特許 7611710 チップの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-12-26

(45)【発行日】2025-01-10

(54)【発明の名称】チップの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20241227BHJP

   B23K 26/53 20140101ALI20241227BHJP

   B23K 26/00 20140101ALI20241227BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 B

B23K26/53

B23K26/00 N

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2021002549

(22)【出願日】2021-01-12

(65)【公開番号】P2022107883

(43)【公開日】2022-07-25

【審査請求日】2023-11-22

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】リン ユ チャン

【審査官】渡井 高広

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１０－１１４２８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－０５０２２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－００９２７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０６９２６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２００９／１０４５４５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１９－０１６６５１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｂ２３Ｋ ２６／５３

Ｂ２３Ｋ ２６／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

シリコンで構成された基板と、該基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されかつシリコンで構成された薄膜と、を表面側に有するウエーハを分割してチップを製造するチップの製造方法であって、
該ウエーハの表面側を保持テーブルで保持する保持ステップと、
該保持ステップの後、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウエーハの表面近傍に位置付けて照射し、該ウエーハに設定された分割予定ラインに沿って該絶縁膜および該薄膜を加熱して脆化させる加熱ステップと、
該加熱ステップの後、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハの該基板の内部に位置付けて照射し、該ウエーハに設定された分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成ステップと、
該ウエーハに対して外力を付与して該分割予定ラインの内部に形成された改質層を起点として個々のチップに分割する分割ステップと、
を有し、
該加熱ステップと該改質層形成ステップでは、該ウエーハの裏面側に該レーザービームを照射するチップの製造方法。

【請求項2】

該加熱ステップにおいて、
該レーザービームのエネルギーは該絶縁膜および該薄膜の加工閾値を超えないように設定されることを特徴とする、請求項１に記載のチップの製造方法。

【請求項3】

該ウエーハは、該薄膜上に更にパシベーション膜を有し、
該加熱ステップは、
該絶縁膜および該薄膜を加熱すると共に該パシベーション膜の加熱も行うことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のチップの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、チップの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスを製造する方法として、デバイスが形成されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハ内部に集光点を位置付けて照射し、分割予定ラインに沿って分割起点となる改質層を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

【0003】

ところで、近年、シリコンで構成された薄膜下に絶縁膜が埋め込まれた構造のＳＯＩ（Silicon on insulator）と呼ばれるデバイスが開発、製造されはじめている（例えば、特許文献２参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特許第３４０８８０５号公報

【文献】特開２０００－３０９９３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

このように絶縁膜が組み込まれた半導体デバイスをチップ化する場合、特許文献１に示された方法を用いると、レーザービームが絶縁膜により遮られてしまい、薄膜部分に加工が施されないため、チップの分割不良が発生するという課題があった。

【0006】

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板上に絶縁膜とシリコンで構成された薄膜とが積層されたウエーハのチップへの分割不良を抑制することができるチップの製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のチップの製造方法は、シリコンで構成された基板と、該基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されかつシリコンで構成された薄膜と、を表面側に有するウエーハを分割してチップを製造するチップの製造方法であって、該ウエーハの表面側を保持テーブルで保持する保持ステップと、該保持ステップの後、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウエーハの表面近傍に位置付けて照射し、該ウエーハに設定された分割予定ラインに沿って該絶縁膜および該薄膜を加熱して脆化させる加熱ステップと、該加熱ステップの後、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハの該基板の内部に位置付けて照射し、該ウエーハに設定された分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成ステップと、該ウエーハに対して外力を付与して該分割予定ラインの内部に形成された改質層を起点として個々のチップに分割する分割ステップと、を有し、該加熱ステップと該改質層形成ステップでは、該ウエーハの裏面側に該レーザービームを照射することを特徴とする。

【0008】

前記チップの製造方法では、該加熱ステップにおいて、該レーザービームのエネルギーは該絶縁膜および該薄膜の加工閾値を超えないように設定されても良い。

【0009】

前記チップの製造方法では、該ウエーハは、該薄膜上に更にパシベーション膜を有し、該加熱ステップは、該絶縁膜および該薄膜を加熱すると共に該パシベーション膜の加熱も行っても良い。

【発明の効果】

【0010】

本発明のチップの製造方法は、基板上に絶縁膜とシリコンで構成された薄膜とが積層されたウエーハのチップへの分割不良を抑制することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、実施形態１に係るチップの製造方法の加工対象のウエーハの一例を示す斜視図である。

【図2】図２は、図１に示されたウエーハの一部分の断面図である。

【図3】図３は、実施形態１に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。

【図4】図４は、図３に示されたチップの製造方法の保持ステップを模式的に一部断面で示す断面図である。

【図5】図５は、図３に示されたチップの製造方法の加熱ステップを模式的に一部断面で示す断面図である。

【図6】図６は、図３に示されたチップの製造方法の改質層形成ステップを模式的に一部断面で示す断面図である。

【図7】図７は、図３に示されたチップの製造方法の分割ステップにおいて拡張装置がウエーハを保持した状態を模式的に一部断面で示す側面図である。

【図8】図８は、図３に示されたチップの製造方法の分割ステップにおいて拡張装置がウエーハを個々のチップに分割した状態を模式的に一部断面で示す側面図である。

【図9】図９は、実施形態１の変形例に係るチップの製造方法の加熱ステップのレーザービームのスポットの形状を模式的に示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

【0013】

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るチップの製造方法の加工対象のウエーハの一例を示す斜視図である。図２は、図１に示されたウエーハの一部分の断面図である。図３は、実施形態１に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。

【0014】

実施形態１に係るチップの製造方法は、図１に示されたウエーハ１を加工する方法である。実施形態１に係るチップの製造方法の加工対象のウエーハ１は、シリコン（Ｓｉ）を基板２とする円板状の半導体ウエーハ、又は光デバイスウエーハなどである。

【0015】

ウエーハ１は、図１に示すように、交差する複数の分割予定ライン３で区画された表面４の各領域それぞれにデバイス５が形成されている。デバイス５は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、あるいやＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサ、又は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等である。

【0016】

ウエーハ１は、図１及び図２に示すように、シリコンで構成された基板２と、基板２上に形成された絶縁体（例えば、ＳｉＯ_２）で構成された絶縁膜６と、絶縁膜６上に形成されかつシリコンで構成された薄膜であるＳｉ薄膜７とを表面４側に有している。実施形態１では、ウエーハ１は、絶縁膜６と、絶縁膜６上に形成されたＳｉ薄膜７とを基板２の表面側に備えるＳＯＩ（Silicon on insulator）ウエーハであり、デバイス５がＭＥＭＳである。また、実施形態１において、ウエーハ１は、Ｓｉ薄膜７上に更にパシベーション膜８を有している。なお、本発明では、絶縁膜６、Ｓｉ薄膜７、パシベーション膜８は、加熱されると脆化する材質で構成されている。

【0017】

実施形態１において、ウエーハ１は、分割予定ライン３に沿って切断されて、複数のチップ１０に分割される。なお、チップ１０は、基板２、絶縁膜６、Ｓｉ薄膜７及びパシベーション膜８の一部分により構成される。

【0018】

実施形態１に係るチップの製造方法は、前述した構成のウエーハ１を、デバイス５を区画する複数の分割予定ライン３に沿って分割し、チップ１０を製造する方法である。実施形態１に係るチップの製造方法は、図３に示すように、保持ステップ１０１と、加熱ステップ１０２と、改質層形成ステップ１０３と、分割ステップ１０４と、を有する。

【0019】

（保持ステップ）
図４は、図３に示されたチップの製造方法の保持ステップを模式的に一部断面で示す断面図である。保持ステップ１０１は、ウエーハ１の表面４側を保持テーブル２１で保持するステップである。

【0020】

実施形態１において、保持ステップ１０１では、ウエーハ１の外径よりも大径のテープ１１の糊層をウエーハ１の表面４の裏側の裏面９側に貼着し、テープ１１の糊層の外縁部を内径がウエーハ１の外径よりも大径な環状フレーム１２に貼着して、ウエーハ１を環状フレーム１２の内側の開口１３内にテープ１１で支持する。なお、テープ１１は、可撓性と非粘着性を有する合成樹脂により構成された基材層と、基材層に積層された可撓性と粘着性とを有する合成樹脂により構成された糊層とを含む。

【0021】

実施形態１において、保持ステップ１０１では、図４に示すように、レーザー加工装置２０が、保持テーブル２１の保持面２２に載置されたウエーハ１の表面４側を保持テーブル２１の保持面２２に吸引保持するとともに、保持テーブル２１の外周に複数設けられたクランプ２３で環状フレーム１２をクランプする。なお、実施形態１では、保持テーブル２１とウエーハ１の表面４との間に図示しない多孔質材で構成されたポーラスシートを配置して、ウエーハ１の表面４を保護している。

【0022】

（加熱ステップ）
図５は、図３に示されたチップの製造方法の加熱ステップを模式的に一部断面で示す断面図である。加熱ステップ１０２は、保持ステップ１０１の後、ウエーハ１の裏面９側から、ウエーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２５の集光点２６をウエーハ１の表面４近傍に位置付けて照射し、ウエーハ１に設定された分割予定ライン３に沿って絶縁膜６およびＳｉ薄膜７を加熱して脆化させるステップである。

【0023】

なお、本発明でいう、レーザービーム２５の集光点２６を位置付けるウエーハ１の表面４近傍とは、望ましくは、絶縁膜６、Ｓｉ薄膜７及びパシベーション膜８のいずれかの内部を示している。また、本発明でいう、レーザービーム２５の集光点２６を位置付けるウエーハ１の表面４近傍とは、基板２の絶縁膜６寄りの表層でも良い。要するに、本発明でいう、レーザービーム２５の集光点２６を位置付けるウエーハ１の表面４近傍とは、改質層形成ステップ１０３よりも低出力な加熱ステップ１０２でウエーハ１に照射されるレーザービーム２５により、絶縁膜６、Ｓｉ薄膜７及びパシベーション膜８を加熱して、これらを加熱前よりも脆化させることができる集光点２６の位置を示している。

【0024】

実施形態１において、加熱ステップ１０２では、レーザー加工装置２０は、レーザービーム照射ユニット２４が照射するウエーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２５の集光点２６を絶縁膜６、Ｓｉ薄膜７及びパシベーション膜８のいずれかの内部に設定する。実施形態１において、加熱ステップ１０２では、レーザー加工装置２０は、図５に示すように、保持テーブル２１とレーザービーム照射ユニット２４とを分割予定ライン３に沿って相対的に移動させながらパルス状のレーザービーム２５を分割予定ライン３に沿って裏面９側からウエーハ１に照射する。

【0025】

なお、実施形態１において、加熱ステップ１０２では、レーザービーム２５のエネルギーである出力は、絶縁膜６およびＳｉ薄膜７の加工閾値を超えないような値に設定される。加工閾値を超えない値とは、レーザービーム２５の照射により絶縁膜６、Ｓｉ薄膜７、基板２の内部に後述する改質層１５が形成されなくかつこれらを脆化する値であって、例えば、改質層形成ステップ１０３のレーザービーム２５の出力よりも低い値である。

【0026】

こうして、実施形態１において、加熱ステップ１０２では、レーザー加工装置２０は、保持テーブル２１とレーザービーム照射ユニット２４とを分割予定ライン３に沿って相対的に移動させながらパルス状のレーザービーム２５を分割予定ライン３に沿って裏面９側からウエーハ１に照射して、絶縁膜６、およびＳｉ薄膜７を加熱するとともに、パシベーション膜８の加熱も行って、これらを分割予定ライン３に沿って脆化する。

【0027】

なお、実施形態１において、加熱ステップ１０２では、レーザー加工装置２０は、保持テーブル２１とレーザービーム照射ユニット２４とを各分割予定ライン３に沿って相対的に２回移動させながらパルス状のレーザービーム２５を裏面９側からウエーハ１に照射する。即ち、実施形態１において、加熱ステップ１０２では、レーザー加工装置２０は、ウエーハ１の各分割予定ライン３に２回、パルス状のレーザービーム２５を裏面９側から照射する。なお、本発明において、加熱ステップ１０２では、レーザー加工装置２０は、保持テーブル２１とレーザービーム照射ユニット２４とを各分割予定ライン３に沿って相対的に少なくとも１回移動させながらパルス状のレーザービーム２５を裏面９側からウエーハ１に照射すれば良い。

【0028】

また、実施形態１において、加熱ステップ１０２では、レーザービーム２５の集光点２６を絶縁膜６、Ｓｉ薄膜７及びパシベーション膜８のいずれかの内部に設定したが、本発明では、集光点２６の位置は、前述したウエーハ１の表面４近傍であれば良い。

【0029】

（改質層形成ステップ）
図６は、図３に示されたチップの製造方法の改質層形成ステップを模式的に一部断面で示す断面図である。改質層形成ステップ１０３は、ウエーハ１の裏面９側からウエーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２５の集光点２６をウエーハ１の基板２の内部に位置付けて照射し、ウエーハ１に設定された分割予定ライン３に沿って改質層１５を形成するステップである。

【0030】

なお、改質層１５とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。また、改質層１５は、ウエーハ１の基板２の他の部分よりも機械的な強度等が低い。

【0031】

実施形態１において、改質層形成ステップ１０３では、レーザー加工装置２０は、ウエーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２５の集光点２６を基板２の内部に設定する。実施形態１において、改質層形成ステップ１０３では、レーザー加工装置２０は、図６に示すように、保持テーブル２１とレーザービーム照射ユニット２４とを分割予定ライン３に沿って相対的に移動させながらパルス状のレーザービーム２５を分割予定ライン３に沿って裏面９側からウエーハ１に照射する。

【0032】

改質層形成ステップ１０３では、レーザー加工装置２０が、ウエーハ１に対して透過性を有する波長を有するレーザービーム２５を照射するために、ウエーハ１の基板２の内部に分割予定ライン３に沿って改質層１５を形成する。

【0033】

なお、実施形態１において、改質層形成ステップ１０３では、レーザー加工装置２０は、保持テーブル２１とレーザービーム照射ユニット２４とを各分割予定ライン３に沿って相対的に複数回移動させながらパルス状のレーザービーム２５を裏面９側からウエーハ１に照射する。即ち、実施形態１において、加熱ステップ１０２では、レーザー加工装置２０は、ウエーハ１の各分割予定ライン３に複数回、パルス状のレーザービーム２５を裏面９側から照射する。

【0034】

なお、本発明において、改質層形成ステップ１０３では、レーザー加工装置２０は、ウエーハ１の各分割予定ライン３に複数回、パルス状のレーザービーム２５を裏面９側から照射する際に、集光点２６の厚み方向の位置を変更しても良く、出力を変更しても良い。また、本発明において、改質層形成ステップ１０３では、レーザー加工装置２０は、ウエーハ１の各分割予定ライン３に複数回、パルス状のレーザービーム２５を裏面９側から照射する際のうち少なくとも１回、レーザービーム２５の出力を加熱ステップ１０２のレーザービーム２５の出力よりも高く設定する。

【0035】

（分割ステップ）
図７は、図３に示されたチップの製造方法の分割ステップにおいて拡張装置がウエーハを保持した状態を模式的に一部断面で示す側面図である。図８は、図３に示されたチップの製造方法の分割ステップにおいて拡張装置がウエーハを個々のチップに分割した状態を模式的に一部断面で示す側面図である。

【0036】

分割ステップ１０４は、ウエーハ１に対して外力を付与して分割予定ライン３の内部に形成された改質層１５を起点として個々のチップ１０に分割するステップである。分割ステップ１０４では、図７に示すように、拡張装置５０がフレーム載置プレート５１とフレーム押さえプレート５２との間にウエーハ１を開口１３の内側に支持した環状フレーム１２とテープ１１の外縁部とを挟んで保持するとともに、拡張ドラム５３の上端に設けられたコロ部材５４をテープ１１に当接させる。

【0037】

こうして、分割ステップ１０４では、図７に示すように、拡張装置５０は、テープ１１が外縁部と中央部とに亘って平坦な状態で、ウエーハ１を支持した環状フレーム１２などをフレーム載置プレート５１とフレーム押さえプレート５２とで保持する。分割ステップ１０４では、拡張装置５０は、環状フレーム１２とウエーハ１とをウエーハ１の表面に対して交差（実施形態１では、直交）する方向に沿って相対的に移動させる。実施形態１において、分割ステップ１０４では、拡張装置５０は、図８に示すように、拡張ドラム５３を上昇させて、環状フレーム１２とウエーハ１とを、ウエーハ１の表面に対して交差（実施形態１では、直交）する方向に沿って相対的に移動させる。

【0038】

すると、テープ１１のウエーハ１の外縁と環状フレーム１２の内縁との間をコロ部材５４が下方から上方に向けて押圧するとともに、テープ１１が面方向に拡張される。テープ１１の拡張の結果、テープ１１に放射状に引張力が作用する。ウエーハ１の裏面９に貼着されたテープ１１に放射状に引張力が作用すると、ウエーハ１は、分割予定ライン３に沿って改質層１５が形成され、かつ絶縁膜６、Ｓｉ薄膜７及びパシベーション膜８が分割予定ライン３に沿って脆化されているので、改質層１５を基点として分割予定ライン３に沿って、基板２、絶縁膜６、Ｓｉ薄膜７及びパシベーション膜８が分割される。

【0039】

こうして、分割ステップ１０４では、ウエーハ１は、個々のチップ１０に分割される。個々に分割されたチップ１０は、テープ１１からピックアップされる。

【0040】

以上説明した実施形態１に係るチップの製造方法は、集光点２６をウエーハ１の表面４近傍に設定してレーザービーム２５を分割予定ライン３に沿って照射することで絶縁膜６、Ｓｉ薄膜及びパシベーション膜８を加熱することにより脆化し、その後、基板２の内部に改質層１５を形成して、ウエーハ１を個々のチップ１０に分割する。このために、チップ１０の製造方法は、加熱により分割不良の原因となっていた絶縁膜６、Ｓｉ薄膜７及びパシベーション膜８を脆化するため、これらを分割し易くすることが可能となる。その結果、実施形態１に係るチップの製造方法は、基板２上に絶縁膜６とシリコンで構成されたＳｉ薄膜とパシベーション膜８が積層されたウエーハ１のチップ１０への分割不良を抑制することができるという効果を奏する。

【0041】

〔変形例〕
本発明の実施形態１の変形例に係るチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図９は、実施形態１の変形例に係るチップの製造方法の加熱ステップのレーザービームのスポットの形状を模式的に示す平面図である。なお、図９は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0042】

変形例にかかるチップの製造方法は、加熱ステップ１０２におけるレーザービーム２５のスポット２５１の形状を、図９に示すように、レーザービーム２５がデバイス５に照射されることを規制できる形状に形成する事以外、実施形態１と同じである。なお、図９では、レーザービーム２５のスポット２５１の形状は、分割予定ライン３に沿って延びた長円形状であるが、本発明では、レーザービーム２５がデバイス５に照射されないのであれば、図９に示された形状に限定されない。なお、レーザービーム２５のスポット２５１の形状は、周知のマスク、または、空間光変調器（ＬＣＯＳ；Liquid Crystal On Silicon）を用いて例えば図９のように形成する。

【0043】

変形例にかかるチップの製造方法は、集光点２６をウエーハ１の表面４近傍に設定してレーザービーム２５を分割予定ライン３に沿って照射することで絶縁膜６、Ｓｉ薄膜及びパシベーション膜８を加熱することにより脆化するので、これらを分割し易くすることが可能となり、実施形態１と同様に、基板２上に絶縁膜６とシリコンで構成されたＳｉ薄膜７とパシベーション膜８が積層されたウエーハ１のチップ１０への分割不良を抑制することができるという効果を奏する。

【0044】

また、表面４から裏面９に向かって貫通孔を有するようなデバイスの場合、加熱ステップ１０２において、裏面９から入射したレーザービーム２５が貫通孔に影響されて表面４近傍に到達するエネルギー密度が貫通孔がない場合から変化してしまう。そこで、変形例にかかるチップの製造方法は、加熱ステップ１０２におけるレーザービーム２５のスポット２５１の形状を、レーザービーム２５がデバイス５に照射されることを規制できる形状に形成するので、レーザービーム２５がデバイス５の構造の影響を受けることなく加工が可能となる。

【0045】

また、本発明では、改質層形成ステップ１０３におけるレーザービーム２５のスポット２５１の形状を、図９に示すように、レーザービーム２５がデバイス５に照射されることを規制できる形状に形成しても良い。

【0046】

次に、本発明の発明者は前述した実施形態１に係るチップの製造方法の効果を、比較例及び本発明品それぞれにおいて、同じウエーハ１を個々のチップ１０に分割して、個片化されたチップ１０の割合（以下、分割率という）を測定することで、確認した。結果を表１に示す。

【0047】

【表1】

【0048】

表１の比較例は、実施形態１に係るチップの製造方法の加熱ステップ１０２を実施することなく、保持ステップ１０１、改質層形成ステップ１０３及び分割ステップ１０４を順に実施して、ウエーハ１を個々のチップ１０に分割した。

【0049】

表１の本発明品は、実施形態１に係るチップの製造方法を実施して、ウエーハ１を個々のチップ１０に分割した。

【0050】

結果を表１に示す確認では、比較例の改質層形成ステップ１０３、本発明品の加熱ステップ１０２及び改質層形成ステップ１０３のレーザービーム２５の繰り返し周波数、レーザービーム照射ユニット２４と保持テーブル２１の相対的な移動速度を同じにした。

【0051】

また、本発明品は、加熱ステップ１０２では、デフォーカスの位置を－０．０９３ｍｍとし、レーザービーム２５の出力を０．２Ｗとして、各分割予定ライン３に沿って２回（以下、パスと記す）裏面９側からウエーハ１にレーザービーム２５を照射した。

【0052】

また、本発明品、及び比較例は、改質層形成ステップ１０３では、各分割予定ライン３に沿って５パス、裏面９側からウエーハ１にレーザービーム２５を照射し、１パス目のデフォーカスの位置を－０．０９ｍｍとし、レーザービーム２５の出力を０．４Ｗとし、２パス目のデフォーカスの位置を－０．０７５ｍｍとし、レーザービーム２５の出力を２．０Ｗとし、３パス目のデフォーカスの位置を－０．０１４ｍｍとし、レーザービーム２５の出力を０．３Ｗとし、４パス目のデフォーカスの位置を－０．０４ｍｍとし、レーザービーム２５の出力を１．６Ｗとし、５パス目のデフォーカスの位置を－０．０５５ｍｍとし、レーザービーム２５の出力を２．０Ｗとした。

【0053】

表１によれば、比較例では、６０％のチップ１０しか個片化できなかった。このような比較例に対して、本発明品では、１００％のチップ１０を個片化することができた。

【0054】

したがって、表１によれば、加熱ステップ１０２において、ウエーハ１の裏面９側から、ウエーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２５の集光点２６をウエーハ１の表面４近傍に位置付けて照射し、ウエーハ１に設定された分割予定ライン３に沿って絶縁膜６、Ｓｉ薄膜及びパシベーション膜８を加熱して脆化させることで、基板２上に絶縁膜６とシリコンで構成されたＳｉ薄膜７とパシベーション膜８が積層されたウエーハ１のチップ１０への分割不良を抑制することができることが明らかとなった。

【0055】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明は、チップ１０に分割される対象のウエーハ１は、Ｓｉ薄膜７上にパシベーション膜８が形成されていなくても良い。

【0056】

また、本発明では、チップ１０に分割される対象のウエーハ１は、ＳＯＩウエーハに限定されない。本発明では、チップ１０に分割される対象のウエーハ１は、基板２とＳｉ薄膜７とが絶縁膜６である接着剤により接着され、固定されたものでも良い。

【符号の説明】

【0057】

１ ウエーハ
２ 基板
３ 分割予定ライン
４ 表面
６ 絶縁膜
７ Ｓｉ薄膜（薄膜）
８ パシベーション膜
９ 裏面
１０ チップ
１５ 改質層
２１ 保持テーブル
２５ レーザービーム
２６ 集光点
１０１ 保持ステップ
１０２ 加熱ステップ
１０３ 改質層形成ステップ
１０４ 分割ステップ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】