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特許 7605116出願番号 特願 2021-543790
シリコン含有ポリマー組成物の製造方法
出願人 日産化学工業株式会社（識別番号 3986）
2026年 特許公開件数ランキング 464位 45件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 173位 113件（※）
公報発行日 2024年12月24
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7605116 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体装置製造におけるリソグラフィー工程において、欠陥の原因となる金属不純物が低減されたシリコン含有ポリマーの産業上有用な製造方法（金属不純物の精製方法）
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、特定の構造を有するイオン交換樹脂で金属不純物を含む被処理シリコン含有ポリマー組成物を処理することで、処理前後の重量平均分子量変化（ΔＭｗ）を抑えつつ、金属不純物を低減させることができるシリコン含有ポリマー組成物の製造方法およびシリコン含有ポリマー組成物を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は以下を包含する。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本願の方法によれば、半導体リソグラフィー工程で用いられる、高純度が要求されるシリコン含有ポリマー組成物の製造において、本願の方法にてイオン交換樹脂処理を行うと、シリコンポリマーの変性、具体的には重量平均分子量（Ｍｗ）の処理前後での変化量（ΔＭｗ）を抑えつつ、シリコン含有ポリマー組成物中の金属不純物を低減することが出来る。
本願の方法により、金属不純物が低減されたシリコン含有レジスト下層膜形成組成物、半導体装置の製造方法が提供できる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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