の工程を有することができる。

【0064】

セシウムを含むタングステン酸塩であるセシウムタングステン酸化物前駆体を合成するセシウムタングステン酸化物前駆体合成工程。
セシウムタングステン酸化物前駆体を、還元性気体の雰囲気中、６５０℃以上９５０℃以下で加熱、還元する加熱還元工程。

【0065】

以下、各工程について説明する。
（１）セシウムタングステン酸化物前駆体合成工程
セシウムタングステン酸化物前駆体合成工程では、セシウムを含むタングステン酸塩、すなわちセシウムタングステン酸塩であるセシウムタングステン酸化物前駆体を合成できる。セシウムタングステン酸化物前駆体が既に合成されている場合には、本実施形態の電磁波吸収粒子の製造方法は、加熱還元工程から開始することもできる。

【0066】

なお、セシウムタングステン酸塩であるセシウムタングステン酸化物前駆体は、ｎＣｓ_２Ｏ・ｍＷＯ_３（ｎ，ｍは整数、３．６≦ｍ／ｎ≦９．０）の結晶粉末であることが好ましい。セシウムタングステン酸塩であるセシウムタングステン酸化物前駆体としては、安定なセシウムタングステン酸塩であることがより好ましい。安定なセシウムタングステン酸塩としては、Ｃｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５、Ｃｓ_２Ｗ_６Ｏ_１９、Ｃｓ_６Ｗ_２０Ｏ_６３、Ｃｓ_２Ｗ_７Ｏ_２２、Ｃｓ_６Ｗ_１１Ｏ_３６等から選択された１種類以上が挙げられる。セシウムタングステン酸化物前駆体は特に、主相としてＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５相を含むセシウムタングステン酸化物前駆体であることがさらに好ましい。

【0067】

これらのセシウムタングステン酸塩は例えば、セシウムやタングステンを含む原料粉末混合物を、大気中７００℃以上１０００℃以下で焼成することによって調製できる。なお、セシウムタングステン酸塩の製造方法は、上記形態に限定されず、例えばゾルゲル法や錯体重合法等のその他の方法を用いることもできる。

【0068】

また出発原料として用いるセシウムタングステン酸塩として、気相合成などによって得られた非平衡タングステン酸塩を用いても良い。熱プラズマ法による粉体や電子ビーム溶解による粉体などがこれに含まれる。
（２）加熱還元工程
上記した出発物質としてのセシウムタングステン酸化物前駆体、具体的には例えば、斜方晶、単斜晶、擬六方晶から選択された１種以上の結晶構造を有するセシウムタングステン酸塩を、加熱還元工程に供することができる。

【0069】

加熱還元工程では、上述のセシウムタングステン酸化物前駆体を、還元性気体の雰囲気中６５０℃以上９５０℃以下で加熱、還元することができる。加熱還元工程を実施することで、所望の組成のセシウムタングステン酸化物を含有する電磁波吸収粒子が得られる。

【0070】

加熱還元処理を行う場合、還元性気体の気流下で行うことが好ましい。還元性気体としては、水素等の還元性ガスと、窒素、アルゴン等から選択された１種類以上の不活性ガスとを含む混合気体を用いることができる。また水蒸気雰囲気や真空雰囲気での加熱その他のマイルドな加熱、還元条件を併用しても良い。

【0071】

なお、本実施形態の電磁波吸収粒子の製造方法は特に上記形態に限定されるものではない。電磁波吸収粒子の製造方法としては、欠陥微細構造を含む所定の構造とすることが可能な種々の方法を用いることができる。電磁波吸収粒子の製造方法は、固相法、液相法、気相法で得たタングステン酸塩を還元処理する方法や、溶融ハロゲン化アルカリ中でＷＯ_３を還元する方法等が挙げられる。

【0072】

電磁波吸収粒子の製造方法は、さらに任意の工程を有することもできる。
（３）粉砕工程
既述のように、電磁波吸収粒子は微細化され、微粒子となっていることが好ましい。このため、電磁波吸収粒子の製造方法においては、加熱還元工程により得られた粉末を粉砕する粉砕工程を有することができる。

【0073】

粉砕し、微細化する具体的な手段は特に限定されず、機械的に粉砕することができる各種手段を用いることができる。機械的な粉砕方法としては、ジェットミルなどを用いる乾式の粉砕方法を用いることができる。また、後述する電磁波吸収粒子分散液を得る過程で、溶媒中で機械的に粉砕してもよい。
（４）修飾工程
既述のように、電磁波吸収粒子は、その表面をＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択された１種類以上の原子を含む化合物で修飾されていても良い。そこで、電磁波吸収粒子の製造方法は、例えば電磁波吸収粒子を、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択された１種類以上の原子を含む化合物で修飾する修飾工程をさらに有することもできる。

【0074】

修飾工程において、電磁波吸収粒子を修飾する具体的な条件は特に限定されない。例えば、修飾する電磁波吸収粒子に対して、上記原子群（金属群）から選択された１種類以上の原子を含むアルコキシド等を添加し、電磁波吸収粒子の表面に被膜を形成する修飾工程を有することもできる。
［電磁波吸収粒子分散液］
次に、本実施形態の電磁波吸収粒子分散液の一構成例について説明する。

【0075】

本実施形態の電磁波吸収粒子分散液は、既述の電磁波吸収粒子と、水、有機溶媒、油脂、液状樹脂、液状可塑剤から選択された１種類以上である液状媒体と、を含むことができる。電磁波吸収粒子分散液は、液状媒体に、電磁波吸収粒子が分散された構成を有することが好ましい。

【0076】

液状媒体としては、既述の様に、水、有機溶媒、油脂、液状樹脂、液状可塑剤から選択された１種類以上を用いることができる。

【0077】

有機溶媒としては、アルコール系、ケトン系、炭化水素系、グリコール系、水系など、種々のものを選択することが可能である。具体的には、イソプ口ピルアルコール、メタノール、エタノール、１－プ口パノール、イソプ口パノール、ブタノール、ペンタノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール、１－メトキシ－２－プ口パノールなどのアルコール系溶媒；ジメチルケトン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルブ口ピルケトン、メチルイソブチルケトン、シク口ヘキサノン、イソホ口ンなどのケトン系溶媒；３－メチルーメトキシ-プ口ピオネ一卜、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールイソプ口ピルエーテル、プ口ピレングリコールモノメチルエーテル、プ口ピレングリコールモノエチルエーテル、プ口ピレングリコールメチルエーテルアセテ一卜、プ口ピレングリコールエチルエーテルアセテ一卜などのグリコール誘導体；フォルムアミド、Nーメチルフォルムアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセ卜アミド、Ｎ－メチル－２－ピ口リドンなどのアミド類；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；エチレンク口ライド、ク口ルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類等から選択された１種類以上を挙げることができる。

【0078】

もっとも、これらの中でも極性の低い有機溶媒が好ましく、特に、イソプ口ピルアルコール、エタノール、１－メトキシ－２－プ口パノール、ジメチルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、プ口ピレングリコールモノメチルエーテルアセテー卜、酢酸ｎ－ブチルなどがより好ましい。これらの有機溶媒は、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

【0079】

油脂としては例えば、アマニ油、ヒマワリ油、桐油等の乾性油、ゴマ油、綿実油、菜種油、大豆油、米糠油等の半乾性油、オリーブ油、ヤシ油、パーム油、脱水ヒマシ油等の不乾性油、植物油の脂肪酸とモノアルコールを直接エステル反応させた脂肪酸モノエステル、エーテル類、アイソパー(登録商標) Ｅ、エクソール(登録商標) Ｈｅｘａｎｅ、Ｈｅｐｔａｎｅ、Ｅ、Ｄ３０、Ｄ４０、Ｄ６０、Ｄ８０、Ｄ９５、Ｄ１１０、Ｄ１３０（以上、エクソンモービル製）等の石油系溶剤から選択された１種類以上を用いることができる。

【0080】

液状樹脂としては、例えば液状アクリル樹脂、液状エポキシ樹脂、液状ポリエステル樹脂、液状ウレタン樹脂等から選択された１種類以上を用いることができる。

【0081】

液状可塑剤としては、例えばプラスチック用の液状可塑剤等を用いることができる。

【0082】

電磁波吸収粒子分散液が含有する成分は、上述の電磁波吸収粒子、および液状媒体のみに限定されない。電磁波吸収粒子分散液は、必要に応じてさらに任意の成分を添加、含有することもできる。

【0083】

例えば、電磁波吸収粒子分散液に必要に応じて酸やアルカリを添加して、当該分散液のｐＨを調整をしてもよい。

【0084】

また、上述した電磁波吸収粒子分散液中において、電磁波吸収粒子の分散安定性を一層向上させ、再凝集による分散粒径の粗大化を回避するために、各種の界面活性剤、カップリング剤等を分散剤として電磁波吸収粒子分散液に添加することもできる。

【0085】

当該界面活性剤、カップリング剤等の分散剤は用途に合わせて選定可能であるが、該分散剤は、アミンを含有する基、水酸基、カルボキシル基、およびエポキシ基から選択された１種類以上を官能基として有するものであることが好ましい。これらの官能基は、電磁波吸収粒子の表面に吸着して凝集を防ぎ、電磁波吸収粒子を用いて成膜した赤外線遮蔽膜中においても電磁波吸収粒子を均一に分散させる効果をもつ。上記官能基（官能基群）から選択された１種類以上を分子中にもつ高分子系分散剤がさらに望ましい。

【0086】

好適に用いることができる市販の分散剤としては、ソルスパース(登録商標)９０００、１２０００、１７０００、２００００、２１０００、２４０００、２６０００、２７０００、２８０００、３２０００、３５１００、５４０００、２５０(日本ルーブリゾール株式会社製)、ＥＦＫＡ(登録商標) ４００８、４００９、４０１０、４０１５、４０４６、４０４７、４０６０、４０８０、７４６２、４０２０、４０５０、４０５５、４４００、４４０１、４４０２、４４０３、４３００、４３２０、４３３０、４３４０、６２２０、６２２５、６７００、６７８０、６７８２、８５０３(エフカアディティブズ社製)、アジスパー(登録商標) ＰＡ１１１、ＰＢ８２１、ＰＢ８２２、ＰＮ４１１、フェイメックスＬ－１２ (昧の素ファインテクノ株式会社製)、ＤｉｓｐｅｒＢＹＫ (登録商標) １０１、１０２、１０６、１０８、１１１、１１６、１３０、１４０、１４２、１４５、１６１、１６２、１６３、１６４、１６６、１６７、１６８、１７０、１７１、１７４、１８０、１８２、１９２、１９３、２０００、２００１、２０２０、２０２５、２０５０、２０７０、２１５５、２１６４、２２０Ｓ、３００、３０６、３２０、３２２、３２５、３３０、３４０、３５０、３７７、３７８、３８０Ｎ、４１０、４２５、４３０(ピックケミ一・ジャパン株式会社製)、ディスパ口ン(登録商標) １７５１Ｎ、１８３１、１８５０、１８６０、１９３４、ＤＡ－４００Ｎ、ＤＡ－７０３－５０、ＤＡ－７２５、ＤＡ－７０５、ＤＡ－７３０１、ＤＮ－９００、ＮＳ－５２１０、ＮＶＩ－８５１４Ｌ(楠本化成株式会社製)、アルフォン(登録商標) ＵＣ－３０００ 、ＵＦ－５０２２、ＵＧ－４０１０、ＵＧ－４０３５、ＵＧ－４０７０(東亞合成株式会社製)等から選択された１種類以上が、挙げられる。

【0087】

電磁波吸収粒子の液状媒体への分散処理方法は、電磁波吸収粒子を液状媒体中へ分散できる方法であれば、特に限定されない。この際、電磁波吸収粒子の平均粒径が２００ｎｍ以下、となるように分散できることが好ましく、０．１ｎｍ以上２００ｎｍ以下となるように分散できることがより好ましい。

【0088】

電磁波吸収粒子の液状媒体への分散処理方法としては、例えば、ビーズミル、ボールミル、サンドミル、ペイントシェーカー、超音波ホモジナイザーなどの装置を用いた分散処理方法が挙げられる。その中でも、媒体メディア(ビーズ、ボール、オタワサンド)を用いるビーズミル、ボールミル、サンドミル、ペイントシェーカー等の媒体撹拌ミルで粉砕、分散させることが所望とする平均粒径とするために要する時間を短縮する観点から好ましい。媒体撹拌ミルを用いた粉砕－分散処理によって、電磁波吸収粒子の液状媒体中への分散と同時に、電磁波吸収粒子同士の衝突や媒体メディアの電磁波吸収粒子への衝突などによる微粒子化も進行し、電磁波吸収粒子をより微粒子化して分散させることができる。すなわち、粉砕－分散処理される。

【0089】

電磁波吸収粒子の平均粒径は、上述のように０．１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。これは、平均粒径が小さければ、幾何学散乱もしくはミー散乱による、波長４００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の可視光線領域の光の散乱が低減される結果、例えば本実施形態の電磁波吸収粒子分散液を用いて得られる、電磁波吸収粒子が樹脂等に分散した電磁波吸収粒子分散体が曇りガラスのようになり、鮮明な透明性が得られなくなるのを回避できるからである。すなわち、平均粒径が２００ｎｍ以下になると、光散乱は上記幾何学散乱もしくはミー散乱のモードが弱くなり、レイリー散乱モードになる。レイリー散乱領域では、散乱光は分散粒径の６乗に比例するため、分散粒径の減少に伴い散乱が低減し透明性が向上するからである。そして、平均粒径が１００ｎｍ以下になると、散乱光は非常に少なくなり好ましい。

【0090】

ところで、本実施形態の電磁波吸収粒子分散液を用いて得られる、電磁波吸収粒子が樹脂等の固体媒体中に分散した電磁波吸収粒子分散体内の電磁波吸収粒子の分散状態は、固体媒体への分散液の公知の添加方法を行う限り該分散液の電磁波吸収粒子の平均粒径よりも凝集することはない。

【0091】

また、電磁波吸収粒子の平均粒径が０．１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であれば、製造される電磁波吸収粒子分散体やその成形体（板、シートなど）が、単調に透過率の減少した灰色系のものになってしまうことを回避できる。

【0092】

本実施形態の電磁波吸収粒子分散液中の電磁波吸収粒子の含有量は特に限定されないが、例えば０．０１質量％以上８０質量％以下であることが好ましい。これは電磁波吸収粒子の含有量を０．０１質量％以上とすることで十分な日射透過率を発揮できるからである。また、８０質量％以下とすることで、電磁波吸収粒子を分散媒内に均一に分散させることができるからである。
［電磁波吸収粒子分散体］
次に、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体の一構成例について説明する。

【0093】

本実施形態の電磁波吸収粒子分散体は、既述の電磁波吸収粒子と、固体媒体とを含む。そして、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体は、電磁波吸収粒子が、固体媒体中に分散していることが好ましい。

【0094】

なお、既述の電磁波吸収粒子とは、一般式Ｃｓ_ｘＷ_１－ｙＯ_３－ｚ（０．２≦ｘ≦０．４、０＜ｙ≦０．４、０＜ｚ≦０．４６）で表わされ、斜方晶または六方晶の結晶構造を備えたセシウムタングステン酸化物を含有する電磁波吸収粒子である。詳細については既に説明したため、ここでは説明を省略する。

【0095】

以下、本実施形態に係る電磁波吸収粒子分散体について、（１）固体媒体、（２）製造方法、（３）添加剤、（４）適用例の順に説明する。
（１）固体媒体
固体媒体としては熱可塑性樹脂、熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂等の媒体樹脂を挙げることができる。すなわち、固体媒体としては、樹脂を好適に用いることができる。

【0096】

媒体樹脂の具体的な材料は特に限定されないが、例えば、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、オレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアセタール樹脂、紫外線硬化樹脂からなる樹脂群から選択される１種の樹脂、または前記樹脂群から選択される２種以上の樹脂の混合物であることが好ましい。なお、ポリエステル樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂を好適に用いることができる。

【0097】

これら媒体樹脂は、主骨格にアミンを含有する基、水酸基、カルボキシル基、およびエポキシ基から選択された１種類以上を官能基として備えた高分子系分散剤を含有することもできる。

【0098】

固体媒体は媒体樹脂に限定されず、固体媒体として、金属アルコキシドを用いたバインダーの利用も可能である。当該金属アルコキシドとしては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ等のアルコキシドが代表的である。これら金属アルコキシドを用いたバインダーを加熱等により加水分解・縮重合させることで、固体媒体が酸化物を含有する電磁波吸収粒子分散体とすることも可能である。

【0099】

本実施形態に係る電磁波吸収粒子分散体の電磁波吸収粒子の含有割合は特に限定されないが、電磁波吸収粒子分散体は、電磁波吸収粒子を０．００１質量％以上８０質量％以下含むことが好ましい。

【0100】

本実施形態の電磁波吸収粒子分散体の形状についても特に限定されないが、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体は、シート形状、ボード形状、またはフィルム形状を備えることが好ましい。電磁波吸収粒子分散体を、シート形状、ボード形状、またはフィルム形状とすることで様々な用途に適用できるためである。
（２）電磁波吸収粒子分散体の製造方法
本実施形態の電磁波吸収粒子分散体の製造方法を、以下に説明する。なお、ここでは電磁波吸収粒子分散体の製造方法の構成例を示しているに過ぎず、既述の電磁波吸収粒子分散体の製造方法が、以下の構成例に限定されるものではない。

【0101】

本実施形態の電磁波吸収粒子分散体は例えばマスターバッチを用いて製造することができる。この場合、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体の製造方法は、例えば、以下のマスターバッチ作製工程を有することもできる。

【0102】

電磁波吸収粒子が固体媒体中に分散したマスターバッチを得るマスターバッチ作製工程。

【0103】

マスターバッチ作製工程では、電磁波吸収粒子が固体媒体中に分散したマスターバッチを作製できる。

【0104】

マスターバッチの具体的な作製方法は特に限定されない。例えば、電磁波吸収粒子分散液や電磁波吸収粒子を、固体媒体中に分散させ、当該固体媒体をペレット化することで、マスターバッチを作製できる。

【0105】

なお、電磁波吸収粒子として、電磁波吸収粒子分散液から液状媒体を除去して得られた電磁波吸収粒子分散粉を用いることもできる。

【0106】

例えば電磁波吸収粒子分散液や、電磁波吸収粒子、電磁波吸収粒子分散粉と、固体媒体の粉粒体またはペレット、および必要に応じて他の添加剤を均一に混合して混合物を調製する。そして、該混合物を、ベント式一軸若しくは二軸の押出機で混練し、溶融押出されたストランドをカットする方法によりペレット状に加工することによって、マスターバッチを製造できる。この場合、ペレットの形状としては円柱状や角柱状のものを挙げることができる。また、ペレットを作製する際、溶融押出物を直接カットするいわゆるホットカット法を採ることも可能である。この場合には球状に近い形状をとることが一般的である。

【0107】

なお、マスターバッチ作製工程において、電磁波吸収粒子分散液を原料として用いる場合、電磁波吸収粒子分散液に由来する液状媒体を低減、除去することが好ましい。この場合、電磁波吸収粒子分散液に含まれていた液状媒体を除去する程度は特に限定されない。例えば当該マスターバッチに残留が許容される量まで、電磁波吸収粒子分散液等から、液状媒体を除去することが好ましい。なお、液状媒体として液状可塑剤を用いた場合は、当該液状可塑剤の全量が電磁波吸収粒子分散体に残留してもよい。

【0108】

電磁波吸収粒子分散液や、電磁波吸収粒子分散液と固体媒体との混合物から、電磁波吸収粒子分散液に含まれていた液状媒体を低減、除去する方法は特に限定されない。例えば、電磁波吸収粒子分散液等を減圧乾燥することが好ましい。具体的には、電磁波吸収粒子分散液等を撹拌しながら減圧乾燥し、電磁波吸収粒子含有組成物と液状媒体の成分とを分離する。当該減圧乾燥に用いる装置としては、真空撹拌型の乾燥機が挙げられるが、上記機能を有する装置であれば良く、特に限定されない。また、乾燥工程の減圧の際の圧力値は適宜選択される。

【0109】

当該減圧乾燥法を用いることで、電磁波吸収粒子分散液に由来する液状媒体等の除去効率が向上するとともに、減圧乾燥後に得られる電磁波吸収粒子分散粉や、原料である電磁波吸収粒子分散液が長時間高温に曝されることがないので、電磁波吸収粒子分散粉や、電磁波吸収粒子分散液中に分散している電磁波吸収粒子の凝集が起こらず好ましい。さらに電磁波吸収粒子分散粉等の生産性も上がり、蒸発した液状媒体等の溶媒を回収することも容易で、環境的配慮からも好ましい。

【0110】

当該乾燥工程後に得られた電磁波吸収粒子分散粉等においては、沸点１２０℃以下の溶媒成分を充分除去することが好ましい。例えば、係る溶媒成分の残留量が２．５質量％以下であることが好ましい。残留する溶媒成分が２．５質量％以下であれば、当該電磁波吸収粒子分散粉等を、例えば電磁波吸収粒子分散体へと加工した際に気泡が発生せず、外観や光学特性が良好に保たれるからである。また、電磁波吸収粒子分散粉に残留する溶媒成分が２．５質量％以下であれば、電磁波吸収粒子分散粉の状態で長期保管した際に、残留した溶媒成分の自然乾燥による凝集が発生せず、長期安定性が保たれるからである。

【0111】

得られたマスターバッチは、固体媒体を追加して混練することにより電磁波吸収粒子分散体に含まれる電磁波吸収粒子の分散状態が維持されたまま、その分散濃度を調整できる。

【0112】

また、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体の製造方法は、必要に応じて、得られたマスターバッチや、上述のようにマスターバッチに固体媒体を追加したものについて、成形し、所望の形状の電磁波吸収粒子分散体とする成形工程を有することができる。

【0113】

電磁波吸収粒子分散体を成形する具体的な方法は特に限定されないが、例えば公知の押出成形法、射出成形法等の方法を用いることができる。

【0114】

成形工程では、例えば、平面状や曲面状に成形されたシート形状、ボード形状、またはフィルム形状の電磁波吸収粒子分散体を製造できる。シート形状、ボード形状、またはフィルム形状に成形する方法は特に限定されず、各種公知の方法を用いることができる。例えば、カレンダーロール法、押出法、キャスティング法、インフレーション法等を用いることができる。

【0115】

本実施形態の電磁波吸収粒子分散体の製造方法は上記マスターバッチ作製工程を有する形態に限定されるものではない。

【0116】

例えば、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体の製造方法は、以下の工程を有する形態とすることもできる。

【0117】

固体媒体のモノマー、オリゴマーおよび未硬化で液状の固体媒体前駆体と、電磁波吸収粒子（電磁波吸収粒子分散粉）や電磁波吸収粒子分散液とを混合して、電磁波吸収粒子分散体前駆液を調製する前駆液調製工程。

【0118】

上記モノマー等の固体媒体前駆体を縮合や重合等の化学反応によって硬化させ、電磁波吸収粒子分散体を作製する電磁波吸収粒子分散体作製工程。

【0119】

例えば、固体媒体としてアクリル樹脂を用いる場合、アクリルモノマーやアクリル系の紫外線硬化樹脂と、電磁波吸収粒子とを混合して、電磁波吸収粒子分散体前駆液を得ることができる。

【0120】

次いで、当該電磁波吸収粒子分散体前駆液を所定の鋳型などに充填しラジカル重合を行えば、アクリル樹脂を用いた電磁波吸収粒子分散体が得られる。

【0121】

固体媒体として架橋により硬化する樹脂を用いる場合も、上述したアクリル樹脂を用いた場合と同様に、電磁波吸収粒子分散体前駆液に架橋反応をさせることで分散体を得ることができる。

【0122】

（３）添加剤
固体媒体として媒体樹脂を用いる場合、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体は、通常、これらの樹脂に添加される可塑剤、難燃剤、着色防止剤およびフィラー等の公知の添加剤（添加物）を含有することもできる。もっとも、既述の様に固体媒体は媒体樹脂に限定されず、金属アルコキシドを用いたバインダーの利用も可能である。

【0123】

本実施形態に係る電磁波吸収粒子分散体の形状は特に限定されないが、既述の様に、例えばシート形状、ボード形状、またはフィルム形状の形態をとることができる。

【0124】

シート形状、ボード形状、またはフィルム形状の電磁波吸収粒子分散体を合わせガラスなどの透明基材中間層として用いる場合、当該電磁波吸収粒子分散体に含まれる固体媒体が、そのままでは柔軟性や透明基材との密着性を十分に有しない場合がある。この場合、電磁波吸収粒子分散体は、可塑剤を含有することが好ましい。具体的には例えば、当該固体媒体がポリビニルアセタール樹脂であり、上述の用途に用いる場合は、電磁波吸収粒子分散体はさらに可塑剤を含有することが好ましい。

【0125】

上述した可塑剤としては、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体に用いる固体媒体において可塑剤として用いられる物質を用いることができる。例えば、ポリビニルアセタール樹脂で構成された電磁波吸収粒子分散体に用いられる可塑剤としては、一価アルコールと有機酸エステルとの化合物である可塑剤、多価アルコール有機酸エステル化合物等のエステル系である可塑剤、有機リン酸系可塑剤等のリン酸系である可塑剤が挙げられる。いずれの可塑剤も、室温で液状であることが好ましい。なかでも、多価アルコールと脂肪酸から合成されたエステル化合物である可塑剤が好ましい。
（４）適用例
本実施形態の電磁波吸収粒子分散体は、各種態様で用いることができ、その使用、適用態様は特に限定されない。以下に、本実施形態の電磁波吸収粒子分散体の適用例として、電磁波吸収透明基材、電磁波吸収用中間膜、電磁波吸収積層体について説明する。
（４－１）電磁波吸収透明基材
本実施形態の電磁波吸収透明基材は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面に電磁波吸収層とを備えており、電磁波吸収層を既述の電磁波吸収粒子分散体とすることができる。

【0126】

本実施形態の電磁波吸収透明基材は、上述の様に透明基材を有することができる。透明基材としては、例えば透明フィルム基材、および透明ガラス基材から選択された１種類以上を好ましく用いることができる。

【0127】

フィルム基材は、フィルム形状に限定されることはなく、例えば、ボード形状でもシート形状でも良い。当該フィルム基材の材料としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂等から選択された１種類以上を好適に用いることができ、各種目的に応じて使用可能である。もっとも、フィルム基材の材料としては、ポリエステル樹脂であることが好ましく、特にポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ樹脂）であることがより好ましい。すなわち、フィルム基材は、ポリエステル樹脂フィルムであることが好ましく、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムであることがより好ましい。

【0128】

透明基材としてフィルム基材を用いる場合、フィルム基材の表面は、電磁波吸収層の接着の容易さを実現するため、表面処理がなされていることが好ましい。

【0129】

また、ガラス基材もしくはフィルム基材と電磁波吸収層との接着性を向上させるために、ガラス基材上もしくはフィルム基材上に中間層を形成し、中間層上に電磁波吸収層を形成することも好ましい構成である。中間層の構成は特に限定されるものではなく、例えばポリマフィルム、金属層、無機層（例えば、シリカ、チタニア、ジルコニア等の無機酸化物層）、有機／無機複合層等により構成することができる。

【0130】

電磁波吸収粒子分散体については既述のため、ここでは説明を省略する。なお、電磁波吸収粒子分散体の形状は特に限定されないが、例えばシート形状、ボード形状、またはフィルム形状を備えることが好ましい。

【0131】

本実施形態の電磁波吸収透明基材の製造方法について説明する。

【0132】

本実施形態の電磁波吸収透明基材は、例えば既述の電磁波吸収粒子分散液を用いて、透明基材上へ、電磁波吸収粒子が固体媒体に分散された電磁波吸収粒子分散体である電磁波吸収層を形成することで製造できる。

【0133】

そこで、本実施形態の電磁波吸収透明基材の製造方法は、例えば以下の工程を有することができる。

【0134】

透明基材の表面に、既述の電磁波吸収粒子分散液を含む塗布液を塗布する塗布工程。
塗布液中の液状媒体を蒸発させた後、電磁波吸収層を形成する電磁波吸収層形成工程。

【0135】

塗布工程で用いる塗布液は、例えば、既述の電磁波吸収粒子分散液に、樹脂や、金属アルコキシド等の固体媒体、または固体媒体前駆体を添加、混合して作製できる。

【0136】

固体媒体前駆体は、既述の様に固体媒体のモノマー、オリゴマー、および未硬化の固体媒体から選択された１種類以上を意味する。

【0137】

透明基材上にコーティング膜である電磁波吸収層を形成すると、該電磁波吸収層は、セシウムタングステン酸化物粒子が固体媒体に分散されている状態となる。このため、係る電磁波吸収層が電磁波吸収粒子分散体となる。このように、透明基材の表面に電磁波吸収粒子分散体を設けることで、電磁波吸収透明基材を作製できる。

【0138】

固体媒体や、固体媒体前駆体については、（１）電磁波吸収粒子分散体や、（２）電磁波吸収粒子分散体の製造方法において説明したため、ここでは説明を省略する。

【0139】

透明基材上へ電磁波吸収層を設けるために、透明基材上に塗布液を塗布する方法は、透明基材表面へ塗布液を均一に塗布できる方法であればよく、特に限定されない。例えば、バーコート法、グラビヤコート法、スプレーコート法、ディップコート法、スピンコート法、スクリーン印刷、ロールコート法、流し塗り、等を挙げることができる。

【0140】

ここでは、媒体樹脂として紫外線硬化樹脂を用い、バーコート法を用いて塗布し、電磁波吸収層を形成する場合を例に、透明基材表面への電磁波吸収層の作製手順を説明する。

【0141】

適度なレベリング性をもつように濃度、および添加剤を適宜調整した塗布液を、電磁波吸収層の厚み、および電磁波吸収粒子の含有量を合目的に満たすことのできるバー番号のワイヤーバーを用いて透明基材上に塗布する。そして、塗布液中に含まれる液状媒体等の溶媒を乾燥により除去した後、紫外線を照射し硬化させることで、透明基材上に電磁波吸収層であるコーティング層を形成できる。

【0142】

塗膜の乾燥条件としては、各成分、溶媒の種類や使用割合によっても異なるが、通常では６０℃以上１４０℃以下の温度で２０秒間以上１０分間以下程度である。紫外線の照射には特に制限はなく、例えば超高圧水銀灯などの紫外線露光機を好適に用いることができる。

【0143】

その他、電磁波吸収層の形成の前後工程（前工程、後工程）により、基材と電磁波吸収層の密着性、コーティング時の塗膜の平滑性、有機溶媒の乾燥性などを操作することもできる。前記前後工程としては、例えば基材の表面処理工程、プリベーク（基材の前加熱）工程、ポストベーク（基材の後加熱）工程などが挙げられ、適宜選択することができる。プリベーク工程やポストベーク工程における加熱温度は、例えば８０℃以上２００℃以下、加熱時間は３０秒間以上２４０秒間以下であることが好ましい。

【0144】

本実施形態の電磁波吸収透明基材の製造方法は上記方法に限定されない。本実施形態の電磁波吸収透明基材の製造方法の他の構成例として、以下の工程を有する形態も挙げられる。

【0145】

既述の電磁波吸収粒子分散液を透明基材の表面に塗布し、乾燥させる電磁波吸収粒子分散液塗布、乾燥工程。
電磁波吸収粒子分散液を塗布した面上に、樹脂や、金属アルコキシド等の固体媒体や、固体媒体前駆体を用いたバインダーを塗布、硬化させるバインダー塗布、硬化工程。

【0146】

この場合、電磁波吸収粒子分散液塗布、乾燥工程により、透明基材の表面に電磁波吸収粒子を分散させた膜が形成される。なお、電磁波吸収粒子分散液は、既述の電磁波吸収透明基材の製造方法の塗布工程について説明したものと同様の方法により塗布できる。

【0147】

そして、該電磁波吸収粒子を分散させた膜上にバインダーを塗布し、硬化させることで、電磁波吸収粒子間に硬化したバインダーが配置され、電磁波吸収層を形成できる。

【0148】

電磁波吸収透明基材は、電磁波吸収粒子分散体の表面にさらにコート層を有することもできる。すなわち多層膜を備えることもできる。

【0149】

コート層は、例えばＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択された１種類以上を含む酸化物のコーティング膜とすることができる。この場合、コート層は、例えば電磁波吸収層上へ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌのいずれか１種類以上を含むアルコキシド、および当該アルコキシドの部分加水分解縮重合物から選択された１種類以上を含有する塗布液を塗布した後、加熱することで形成できる。

【0150】

コート層を設けることで、コーティングされた成分が、第１層における電磁波吸収粒子の堆積した間隙を埋めて成膜され可視光の屈折を抑制するため、膜のヘイズ値がより低減して可視光線透過率を向上できる。また、電磁波吸収粒子の基材への結着性を向上できる。

【0151】

ここで、電磁波吸収粒子単体、あるいは電磁波吸収粒子を含有する膜上に、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌのいずれか１種類以上を含むアルコキシドや、これらの部分加水分解縮重合物からなるコーティング膜を形成する方法としては、成膜操作の容易さやコストの観点から塗布法が好ましい。

【0152】

上記塗布法に用いるコーティング液としては、水やアルコールなどの溶媒中に、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌのいずれか１種類以上を含むアルコキシドや、当該アルコキシドの部分加水分解縮重合物を１種類以上含むものを好適に用いることができる。上記コーティング液における上記アルコキシド等の含有量は特に限定されないが、例えば加熱後に得られるコーティング中の酸化物換算で４０質量％以下が好ましい。また、必要に応じて酸やアルカリを添加してｐＨ調整することもできる。

【0153】

当該コーティング液を、電磁波吸収粒子を主成分とする膜上に、第２層として塗布し加熱することで、コート層であるＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択された１種類以上を含む酸化物被膜を容易に形成できる。本実施形態に係る塗布液に使用するバインダー成分またはコーティング液の成分として、オルガノシラザン溶液を用いることも好ましい。

【0154】

無機バインダーやコーティング膜として、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌのいずれか１種類以上の金属アルコキシド、およびその加水分解重合物を含む電磁波吸収粒子分散液や、コーティング液の塗布後の基材加熱温度は特に限定されない。例えば基材加熱温度は１００℃以上が好ましく、電磁波吸収粒子分散液等の塗布液中の溶媒の沸点以上であることがより好ましい。

【0155】

これは、基材加熱温度が１００℃以上であると、塗膜中に含まれる金属アルコキシドまたは当該金属アルコキシドの加水分解重合物の重合反応が完結できるからである。また、基材加熱温度が１００℃以上であると、溶媒である水や有機溶媒が膜中に残留することがほとんどないので、加熱後の膜において、これら溶媒が可視光線透過率低減の原因とならないからである。

【0156】

本実施形態の電磁波吸収透明基材の、透明基材上における電磁波吸収層の厚みは、特に限定されないが、実用上は１０μｍ以下であることが好ましく、６μｍ以下であることがより好ましい。これは電磁波吸収層の厚みが１０μｍ以下であれば、十分な鉛筆硬度を発揮して耐擦過性を有することに加えて、電磁波吸収層における溶媒の揮散およびバインダーの硬化の際に、基材フィルムの反り発生等の工程異常発生を回避できるからである。
（４－２）電磁波吸収用中間膜、電磁波吸収積層体
本実施形態の電磁波吸収積層体は、既述の電磁波吸収粒子分散体と透明基材とを含む積層構造を有することができる。本実施形態の電磁波吸収積層体は、既述の電磁波吸収粒子分散体と、透明基材とを要素にもち、これらを積層した積層体とすることができる。

【0157】

電磁波吸収積層体として、例えば２枚以上の複数枚の透明基材と、既述の電磁波吸収粒子分散体とを積層した例が挙げられる。この場合、電磁波吸収粒子分散体は、例えば透明基材の間に配置し、電磁波吸収用中間膜として用いることができる。

【0158】

この場合、電磁波吸収用中間膜は、シート形状、ボード形状、またはフィルム形状のいずれかの形状を有することが好ましい。

【0159】

透明基材は、可視光線領域において透明な板ガラス、板状のプラスチック、フィルム状のプラスチックから選択された１種類以上を好適に用いることができる。

【0160】

透明基材として、プラスチックを用いる場合、プラスチックの材質は、特に限定されるものではなく用途に応じて選択可能であり、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、オレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アイオノマー樹脂、フッ素樹脂等から選択された１種類以上を使用可能である。なお、ポリエステル樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂を好適に用いることができる。

【0161】

透明基材は、日射遮蔽機能を有する粒子を含有していてもよい。日射遮蔽機能を有する粒子としては、近赤外線遮蔽特性を有する電磁波吸収粒子を用いることができる。

【0162】

複数枚の透明基材間に挟持される中間層の構成部材として既述の電磁波吸収粒子分散体を介在させることで、可視光線を透過しつつ近赤外線遮蔽機能を備えた電磁波吸収積層体の１種である日射遮蔽合わせ構造体を得ることができる。

【0163】

なお、電磁波吸収粒子分散体を挟持して対向する複数枚の透明基材を、公知の方法で貼り合わせ、一体化することで、上述の電磁波吸収積層体とすることもできる。

【0164】

既述の電磁波吸収粒子分散体を電磁波吸収用中間膜として用いる場合、固体媒体としては、電磁波吸収粒子分散体で説明したものを用いることができる。ただし、電磁波吸収用中間膜と、透明基材との密着強度を高める観点からは、固体媒体はポリビニルアセタール樹脂であることが好ましい。

【0165】

本実施形態の電磁波吸収用中間膜は、既述の電磁波吸収粒子分散体の製造方法により製造でき、例えばシート形状、ボード形状、またはフィルム形状のいずれかの形状を有する電磁波吸収用中間膜とすることができる。

【0166】

なお、電磁波吸収用中間膜が、柔軟性や透明基材との密着性を十分に有しない場合は、媒体樹脂用の液状可塑剤を添加することが好ましい。例えば、電磁波吸収用中間膜に用いた媒体樹脂がポリビニルアセタール樹脂である場合は、ポリアセタール樹脂用の液状可塑剤の添加は、透明基材との密着性向上に有益である。

【0167】

可塑剤としては、媒体樹脂に対して可塑剤として用いられる物質を用いることができる。例えばポリビニルアセタール樹脂で構成された赤外線遮蔽フィルムに用いられる可塑剤としては、一価アルコールと有機酸エステルとの化合物である可塑剤、多価アルコール有機酸エステル化合物等のエステル系である可塑剤、有機リン酸系可塑剤等のリン酸系である可塑剤が挙げられる。いずれの可塑剤も、室温で液状であることが好ましい。なかでも、多価アルコールと脂肪酸から合成されたエステル化合物である可塑剤が好ましい。

【0168】

また、電磁波吸収用中間膜には、シランカップリング剤、カルボン酸の金属塩、金属の水酸化物、金属の炭酸塩から成る群から選択される少なくとも１種を添加することもできる。カルボン酸の金属塩、金属の水酸化物、金属の炭酸塩を構成する金属は特に限定されないが、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、マンガン、セシウム、リチウム、ルビジウム、亜鉛から選択される少なくとも１種であることが好ましい。電磁波吸収用中間膜において、カルボン酸の金属塩、金属の水酸化物、金属の炭酸塩から成る群から選択される少なくとも１種の含有量が、電磁波吸収粒子に対して１質量％以上１００質量％以下であることが好ましい。

【0169】

さらに、電磁波吸収用中間膜は、必要に応じて既述の電磁波吸収粒子に加えて、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｐ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔｂ、Ｌｕ、Ｓｒ、Ｃａから成る群から選択される２種類以上の元素を含む酸化物粒子、複合酸化物粒子、ホウ化物粒子のうちの少なくとも１種類以上の粒子を含有することもできる。電磁波吸収用中間膜は、係る粒子を、電磁波吸収粒子との合計を１００質量％とした場合に、５質量％以上９５質量％以下の範囲で含有できる。

【0170】

電磁波吸収積層体は、透明基材間に配置された中間膜の少なくとも１層に、紫外線吸収剤を含有してもよい。紫外線吸収剤としては、マロン酸エステル構造を有する化合物、シュウ酸アニリド構造を有する化合物、ベンゾトリアゾール構造を有する化合物、ベンゾフェノン構造を有する化合物、トリアジン構造を有する化合物、ベンゾエート構造を有する化合物、ヒンダードアミン構造を有する化合物等から選択された１種類以上が挙げられる。

【0171】

なお、電磁波吸収積層体の中間層は、本実施形態に係る電磁波吸収用中間膜のみで構成して良いのは勿論である。

【0172】

ここで説明した電磁波吸収用中間膜は、電磁波吸収粒子分散体の一態様である。本実施形態に係る電磁波吸収粒子分散体は、可視光線を透過する２枚以上の透明基材に挟持されることなく使用できることはもちろんである。すなわち、本実施形態に係る電磁波吸収粒子分散体は、単独で電磁波吸収粒子分散体として成立できるものである。

【0173】

本実施形態に係る電磁波吸収積層体は、上述のような、透明基材間に電磁波吸収粒子分散体を配置した形態に限定されるものではなく、電磁波吸収粒子分散体と、透明基材とを含む積層構造を有するものであれば、任意の構成を採ることができる。

【実施例】

【0174】

以下、実施例を参照しながら本発明をより具体的に説明する。但し、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

【0175】

ここでまず以下の実施例、比較例における評価方法について説明する。
（化学分析）
得られた電磁波吸収粒子の化学分析は、Ｃｓについては原子吸光分析(ＡＡＳ)により、Ｗ（タングステン）についてはＩＣＰ発光分光分析(１ＣＰ―ＯＥＳ)により行った。また、Ｏについては軽元素分析装置（ＬＥＣＯ社製、型式ＯＮ―８３６）を用いて、Ｈｅガス中で試料を融解しルツボ中のカーボンと反応したＣＯガスをＩＲ吸収分光法で定量する方法で分析した。表１中には、化学分析により求めた各元素の含有割合から、Ｗ（タングステン）を１とした場合の組成比を算出し、併せて示している。なお、以下の実施例１～実施例１３においては、Ｗ欠損を有するセシウムタングステン複合酸化物を含む電磁波吸収粒子である粉末が得られている。このため、実施例１～実施例１３で得られた電磁波吸収粒子である粉末Ａ～粉末Ｍについて、表１に示したＷを１とした場合の組成比に、Ｗ欠損に応じた値をかけることで得られた組成比は、いずれも一般式Ｃｓ_ｘＷ_１－ｙＯ_３－ｚ（０．２≦ｘ≦０．４、０＜ｙ≦０．４、０＜ｚ≦０．４６）を充足することを確認できている。
（Ｘ線回折測定)
Ｘ線回折測定はＳｐｅｃｔｒｉｓ社のＸ'Ｐｅｒｔ－ＰＲＯ／ＭＰＤ装置でＣｕ－Ｋα線を用いて粉末ＸＲＤ測定することで実施した。

【0176】

標準サンプル(ＮＩＳＴ６４０ｅ)で回折角を較正してから測定を行った。そして、得られたＸＲＤ回折パターンについてリ一卜ベルト解析を行ない、結晶相の格子定数を求めた。なお、斜方晶が含まれている場合は表１中、Ｒと表記し、六方晶が含まれている場合にはＨと表記する。また、斜方晶と六方晶とが含まれている場合には、表１中、Ｒ＋Ｈと表記する。

【0177】

斜方晶と六方晶の混相の場合は、各相に対する格子定数を求めた。そして、斜方晶の格子定数は、以下の格子対応モデルにより六方晶の格子定数へ変換した。斜方晶と六方晶との間の格子の変化の対応は、Ｓｏｌｏｄｏｖｎｉｋｏｖ１９９８のモデル（非特許文献４）から抽出した式、４ａ_ｏｒｔｈ ^２＋ｂ_ｏｒｔｈ ^２＝６４ａ_ｈｅｘ ^２= ６４ｂ_ｈｅｘ ^２、ｃ_ｏｒｔｈ＝ｃ_ｈｅｘを用いて、六方晶換算の格子定数を求めた。なお、上記式中のａ_ｏｒｔｈ、ｂ_ｏｒｔｈ、ｃ_ｏｒｔｈは斜方晶のａ軸、ｂ軸、ｃ軸の長さを意味する。また、ａ_ｈｅｘ、ｂ_ｈｅｘ、ｃ_ｈｅｘは六方晶のａ軸、ｂ軸、ｃ軸の長さを意味する。
（電磁波吸収透明基材の光学特性）
電磁波吸収透明基材の可視光線透過率（ＶＬＴ）、および日射透過率（ＳＴ）は、ＩＳＯ ９０５０およびＪＩＳ Ｒ ３１０６に準拠して測定を行った。具体的には、日立製作所(株)製の分光光度計Ｕ－４１００を用いて透過率を測定し、太陽光のスペクトルに応じた係数を乗じて算出した。透過率の測定に当たっては波長３００ｎｍ以上２１００ｎｍ以下の範囲について、５ｎｍ間隔で測定を行った。Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊色指数は、ＪＩＳ Ｚ ８７０１に準拠して、Ｄ６５標準光源、光源角度１０°に対する三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚを算出し、三刺激値からＪＩＳ Ｚ ８７２９に準拠して求めた。ＲＧＢ色指数も同様にして三刺激値から算出した。
［実施例１］
炭酸セシウム（Ｃｓ_２ＣＯ_３）と三酸化タングステン（ＷＯ_３）をモル比でＣｓ_２ＣＯ_３：ＷＯ_３＝２：１１の比率となるように秤量、混合、混練して得られた混練物をカーボンボートに入れ、大気中、管状炉で、８５０℃で２０時間を２回加熱し、ごく薄く緑がかった白色粉末である粉末Ａ´を得た。なお、加熱する際、８５０℃で２０時間加熱後に、一度取り出して粉砕・混合した後同じ条件で再加熱した。

【0178】

得られた白色粉末である粉末Ａ´について、以下のように評価を行った。

【0179】

Ｘ線粉末回折パターンは、僅かにＣｓ_６Ｗ_１１Ｏ_３６が混じったが、ほぼＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５単相（ＩＣＤＤ ００－５１－１８９１）と同定された。

【0180】

格子定数は、ａ＝１４．６７３３Å、ｂ＝５２．３８４１Å、ｃ＝７．７４２４Åと測定された。係る値は、Ｓｏｌｏｄｏｖｎｉｋｏｖ（非特許文献４）の値である、ａ＝１４．６６８６Å、ｂ＝５２．３９７１Å、ｃ＝７．７３５６Åに極めて近かった。この白色粉末の化学分析結果はＣｓ_０．３６ＷＯ_３．１８となり、ほぼ秤量組成に一致した。

【0181】

次に、得られた白色粉末である粉末Ａ´のＴＥＭ観察を行なった。制限視野電子線回折パターンを取ると、斜方晶のスポットパターンが得られた。図４に斜方晶のｃ軸方向から取ったスポットパターンを示す。b軸方向にｂ／８周期の周期性が出ており、ＷとＯの欠損面の存在が確認された。またｂ軸方向に走るストリークから、ｂ面には多少の面欠陥が存在することが分かった。このｃ軸晶帯軸のスポットパターンは６回対称に近いが、（４８０）と（４－８０）スポットの角度が５２．２°と、６回対称の場合の６０°からずれており、ｂ／８周期に入ったＷとＯの欠損面のために６回対称からずれたと考えられる。

【0182】

得られた白色粉末であるＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５粉末を、カーボンボートに薄く平らに敷き詰めて、管状炉内に配置し、Ａｒガス気流中で室温から８００℃まで加熱した。８００℃で温度を保持しながら、Ａｒガスをキャリアーとした１ｖｏｌ％Ｈ_２ガス（以下、ｖｏｌ％を単に％で記載する）を混合させた気流に切り替えて、５分間還元した後、Ｈ_２ガスを停止し、Ａｒガス気流のみで１００℃まで徐冷し、その後Ａｒガス気流を止めて室温まで徐冷し、粉末Ａを取り出した。取り出した粉末Ａの色調は水色だった。

【0183】

粉末ＡのＸＲＤパターンは斜方晶と六方晶の２相混合パターンを示した。Ｒｉｅｔｖｅｌｄ法で各相の格子定数を求めたところ、斜方晶はａ＝１４．６６０９Å、ｂ＝５２．４０４０Å、ｃ＝７．７４１９Å（六方晶換算値はａ＝７．５０６２Å、ｃ＝７．７４１９Å）、六方晶はａ＝７．４１７０Å、ｃ＝７．５７５２Åであった。c軸の値は両者とも７．５６０Å≦ｃ≦７．７５０Åの範囲にあることを確認した。

【0184】

次に粉末ＡのＴＥＭ観察を行なったところ、斜方晶粒子と、擬六方晶の粒子が観察された。

【0185】

ここで、図５に擬六方晶粒子の電子線回折像を示す。擬六方晶粒子は、図５の［００１］_ＨＥＸ晶帯軸の電子線回折像が示すように、六方晶に近い回折パターンを示した。ここで（２００）_ＨＥＸと（１１０）_ＨＥＸの面間角度は５９．２°と測定され、ほぼ六方晶に近い値であった。

【0186】

次に粉末Ａを、ＳＴＥＭ－ＨＡＡＤＦモードで観察した（ＳＴＥＭ： ｓｃａｎｎｉｎｇ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、ＨＡＡＤＦ：Ｈｉｇｈ－ａｎｇｌｅ ａｎｎｕｌａｒ ｄａｒｋ ｆｉｅｌｄ）。

【0187】

擬六方晶粒子の［２２１］晶帯軸から観察したＨＡＡＤＦ像を図６に示す。ＨＡＡＤＦモードでは原子番号と、投影方向の原子存在確率に比例した明度で原子の粒が観察されるので、図６に暗く見える（１１０）_ＨＥＸに沿った線状の領域は、原子番号が最も大きいＷの欠損と同定された。このようなＷ欠損領域のトレースは、別方向からの観察により、（１１０）_ＨＥＸに面状に広がっていることが確認された。また、コントラストの薄いトレースの一部は線状に収縮していると考えられる。

【0188】

本実施例では加熱還元処理を５分間と後述する他の実施例よりも短い時間としており、高温での還元初期には、斜方晶（０１０）_ＯＲＴＨのＷ欠陥が収縮して擬六方晶へと構造転移が起こり、擬六方晶においては｛１００｝_ＨＥＸ面に収縮途中の多くのＷ欠損領域が観察できた。
［実施例２］
実施例１で得た粉末Ａ´であるＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５粉末を、カーボンボートに薄く平らに敷き詰めて、管状炉内に配置し、Ａｒガス気流中で室温から８００℃まで加熱した。８００℃で温度を保持しながら、Ａｒガスをキャリアーとした１％Ｈ_２ガスを混合させた気流に切り替え、１５分間還元した後、Ｈ_２ガスを停止し、Ａｒガス気流のみで１００℃まで徐冷し、その後Ａｒガス気流を止めて室温まで徐冷し、粉末Ｂを取り出した。取り出した粉末Ｂの色調は青色だった。

【0189】

粉末ＢのＸＲＤパターンは斜方晶と六方晶の２相混合パターンを示した。Ｒｉｅｔｖｅｌｄ法で各相の格子定数を求めたところ、斜方晶はａ＝１４．６５７６Å、ｂ＝５２．４３１５Å、ｃ＝７．７４１２Å（六方晶換算値はａ＝７．５０８８Å、ｃ＝７．７４１２Å）、六方晶はａ＝７．４１２２Å、ｃ＝７．５９４０Åを得た。c軸の値は両者とも７．５６０Å≦ｃ≦７．７５０Åの範囲にあることを確認した。

【0190】

次に粉末ＢのＴＥＭ観察を行なったところ、実施例１で得られた粉末Ａの場合と同様に、斜方晶粒子と、擬六方晶の粒子が観察された。擬六方晶粒子は、図７の［００１］_ＨＥＸ晶帯軸の電子線回折像が示すように、六方晶に近い回折パターンを示した。ここで（２００）_ＨＥＸと（１１０）_ＨＥＸの面間角度は５９．５°と測定され、ほぼ六方晶に近い値であった。
［実施例３］
実施例１で得た粉末Ａ´であるＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５粉末を、カーボンボートに薄く平らに敷き詰めて、管状炉内に配置し、Ａｒガス気流中で室温から８００℃まで加熱した。８００℃で温度を保持しながら、Ａｒガスをキャリアーとした１％Ｈ_２ガスを混合させた気流に切り替え、３０分間還元した後、Ｈ_２ガスを停止し、Ａｒガス気流のみで１００℃まで徐冷し、その後Ａｒガス気流を止めて室温まで徐冷し、粉末Ｃを取り出した。取り出した粉末Ｃの色調は濃青色だった。

【0191】

粉末ＣのＸＲＤパターンは斜方晶と六方晶の２相混合パターンを示した。Ｒｉｅｔｖｅｌｄ法で各相の格子定数を求めたところ、斜方晶はａ＝１４．６６４９Å、ｂ＝５２．４０１０Å， ｃ＝７．７４５１Å（六方晶換算値はａ＝ ７．５０６４Å、ｃ＝７．７４５１Å）、六方晶はａ＝７．４０７６Å、ｃ＝７．６１０７Åを得た。ｃ軸の値は両者とも７．５６０Å≦ｃ≦７．７５０Åの範囲にあることを確認した。

【0192】

次に粉末ＣのＴＥＭ観察を行なったところ、実施例１で得られた粉末Ａの場合と同様に斜方晶粒子と、擬六方晶の粒子が観察された。擬六方晶粒子は、図８の［００１］晶帯軸の電子線回折像が示すように、六方晶の回折パターンを示した。ここで（２００）_ＨＥＸと（１１０）_ＨＥＸの面間角度は６０．０°と測定され、六方晶の値となった。
［実施例４～実施例７］
実施例１で得た粉末Ａ´であるＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５粉末を、還元処理する際の還元時間を、表１に示すように３５分～９０分に変えた。以上の点以外は実施例１の粉末Ａを作製した場合と同様にして、粉末Ｄ、粉末Ｅ、粉末Ｆ、粉末Ｇを作製した。粉末Ｄ～粉末Ｇの粉末色調はすべて濃青色であり、ＸＲＤ格子定数は、表に示すとおりである。

【0193】

なお、表１に示したように、実施例４においては、斜方晶の相も観察され、六方晶に換算したｃ軸長さは、７．７４４０Å（実施例４）であった。
［実施例８～実施例１１］
実施例１で得た粉末Ａ´であるＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５粉末を、加熱還元処理する際の加熱温度と還元時間を、表１に示すように変更した。具体的には、実施例８では６５０℃で１２０分間、実施例９では７００℃で６０分間、実施例１０では９００℃で１０分間、実施例１１では９５０℃で２０分間とした。以上の点以外は実施例１の粉末Ａを作製した場合と同様にして、粉末Ｈ、粉末Ｉ、粉末Ｊ、粉末Ｋを作製した。それぞれ水色、青色、濃青色、濃青色の粉末が得られた。得られた各粉末のＸＲＤパターンから求めた格子定数は、表１に示す通りであった。

【0194】

なお、表１に示したように、実施例８、９や、以下の実施例１２、１３においては、斜方晶の相も観察され、六方晶に換算したｃ軸長さは、７．７４２８Å（実施例８）、７．７４７１Å（実施例９）、７．７４４９Å（実施例１２）、７．７４６６Å（実施例１３）であった。
［実施例１２］
炭酸セシウムと三酸化タングステンをモル比でＣｓ_２ＣＯ_３：ＷＯ_３＝３：１１の比率で混合してカーボンボートに薄く平らに敷き詰めて、管状炉内に配置し、８５０℃で５時間加熱して、ごく薄く緑がかった白色粉末を得た。この白色粉末の主相はＣｓ_６Ｗ_１１Ｏ_３６（ＩＣＤＤ１－７０－６３２）と同定されたが、Ｃｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５との混相であった。

【0195】

得られた白色粉末を、１％Ｈ_２－Ｎ_２気流中、８００℃で３０分間熱処理し、濃青色の粉末Ｌを得た。

【0196】

粉末ＬのＸＲＤパターンは、斜方晶と六方晶の２相混合パターンを示した。得られた粉末ＬのＸＲＤパターンから求めた格子定数は、表１に示すとおりである。
［実施例１３］
炭酸セシウムと三酸化タングステンをモル比でＣｓ_２ＣＯ_３：ＷＯ_３＝１：６の比率で混合してカーボンボートに薄く平らに敷き詰めて、管状炉内に配置し、８５０℃で５時間加熱して、ごく薄く緑がかった白色粉末を得た。この白色粉末の主相はＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５と同定されたが、Ｃｓ_２Ｗ_６Ｏ_１９（ＩＣＤＤ００－０４５－０５２２）との混相であった。

【0197】

得られた白色粉末を、１％Ｈ_２－Ｎ_２気流中、８００℃で３０分間熱処理し、濃青色の粉末Ｍを得た。

【0198】

粉末ＭのＸＲＤパターンは、斜方晶と六方晶の２相混合パターンを示した。得られた粉末ＭのＸＲＤパターンから求めた格子定数は、表１に示すとおりである。

【0199】

以上の実施例１～実施例１３で示したように、白色のＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５やＣｓ_６Ｗ_１１Ｏ_３６、Ｃｓ_２Ｗ_６Ｏ_１９を含むＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５の粉末を高温で還元すると、粉の色は徐々に水色から、青色、濃青色へと変化した。

【0200】

またＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５相ではＷ欠損を含む格子欠陥が存在し、斜方晶となっているが、これを高温で還元すると、Ｗ欠損を含む格子欠陥が消滅すると共に、斜方晶が六方晶へと変化することが確認された。
［実施例１４］
実施例１で作製した粉末Ａを２０質量％と、官能基としてアミンを含有する基を有するアクリル系高分子分散剤（以下「分散剤ａ」と略称する）１０質量％と、溶媒としてメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）７０質量％とを秤量した。秤量したこれらの材料を０．３ｍｍ径のシリカビーズと共にガラス容器に入れ、ペイントシェーカーを用いて、５時間、分散・粉砕し、分散液Ａを得た。

【0201】

ここで、分散液Ａ内における電磁波吸収粒子の平均粒径（動的光散乱法に基づく粒径測定装置である大塚電子株式会社製 ＥＬＳ－８０００で測定される分散粒径）を測定すると、２６．４ｎｍであった。

【0202】

この分散液Ａ １００質量部に対し、ハードコート用紫外線硬化樹脂（東亜合成製ア口ニックスＵＶ－３７０１）を５０質量部混合して電磁波吸収粒子塗布液とした。そして、係る電磁波吸収塗布液を透明フィルム基材であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂フィルム（帝人製ＨＰＥ－５０、以下「ＰＥＴフィルム」とも記載する）上へバーコーターを用いて塗布し、塗布膜を形成した。なお、他の実施例においても透明基材として同様のＰＥＴフィルムを用いた。

【0203】

塗布膜を設けたＰＥＴフィルムを、８０℃で５分間乾燥し、液状媒体である有機溶媒を蒸発させた後、高圧水銀ランプで硬化させることで、電磁波吸収粒子を含有したコーティング層が設けられた、電磁波吸収フィルムＡを作製した。なお、コーティング層は電磁波吸収層であり、電磁波吸収フィルムは、電磁波吸収透明基材の一形態である。

【0204】

得られた分散液Ａについて日立ハイテク社のＵ－４１００分光光度計で透過率を測定し、モル吸収係数を求めた。プロファイルを図９Ａ、図９Ｂに示す。図９Ａは実施例１～実施例７で作製した電磁波吸収粒子を用いて作製した実施例１４～実施例２０、比較例１の分散液のモル吸収係数である。図９Ｂは図９Ａの一部拡大図である。図９Ｃは実施例２、３、５、９、１０で作製した電磁波吸収粒子を用いて作製した実施例１５、１６、１８、２２、２３、比較例１の分散液のモル吸収係数である。

【0205】

図９に示したプロファイルによると、０．６ｅＶ以上１．６ｅＶ以下の近赤外線領域での吸収、および１．６ｅＶ以上３．０ｅＶ以下の可視領域での透過を確認できた。

【0206】

電磁波吸収フィルムＡの可視光線透過率（ＶＬＴ）と日射透過率（ＳＴ）、はそれぞれＶＬＴ＝７２．３％、ＳＴ＝５５．３％、と測定され、分散液Ａと同様に可視光で透明で、かつ近赤外線吸収効果を持つことが分かった。電磁波吸収フィルムＡの色指数はＬ^＊＝８８．４、ａ^＊＝－１．４、ｂ^＊＝８．８となり、ブルー色が非常に弱く中性色に近い、すなわちニュートラルな色調を示した。
［実施例１５］
実施例２で作製した粉末Ｂを、実施例１４と同様の要領で分散・粉砕し、分散液Ｂを得た。粒子の分散粒径は、３１．４ｎｍであった。この分散液Ｂのモル吸収係数のプロファイルを図９Ａ～図９Ｃに示す。また、分散液Ｂの透過率プロファイルを図１０Ａ、図１０Ｂに示す。なお、透過率プロファイルを導出するに当っては、実施例１４で得られた分散液Ａの分光透過率のＶＬＴ値と同じＶＬＴ値になるようにモル吸収係数からＬａｍｂｅｒｔ－Ｂｅｅｒ式により透過率プロファイルを導出した。図１０Ａ、図１０Ｂに示した、以下の比較例１～比較例３、実施例１６、実施例１９についても同様にして導出している。

【0207】

日射遮蔽効果や透過色はその膜のＶＬＴ値に依存して変化するため、それらの評価は同じＶＬＴに揃えて行なう必要がある。そこで、実施例１４の電磁波吸収フィルムで得られた分光透過率のＶＬＴ値とほぼ同じＶＬＴ範囲（７２．０％～７３．０％）になるように、分散液Ｂと紫外線硬化樹脂とＭＩＢＫの配合割合を調整して塗布液Ｂを作製した。塗布液Ｂを実施例１４と同等にＰＥＴフィルムに塗布、乾燥、硬化を行い電磁波吸収フィルムＢを作製した。

【0208】

電磁波吸収フィルムＢの光学特性はそれぞれＶＬＴ＝７２．７％、ＳＴ＝４１．６％となり、極めて良好な日射遮蔽特性を持つことが分かった。

【0209】

また、電磁波吸収フィルムＢの色指数はＬ^＊＝８８．５、ａ^＊＝－３．９、ｂ^＊＝５．４となり、ｂ^＊がプラスであってブルー色が弱く中性色に近い色調を示した。自動車ウィンドシールドに用いられるＶＬＴ＝７０～８０％における本電磁波吸収粒子の希薄分散膜では、ほとんど青みを感じさせない膜となるものといえる。
［比較例１］
実施例１で得た粉末Ａ´であるＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５粉末を実施例１４と同様の手順で粉砕・分散処理を行い、分散液Ｎを得た。分散液Ｎの色は灰白色であり、分散液Ｎ内における粒子の分散粒径は、３０．３ｎｍであった。分散液Ｎの透過率プロファイルを図１０Ａ、図１０Ｂに示す。

【0210】

実施例１５で行なった手順と同様に、分散液Ｎと紫外線硬化樹脂とＭＩＢＫの配合割合を調整して塗布液Ｎを得た後、電磁波吸収フィルムＮを得た。一方、電磁波吸収フィルムＮの分光特性としてＶＬＴ＝７２．６％、ＳＴ＝８０．２％が得られ、赤外線の吸収効果は殆ど無いことが分かった。
［比較例２］
炭酸セシウム(Ｃｓ_２ＣＯ_３)水溶液、タングステン酸(Ｈ_２ＷＯ_４)、および二酸化タングステン粉末（ＷＯ_２）をＣｓ_２Ｏ・５ＷＯ_３・４ＷＯ_２の組成となるように、秤量、混合、混練して原料混合物を調製した。十分に混合した後、原料混合物を、カーボンボートに薄く平らに敷き詰めて、Ｎ_２ガスをキャリアーとした１％Ｈ_２ガス気流下、５５０℃で６０分間保持し、その後１００％Ｎ_２気流に変えて１時間保持後８００℃に昇温して１時間保持し、室温へ徐冷して粉末Ｏを得た。粉末Ｏの色は濃青色であった。化学分析の結果、組成Ｃｓ_０．３３ＷＯ_２．７４が得られた。

【0211】

粉末ＯのＸＲＤパターンは六方晶の単相を示した。Ｒｉｅｔｖｅｌｄ解析により格子定数ａ＝７．４０８８Å、ｃ＝７．６０３３Åを得た。格子定数c軸の値は、好ましい値にあった。

【0212】

次にＴＥＭ観察を行なったところ、特に目立った格子欠陥は見られなかった。ＳＴＥＭ原子像観察においても目立った格子欠陥は観察されず、Ｗ欠損も見られなかった。

【0213】

粉末Ｏを実施例１５と同様の手順で粉砕・分散処理を行い、分散液Ｏを得た。分散液Ｏの色は濃青色であった。分散液Ｏ内における電磁波吸収粒子の分散粒径は、２５．８ｎｍであった。分散液Ｏの透過率プロファイルを図１０Ａ、図１０Ｂに示す。

【0214】

実施例１５で行なった手順と同様に分散液Ｏと紫外線硬化樹脂とＭＩＢＫの配合割合を調整して塗布液Ｏを得た後、電磁波吸収フィルムＯを得た。

【0215】

電磁波吸収フィルムＯの分光特性として、ＶＬＴ＝７２．５％、ＳＴ＝３７．５％、色指数Ｌ^＊＝８８．２、ａ^＊＝－５．７、ｂ^＊＝－２．８が得られた。従って本粉体、および分散液は、強い近赤外線吸収効果をもつが、分散体を含む電磁波吸収フィルムＯは、ｂ^＊値が負の値を持つので青味が明確に認識されることが分かる。
［比較例３］
色調の参考試料として、中性色調のＩｎ_２Ｏ_３：Ｓｎ（以下ＩＴＯと略)の分散液を用意した。ＩＴＯ微粒子はニュートラルな色調をもつことが知られているが、その還元方法や作製方法によってややブルー調のものから茶系のものまでさまざまな種類が存在する。ここでは中でも純透明色に近いＥＮＡＭ社製のＩＴＯ粉末（粉末Ｐ）を用いた。

【0216】

粉末Ｐを実施例１４と同様の手順で粉砕・分散処理を行い、分散液Ｐを得た。分散液Ｐの色は薄い水色であった。分散液Ｐ内における電磁波吸収粒子の分散粒径は、３５．４ｎｍであった。分散液Ｐの透過率プロファイルを図１０Ａ、図１０Ｂに示す。

【0217】

実施例１５で行なった手順と同様に分散液Ｐと紫外線硬化樹脂とＭＩＢＫの配合割合を調整して塗布液Ｐを得た後、電磁波吸収フィルムＰを得た。電磁波吸収フィルムＰの分光特性として、ＶＬＴ＝７２．７％、ＳＴ＝４７．８％、色指数Ｌ^＊＝８８．３、ａ^＊＝－２．２、ｂ^＊＝１２．４が得られた。従ってＩＴＯ粉体及び分散液を用いた分散体を含む電磁波吸収フィルムＰは、ｂ^＊値が正の大きい数値なので青みは非常に少なく、ニュートラルな色に認識されることが分かる。但し近赤外線吸収効果としては実施例１５と同程度であって比較例２に対しては見劣りすることを確認できた。
［実施例１６～実施例２０］
実施例３から実施例７で作製した粉末Ｃ～粉末Ｇを、実施例１４と同様の要領で分散・粉砕し、分散液Ｃ～分散液Ｇを得た。各分散液のモル吸収係数のプロファイルを図９に示す。また、各分散液の分散粒径を表２に示す。

【0218】

そして、実施例１５で行なった手順と同様に、各分散液と紫外線硬化樹脂とをＭＩＢＫの配合割合を調整して塗布液Ｃ～塗布液Ｇを得た。各塗布液を用いて、電磁波吸収フィルムＣ～電磁波吸収フィルムＧを得た。各電磁波吸収フィルムの光学特性、色指数を表２に示す。

【0219】

これらの電磁波吸収フィルムにおいては、８００℃での還元時間が長くなるほど近赤外線吸収が大きくなり、他方透過色はブルー傾向が強くなることが分かる。ただし、いずれにおいても、中性色に近い色調を示すことを確認できた。

【0220】

既述の様に、比較例１～比較例３、実施例１５、実施例１６、実施例１９に係る分散液の透過率プロファイルを図１０Ａ、図１０Ｂにまとめて示した。図１０Ｂは、図１０Ａの一部拡大図に当たる。

【0221】

また、比較例１～比較例３、実施例１５、実施例１６、実施例１９に係る分散液の日射透過率（ＳＴ）を図１１Ａに、色指数を図１１Ｂ、図１１Ｃにまとめて示した。なお、図１１Ａ～図１１Ｃ中、横軸のｔ_Ｒは８００℃での還元時間を意味している。このため、図１１Ａ～図１１Ｃ中、一部にのみ説明をつけているが、ｔ_Ｒが同じ例は、同じ実験例となる。

【0222】

図１０Ａ、図１０Ｂにおいて、比較例１は青波長の透過率が低い反面、赤波長の透過率が高く、分散膜（分散体）とした場合に、全体として透明な膜に見えることが分かる。逆に比較例２では青波長の透過率が高い反面、赤波長では大きく透過率が落ちており、分散膜（分散体）とした場合に、全体として青っぽい膜に見えることが分かる。

【0223】

実施例１５、実施例１６、実施例１９の分散液は、比較例１、２の分散液の中間であり、８００℃での還元時間の長さが長くなるのに伴い、青波長の透過率は徐々に増加し、逆に赤波長の透過率は近赤外線領域の吸収と共に急激に下がる傾向をもつ。８００℃で還元時間が６０分間の実施例１９では透過率プロファイルは比較例２に漸近するが、同ＶＬＴ値でも実施例１９の電磁波吸収フィルムでは赤波長での透過率は同程度だが青波長での透過率が低く、よりニュートラルな色調をもつことが分かる。

【0224】

図１１Ａにおいて、８００℃での還元時間が２０分間を超えた実施例１６、実施例１９の分散液では、ＩＴＯを用いた比較例３の分散液よりも日射遮蔽効果より優れた特性となることを確認できた。また、８００℃での還元時間が６０分間では従来のＣｓ_０．３３ＷＯ_３を用いた比較例２の分散液とほぼ同じレベルとなっている。

【0225】

図１１Ｂ、図１１Ｃに示した色味については、８００℃での還元時間が３０分間程度までではｂ^＊値は、Ｃｓ_０．３３ＷＯ_３を用いた比較例２より大きくニュートラル側の数値となっており、大きく改善されていることが分かる。
［実施例２１～実施例２４］
実施例８～実施例１１で作製した粉末Ｈ～粉末Ｋを、実施例１４と同様の要領で分散・粉砕し、分散液Ｈ～分散液Ｋを得た。分散液の分散粒径を表２に示す。また、得られた分散液のモル吸収係数のプロファイルを図９Ｃに示す。

【0226】

そして、実施例１５で行なった手順と同様に、各分散液と紫外線硬化樹脂とＭＩＢＫの配合割合を調整し、各分散液から得られる電磁波吸収フィルムのＶＬＴが７２％～７４％となるように塗布液Ｈから塗布液Ｋを調整した後、電磁波吸収フィルムＨ～電磁波吸収フィルムＫを得た。

【0227】

これらの電磁波吸収フィルムの光学特性、色指数を表２に示す。

【0228】

これらの電磁波吸収フィルムにおいては、６５０℃～９５０℃での還元温度と時間が異なるが、粒子の高温還元度合いが大きくなるほど近赤外線吸収が大きくなり、他方透過色はブルー傾向が強くなることが分かる。ただし、いずれにおいても、中性色に近い色調を示すことを確認できた。

【0229】

透過色のブルー傾向と近赤外線吸収効果は互いにトレードオフの関係にあり、用途に応じて適切な高温還元度合いを選ぶことが好ましいことを確認できた。
［実施例２５、２６］
実施例１２、１３で作製した粉末Ｌ、粉末Ｍを、実施例１４と同様の要領で分散・粉砕し、分散液Ｌ、分散液Ｍを得た。分散液の分散粒径を表２に示す。

【0230】

そして、実施例１５で行なった手順と同様に、各分散液と紫外線硬化樹脂とＭＩＢＫの配合割合を調整し、各分散液から得られる電磁波吸収フィルムのＶＬＴが７２％程度となるように塗布液Ｌと塗布液Ｍを調整した後、電磁波吸収フィルムＬと電磁波吸収フィルムＭを得た。

【0231】

これらの電磁波吸収フィルムの光学特性、色指数を表２に示す。これらの電磁波吸収フィルムにおいては、原料粉末の組成と構造がＣｓ_６Ｗ_１１Ｏ_３６、またはＣｓ_２Ｗ_６Ｏ_１９を含むＣｓ_４Ｗ_１１Ｏ_３５の粉末と、僅かながら異なるが、基本的に高温還元に伴う斜方晶から六方晶への変化は同一内容を含むものであり、電磁波吸収フィルムの特性は、主として高温での還元条件に依存すると考えられる。

【0232】

すなわち、原料粉末がＣｓおよびＷを含むタングステン酸化物Ｃｓ_２Ｏ・ｎＷＯ_３（３．６≦ｎ≦９．０）の間で変更されても、粒子の高温還元度合いが大きくなるほど近赤外線吸収が大きくなり、他方透過色はブルー傾向が強くなることが分かる。透過色のブルー傾向と近赤外線吸収効果は互いにトレードオフの関係にあり、用途に応じて適切な高温還元度合いを選ぶことができる。
［実施例２７］
実施例１６で作製した分散液Ｃと紫外線硬化樹脂（東亜合成製 アロニックスＵＶ３７０１）とＭＩＢＫとを混合して塗布液Ａを作製した。得られた塗布液を厚さ３ｍｍのソーダライムガラス基板にバーコーター（井元製作所製 ＩＭＣ－７００）で塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜から溶媒を蒸発させた後、高圧水銀ランプを用いて紫外線照射して塗布膜を硬化させて電磁波吸収層を備えた電磁波吸収透明基材を作製した。

【0233】

実施例２７に係る電磁波吸収透明基材について実施例１４と同様に光学特性を測定したところ、ＶＬＴ＝７２．２％、ＳＴ＝３７．０％、Ｌ^＊＝８８．６、ａ^＊＝－３．８、ｂ^＊＝４．３であった。
［実施例２８］
実施例１６で作製した分散液Ｃを真空乾燥機にて溶媒のＭＩＢＫを除去して電磁波吸収粒子分散粉Ｃを得た。ポリカーボネート樹脂ペレット１００質量部と、分散粉Ｃ ０．１５質量部とを均一に混合した後、二軸押出機（東洋精機製作所製）を用い２９０℃で溶融混練し、押し出された直径３ｍｍのストランドをカットし、ペレット化してマスターバッチＣを得た。ポリカーボネート樹脂ペレットとマスターバッチＣとを２ｍｍ厚のポリカーボネートシートに成形した際にＶＬＴが７２％程度になるように配合し、均一に混合して混合物を得た後に、当該混合物を射出成型機にて１０ｃｍ×５ｃｍ、厚さ２．０ｍｍのシート状に成型し実施例２８に係る電磁波吸収粒子分散体を作製した。実施例２８に係る電磁波吸収粒子分散体について実施例１４と同様に光学特性を測定したところＶＬＴ＝７２．４％、ＳＴ＝３９．１％、Ｌ^＊＝８８．３、ａ^＊＝－４．４，ｂ^＊＝４．６であった。
［実施例２９］
実施例２８で作成した分散粉Ｃと一価アルコールと有機酸エステルとの化合物である可塑剤を混合し可塑剤分散液を調整した。可塑剤分散液とポリビニルアセタール樹脂を実施例２９に係る電磁波吸収積層体のＶＬＴが７２％程度となる割合で配合し混合して樹脂組成物とし二軸押出機に装填した。そして、当該樹脂組成物を２００℃で混練しＴダイより押出し、カレンダーロール法で０．７ｍｍ厚の電磁波吸収粒子分散体である中間膜を得た。得られた中間膜を２枚のソーダライムガラス基板で挟み積層して、実施例２９に係る電磁波吸収積層体を製造した。実施例２９に係る電磁波吸収積層体について実施例１４と同様に光学特性を測定したところＶＬＴ＝７２．３％、ＳＴ＝３６．７％、Ｌ^＊＝８８．７、ａ^＊＝－４．２、ｂ^＊＝４．１であった。

【0234】

【表1】

【0235】

【表2】

以上に電磁波吸収粒子分散体、電磁波吸収積層体、電磁波吸収透明基材を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。

【0236】

本出願は、２０２０年１月３１日に日本国特許庁に出願された特願２０２０－０１５７４６号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０２０－０１５７４６号の全内容を本国際出願に援用する。

【図1A】

【図1B】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9A】

【図9B】

【図9C】

【図10A】

【図10B】

【図11A】

【図11B】

【図11C】