知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
特許7605362ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-12-16
(45)【発行日】2024-12-24
(54)【発明の名称】ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 1/24 20120101AFI20241217BHJP
C23C 14/06 20060101ALI20241217BHJP
【ＦＩ】
G03F1/24
C23C14/06 N
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2024068078
(22)【出願日】2024-04-19
(62)【分割の表示】P 2022566893の分割
【原出願日】2021-11-26
(65)【公開番号】P2024099662
(43)【公開日】2024-07-25
【審査請求日】2024-04-19
(31)【優先権主張番号】P 2020201198
(32)【優先日】2020-12-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2021174692
(32)【優先日】2021-10-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000000044
【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100152984
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 秀明
(74)【代理人】
【識別番号】100168985
【弁理士】
【氏名又は名称】蜂谷 浩久
(74)【代理人】
【識別番号】100148080
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 史生
(74)【代理人】
【識別番号】100149401
【弁理士】
【氏名又は名称】上西 浩史
(72)【発明者】
【氏名】赤木 大二郎
(72)【発明者】
【氏名】河原 弘朋
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 健一
(72)【発明者】
【氏名】石川 一郎
(72)【発明者】
【氏名】宇野 俊之
【審査官】植木 隆和
(56)【参考文献】
【文献】特表２０１３－５１４６５１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－７３０１３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－２２９８２５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－４９７２０（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０２０／０２６４５０３（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／０２７
Ｇ０３Ｆ ７／２０
Ｇ０３Ｆ １／００～１／８６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、
前記多層反射膜の保護膜と、
ＥＵＶ光を吸収する吸収層とが、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記保護膜が、ロジウム（Ｒｈ）、または、Ｒｈと、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）およびチタン（Ｔｉ）からなる群から選択される少なくとも１つの元素（X）とを含むロジウム系材料からなることを特徴とし、
前記保護膜が、Ｒｈを９０ａｔ％以上含み、膜密度が１０．０～１４．０ｇ・ｃｍ-3であり、
前記吸収層が、Ｒｕ、Ｔａ、クロム（Ｃｒ）、Ｎｂ、白金（Ｐｔ）、Ｉｒ、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、金（Ａｕ）、Ｓｉ、アルミニウム（Ａｌ）およびハフニウム（Ｈｆ）から選択される少なくとも１つの元素を含み、
前記吸収層の膜厚が、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項2】
前記保護膜は、膜厚が１．０ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下である、請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項3】
前記保護膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が、０．３ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項4】
前記多層反射膜と前記保護膜との間に拡散バリア層を有しており、前記拡散バリア層が、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔａ、ケイ素（Ｓｉ）、Ｚｒ、ＴｉおよびＭｏから選択される少なくとも１つの元素を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項5】
前記多層反射膜と前記保護膜との間に拡散バリア層を有しており、前記拡散バリア層が、Ｒｕを含む、請求項１～４のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項6】
前記拡散バリア層が、さらに、Ｏ、Ｎ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素をさらに含む、請求項４又は５に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項7】
前記拡散バリア層は、膜厚が０．５ｎｍ以上２．０ｎｍ以下である、請求項４～６のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項8】
前記吸収層が、Ｒｕを含む、請求項１～７のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項9】
前記吸収層が、Ｒｕと、Ｔａ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｒｅ、ＷおよびＨｆから選択される少なくとも１つの元素とを含む、請求項１～８のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項10】
前記吸収層がさらに、Ｏ、Ｎ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む、請求項１～９のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項11】
前記吸収層の上に、エッチングマスク膜を有しており、前記エッチングマスク膜が、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＴａおよびＳｉからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項12】
前記エッチングマスク膜が、さらに、Ｏ、Ｎ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素をさらに含む、請求項１１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項13】
請求項１～１２のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの前記吸収層に、パターンが形成されているＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
【請求項14】
基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜を形成する工程と、前記多層反射膜上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成する工程と、を含み、
前記保護膜が、Ｒｈ、または、Ｒｈと、Ｎ、Ｏ、Ｃ、Ｂ、Ｒｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｉｒ、Ｐｄ、ＺｒおよびＴｉからなる群から選択される少なくとも１つの元素とを含むロジウム系材料からなることを特徴とし、
前記保護膜が、Ｒｈを９０ａｔ％以上含み、膜密度が１０．０～１４．０ｇ・ｃｍ-3であり、
前記吸収層が、Ｒｕ、Ｔａ、クロム（Ｃｒ）、Ｎｂ、白金（Ｐｔ）、Ｉｒ、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、金（Ａｕ）、Ｓｉ、アルミニウム（Ａｌ）およびハフニウム（Ｈｆ）から選択される少なくとも１つの元素を含み、
前記吸収層の膜厚が、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項15】
請求項１４に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法によって、製造したＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクにおける吸収層をパターニングして、パターンを形成することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体産業において、Ｓｉ基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が使用されてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速する一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度である。液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度が限界と予想される。そこで２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術のＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指す。具体的には波長１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
【0003】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近い。そのため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用できない。このため、ＥＵＶリソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型マスクとミラーとが使用される。
【0004】
マスクブランクは、フォトマスク製造用に用いられるパターニング前の積層体である。 ＥＵＶマスクブランクの場合、ガラス等の基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、保護膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、がこの順で形成された構造を有する。保護膜は、ドライエッチングプロセスにより吸収層に転写パターンを形成する際に、多層反射膜を保護する。保護膜の材料としては、エッチングガスとして、塩素系ガスのようなハロゲン系ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度が吸収層よりも遅く、かつこのドライエッチングによりダメージを受けにくい材料として、ルテニウム（Ｒｕ）を含む材料が広く用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】日本国特許第６３４３６９０号公報
【文献】日本国特許第３３６６５７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
近年、パターンの微細化・高密度化が進む中で、より高解像度のパターンが求められる。高解像度のパターンを得るためには、レジストの膜厚を薄くすることが必要とされる。 しかし、レジストの膜厚を薄くすると、エッチング工程実施中のレジスト膜の消耗により、吸収層へ転写されるパターン精度が低下するおそれがある。
吸収層のエッチング条件に対して耐性を有するエッチングマスク膜を吸収層上に設けることでレジストを薄膜化できることが知られている（特許文献１参照）。
吸収層のエッチング条件に対して耐性を有するエッチングマスク膜を吸収層上に設けることでレジストを薄膜化できることが知られている（特許文献１参照）。
【0007】
特許文献１に記載のＥＵＶマスクブランクでは、エッチングマスク膜にクロム（Ｃｒ）を含む材料が用いられている。特許文献１に記載のＥＵＶマスクブランクでは、エッチングガスとして、塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いてドライエッチングを行い、Ｃｒを含む材料を用いたエッチングマスク膜を除去する。
【0008】
Ｒｕを含む材料を用いた保護膜は、エッチングガスとして、塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングによりエッチングされる（特許文献２参照）。
そのため、エッチングガスとして、塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガスのような、酸素系ガスを用いたドライエッチングにより、Ｒｕを含む材料を用いた保護膜がダメージを受けるおそれがある。
そのため、エッチングガスとして、塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガスのような、酸素系ガスを用いたドライエッチングにより、Ｒｕを含む材料を用いた保護膜がダメージを受けるおそれがある。
【0009】
吸収層にＣｒやルテニウム（Ｒｕ）を含む材料が用いられている場合もある。この場合、エッチングガスとして、酸素系ガスを用いたドライエッチングにより吸収層に転写パターンを形成する。そのため、Ｒｕを含む材料を用いた保護膜がダメージを受けるおそれがある。
【0010】
エッチングプロセスにより保護膜がダメージを受けると多層反射膜にもダメージが及ぶ。多層反射膜がダメージを受けると、多層反射膜の反射率の低下など、ＥＵＶマスクブランクの光学特性の劣化につながる。
【0011】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、エッチングガスとして、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチング、およびエッチングガスとして、酸素系ガスを用いたドライエッチングによる、多層反射膜のダメージが抑制される、ＥＵＶマスクブランクの提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
［１］ 基板上に、
ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、
上記多層反射膜の保護膜と、
ＥＵＶ光を吸収する吸収層とが、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
上記保護膜が、ロジウム（Ｒｈ）、または、Ｒｈと、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）およびチタン（Ｔｉ）からなる群から選択される少なくとも１つの元素とを含むロジウム系材料からなることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［２］ 上記保護膜が、Ｒｈと、Ｎ、Ｏ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素とを含む、［１］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［３］ 上記保護膜が、Ｒｈを４０ａｔ％以上９９ａｔ％以下、Ｎ、Ｏ、ＣおよびＢから選択される群から選択される少なくとも１つの元素を１ａｔ％以上６０ａｔ％以下の範囲で含む、［２］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［４］ 上記保護膜が、Ｒｈを９０ａｔ％以上含み、膜密度が１０．０～１４．０ｇ・ｃｍ-3である、［１］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［５］ 上記保護膜が、Ｒｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｚｒ、およびＴｉからなる群から選択される少なくとも１つの元素（Ｘ）を、ＲｈとＸとの組成比（ａｔ％）（Ｒｕ：Ｘ）で９９：１～１：１の範囲で含む、［１］～［４］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［６］ 上記保護膜は、膜厚が１．０ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下である、［１］～［５］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［７］ 上記保護膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が、０．３ｎｍ以下である、［１］～［６］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［８］ 上記多層反射膜と上記保護膜との間に拡散バリア層を有しており、上記拡散バリア層が、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔａ、ケイ素（Ｓｉ）、Ｚｒ、ＴｉおよびＭｏから選択される少なくとも１つの元素を含む、［１］～［７］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［９］ 上記拡散バリア層が、さらに、Ｏ、Ｎ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素をさらに含む、［８］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［１０］ 上記吸収層が、Ｒｕ、Ｔａ、クロム（Ｃｒ）、Ｎｂ、白金（Ｐｔ）、Ｉｒ、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、金（Ａｕ）、Ｓｉ、アルミニウム（Ａｌ）およびハフニウム（Ｈｆ）から選択される少なくとも１つの元素を含む、［１］～［９］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［１１］ 上記吸収層がさらに、Ｏ、Ｎ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む、［１０］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［１２］ 上記吸収層の上に、エッチングマスク膜を有しており、上記エッチングマスク膜が、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＴａおよびＳｉからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む、［１］～［１１］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［１３］ 上記エッチングマスク膜が、さらに、Ｏ、Ｎ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素をさらに含む、［１２］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［１４］ ［１］～［１３］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの上記吸収層に、パターンが形成されているＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
［１５］ 基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜を形成する工程と、
上記多層反射膜上に保護膜を形成する工程と、
上記保護膜上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成する工程と、を含み、
上記保護膜が、Ｒｈ、または、Ｒｈと、Ｎ、Ｏ、Ｃ、Ｂ、Ｒｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｉｒ、Ｐｄ、ＺｒおよびＴｉからなる群から選択される少なくとも１つの元素とを含むロジウム系材料からなることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
［１６］ ［１５］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法によって、製造したＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクにおける吸収層をパターニングして、パターンを形成することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、
上記多層反射膜の保護膜と、
ＥＵＶ光を吸収する吸収層とが、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
上記保護膜が、ロジウム（Ｒｈ）、または、Ｒｈと、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）およびチタン（Ｔｉ）からなる群から選択される少なくとも１つの元素とを含むロジウム系材料からなることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［２］ 上記保護膜が、Ｒｈと、Ｎ、Ｏ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素とを含む、［１］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［３］ 上記保護膜が、Ｒｈを４０ａｔ％以上９９ａｔ％以下、Ｎ、Ｏ、ＣおよびＢから選択される群から選択される少なくとも１つの元素を１ａｔ％以上６０ａｔ％以下の範囲で含む、［２］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［４］ 上記保護膜が、Ｒｈを９０ａｔ％以上含み、膜密度が１０．０～１４．０ｇ・ｃｍ-3である、［１］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［５］ 上記保護膜が、Ｒｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｚｒ、およびＴｉからなる群から選択される少なくとも１つの元素（Ｘ）を、ＲｈとＸとの組成比（ａｔ％）（Ｒｕ：Ｘ）で９９：１～１：１の範囲で含む、［１］～［４］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［６］ 上記保護膜は、膜厚が１．０ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下である、［１］～［５］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［７］ 上記保護膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が、０．３ｎｍ以下である、［１］～［６］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［８］ 上記多層反射膜と上記保護膜との間に拡散バリア層を有しており、上記拡散バリア層が、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔａ、ケイ素（Ｓｉ）、Ｚｒ、ＴｉおよびＭｏから選択される少なくとも１つの元素を含む、［１］～［７］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［９］ 上記拡散バリア層が、さらに、Ｏ、Ｎ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素をさらに含む、［８］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［１０］ 上記吸収層が、Ｒｕ、Ｔａ、クロム（Ｃｒ）、Ｎｂ、白金（Ｐｔ）、Ｉｒ、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、金（Ａｕ）、Ｓｉ、アルミニウム（Ａｌ）およびハフニウム（Ｈｆ）から選択される少なくとも１つの元素を含む、［１］～［９］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［１１］ 上記吸収層がさらに、Ｏ、Ｎ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む、［１０］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［１２］ 上記吸収層の上に、エッチングマスク膜を有しており、上記エッチングマスク膜が、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＴａおよびＳｉからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む、［１］～［１１］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［１３］ 上記エッチングマスク膜が、さらに、Ｏ、Ｎ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素をさらに含む、［１２］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
［１４］ ［１］～［１３］のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの上記吸収層に、パターンが形成されているＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
［１５］ 基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜を形成する工程と、
上記多層反射膜上に保護膜を形成する工程と、
上記保護膜上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成する工程と、を含み、
上記保護膜が、Ｒｈ、または、Ｒｈと、Ｎ、Ｏ、Ｃ、Ｂ、Ｒｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｉｒ、Ｐｄ、ＺｒおよびＴｉからなる群から選択される少なくとも１つの元素とを含むロジウム系材料からなることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
［１６］ ［１５］に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法によって、製造したＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクにおける吸収層をパターニングして、パターンを形成することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
【発明の効果】
【0013】
本発明のＥＵＶマスクブランクは、エッチングガスとして、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチング、およびエッチングガスとして、酸素系ガスを用いたドライエッチングに対し、エッチング耐性に優れた保護膜を有する。
そのため、エッチングガスとして、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチング、およびエッチングガスとして、酸素系ガスを用いたドライエッチングによる、多層反射膜のダメージが抑制される。
そのため、エッチングガスとして、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチング、およびエッチングガスとして、酸素系ガスを用いたドライエッチングによる、多層反射膜のダメージが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、図面を参照して本発明のＥＵＶマスクブランクを説明する。
図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクの１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すＥＵＶマスクブランク１ａは、基板１１上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、多層反射膜１２の保護膜１３と、ＥＵＶ光の吸収する吸収層１４とが、この順に形成されている。
図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクの１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すＥＵＶマスクブランク１ａは、基板１１上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、多層反射膜１２の保護膜１３と、ＥＵＶ光の吸収する吸収層１４とが、この順に形成されている。
【0016】
以下、ＥＵＶマスクブランク１ａの個々の構成要素を説明する。
【0017】
基板１１は、ＥＵＶマスクブランク用の基板としての特性を満たす。そのため、基板１１は、低熱膨張係数（具体的には、２０℃における熱膨張係数が０±０．０５×１０-7／℃が好ましく、特に好ましくは０±０．０３×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、および酸または塩基を用いる洗浄液への耐性に優れる。基板１１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属等の基板も使用できる。
基板１１は、表面粗さ（ｒｍｓ）０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有すると、パターン形成後の反射型マスクにおいて高反射率および転写精度が得られるため好ましい。
基板１１の大きさや厚さ等はマスクの設計値等により適宜決定される。後で示す実施例では外形６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラスを使用した。
基板１１の多層反射膜１２が形成される側の表面に欠点が存在しないのが好ましい。しかし、欠点が存在していても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じなければよい。具体的には、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下が好ましい。凹状欠点の半値幅とは、凹状欠点の深さの１／２深さ位置での幅を指す。凸状欠点の半値幅とは、凸状欠点の高さの１／２高さ位置での幅を指す。
基板１１は、表面粗さ（ｒｍｓ）０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有すると、パターン形成後の反射型マスクにおいて高反射率および転写精度が得られるため好ましい。
基板１１の大きさや厚さ等はマスクの設計値等により適宜決定される。後で示す実施例では外形６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラスを使用した。
基板１１の多層反射膜１２が形成される側の表面に欠点が存在しないのが好ましい。しかし、欠点が存在していても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じなければよい。具体的には、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下が好ましい。凹状欠点の半値幅とは、凹状欠点の深さの１／２深さ位置での幅を指す。凸状欠点の半値幅とは、凸状欠点の高さの１／２高さ位置での幅を指す。
【0018】
多層反射膜１２は、高屈折率層と低屈折率層を交互に複数回積層させることにより、高ＥＵＶ光線反射率を達成する。多層反射膜１２において、高屈折率層には、Ｍｏが広く使用され、低屈折率層にはＳｉが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も使用できる。
【0019】
多層反射膜１２は、反射型マスクブランクの多層反射膜として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、多層反射膜１２に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率である。具体的には、ＥＵＶ光の波長域の光線を入射角６度で多層反射膜１２表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上が好ましく、６５％以上がより好ましい。
【0020】
多層反射膜１２を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および多層反射膜に要求されるＥＵＶ光線反射率に応じて適宜選択できる。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を例にとると、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の多層反射膜１２とするには、多層反射膜は膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０以上６０以下になるように積層させればよい。
【0021】
なお、多層反射膜１２を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ／Ｍｏ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとして、Ａｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ以上２．７×１０-2Ｐａ以下）を使用して、イオン加速電圧３００Ｖ以上１５００Ｖ以下、成膜速度０．０３０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．３００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ４．５ｎｍになるようにＳｉ層を成膜し、次に、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとして、Ａｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ以上２．７×１０-2Ｐａ以下）を使用して、イオン加速電圧３００Ｖ以上１５００Ｖ以下、成膜速度０．０３０ｎｍ／ｓｅｃ以上０．３００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２．３ｎｍになるようにＭｏ層を成膜するのが好ましい。これを１周期として、Ｓｉ層およびＭｏ層を４０周期以上５０周期以下積層することによりＳｉ／Ｍｏ多層反射膜が成膜される。
【0022】
多層反射膜１２表面の酸化を防止するため、多層反射膜１２の最上層は酸化されにくい材料の層が好ましい。酸化されにくい材料の層は多層反射膜１２のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Ｓｉ層を例示できる。多層反射膜１２がＳｉ／Ｍｏ膜の場合、最上層をＳｉ層とすれば、該最上層がキャップ層として機能する。その場合キャップ層の膜厚は、１１±２ｎｍが好ましい。
【0023】
本発明における保護膜１３は、ロジウム（Ｒｈ）、または、Ｒｈと、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）およびチタン（Ｔｉ）からなる群から選択される少なくとも１つの元素とを含むロジウム系材料からなる。Ｒｈまたはロジウム系材料からなる保護膜は、エッチングガスとしてハロゲン系ガスを用いたドライエッチング（以下、「ハロゲン系ガスによるドライエッチング」と記載する場合がある。）、およびエッチングガスとして酸素系ガスを用いたドライエッチング（以下、「酸素系ガスによるドライエッチング」と記載する場合がある。）のいずれを実施した場合もエッチング速度が低い。そのため、吸収層１４にパターン形成する際に広く用いられるハロゲン系ガスによるドライエッチング、およびエッチングマスク膜の除去や、後述するルテニウム（Ｒｕ）系材料を用いた吸収層１４にパターン形成する際に用いられる酸素系ガスによるドライエッチングのいずれに対しても優れた耐性を示す。
ハロゲン系ガスによるドライエッチングとは、Ｃｌ2、ＳｉＣｌ4、ＣＨＣｌ3、ＣＣｌ4、ＢＣｌ3等の塩素系ガスおよびこれらの混合ガスを用いたドライエッチング、ならびにＣＦ4、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＢＦ3、ＸｅＦ2等のフッ素系ガスおよびこれらの混合ガスを用いたドライエッチングを指す。
酸素系ガスによるドライエッチングとは、酸素ガスを用いたドライエッチング、および酸素ガスとハロゲン系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングを指す。ハロゲン系ガスとしては、上記の塩素系ガスおよびそれらの混合ガス、ならびに、上記のフッ素系ガスおよびそれらの混合ガスを用いる。
ハロゲン系ガスによるドライエッチングとは、Ｃｌ2、ＳｉＣｌ4、ＣＨＣｌ3、ＣＣｌ4、ＢＣｌ3等の塩素系ガスおよびこれらの混合ガスを用いたドライエッチング、ならびにＣＦ4、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＢＦ3、ＸｅＦ2等のフッ素系ガスおよびこれらの混合ガスを用いたドライエッチングを指す。
酸素系ガスによるドライエッチングとは、酸素ガスを用いたドライエッチング、および酸素ガスとハロゲン系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングを指す。ハロゲン系ガスとしては、上記の塩素系ガスおよびそれらの混合ガス、ならびに、上記のフッ素系ガスおよびそれらの混合ガスを用いる。
【0024】
なお、ハロゲン系ガスによるドライエッチングに対する保護膜１３の耐性、および酸素系ガスによるドライエッチングに対する保護膜１３の耐性は、下記式により求まる吸収層１４に対するエッチング選択比により評価できる。
エッチング選択比
＝ 保護膜１３のエッチング速度／吸収層１４のエッチング速度
保護膜１３は、ハロゲン系ガスによるドライエッチング、および酸素系ガスによるドライエッチングのいずれについても、吸収層１４に対するエッチング選択比が１／５以下が好ましい。
エッチング選択比
＝ 保護膜１３のエッチング速度／吸収層１４のエッチング速度
保護膜１３は、ハロゲン系ガスによるドライエッチング、および酸素系ガスによるドライエッチングのいずれについても、吸収層１４に対するエッチング選択比が１／５以下が好ましい。
【0025】
保護膜１３は、ＥＵＶリソグラフィにおいて、レジストの洗浄液として使用される硫酸過水（ＳＰＭ）に対し耐性を有することが求められる。Ｒｈまたはロジウム系材料からなる保護膜は、ＳＰＭに対する耐性に優れる。
【0026】
ＥＵＶマスクブランクは、多層反射膜１２の上に保護膜１３を設けた状態でも高ＥＵＶ光線反射率を達成することが求められる。具体的には、多層反射膜１２の上に保護膜１３を設けた状態でも波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上が好ましく、６５％以上がより好ましい。Ｒｈまたはロジウム系材料からなる保護膜は、ＥＵＶ光の波長域における屈折率および消衰係数が低い。そのため、上記のＥＵＶ光線反射率を達成できる。
【0027】
Ｒｈからなる保護膜１３は、ハロゲン系ガスによるドライエッチング、および酸素系ガスによるドライエッチングに対する耐性に特に優れる。
【0028】
Ｒｈと、Ｒｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｉｒ、Ｐｄ、ＺｒおよびＴｉからなる群から選択される少なくとも１つの元素（Ｘ）を含むロジウム系材料からなる保護膜１３はＲｈと元素Ｘとの合金膜である。Ｒｈと元素Ｘとの合金膜は、Ｒｈからなる保護膜に比べて、ハロゲン系ガスによるドライエッチング、および酸素系ガスによるドライエッチングに対する耐性が低くなるが、多層反射膜１２の上に保護膜１３を設けた状態でのＥＵＶ光線反射率が向上する。元素Ｘとしては、Ｒｕ、Ｎｂ、ＭｏおよびＺｒが、多層反射膜１２の上に保護膜１３を設けた状態でのＥＵＶ光線反射率が向上するため好ましい。
Ｒｈと元素Ｘとの合金膜は、Ｒｈおよび元素Ｘを、ＲｈとＸとの組成比（ａｔ％）（Ｒｕ：Ｘ）で９９：１～１：１の範囲で含むことが好ましい。ＲｈとＸとの組成比（ａｔ％）で９９：１よりもＸが多いと、多層反射膜１２の上に保護膜１３を設けた状態でのＥＵＶ光線反射率が向上する。ＲｈとＸとの組成比（ａｔ％）で１：１よりもＸが少ないと、ハロゲン系ガスによるドライエッチング、および酸素系ガスによるドライエッチングに対する耐性に優れる。Ｒｈと元素Ｘとの合金膜は、Ｒｈおよび元素Ｘを、ＲｈとＸとの組成比（ａｔ％）（Ｒｕ：Ｘ）は、１０：３～１：１の範囲で含むことが好ましい。
Ｒｈと元素Ｘとの合金膜は、Ｒｈおよび元素Ｘを、ＲｈとＸとの組成比（ａｔ％）（Ｒｕ：Ｘ）で９９：１～１：１の範囲で含むことが好ましい。ＲｈとＸとの組成比（ａｔ％）で９９：１よりもＸが多いと、多層反射膜１２の上に保護膜１３を設けた状態でのＥＵＶ光線反射率が向上する。ＲｈとＸとの組成比（ａｔ％）で１：１よりもＸが少ないと、ハロゲン系ガスによるドライエッチング、および酸素系ガスによるドライエッチングに対する耐性に優れる。Ｒｈと元素Ｘとの合金膜は、Ｒｈおよび元素Ｘを、ＲｈとＸとの組成比（ａｔ％）（Ｒｕ：Ｘ）は、１０：３～１：１の範囲で含むことが好ましい。
【0029】
なお、酸素系ガスによるドライエッチングとして、酸素ガスとハロゲン系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングを実施する場合、酸素ガスとハロゲン系ガスとの混合比を変化させても、ＲｈまたはＲｈ系材料からなる保護膜のエッチング速度は大きく変化しない。したがって、吸収層１４のエッチング速度が最大となるように、酸素ガスとハロゲン系ガスとの混合比を調節することで、吸収層１４に対するエッチング選択比を小さくすることができる。
【0030】
本発明における保護膜１３は、Ｒｈ、または、Ｒｈおよび元素Ｘに加えて、Ｎ、Ｏ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素Ｙを含んでいてもよい。元素Ｙを含むと、ハロゲン系ガスによるドライエッチング、および酸素系ガスによるドライエッチングに対する耐性が低くなるが、膜の結晶性が低くなり、膜の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造となる。これにより、保護膜の平滑性が向上する。膜の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。膜の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
元素ＹとしてＮ、Ｏ、ＣおよびＢから選択される群から選択される少なくとも１つの元素を含む場合、ＲｈまたはＲｈおよび元素Ｘの合計を４０ａｔ％以上９９ａｔ％以下、Ｎ、Ｏ、ＣおよびＢから選択される群から選択される少なくとも１つの元素を合計で１ａｔ％以上６０ａｔ以下％で含むことが好ましく、ＲｈまたはＲｈおよび元素Ｘの合計を８０ａｔ％以上９９ａｔ％以下、Ｎ、Ｏ、ＣおよびＢから選択される群から選択される少なくとも１つの元素を合計で１ａｔ％以上２０ａｔ％以下で含むことがより好ましい。
元素ＹとしてＮ、Ｏ、ＣおよびＢから選択される群から選択される少なくとも１つの元素を含む場合、ＲｈまたはＲｈおよび元素Ｘの合計を４０ａｔ％以上９９ａｔ％以下、Ｎ、Ｏ、ＣおよびＢから選択される群から選択される少なくとも１つの元素を合計で１ａｔ％以上６０ａｔ以下％で含むことが好ましく、ＲｈまたはＲｈおよび元素Ｘの合計を８０ａｔ％以上９９ａｔ％以下、Ｎ、Ｏ、ＣおよびＢから選択される群から選択される少なくとも１つの元素を合計で１ａｔ％以上２０ａｔ％以下で含むことがより好ましい。
【0031】
また、保護膜１３が、Ｒｈを９０ａｔ％以上含み、膜密度が１０．０～１４．０ｇ・ｃｍ-3である場合も、膜の結晶性が低くなり、膜の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造となる。これにより、保護膜の平滑性が向上する。なお、この場合、保護膜１３は、Ｒｈ以外に元素Ｘおよび／または元素Ｙを含有する。保護膜１３の膜密度は１１．０～１３．０ｇ・ｃｍ-3が好ましい。保護膜１３がＲｈを１００ａｔ％で含む場合、すなわち、保護膜１３がＲｈからなる場合も、膜密度が１１．０～１２．０ｇ・ｃｍ-3の範囲であれば、膜の結晶性が低くなり、膜の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造となる。これにより、平滑性が向上する。
なお、保護膜１３の膜密度は、後述する実施例ではＸ線反射率法を用いて測定したが、これに限定されず、例えば、ラザフォード後方散乱分光法により測定した面密度と透過電子顕微鏡により測定した膜厚との比で密度を算出することも可能である。
なお、保護膜１３の膜密度は、後述する実施例ではＸ線反射率法を用いて測定したが、これに限定されず、例えば、ラザフォード後方散乱分光法により測定した面密度と透過電子顕微鏡により測定した膜厚との比で密度を算出することも可能である。
【0032】
保護膜１３は、膜厚が１．０ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下が好ましく、２．０ｎｍ以上３．５ｎｍ以下がより好ましい。
【0033】
保護膜１３は表面平滑性に優れることが好ましい。保護膜１３は表面平滑性に優れていると、保護膜１３上に形成される吸収層１４の表面平滑性が向上する。保護膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は、０．３ｎｍ以下が好ましく、０．１ｎｍ以下がより好ましい。保護膜表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は、０．００１ｎｍ以上が好ましく、０．０１ｎｍ以上がより好ましい。
【0034】
保護膜１３は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等の周知の成膜方法を用いて成膜する。例えば、ＤＣスパッタリング法を用いて、Ｒｈ膜を形成する場合、ターゲットとして、Ｒｈターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して、ターゲット面積当たりの投入電力密度１．０Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。なお、Ｒｈ膜を形成する場合、スパッタガスとしてＮ2ガス、もしくは、ＡｒガスとＮ2の混合ガス（混合ガス中のＮ2ガスの体積比（Ｎ2／（Ａｒ＋Ｎ2））＝０．０５以上１．０以下）、ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用してもよい。
ＤＣスパッタリング法を用いて、ＲｈＯ膜を形成する場合、ターゲットとして、Ｒｈターゲットを用い、スパッタガスとしてＯ2ガス、もしくは、ＡｒガスとＯ2の混合ガス（混合ガス中のＯ2ガスの体積比（Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2））＝０．０５以上１．０以下）、ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して、ターゲット面積当たりの投入電力密度１．０Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。ＤＣスパッタリング法を用いて、ＲｈＲｕ膜を形成する場合、ターゲットとして、ＲｈターゲットおよびＲｕターゲット、またはＲｈＲｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して、ターゲット面積当たりの投入電力密度１．０Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
ＤＣスパッタリング法を用いて、ＲｈＯ膜を形成する場合、ターゲットとして、Ｒｈターゲットを用い、スパッタガスとしてＯ2ガス、もしくは、ＡｒガスとＯ2の混合ガス（混合ガス中のＯ2ガスの体積比（Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2））＝０．０５以上１．０以下）、ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して、ターゲット面積当たりの投入電力密度１．０Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。ＤＣスパッタリング法を用いて、ＲｈＲｕ膜を形成する場合、ターゲットとして、ＲｈターゲットおよびＲｕターゲット、またはＲｈＲｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して、ターゲット面積当たりの投入電力密度１．０Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ１ｎｍ以上１０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
【0035】
吸収層１４は、Ｒｕ、Ｔａ、クロム（Ｃｒ）、Ｎｂ、白金（Ｐｔ）、Ｉｒ、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、金（Ａｕ）、Ｓｉ、アルミニウム（Ａｌ）およびハフニウム（Ｈｆ）から選択される少なくとも１つの元素を含むことが好ましい。
【0036】
バイナリマスク用の吸収層１４の場合、吸収層１４は、Ｔａ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、ＲｅおよびＣｒから選択される少なくとも１つの元素を含むことが好ましく、ＴａおよびＮｂから選択される少なくとも１つの元素を含むことがより好ましく、Ｔａを含むことがさらに好ましい。吸収層１４がＴａおよびＮｂの少なくとも一方を含む場合は、ハロゲン系ガスによるドライエッチングにより転写パターンを形成するのが好ましく、ハロゲン系ガスによるドライエッチングとして、塩素系ガスを用いてドライエッチングを実施することがより好ましい。また、吸収層１４がＰｔおよびＩｒの少なくとも一方を含む場合、ハロゲン系ガスによるドライエッチングにより転写パターンを形成するのが好ましく、ハロゲン系ガスとしてフッ素系ガスの使用が好ましい。吸収層１４がＣｒおよびＲｅの少なくとも一方を含む場合は、酸素系ガスによるドライエッチングにより転写パターンを形成するのが好ましく、酸素系ガスによるドライエッチングとして、酸素ガスと塩素系ガスとの混合ガスを用いてドライエッチングを実施することがより好ましい。
【0037】
位相シフトマスク用の吸収層１４の場合、吸収層１４は、Ｒｕを含むことが好ましく、さらにＴａ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｒｅ、ＷおよびＨｆから選択される少なくとも１つの元素を含むことがより好ましい。Ｒｕと上記元素とを含む場合、Ｒｕと上記元素とが合金をなす。Ｒｕと、Ｔａ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｒｅ、ＷおよびＨｆから選択される少なくとも一つの元素とを含むＲｕ合金の場合、Ｒｕに対する上記元素の含有量により、ＥＵＶ光線反射率を制御できるため、所望のＥＵＶ光線反射率になるように上記元素の含有量を調節できる。一方で、Ｒｕに対する上記元素の含有量が多すぎると、ＥＵＶ光の波長域における屈折率ｎが大きくなり、位相を反転するのに必要な膜厚が厚くなってしまうため、上記元素の含有量はＲｕに対して５０ａｔ％以下が好ましい。なお、Ｒｕ合金が上記元素を２種以上含む場合、上記元素の含有量は、２種以上の元素の合計含有量を指す。
吸収層１４が、Ｒｕを含む、または、ＲｕとＴａ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｒｅ、ＷおよびＨｆから選択される少なくとも一つの元素を含むＲｕ合金を含む場合、酸素系ガスによるドライエッチングにより転写パターンを形成するのが好ましく、酸素系ガスによるドライエッチングとして、酸素ガスとハロゲン系ガスとの混合ガスを用いてドライエッチングを実施することがより好ましい。酸素系ガス中の酸素ガスとハロゲン系ガスの混合比により吸収層１４のエッチング速度を調節できる。酸素ガスとハロゲン系ガスの混合比は、酸素ガスとハロゲン系ガスの体積比（酸素ガス：ハロゲン系ガス）が、好ましくは１０：９０～５０：５０であり、より好ましくは２０：８０～４０：６０である。また、Ｒｕ合金がＴａ、Ｃｒ、ＩｒおよびＷから選択される少なくとも１つの元素を含む場合は、ハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いるのが好ましい。
吸収層１４が、Ｒｕを含む、または、ＲｕとＴａ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｒｅ、ＷおよびＨｆから選択される少なくとも一つの元素を含むＲｕ合金を含む場合、酸素系ガスによるドライエッチングにより転写パターンを形成するのが好ましく、酸素系ガスによるドライエッチングとして、酸素ガスとハロゲン系ガスとの混合ガスを用いてドライエッチングを実施することがより好ましい。酸素系ガス中の酸素ガスとハロゲン系ガスの混合比により吸収層１４のエッチング速度を調節できる。酸素ガスとハロゲン系ガスの混合比は、酸素ガスとハロゲン系ガスの体積比（酸素ガス：ハロゲン系ガス）が、好ましくは１０：９０～５０：５０であり、より好ましくは２０：８０～４０：６０である。また、Ｒｕ合金がＴａ、Ｃｒ、ＩｒおよびＷから選択される少なくとも１つの元素を含む場合は、ハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いるのが好ましい。
【0038】
バイナリマスク用の吸収層１４および位相シフトマスク用の吸収層１４のいずれの場合も、吸収層１４は、上記の元素の他に、Ｏ、Ｎ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含んでもよい。これらの元素を含むことで、膜の結晶性が低くなり吸収層の表面平滑性が向上する。Ｏ、ＮおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含むことがより好ましく、ＯおよびＮからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含むことがさらに好ましい。
バイナリマスク用の吸収層１４としては、例えば、ＴａとＮを含むＴａＮ膜が挙げられる。位相シフトマスク用の吸収層１４としては、例えば、ＲｕとＯとＮを含むＲｕＯＮ膜が挙げられる。
バイナリマスク用の吸収層１４としては、例えば、ＴａとＮを含むＴａＮ膜が挙げられる。位相シフトマスク用の吸収層１４としては、例えば、ＲｕとＯとＮを含むＲｕＯＮ膜が挙げられる。
【0039】
バイナリマスク用の吸収層１４および位相シフトマスク用の吸収層１４のいずれの場合も、吸収層１４の膜厚は、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下がさらに好ましい。
【0040】
バイナリマスク用の吸収層１４および位相シフトマスク用の吸収層１４のいずれの場合も、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等の周知の成膜方法を用いて成膜する。
例えば、マグネトロンスパッタリング法を用いてＴａＮ膜を形成する場合、ターゲットとして、Ｔａターゲットを用い、スパッタガスとして、ＡｒおよびＮ2の混合ガス（ガス圧１．０×１０-１Ｐａ以上５０×１０-１Ｐａ以下）を使用して投入電力密度１．０Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
マグネトロンスパッタリング法を用いて、ＲｕＯＮ膜を形成する場合、ターゲットとして、Ｒｕターゲットを用い、スパッタガスとして、Ａｒ、Ｏ2およびＮ2を含む混合ガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して投入電力密度１．０Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
マグネトロンスパッタリング法を用いて、ＲｕＮ膜を形成する場合、ターゲットとして、Ｒｕターゲットを用い、スパッタガスとして、ＡｒおよびＮ2の混合ガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して投入電力密度１．０Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
マグネトロンスパッタリング法を用いて、ＲｕＢ膜を形成する場合、ターゲットとして、ＲｕターゲットおよびＢターゲットを用い、またはＲｕＢ化合物ターゲットを用い、スパッタガスとして、Ａｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して投入電力密度０．１Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０１０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
マグネトロンスパッタリング法を用いて、ＲｕＴａ膜を形成する場合、ターゲットとして、ＲｕターゲットおよびＴａターゲット、またはＲｕＴａ化合物ターゲットを用い、スパッタガスとして、Ａｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して投入電力密度０．１Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
マグネトロンスパッタリング法を用いて、ＲｕＷ膜を形成する場合、ターゲットとして、ＲｕターゲットおよびＷターゲット、またはＲｕＷ化合物ターゲットを用い、スパッタガスとして、Ａｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して投入電力密度０．１Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
マグネトロンスパッタリング法を用いて、ＲｕＣｒ膜を形成する場合、ターゲットとして、ＲｕターゲットおよびＣｒターゲット、またはＲｕＣｒ化合物ターゲットを用い、スパッタガスとして、Ａｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して投入電力密度０．１Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
例えば、マグネトロンスパッタリング法を用いてＴａＮ膜を形成する場合、ターゲットとして、Ｔａターゲットを用い、スパッタガスとして、ＡｒおよびＮ2の混合ガス（ガス圧１．０×１０-１Ｐａ以上５０×１０-１Ｐａ以下）を使用して投入電力密度１．０Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
マグネトロンスパッタリング法を用いて、ＲｕＯＮ膜を形成する場合、ターゲットとして、Ｒｕターゲットを用い、スパッタガスとして、Ａｒ、Ｏ2およびＮ2を含む混合ガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して投入電力密度１．０Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
マグネトロンスパッタリング法を用いて、ＲｕＮ膜を形成する場合、ターゲットとして、Ｒｕターゲットを用い、スパッタガスとして、ＡｒおよびＮ2の混合ガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して投入電力密度１．０Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
マグネトロンスパッタリング法を用いて、ＲｕＢ膜を形成する場合、ターゲットとして、ＲｕターゲットおよびＢターゲットを用い、またはＲｕＢ化合物ターゲットを用い、スパッタガスとして、Ａｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して投入電力密度０．１Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０１０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
マグネトロンスパッタリング法を用いて、ＲｕＴａ膜を形成する場合、ターゲットとして、ＲｕターゲットおよびＴａターゲット、またはＲｕＴａ化合物ターゲットを用い、スパッタガスとして、Ａｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して投入電力密度０．１Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
マグネトロンスパッタリング法を用いて、ＲｕＷ膜を形成する場合、ターゲットとして、ＲｕターゲットおよびＷターゲット、またはＲｕＷ化合物ターゲットを用い、スパッタガスとして、Ａｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して投入電力密度０．１Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
マグネトロンスパッタリング法を用いて、ＲｕＣｒ膜を形成する場合、ターゲットとして、ＲｕターゲットおよびＣｒターゲット、またはＲｕＣｒ化合物ターゲットを用い、スパッタガスとして、Ａｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して投入電力密度０．１Ｗ／ｃｍ2以上８．５Ｗ／ｃｍ2以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
【0041】
バイナリマスク用の吸収層１４として好適なＴａを含む吸収層は、ハロゲン系ガスによるドライエッチングにより転写パターンを形成できる。
位相シフトマスク用の吸収層１４として好適なＲｕを含む吸収層は、酸素系ガスによるドライエッチングにより転写パターンを形成できる。
位相シフトマスク用の吸収層１４として好適なＲｕを含む吸収層は、酸素系ガスによるドライエッチングにより転写パターンを形成できる。
【0042】
図２は、本発明のＥＵＶマスクブランクの別の１実施形態を示す概略断面図である。図２に示すＥＵＶマスクブランク１ｂは、基板１１上に多層反射膜１２と、拡散バリア層１５と、保護膜１３と、吸収層１４とが、この順に形成されている。
ＥＵＶマスクブランク１ｂの構成要素のうち、基板１１、多層反射膜１２、保護膜１３、および吸収層１４は、上記したＥＵＶマスクブランク１ａと同様であるので省略する。
ＥＵＶマスクブランク１ｂの構成要素のうち、基板１１、多層反射膜１２、保護膜１３、および吸収層１４は、上記したＥＵＶマスクブランク１ａと同様であるので省略する。
【0043】
保護膜１３のＲｈまたはロジウム系材料が多層反射膜１２の最上層（Ｓｉ層）へと拡散するとＥＵＶ反射率が低下するおそれがある。拡散バリア層１５を設けることで、保護膜１３のＲｈまたはロジウム系材料が多層反射膜１２の最上層（Ｓｉ層）へと拡散するのを抑制できる。
拡散バリア層１５は、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｚｒ、ＴｉおよびＭｏから選択される少なくとも１つの元素を含むことが好ましく、Ｎｂ，ＳｉおよびＲｕから選択される少なくとも１つの元素を含むことがより好ましい。
拡散バリア層１５は、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｚｒ、ＴｉおよびＭｏから選択される少なくとも１つの元素を含むことが好ましく、Ｎｂ，ＳｉおよびＲｕから選択される少なくとも１つの元素を含むことがより好ましい。
【0044】
拡散バリア層１５は、上記の元素の他に、Ｏ、Ｎ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含んでもよい。これらの元素を含むことで、保護膜１３から多層反射膜１２への拡散を抑制するために必要な拡散バリア層１５の膜厚を薄くすることができる。Ｏ、ＮおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含むことがより好ましく、ＯおよびＮからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含むことがさらに好ましい。
【0045】
拡散バリア層１５は、膜厚が０．５ｎｍ以上２．０ｎｍ以下が好ましく、０．５ｎｍ以上１．０ｎｍ以下がより好ましい。
【0046】
拡散バリア層１５は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等の周知の成膜方法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりＲｕ膜を成膜する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．０×１０-2Ｐａ以上１．０×１０0Ｐａ以下）を使用して投入電圧３０Ｖ以上１５００Ｖ以下、成膜速度０．０２０ｎｍ／ｓｅｃ以上１．０００ｎｍ／ｓｅｃ以下で厚さ０．１ｎｍ以上２ｎｍ以下となるように成膜するのが好ましい。
【0047】
図３は、本発明のＥＵＶマスクブランクのさらに別の１実施形態を示す概略断面図である。図３に示すＥＵＶマスクブランク１ｃは、基板１１上に多層反射膜１２と、保護膜１３と、吸収層１４と、エッチングマスク膜１６とが、この順に形成されている。
ＥＵＶマスクブランク１ｃの構成要素のうち、基板１１、多層反射膜１２、保護膜１３、および吸収層１４は、上記したＥＵＶマスクブランク１ａと同様であるので省略する。
ＥＵＶマスクブランク１ｃの構成要素のうち、基板１１、多層反射膜１２、保護膜１３、および吸収層１４は、上記したＥＵＶマスクブランク１ａと同様であるので省略する。
【0048】
図３に示すＥＵＶマスクブランク１ｃは、吸収層１４上にエッチングマスク膜１６を設けることによりレジストを薄膜化できる。
エッチングマスク膜１６は、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＴａおよびＳｉからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含むことが好ましい。
バイナリマスク用の吸収層１４として好適なＴａを含む吸収層の場合、エッチングマスク膜１６はＣｒを含むことが好ましい。
位相シフトマスク用の吸収層１４として好適なＲｕを含む吸収層の場合、エッチングマスク膜１６はＮｂを含むことが好ましい。
エッチングマスク膜１６は、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＴａおよびＳｉからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含むことが好ましい。
バイナリマスク用の吸収層１４として好適なＴａを含む吸収層の場合、エッチングマスク膜１６はＣｒを含むことが好ましい。
位相シフトマスク用の吸収層１４として好適なＲｕを含む吸収層の場合、エッチングマスク膜１６はＮｂを含むことが好ましい。
【0049】
エッチングマスク膜１６は、上記の元素の他に、Ｏ、Ｎ、ＣおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含んでもよい。Ｏ、ＮおよびＢからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含むことがより好ましく、ＯおよびＮからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含むことがさらに好ましい。
【0050】
エッチングマスク膜１６の膜厚は、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましく、２ｎｍ以上２５ｎｍ以下がより好ましく、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下がさらに好ましい。
【0051】
エッチングマスク膜１６は公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法により形成できる。
【0052】
本発明のＥＵＶマスクブランク１ａ～１ｃは、多層反射膜１２、保護膜１３、拡散バリア層１５、吸収層１４、およびエッチングマスク膜１６以外に、ＥＵＶマスクブランクの分野において公知の機能膜を有してもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、日本国特表２００３－５０１８２３号公報の記載のような、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側に施される高誘電性コーティングが挙げられる。ここで、基板の裏面とは、図１の基板１１において、多層反射膜１２が形成されている側とは反対側の面を指す。このような目的で基板の裏面に施す高誘電性コーティングは、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。高誘電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載のものから広く選択できる。例えば、日本国特表２００３－５０１８２３号公報に記載の高誘電率のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなるコーティングを適用できる。高誘電性コーティングの厚さは、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とできる。
高誘電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成できる。
高誘電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成できる。
【0053】
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法は下記工程ａ）～工程ｃ）を含む。
ａ）基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜を形成する工程
ｂ）工程ａ）で形成された多層反射膜上にＲｈまたはロジウム系材料からなる保護膜を形成する工程
ｃ）工程ｂ）で形成された保護膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成する工程
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によれば、図１に示すＥＵＶマスクブランク１ａが得られる。
ａ）基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜を形成する工程
ｂ）工程ａ）で形成された多層反射膜上にＲｈまたはロジウム系材料からなる保護膜を形成する工程
ｃ）工程ｂ）で形成された保護膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成する工程
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によれば、図１に示すＥＵＶマスクブランク１ａが得られる。
【0054】
図４は、本発明のＥＵＶマスクの１実施形態を示す概略断面図である。図４に示すＥＵＶマスク２は、図１に示すＥＵＶマスクブランク１ａの吸収層１４にパターン（吸収層パターン）１４０が形成されている。すなわち、基板１１上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、多層反射膜１２の保護膜１３と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１４と、が、この順に形成されており、吸収層１４にパターン（吸収層パターン）１４０が形成されている。
ＥＵＶマスク２の構成要素のうち、基板１１、多層反射膜１２、保護膜１３、および吸収層１４は、上記したＥＵＶマスクブランク１ａと同様である。
本発明のＥＵＶマスクの製造方法では、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によって製造されたＥＵＶマスクブランクの吸収層１４をパターニングしてパターンを形成する。本発明のＥＵＶマスクブランクは、保護膜１３が、ハロゲン系ガスによるドライエッチング、および酸素系ガスによるドライエッチングに対する耐性に優れているため、吸収層１４のパターニング時の多層反射膜１２のダメージを抑制できる。
ＥＵＶマスク２の構成要素のうち、基板１１、多層反射膜１２、保護膜１３、および吸収層１４は、上記したＥＵＶマスクブランク１ａと同様である。
本発明のＥＵＶマスクの製造方法では、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によって製造されたＥＵＶマスクブランクの吸収層１４をパターニングしてパターンを形成する。本発明のＥＵＶマスクブランクは、保護膜１３が、ハロゲン系ガスによるドライエッチング、および酸素系ガスによるドライエッチングに対する耐性に優れているため、吸収層１４のパターニング時の多層反射膜１２のダメージを抑制できる。
【実施例】
【0055】
以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。例１～例１９のうち、例１～例５、例８～１９が実施例であり、例６～例７が比較例である。
【0056】
＜例１＞
例１では、図１に示すＥＵＶマスクブランクを作製した。
成膜用の基板として、ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系のガラス基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ）を使用した。このガラス基板の２０℃における熱膨張係数は０．０２×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2であった。このガラス基板を研磨により、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
例１では、図１に示すＥＵＶマスクブランクを作製した。
成膜用の基板として、ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系のガラス基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ）を使用した。このガラス基板の２０℃における熱膨張係数は０．０２×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2であった。このガラス基板を研磨により、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
【0057】
基板の裏面側には、マグネトロンスパッタリング法を用いて厚さ１００ｎｍのＣｒ膜を成膜することによって、シート抵抗１００Ω／□の高誘電性コーティングを施した。
平板形状をした通常の静電チャックに、形成したＣｒ膜を介して基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さ６．３ｍｍ）を固定して、該基板の表面上にイオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ膜およびＭｏ膜を交互に成膜することを４０周期繰り返すことにより、合計膜厚２７２ｎｍ（（４．５ｎｍ＋２．３ｎｍ）×４０）のＳｉ／Ｍｏ多層反射膜１２を形成した。
さらに、Ｓｉ／Ｍｏ多層反射膜上に、ＤＣスパッタリング法を用いてＲｈ膜（膜厚２．５ｎｍ）を成膜することにより、保護膜を形成した。保護膜を形成後のＥＵＶ光線反射率は、最大で６４．５％であった。
平板形状をした通常の静電チャックに、形成したＣｒ膜を介して基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さ６．３ｍｍ）を固定して、該基板の表面上にイオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ膜およびＭｏ膜を交互に成膜することを４０周期繰り返すことにより、合計膜厚２７２ｎｍ（（４．５ｎｍ＋２．３ｎｍ）×４０）のＳｉ／Ｍｏ多層反射膜１２を形成した。
さらに、Ｓｉ／Ｍｏ多層反射膜上に、ＤＣスパッタリング法を用いてＲｈ膜（膜厚２．５ｎｍ）を成膜することにより、保護膜を形成した。保護膜を形成後のＥＵＶ光線反射率は、最大で６４．５％であった。
【0058】
Ｓｉ膜、Ｍｏ膜およびＲｈ膜の成膜条件は以下の通りである。
＜Ｓｉ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧２．０×１０-2Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：４．５ｎｍ
＜Ｍｏ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧２．０×１０-2Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．３ｎｍ
＜Ｒｈ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｈターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧２．０×１０-2Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：３．７Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０４８ｎｍ／ｓｅｃ
＜Ｓｉ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧２．０×１０-2Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：４．５ｎｍ
＜Ｍｏ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｍｏターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧２．０×１０-2Ｐａ）
電圧：７００Ｖ
成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：２．３ｎｍ
＜Ｒｈ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｈターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧２．０×１０-2Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：３．７Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０４８ｎｍ／ｓｅｃ
【0059】
次に、保護膜上に、ＲｕＯＮを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜）、ＲｕＮを含む吸収層（ＲｕＮ膜）、もしくはＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）を、マグネトロンスパッタリング法として、反応性スパッタリング法を用いて成膜した。ＲｕＯＮを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜）、ＲｕＮを含む吸収膜（ＲｕＮ膜）、および、ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）の成膜条件は以下の通りである。
＜ＲｕＯＮ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタガス：ＡｒガスとＯ2とＮ2の混合ガス（混合ガス中のＯ2ガスの体積比（Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2＋Ｎ2））＝０．１７、混合ガス中のＮ2ガスの体積比（Ｎ2／（Ａｒ＋Ｏ2＋Ｎ2））＝０．１７、ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：７．４Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．２０ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｕＯＮの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｏ：Ｎ＝４０：５５：５である。
膜厚：５２ｎｍ
＜ＲｕＮ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタガス：ＡｒガスとＮ2の混合ガス（混合ガス中のＮ2ガスの体積比（Ｎ2／（Ａｒ＋Ｎ2））＝０．１７、ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：６．２Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．２０ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｕＮの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｎ＝９８：２である。
膜厚：３５ｎｍ
＜ＴａＮ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒガスとＮ2の混合ガス（混合ガス中のＮ2ガスの体積比（Ｎ2／（Ａｒ＋Ｎ2））＝０．１７、ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：４．３Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０２９ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：６０ｎｍ
または、保護膜上に、ＲｕＢを含む吸収層（ＲｕＢ膜）を、マグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ＲｕＢを含む吸収層（ＲｕＢ膜）の成膜条件は以下の通りである。
＜ＲｕＢ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｕターゲット
Ｂターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
Ｒｕターゲット面積当たりの投入電力密度：０．２Ｗ／ｃｍ2
Ｂターゲット面積当たりの投入電力密度：１０．０Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０１３ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｕＢの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｂ＝８０：２０である。
膜厚：３５ｎｍ
＜ＲｕＯＮ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタガス：ＡｒガスとＯ2とＮ2の混合ガス（混合ガス中のＯ2ガスの体積比（Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2＋Ｎ2））＝０．１７、混合ガス中のＮ2ガスの体積比（Ｎ2／（Ａｒ＋Ｏ2＋Ｎ2））＝０．１７、ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：７．４Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．２０ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｕＯＮの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｏ：Ｎ＝４０：５５：５である。
膜厚：５２ｎｍ
＜ＲｕＮ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタガス：ＡｒガスとＮ2の混合ガス（混合ガス中のＮ2ガスの体積比（Ｎ2／（Ａｒ＋Ｎ2））＝０．１７、ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：６．２Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．２０ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｕＮの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｎ＝９８：２である。
膜厚：３５ｎｍ
＜ＴａＮ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタガス：ＡｒガスとＮ2の混合ガス（混合ガス中のＮ2ガスの体積比（Ｎ2／（Ａｒ＋Ｎ2））＝０．１７、ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：４．３Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０２９ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：６０ｎｍ
または、保護膜上に、ＲｕＢを含む吸収層（ＲｕＢ膜）を、マグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ＲｕＢを含む吸収層（ＲｕＢ膜）の成膜条件は以下の通りである。
＜ＲｕＢ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｕターゲット
Ｂターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
Ｒｕターゲット面積当たりの投入電力密度：０．２Ｗ／ｃｍ2
Ｂターゲット面積当たりの投入電力密度：１０．０Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０１３ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｕＢの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｂ＝８０：２０である。
膜厚：３５ｎｍ
【0060】
上記の手順で得られたＥＵＶマスクブランクに対し、下記のエッチング耐性評価（１）～（３）を実施した。下記評価（１）～（３）は、保護膜上に吸収層を積層していないものやシリコンウエハ上にＲｈ膜を成膜したものも、同様な評価結果が得られる。各例における膜組成は、Ｘ線光電子分光分析装置（Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（アルバック・ファイ社製）を用いて分析した。
【0061】
（１）酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチング耐性の評価
ＩＣＰ（誘導結合方式）プラズマエッチング装置の試料台上に、保護膜（Ｒｈ膜）が形成された試料を設置し、以下に示す条件でＩＣＰプラズマエッチングして、エッチング速度を求めた。また、ＲｕＯＮ、ＲｕＮまたはＲｕＢを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＲｕＮ膜またはＲｕＢ膜）が形成された試料を設置し、同様の手順でエッチング速度を求めた。
ＩＣＰアンテナバイアス：２００Ｗ
基板バイアス：４０Ｗ
トリガー圧力：３．５×１０0Ｐａ
エッチング圧力：３．０×１０-1Ｐａ
エッチングガス：Ｏ2とＣｌ2との混合ガス
ガス流量（Ｃｌ2／Ｏ2）：１０／１０ｓｃｃｍ
上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は０．４ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＯＮ、ＲｕＮ、ＲｕＢを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＲｕＮ膜またはＲｕＢ膜）のエッチング速度はそれぞれ４５．８ｎｍ／ｍｉｎ、１８．３ｎｍ／ｍｉｎ、１２．３ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＯＮ、ＲｕＮ、ＲｕＢを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＲｕＮ膜またはＲｕＢ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は８．７×１０-3、２．２×１０-2、３．３×１０-2であり、吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＲｕＮ膜またはＲｕＢ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
ＩＣＰ（誘導結合方式）プラズマエッチング装置の試料台上に、保護膜（Ｒｈ膜）が形成された試料を設置し、以下に示す条件でＩＣＰプラズマエッチングして、エッチング速度を求めた。また、ＲｕＯＮ、ＲｕＮまたはＲｕＢを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＲｕＮ膜またはＲｕＢ膜）が形成された試料を設置し、同様の手順でエッチング速度を求めた。
ＩＣＰアンテナバイアス：２００Ｗ
基板バイアス：４０Ｗ
トリガー圧力：３．５×１０0Ｐａ
エッチング圧力：３．０×１０-1Ｐａ
エッチングガス：Ｏ2とＣｌ2との混合ガス
ガス流量（Ｃｌ2／Ｏ2）：１０／１０ｓｃｃｍ
上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は０．４ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＯＮ、ＲｕＮ、ＲｕＢを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＲｕＮ膜またはＲｕＢ膜）のエッチング速度はそれぞれ４５．８ｎｍ／ｍｉｎ、１８．３ｎｍ／ｍｉｎ、１２．３ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＯＮ、ＲｕＮ、ＲｕＢを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＲｕＮ膜またはＲｕＢ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は８．７×１０-3、２．２×１０-2、３．３×１０-2であり、吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＲｕＮ膜またはＲｕＢ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0062】
上記の手順で基板上にＳｉ／Ｍｏ多層反射膜およびＲｈ膜を形成したサンプルを上記と同条件で、６０秒間エッチング処理した。エッチング処理前後のサンプルについて、サンプル表面の組成をＸ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ）を用いて分析した。エッチング処理をする前の組成は、Ｒｈ：Ｓｉ：Ｍｏ＝８１．４：１７．３：１．３であり、エッチング処理後のサンプルの組成は、Ｒｈ：Ｓｉ：Ｍｏ＝８１．０：１８．４：０．６であった。エッチング前後でサンプルの組成の違いはほとんど見られなかった。なお、ＳｉおよびＭｏが検出されているのは、ＸＰＳは深さ方向の分解能が数ｎｍ～１０ｎｍ程度であるため、Ｒｈ膜の下地となるＳｉ膜およびＭｏ膜を検出しているからである。
また。エッチング処理後のサンプルをＴＥＭ（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）観察を行った結果を図５に示す。ＴＥＭ像からもエッチング処理後もＲｈ保護膜が存在していることが確認できた。
また。エッチング処理後のサンプルをＴＥＭ（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）観察を行った結果を図５に示す。ＴＥＭ像からもエッチング処理後もＲｈ保護膜が存在していることが確認できた。
【0063】
（２）ハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチング耐性の評価
（１）と同様に、以下に示す条件でＩＣＰプラズマエッチングして、エッチング速度を求めた。また、ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）が形成された試料を設置し、同様の手順でエッチング速度を求めた。
ＩＣＰアンテナバイアス：１００Ｗ
基板バイアス：４０Ｗ
トリガー圧力：３．５×１０0Ｐａ
エッチング圧力：３．０×１０-1Ｐａ
エッチングガス：ＨｅとＣＦ4との混合ガス
ガス流量（Ｈｅ／ＣＦ4）：１２／１２ｓｃｃｍ
上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．４ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）のエッチング速度は２２．１ｎｍ／ｍｉｎであった。ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は０．０６３であり、吸収層（ＴａＮ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがってハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
（１）と同様に、以下に示す条件でＩＣＰプラズマエッチングして、エッチング速度を求めた。また、ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）が形成された試料を設置し、同様の手順でエッチング速度を求めた。
ＩＣＰアンテナバイアス：１００Ｗ
基板バイアス：４０Ｗ
トリガー圧力：３．５×１０0Ｐａ
エッチング圧力：３．０×１０-1Ｐａ
エッチングガス：ＨｅとＣＦ4との混合ガス
ガス流量（Ｈｅ／ＣＦ4）：１２／１２ｓｃｃｍ
上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．４ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）のエッチング速度は２２．１ｎｍ／ｍｉｎであった。ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は０．０６３であり、吸収層（ＴａＮ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがってハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0064】
（３）ＳＰＭ耐性の評価
保護膜（Ｒｈ膜）が形成された試料を以下の溶液に浸漬処理し、処理前後の膜厚の変化を調査した。
溶液：濃硫酸:過酸化水素＝３：１ （体積比）
溶液温度：１００℃
処理時間：２０分
浸漬処理後、Ｒｈ膜は０．７ｎｍ程度膜厚が増加しており、ＳＰＭ耐性は問題ないことを確認した。
保護膜（Ｒｈ膜）が形成された試料を以下の溶液に浸漬処理し、処理前後の膜厚の変化を調査した。
溶液：濃硫酸:過酸化水素＝３：１ （体積比）
溶液温度：１００℃
処理時間：２０分
浸漬処理後、Ｒｈ膜は０．７ｎｍ程度膜厚が増加しており、ＳＰＭ耐性は問題ないことを確認した。
【0065】
＜例２＞
例２は、保護膜として、Ｒｈ膜（膜厚２．５ｎｍ）を下記条件で成膜した以外、例１と同様の手順で実施した。
＜Ｒｈ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｈターゲット
スパッタガス：ＡｒガスとＮ2の混合ガス（混合ガス中のＮ2ガスの体積比（Ｎ2／（Ａｒ＋Ｎ2））＝０．３１、ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：３．７Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０３７ｎｍ／ｓｅｃ
また、試料台（４インチ石英基板）上に、試料として保護膜（Ｒｈ膜）を上記と同条件で成膜した。上記の試料に対して、Ｘ線反射率法（ＸＲＲ（Ｘ－ｒａｙ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ））を用いた膜密度の測定を行った。Ｒｈ膜の膜密度は、１１．９ｇ・ｃｍ-3であった。この試料について、ＸＲＤ測定を実施した。得られる回折ピークにシャープなピークが見られず、膜の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であることが確認できた。
酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、０．７７ｎｍ／ｍｉｎであり、ハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、２．７ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＯＮを含む吸収層に対するエッチング選択比、ＴａＮを含む吸収層に対するエッチング選択比はそれぞれ０．０１７、０．１２であり、いずれも吸収層のエッチング速度に対して十分遅かった。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチング、およびハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例２は、保護膜として、Ｒｈ膜（膜厚２．５ｎｍ）を下記条件で成膜した以外、例１と同様の手順で実施した。
＜Ｒｈ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｈターゲット
スパッタガス：ＡｒガスとＮ2の混合ガス（混合ガス中のＮ2ガスの体積比（Ｎ2／（Ａｒ＋Ｎ2））＝０．３１、ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：３．７Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０３７ｎｍ／ｓｅｃ
また、試料台（４インチ石英基板）上に、試料として保護膜（Ｒｈ膜）を上記と同条件で成膜した。上記の試料に対して、Ｘ線反射率法（ＸＲＲ（Ｘ－ｒａｙ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ））を用いた膜密度の測定を行った。Ｒｈ膜の膜密度は、１１．９ｇ・ｃｍ-3であった。この試料について、ＸＲＤ測定を実施した。得られる回折ピークにシャープなピークが見られず、膜の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であることが確認できた。
酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、０．７７ｎｍ／ｍｉｎであり、ハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、２．７ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＯＮを含む吸収層に対するエッチング選択比、ＴａＮを含む吸収層に対するエッチング選択比はそれぞれ０．０１７、０．１２であり、いずれも吸収層のエッチング速度に対して十分遅かった。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチング、およびハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0066】
＜例３＞
例３は、保護膜として、ＲｈＲｕ膜（膜厚２．５ｎｍ）を下記条件で成膜した以外、例１と同様の手順で実施した。
＜ＲｈＲｕ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｈターゲット
Ｒｕターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
Ｒｈターゲット面積当たりの投入電力密度：３．７Ｗ／ｃｍ2
Ｒｕターゲット面積当たりの投入電力密度：１．５Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．５８ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｈＲｕの組成比（ａｔ％）は、Ｒｈ：Ｒｕ＝７５：２５である。
酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、１．０ｎｍ／ｍｉｎであり、ハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、３．２ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＯＮを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜）に対するエッチング選択比、ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）に対するエッチング選択比はそれぞれ０．０２２、０．１４であり、いずれも吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＴａＮ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチング、およびハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例３は、保護膜として、ＲｈＲｕ膜（膜厚２．５ｎｍ）を下記条件で成膜した以外、例１と同様の手順で実施した。
＜ＲｈＲｕ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｈターゲット
Ｒｕターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
Ｒｈターゲット面積当たりの投入電力密度：３．７Ｗ／ｃｍ2
Ｒｕターゲット面積当たりの投入電力密度：１．５Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．５８ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｈＲｕの組成比（ａｔ％）は、Ｒｈ：Ｒｕ＝７５：２５である。
酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、１．０ｎｍ／ｍｉｎであり、ハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、３．２ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＯＮを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜）に対するエッチング選択比、ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）に対するエッチング選択比はそれぞれ０．０２２、０．１４であり、いずれも吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＴａＮ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチング、およびハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0067】
＜例４＞
例４は、保護膜として、ＲｈＲｕ膜（膜厚２．５ｎｍ）を下記条件で成膜した以外、例１と同様の手順で実施した。
＜ＲｈＲｕ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｈターゲット
Ｒｕターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
Ｒｈターゲット面積当たりの投入電力密度：３．７Ｗ／ｃｍ2
Ｒｕターゲット面積当たりの投入電力密度：４．７Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．８８ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｈＲｕの組成比（ａｔ％）は、Ｒｈ：Ｒｕ＝５０：５０である。
酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、１．２ｎｍ／ｍｉｎであり、ハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、３．７ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＯＮを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜）に対するエッチング選択比、ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）に対するエッチング選択比はそれぞれ０．０２６、０．１７であり、いずれも吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＴａＮ膜）のエッチングに対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチング、およびハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例４は、保護膜として、ＲｈＲｕ膜（膜厚２．５ｎｍ）を下記条件で成膜した以外、例１と同様の手順で実施した。
＜ＲｈＲｕ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｈターゲット
Ｒｕターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
Ｒｈターゲット面積当たりの投入電力密度：３．７Ｗ／ｃｍ2
Ｒｕターゲット面積当たりの投入電力密度：４．７Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．８８ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｈＲｕの組成比（ａｔ％）は、Ｒｈ：Ｒｕ＝５０：５０である。
酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、１．２ｎｍ／ｍｉｎであり、ハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、３．７ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＯＮを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜）に対するエッチング選択比、ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）に対するエッチング選択比はそれぞれ０．０２６、０．１７であり、いずれも吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＴａＮ膜）のエッチングに対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチング、およびハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0068】
＜例５＞
例５は、保護膜として、ＲｈＯ膜（膜厚２．５ｎｍ）を下記条件で成膜した以外、例１と同様の手順で実施した。
＜ＲｈＯ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｈターゲット
スパッタガス：ＡｒガスとＯ2の混合ガス（混合ガス中のＯ2ガスの体積比（Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2））＝０．３１、ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
Ｒｈターゲット面積当たりの投入電力密度：３．７Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０７３ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｈＯの組成比（ａｔ％）は、Ｒｈ：Ｏ＝４２：５８である。
酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、１．４ｎｍ／ｍｉｎであり、ハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、５．０ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＯＮを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜）に対するエッチング選択比、ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）に対するエッチング選択比はそれぞれ０．０３０、０．２２であり、いずれも吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＴａＮ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチング、およびハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例５は、保護膜として、ＲｈＯ膜（膜厚２．５ｎｍ）を下記条件で成膜した以外、例１と同様の手順で実施した。
＜ＲｈＯ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｈターゲット
スパッタガス：ＡｒガスとＯ2の混合ガス（混合ガス中のＯ2ガスの体積比（Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2））＝０．３１、ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
Ｒｈターゲット面積当たりの投入電力密度：３．７Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０７３ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｈＯの組成比（ａｔ％）は、Ｒｈ：Ｏ＝４２：５８である。
酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、１．４ｎｍ／ｍｉｎであり、ハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、５．０ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＯＮを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜）に対するエッチング選択比、ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）に対するエッチング選択比はそれぞれ０．０３０、０．２２であり、いずれも吸収層（ＲｕＯＮ膜、ＴａＮ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチング、およびハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0069】
＜例６＞
例６は、保護膜として、Ｒｕ膜（膜厚２．５ｎｍ）を下記条件で成膜した以外、例１と同様の手順で実施した。
＜Ｒｕ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
Ｒｕターゲット面積当たりの投入電力密度：６．２Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０５３ｎｍ／ｓｅｃ
酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、２０．０ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＯＮを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜）に対するエッチング選択比は０．４４であり、十分ではない。また、上記の手順で基板上にＳｉ／Ｍｏ多層反射膜およびＲｈ膜を形成したサンプルを例１と同条件で酸素系ガスを用いて６０秒間エッチング処理した。エッチング処理前後のサンプルについて、サンプル表面の組成をＸＰＳを用いて分析した。エッチング処理をする前の組成は、Ｒｕ：Ｓｉ：Ｍｏ＝８９．３：９．９：１．０であり、エッチング処理後の組成は、Ｒｕ：Ｓｉ：Ｍｏ＝３．８：９２．９：３．３であった。エッチング処理後に保護膜のＲｕ膜が消失しており、多層反射膜へのダメージが懸念される。なお、ＳｉおよびＭｏが検出されているのは、ＸＰＳは深さ方向の分解能が数ｎｍ～１０ｎｍ程度であるため、Ｒｕ膜の下地となるＳｉ膜およびＭｏ膜を検出しているからである。また。エッチング処理後のサンプルをＴＥＭ観察を行った結果を図６に示す。ＴＥＭ像からもエッチング処理後、Ｒｕ保護膜が消失していることが確認できた。
例６は、保護膜として、Ｒｕ膜（膜厚２．５ｎｍ）を下記条件で成膜した以外、例１と同様の手順で実施した。
＜Ｒｕ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｕターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
Ｒｕターゲット面積当たりの投入電力密度：６．２Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０５３ｎｍ／ｓｅｃ
酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、２０．０ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＯＮを含む吸収層（ＲｕＯＮ膜）に対するエッチング選択比は０．４４であり、十分ではない。また、上記の手順で基板上にＳｉ／Ｍｏ多層反射膜およびＲｈ膜を形成したサンプルを例１と同条件で酸素系ガスを用いて６０秒間エッチング処理した。エッチング処理前後のサンプルについて、サンプル表面の組成をＸＰＳを用いて分析した。エッチング処理をする前の組成は、Ｒｕ：Ｓｉ：Ｍｏ＝８９．３：９．９：１．０であり、エッチング処理後の組成は、Ｒｕ：Ｓｉ：Ｍｏ＝３．８：９２．９：３．３であった。エッチング処理後に保護膜のＲｕ膜が消失しており、多層反射膜へのダメージが懸念される。なお、ＳｉおよびＭｏが検出されているのは、ＸＰＳは深さ方向の分解能が数ｎｍ～１０ｎｍ程度であるため、Ｒｕ膜の下地となるＳｉ膜およびＭｏ膜を検出しているからである。また。エッチング処理後のサンプルをＴＥＭ観察を行った結果を図６に示す。ＴＥＭ像からもエッチング処理後、Ｒｕ保護膜が消失していることが確認できた。
【0070】
＜例７＞
例７は、保護膜として、ＲｈＳｉ膜（膜厚２．５ｎｍ）を下記条件で成膜した以外、例１と同様の手順で実施した。
＜ＲｈＳｉ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｈターゲット
Ｓｉターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
Ｒｈターゲット面積当たりの投入電力密度：３．７Ｗ／ｃｍ2
Ｓｉターゲット面積当たりの投入電力密度：６．９Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０８３ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｈＳｉの組成比（ａｔ％）は、Ｒｈ：Ｓｉ＝６０：４０である。
酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、１．２ｎｍ／ｍｉｎであり、ハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、７．６ｎｍ／ｍｉｎであった。ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）に対するエッチング選択比は０．３４であり、十分ではない。そのため、ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）のエッチングの際に多層反射膜がダメージを受けるおそれがある。
例７は、保護膜として、ＲｈＳｉ膜（膜厚２．５ｎｍ）を下記条件で成膜した以外、例１と同様の手順で実施した。
＜ＲｈＳｉ膜の成膜条件＞
ターゲット：Ｒｈターゲット
Ｓｉターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：２．０×１０-1Ｐａ）
Ｒｈターゲット面積当たりの投入電力密度：３．７Ｗ／ｃｍ2
Ｓｉターゲット面積当たりの投入電力密度：６．９Ｗ／ｃｍ2
成膜速度：０．０８３ｎｍ／ｓｅｃ
ＲｈＳｉの組成比（ａｔ％）は、Ｒｈ：Ｓｉ＝６０：４０である。
酸素系ガスとして、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、１．２ｎｍ／ｍｉｎであり、ハロゲン系ガスとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングのエッチング速度は、７．６ｎｍ／ｍｉｎであった。ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）に対するエッチング選択比は０．３４であり、十分ではない。そのため、ＴａＮを含む吸収層（ＴａＮ膜）のエッチングの際に多層反射膜がダメージを受けるおそれがある。
【0071】
＜例８＞
例８は、吸収層として、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）をマグネトロンスパッタを用いて下記条件で成膜した以外は、例１と同様の手順でＥＵＶマスクブランクを作製し、下記のエッチング耐性評価（４）を実施した。下記のエッチング耐性評価（４）は、シリコンウエハ上にＲｈ膜や吸収膜を成膜したものも、同様な評価結果が得られる。各例における膜組成は、Ｘ線光電子分光分析装置（Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（アルバック・ファイ社製）を用いて分析した。
＜ＲｕＴａ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｔａターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｔａ：１．２Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＴａの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｔａ＝８２：１８である。
成膜速度：０．１６ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
例８は、吸収層として、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）をマグネトロンスパッタを用いて下記条件で成膜した以外は、例１と同様の手順でＥＵＶマスクブランクを作製し、下記のエッチング耐性評価（４）を実施した。下記のエッチング耐性評価（４）は、シリコンウエハ上にＲｈ膜や吸収膜を成膜したものも、同様な評価結果が得られる。各例における膜組成は、Ｘ線光電子分光分析装置（Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）（アルバック・ファイ社製）を用いて分析した。
＜ＲｕＴａ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｔａターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｔａ：１．２Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＴａの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｔａ＝８２：１８である。
成膜速度：０．１６ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
【0072】
（４）酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチング耐性の評価
エッチング耐性評価（１）と同様に、以下に示す条件でＩＣＰプラズマエッチングして、エッチング速度を求めた。また、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）が形成された試料を設置し、同様の手順でエッチング速度を求めた。
ＩＣＰアンテナバイアス：２００Ｗ
基板バイアス：４０Ｗ
トリガー圧力：３．５×１０0Ｐａ
エッチング圧力：３．０×１０-1Ｐａ
エッチングガス：Ｏ2とＣＦ4との混合ガス
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．０ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度は３１．４ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は３．３×１０-2であり、吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
エッチング耐性評価（１）と同様に、以下に示す条件でＩＣＰプラズマエッチングして、エッチング速度を求めた。また、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）が形成された試料を設置し、同様の手順でエッチング速度を求めた。
ＩＣＰアンテナバイアス：２００Ｗ
基板バイアス：４０Ｗ
トリガー圧力：３．５×１０0Ｐａ
エッチング圧力：３．０×１０-1Ｐａ
エッチングガス：Ｏ2とＣＦ4との混合ガス
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．０ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度は３１．４ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は３．３×１０-2であり、吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0073】
＜例９＞
例９は、吸収層として、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）を下記条件で成膜した以外、例８と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＴａ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｔａターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｔａ：２．７Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＴａの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｔａ＝６７：３３である。
成膜速度：０．１９ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．０ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度は１４．０ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は７．４×１０-2であり、吸収層のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例９は、吸収層として、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）を下記条件で成膜した以外、例８と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＴａ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｔａターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｔａ：２．７Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＴａの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｔａ＝６７：３３である。
成膜速度：０．１９ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．０ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度は１４．０ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は７．４×１０-2であり、吸収層のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0074】
＜例１０＞
例１０は、吸収層として、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）を下記条件で成膜した以外、例８と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＴａ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｔａターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｔａ：４．７Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＴａの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｔａ＝５４：４６である。
成膜速度：０．２２ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：８／２４ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．３ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度は２７．０ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は４．８×１０-2であり、吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例１０は、吸収層として、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）を下記条件で成膜した以外、例８と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＴａ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｔａターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｔａ：４．７Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＴａの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｔａ＝５４：４６である。
成膜速度：０．２２ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：８／２４ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．３ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度は２７．０ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は４．８×１０-2であり、吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0075】
＜例１１＞
例１１は、吸収層として、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）を下記条件で成膜した以外、例８と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＴａ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｔａターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．０Ｗ／ｃｍ2
Ｔａ：９．９Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＴａの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｔａ＝３７：６３である。
成膜速度：０．３１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：８／２４ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されるＲｈ保護膜のエッチング速度は１．４ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度は１５．７ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は８．７×１０-2であり、吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例１１は、吸収層として、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）を下記条件で成膜した以外、例８と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＴａ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｔａターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．０Ｗ／ｃｍ2
Ｔａ：９．９Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＴａの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｔａ＝３７：６３である。
成膜速度：０．３１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：８／２４ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されるＲｈ保護膜のエッチング速度は１．４ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度は１５．７ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＴａを含む吸収層（ＲｕＴａ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は８．７×１０-2であり、吸収層（ＲｕＴａ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0076】
＜例１２＞
例１２は、吸収層として、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）をマグネトロンスパッタリング法として、反応性スパッタリング法を用いて下記条件で成膜した以外は下記条件で成膜した以外、例８と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＷ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｗターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｗ：０．９Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＷの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｗ＝８０：２０である。
成膜速度：０．１６ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．１ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度は３４．７ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は３．３×１０-2であり、吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例１２は、吸収層として、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）をマグネトロンスパッタリング法として、反応性スパッタリング法を用いて下記条件で成膜した以外は下記条件で成膜した以外、例８と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＷ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｗターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｗ：０．９Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＷの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｗ＝８０：２０である。
成膜速度：０．１６ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．１ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度は３４．７ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は３．３×１０-2であり、吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0077】
＜例１３＞
例１３は、吸収層として、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）を下記条件で成膜した以外、例１２と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＷ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｗターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｗ：２．０Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＷの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｗ＝６６：３４である。
成膜速度：０．１８ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．１ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度は２６．３ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は４．３×１０-2であり、吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例１３は、吸収層として、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）を下記条件で成膜した以外、例１２と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＷ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｗターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｗ：２．０Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＷの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｗ＝６６：３４である。
成膜速度：０．１８ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．１ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度は２６．３ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は４．３×１０-2であり、吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0078】
＜例１４＞
例１４は、吸収層として、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）を下記条件で成膜した以外、例１２と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＷ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｗターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｗ：３．５Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＷの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｗ＝５３：４７である。
成膜速度：０．２１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：８／２４ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．４ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度は２３．６ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は５．９×１０-2であり、吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、Ｒｈ保護膜はＲｕＷ吸収膜に対して、十分なエッチング選択比を有する。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例１４は、吸収層として、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）を下記条件で成膜した以外、例１２と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＷ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｗターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｗ：３．５Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＷの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｗ＝５３：４７である。
成膜速度：０．２１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：８／２４ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．４ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度は２３．６ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は５．９×１０-2であり、吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、Ｒｈ保護膜はＲｕＷ吸収膜に対して、十分なエッチング選択比を有する。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0079】
＜例１５＞
例１５は、吸収層として、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）を下記条件で成膜した以外、例１２と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＷ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｗターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｗ：８．０Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＷの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｗ＝３０：７０である。
成膜速度：０．３１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：８／２４ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．４ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度は２５．６ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は５．５×１０-2であり、吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例１５は、吸収層として、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）を下記条件で成膜した以外、例１２と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＷ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｗターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｗ：８．０Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＷの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｗ＝３０：７０である。
成膜速度：０．３１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：８／２４ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．４ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度は２５．６ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＷを含む吸収層（ＲｕＷ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は５．５×１０-2であり、吸収層（ＲｕＷ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0080】
＜例１６＞
例１６は、吸収層として、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）をマグネトロンスパッタリング法として、反応性スパッタリング法を用いて下記条件で成膜した以外、例８と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＣｒ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｃｒターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｃｒ：０．９４Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＣｒの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｃｒ＝９４：６である。
成膜速度：０．１６ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．１ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度は１９．１ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は５．８×１０-2であり、吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例１６は、吸収層として、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）をマグネトロンスパッタリング法として、反応性スパッタリング法を用いて下記条件で成膜した以外、例８と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＣｒ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｃｒターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｃｒ：０．９４Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＣｒの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｃｒ＝９４：６である。
成膜速度：０．１６ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．１ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度は１９．１ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は５．８×１０-2であり、吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0081】
＜例１７＞
例１７は、吸収層として、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）を下記条件で成膜した以外、例１６と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＣｒ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｃｒターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｃｒ：２．１Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＣｒの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｃｒ＝８６：１４である。
成膜速度：０．１８ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．１ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度は２６．５ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は４．２×１０-2であり、吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例１７は、吸収層として、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）を下記条件で成膜した以外、例１６と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＣｒ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｃｒターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｃｒ：２．１Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＣｒの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｃｒ＝８６：１４である。
成膜速度：０．１８ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．１ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度は２６．５ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は４．２×１０-2であり、吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0082】
＜例１８＞
例１８は、吸収層として、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）を下記条件で成膜した以外、例１６と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＣｒ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｃｒターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｃｒ：３．５Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＣｒの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｃｒ＝７７：２３である。
成膜速度：０．２１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．１ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度は３６．７ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は３．０×１０-2であり、吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例１８は、吸収層として、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）を下記条件で成膜した以外、例１６と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＣｒ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｃｒターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｃｒ：３．５Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＣｒの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｃｒ＝７７：２３である。
成膜速度：０．２１ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．１ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度は３６．７ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は３．０×１０-2であり、吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0083】
＜例１９＞
例１９は、吸収層として、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）を下記条件で成膜した以外、例１６と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＣｒ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｃｒターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｃｒ：８．１Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＣｒの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｃｒ＝５９：４１である。
成膜速度：０．２９ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．１ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＣｒを含む吸収層のエッチング速度は３５．８ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は３．０×１０-2であり、吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
例１９は、吸収層として、ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）を下記条件で成膜した以外、例１６と同様の手順で実施した。
＜ＲｕＣｒ膜の成膜条件＞
ターゲット：
Ｒｕターゲット
Ｃｒターゲット
スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：１．５×１０-1Ｐａ）
ターゲット面積当たりの投入電力密度：
Ｒｕ：７．５Ｗ／ｃｍ2
Ｃｒ：８．１Ｗ／ｃｍ2
ＲｕＣｒの組成比（ａｔ％）は、Ｒｕ：Ｃｒ＝５９：４１である。
成膜速度：０．２９ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：３５ｎｍ
ガス流量（Ｏ2／ＣＦ4）：４／２８ｓｃｃｍの時、上記エッチングによって算出されたＲｈ保護膜のエッチング速度は１．１ｎｍ／ｍｉｎであった。また、ＲｕＣｒを含む吸収層のエッチング速度は３５．８ｎｍ／ｍｉｎであった。ＲｕＣｒを含む吸収層（ＲｕＣｒ膜）に対するＲｈ保護膜のエッチング選択比は３．０×１０-2であり、吸収層（ＲｕＣｒ膜）のエッチング速度に対して十分遅い。したがって、酸素系ガスとして、酸素ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを用いたドライエッチングに対し十分な耐性を有する。
【0084】
本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
本出願は、２０２０年１２月３日出願の日本特許出願２０２０－２０１１９８および２０２１年１０月２６日出願の日本特許出願２０２１－１７４６９２に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
本出願は、２０２０年１２月３日出願の日本特許出願２０２０－２０１１９８および２０２１年１０月２６日出願の日本特許出願２０２１－１７４６９２に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【符号の説明】
【0085】
１ａ，１ｂ，１ｃ：ＥＵＶマスクブランク
２：ＥＵＶマスク
１１：基板
１２：多層反射膜
１３：保護膜
１４：吸収層
１５：拡散バリア層
１６：エッチングマスク膜
１４０：吸収層パターン
２：ＥＵＶマスク
１１：基板
１２：多層反射膜
１３：保護膜
１４：吸収層
１５：拡散バリア層
１６：エッチングマスク膜
１４０：吸収層パターン
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
