特許 7609968 低温応用例のための静電チャックアセンブリ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-23

(45)【発行日】2025-01-07

(54)【発明の名称】低温応用例のための静電チャックアセンブリ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20241224BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20241224BHJP

   C23C 14/50 20060101ALI20241224BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20241224BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/302 101G

C23C14/50 A

C23C16/458

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2023505365

(86)(22)【出願日】2021-12-16

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-10-10

(86)【国際出願番号】 US2021063908

(87)【国際公開番号】W WO2022177632

(87)【国際公開日】2022-08-25

【審査請求日】2023-03-23

(31)【優先権主張番号】63/151,294

(32)【優先日】2021-02-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】17/317,816

(32)【優先日】2021-05-11

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】パーケ， ヴィジェイ ディー．

【審査官】境 周一

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１１－２２２９７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２０／１８５４６７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０２０－０２３０８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－２０６８０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／００３５５３５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００８－０７１８４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１４４１１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－１５９８３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－０７９８６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－００６３９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１８－５１０４９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１６／０２７６１９６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０２０－０４５４５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】Ａ６０６１とは？［強度・比重・ヤング率・硬度］機械的性質と耐食性，機械技術ノート，2020年05月12日，https://tec-note.com/847

【文献】Ａ４０３２とは？［強度・比重・ヤング率・硬度］機械的性質と耐食性，機械技術ノート，2020年05月12日，https://tec-note.com/1035

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｃ２３Ｃ １４／５０

Ｃ２３Ｃ １６／４５８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

底面の反対側のワークピース支持面を有する静電チャックと、
頂面を有する冷却プレートであって、２２パーツ・パー・ミリオン（ｐｐｍ）未満の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有するアルミニウム合金を含み、かつ、第１の層および第２の層を備える交代層のスタックを備え、前記第１の層は前記アルミニウム合金を含み、前記第２の層はモリブデンを含む、冷却プレートと、
前記静電チャックの前記底面および前記冷却プレートの前記頂面を固定する接着層であって、シリコーン材料を含む、接着層と、
を備える、静電チャックアセンブリ。

【請求項2】

前記アルミニウム合金は、８０原子百分率（ａｔ％）から９０ａｔ％までのアルミニウム、および、５ａｔ％から２０ａｔ％までのシリコンを含む、請求項１に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項3】

前記アルミニウム合金は、アルミニウムと、シリコンと、モリブデン、タングステン、クロム、およびそれらの合金からなるグループから選択された少なくとも１つの金属とを含む、請求項１に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項4】

前記アルミニウム合金は、３０ａｔ％から６０ａｔ％までのアルミニウム、３０ａｔ％から６０ａｔ％までのモリブデン、および、５ａｔ％から３０ａｔ％までのシリコンを含む、請求項１に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項5】

前記アルミニウム合金は、２０ｐｐｍ未満の熱膨張係数を有する、請求項１に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項6】

前記冷却プレートは、少なくとも第１の層および第２の層を備える中間シートまたは層のスタックを備え、前記第１の層および前記第２の層の各々は、互いに異なる金属を独立に含有し、各金属は異なるＣＴＥを有する、請求項１に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項7】

前記第１の層は、銅、インジウム、マグネシウム、それらの合金、およびそれらの任意の組み合わせからなるグループから選択された、１つまたは複数の金属を含み、前記第２の層は、モリブデン、タングステン、クロム、鉄、ニッケル、チタン、ジルコニウム、鉄ニッケルコバルト合金、それらの合金、およびそれらの任意の組み合わせからなるグループから選択された、１つまたは複数の金属を含む、請求項６に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項8】

前記交代層のスタックは、２以上の第１の層および２以上の第２の層を備える、請求項１に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項9】

前記アルミニウム合金は、５ａｔ％から４０ａｔ％までのシリコンを含む、請求項１に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項10】

前記スタックは、５つの第１の層から５０個の第１の層まで、および、５つの第２の層から５０個の第２の層までを備え、前記第１の層は０．１ｍｍから１ｍｍまでの厚さを有し、前記第２の層は０．５ｍｍから２．５ｍｍまでの厚さを有する、請求項１に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項11】

前記接着層の前記シリコーン材料はアルキルフェニルシリコーンを含む、請求項１に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項12】

前記シリコーン材料は、１５０ｐｐｍ未満のＣＴＥ、－６０℃未満のガラス転移、および１ＭＰａ未満のヤング率を有する、請求項１に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項13】

前記静電チャックは内部に配設された５０の加熱器から２００までの加熱器を備え、各加熱器は、それぞれのゾーン内の温度を独立に制御可能である、請求項１に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項14】

底面の反対側のワークピース支持面を有する静電チャックと、
アルミニウム合金を含む冷却プレートであって、前記アルミニウム合金はアルミニウムおよびシリコンを含み、２２パーツ・パー・ミリオン（ｐｐｍ）未満の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する、冷却プレートと、
前記静電チャックと前記冷却プレートとの間に配設された接着フィルムであって、シリコーン材料を含む接着層を備え、さらに、前記接着フィルムと前記冷却プレートとの間に配設される二次金属層を備え、前記二次金属層は、モリブデン、タングステン、クロム、鉄、ニッケル、チタン、ジルコニウム、鉄ニッケルコバルト合金、それらの合金、および、それらの任意の組み合わせからなるグループから選択された金属を含む、接着フィルムと、
を備える、静電チャックアセンブリ。

【請求項15】

前記二次金属層は、モリブデン、タングステン、クロム、それらの合金、および、それらの任意の組み合わせからなるグループから選択された金属を含む、請求項１４に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項16】

前記二次金属層は、金属モリブデン、モリブデン合金、金属タングステン、タングステン合金、金属クロム、またはクロム合金を含む、請求項１４に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項17】

前記二次金属層は３ｍｍから１２ｍｍまでの厚さ、および１２ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する、請求項１４に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項18】

前記接着フィルムはさらに、前記二次金属層と前記冷却プレートとの間に配設されたインジウム含有層を備える、請求項１４に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項19】

前記インジウム含有層は、金属インジウムまたはインジウム合金を含み、１００μｍから１，０００μｍまでの厚さを有する、請求項１８に記載の静電チャックアセンブリ。

【請求項20】

底面の反対側のワークピース支持面を有する静電チャックと、
アルミニウム合金を含む冷却プレートであって、前記アルミニウム合金はアルミニウムおよびシリコンを含み、２２パーツ・パー・ミリオン（ｐｐｍ）未満の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する、冷却プレートと、
前記静電チャックと前記冷却プレートとの間に配設された接着フィルムと、
を備え、前記接着フィルムは、
シリコーン材料を含む接着層、
インジウム含有層、および、
前記接着層と前記インジウム含有層との間に配設された二次金属層であって、モリブデン、タングステン、クロム、およびそれらの合金を含む、二次金属層、
を備える、静電チャックアセンブリ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は、一般にマイクロエレクトロニクス製造のための装置およびプロセスに関し、より具体的には、低温応用例で使用される静電チャックアセンブリを有する基板支持アセンブリに関する。

【背景技術】

【0002】

ナノメートルおよびさらに小さいフィーチャを確実に生成することは、半導体デバイスの次世代の超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）および極超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）についての、主要な技術的挑戦のうちの１つである。しかしながら、回路技術の限界が押し広げられるにつれて、ＶＬＳＩおよびＵＬＳＩ相互接続技術の寸法の縮小は、処理能力に追加の要求を課している。基板上のゲート構造の確実な形成は、ＶＬＳＩおよびＵＬＳＩの成功にとって、ならびに、個々の基板およびダイの回路密度および品質を上げるための継続的な努力にとって、重要である。

【0003】

製造コストを引き下げるために、集積チップ（ＩＣ）製造は、処理されるあらゆるシリコン基板に、より高いスループットならびにより良好なデバイス歩留まりおよび性能を要求する。現在開発中の次世代デバイスのために模索されているいくつかの製造技法は、基板上でフィルムを処理する間、３００℃を超える温度での処理および高いバイアス電力を必要とする。高いバイアス電力は、基板上のフィルムの粗さおよび形態を向上させる。しかしながら、高いバイアス電力は、電力がオンのときに熱エネルギーも提供する。

【0004】

これらの高温および高電力の製造技術のうちのいくつかは、基板が確実にチャンバ内で処理されるように、静電チャックを利用する処理チャンバ内で実行される。従来の静電チャックは、冷却プレートを含む基板支持アセンブリの一部である。冷却プレートは静電チャックに接着される。冷却プレートと静電チャックとの間の接着に利用される材料は、高温、熱膨張、および高エネルギー場に対して敏感である。従来の静電チャックは、前述の要因の組み合わせに起因して、接着材料に関する問題を経験し得る。たとえば接着材料は、層剥離して完全に機能しなくなり、基板支持内の真空または移動の喪失を生じさせ得る。処理チャンバは、接着材料に関する問題を有する静電チャックを交換するために、オフラインにしなければならず、したがって、処理歩留まりを低下させる一方で、コストは不必要に増加する。

【0005】

低温応用例において、冷却プレートは、基板から熱を除去するために低温流体にさらされる。冷却プレートは、約－１０℃から約－１００℃以下などのような０℃未満の温度まで冷却可能である。このような低温では、静電チャックおよび冷却プレートは、これら本体インターフェース間の接着の層剥離に起因して、しばしば分離する。層剥離は、本体における様々な材料の熱膨張係数の差によって生じる、これら本体における熱応力によって引き起こされる。標準的な接着剤は、典型的には、氷点下の温度で接着を維持することはできない。

【0006】

したがって、低温応用例において使用するのに好適な、改良された基板支持アセンブリが求められている。

【発明の概要】

【0007】

本開示の実施形態は、一般に、低温応用例において使用するのに好適な静電チャック（ＥＳＣ）アセンブリに関する。ＥＳＣアセンブリの設計は、様々な要因によって作り出される応力の管理を利用する。低温応用例において使用される温度までＥＳＣアセンブリを冷却することで、温度に応じて熱膨張係数の変化を生じさせる。本明細書で開示および考察されるＥＳＣアセンブリは、ＥＳＣアセンブリの構成要素内で使用される同様のＣＴＥ値を有する特定の材料に起因して、亀裂または層剥離なしに、低温応用例において使用される温度に対処することができる。

【0008】

１つまたは複数の実施形態では、静電チャックアセンブリが提供され、底面の反対側の基板支持面を有する静電チャックと、頂面を有する冷却プレートであって、２２ｐｐｍ未満のＣＴＥを有するアルミニウム合金を含有する、冷却プレートと、静電チャックの底面および冷却プレートの頂面を固定する接着層であって、シリコーン材料を含有する、接着層とを含む。

【0009】

いくつかの実施形態では、静電チャックアセンブリが提供され、底面の反対側の基板支持面を有する静電チャックと、アルミニウムおよびシリコンを有し、２２ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する、アルミニウム合金を含有する冷却プレートと、シリコーン材料を含有し、静電チャックと冷却プレートとの間に配設された、接着層とを含む。

【0010】

他の実施形態において、静電チャックアセンブリが提供され、底面の反対側の基板支持面を有する静電チャックと、アルミニウムおよびシリコンを含み、２２ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する、アルミニウム合金を含有する冷却プレートと、静電チャックと冷却プレートとの間に配設された接着層とを含み、接着層は、シリコーン層、インジウム含有層、および、シリコーン材料とインジウム含有層との間に配設された二次金属層を含有し、二次金属層は、モリブデン、タングステン、クロム、およびそれらの合金を含有する。

【0011】

したがって、本開示の上記の特徴が詳細に理解可能なように、上記で簡潔に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって行われ得、その一部が添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は単なる例示の実施形態を示し、したがって、その範囲を限定するものとは見なされず、他の等しく効果的な実施形態を認め得ることに留意されたい。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本明細書で説明および考察される１つまたは複数の実施形態に従った、静電チャックアセンブリを有する基板支持アセンブリを含有する処理チャンバの、断面概略側面図である。

【図2】本明細書で説明および考察される１つまたは複数の実施形態に従った、静電チャックアセンブリの断面概略側面図である。

【図3】本明細書で説明および考察される１つまたは複数の実施形態に従った、別の静電チャックアセンブリの断面概略側面図である。

【図4】本明細書で説明および考察される１つまたは複数の実施形態に従った、冷却プレートの断面概略斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

理解を容易にするために、可能であれば、図面に共通の同一の要素を指定するために同一の参照番号が使用されている。１つまたは複数の実施形態の要素および特徴は、他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが企図される。

【0014】

本開示の実施形態は、一般に、低温応用例において使用するのに好適な静電チャックアセンブリに関する。１つまたは複数の実施形態では、静電チャックアセンブリは、約－５０℃、約－８０℃、または約－１００℃から約－１１０℃、約－１２０℃、約－１３５℃、または約－１５０℃などの、０℃未満、および－１０℃未満の低温処理温度で使用される。たとえば、静電チャックアセンブリは、約－５０℃から約－１５０℃の低温処理温度で使用される。

【0015】

図１は、基板支持アセンブリ１２６を有する、エッチチャンバとして構成されるように示された、例示のプラズマ処理チャンバ１００の、断面概略図である。基板支持アセンブリ１２６は、他のタイプの処理プラズマチャンバ、たとえば、とりわけ、プラズマ処理チャンバ、アニーリングチャンバ、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、および、イオン注入チャンバ、ならびに、基板などの、表面または基板についての処理均一性を制御するための能力が望ましい他のシステムで、利用され得る。誘電特性タンジェント（δ）、たとえば誘電損失、またはρ、たとえば、基板支持アセンブリ１２６についての昇温範囲における体積抵抗率の制御は、有利には、基板支持アセンブリ１２６の上に配設された基板１２４についての方位角処理制御、たとえば、処理均一性を可能にする。

【0016】

プラズマ処理チャンバ１００は、内部処理領域１１０を囲む、側壁１０４、底部、およびリッド１０８を有する、チャンバ本体１０２を含む。射出装置１１２が、チャンバ本体１０２の側壁１０４および／またはリッド１０８に結合される。ガスパネル１１４が、処理ガスを処理領域１１０内に提供できるように、射出装置１１２に結合される。射出装置１１２は、１つまたは複数のノズルまたは吸入口、あるいは代替として、シャワーヘッドであり得る。処理ガス、ならびに任意の処理副産物は、チャンバ本体１０２の側壁１０４または底部１０６内に形成される排気口１２８を介して、処理領域１１０から除去される。排気口１２８は、処理領域１１０内の真空レベルを制御するために利用されるスロットルバルブおよびポンプを含む、ポンピングシステム１３２に結合される。

【0017】

処理ガスは、処理領域１１０内にプラズマを形成するためにエネルギーが与えられ得る。処理ガスは、容量的または誘導的にＲＦ電力を処理ガスに結合することによって、エネルギーが与えられ得る。図１に示される実施形態では、複数のコイル１１６がプラズマ処理チャンバ１００のリッド１０８の上に配設され、整合回路１１８を介してＲＦ電源１２０に結合される。

【0018】

基板支持アセンブリ１２６は、射出装置１１２の下の処理領域１１０内に配設される。基板支持アセンブリ１２６は、静電チャック（ＥＳＣ）１７４および冷却プレート１３０を含む。冷却プレート１３０は、ベースプレート１７６によって支持される。ベースプレート１７６は、処理チャンバの側壁１０４または底部１０６のうちの１つによって支持される。基板支持アセンブリ１２６は、加えて、加熱器アセンブリ（図示せず）を含み得る。加えて、基板支持アセンブリ１２６は、基板支持アセンブリ１２６との電気、冷却、およびガス接続を容易にするために、冷却プレート１３０とベースプレート１７６との間に配設された、設備プレート１４５および／または絶縁体プレート（図示せず）を含み得る。

【0019】

冷却プレート１３０は、１つまたは複数の金属材料から形成されるか、またはそうでなければこれらを含有する。１つまたは複数の例では、冷却プレート１３０は、１つまたは複数のアルミニウム合金、１つまたは複数のアルミニウムシリコン合金、１つまたは複数のアルミニウムモリブデン合金、１つまたは複数のアルミニウムモリブデンシリコン合金、ならびに、本明細書でさらに説明および考察するように、他の合金および／または複合材料を含有する。冷却プレート１３０は、内部に形成された複数の冷却チャネル１３８を含む。冷却チャネル１３８は、熱伝達流体源１２２に接続される。熱伝達流体源１２２は、冷却プレート１３０内に配設された１つまたは複数の冷却チャネル１３８を介して循環する、液体、ガス、またはそれらの組み合わせなどの、熱伝達流体を提供する。近傍の冷却チャネル１３８を介して流れる流体は、基板１２４の横方向温度プロファイルを制御するのを支援する、ＥＳＣ１８０と冷却プレート１３０の異なる領域との間の熱伝達の局所制御を可能にするために、隔離され得る。１つまたは複数の実施形態では、冷却プレート１３０の冷却チャネル１３８を介して循環する熱伝達流体は、約－４０℃から約－１００℃などの０℃未満の温度で、冷却プレート１３０を維持する。

【0020】

ＥＳＣ１８０は、誘電本体１８２内に配設された、１つまたは複数のチャッキング電極１８６を含む。ＥＳＣ１８０の誘電本体１８２は、基板支持面１３７と、基板支持面１３７の反対側の底面１３３とを有する。ＥＳＣ１８０の誘電本体１８２は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、または他の好適な材料などの、セラミック材料から製作される。代替として、誘電本体１８２は、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリールエーテルケトンなどの、ポリマーから製作され得る。

【0021】

誘電本体１８２は、任意選択として、埋め込まれた１つまたは複数の抵抗加熱器を含む。抵抗加熱器１８８は、基板支持アセンブリ１２６の温度を、基板支持アセンブリ１２６の基板支持面１３７上に配設された基板１２４の処理に好適な温度まで上昇させるために利用される。抵抗加熱器１８８は、設備プレート１４５を介して加熱器電源１８９に結合される。加熱器電源１８９は、９００ワットまたはそれ以上の電力を抵抗加熱器１８８に提供し得る。コントローラ（図示せず）が、一般に基板１２４を事前に定義された温度まで加熱するように設定される、加熱器電源１８９の動作を、制御するために利用される。１つまたは複数の実施形態では、抵抗加熱器１８８は、コントローラが抵抗加熱器１８８の少なくとも１つのゾーンが、他のゾーンのうちの１つまたは複数に位置する抵抗加熱器１８８に対して、優先的に加熱されることを可能にする、複数の横方向に分離された加熱ゾーンを含む。たとえば抵抗加熱器１８８は、複数の分離加熱ゾーン内で、同心円状に配置され得る。抵抗加熱器１８８は、基板１２４を、約１８０℃から約５００℃の間など、約２５０℃より上など、約２５０℃から約３００℃の間などの、処理に好適な温度で維持し得る。

【0022】

１つまたは複数の実施形態では、ＥＳＣ１８０の誘電本体１８２は、マイクロゾーン効果を作り出す複数の加熱器を有する。本明細書では、マイクロゾーンは、ＥＳＣ１８０の離散的に温度制御可能なエリアを指し、ＥＳＣ１８０上には、１０、約５０、約８０、または約１００のマイクロゾーンから、約１２０、約１５０、約２００、またはそれ以上のマイクロゾーンまでが存在し得る。高温とは、約１５０℃を上回る温度、たとえば、３００℃より上の温度を指すものと意図される。本明細書で説明および考察するＥＳＣアセンブリの例は、熱インターフェース特性を有する接着層によって分離される、冷却プレートおよび静電チャックを含む。ＥＳＣ１８０、接着層、および冷却プレート１３０の間の熱インターフェースの配置は、ＥＳＣ１８０内のマイクロゾーン間の温度損失および熱スミアリングを減少させる。

【0023】

ＥＳＣ１８０は、一般に、誘電本体１８２内に埋め込まれたチャッキング電極１８６を含む。チャッキング電極１８６は、一極または二極の電極、あるいは他の好適な配置として構成され得る。チャッキング電極１８６は、ＲＦフィルタを介して、基板１２４を静電的にセキュアにするためにＥＳＣ１８０の基板支持面１３７にＤＣ電力を提供する、チャッキング電源１８７に結合される。ＲＦフィルタは、プラズマ処理チャンバ１００内にプラズマ（図示せず）を形成するために利用されるＲＦ電力が、電気機器を損傷させること、または、チャンバ外部の電気的障害を提示することを防止する。

【0024】

ＥＳＣ１８０の基板支持面１３７は、基板１２４とＥＳＣ１８０の基板支持面１３７との間に画定された隙間空間に、裏側熱伝達ガスを提供するための、ガス通路（図示せず）を含む。ＥＳＣ１８０は、プラズマ処理チャンバ１００の内外へのロボット伝達を容易にするために、ＥＳＣ１８０の基板支持面１３７の上の基板１２４を上昇させるためのリフトピン（図示せず）を収容するための、リフトピンホールも含む。

【0025】

接着層１７０がＥＳＣ１８０の下に配設され、ＥＳＣ１８０を冷却プレート１３０に固定する。他の実施形態では、接着層１７０は、下記でさらに説明するように、ＥＳＣ１８０と、ＥＳＣ１８０と冷却プレート１３０との間に配設された下部プレートとの間に、配設される。接着層１７０は、約０．１Ｗ／ｍＫから約５Ｗ／ｍＫの間の熱伝導率を有し得る。接着層１７０は、ＥＳＣ１８０と、基板支持アセンブリ１２６の下にある部分、たとえば冷却プレート１３０との間の、異なる熱膨張を補償する、いくつかの層から形成され得る。接着層１７０を含有する層は、異なる材料から形成され得、別々の実施形態を示す後続の図を参照しながら考察する。

【0026】

１つまたは複数の実施形態では、ＥＳＣ１８０は、約５ｐｐｍから約１０ｐｐｍなどの、１５パーツ・パー・ミリオン（ｐｐｍ）未満の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する材料を含有する。たとえば、本体１８２などのＥＳＣ１８０は、アルミナ、窒化アルミニウム、またはそれらのドーパントを含有することができる。１つまたは複数の例では、ＥＳＣ１８０は、内部に配設された約５０個から約２００個の加熱器を含有する。各加熱器は、それぞれのゾーン内の温度を独立に制御可能であり得る。

【0027】

図２は、本明細書で説明および考察される１つまたは複数の実施形態に従った、静電チャック（ＥＳＣ）アセンブリ２００の断面概略側面図を示す。１つまたは複数の実施形態では、ＥＳＣアセンブリ２００は、底面の反対側のワークピース支持面を有するＥＳＣ１８０と、頂面を有する冷却プレート１３０と、ＥＳＣ１８０の底面および冷却プレート１３０の頂面を固定する接着層１７０とを含む。接着層１７０は１つまたは複数のシリコーン材料を含有するかまたは含む。冷却プレート１３０は、２４ｐｐｍ未満、３２ｐｐｍ未満、または２０ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する、アルミニウム合金を含有する。

【0028】

１つまたは複数の実施形態では、アルミニウム合金は、アルミニウム、シリコン、および、アルミニウム以外の１つまたは複数の金属を含有する。たとえば、他の金属は、モリブデン、タングステン、クロム、鉄、ニッケル、チタン、ジルコニウム、鉄ニッケルコバルト合金、それらの合金、および／またはそれらの任意の組み合わせであるか、またはそれらを含むことができる。

【0029】

いくつかの実施形態では、アルミニウム合金は、約２５原子百分率（ａｔ％）、約３０ａｔ％、約４０ａｔ％、約５０ａｔ％、または約５５ａｔ％から、約６０ａｔ％、約７０ａｔ％、約８０ａｔ％、約８５ａｔ％、約９０ａｔ％、約９５ａｔ％、または約９９ａｔ％までのアルミニウムを含有する。いくつかの例では、アルミニウム合金は、約８０ａｔ％、約８２ａｔ％、約８５ａｔ％、約８８ａｔ％、または約９０ａｔ％から、約９２ａｔ％、約９４ａｔ％、約９５ａｔ％、約９６ａｔ％、約９７ａｔ％、約９８ａｔ％、または約９９ａｔ％までのアルミニウムを含有する。

【0030】

アルミニウム合金は、約０．１ａｔ％、約０．２ａｔ％、約０．５ａｔ％、約１ａｔ％、約２ａｔ％、約３ａｔ％、約５ａｔ％、約６ａｔ％、または約８ａｔ％から、約１０ａｔ％、約１２ａｔ％、約１５ａｔ％、約２０ａｔ％、約２５ａｔ％、約３０ａｔ％、約３５ａｔ％、または約４０ａｔ％までの、シリコンを含有することができる。アルミニウム合金は、約２５ａｔ％、約３０ａｔ％、約３５ａｔ％、または約４０ａｔ％から、約４５ａｔ％、または約ａｔ５０％までの、１つまたは複数の他の金属（たとえば、モリブデン、タングステン、クロム、鉄、ニッケル、チタン、ジルコニウム）を、含有することができる。

【0031】

１つまたは複数の例では、アルミニウム合金は、アルミニウム、シリコンと、モリブデン、タングステン、クロム、またはそれらの合金から選択された少なくとも１つの金属とを含有する。たとえばアルミニウム合金は、約３０ａｔ％から約６０ａｔ％までのアルミニウム、約３０ａｔ％から約６０ａｔ％までのモリブデン、および約５ａｔ％から約３０ａｔ％までのシリコンを含有する。他の例では、アルミニウム合金（たとえば、４０３２Ａｌ）は、約８０ａｔ％から約９０ａｔ％までのアルミニウム、および約５ａｔ％から約２０ａｔ％までのシリコンを含有する。さらなる例では、アルミニウム合金（たとえば、６０６１Ａｌ）は、少なくとも９５ａｔ％のアルミニウム、約０．５ａｔ％から約２ａｔ％までのマグネシウム、および約０．２ａｔ％から約１．５ａｔ％までのシリコンを含む。

【0032】

アルミニウム合金は、２２ｐｐｍ未満、２０ｐｐｍ未満、および／または１８ｐｐｍ未満などの、２４ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する。いくつかの実施形態では、アルミニウム合金は、約３ｐｐｍ、約４ｐｐｍ、約５ｐｐｍ、約６ｐｐｍ、約７ｐｐｍ、約８ｐｐｍ、または約９ｐｐｍから、約１０ｐｐｍ、約１２ｐｐｍ、約１４ｐｐｍ、約１５ｐｐｍ、約１６ｐｐｍ、約１８ｐｐｍ、約１９ｐｐｍ、約２０ｐｐｍ、約２１ｐｐｍ、約２２ｐｐｍ、約２３ｐｐｍ、または約２４ｐｐｍまでの、ＣＴＥを有する。１つまたは複数の例では、アルミニウム合金は、約４ｐｐｍから約１６ｐｐｍまでのＣＴＥを有する。他の例では、アルミニウム合金は、約５ｐｐｍから約１５ｐｐｍまでのＣＴＥを有する。いくつかの例では、アルミニウム合金は、約７ｐｐｍから約１２ｐｐｍまでのＣＴＥを有する。

【0033】

冷却プレート１３０は、約０．１インチ、約０．２インチ、約０．２５インチ、約０．４インチ、または約０．５インチから、約０．６インチ、約０．８インチ、約１インチ、約１．２インチ、約１．５インチ、約１．８インチ、約２インチ、またはそれ以上の厚さを有することができる。１つまたは複数の例では、冷却プレート１３０は、約０．５インチから約１．５インチ、または約０．２５インチから約１インチまでなどの、約０．１インチから約２インチまでの厚さを有することができる。

【0034】

１つまたは複数の実施形態では、接着層１７０は、１つ、２つ、またはそれ以上のタイプのシリコーン材料であるか、または含有することができる。いくつかの例では、接着層１７０のシリコーン材料は、１つまたは複数のアルキルフェニルシリコーンであるか、または含むことができる。例示のアルキルフェニルシリコーンは、メチルフェニルシリコーン、エチルフェニルシリコーン、プロピルフェニルシリコーン、ブチルフェニルシリコーン、それらのポリマー、それらのエラストマ、またはそれらの任意の組み合わせであるか、または含むことができる。

【0035】

シリコーン材料は、典型的には、１５０ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する。たとえば、シリコーン材料は、約３０ｐｐｍ、約５０ｐｐｍ、または約８０ｐｐｍから、約１００ｐｐｍ、約１２０ｐｐｍ、または約１４５ｐｐｍまでのＣＴＥを有することができる。シリコーン材料は、－６０℃未満のガラス転移を有することができる。たとえば、シリコーン材料は、約－１００℃から約－１５０℃までのガラス転移を有することができる。シリコーン材料は、約０．５ＭＰａから約５ＭＰａまでのヤング率を有することができる。いくつかの例では、シリコーン材料は、約０．５ＭＰａ、約０．６ＭＰａ、または約０．７ＭＰａから、約０．８ＭＰａ、約０．９ＭＰａ、または約０．９５ＭＰａまでなどの、１ＭＰａ未満のヤング率を有する。

【0036】

接着層１７０は、約０．３ｍｍから約０．９ｍｍまで、約０．４ｍｍから約０．８ｍｍまで、または約０．５ｍｍから約０．７ｍｍまでなどの、約０．１ｍｍから約１．２ｍｍまでの厚みを有することができる。

【0037】

いくつかの例では、接着層１７０は、Ａｖａｎｔｏｒ，Ｉｎｃ．から市販されている商標名ＮｕＳｉｌ（登録商標）の下で、１つまたは複数のシリコーン材料を含有する。例示のＮｕＳｉｌ（登録商標）シリコーンは、シリコーンエラストマを含有し、約０℃から約－１４０℃までの温度での印加に有用な、ＮｕＳｉｌ（登録商標）Ｒ３－２１６０二液型接着剤／シーラントと、約０℃から約－１１５℃までの温度での印加に有用な、ＮｕＳｉｌ（登録商標）Ｒ－２６５５およびＮｕＳｉｌ（登録商標）Ｒ２５６０二液型シリコーンと、約０℃から約－１１５℃までの温度での印加に有用な、ＮｕＳｉｌ（登録商標）Ｒ－２９４９熱伝導性二液型接着剤と、約０℃から約－１４０℃までの温度での印加に有用な、ＮｕＳｉｌ（登録商標）Ｒ－２６３４導電性シリコーン接着剤とのうちの、１つまたは複数とすることができるか、またはこれらを含むことができる。

【0038】

図３は、本明細書で説明および考察される１つまたは複数の実施形態に従った、別の静電チャック（ＥＳＣ）アセンブリ３００の断面概略側面図を示す。１つまたは複数の実施形態では、ＥＳＣアセンブリ３００は、ＥＳＣ１８０、アルミニウム合金を含有する冷却プレート１３０、を含み、アルミニウム合金は、アルミニウムおよびシリコンを含有し、２２ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する。接着フィルム３０２が、ＥＳＣ１８０と冷却プレート１３０との間に配設される。接着フィルム３０２は、１つまたは複数のシリコーン材料を含有する接着層１７０を含むことができる。

【0039】

いくつかの実施形態では、接着フィルム３０２はさらに、接着層１７０と冷却プレート１３０との間に配設される二次金属層１６０を含む。二次金属層１６０は、モリブデン、タングステン、クロム、鉄、ニッケル、チタン、ジルコニウム、鉄ニッケルコバルト合金、それらの合金、および、それらの任意の組み合わせから選択された金属を含有する。１つまたは複数の例では、例示の鉄ニッケルコバルト合金は、ＫＯＶＡＲ（登録商標）合金とすることができ、約５３．４ｗｔ％の鉄、約２９ｗｔ％のニッケル、約１７ｗｔ％のコバルト、約０．２％のシリコン、約０．３％のマンガン、約０．０１％未満の炭素を有することができる。

【0040】

二次金属層１６０は、金属モリブデン、モリブデン合金、金属タングステン、タングステン合金、金属クロム、またはクロム合金を含有する。二次金属層１６０は、約５ｍｍから約１０ｍｍまでなどの、約３ｍｍから約１２ｍｍまでの厚さを有することができる。二次金属層１６０は、約３ｐｐｍから約８ｐｐｍまでなどの、１２ｐｐｍ未満のＣＴＥを有することができる。

【0041】

１つまたは複数の実施形態では、接着フィルム３０２はさらに、二次金属層１６０と冷却プレート１３０との間に配設されたインジウム含有層１５０を含有する。インジウム含有層１５０は、金属インジウムまたはインジウム合金を含有する。インジウム含有層は、約２００μｍから約５００μｍまで、約２５０μｍから約４５０μｍまで、または、約３００μｍから約４００μｍまでなどの、約１００μｍから約１，０００μｍまでの厚さを有する。

【0042】

いくつかの実施形態では、ＥＳＣアセンブリ３００は、ＥＳＣ１８０と、アルミニウム合金を含有する冷却プレート１３０であって、アルミニウム合金はアルミニウムおよびシリコンを含有し２２ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する、冷却プレート１３０と、ＥＳＣ１８０と冷却プレート１３０との間に配設された接着フィルム３０２と、を含む。１つまたは複数の例では、接着フィルム３０２は１つまたは複数のシリコーン材料を含有する接着層１７０と、インジウム含有層１５０と、接着層１７０とインジウム含有層１５０との間に配設された二次金属層１６０とを含有する。二次金属層１６０は、モリブデン、タングステン、クロム、およびそれらの合金とすることができるか、またはそれらを含むことができる。

【0043】

図４は、本明細書で説明および考察される１つまたは複数の実施形態に従った、冷却プレート４００の断面概略斜視図を示す。１つまたは複数の実施形態では、図１～図３に示された冷却プレート１３０は、本明細書で説明および考察される冷却プレート４００と置き換えるかまたは置換されるものとして使用可能である。いくつかの実施形態では、冷却プレート４００は１本、２本、またはそれ以上の内部チャネル４０２、１本、２本、またはそれ以上のチャネル４０４、および１本、２本、またはそれ以上の通路４０６を含有する、本体４１０を有する。図４に示される冷却プレート４００は１本のチャネル４０２、２本のチャネル４０４、および４本の通路４０６を示すが、冷却プレート４００は、それぞれ異なる量の、チャネル４０２、チャネル４０４、および通路４０６を含有し得る。たとえば、図には示されていないが、冷却プレート４００は、１～３本のチャネル４０２、１～４本のチャネル４０４、および／または、１～１００本の通路４０６を有することができる。１つまたは複数の構成では、内部チャネル４０２の各々は、冷却流体または熱伝達流体に結合および流体連結され、チャネル４０４の各々は、処理ガス（たとえば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、二窒素、またはそれらの組み合わせ）に結合および流体連結され、また通路４０６は、それぞれのチャネル４０４に結合および流体連結される。

【0044】

冷却プレート４００は、少なくとも第１の層４１２および第２の層４１４を含む中間シートまたは層のスタックを含有する本体４１０を有し、第１の層４１２および第２の層４１４の各々は、互いに異なる金属を独立に含有し、各金属は異なるＣＴＥを有する。１つまたは複数の実施形態では、第１の層４１２は、銅、インジウム、マグネシウム、それらの合金、およびそれらの任意の組み合わせから選択された、１つまたは複数の金属とすることができるか、またはそれらを含むことが可能であり、第２の層４１４は、モリブデン、タングステン、クロム、鉄、ニッケル、チタン、ジルコニウム、１つまたは複数の鉄ニッケルコバルト合金（上記で説明および考察されたＫＯＶＡＲ（登録商標）合金）、それらの合金、およびそれらの任意の組み合わせから選択された、１つまたは複数の金属とすることができるか、またはそれらを含むことが可能である。

【0045】

他の実施形態では、冷却プレート４００は、第１の層４１２および第２の層４１４を含有する交代層のスタックを含み、第１の層４１２はアルミニウム合金を含有し、第２の層４１４はモリブデンを含有する。１つまたは複数の例では、アルミニウム合金は、約５ａｔ％から約４０ａｔ％まで、約８ａｔ％から約２０ａｔ％まで、または約１０ａｔ％から約１８ａｔ％までの、シリコンを含有する。

【0046】

図４は、５つの第１の層４１２および５つの第２の層４１４を伴う冷却プレート４００を示すが、冷却プレート４００は、各々が様々な異なる量の第１の層４１２および第２の層４１４を有することができる。冷却プレート４００は、第１の層４１２および第２の層４１４の各々について、１、２、３、４、５、８、１０、１５、１８、１９、または２０から、２２、約２５、約３０、約５０、約８０、または約１００までの、層を有することができる。たとえば、冷却プレート４００は、約５つの第１の層４１２から約５０の第１の層４１２まで、および、約５つの第２の層４１４から約５０の第２の層４１４までを含有する、（第１の層４１２および第２の層４１４の）スタックを有することができる。他の例では、スタックは、約１２個の第１の層４１２から約３０個の第１の層４１２まで、および、約１２個の第２の層４１４から約３０個の第２の層４１４までを、含有する。

【0047】

第１の層４１２は、約０．２ｍｍから約０．５ｍｍまでなどの、約０．１ｍｍから約１ｍｍまでの厚さを有することができる。第２の層４１４は、約０．８ｍｍから約１．２ｍｍまでなどの、約０．５ｍｍから約２．５ｍｍまでの厚さを有することができる。（第１の層４１２および第２の層４１４の）スタック、および／または、冷却プレート４００は、約１５ｍｍから約２５ｍｍまでなどの、約８ｍｍから約３５ｍｍまでの厚さを有することができる。いくつかの例では、第１の層４１２および第２の層４１４は、インターフェースにおいてそれらを密閉的にきっちりと接合または接着するために、炉内の熱を用いて、または、熱および圧力の印加によって、共に接合または他の方法で接着される。

【0048】

本開示の実施形態はさらに、限定ではなく例として、下記の例１～４６のうちの任意の１つまたは複数に関する。

【0049】

例１．底面の反対側のワークピース支持面を有する静電チャックと、頂面を有する冷却プレートであって、２２パーツ・パー・ミリオン（ｐｐｍ）未満の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有するアルミニウム合金を含む、冷却プレートと、静電チャックの底面および冷却プレートの頂面を固定する接着層であって、シリコーン材料を含む、接着層と、を備える、静電チャックアセンブリ。

【0050】

例２．底面の反対側のワークピース支持面を有する静電チャックと、アルミニウム合金を含む冷却プレートであって、アルミニウム合金はアルミニウムおよびシリコンを含み、２２ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する、冷却プレートと、静電チャックと冷却プレートとの間に配設された接着フィルムであって、シリコーン材料を含む接着層を備える、接着フィルムと、を備える、静電チャックアセンブリ。

【0051】

例３．底面の反対側のワークピース支持面を有する静電チャックと、アルミニウム合金を含む冷却プレートであって、アルミニウム合金はアルミニウムおよびシリコンを備え、２２ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する、冷却プレートと、静電チャックと冷却プレートとの間に配設された接着フィルムと、を備え、接着フィルムは、シリコーン材料を含む接着層、インジウム含有層、および、接着層とインジウム含有層との間に配設された二次金属層を備え、二次金属層は、モリブデン、タングステン、クロム、およびそれらの合金を含む、静電チャックアセンブリ。

【0052】

例４．例１～３のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、アルミニウム合金は、約８０原子百分率（ａｔ％）から約９０ａｔ％までのアルミニウム、および、約５ａｔ％から約２０ａｔ％までのシリコンを含む、静電チャックアセンブリ。

【0053】

例５．例１～４のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、アルミニウム合金は、アルミニウムと、シリコンと、モリブデン、タングステン、クロム、およびそれらの合金からなるグループから選択された少なくとも１つの金属とを含む、静電チャックアセンブリ。

【0054】

例６．例１～５のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、アルミニウム合金は、約３０ａｔ％から約６０ａｔ％までのアルミニウム、約３０ａｔ％から約６０ａｔ％までのモリブデン、および、約５ａｔ％から約３０ａｔ％までのシリコンを含む、静電チャックアセンブリ。

【0055】

例７．例１～６のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、アルミニウム合金は、２０ｐｐｍ未満の熱膨張係数を有する、静電チャックアセンブリ。

【0056】

例８．例１～７のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、アルミニウム合金は、１８ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する、静電チャックアセンブリ。

【0057】

例９．例１～８のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、アルミニウム合金は、約４ｐｐｍから約１６ｐｐｍまでのＣＴＥを有する、静電チャックアセンブリ。

【0058】

例１０．例１～９のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、冷却プレートは、約０．１インチから約２インチまでの厚さを有する、静電チャックアセンブリ。

【0059】

例１１．例１～１０のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、冷却プレートは、約０．２５インチから約１インチまでの厚さを有する、静電チャックアセンブリ。

【0060】

例１２．例１～１１のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、冷却プレートは、少なくとも第１の層および第２の層を備える中間シートまたは層のスタックを備え、第１の層および第２の層の各々は、互いに異なる金属を独立に含有し、各金属は異なるＣＴＥを有する、静電チャックアセンブリ。

【0061】

例１３．例１～１２のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、第１の層は、銅、インジウム、マグネシウム、それらの合金、およびそれらの任意の組み合わせからなるグループから選択された、１つまたは複数の金属を備え、第２の層は、モリブデン、タングステン、クロム、鉄、ニッケル、チタン、ジルコニウム、鉄ニッケルコバルト合金、それらの合金、およびそれらの任意の組み合わせからなるグループから選択された、１つまたは複数の金属を含む、静電チャックアセンブリ。

【0062】

例１４．例１～１３のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、冷却プレートは、第１の層および第２の層を備える交代層のスタックを備え、第１の層はアルミニウム合金を備え、第２の層はモリブデンを含む、静電チャックアセンブリ。

【0063】

例１５．例１～１４のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、アルミニウム合金は、約５ａｔ％から約４０ａｔ％までのシリコンを含む、静電チャックアセンブリ。

【0064】

例１６．例１～１５のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、アルミニウム合金は、約８ａｔ％から約２０ａｔ％までのシリコンを含む、静電チャックアセンブリ。

【0065】

例１７．例１～１６のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、スタックは、約５つの第１の層から約５０の第１の層まで、および、約５つの第２の層から約５０の第２の層までを備える、静電チャックアセンブリ。

【0066】

例１８．例１～１７のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、スタックは、約１２の第１の層から約３０の第１の層まで、および、約１２の第２の層から約３０の第２の層までを備える、静電チャックアセンブリ。

【0067】

例１９．例１～１８のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、第１の層は約０．１ｍｍから約１ｍｍまでの厚さを有する、静電チャックアセンブリ。

【0068】

例２０．例１～１９のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、第１の層は約０．２ｍｍから約０．５ｍｍまでの厚さを有する、静電チャックアセンブリ。

【0069】

例２１．例１～２０のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、第２の層は約０．５ｍｍから約２．５ｍｍまでの厚さを有する、静電チャックアセンブリ。

【0070】

例２２．例１～２１のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、第２の層は約０．８ｍｍから約１．２ｍｍまでの厚さを有する、静電チャックアセンブリ。

【0071】

例２３．例１～２２のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、スタックは約８ｍｍから約３５ｍｍまでの厚さを有する、静電チャックアセンブリ。

【0072】

例２４．例１～２３のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、冷却プレートは内部に形成された複数のチャネルを備える、静電チャックアセンブリ。

【0073】

例２５．例１～２４のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、接着層は約０．１ｍｍから約１．２ｍｍまでの厚さを有する、静電チャックアセンブリ。

【0074】

例２６．例１～２５のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、接着層は約０．３ｍｍから約０．９ｍｍまでの厚さを有する、静電チャックアセンブリ。

【0075】

例２７．例１～２６のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、接着層のシリコーン材料はアルキルフェニルシリコーンを含む、静電チャックアセンブリ。

【0076】

例２８．例１～２７のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、シリコーン材料は１５０ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する、静電チャックアセンブリ。

【0077】

例２９．例１～２８のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、シリコーン材料は－６０℃未満のガラス転移を有する、静電チャックアセンブリ。

【0078】

例３０．例１～２９のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、シリコーン材料は約－１００℃から約－１５０℃までのガラス転移を有する、静電チャックアセンブリ。

【0079】

例３１．例１～３０のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、シリコーン材料は約０．５ＭＰａから約５ＭＰａまでのヤング率を有する、静電チャックアセンブリ。

【0080】

例３２．例１～３１のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、シリコーン材料は１ＭＰａ未満のヤング率を有する、静電チャックアセンブリ。

【0081】

例３３．例１～３２のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、静電チャックはアルミナ、窒化アルミニウム、またはそれらのドーパントを含む、静電チャックアセンブリ。

【0082】

例３４．例１～３３のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、静電チャックは１５ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する材料を含む、静電チャックアセンブリ。

【0083】

例３５．例１～３４のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、静電チャックは約５ｐｐｍから約１０ｐｐｍまでのＣＴＥを有する材料を含む、静電チャックアセンブリ。

【0084】

例３６．例１～３５のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、静電チャックは内部に配設された約５０の加熱器から約２００までの加熱器を備え、各加熱器は、それぞれのゾーン内の温度を独立に制御可能であり得る、静電チャックアセンブリ。

【0085】

例３７．例１～３６のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、接着フィルムはさらに、接着フィルムと冷却プレートとの間に配設される二次金属層を備え、二次金属層は、モリブデン、タングステン、クロム、鉄、ニッケル、チタン、ジルコニウム、鉄ニッケルコバルト合金、それらの合金、および、それらの任意の組み合わせからなるグループから選択された金属を含む、静電チャックアセンブリ。

【0086】

例３８．例１～３７のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、二次金属層は、金属モリブデン、モリブデン合金、金属タングステン、タングステン合金、金属クロム、またはクロム合金を含む、静電チャックアセンブリ。

【0087】

例３９．例１～３８のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、二次金属層は約３ｍｍから約１２ｍｍまでの厚さを有する、静電チャックアセンブリ。

【0088】

例４０．例１～３９のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、二次金属層は約５ｍｍから約１０ｍｍまでの厚さを有する、静電チャックアセンブリ。

【0089】

例４１．例１～４０のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、二次金属層は１２ｐｐｍ未満のＣＴＥを有する、静電チャックアセンブリ。

【0090】

例４２．例１～４１のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、二次金属層は約３ｐｐｍから約８ｐｐｍまでのＣＴＥを有する、静電チャックアセンブリ。

【0091】

例４３．例１～４２のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、接着フィルムはさらに、二次金属層と冷却プレートとの間に配設されたインジウム含有層を備える、静電チャックアセンブリ。

【0092】

例４４．例１～４３のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、インジウム含有層は、金属インジウムまたはインジウム合金を含む、静電チャックアセンブリ。

【0093】

例４５．例１～４４のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、インジウム含有層は、約１００μｍから約１，０００μｍまでの厚さを有する、静電チャックアセンブリ。

【0094】

例４６．例１～４５のいずれか一例に記載の静電チャックアセンブリであって、インジウム含有層は、約２００μｍから約５００μｍまでの厚さを有する、静電チャックアセンブリ。

【0095】

前述の内容は、本開示の実施形態を対象にしているが、それらの基本範囲を逸脱することなく、その他およびさらなる実施形態が考案され得、それらの範囲は下記の特許請求の範囲によって決定される。本書に矛盾しない範囲の任意の優先文献および／または試験手順を含む、本明細書に記載のすべての文献は、参照により本明細書に組み込まれる。前述の概要および特定の実施形態から明らかなように、これまで本開示の形式を図示および説明してきたが、本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく様々な改変が実行可能である。したがって、本開示はそれらの形式によって限定されることは意図されない。同様に「備える／含む（comprising）」という用語は、合衆国法の目的上、「含む（including）」という用語と同義であると見なされる。同様に、組成、要素、または要素のグループが移行句「備える／含む（comprising）」に先行する場合は必ず、組成、要素、または複数の要素の記述に先行する、またはその逆の、移行句「本来～からなる」、「からなる」、「からなるグループから選択される」、または「である」を伴う、同じ組成、または要素のグループが企図されることが理解されよう。本明細書で使用される場合、「約」という用語は、公称値から＋／－１０％の変動を指す。こうした変動は、本明細書で提供されるいずれの値にも含まれる可能性があることが理解されよう。

【0096】

特定の実施形態および特徴を、数値の上限のセットおよび数値の下限のセットを使用して説明してきた。特に記載のない限り、任意の２つの値の組み合わせ、たとえば、任意の下限値と任意の上限値との組み合わせ、任意の２つの下限値の組み合わせ、および／または、任意の２つの上限値の組み合わせを含む範囲が企図されることを理解されたい。特定の下限、上限、および範囲は、下記の１つまたは複数の特許請求の範囲内に示される。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】