特許7606658抵抗変化型メモリ（ＲＥＲＡＭ）セルの金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）スタックのその場封止

発明の名称　抵抗変化型メモリ（ＲＥＲＡＭ）セルの金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）スタックのその場封止

出願人　東京エレクトロン株式会社　（識別番号 219967）

　　　　特許公開件数ランキング 30 位（228件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 25 位（235件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7606658

公報発行日　2024年12月26

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7606658

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