特許 7607843 めっき装置、およびめっき方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-19

(45)【発行日】2024-12-27

(54)【発明の名称】めっき装置、およびめっき方法

(51)【国際特許分類】

   C25D 21/12 20060101AFI20241220BHJP

   C25D 17/06 20060101ALI20241220BHJP

   C25D 7/12 20060101ALI20241220BHJP

【ＦＩ】

C25D21/12 A

C25D17/06 C

C25D7/12

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2024549548

(86)(22)【出願日】2024-04-19

(86)【国際出願番号】 JP2024015514

【審査請求日】2024-08-21

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000000239

【氏名又は名称】株式会社荏原製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100106208

【弁理士】

【氏名又は名称】宮前 徹

(74)【代理人】

【識別番号】100146710

【弁理士】

【氏名又は名称】鐘ヶ江 幸男

(74)【代理人】

【識別番号】100186613

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 誠

(72)【発明者】

【氏名】樋渡 良輔

(72)【発明者】

【氏名】下山 正

(72)【発明者】

【氏名】増田 泰之

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼橋 直人

【審査官】萩原 周治

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０２２／１１８４３１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１６－１２７０６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２３／１４５０４９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許第６０２７６３１（ＵＳ，Ａ）

【文献】特開２０２３－１６６６８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－１３８９９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１６／０３６２８０９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０２３／２２８３９８（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２５Ｄ １７／００－２１／２２

Ｃ２５Ｄ ５／００－７／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

めっき液を収容するように構成されためっき槽と、
前記めっき槽内に配置されたアノードと、
被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するように構成された基板ホルダと、
前記アノードと前記基板ホルダとの間に配置され、前記アノード側と前記基板ホルダ側とを貫通する複数の孔を有する、抵抗体と、
前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、
前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、
前記アノードと前記基板との間に形成される電場を遮蔽可能な遮蔽部材と、
前記遮蔽部材を、前記アノードと前記基板との間の基準位置、前記基準位置よりも電場遮蔽面積が大きくなる遮蔽位置、および前記アノードと前記基板との間から退避した退避位置、の間で切り替えて配置するように構成された遮蔽機構と、
を含み、
前記抵抗体は、前記遮蔽位置に配置された前記遮蔽部材と重複する動的遮蔽領域において、第１の遮蔽率を有する第１の領域と、前記第１の領域から離間した内側に配置され前記第１の遮蔽率よりも大きい第２の遮蔽率を有する第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置され前記第１の遮蔽率よりも大きく前記第２の遮蔽率よりも小さい第３の遮蔽率を有する第３の領域と、を含む、
めっき装置。

【請求項2】

前記遮蔽機構は、前記基板の周縁部に形成されるめっき膜厚の分布応じて、前記遮蔽部材を前記基準位置、前記遮蔽位置、および前記退避位置の間で切り替えて配置するように構成される、
請求項１に記載のめっき装置。

【請求項3】

前記基板の周縁部のめっき膜厚を計測するように構成された膜厚センサをさらに含み、
前記遮蔽機構は、前記膜厚センサによって計測された前記基板の周縁部のめっき膜厚の
分布に応じて、前記遮蔽部材を前記基準位置、前記遮蔽位置、および前記退避位置の間で切り替えて配置するように構成される、
請求項１に記載のめっき装置。

【請求項4】

前記遮蔽機構は、第１のめっき膜厚が形成される前記基板の第１の周縁部に対して前記遮蔽部材を前記基準位置に配置し、前記第１のめっき膜厚よりも厚い第２のめっき膜厚が形成される前記基板の第２の周縁部に対して前記遮蔽部材を前記遮蔽位置に配置し、前記第１のめっき膜厚よりも薄い第３のめっき膜厚が形成される前記基板の第３の周縁部に対して前記遮蔽部材を前記退避位置に配置するように構成される、
請求項２または３に記載のめっき装置。

【請求項5】

前記遮蔽機構は、前記基板ホルダに保持される基板の種類に応じて、前記遮蔽部材を前記基準位置、前記遮蔽位置、および前記退避位置の間で切り替えて配置するように構成される、
請求項１に記載のめっき装置。

【請求項6】

めっき液を収容するように構成されためっき槽と、
前記めっき槽内に配置されたアノードと、
被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するように構成された基板ホルダと、
前記アノードと前記基板ホルダとの間に配置され、前記アノード側と前記基板ホルダ側とを貫通する複数の孔を有する、抵抗体と、
前記アノードと前記基板との間に形成される電場を遮蔽可能な遮蔽部材と、
を有するめっき装置を用いためっき方法であって、
被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持する前記基板ホルダを前記めっき槽内に降下させる降下ステップと、
前記基板ホルダを回転させる回転ステップと、
前記めっき槽内に降下された基板の前記被めっき面にめっき処理を施すめっきステップと、
前記めっき槽内に配置されたアノードと基板との間に形成される電場を遮蔽可能な前記遮蔽部材を、前記アノードと基板との間の基準位置、前記基準位置よりも電場遮蔽面積が大きくなる遮蔽位置、および前記アノードと前記基板との間から退避した退避位置、の間で切り替えて配置する遮蔽ステップと、
を含み、
前記抵抗体は、前記遮蔽位置に配置された前記遮蔽部材と重複する動的遮蔽領域において、第１の遮蔽率を有する第１の領域と、前記第１の領域から離間した内側に配置され前記第１の遮蔽率よりも大きい第２の遮蔽率を有する第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置され前記第１の遮蔽率よりも大きく前記第２の遮蔽率よりも小さい第３の遮蔽率を有する第３の領域と、を含む、
めっき方法。

【請求項7】

前記遮蔽ステップは、前記基板の周縁部に形成されるめっき膜厚の分布応じて、前記遮蔽部材を前記基準位置、前記遮蔽位置、および前記退避位置の間で切り替えて配置するように構成される、
請求項６に記載のめっき方法。

【請求項8】

前記基板の周縁部のめっき膜厚を計測する計測ステップをさらに含み、
前記遮蔽ステップは、前記計測ステップによって計測された前記基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて、前記遮蔽部材を前記基準位置、前記遮蔽位置、および前記退避位置の間で切り替えて配置するように構成される、
請求項６に記載のめっき方法。

【請求項9】

前記遮蔽ステップは、第１のめっき膜厚が形成される前記基板の第１の周縁部に対して前記遮蔽部材を前記基準位置に配置する第１の配置ステップと、前記第１のめっき膜厚よりも厚い第２のめっき膜厚が形成される前記基板の第２の周縁部に対して前記遮蔽部材を前記遮蔽位置に配置する第２の配置ステップと、前記第１のめっき膜厚よりも薄い第３のめっき膜厚が形成される前記基板の第３の周縁部に対して前記遮蔽部材を前記退避位置に配置する第３の配置ステップと、を含む、
請求項７または８に記載のめっき方法。

【請求項10】

前記基板ホルダに保持される基板の種類を判定する判定ステップをさらに含み、
前記遮蔽ステップは、前記判定ステップで判定された基板の種類に応じて、前記遮蔽部材を、前記基準位置、前記遮蔽位置、および前記退避位置の間で切り替えて配置するように構成される、
請求項６に記載のめっき方法。

【請求項11】

めっき液を収容するように構成されためっき槽と、
前記めっき槽内に配置されたアノードと、
被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するように構成された基板ホルダと、
前記アノードと前記基板ホルダとの間に配置され、局所遮蔽領域を備えた抵抗体と、
前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、
前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、
前記アノードと前記基板との間に形成される電場を遮蔽可能な遮蔽部材と、
前記遮蔽部材を、前記アノードと前記基板との間の遮蔽位置と、前記アノードと前記基板との間から退避した退避位置、との間に配置するように構成された遮蔽機構と、
を含み、
前記回転機構は、基板の選択された方位角位置にある第１の部分が、前記第１の部分と異なる方位角位置にあり前記第１の部分と同じ弧長および半径位置を有する基板の第２の部分とは異なる時間、前記遮蔽部材が前記遮蔽位置に配置されたときに前記抵抗体と前記遮蔽部材とが重複する動的遮蔽領域に位置するように前記基板ホルダを回転させるように構成され、
前記抵抗体は、前記遮蔽位置に配置された前記遮蔽部材と重複する前記動的遮蔽領域において、第１の遮蔽率を有する第１の領域と、前記第１の領域から離間した内側に配置され前記第１の遮蔽率よりも大きい第２の遮蔽率を有する第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置され前記第１の遮蔽率よりも大きく前記第２の遮蔽率よりも小さい第３の遮蔽率を有する第３の領域と、を含む、
めっき装置。

【請求項12】

前記回転機構は、前記基板の前記第１の部分が前記動的遮蔽領域に位置するときに前記基板ホルダの回転速度を上げる、下げる、または、前記基板ホルダの回転方向を反転させることによって、前記基板の前記第１の部分を前記基板の第２の部分とは異なる時間前記動的遮蔽領域に位置させるように構成される、
請求項１１に記載のめっき装置。

【請求項13】

前記基板の第１の部分は、前記基板の前記第２の部分よりもめっき膜厚が厚い部分または薄い部分を含む、
請求項１２に記載のめっき装置。

【請求項14】

前記基板の第１の部分が、前記基板の前記第２の部分よりもめっき膜厚が厚い部分を含む場合、
前記遮蔽機構は、前記基板の前記第１の部分が前記動的遮蔽領域に位置しているときに
前記遮蔽部材を前記遮蔽位置に配置するように構成される、
請求項１３に記載のめっき装置。

【請求項15】

前記基板の第１の部分が、前記基板の前記第２の部分よりもめっき膜厚が薄い部分を含む場合、
前記遮蔽機構は、前記基板の前記第１の部分が前記動的遮蔽領域に位置しているときに前記遮蔽部材を前記退避位置に配置するように構成される、
請求項１３に記載のめっき装置。

【請求項16】

前記動的遮蔽領域は、前記基板の第１の部分が前記動的遮蔽領域に滞在するときに、前記基板の第２の部分が前記動的遮蔽領域に滞在するときと比べて、遮蔽率が変化する、
請求項１５に記載のめっき装置。

【請求項17】

めっき液を収容するように構成されためっき槽と、
前記めっき槽内に配置されたアノードと、
被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するように構成された基板ホルダと、
前記アノードと前記基板ホルダとの間に配置され、前記アノード側と前記基板ホルダ側とを貫通する複数の孔を有する、抵抗体と、
前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、
前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、
前記アノードと前記基板との間に形成される電場を遮蔽可能な遮蔽部材と、
前記遮蔽部材を、前記アノードと前記基板との間の遮蔽位置と、前記アノードと前記基板との間から退避した退避位置、との間に配置するように構成された遮蔽機構と、
を含み、
前記抵抗体は、前記遮蔽位置に配置された前記遮蔽部材と重複する動的遮蔽領域において、第１の遮蔽率を有する第１の領域と、前記第１の領域から離間した内側に配置され前記第１の遮蔽率よりも大きい第２の遮蔽率を有する第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置され前記第１の遮蔽率よりも大きく前記第２の遮蔽率よりも小さい第３の遮蔽率を有する第３の領域と、を含み、前記第３の領域は、前記動的遮蔽領域を超えて周方向に沿って延伸し、延伸した領域において均一に前記第３の遮蔽率を有し、
前記抵抗体は、前記第２の領域よりも内側および前記第２の領域の周方向の他の部分に配置され、前記第２の遮蔽率よりも小さく前記第３の遮蔽率と同一の第４の遮蔽率を有する第４の領域を含む、
めっき装置。

【請求項18】

前記抵抗体は、前記第１の領域の周方向の他の部分および前記第３の領域の周方向の他の部分に配置され前記孔よりも大きい開口を有する第５の領域をさらに含む、
請求項１７に記載のめっき装置。

【請求項19】

前記抵抗体は、前記第１の領域および前記第５の領域の周方向の他の部分に配置され前記第１の遮蔽率よりも大きい第６の遮蔽率を有する第６の領域をさらに含む、
請求項１８に記載のめっき装置。

【請求項20】

前記第１の領域は、前記基板ホルダに保持された基板に対向する前記抵抗体の総面積の０．３５％未満の面積を有する、
請求項１７から１９のいずれか一項に記載のめっき装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、めっき装置、およびめっき方法に関する。

【背景技術】

【0002】

めっき装置の一例としてカップ式の電解めっき装置が知られている。カップ式の電解めっき装置は、被めっき面を下方に向けて基板ホルダに保持された基板（例えば半導体ウェハ）をめっき液に浸漬させ、基板とアノードとの間に電圧を印加することによって、基板の表面に導電膜を析出させる。

【0003】

カップ式の電解めっき装置では、遮蔽部材を用いてアノードと基板との間に形成される電場を遮蔽することが知られている。例えば特許文献１には、基板の特定の部位が所定の回転角度の範囲内に回転したときに、遮蔽部材を基板の特定の部位とアノードとの間に移動させることによって、所望のタイミングでのみ基板の特定の部位を遮蔽する電解めっき装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特許６９０１６４６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、従来技術の電解めっき装置は、基板の周縁部のめっき膜厚の乱れを是正して被めっき面全体のめっき膜厚の均一化を向上させることについて改善の余地がある。

【0006】

すなわち、基板の被めっき面の周縁部のめっき膜厚は、基板ホルダに設けられたコンタクトの給電不均一、シード厚不均一、パターン形状など様々な影響により、局所的に乱れることがある。例えば、基板の周縁部において、めっき膜厚が標準的な部分、標準的な部分より厚くなる部分、および標準的な部分より薄くなる部分が混在する場合がある。また、基板の周縁部の全体のめっき膜厚が、標準的な基板に比べて厚くなったり薄くなったりする場合もある。

【0007】

そこで、本願は、基板の周縁部のめっき膜厚の乱れを是正して被めっき面全体のめっき膜厚の均一化を向上させることを１つの目的としている。

【課題を解決するための手段】

【0008】

一実施形態によれば、めっき液を収容するように構成されためっき槽と、前記めっき槽内に配置されたアノードと、被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するように構成された基板ホルダと、前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、前記アノードと前記基板との間に形成される電場を遮蔽可能な遮蔽部材と、前記遮蔽部材を、前記アノードと前記基板との間の基準位置、前記基準位置よりも電場遮蔽面積が大きくなる遮蔽位置、および前記アノードと前記基板との間から退避した退避位置、の間で切り替えて配置するように構成された遮蔽機構と、を含む、めっき装置が開示される。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。

【図2】図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。

【図3】図３は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材が基準位置に移動した状態を示している。

【図4】図４は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材が遮蔽位置に移動した状態を示している。

【図5】図５は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材が退避位置に移動した状態を示している。

【図6】図６は、遮蔽部材を退避位置、基準位置、および遮蔽位置に配置した状態を模式的に示す平面図である。

【図7】図７は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。

【図8】図８は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法のフローチャートである。

【図9】図９は、基板の種類に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。

【図10】図１０は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法のフローチャートである。

【図11】図１１は、一実施形態の抵抗体に含まれる複数の領域を示す平面図である。

【図12】図１２は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を調整した場合のめっき膜厚の例を模式的に示す図である。

【図13】図１３は、一実施形態の抵抗体に含まれる複数の領域を示す平面図である。

【図14】図１４は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。

【図15】図１５は、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅを遮蔽するタイミングと基板ホルダの回転速度との関係を示す図である。

【図16】図１６は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。

【図17】図１７は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。

【図18】図１８は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。

【図19】図１９は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。

【図20】図２０は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

【0011】

＜めっき装置の全体構成＞
図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図１、２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、および、制御モジュール８００を備える。

【0012】

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないFOUPなどのカセットに収納された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数および配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００およびスピンリンスドライヤ６００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０および搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、図示していない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。

【0013】

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数および配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数および配置は任意である。

【0014】

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数および配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数および配置は任意である。

【0015】

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤの数および配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

【0016】

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収納された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板をプリウェットモジュール２００へ受け渡す。

【0017】

プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

【0018】

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送ロボット１１０は、スピンリンスドライヤ６００から基板を受け取り、乾燥処理を施した基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収納したカセットが搬出される。

【0019】

＜めっきモジュールの構成＞
次に、めっきモジュール４００の構成を説明する。本実施形態における２４台のめっきモジュール４００は同一の構成であるので、１台のめっきモジュール４００のみを説明する。図３は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材が基準位置に移動した状態を示している。図４は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材が遮蔽位置に移動した状態を示している。図５は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材が退避位置に移動した状態を示している。

【0020】

図３～図５に示すように、めっきモジュール４００は、めっき液を収容するためのめっき槽４１０を備える。めっきモジュール４００は、めっき槽４１０の内部を上下方向に隔てるメンブレン４２０を備える。めっき槽４１０の内部はメンブレン４２０によってカソード領域４２２とアノード領域４２４に仕切られる。

【0021】

カソード領域４２２とアノード領域４２４にはそれぞれめっき液が充填される。めっきモジュール４００は、カソード領域４２２に向けて開口したノズル４２６と、ノズル４２６を介してカソード領域４２２にめっき液を供給するための供給源４２８と、を備える。めっきモジュール４００は、アノード領域４２４についても同様に、アノード領域４２４にめっき液を供給するための機構を備えるが図示を省略する。アノード領域４２４のめっき槽４１０の底面にはアノード４３０が設けられる。カソード領域４２２にはメンブレン４２０に対向して抵抗体４５０が配置され、この抵抗体４５０はめっき槽４１０に直接または間接的に取り付けられる。抵抗体４５０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにおけるめっき処理の均一化を図るための部材であり、多数の孔が形成された板状部材によって構成される。

【0022】

また、めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けた状態で基板Ｗｆを保持するための基板ホルダ４４０を備える。基板ホルダ４４０は、図示していない電源から基板Ｗｆに給電するための給電接点（給電コンタクト）を備える。基板ホルダ４４０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外縁部を支持するためのシールリングホルダ４４２と、シールリングホルダ４４２を図示していない基板ホルダ本体に保持するためのフレーム４４６と、を備える。また、基板ホルダ４４０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの裏面を押圧するためのバックプレート４４４と、バックプレート４４４の基板押圧面の裏面に取り付けられたシャフト４４８と、を備える。

【0023】

めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０を昇降させるための昇降機構４４３と、シャフト４４８の仮想軸（被めっき面Ｗｆ－ａの中央を垂直に伸びる仮想的な回転軸）の周りに基板Ｗｆが回転するように基板ホルダ４４０を回転させるための回転機構４４７と、を備える。昇降機構４４３および回転機構４４７は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。めっきモジュール４００は、昇降機構４４３を用いて基板Ｗｆをカソード領域４２２のめっき液に浸漬し、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に電圧を印加することによって、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにめっき処理を施すように構成される。

【0024】

めっきモジュール４００は、基板Ｗｆの周縁部のめっき膜厚を計測するように構成された膜厚センサ４９０を含む。膜厚センサ４９０は、本実施形態では、基板Ｗｆの周縁部に対向するように抵抗体４５０に取り付けられる。膜厚センサ４９０は、めっき処理中に、光学、電場、磁場、電位など任意の手法を用いて、対向する基板Ｗｆの周縁部におけるめっき膜厚を計測するように構成される。めっき処理中に基板は回転するので、膜厚センサ４９０は、基板の周縁部の周方向に沿っためっき膜厚分布を計測することができる。

【0025】

めっきモジュール４００は、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に配置されたときにアノード４３０と基板Ｗｆとの間に形成される電場を遮蔽するための遮蔽部材４８１を備える。遮蔽部材４８１は例えば板状に形成された遮蔽板であってもよい。また、めっきモジュール４００は、遮蔽部材４８１を移動させるための遮蔽機構４８５を備える。遮蔽機構４８５は、遮蔽部材４８１の位置を切り替えて配置できるように構成されている。以下、遮蔽機構４８５の具体例を説明する。

【0026】

図６は、遮蔽部材を退避位置、基準位置、および遮蔽位置に配置した状態を模式的に示す平面図である。図６（Ａ）は遮蔽部材４８１が基準位置に配置された状態を示し、図６（Ｂ）は遮蔽部材４８１が遮蔽位置に配置された状態を示し、図６（Ｃ）は遮蔽部材４８１が退避位置に配置された状態を示している。

【0027】

図３～５、および図６に示すように、遮蔽機構４８５は、遮蔽部材４８１を、アノード４３０と基板Ｗｆとの間の基準位置、基準位置よりも電場遮蔽面積が大きくなる遮蔽位置、およびアノード４３０と基板Ｗｆとの間から退避した退避位置、の間で切り替えて配置するように構成される。図６（Ａ）から図６（Ｃ）に示すように、基準位置は、遮蔽部材４８１と基板Ｗｆが平面視で重なり合う位置であり、遮蔽位置は、遮蔽部材４８１と基板Ｗｆが平面視で基準位置よりも大きく重なり合う位置であり、退避位置は、遮蔽部材４８１と基板Ｗｆが平面視で重なり合わない位置である。このように、遮蔽部材４８１を基準位置、遮蔽位置、退避位置、の３個の位置の間で切り替えることで、電場遮蔽面積を変化させ、基板Ｗｆの周縁部のめっき膜厚を変化させる。

【0028】

例えば、遮蔽機構４８５は、膜厚センサ４９０によって計測された基板Ｗｆの周縁部のめっき膜厚の分布に応じて、遮蔽部材４８１を基準位置、遮蔽位置、および退避位置の間で切り替えて配置するように構成されてもよい。なお、本実施形態では、遮蔽機構４８５が遮蔽部材４８１を３個の位置の間で切り替えて配置する例を示すが、これに限らず、遮蔽機構４８５は、遮蔽部材４８１を４個以上の位置の間で切り替えて配置することもできる。また、本明細書において、遮蔽機構４８５が遮蔽部材４８１を所定の位置に配置するというのは、単に遮蔽部材４８１を移動させる過程で所定の位置を通過させるということではなく、遮蔽部材４８１を所定の位置に停止させることを意味する。

【0029】

図７は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。図７（Ａ）から図７（Ｄ）は、基板Ｗｆの回転に伴って遮蔽部材の配置位置を切り替える様子を示している。図７（Ａ）から図７（Ｄ）に示すように、基板Ｗｆが回転すると遮蔽部材４８１に対して基板Ｗｆの周縁部が順次近接する。図７の例では、基板Ｗｆの周縁部に、第１のめっき膜厚（基準膜厚）、第１のめっき膜厚よりも厚い第２のめっき膜厚、および、第１のめっき膜厚よりも薄い第３のめっき膜厚が形成されており、基板Ｗｆの周縁部にめっき膜厚の乱れが生じているものとする。めっき膜厚の乱れは、基板ホルダ４４０に設けられたコンタクトの給電不均一、基板Ｗｆの被めっき面におけるシード厚不均一、基板Ｗｆの被めっき面におけるパターン形状など様々な要因によって生じ得る。

【0030】

図７（Ａ）に示すように、遮蔽機構４８５は、第１のめっき膜厚が形成される基板Ｗｆの第１の周縁部Ｗｆ－ｂに対して遮蔽部材４８１を基準位置に配置するように構成される。具体的には、基板Ｗｆの第１の周縁部Ｗｆ－ｂが遮蔽部材４８１に近接すると、遮蔽機構４８５は、遮蔽部材４８１を基準位置に配置する。また、図７（Ｂ）に示すように、遮蔽機構４８５は、第２のめっき膜厚が形成される基板Ｗｆの第２の周縁部Ｗｆ－ｃに対して遮蔽部材４８１を遮蔽位置に配置するように構成される。具体的には、基板Ｗｆが回転して基板Ｗｆの第２の周縁部Ｗｆ－ｃが遮蔽部材４８１に近接すると、遮蔽機構４８５は、遮蔽部材４８１を遮蔽位置に配置する。また、図７（Ｃ）に示すように、基板Ｗｆがさらに回転して再び第１の周縁部Ｗｆ－ｂが遮蔽部材４８１に近接すると、遮蔽機構４８５は、遮蔽部材４８１を基準位置に配置する。また、図７（Ｄ）に示すように、遮蔽機構４８５は、第３のめっき膜厚が形成される基板Ｗｆの第３の周縁部Ｗｆ－ｄに対して遮蔽部材４８１を退避位置に配置するように構成される。具体的には、基板Ｗｆがさらに回転して基板Ｗｆの第３の周縁部Ｗｆ－ｄが遮蔽部材４８１に近接すると、遮蔽機構４８５は、遮蔽部材４８１を退避位置に配置する。なお、図７（Ａ）（Ｃ）では基板ホルダ４４０に保持された基板Ｗｆを一方向に一定の速度で回転させ、図７（Ｂ）（Ｄ）では基板ホルダ４４０に保持された基板Ｗｆを一方向に一定の速度で回転させる例を示したが、これに限定されない。

【0031】

本実施形態によれば、第２の周縁部Ｗｆ－ｃに対して遮蔽部材４８１を遮蔽位置に配置することによって、第２の周縁部Ｗｆ－ｃに対するめっき膜厚形成を抑制することができるので、第２の周縁部Ｗｆ－ｃのめっき膜厚を基準膜厚に近づけることができる。一方、第３の周縁部Ｗｆ－ｄに対して遮蔽部材４８１を退避位置に配置することによって、第３の周縁部Ｗｆ－ｄに対するめっき膜厚形成を促進することができるので、第３の周縁部Ｗｆ－ｄめっき膜厚を基準膜厚に近づけることができる。その結果、本実施形態によれば、基板の周縁部のめっき膜厚の乱れを是正して被めっき面全体のめっき膜厚の均一化を向上させることができる。

【0032】

なお、本実施形態では、膜厚センサ４９０によって計測された基板Ｗｆの周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材４８１の配置位置を決定する例を示したが、これに限定されない。すなわち、めっきモジュール４００は、膜厚センサ４９０を含んでいなくてもよい。この場合、遮蔽機構４８５は、あらかじめ実験などにより取得された基板Ｗｆのめっき膜厚の分布に基づいて、同種の基板Ｗｆに対して同様のめっき膜厚分布が形成されると予測することができる。そこで、遮蔽機構４８５は、基板Ｗｆの周縁部に形成されるめっき膜厚の分布に応じて、遮蔽部材４８１を基準位置、遮蔽位置、および退避位置の間で切り替えて配置するように構成されてもよい。

【0033】

次に、本実施形態のめっきモジュール４００を用いためっき方法について説明する。図８は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法のフローチャートである。

【0034】

めっき方法は、基板ホルダ４４０に基板Ｗｆを設置する（ステップ１０２）。ステップ１０２は、例えば被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けた状態の基板Ｗｆを図示していないロボットハンドなどによってシールリングホルダ４４２に置き、バックプレート４４４によって基板Ｗｆの裏面を押圧することによって実行することができる。

【0035】

続いて、めっき方法は、昇降機構４４３によって基板ホルダ４４０をめっき槽４１０内に降下させる（降下ステップ１０４）。続いて、めっき方法は、回転機構４４７によって基板ホルダ４４０を回転させる（回転ステップ１０６）。

【0036】

続いて、めっき方法は、めっき槽４１０内に配置されたアノード４３０と基板ホルダ４４０に保持された基板Ｗｆとの間に電圧を印加することによって被めっき面Ｗｆ－ａにめっき処理を施す（めっきステップ１０８）。なお、ステップ１０６、１０８は順序が入れ替わってもよいし同時に実行されてもよい。

【0037】

続いて、めっき方法は、膜厚センサ４９０を用いて基板Ｗｆの周縁部のめっき膜厚を計測する（計測ステップ１１０）。続いて、めっき方法は、計測ステップ１１０によって計測された基板Ｗｆの周縁部のめっき膜厚の分布に応じて、遮蔽部材４８１を基準位置、遮蔽位置、および退避位置の間で切り替えて配置する（遮蔽ステップ１１２）。

【0038】

遮蔽ステップ１１２は、具体的には、遮蔽部材４８１に近接する基板Ｗｆの周縁部の種類を判定するステップ１１２－ａを含む。遮蔽ステップ１１２は、基板Ｗｆの第１の周縁部Ｗｆ－ｂが遮蔽部材４８１に近接していると判定した場合には、第１の周縁部Ｗｆ－ｂに対して遮蔽部材４８１を基準位置に配置する第１の配置ステップ１１２－ｂを含む。遮蔽ステップ１１２は、基板Ｗｆの第２の周縁部Ｗｆ－ｃが遮蔽部材４８１に近接していると判定した場合には、第２の周縁部Ｗｆ－ｃに対して遮蔽部材４８１を遮蔽位置に配置する第２の配置ステップ１１２－ｃを含む。遮蔽ステップ１１２は、基板Ｗｆの第３の周縁部Ｗｆ－ｄが遮蔽部材４８１に近接していると判定した場合には、第３の周縁部Ｗｆ－ｄに対して遮蔽部材４８１を退避位置に配置する第３の配置ステップ１１２－ｄを含む。これにより、基板の周縁部のめっき膜厚の乱れを是正して被めっき面全体のめっき膜厚の均一化を向上させることができる。

【0039】

続いて、めっき方法は、めっき処理を終了すべきか否かを判定する（ステップ１１４）。めっき方法は、例えばめっき処理を開始してから所定時間が経過していないことによりめっき処理を終了すべきではないと判定した場合には（ステップ１１４，Ｎｏ）、ステップ１１０に戻って処理を継続する。

【0040】

一方、めっき方法は、例えばめっき処理を開始してから所定時間が経過したことによりめっき処理を終了すべきと判定した場合には（ステップ１１４，Ｙｅｓ）、アノード４３０と基板Ｗｆとの間の電圧印加を停止することによってめっき処理を停止する（ステップ１１６）。続いて、めっき方法は、回転機構４４７による基板ホルダ４４０の回転を停止する（ステップ１１８）。続いて、めっき方法は、昇降機構４４３によって基板ホルダ４４０を上昇させる（ステップ１２０）。これにより、一連のめっき処理は終了する。

【0041】

次に、他の実施形態のめっきモジュール４００について説明する。上記の実施形態では、遮蔽機構４８５は、基板Ｗｆの周縁部のめっき膜厚の分布に応じて、遮蔽部材４８１を基準位置、遮蔽位置、および退避位置の間で切り替えて配置するように構成されたが、これに限定されない。遮蔽機構４８５は、基板ホルダ４４０に保持される基板Ｗｆの種類に応じて、遮蔽部材４８１を基準位置、遮蔽位置、および退避位置の間で切り替えて配置するように構成されてもよい。以下、この点について説明する。

【0042】

図９は、基板の種類に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。図９（Ａ）は、異なる３種類の基板に対して、遮蔽部材４８１を基準位置に配置してめっき処理を行ったときのそれぞれのめっき膜厚分布を示している。図９（Ｂ）は、３種類の基板に対して遮蔽部材４８１を基準位置、遮蔽位置、退避位置に配置している状態を示している。図９（Ｃ）は、図９（Ｂ）のように遮蔽部材４８１を配置した結果、基板に形成されるめっき膜厚分布を示している。

【0043】

図９（Ａ）に示すように、基板Ｗｆの被めっき面におけるシード厚不均一、基板Ｗｆの被めっき面におけるパターン形状など様々な要因によって、基板の周縁部のめっき膜厚には乱れが生じ得る。例えば図９（Ａ）上段に示すように、遮蔽部材４８１を基準位置に配置した状態でめっき処理した結果、基板全体で均一のめっき膜厚分布が得られたとする。この場合、遮蔽機構４８５は、同種の基板に対しては図９（Ｂ）上段に示すように、遮蔽部材４８１を基準位置に配置する。その結果、図９（Ｃ）上段に示すように、被めっき面全体のめっき膜厚の均一化が得られる。

【0044】

一方、例えば、例えば図９（Ａ）中段に示すように、遮蔽部材４８１を基準位置に配置した状態でめっき処理した結果、基板の周縁部のめっき膜厚が中央部に比べて厚くなったとする。この場合、遮蔽機構４８５は、同種の基板に対しては図９（Ｂ）中段に示すように、遮蔽部材４８１を遮蔽位置に配置する。その結果、基板Ｗｆの周縁部に対するめっき膜厚形成を抑制することができるので、図９（Ｃ）中段に示すように、被めっき面全体のめっき膜厚の均一化を向上させることができる。

【0045】

また、例えば、例えば図９（Ａ）下段に示すように、遮蔽部材４８１を基準位置に配置した状態でめっき処理した結果、基板の周縁部のめっき膜厚が中央部に比べて薄くなったとする。この場合、遮蔽機構４８５は、同種の基板に対しては図９（Ｂ）下段に示すように、遮蔽部材４８１を退避位置に配置する。その結果、基板Ｗｆの周縁部に対するめっき膜厚形成を促進することができるので、図９（Ｃ）下段に示すように、被めっき面全体のめっき膜厚の均一化を向上させることができる。以上により、本実施形態によれば、基板の周縁部のめっき膜厚の乱れを是正して被めっき面全体のめっき膜厚の均一化を向上させることができる。

【0046】

次に、本実施形態のめっきモジュール４００を用いためっき方法について説明する。図１０は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法のフローチャートである。

【0047】

めっき方法は、基板ホルダ４４０に保持される基板の種類を判定する（判定ステップ２０１）。判定ステップ２０１は、例えば、あらかじめ実験などにより取得された同種の基板Ｗｆのめっき膜厚の分布に基づいて、基板の種類を判定することができる。続いて、めっき方法は、基板ホルダ４４０に基板Ｗｆを設置する（ステップ２０２）。ステップ２０２は、例えば被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けた状態の基板Ｗｆを図示していないロボットハンドなどによってシールリングホルダ４４２に置き、バックプレート４４４によって基板Ｗｆの裏面を押圧することによって実行することができる。

【0048】

続いて、めっき方法は、昇降機構４４３によって基板ホルダ４４０をめっき槽４１０内に降下させる（降下ステップ２０４）。続いて、めっき方法は、回転機構４４７によって基板ホルダ４４０を回転させる（回転ステップ２０６）。

【0049】

続いて、めっき方法は、めっき槽４１０内に配置されたアノード４３０と基板ホルダ４４０に保持された基板Ｗｆとの間に電圧を印加することによって被めっき面Ｗｆ－ａにめっき処理を施す（めっきステップ２０８）。

【0050】

続いて、めっき方法は、判定ステップ２０１で判定された基板の種類に応じて、遮蔽部材４８１を、基準位置、遮蔽位置、および退避位置の間で切り替えて配置する（遮蔽ステップ２１０）。具体的には、遮蔽ステップは、図９（Ａ）（Ｂ）を用いて説明したように、基板の周縁部に形成されるめっき膜厚が中央部に比べて同等か、厚いか、または薄いかに応じて遮蔽部材４８１を基準位置、遮蔽位置、または退避位置に切り替えて配置する。これにより、図９（Ｃ）に示すように、基板の周縁部のめっき膜厚の乱れを是正して被めっき面全体のめっき膜厚の均一化を向上させることができる。なお、ステップ２０６、２０８、２１０は順序が入れ替わってもよいし同時に実行されてもよい。

【0051】

続いて、めっき方法は、めっき処理を終了すべきか否かを判定する（ステップ２１２）。めっき方法は、例えばめっき処理を開始してから所定時間が経過していないことによりめっき処理を終了すべきではないと判定した場合には（ステップ２１２，Ｎｏ）、ステップ２１２に戻って処理を継続する。

【0052】

一方、めっき方法は、例えばめっき処理を開始してから所定時間が経過したことによりめっき処理を終了すべきと判定した場合には（ステップ２１２，Ｙｅｓ）、アノード４３０と基板Ｗｆとの間の電圧印加を停止することによってめっき処理を停止する（ステップ２１４）。続いて、めっき方法は、回転機構４４７による基板ホルダ４４０の回転を停止する（ステップ２１６）。続いて、めっき方法は、昇降機構４４３によって基板ホルダ４４０を上昇させる（ステップ２１８）。これにより、一連のめっき処理は終了する。

【0053】

次に、本実施形態のめっき装置１０００の別の態様について説明する。上記の実施形態では、めっき装置１０００に含まれる抵抗体４５０は、円板部材の周方向に沿って多数の孔が均等間隔に形成される例を示したが、これに限定されない。以下、この点について説明する。

【0054】

図１１は、一実施形態の抵抗体に含まれる複数の領域を示す平面図である。抵抗体４５０は、円板部材４５１に多数の孔４５２が形成されて構成される。なお、図１１では、円板部材４５１に形成される多数の孔４５２のうちの一部のみを図示しているが、実際には破線４５５内に全体的に孔４５２が形成される。破線４５５は基板の被めっき面を示し、抵抗体の金属イオンが透過する領域（イオン透過領域）は、この基板の被めっき面と略同一もしくは若干小さく設定されており、抵抗体による遮蔽領域とは、後述する開口４５４（Ｓ５領域）を除いた領域を指す。この設定により、基板Ｗｆの被めっき面に対して、抵抗体４５０が適切に機能し、めっき液の流れと基板上の金属のめっき分布の細かい調整が可能になる。円板部材４５１には多数の孔４５２が形成されるが、円板部材４５１の周方向に沿って非均等に孔４５２が形成される部分がある。より具体的には、図１１に示すように、抵抗体４５０は、遮蔽部材４８１が遮蔽位置に配置されたときに抵抗体４５０と遮蔽部材４８１とが重複する動的遮蔽領域ＤＡを有する。抵抗体４５０は、動的遮蔽領域ＤＡにおいて、第１の遮蔽率を有する第１の領域Ｓ１を含む。第１の遮蔽率とは、抵抗体４５０が領域Ｓ１において金属イオンの透過を遮蔽する割合のことであり、第１の遮蔽率＝１－領域Ｓ１内の孔の総面積／領域Ｓ１の面積となる。後述する他の領域の遮蔽率についても同様である。なお、各総面積は隣接する他の領域の孔までを境界として算出している。第１の領域Ｓ１は、基板ホルダ４４０に保持された基板に対向する抵抗体４５０の総面積の０．３５％未満の面積を有する。

【0055】

また、抵抗体４５０は、動的遮蔽領域ＤＡにおいて、第１の領域Ｓ１から離間した内側に配置され、第１の遮蔽率よりも大きい第２の遮蔽率を有する第２の領域Ｓ２を含む。また、抵抗体４５０は、動的遮蔽領域ＤＡにおいて、第１の領域Ｓ１と第２の領域Ｓ２との間に配置され、第１の遮蔽率よりも大きく第２の遮蔽率よりも小さい第３の遮蔽率を有する第３の領域Ｓ３を含む。動的遮蔽領域ＤＡ内に第１の領域Ｓ１、第２の領域Ｓ２および第３の領域Ｓ３が配置されることにより、動的遮蔽領域ＤＡ内において、遮蔽率が動的に変化する。第３の領域Ｓ３は、動的遮蔽領域ＤＡを超えて周方向に沿って延伸し、延伸した領域において均一に第３の遮蔽率を有する。本実施形態では、第３の領域Ｓ３は、抵抗体４５０の所定の半径位置（４３列目）において全周にわたって延伸し、全周にわたって均一に第３の遮蔽率を有する。なお、第１の領域Ｓ１は、抵抗体４５０の遮蔽領域の周縁部において周方向の全体に対して局所的な遮蔽率を有する領域であるので、本明細書では、第１の領域Ｓ１を「局所遮蔽領域」という。

【0056】

また、抵抗体４５０は、第２の領域Ｓ２よりも内側および第２の領域Ｓ２の周方向の他の部分に配置され、第２の遮蔽率よりも小さい第４の遮蔽率を有する第４の領域Ｓ４をさらに含む。また、抵抗体４５０は、第１の領域Ｓ１の周方向の他の部分（具体的には第１の領域Ｓ１に対して９０度ずれた部分）に配置され、孔４５２よりも大きい開口４５４を有する第５の領域Ｓ５をさらに含む。第５の領域Ｓ５の遮蔽率は０であり、抵抗体の遮蔽領域は、特定の領域（第１の領域、第２の領域、第３の領域、第４の領域、第６の領域）を指し、これらは基板が異なる方位位置にある時に異なる遮蔽率によって特徴づけられる。また、抵抗体４５０は、第１の領域Ｓ１および第５の領域Ｓ５の周方向の他の部分に配置され、第１の遮蔽率よりも大きい第６の遮蔽率を有する第６の領域Ｓ６をさらに含む。

【0057】

図１１に示す例の一態様では、第４の領域Ｓ４は、円板部材の中心（０列目）から４０列目の全周、および４１列目と４２列目の一部に配置され、第４の遮蔽率は７２％となる。また、第２の領域Ｓ２は、４１列目および４２列目の一部に配置され、第２の遮蔽率は８４％となる。また、第３の領域Ｓ３は、４３列目に配置され、第３の遮蔽率は６６％となる。また、第１の領域Ｓ１は、４４列目および４５列目の一部に配置され、第１の遮蔽率は４８％となる。また、第６の領域Ｓ６は、４４列目の一部に配置され、第６の遮蔽率は８６％となる。

【0058】

図１１に示す例の別の態様では、第４の領域Ｓ４は、円板部材の中心（０列目）から４０列目までの全周、および４１列目の一部に配置され、第４の遮蔽率は７２％となる。また、第２の領域Ｓ２は、４１列目の一部に配置され、第２の遮蔽率は８６％となる。また、第３の領域Ｓ３は、４２列目および４３列目に配置され、第３の遮蔽率は４２列目が７２％、４３列目が６６％となる。また、第１の領域Ｓ１は、４４列目および４５列目の一部に配置され、第１の遮蔽率は４８％となる。第６の領域Ｓ６は、４４列目の一部に配置され、第６の遮蔽率は、８６％となる。

【0059】

図１２は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を調整した場合のめっき膜厚の例を模式的に示す図である。図１２の上段に示すように、基板の周縁部のめっき膜厚が厚い部分に対して、遮蔽機構４８５は、遮蔽部材４８１を遮蔽位置に配置する。これにより、当該部分のめっき膜厚形成を抑制することができるので、当該部分のめっき膜厚を基準膜厚（正常膜厚）に近づけることができる。

【0060】

また、図１２の中段に示すように、基板の周縁部のめっき膜厚が正常な部分に対して、遮蔽機構４８５は、遮蔽部材４８１を基準位置に配置する。これにより、当該部分のめっき膜厚形成を正常膜厚に保つことができる。また、図１２の下段に示すように、基板の周縁部のめっき膜厚が薄い部分に対して、遮蔽機構４８５は、遮蔽部材４８１を退避位置に配置する。これにより、当該部分のめっき膜厚形成を促進することができるので、当該部分のめっき膜厚を基準膜厚（正常膜厚）に近づけることができる。

【0061】

本実施形態によれば、抵抗体４５０は、第３の領域Ｓ３が動的遮蔽領域ＤＡを超えて周方向に沿って延伸し、延伸した領域において均一に第３の遮蔽率を有している。したがって、本実施形態の抵抗体４５０は従来技術の抵抗体と比べて利点が存在する。すなわち、めっき膜厚が正常な箇所に対して、遮蔽部材４８１は抵抗体４５０の４２列目が露出するような基準位置に配置されてめっき処理が行われる。従来技術の抵抗体は、４１列目から４３列目の遮蔽率がその他の周方向の遮蔽率より高いため、めっき膜厚は薄くなる傾向となる。一方、本実施形態の抵抗体４５０の４３列目（または４２列目と４３列目）は、その他の周方向の遮蔽率と同じで孔が均一に配列されるため、その他の周方向の遮蔽率の異なる４１列目および４２列目（または４１列目）の電流密度分布の影響を緩和し、膜厚が正常な箇所に対して膜厚均一性または共平面性に対して影響を受けにくくなる。その結果、本実施形態によれば、遮蔽部材４８１を基準位置に配置した状態において、基板の周縁部のめっき膜厚を正常膜厚に保つことができる。

【0062】

図１１に示す例の一態様では、第４の領域Ｓ４は、円板部材の中心（０列目）から４２列目まで配置され、第４の遮蔽率は７２％となる。また、第３の領域Ｓ３は、４３列目に配置され、第３の遮蔽率は６６％となる。また、第５の領域Ｓ５は、４４列目および４５列目の一部に配置される。第５の領域Ｓ５は、孔より大きな開口４５４が形成されているので、遮蔽率は０％となる。第６の領域Ｓ６は、４４列目の一部に配置され、第６の遮蔽率は８６％となる。

【0063】

なお、上記の実施形態では、第３の領域Ｓ３が、例えば図１１に示すように円板部材４５１の全周にわたって延伸する例を示したが、これに限定されない。図１３は、一実施形態の抵抗体に含まれる複数の領域を示す平面図である。

【0064】

抵抗体４５０は、上記実施形態と同様に、動的遮蔽領域ＤＡにおいて、第１の遮蔽率を有する第１の領域Ｓ１と、第１の領域Ｓ１から離間した内側に配置され、第１の遮蔽率よりも大きい第２の遮蔽率を有する第２の領域Ｓ２と、を含む。また、抵抗体４５０は、動的遮蔽領域ＤＡにおいて、第１の領域Ｓ１と第２の領域Ｓ２との間に配置され、第１の遮蔽率よりも大きく第２の遮蔽率よりも小さい第３の遮蔽率を有する第３の領域Ｓ３を含む。第３の領域Ｓ３は、動的遮蔽領域ＤＡを超えて周方向に沿って延伸し、延伸した領域において均一に第３の遮蔽率を有する。

【0065】

図１３に示す例では、第３の領域Ｓ３は、円板部材４５１の全周にわたって延伸していない。すなわち、本実施形態では、第５の領域Ｓ５は、第１の領域Ｓ１の周方向の他の部分に加えて第３の領域Ｓ３の周方向の他の部分にも配置されている。言い換えると、第５の領域Ｓ５は、抵抗体４５０の４４列目および４５列目のみならず、４３列目まで拡張している。これにより、抵抗体４５０の４３列目の一部には第５の領域Ｓ５が存在するが、４３列目の大部分には第３の領域Ｓ３が抵抗体４５０の周方向に沿って延伸している。

【0066】

また、抵抗体４５０は、第２の領域Ｓ２よりも内側および第２の領域Ｓ２の周方向の他の部分に配置され、第２の遮蔽率よりも小さく第３の遮蔽率と同一の第４の遮蔽率と、第１の領域Ｓ１および第５の領域Ｓ５の周方向の他の部分に配置され、第１の遮蔽率よりも大きい第６の遮蔽率を有する第６の領域Ｓ６と、を含む。図１３に示す例では、第４の領域Ｓ４は、円板部材の中心（０列目）から４０列目の全周、および４１列目と４２列目の一部に配置され、第４の遮蔽率は７２％となる。また、第２の領域Ｓ２は、４１列目および４２列目の一部に配置され、第２の遮蔽率は８４％となる。また、第３の領域Ｓ３は、４３列目に配置され、第３の遮蔽率は７２％となり、第４の遮蔽率と同一になる点で上記の実施例とは異なる。また、第１の領域Ｓ１は、４４列目および４５列目の一部に配置され、第１の遮蔽率は４８％となる。また、第６の領域Ｓ６は、４４列目の一部に配置され、第６の遮蔽率は８６％となる。

【0067】

本実施形態によれば、均一な遮蔽率を有する第３の領域Ｓ３が抵抗体４５０の４３列目の大部分において抵抗体４５０の周方向に沿って延伸している。したがって、本実施形態の抵抗体４５０は従来技術の抵抗体と比べて利点が存在する。すなわち、めっき膜厚が正常な箇所に対して、遮蔽部材４８１は抵抗体４５０の４２列目が露出するような基準位置に配置されてめっき処理が行われる。従来技術の抵抗体は、４１列目から４３列目の遮蔽率がその他の周方向の遮蔽率より高いため、めっき膜厚は薄くなる傾向となる。一方、本実施形態の抵抗体４５０の４３列目の大部分は、その他の周方向の遮蔽率と同じで均一に配列されるため、その他の周方向の遮蔽率の異なる４１列目および４２列目の電流密度分布の影響を緩和し、膜厚が正常な箇所に対して膜厚均一性または共平面性に対して影響を受けにくくなる。その結果、本実施形態によれば、遮蔽部材４８１を基準位置に配置した状態において、基板の周縁部のめっき膜厚を正常膜厚に保つことができる。

【0068】

次に、本実施形態のめっき装置１０００の別の態様について説明する。図１４は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。

【0069】

上記の実施形態では、遮蔽機構４８５が、遮蔽部材４８１を、基準位置、遮蔽位置、および退避位置、の間で切り替えて配置するように構成される例を示したが、これに限定されない。遮蔽機構４８５は、遮蔽部材４８１を、アノード４３０と基板Ｗｆとの間の遮蔽位置と、アノード４３０と基板Ｗｆとの間から退避した退避位置、との間に配置するように構成されてもよい。図１４は、遮蔽機構４８５が、遮蔽部材４８１を、遮蔽位置と退避位置との間で切り替えて配置する例を示している。また、図１４は、抵抗体４５０の多数の孔が円板部材の周方向に沿って均等間隔に形成されている場合の遮蔽部材の配置位置の切り替えを示している。

【0070】

また、上記の実施形態では、回転機構４４７が、基板ホルダ４４０を一方向に一定の速度で回転させる例を示したが、これに限定されない。回転機構４４７は、基板Ｗｆの選択された方位角位置にある第１の部分Ｗｆ－ｅが、第１の部分と異なる方位角位置にあり第１の部分と同じ弧長および半径位置を有する基板の第２の部分Ｗｆ－ｆとは異なる時間、抵抗体４５０および遮蔽部材４８１によって規定される動的遮蔽領域ＤＡに位置するように基板ホルダ４４０を回転させるように構成されていてもよい。動的遮蔽領域ＤＡは、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅが動的遮蔽領域ＤＡに滞在するときに、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆが動的遮蔽領域ＤＡに滞在するときと比べて、遮蔽率が変化する領域である。

【0071】

図１４に示すように、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅが、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆよりもめっき膜厚が厚い部分を含む場合、遮蔽機構４８５は、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅが動的遮蔽領域ＤＡに位置しているときに遮蔽部材４８１を遮蔽位置に配置するように構成される。また、遮蔽機構４８５は、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆが動的遮蔽領域ＤＡに位置しているときに遮蔽部材４８１を退避位置に配置するように構成される。

【0072】

また、回転機構４４７は、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅ（膜厚が厚い部分）が、第２の部分Ｗｆ－ｆ（正常膜厚の部分）よりも長い時間、動的遮蔽領域ＤＡに位置するように基板ホルダ４４０を回転させるように構成される。

【0073】

図１５は、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅを遮蔽するタイミングと基板ホルダの回転速度との関係を示す図である。図１５のグラフの横軸は、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅの回転位置を示しており、縦軸は、遮蔽部材の位置（遮蔽位置または退避位置）、および基板ホルダ４４０の回転速度（回転方向）を示している。本例では、図１５に示すように、基板の特定の位置（例えば基板のノッチ）を基準（θ＝０）とした場合に、θ＝θ１からθ＝θ２の範囲内の周縁部にめっきの堆積速度を抑制したい第１の部分Ｗｆ－ｅが存在しているものとする。

【0074】

図１５は、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅにおけるめっきの堆積速度の追加の抑制を１回実行した（基板ホルダの回転方向を２回切り替えた）場合の遮蔽部材の位置と基板ホルダの回転速度とを示している。図１５に示すように、回転機構４４７は、まず、図１５中に矢印Ａで示すように、基板ホルダ４４０を所定の速度で第１の方向に回転させる。続いて、遮蔽機構４８５は、基板Ｗｆのθ１の位置が遮蔽部材４８１の中心にきたときに、遮蔽部材４８１を遮蔽位置に押し出す。続いて、回転機構４４７は、基板Ｗｆのθ２の位置が遮蔽部材４８１の中心にきたときに、基板ホルダ４４０の回転方向を切り替えて第２の方向に回転させる。続いて、回転機構４４７は、基板Ｗｆのθ１の位置が遮蔽部材４８１の中心にきたときに、基板ホルダ４４０の回転方向を切り替えて第１の方向に回転させる。

【0075】

回転機構４４７は、遮蔽部材４８１が遮蔽位置に配置されている間に基板ホルダ４４０の回転方向を切り替える（基板ホルダ４４０を往復回転させる）ことにより、図１５に示すように、基板ホルダ４４０を第１の方向に一定速度で回転させる場合に比べて約３倍の期間、遮蔽部材４８１を遮蔽位置に配置することができる。したがって、本実施形態によれば、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅにおけるめっき膜厚の形成を強く抑制することができる。

【0076】

なお、本実施形態では、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅが動的遮蔽領域ＤＡに位置するときに基板ホルダ４４０の回転方向を反転させる（基板ホルダ４４０を往復回転させる）例を示したが、これに限定されない。回転機構は、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅが動的遮蔽領域ＤＡに位置するときに基板ホルダ４４０の回転速度を上げる（速くする）または下げる（遅くする）ことによって、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅを基板の第２の部分Ｗｆ－ｆとは異なる時間動的遮蔽領域ＤＡに位置させるように構成されてもよい。

【0077】

図１６は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。図１６は、遮蔽機構４８５が、遮蔽部材４８１を、基準位置と遮蔽位置との間で切り替えて配置する例を示している。また、図１６は、抵抗体４５０の多数の孔が円板部材の周方向に沿って均等間隔に形成されている場合の遮蔽部材の配置位置の切り替えを示している。

【0078】

図１６に示すように、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅが、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆよりもめっき膜厚が厚い部分を含む場合、遮蔽機構４８５は、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅが動的遮蔽領域ＤＡに位置しているときに遮蔽部材４８１を遮蔽位置に配置するように構成される。また、遮蔽機構４８５は、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆが動的遮蔽領域ＤＡに位置しているときに遮蔽部材４８１を基準位置に配置するように構成される。

【0079】

また、回転機構４４７は、図１５において説明したのと同様に、基板ホルダ４４０の回転方向を切り替えることにより、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅが、第２の部分Ｗｆ－ｆよりも長い時間、動的遮蔽領域ＤＡに位置するように基板ホルダ４４０を回転させるように構成される。したがって、本実施形態によれば、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅにおけるめっき膜厚の形成を強く抑制することができる。

【0080】

図１７は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。図１７は、遮蔽機構４８５が、遮蔽部材４８１を、退避位置と遮蔽位置との間で切り替えて配置する例を示している。また、図１７は、例えば図１１から図１３に示した実施形態のように抵抗体４５０の多数の孔が円板部材の周方向に沿って非均等に形成されている場合の遮蔽部材の配置位置の切り替えを示している。

【0081】

図１７に示すように、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅが、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆよりもめっき膜厚が厚い部分を含む場合、遮蔽機構４８５は、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅが動的遮蔽領域ＤＡに位置しているときに遮蔽部材４８１を遮蔽位置に配置するように構成される。また、遮蔽機構４８５は、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆが動的遮蔽領域ＤＡに位置しているときに遮蔽部材４８１を退避位置に配置するように構成される。

【0082】

また、回転機構４４７は、図１５において説明したのと同様に、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅ（膜厚が厚い部分）が、第２の部分Ｗｆ－ｆ（正常膜厚の部分）よりも長い時間、動的遮蔽領域ＤＡに位置するように基板ホルダ４４０を回転させるように構成される。したがって、本実施形態によれば、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅにおけるめっき膜厚の形成を強く抑制することができる。

【0083】

図１８は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。図１８は、遮蔽機構４８５が、遮蔽部材４８１を、基準位置と遮蔽位置との間で切り替えて配置する例を示している。また、図１８は、例えば図１１から図１３に示した実施形態のように抵抗体４５０の多数の孔が円板部材の周方向に沿って非均等に形成されている場合の遮蔽部材の配置位置の切り替えを示している。

【0084】

図１８に示すように、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅが、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆよりもめっき膜厚が厚い部分を含む場合、遮蔽機構４８５は、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅが動的遮蔽領域ＤＡに位置しているときに遮蔽部材４８１を遮蔽位置に配置するように構成される。また、遮蔽機構４８５は、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆが動的遮蔽領域ＤＡに位置しているときに遮蔽部材４８１を基準位置に配置するように構成される。

【0085】

また、回転機構４４７は、図１５において説明したのと同様に、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅ（膜厚が厚い部分）が、第２の部分Ｗｆ－ｆ（正常膜厚の部分）よりも長い時間、動的遮蔽領域ＤＡに位置するように基板ホルダ４４０を回転させるように構成される。したがって、本実施形態によれば、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅにおけるめっき膜厚の形成を強く抑制することができる。

【0086】

図１９は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。図１９は、遮蔽機構４８５が、遮蔽部材４８１を、遮蔽位置と退避位置との間で切り替えて配置する例を示している。また、図１９は、例えば図１１から図１３に示した実施形態のように抵抗体４５０の多数の孔が円板部材の周方向に沿って非均等に形成されている場合の遮蔽部材の配置位置の切り替えを示している。

【0087】

図１９に示すように、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅが、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆよりもめっき膜厚が薄い部分を含む場合、遮蔽機構４８５は、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅが動的遮蔽領域ＤＡに位置しているときに遮蔽部材４８１を退避位置に配置するように構成される。また、遮蔽機構４８５は、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆが動的遮蔽領域ＤＡに位置しているときに遮蔽部材４８１を遮蔽位置に配置するように構成される。

【0088】

また、回転機構４４７は、図１５において説明したのと同様に、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅ（膜厚が薄い部分）が、第２の部分Ｗｆ－ｆ（正常膜厚の部分）よりも長い時間、動的遮蔽領域ＤＡに位置するように基板ホルダ４４０を回転させるように構成される。したがって、本実施形態によれば、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅにおけるめっき膜厚の形成を強く促進することができる。

【0089】

図２０は、基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて遮蔽部材の配置位置を切り替える例を模式的に示す平面図である。図２０は、遮蔽機構４８５が、遮蔽部材４８１を、基準位置、遮蔽位置、および退避位置の間で切り替えて配置する例を示している。また、図２０は、例えば図１１から図１３に示した実施形態のように抵抗体４５０の多数の孔が円板部材の周方向に沿って非均等に形成されている場合の遮蔽部材の配置位置の切り替えを示している。

【0090】

図２０に示すように、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅ１が、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆよりもめっき膜厚が厚い部分を含む場合、遮蔽機構４８５は、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅ１が動的遮蔽領域ＤＡに位置しているときに遮蔽部材４８１を遮蔽位置に配置するように構成される。また、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅ２が、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆよりもめっき膜厚が薄い部分を含む場合、遮蔽機構４８５は、基板の第１の部分Ｗｆ－ｅ２が動的遮蔽領域ＤＡに位置しているときに遮蔽部材４８１を退避位置に配置するように構成される。また、遮蔽機構４８５は、基板の第２の部分Ｗｆ－ｆが動的遮蔽領域ＤＡに位置しているときに遮蔽部材４８１を基準位置に配置するように構成される。

【0091】

また、回転機構４４７は、図１５において説明したのと同様に、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅ１（膜厚が厚い部分），ｅ２（膜厚が薄い）が、第２の部分Ｗｆ－ｆ（正常膜厚の部分）よりも長い時間、動的遮蔽領域ＤＡに位置するように基板ホルダ４４０を回転させるように構成される。したがって、本実施形態によれば、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅ１におけるめっき膜厚の形成を強く抑制するとともに、基板Ｗｆの第１の部分Ｗｆ－ｅ２におけるめっき膜厚の形成を強く促進することができる。

【0092】

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

【0093】

本願は、一実施形態として、めっき液を収容するように構成されためっき槽と、前記めっき槽内に配置されたアノードと、被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するように構成された基板ホルダと、前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、前記アノードと前記基板との間に形成される電場を遮蔽可能な遮蔽部材と、前記遮蔽部材を、前記アノードと前記基板との間の基準位置、前記基準位置よりも電場遮蔽面積が大きくなる遮蔽位置、および前記アノードと前記基板との間から退避した退避位置、の間で切り替えて配置するように構成された遮蔽機構と、を含む、めっき装置を開示する。

【0094】

また、本願は、一実施形態として、前記遮蔽機構は、前記基板の周縁部に形成されるめっき膜厚の分布応じて、前記遮蔽部材を前記基準位置、前記遮蔽位置、および前記退避位置の間で切り替えて配置するように構成される、めっき装置を開示する。

【0095】

また、本願は、一実施形態として、前記基板の周縁部のめっき膜厚を計測するように構成された膜厚センサをさらに含み、前記遮蔽機構は、前記膜厚センサによって計測された前記基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて、前記遮蔽部材を前記基準位置、前記遮蔽位置、および前記退避位置の間で切り替えて配置するように構成される、めっき装置を開示する。

【0096】

また、本願は、一実施形態として、前記遮蔽機構は、第１のめっき膜厚が形成される前記基板の第１の周縁部に対して前記遮蔽部材を前記基準位置に配置し、前記第１のめっき膜厚よりも厚い第２のめっき膜厚が形成される前記基板の第２の周縁部に対して前記遮蔽部材を前記遮蔽位置に配置し、前記第１のめっき膜厚よりも薄い第３のめっき膜厚が形成される前記基板の第３の周縁部に対して前記遮蔽部材を前記退避位置に配置するように構成される、めっき装置を開示する。

【0097】

また、本願は、一実施形態として、前記遮蔽機構は、前記基板ホルダに保持される基板の種類に応じて、前記遮蔽部材を前記基準位置、前記遮蔽位置、および前記退避位置の間で切り替えて配置するように構成される、めっき装置を開示する。

【0098】

また、本願は、一実施形態として、被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持する基板ホルダをめっき槽内に降下させる降下ステップと、前記基板ホルダを回転させる回転ステップと、前記めっき槽内に降下された基板の前記被めっき面にめっき処理を施すめっきステップと、前記めっき槽内に配置されたアノードと基板との間に形成される電場を遮蔽可能な遮蔽部材を、前記アノードと基板との間の基準位置、前記基準位置よりも電場遮蔽面積が大きくなる遮蔽位置、および前記アノードと前記基板との間から退避した退避位置、の間で切り替えて配置する遮蔽ステップと、を含む、めっき方法を開示する。

【0099】

また、本願は、一実施形態として、前記遮蔽ステップは、前記基板の周縁部に形成されるめっき膜厚の分布応じて、前記遮蔽部材を前記基準位置、前記遮蔽位置、および前記退避位置の間で切り替えて配置するように構成される、めっき方法を開示する。

【0100】

また、本願は、一実施形態として、前記基板の周縁部のめっき膜厚を計測する計測ステップをさらに含み、前記遮蔽ステップは、前記計測ステップによって計測された前記基板の周縁部のめっき膜厚の分布に応じて、前記遮蔽部材を前記基準位置、前記遮蔽位置、および前記退避位置の間で切り替えて配置するように構成される、めっき方法を開示する。

【0101】

また、本願は、一実施形態として、前記遮蔽ステップは、第１のめっき膜厚が形成される前記基板の第１の周縁部に対して前記遮蔽部材を前記基準位置に配置する第１の配置ステップと、前記第１のめっき膜厚よりも厚い第２のめっき膜厚が形成される前記基板の第２の周縁部に対して前記遮蔽部材を前記遮蔽位置に配置する第２の配置ステップと、前記第１のめっき膜厚よりも薄い第３のめっき膜厚が形成される前記基板の第３の周縁部に対して前記遮蔽部材を前記退避位置に配置する第３の配置ステップと、を含む、めっき方法を開示する。

【0102】

また、本願は、一実施形態として、前記基板ホルダに保持される基板の種類を判定する判定ステップをさらに含み、前記遮蔽ステップは、前記判定ステップで判定された基板の種類に応じて、前記遮蔽部材を、前記基準位置、前記遮蔽位置、および前記退避位置の間で切り替えて配置するように構成される、めっき方法を開示する。

【0103】

また、本願は、一実施形態として、めっき液を収容するように構成されためっき槽と、前記めっき槽内に配置されたアノードと、被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するように構成された基板ホルダと、前記アノードと前記基板ホルダとの間に配置され、局所遮蔽領域を備えた抵抗体と、前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、前記アノードと前記基板との間に形成される電場を遮蔽可能な遮蔽部材と、前記遮蔽部材を、前記アノードと前記基板との間の遮蔽位置と、前記アノードと前記基板との間から退避した退避位置、との間に配置するように構成された遮蔽機構と、を含み、前記回転機構は、基板の選択された方位角位置にある第１の部分が、前記第１の部分と異なる方位角位置にあり前記第１の部分と同じ弧長および半径位置を有する基板の第２の部分とは異なる時間、前記遮蔽部材が前記遮蔽位置に配置されたときに前記抵抗体と前記遮蔽部材とが重複する動的遮蔽領域に位置するように前記基板ホルダを回転させるように構成される、めっき装置を開示する。

【0104】

また、本願は、一実施形態として、前記回転機構は、前記基板の前記第１の部分が前記動的遮蔽領域に位置するときに前記基板ホルダの回転速度を上げる、下げる、または、前記基板ホルダの回転方向を反転させることによって、前記基板の前記第１の部分を前記基板の第２の部分とは異なる時間前記動的遮蔽領域に位置させるように構成される、めっき装置を開示する。

【0105】

また、本願は、一実施形態として、前記基板の第１の部分は、前記基板の前記第２の部分よりもめっき膜厚が厚い部分または薄い部分を含む、めっき装置を開示する。

【0106】

また、本願は、一実施形態として、前記基板の第１の部分が、前記基板の前記第２の部分よりもめっき膜厚が厚い部分を含む場合、前記遮蔽機構は、前記基板の前記第１の部分が前記動的遮蔽領域に位置しているときに前記遮蔽部材を前記遮蔽位置に配置するように構成される、めっき装置を開示する。

【0107】

また、本願は、一実施形態として、前記基板の第１の部分が、前記基板の前記第２の部分よりもめっき膜厚が薄い部分を含む場合、前記遮蔽機構は、前記基板の前記第１の部分が前記動的遮蔽領域に位置しているときに前記遮蔽部材を前記退避位置に配置するように構成される、めっき装置を開示する。

【0108】

また、本願は、一実施形態として、前記動的遮蔽領域は、前記基板の第１の部分が前記動的遮蔽領域に滞在するときに、前記基板の第２の部分が前記動的遮蔽領域に滞在するときと比べて、遮蔽率が変化する、めっき装置を開示する。

【0109】

また、本願は、一実施形態として、めっき液を収容するように構成されためっき槽と、前記めっき槽内に配置されたアノードと、被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するように構成された基板ホルダと、前記アノードと前記基板ホルダとの間に配置され、前記アノード側と前記基板ホルダ側とを貫通する複数の孔を有する、抵抗体と、前記基板ホルダを昇降させるように構成された昇降機構と、前記基板ホルダを回転させるように構成された回転機構と、前記アノードと前記基板との間に形成される電場を遮蔽可能な遮蔽部材と、前記遮蔽部材を、前記アノードと前記基板との間の遮蔽位置と、前記アノードと前記基板との間から退避した退避位置、との間に配置するように構成された遮蔽機構と、を含み、前記抵抗体は、前記遮蔽位置に配置された前記遮蔽部材と重複する動的遮蔽領域において、第１の遮蔽率を有する第１の領域と、前記第１の領域から離間した内側に配置され前記第１の遮蔽率よりも大きい第２の遮蔽率を有する第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置され前記第１の遮蔽率よりも大きく前記第２の遮蔽率よりも小さい第３の遮蔽率を有する第３の領域と、を含み、前記第３の領域は、前記動的遮蔽領域を超えて周方向に沿って延伸し、延伸した領域において均一に前記第３の遮蔽率を有し、前記抵抗体は、前記第２の領域よりも内側および前記第２の領域の周方向の他の部分に配置され、前記第２の遮蔽率よりも小さく前記第３の遮蔽率と同一の第４の遮蔽率を有する第４の領域を含む、めっき装置を開示する。

【0110】

また、本願は、一実施形態として、前記抵抗体は、前記第１の領域の周方向の他の部分および前記第３の領域の周方向の他の部分に配置され前記孔よりも大きい開口を有する第５の領域をさらに含む、めっき装置を開示する。

【0111】

また、本願は、一実施形態として、前記抵抗体は、前記第１の領域および前記第５の領域の周方向の他の部分に配置され前記第１の遮蔽率よりも大きい第６の遮蔽率を有する第６の領域をさらに含む、めっき装置を開示する。

【0112】

また、本願は、一実施形態として、前記第１の領域は、前記基板ホルダに保持された基板に対向する前記抵抗体の総面積の０．３５％未満の面積を有する、めっき装置を開示する。

【符号の説明】

【0113】

４００ めっきモジュール
４１０ めっき槽
４３０ アノード
４４０ 基板ホルダ
４４３ 昇降機構
４４７ 回転機構
４５０ 抵抗体
４５２ 孔
４５４ 開口
４８１ 遮蔽部材
４８５ 遮蔽機構
４９０ 膜厚センサ
１０００ めっき装置
Ｗｆ 基板
Ｗｆ－ａ 被めっき面
Ｗｆ－ｂ 第１の周縁部
Ｗｆ－ｃ 第２の周縁部
Ｗｆ－ｄ 第３の周縁部
Ｗｆ－ｅ 第１の部分
Ｗｆ－ｆ 第２の部分
ＤＡ 動的遮蔽領域
Ｓ１ 第１の領域
Ｓ２ 第２の領域
Ｓ３ 第３の領域
Ｓ４ 第４の領域
Ｓ５ 第５の領域
Ｓ６ 第６の領域

【要約】

基板の周縁部のめっき膜厚の乱れを是正して被めっき面全体のめっき膜厚の均一化を向上させる。
めっきモジュール４００は、めっき液を収容するように構成されためっき槽４１０と、めっき槽４１０内に配置されたアノード４３０と、被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けた状態で基板Ｗｆを保持するように構成された基板ホルダ４４０と、基板ホルダ４４０を昇降させるように構成された昇降機構４４３と、基板ホルダ４４０を回転させるように構成された回転機構４４７と、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に形成される電場を遮蔽可能な遮蔽部材４８１と、遮蔽部材４８１を、アノード４３０と基板Ｗｆとの間の基準位置、基準位置よりも電場遮蔽面積が大きくなる遮蔽位置、およびアノード４３０と基板Ｗｆとの間から退避した退避位置、の間で切り替えて配置するように構成された遮蔽機構４８５と、を含む。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】