【図1】
本発明に係る実施形態1の製造方法のフローである。
【図2】
実施形態1の製造方法における焼結体準備工程のフローである。
【図3A】
実施形態1の製造方法において、準備した焼結体の断面図である。
【図3B】
実施形態1の製造方法において、凹部を形成した焼結体の断面図である。
【図3C】
実施形態1の製造方法において、凹部を形成した焼結体を反射部材で取り囲んだときの断面図である。
【図3D】
実施形態1の製造方法において、凹部を形成した焼結体を含む反射部材を加工した波長変換部材集合体の断面図である。
【図3E】
図3Dの波長変換部材集合体の平面図である。
【図3F】
実施形態1の製造方法において、波長変換部材集合体を個片化した後の波長変換部材の平面図である。
【図3G】
実施形態1の製造方法により作製された波長変換部材の応用例の模式図である。
【図3H】
焼結体中の蛍光体粒子の分布を評価する方法を説明するための簡略化した模式的な断面図である。
【図4A】
実施形態2の製造方法において、準備した焼結体の断面図である。
【図4B】
実施形態2の製造方法において、凹部を形成した焼結体の断面図である。
【図4C】
実施形態2の製造方法において、形成した凹部の一部を除去した後の焼結体の断面図である。
【図4D】
実施形態2の製造方法において、焼結体の凸部を個片化した後の焼結体の断面図である。
【図4E】
実施形態2の製造方法において、準備した反射部材の断面図である。
【図4F】
実施形態2の製造方法において、準備した反射部材の貫通孔に個片化した後の焼結体を挿入した後の断面図である。
【図4G】
実施形態2の製造方法において、貫通孔に挿入した焼結体の上にガラスを設けた後の断面図である。
【図4H】
実施形態2の製造方法において、ガラスの表面を研磨した後の断面図である。
【図4I】
実施形態2の製造方法により作製された波長変換部材の応用例の模式図である。
【図5】
本発明に係る実施形態3の製造方法のフローである。
【図6A】
実施形態3の製造方法において、上面にマスクが形成され、下面に保護膜が形成された蛍光体セラミック板の断面図である。
【図6B】
図6Aの蛍光体セラミック板の平面図である。
【図6C】
実施形態3の製造方法において、凹部を形成した蛍光体セラミック板の断面図である。
【図6D】
実施形態3の製造方法において、蛍光体セラミック板の下面全体に反射膜を形成したときの断面図である。
【図6E】
実施形態3の製造方法において、蛍光体セラミック板を下面側から支持する支持体を設けたときの断面図である。
【図6F】
実施形態3の製造方法により作製された波長変換部材の応用例の模式図である。
【図7A】
実験例と同様にして作製した焼結体の光反射面に反射部材を形成したときの断面写真である。
【図7B】
図7Aから反射部材を除いた焼結体の断面写真である。
【図7C】
比較例と同様にして作製した焼結体の光反射面に反射部材を形成したときの断面写真である。