特許 7628600 処理装置、プログラム及び半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-01-31

(45)【発行日】2025-02-10

(54)【発明の名称】処理装置、プログラム及び半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/26 20060101AFI20250203BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20250203BHJP

【ＦＩ】

H01L21/26 T

H01L21/31 C

【請求項の数】 16

(21)【出願番号】P 2023508414

(86)(22)【出願日】2021-03-26

(86)【国際出願番号】 JP2021013111

(87)【国際公開番号】W WO2022201546

(87)【国際公開日】2022-09-29

【審査請求日】2023-06-09

(73)【特許権者】

【識別番号】318009126

【氏名又は名称】株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】末吉 雅子

(72)【発明者】

【氏名】野村 誠

(72)【発明者】

【氏名】久田 拓

【審査官】桑原 清

(56)【参考文献】

【文献】特開２００７－３１１６１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２８８２８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－２１０７６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－１５４７３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００６－５００７８９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／２６

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を加熱するヒータの設定値と、前記基板を加熱するランプの設定値とが基板の目標温度に対して設定された温度制御テーブルと、基板を処理するための複数のステップで構成されるプロセスレシピと、を少なくとも記憶する記憶部と、
前記プロセスレシピを実行制御することが可能な制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記プロセスレシピ内に設定された基板温度に相当する目標温度により前記温度制御テーブルを検索し、
前記基板温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、前記プロセスレシピ内の前記ヒータの温度設定値、前記基板温度に対する前記ヒータの温度の比率である前記ヒータの温度比率、前記ランプのパワー設定値、前記ランプのランプレート値の少なくとも１つに設定するように制御可能な処理装置。

【請求項2】

前記制御部は、前記基板温度に相当する目標温度が前記温度制御テーブルから抽出できない場合、前記プロセスレシピ内の前記ヒータの温度設定値、前記ヒータの温度比率、前記ランプのパワー設定値、前記ランプのランプレート値のうち少なくとも１つに０を設定する、または未設定にするように制御可能な請求項１記載の処理装置。

【請求項3】

前記制御部は、前記基板温度に相当する目標温度が前記温度制御テーブルにない場合、
前記基板温度に最も近い基板温度に相当する目標温度により前記温度制御テーブルを検索し、
前記基板温度に最も近い基板温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、前記プロセスレシピ内の前記ヒータの温度設定値、前記ヒータの温度比率、前記ランプのパワー設定値、前記ランプのランプレート値の少なくとも１つに設定するように制御可能な請求項１記載の処理装置。

【請求項4】

前記制御部は、前記基板温度に相当する目標温度が前記温度制御テーブルにない場合、
前記基板温度に相当する目標温度が範囲に含まれる前記温度制御テーブル内の２点の基板温度を判定し、
前記２点の基板温度に相当する目標温度に対してそれぞれ設定されている設定値を、前記プロセスレシピ内の前記ヒータの温度設定値、前記ヒータの温度比率、前記ランプのパワー設定値、前記ランプのランプレート値の少なくとも１つについて、前記２点の基板温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値に基づいて比例式で算出するよう制御可能な請求項１記載の処理装置。

【請求項5】

前記制御部は、前記プロセスレシピ内に設定された基板温度が所定温度以上である場合、温度機能選択フラグをオンにして、少なくとも前記ランプのパワー設定値と前記ランプのランプレート値を含むランプ制御値を設定するように制御可能な請求項１記載の処理装置。

【請求項6】

前記制御部は、前記温度機能選択フラグがオンの場合、ランプ機能選択フラグをオンにすることが可能に制御可能な請求項５記載の処理装置。

【請求項7】

前記ランプ制御値は、
前記プロセスレシピ内に設定された基板温度に昇温させるときの制御値である第１制御値と、
前記プロセスレシピ内に設定された基板温度に安定させるときの制御値である第２制御値と、
を有する請求項５記載の処理装置。

【請求項8】

前記温度制御テーブルは、ヒータユニット、ランプユニット、高周波電源、マイクロ波ユニット、冷却ユニットのうち少なくとも一つのアイテムにおける設定値を含む請求項１記載の処理装置。

【請求項9】

更に、前記ランプのパワー設定値、前記ランプのランプレート値を含むランプ制御値は、
前記プロセスレシピ内に設定された基板温度に昇温させるときの制御値である第１制御値と、
前記プロセスレシピ内に設定された基板温度に安定させるときの制御値である第２制御値と、を有し、
前記制御部は、前記複数のステップのうちの一つのステップに、前記第１制御値と前記第２制御値を設定可能なように制御可能な請求項１記載の処理装置。

【請求項10】

更に、前記ランプのパワー設定値、前記ランプのランプレート値を含むランプ制御値は、
前記プロセスレシピ内に設定された基板温度に安定させるときの制御値である第２制御値と、を少なくとも有し、
前記制御部は、前記複数のステップのうちの昇温ステップと基板処理ステップに連続して、前記第２制御値を設定可能なように制御可能な請求項１記載の処理装置。

【請求項11】

前記制御部は、前記温度制御テーブル内の前記基板温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、前記プロセスレシピ内の前記ヒータの温度設定値、前記ヒータの温度比率、前記ランプのパワー設定値、前記ランプのランプレート値のそれぞれに設定するように制御可能な請求項１記載の処理装置。

【請求項12】

基板を加熱するヒータの設定値と、前記基板を加熱するランプの設定値とを基板の目標温度に対して設定可能な第１温度制御テーブルと、前記ランプの設定値を基板の目標温度に対して設定可能な第２温度制御テーブルを含む温度制御テーブルと、基板を処理するための複数のステップで構成されるプロセスレシピと、を少なくとも記憶する記憶部と、
前記プロセスレシピの実行を制御可能な制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記プロセスレシピ内に設定された基板温度が所定温度未満であれば、前記第１温度制御テーブルを検索し、前記第１温度制御テーブル内の前記基板温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、前記プロセスレシピ内の前記ヒータの温度設定値、前記基板温度に対する前記ヒータの温度の比率である前記ヒータの温度比率、の少なくとも１つに設定し、
前記プロセスレシピ内に設定された基板温度が所定温度以上であれば、前記第１温度制御テーブルと前記第２温度制御テーブルを検索し、前記第１温度制御テーブル内の前記基板温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、前記プロセスレシピ内の前記ヒータの温度設定値、前記ヒータの温度比率、の少なくとも１つに設定し、前記第２温度制御テーブル内の前記基板温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、前記プロセスレシピ内の前記ランプのパワー設定値、前記ランプのランプレート値の少なくとも１つに設定するように制御可能な
処理装置。

【請求項13】

基板を加熱するヒータの設定値を設定可能な第１温度制御テーブルと、前記ヒータの設定値と前記基板を加熱するランプの設定値を設定可能な第２温度制御テーブルを含む温度制御テーブルと、基板を処理するための複数のステップで構成されるプロセスレシピと、を少なくとも記憶する記憶部と、
前記プロセスレシピの実行を制御可能な制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記プロセスレシピ内に設定された基板温度が所定温度未満であれば、前記第１温度制御テーブルを選択し、前記第１温度制御テーブル内の前記基板温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、前記プロセスレシピ内の前記ヒータの温度設定値、前記基板温度に対する前記ヒータの温度の比率である前記ヒータの温度比率、の少なくとも１つに設定し、
前記プロセスレシピ内に設定された基板温度が所定温度以上であれば、前記第２温度制御テーブルを選択し、前記第２温度制御テーブル内の前記基板温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、前記プロセスレシピ内の前記ヒータの温度設定値、前記ヒータの温度比率、前記ランプのパワー設定値、前記ランプのランプレート値の少なくとも１つに設定するように制御可能な
処理装置。

【請求項14】

更に、前記プロセスレシピを編集する編集画面を備えた操作部を有し、
前記操作部は、所定の画面イベントに応じて、前記温度制御テーブルのダウンロード、前記温度制御テーブルの変更、前記温度制御テーブル内の設定値変更、前記温度制御テーブル内に設定されている温度制御モード変更、前記温度制御テーブル内に設定されている機能選択ボタン変更のうち、いずれか一つのイベントを実行するように構成されている請求項１記載の処理装置。

【請求項15】

複数の温度制御アイテムを設定してレシピを作成し、該作成されたレシピを実行することにより基板を処理する制御部を備えた基板処理装置で実行されるプログラムであって、
前記基板を加熱するヒータの設定値と、前記基板を加熱するランプの設定値とが基板の目標温度に対して設定された温度制御テーブルと、基板を処理するためのプロセスレシピと、を少なくとも記憶する手順と、
前記プロセスレシピ内に設定された基板温度に相当する目標温度により前記温度制御テーブルを検索する手順と、
前記基板温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、前記プロセスレシピ内の前記ヒータの温度設定値、前記基板温度に対する前記ヒータの温度の比率である前記ヒータの温度比率、前記ランプのパワー設定値、前記ランプのランプレート値の少なくとも１つに設定する手順と、
前記プロセスレシピを実行する手順と、
をコンピュータにより前記基板処理装置に実行させるプログラム。

【請求項16】

複数の温度制御アイテムを設定してレシピを作成し、該作成されたレシピを実行することにより基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
前記基板を加熱するヒータの設定値と、前記基板を加熱するランプの設定値とが基板の目標温度に対して設定された温度制御テーブルと、基板を処理するためのプロセスレシピと、を少なくとも記憶する工程と、
前記プロセスレシピ内に設定された基板温度に相当する目標温度により前記温度制御テーブルを検索する工程と、
前記基板温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、前記プロセスレシピ内の前記ヒータの温度設定値、前記基板温度に対する前記ヒータの温度の比率である前記ヒータの温度比率、前記ランプのパワー設定値、前記ランプのランプレート値の少なくとも１つに設定する工程と、
前記プロセスレシピを実行する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、処理装置、プログラム及び半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造工程の一工程として、基板を加熱して、窒化、酸化、アニール等の処理を行う基板処理装置がある。

【0003】

特許文献１には、サセプタのヒータとランプ加熱ユニットを併用して処理室の温度を昇温させる基板処理装置が開示されている。

【0004】

特許文献２には、抵抗加熱ヒータによって基板を加熱し、さらにランプヒータを補助ヒータとして用いる基板処理装置が開示されている。

【0005】

特許文献３には、設定画面上でランプの温度設定とヒータの温度設定が可能に構成された基板処理装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２０１２－２３１００１号公報

【文献】特開２００７－３１１６１８号公報

【文献】特開２００８－２８８２８２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

上述したような基板処理装置において、基板を加熱する際に、ヒータや、ランプユニットや、高周波電源等の複数の温度制御アイテムの設定値の組み合わせの設定が必要となっている。

【0008】

本開示によれば、目標温度とするウエハ温度の指定のみで、プロセスレシピを作成して温度制御が可能となり、設定ミスが低減される。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本開示の一態様によれば、基板を加熱するヒータの設定値と、前記基板を加熱するランプの設定値とが基板の目標温度に対して設定された温度制御テーブルと、基板を処理するための複数のステップで構成されるプロセスレシピと、を少なくとも記憶する記憶部と、前記プロセスレシピを実行する制御部と、を備え、前記制御部は、前記プロセスレシピ内に設定された基板温度に相当する目標温度により前記温度制御テーブルを検索し、前記基板温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、前記プロセスレシピ内のヒータの温度設定値、ヒータの温度比率、ランプのパワー設定値、ランプレート値の少なくとも１つに設定するように構成されている技術が提供される。

【発明の効果】

【0010】

本開示によれば、目標温度とするウエハ温度の指定のみで、プロセスレシピを作成して温度制御が可能となり、設定ミスを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本開示の一実施形態に好適に用いられる基板処理装置１００を示す縦断面図である。

【図2】本開示の一実施形態に好適に用いられる基板処理装置１００のコントローラ１２１の概略構成図であり、コントローラの制御系をブロック図で示す図である。

【図3】基板を加熱する際の温度制御アイテムと、各温度制御アイテムにおける設定項目の設定値の一例を示す図である。

【図4】記憶装置又は外部記憶装置に記憶される温度制御テーブルの一例を示す図である。

【図5】記憶装置又は外部記憶装置に記憶されるプロセスレシピの一例を示す図である。

【図6】プロセスレシピ開始時のプロセスレシピと温度制御テーブルのダウンロード処理を説明するための図である。

【図7】各ステップにおける温度制御動作について説明するためのフローチャートである。

【図8】操作画面上でレシピ編集処理を行う際の手順について説明するためのフローチャートである。

【図9】温度制御テーブルのデータ算出方法について説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、本開示の一実施形態について、図面を用いて説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

【0013】

（１）基板処理装置の構成
基板処理装置１００は、処理容器２０３を有し、この処理容器２０３は、第１の容器であるドーム型の上側容器２１０と第２の容器である碗型の下側容器２１１により形成され、上側容器２１０は下側容器２１１の上に被せられている。上側容器２１０は酸化アルミニウム又は石英等の非金属材料で形成されており、下側容器２１１は例えばアルミニウムで形成されている。また、処理容器２０３の上面には光透過性窓部２７８が配設され、この光透過性窓部２７８に対応する処理容器２０３外側にランプユニット（光源）２８０が設けられている。また後述するヒータ一体型の基板保持具（基板保持手段）であるサセプタ２１７を窒化アルミニウムやセラミックス又は石英等の非金属材料で構成することによって、処理の際に膜中に取り込まれる金属汚染を低減している。

【0014】

シャワーヘッド２３６は、処理室（反応室）２０１の上部に設けられ、リング状の枠体２３３と、光透過性窓部２７８と、ガス導入口２３４と、バッファ室２３７と、開口２３８と、遮蔽プレート２４０と、ガス吹出口２３９とを備えている。バッファ室２３７は、ガス導入口２３４より導入されたガスを分散するための分散空間として設けられる。

【0015】

ガス導入口２３４には、ガスを供給するガス供給管２３２が接続されており、ガス供給管２３２は、開閉弁であるバルブ２４３ａ、流量制御器（流量制御手段）であるマスフローコントローラ２４１を介して図中省略の反応ガス２３０のガスボンベに繋がっている。シャワーヘッド２３６から反応ガス２３０が処理室２０１に供給され、また、サセプタ２１７の周囲から処理室２０１の底方向へ基板処理後のガスが流れるように下側容器２１１の側壁にガスを排気するガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５にはガスを排気するガス排気管２３１が接続されており、ガス排気管２３１は、圧力調整器であるＡＰＣ２４２、開閉弁であるバルブ２４３ｂを介して排気装置である真空ポンプ２４６に接続されている。

【0016】

供給される反応ガス２３０を励起させる放電機構（放電用電極）として、筒状、例えば 円筒状に形成された第１の電極である筒状電極２１５が設けられる。筒状電極２１５は処理容器２０３（上側容器２１０）の外周に設置されて処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４を囲んでいる。筒状電極２１５にはインピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して高周波電力を印加する高周波電源２７３が接続されている。

【0017】

また、筒状、例えば円筒状に形成された磁界形成機構（磁界形成手段）である筒状磁石２１６は筒状の永久磁石となっている。筒状磁石２１６は、筒状電極２１５の外表面の上下端近傍に配置される。上下の筒状磁石２１６、２１６は、処理室２０１の半径方向に沿った両端（内周端と外周端）に磁極を持ち、上下の筒状磁石２１６、２１６の磁極の向きが逆向きに設定されている。従って、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極２１５の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。

【0018】

処理室２０１の底側中央には、基板であるウエハ２００を保持するための基板保持具（基板保持手段）としてサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は、例えば窒化アルミニウムやセラミックス、又は石英等の非金属材料で形成され、内部に加熱機構（加熱手段）としてのヒータ２１７ｂが一体的に埋め込まれており、ウエハ２００を加熱できるようになっている。ヒータ２１７ｂは、電力が印加されてウエハ２００を加熱できるように構成されている。ヒータ２１７ｂは、サセプタ２１７にウエハ２００を載置して加熱する第１の加熱装置として構成されている。

【0019】

また、サセプタ２１７の内部には、さらにインピーダンスを変化させるための電極である第２の電極も装備されており、この第２の電極がインピーダンス可変機構２７４を介して接地されている。インピーダンス可変機構２７４は、コイルや可変コンデンサから構成され、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、上記電極及びサセプタ２１７を介してウエハ２００の電位を制御できるようになっている。

【0020】

ウエハ２００をマグネトロン型プラズマ源でのマグネトロン放電により処理するための処理炉２０２は、少なくとも処理室２０１、処理容器２０３、サセプタ２１７、筒状電極２１５、筒状磁石２１６、シャワーヘッド２３６、及び排気口２３５から構成されており、処理室２０１でウエハ２００をプラズマ処理することが可能となっている。

【0021】

筒状電極２１５及び筒状磁石２１６の周囲には、この筒状電極２１５及び筒状磁石２１６で形成される電界や磁界を外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板２２３が設けられている。

【0022】

サセプタ２１７は下側容器２１１と絶縁され、サセプタ２１７を昇降させるサセプタ昇降機構（昇降手段）２６８が設けられている。またサセプタ２１７には貫通孔２１７ａが設けられ、下側容器２１１底面にはウエハ２００を突上げるためのウエハ突上げピン２６６が少なくとも３箇所に設けられている。そして、サセプタ昇降機構２６８によりサセプ タ２１７が下降させられた時にはウエハ突上げピン２６６がサセプタ２１７と非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるような位置関係となるよう、貫通孔２１７ａ及びウエハ突上げピン２６６が配置される。

【0023】

また、下側容器２１１の側壁には仕切弁となるゲートバルブ２４４が設けられ、開いている時には図中省略の搬送機構（搬送手段）により処理室２０１に対してウエハ２００を搬入、または搬出することができ、閉まっている時には処理室２０１を気密に閉じることができる。

【0024】

次にランプユニット２８０の周辺構造を説明する。
ランプユニット２８０は、枠体２３３上に配設され、少なくとも１つ（本実施形態においては４つ）の加熱ランプを有する。光透過性窓部２７８は、円柱状に形成されており、不図示のシール部材を介して枠体２３３に支持されている。この光透過性窓部２７８は、ランプユニット２８０から照射された光や熱を透過させる透過性部材から構成されている。ランプユニット２８０は、ウエハ２００を処理容器２０３の外側から加熱する第２の加熱装置として構成されている。

【0025】

また、枠体２３３内には、冷却手段としての冷却路（不図示）が設けられている。この冷却路に冷却媒体（例えば冷却水）を流通させることにより、シール部材周辺の環境温度を低下させるように構成されている。

【0026】

（２）制御部の構成
図２に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶部である記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置４０２が接続されている。

【0027】

記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、所定の処理手順（以後、ステップともいう）や条件等が記載されたレシピ等が、読み出し可能に格納されている。主に、複数のステップで構成されるプロセスレシピは、所定の処理における各ステップをコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、プロセスレシピを含むレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、以後、プロセスレシピを、単に、レシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

【0028】

Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のバルブ２４３ａ，２４３ｂ、マスフローコントローラ２４１、ＡＰＣ２４２、真空ポンプ２４６、整合器２７２、高周波電源２７３、ヒータ２１７ｂ、サセプタ昇降機構２６８、インピーダンス可変機構２７４、ゲートバルブ２４４、ランプユニット２８０等に接続されている。

【0029】

ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置４０２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。図１に示すように、ＣＰＵ１２１ａは、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、Ｉ／Ｏポート１２１ｄおよび信号線Ａを通じてＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降機構２６８を、信号線Ｃを通じてゲートバルブ２４４を、信号線Ｄを通じて整合器２７２、高周波電源２７３を、信号線Ｅを通じてマスフローコントローラ２４１、バルブ２４３ａを、さらに信号線Ｆを通じてヒータ２１７ｂ、インピーダンス可変機構２７４、ランプユニット２８０をそれぞれ制御するよう構成されている。

【0030】

コントローラ１２１は、記憶部である外部記憶装置４０３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。外部記憶装置４０３は、例えば、ＵＳＢメモリ等の半導体メモリ等を含む。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置４０３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本開示において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置４０３単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置４０３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。

【0031】

（３）基板処理工程
次に上記のような構成の基板処理装置を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウエハ２００表面に対し、又はウエハ２００上に形成された下地膜の表面に対し所定の処理を施す方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。

【0032】

ウエハ２００は処理炉２０２を構成する処理室２０１の外部からウエハを搬送する図中省略の搬送機構によって処理室２０１に搬入され、サセプタ２１７上に搬送される。この搬送動作の詳細は次の通りである。サセプタ２１７が基板搬送位置まで下降し、ウエハ突上げピン２６６の先端がサセプタ２１７の貫通孔２１７ａを通過する。このときサセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突き上げピン２６６が突き出された状態となる。次に、下側容器２１１に設けられたゲートバルブ２４４が開かれ、図中省略の搬送機構によってウエハ２００をウエハ突上げピン２６６の先端に載置する。搬送機構が処理室２０１外へ退避すると、ゲートバルブ２４４が閉じられる。サセプタ２１７がサセプタ昇降機構２６８により上昇すると、サセプタ２１７上面にウエハ２００を載置することができ、更にウエハ２００を処理する位置まで上昇する。

【0033】

サセプタ２１７に埋め込まれたヒータ２１７ｂは予め加熱され、必要に応じてランプユニット２８０も加熱されて、搬入されたウエハ２００を所定の処理温度であるウエハ温度（基板温度）に加熱する。真空ポンプ２４６、及びＡＰＣ２４２を用いて処理室２０１の圧力を所定の圧力に維持する。

【0034】

ウエハ２００の温度がウエハ温度に達し、安定化したら、ガス導入口２３４から遮蔽プレート２４０のガス噴出孔２３９を介して、反応ガスを処理室２０１に配置されているウエ ハ２００の上面（処理面）に向けて導入する。このときのガス流量は所定の流量とする。同時に筒状電極２１５に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加する。印加する電力は、所定の出力値を投入する。このときインピーダンス可変機構２７４は予め所望のインピーダンス値となるように制御しておく。

【0035】

筒状磁石２１６、２１６の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウエハ２００の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域２２４に高密度プラズマが生成され る。そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ２１７上のウエハ２００の表面にプラズマ処理が施される。プラズマ処理が終わったウエハ２００は、図示略の搬送機構を用いて、基板搬入と逆の手順で処理室２０１外へ搬送される。

【0036】

（４）制御部による温度制御
次に、本開示の一実施形態におけるコントローラ１２１による温度制御について説明する。本開示では、コントローラ１２１が、上述した基板処理工程においてプロセスレシピを実行する際に、記憶装置１２１ｃ又は外部記憶装置４０３に格納された温度制御テーブルにおけるヒータ２１７ｂの設定値とランプユニット２８０の設定値を用いてウエハ温度を制御するよう構成されている。

【0037】

ここで、ウエハ２００を処理する際のウエハ温度は、例えば図３に示すように、ヒータやランプユニットや高周波電源やマイクロ波発生器やチラー等の複数の温度制御アイテムの複数の設定項目における設定値によって影響される。

【0038】

本開示において、記憶装置１２１ｃ又は外部記憶装置４０３には、ウエハ２００の目標温度であるウエハ温度に対して、ウエハ２００を加熱するヒータ２１７ｂの複数の設定項目における設定値と、ウエハ２００を加熱するランプユニット２８０の複数の設定項目における設定値と、を関連付けた温度制御テーブルと、上述した基板処理工程においてウエハ２００を処理するための複数のステップで構成されるプロセスレシピが記憶されている。図４は、温度制御テーブルの一例を示し、図５は、プロセスレシピの一例を示している。

【0039】

図４に示すように、温度制御テーブルは、プロセスレシピの各ステップに設定する際の目標温度となるウエハ温度（℃）に対して、ヒータ２１７ｂを制御するヒータ制御値であるヒータ２１７ｂの温度設定値（℃）と、ヒータ２１７ｂの入力側と出力側のパワー比率である温度比率と、ランプユニット２８０を制御するランプ制御値であるランプユニット２８０を昇温させるときの昇温工程の昇温時間（秒）と、ランプユニット２８０の昇温工程のパワー設定値（％）と、ランプユニット２８０の昇温工程のランプレート（％／秒）と、ランプユニット２８０を昇温後に設定されたウエハ温度に安定させるときのプロセス工程のパワー設定値（％）と、ランプユニット２８０のプロセス工程のランプレート（％／秒）と、を対応づけて（関連付けて）設定されたものである。すなわち、ランプ制御値は、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に昇温させるときの制御値である第１制御値と、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に安定させるときの制御値である第２制御値と、を有する。また、第１制御値と第２制御値は、１つの目標温度であるウエハ温度に対して設定可能であり、プロセスレシピの複数のステップのうちの一つのステップに、第１制御値と第２制御値を設定可能に構成されている。これにより、ヒータ２１７ｂとランプユニット２８０によってウエハ２００の温度制御を行うことができ、ウエハ２００を所望の温度に安定させて、ウエハを処理することができる。

【0040】

図５に示すように、プロセスレシピは、各ステップにおけるイベント名、イベント時間、ウエハ温度、高周波電源のオンオフとパワー設定値（Ｗ）、ランプユニット２８０の制御モード、サセプタ２１７の位置、ガスの流量、処理圧力等がそれぞれ対応づけて格納されている。

【0041】

図６は、プロセスレシピ開始時のプロセスレシピと温度制御テーブルのダウンロード処理について示した図である。

【0042】

操作部６０１は、編集画面を備え、プロセスレシピの編集や温度制御テーブルの編集を行うことが可能に構成されている。また、操作部６０１は、コントローラ１２１へ送信するよう構成されている。また、操作部６０１は、操作画面上に、プロセスレシピの実行状態等を表示するよう構成されている。

【0043】

また、コントローラ１２１は、プロセスレシピや温度制御テーブルのダウンロードを要求したり、ヒータ２１７ｂやランプユニット２８０や高周波電源２７３等の複数の温度制御アイテムと通信を行うように構成されている。

【0044】

先ず、操作部６０１において、レシピの開始操作が入力されると、コントローラ１２１へ通知される。そして、コントローラ１２１から操作部６０１へプロセスレシピと温度制御テーブルのダウンロード要求が送信される。これにより、操作部６０１からコントローラ１２１へプロセスレシピと温度制御テーブルがダウンロードされ、コントローラ１２１が温度制御テーブルを用いてプロセスレシピを制御することが可能となる。

【0045】

次に、プロセスレシピの各ステップにおけるコントローラ１２１のランプ加熱を用いた温度制御動作Ｓ１００について図７を用いて説明する。

【0046】

コントローラ１２１は、プロセスレシピの各ステップ（イベント）を開始する際に、プロセスレシピ内の温度機能選択フラグがオンであるか否かを判定する（Ｓ１０１）。

【0047】

そして、コントローラ１２１は、温度機能選択フラグがオンである場合には、温度制御モードがウエハ温度設定か否かを判定する（Ｓ１０２）。

【0048】

そして、コントローラ１２１は、温度制御モードがウエハ温度設定である場合には、そのプロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に相当する目標温度により温度制御テーブル内を検索し（Ｓ１０３）、プロセスレシピのウエハ温度に一致するデータである目標温度が、温度制御テーブル内にあるか否かを判定する（Ｓ１０４）。

【0049】

そして、温度制御テーブルに一致するデータがない場合には処理を終了し、一致するデータがある場合には、一致したウエハ温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、プロセスレシピ内のヒータ２１７ｂの温度設定値、ヒータ２１７ｂの温度比率、ランプユニット２８０において昇温設定されている場合には、ランプユニット２８０の昇温工程におけるランプユニット２８０のパワー設定値、ランプレート値の少なくとも１つに設定して（Ｓ１０５）、プロセスレシピの所定ステップを実行する。

【0050】

具体的には、図５におけるプロセスレシピのステップＮｏ．１～Ｎｏ．５、Ｎｏ．９において、ランプユニット２８０のパワー設定値０、ランプレート０によりランプ制御無しの設定となっているため、コントローラ１２１は、ヒータ２１７ｂのみを制御し、このステップＮｏ．１～Ｎｏ．５、Ｎｏ．９の温度制御を実行する。

【0051】

また、図５におけるプロセスレシピ内のステップＮｏ．６において、ステップＮｏ．６に設定されたウエハ温度８００℃に相当する目標温度により図４の温度制御テーブルを検索し、図４の温度制御テーブルのＮｏ．７におけるウエハ温度８００℃に対して設定されている、ヒータ２１７ｂの温度設定値９２７℃、ヒータ２１７ｂの温度比率０．５７、ランプユニット２８０の昇温時間４０秒、ランプユニット２８０の昇温工程におけるパワー設定値７４％、ランプユニット２８０の昇温工程におけるランプレート１０％／秒、ランプユニット２８０のプロセス工程におけるパワー設定値６４％、ランプユニット２８０のプロセス工程におけるランプレート０．２％／秒を取得する。

【0052】

そして、コントローラ１２１は、図４の温度制御テーブルから取得したウエハ温度８００℃に対して設定されている、ヒータ２１７ｂの温度設定値９２７℃、ヒータ２１７ｂの温度比率０．５７、ランプユニット２８０の昇温時間４０秒、ランプユニット２８０の昇温工程におけるパワー設定値７４％、ランプユニット２８０の昇温工程におけるランプレート１０％／秒を設定してヒータ２１７ｂとランプユニット２８０を制御し、ステップＮｏ．６のイベントを実行する。ランプユニット２８０の昇温開始４０秒後に、ランプユニット２８０のプロセス工程におけるパワー設定値６４％、ランプユニット２８０のプロセス工程におけるランプレート０．２％／秒によりヒータ２１７ｂとランプユニット２８０を制御し、ステップＮｏ．７のイベントを実行する。ステップＮｏ．７のイベントは、高周波電源をオンにしてプラズマを生成するステップであり、次のステップＮｏ．８でウエハ２００を処理する前に、このプラズマを安定化するステップである。

【0053】

そして、コントローラ１２１は、温度が８００℃に安定したら、ステップＮｏ．７で設定されたランプユニット２８０におけるプロセス工程におけるランプユニット２８０のパワー設定値、ランプレート値により、ヒータ２１７ｂとランプユニット２８０を制御して、ステップＮｏ．８のイベントを実行する。ステップＮｏ．８のイベントは、ウエハ２００を処理するステップである。

【0054】

すなわち、コントローラ１２１は、温度制御テーブル内のウエハ温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、プロセスレシピ内のヒータ２１７ｂの温度設定値、ヒータ２１７ｂの温度比率、ランプユニット２８０のパワー設定値、ランプレート値のそれぞれに設定するように構成されている。これにより、目標温度とするウエハ温度の指定のみで、プロセスレシピを作成して温度制御が可能となり、設定ミスが低減される。

【0055】

なお、図４に示した温度制御テーブルを用いた場合、プロセスレシピの各ステップに設定する際のウエハ温度が７００℃以下の場合には、ヒータ制御値のみを設定してヒータ２１７ｂのみを制御し、７００℃より高い場合には、ヒータ制御値に加えてランプ制御値を設定してヒータ２１７ｂとランプユニット２８０を制御する。各ステップに設定する際のウエハ温度が７００℃以下の場合に、ヒータ２１７ｂに加えてランプユニット２８０を用いてウエハ２００を加熱すると、急昇温となり、ウエハ２００の反りや、ウエハ２００の破損が発生してしまう場合がある。よって、温度制御テーブルにおいて、各ステップに設定する際のウエハ温度が７００℃より高い場合に、ヒータ２１７ｂの設定値に加えてランプユニット２８０の設定値を用いるように制御することにより、設定ミスによるウエハ２００の反りや破損等を防止することができる。

【0056】

また、ランプユニット２８０は、加熱を開始してから目標温度に到達するまでに一定の昇温時間が必要となる。このため、コントローラ１２１は、各ステップに設定する際のウエハ温度が７００℃より高い場合であって、ランプユニット２８０をプロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に昇温させるときにおいては、ランプユニット２８０の昇温工程における各設定項目における設定値を設定し、ランプユニット２８０をプロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に安定させるときにおいては、ランプユニット２８０のプロセス工程における各設定項目における設定値を設定して、各ステップを実行する。

【0057】

次に、操作部６０１が操作画面（編集画面ともいう）上でレシピ編集処理Ｓ２００を行う際の手順について、図８を用いて説明する。

【0058】

操作部６０１は、所定の画面イベントに応じて、温度制御テーブルのダウンロード、温度制御テーブルの変更、温度制御テーブル内の設定値変更、温度制御テーブル内に設定されている温度制御モード変更、温度制御テーブル内に設定されている機能選択ボタン変更のうち、いずれか一つのイベントを実行するように構成されている。これにより、ユーザが操作画面上で現在の設定値を確認しながら操作を行うことができる。

【0059】

例えば、操作部６０１は、温度制御テーブルがＯＫである場合（Ｓ２０１）に、ＯＫで終了したイベント（ステップ）を受信し、温度制御テーブルを再ロードする（Ｓ２０２）。

【0060】

そして、操作部６０１は、ロードした温度制御テーブルがＯＫであるか否かを判定する（Ｓ２０３）。

【0061】

そして、操作部６０１は、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に相当する目標温度により温度制御テーブルを検索し、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に相当する目標温度が、温度制御テーブル内に一致するデータがあるか否かを判定する（Ｓ２０４）。

【0062】

そして、温度制御テーブル内に一致するデータがない場合には、コントローラ１２１は、プロセスレシピのヒータ２１７ｂの温度設定値、温度比率、ランプユニット２８０のパワー設定値、ランプレート値のうち少なくとも１つを０（未設定）にする（Ｓ２０５）。すなわち、コントローラ１２１により、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に相当する目標温度が温度制御テーブルから抽出できない場合、プロセスレシピ内のヒータ２１７ｂの温度設定値、ヒータ２１７ｂの温度比率、ランプユニット２８０のパワー設定値、ランプレート値のうち少なくとも１つに０を設定する、または未設定にする。そして、コントローラ１２１は、レシピ編集処理（Ｓ２００）を終了させる。これにより、目標温度とするウエハ温度の指定のみで、プロセスレシピを作成する際に、取り急ぎ０を設定したり、未設定としておくことにより、設定待ち状態となり、設定ミスが低減される。

【0063】

なお、温度制御テーブル内に一致するデータがない場合に、コントローラ１２１は、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に最も近いウエハ温度に相当する目標温度により温度制御テーブルを検索し、最も近いウエハ温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、プロセスレシピ内のヒータ２１７ｂの温度設定値、ヒータ２１７ｂの温度比率、ランプユニット２８０のパワー設定値、ランプレート値の少なくとも１つに設定するようにしてもよい。これにより、目標温度とするウエハ温度が温度制御テーブル内にない場合であっても、プロセスレシピを作成して温度制御が可能となり、設定ミスが低減される。

【0064】

そして、温度制御テーブル内に一致するデータがある場合には、コントローラ１２１は、プロセスレシピのウエハ温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、プロセスレシピ内のヒータ２１７ｂの温度設定値、ヒータ２１７ｂの温度比率、ランプユニット２８０のパワー設定値、ランプレート値の少なくとも１つに設定する（Ｓ２０６）。これにより、目標温度とするウエハ温度の指定のみで、プロセスレシピを作成して温度制御が可能となり、設定ミスが低減される。

【0065】

そして、コントローラ―１２１は、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度が所定温度以上である場合、温度機能選択フラグをオンにする（Ｓ２０７）。温度機能選択フラグがオンにされることにより、操作部６０１は、ランプ機能選択フラグをオンにすることが可能となる。これにより、温度機能選択フラグがオンの場合に、ランプ制御値を設定することが可能となり、ランプユニット２８０の照射タイミングを制御することができる。そして、ランプ機能選択フラグをオンにすることにより、ランプユニット２８０のパワー設定値、ランプレート値を含むランプ制御値が設定される。これにより、ウエハ温度が所定温度以上である場合に、ランプ制御値を設定することが可能となり、的確なタイミングによりランプユニット２８０を制御することができる。

【0066】

そして、温度制御モードがウエハ温度設定か否かを判定する（Ｓ２０８）。

【0067】

そして、温度制御モードがウエハ温度設定である場合には、ランプ機能選択をオンにして、制御モードをオンにして、ウエハ温度設定の制御モードにより制御可能とされる（Ｓ２０９）。

【0068】

また、温度制御モードがウエハ温度設定でない場合には、ランプ機能選択をオフにして、制御モードをオフにする（Ｓ２１０）。

【0069】

次に、温度制御テーブルのデータ算出方法について、図９を用いて説明する。温度制御テーブルのデータ算出方法として、１点検知と２点検知がある。

【0070】

１点検知では、コントローラ１２１は、図９に示すように、プロセスレシピにおけるウエハ温度として６００℃を設定した場合は、温度制御テーブルからウエハ温度６００℃に対応するヒータ２１７ｂの温度設定値６０９℃と温度比率０．４４０を取得する。また、プロセスレシピに設定されたウエハ温度に相当する目標温度が温度制御テーブルにない場合は、エラーとする。

【0071】

また、２点検知では、コントローラ１２１は、図９に示すように、プロセスレシピにおけるウエハ温度として６００℃を設定した場合は、温度制御テーブルからウエハ温度６００℃に対応するヒータ２１７ｂの温度設定値６０９℃と温度比率０．４４０を取得する。また、コントローラ１２１は、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に相当する目標温度が温度制御テーブルにない場合、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に相当する目標温度が範囲に含まれる温度制御テーブル内の２点のウエハ温度を判定する。具体的には、プロセスレシピにおけるウエハ温度として６３０℃を設定した場合は、温度制御テーブルからウエハ温度６２０℃と６４０℃を検出し、ウエハ温度として、６２０℃と６４０℃の２点を判定する。

【0072】

そして、温度制御テーブルにおけるウエハ温度６２０℃に対応するヒータ２１７ｂの温度設定値６１８℃と、ウエハ温度６４０℃に対応するヒータ２１７ｂの温度設定値６３９℃と、に基づいて比例式を用いてヒータ２１７ｂの温度設定値６２８．５℃を算出する。また、ウエハ温度６２０℃に対応するヒータ２１７ｂの温度比率０．５００と、ウエハ温度６４０℃に対応するヒータ２１７ｂの温度比率０．４９０と、に基づいて比例式を用いて温度比率０．４９５を算出する。

【0073】

つまり、コントローラ１２１は、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に相当する目標温度が温度制御テーブルにない場合、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に相当する目標温度が範囲に含まれる温度制御テーブル内の２点のウエハ温度を判定し、判定された２点のウエハ温度に相当する目標温度に対してそれぞれ設定されている設定値を、プロセスレシピ内のヒータ２１７ｂの温度設定値、ヒータ２１７ｂの温度比率、ランプユニット２８０のパワー設定値、ランプレート値の少なくとも１つについて、２点のウエハ温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値に基づいて比例式で算出して設定するよう構成されている。これにより、目標温度とするウエハ温度が温度制御テーブル内にない場合であっても、プロセスレシピを作成して温度制御が可能となり、設定ミスが低減される。また、所定の温度制御テーブルが検索できるので、編集エラーとなって編集が不可能になりプロセスレシピを作成できなくなることが極めて少なくなる。よって、装置稼働率の低下を抑制することができる。

【0074】

なお、上記実施形態では、温度制御テーブルに、ヒータ２１７ｂと、ランプユニット２８０における設定値を有する構成について説明したが、これに限らず、高周波電源、マイクロ波ユニット、冷却ユニット等の温度制御アイテムにおける設定値を含んでもよい。これにより、複数の温度制御アイテムを用いて温度制御を行うことが可能となる。

【0075】

また、上記実施形態では、ランプユニット２８０におけるランプ制御値として、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度を昇温させるときの制御値である第1制御値と、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度に安定させるときの制御値である第２制御値と、を有する構成について説明したが、これに限らず、第２制御値のみを用いるようにしてもよく、その場合、コントローラ１２１は、複数のステップのうちの昇温工程と基板処理工程（プロセス工程ともいう）に連続して、第２制御値を設定可能に構成されている。これにより、ヒータ２１７ｂとランプユニット２８０によってウエハ２００の温度制御を行うことができ、ウエハ２００を所望の温度に安定させて、ウエハを処理することができる。

【0076】

また、上記実施形態では、ヒータ２１７ｂの設定値とランプユニット２８０の設定値をウエハの目標温度に対して設定可能な温度制御テーブルを用いる構成について説明したが、これに限らず、ヒータ２１７ｂの設定値と、ランプユニット２８０の設定値をウエハの目標温度に対して設定可能な第１温度制御テーブルと、ランプユニット２８０の設定値をウエハの目標温度に対して設定可能な第２温度制御テーブルを含む温度制御テーブルを用いるようにしてもよい。この場合、コントローラ１２１は、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度が所定温度未満であれば、第１温度制御テーブルを検索し、第１温度制御テーブル内のウエハ温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、プロセスレシピ内のヒータ２１７ｂの温度設定値、ヒータ２１７ｂの温度比率、の少なくとも１つに設定する。そして、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度が所定温度以上であれば、第１温度制御テーブルと第２温度制御テーブルを検索し、第１温度制御テーブル内のウエハ温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、プロセスレシピ内のヒータ２１７ｂの温度設定値、ヒータ２１７ｂの温度比率、の少なくとも１つに設定し、第２温度制御テーブル内のウエハ温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、プロセスレシピ内のランプユニット２８０のパワー設定値、ランプレート値の少なくとも１つに設定する。この場合であっても目標温度とするウエハ温度の指定のみで、プロセスレシピを作成して温度制御が可能となり、設定ミスが低減される。

【0077】

また、ウエハを加熱するヒータ２１７ｂの設定値を設定可能な第１温度制御テーブルと、ヒータ２１７ｂの設定値とランプユニット２８０の設定値を設定可能な第２温度制御テーブルを含む温度制御テーブルを用いても良い。この場合であっても目標温度とするウエハ温度の指定のみで、プロセスレシピを作成して温度制御が可能となり、設定ミスが低減される。

【0078】

この場合、コントローラ１２１は、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度が所定温度未満であれば、第１温度制御テーブルを選択し、第１温度制御テーブル内の前記基板温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、プロセスレシピ内のヒータの温度設定値、ヒータの温度比率、の少なくとも１つに設定する。

【0079】

また、コントローラ１２１は、プロセスレシピ内に設定されたウエハ温度が所定温度以上であれば、第２温度制御テーブルを選択し、第２温度制御テーブル内のウエハ温度に相当する目標温度に対して設定されている設定値を、プロセスレシピ内のヒータ２１７ｂの温度設定値、ヒータ２１７ｂの温度比率、ランプユニット２８０のパワー設定値、ランプレート値の少なくとも１つに設定する。

【0080】

尚、本開示の実施形態に於ける基板処理装置１０は、半導体を製造する半導体製造装置だけではなく、ＬＣＤ装置の様なガラス基板を処理する装置でも適用可能である。又、露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、プラズマを利用した処理装置等の各種基板処理装置にも適用可能であるのは言う迄もない。

【0081】

以上、本開示の種々の典型的な実施形態を説明してきたが、本開示はそれらの実施形態に限定されず、適宜組み合わせて用いることもできる。

【符号の説明】

【0082】

１００ 基板処理装置
１２１ コントローラ（制御部）
２００ ウエハ（基板）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】