特許 7631338 基板処理装置、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-02-07

(45)【発行日】2025-02-18

(54)【発明の名称】基板処理装置、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20250210BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 648G

H01L21/304 643A

H01L21/304 651B

【請求項の数】 29

(21)【出願番号】P 2022530073

(86)(22)【出願日】2021-05-12

(86)【国際出願番号】 JP2021018096

(87)【国際公開番号】W WO2021251050

(87)【国際公開日】2021-12-16

【審査請求日】2023-11-29

(31)【優先権主張番号】P 2020100421

(32)【優先日】2020-06-09

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000000239

【氏名又は名称】株式会社荏原製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100118500

【弁理士】

【氏名又は名称】廣澤 哲也

(74)【代理人】

【氏名又は名称】渡邉 勇

(74)【代理人】

【識別番号】100174089

【弁理士】

【氏名又は名称】郷戸 学

(74)【代理人】

【識別番号】100186749

【弁理士】

【氏名又は名称】金沢 充博

(72)【発明者】

【氏名】今井 正芳

(72)【発明者】

【氏名】宮▲崎▼ 充

【審査官】小池 英敏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－１７５００２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－００５２３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０４１５０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－１１０６１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－０７８６３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－１７９５２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０５０４３６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｂ０８Ｂ ３／０４

Ｂ０８Ｂ ５／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持して回転させる基板保持部と、
液体を液体ノズルから前記基板上に供給する液体供給機構と、
乾燥流体を乾燥流体ノズルから前記基板上に供給する乾燥流体供給機構と、
前記液体ノズルおよび前記乾燥流体ノズルを移動させるノズル移動機構と、
前記基板保持部、前記液体供給機構、および前記乾燥流体供給機構の動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板保持部に指令を発して、第１の速度で前記基板を回転させ、
前記液体供給機構に指令を発して、前記基板の中心部上方に位置させた前記液体ノズルから前記基板に所定時間だけ前記液体を供給させて前記基板全面に液膜を形成させ、
前記液体供給機構に指令を発して、前記液体の供給を停止させ、
前記第１の速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して、第２の速度で前記基板を回転させ、
前記第２の速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して、第３の速度で前記基板を回転させながら、前記乾燥流体供給機構に指令を発して、前記基板の中心部上方に位置させた前記乾燥流体ノズルから前記基板に所定時間だけ乾燥流体を供給させ、
次いで、前記乾燥流体ノズルからの前記乾燥流体の供給を継続させながら、前記ノズル移動機構に指令を発して、前記基板の中心部から前記基板の周縁部に向かって前記乾燥流体ノズルを移動させるように構成されており、
前記第１の速度は、前記基板上に前記液体の膜を形成するための液膜形成速度と、前記膜の中央部を薄くするための薄膜形成速度を含み、
前記制御部は、前記液膜形成速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して前記薄膜形成速度で前記基板を回転させるように構成されており、
前記薄膜形成速度は、前記液膜形成速度よりも速い速度である、基板処理装置。

【請求項2】

前記第２の速度は、前記第１の速度よりも速い速度である、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記制御部は、前記乾燥流体ノズルが前記基板の周縁部上方に位置したときに、前記ノズル移動機構に指令を発して、所定時間前記乾燥流体ノズルの移動を停止させて前記基板の周縁部を乾燥させるように構成されている、請求項１または２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

不活性ガスを不活性ガスノズルから前記基板上に供給する不活性ガス供給機構をさらに備え、
前記制御部は、前記基板の周縁部上方に位置する前記乾燥流体ノズルから供給された乾燥流体が前記基板の周縁部を乾燥させた後に、前記ノズル移動機構に指令を発して、前記不活性ガスノズルが前記基板の中心部上方に位置するように前記不活性ガスノズルを移動させ、前記不活性ガス供給機構に指令を発して、前記不活性ガスノズルから前記不活性ガスを前記基板の中心部に供給させるように構成されている、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項5】

不活性ガスを不活性ガスノズルから前記基板上に供給する不活性ガス供給機構をさらに備え、
前記制御部は、前記乾燥流体が前記基板上に供給され、かつ第４の速度で前記基板が回転している状態で、前記不活性ガス供給機構に指令を発して、前記不活性ガスノズルから前記基板上に前記不活性ガスを供給させ、かつ前記ノズル移動機構に指令を発して、前記基板の中心部から前記基板の周縁部に向かって前記不活性ガスノズルを移動させるように構成されている、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記不活性ガスノズルは、前記乾燥流体ノズルおよび前記不活性ガスノズルの移動方向に関して、前記乾燥流体ノズルの後方に配置されている、請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記ノズル移動機構は、
前記液体ノズル、前記乾燥流体ノズル、および前記不活性ガスノズルをともに保持する１つのアームを備えている、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記ノズル移動機構は、前記乾燥流体ノズルに隣接して配置されたヒーターを備えている、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記乾燥流体供給機構は、前記乾燥流体ノズルに接続された導電性の乾燥流体供給ラインをさらに備えている、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記基板保持部の上方に配置された換気機構と、
排気ダクトをさらに備え、
前記換気機構および前記排気ダクトは、空気のダウンフローを形成するように構成されている、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記乾燥流体は液状の有機溶剤である、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記乾燥流体は、気体状の有機溶剤が含まれた気体であり、
前記乾燥流体中の有機溶剤の含有率は８％～３０％である、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記基板処理装置は、前記基板保持部に保持される前記基板の周囲に配置されたカバーを備えており、
前記カバーは、前記基板と同一の回転方向で、かつ前記基板と同一の回転速度で回転可能に構成されている、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項14】

基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持して回転させる基板保持部と、
液体を液体ノズルから前記基板上に供給する液体供給機構と、
乾燥流体を乾燥流体ノズルから前記基板上に供給する乾燥流体供給機構と、
前記液体ノズルおよび前記乾燥流体ノズルを移動させるノズル移動機構と、
前記基板保持部、前記液体供給機構、および前記乾燥流体供給機構の動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板保持部に指令を発して、第１の速度で前記基板を回転させ、
前記液体供給機構に指令を発して、前記基板の中心部上方に位置させた前記液体ノズルから前記基板に所定時間だけ前記液体を供給させて前記基板全面に液膜を形成させ、
前記液体供給機構に指令を発して、前記液体の供給を停止させ、
前記第１の速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して、第２の速度で前記基板を回転させ、
前記第２の速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して、第３の速度で前記基板を回転させながら、前記乾燥流体供給機構に指令を発して、前記基板の中心部上方に位置させた前記乾燥流体ノズルから前記基板に所定時間だけ乾燥流体を供給させ、
次いで、前記乾燥流体ノズルからの前記乾燥流体の供給を継続させながら、前記ノズル移動機構に指令を発して、前記基板の中心部から前記基板の周縁部に向かって前記乾燥流体ノズルを移動させるように構成されており、
前記基板処理装置は、前記基板保持部に保持される前記基板の周囲に配置されたカバーを備えており、
前記カバーは、前記基板と同一の回転方向で、かつ前記基板と同一の回転速度で回転可能に構成されており、
前記基板保持部は、前記基板の周縁部を保持する複数のチャックを備えており、
前記カバーは、前記複数のチャックに固定されている、基板処理装置。

【請求項15】

前記基板処理装置は、前記カバーを回転させるカバー回転機構を備えており、
前記カバー回転機構は、
カバーモータと、
前記カバーモータの回転力を前記カバーに伝達させる伝達装置と、を備えている、請求項１４に記載の基板処理装置。

【請求項16】

基板を処理する基板処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するプログラムを記録した記録媒体であって、
基板保持部に指令を発して、第１の速度で基板を回転させ、液体供給機構に指令を発して、前記基板の中心部上方に位置させた液体ノズルから前記基板に所定時間だけ液体を供給させて基板Ｗの全面に液膜を形成させるステップと、
前記液体供給機構に指令を発して前記液体の供給を停止させるステップと、
前記第１の速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して第２の速度で前記基板を回転させるステップと、
前記第２の速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して、第３の速度で前記基板を回転させながら、乾燥流体供給機構に指令を発して、乾燥流体ノズルから前記基板に所定時間だけ乾燥流体を供給させるステップと、
前記乾燥流体ノズルからの前記乾燥流体の供給を継続させながら、ノズル移動機構に指令を発して、前記基板の中心部から前記基板の周縁部に向かって前記乾燥流体ノズルを移動させるステップと、を含み、
前記第１の速度は、前記基板上に前記液体の膜を形成するための液膜形成速度と、前記膜の中央部を薄くするための薄膜形成速度を含み、
前記プログラムは、前記液膜形成速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して前記薄膜形成速度で前記基板を回転させるステップを、コンピュータにさらに実行させ、
前記薄膜形成速度は、前記液膜形成速度よりも速い速度である、コンピュータに実行させるためのプログラムを記録した非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

【請求項17】

前記第２の速度は、前記第１の速度よりも速い速度である、請求項１６に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

【請求項18】

前記プログラムは、前記乾燥流体ノズルが前記基板の周縁部上方に位置したときに、前記ノズル移動機構に指令を発して、所定時間前記乾燥流体ノズルの移動を停止させて前記基板の周縁部を乾燥させるステップを、コンピュータにさらに実行させる、請求項１６または１７に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

【請求項19】

前記プログラムは、前記基板の周縁部上方に位置する前記乾燥流体ノズルから供給された乾燥流体が前記基板の周縁部を乾燥させた後に、前記ノズル移動機構に指令を発して、不活性ガスノズルが前記基板の中心部上方に位置するように前記不活性ガスノズルを移動させるステップと、
不活性ガス供給機構に指令を発して、前記不活性ガスノズルから不活性ガスを前記基板の中心部に供給させるステップを、コンピュータにさらに実行させる、請求項１６乃至１８のいずれか一項に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

【請求項20】

前記プログラムは、前記乾燥流体が前記基板上に供給され、かつ第４の速度で前記基板が回転している状態で、不活性ガス供給機構に指令を発して不活性ガスノズルから前記基板の表面上に不活性ガスを供給させるステップを、コンピュータにさらに実行させる、請求項１６乃至１９のいずれか一項に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

【請求項21】

基板を処理する方法であって、
前記基板を第１の速度で回転させ、前記基板の中心部上方に位置させた液体ノズルから前記基板に所定時間だけ液体を供給することで、前記基板の全面に液体の膜を形成し、
前記液体の供給を停止し、
前記第１の速度で前記基板を回転させた後、第２の速度で前記基板を回転させ、
前記第２の速度で前記基板を回転させた後、第３の速度で前記基板を回転させながら、前記基板の中心部上方に位置させた乾燥流体ノズルから前記基板に所定時間だけ乾燥流体を供給し、
次いで、前記乾燥流体ノズルからの前記乾燥流体の供給を継続しながら、前記基板の中心部から前記基板の周縁部に向かって前記乾燥流体ノズルを移動させ、
前記第１の速度は、前記基板上に前記液体の膜を形成するための液膜形成速度と、前記膜の中央部を薄くするための薄膜形成速度を含み、
前記液膜形成速度で前記基板を回転させた後、前記膜の中央部を薄くするための薄膜形成速度で前記基板を回転させる工程をさらに含み、
前記薄膜形成速度は、前記液膜形成速度よりも速い速度である、基板処理方法。

【請求項22】

前記第２の速度は、前記第１の速度よりも速い速度である、請求項２１に記載の基板処理方法。

【請求項23】

前記乾燥流体ノズルが前記基板の周縁部上方に位置したときに、前記乾燥流体ノズルの移動を停止し、前記基板の周縁部に所定時間だけ前記乾燥流体を供給して前記基板の周縁部を乾燥させる工程をさらに含む、請求項２１または２２に記載の基板処理方法。

【請求項24】

前記基板の周縁部上方に位置する前記乾燥流体ノズルから供給された乾燥流体が前記基板の周縁部を乾燥させた後に、乾燥流体ノズルからの乾燥流体の供給を停止し、不活性ガスノズルが前記基板の中心部上方に位置するように前記不活性ガスノズルを移動させ、前記不活性ガスノズルから不活性ガスを前記基板の中心部に供給する工程をさらに含む、請求項２１乃至２３のいずれか一項に記載の基板処理方法。

【請求項25】

前記乾燥流体ノズルおよび不活性ガスノズルを前記基板の中心部から前記基板の周縁部に向かって移動させながら、不活性ガスを前記不活性ガスノズルから前記基板上に供給する工程をさらに含む、請求項２１乃至２３のいずれか一項に記載の基板処理方法。

【請求項26】

前記不活性ガスを前記不活性ガスノズルから前記基板上に供給する工程は、
前記乾燥流体ノズルおよび前記不活性ガスノズルの移動方向に関して、前記乾燥流体の噴射位置の後方に前記不活性ガスを噴射する工程を含む、請求項２５に記載の基板処理方法。

【請求項27】

前記乾燥流体は液状の有機溶剤である、請求項２１乃至２６のいずれか一項に記載の基板処理方法。

【請求項28】

前記乾燥流体は、気体状の有機溶剤が含まれた気体であり、
前記乾燥流体中の有機溶剤の含有率は８％～３０％である、請求項２１乃至２７のいずれか一項に記載の基板処理方法。

【請求項29】

前記基板は、化学機械研磨工程によって表面が平坦化された基板であり、かつウェットな状態で処理に供されたものである、請求項２１乃至２８のいずれか一項に記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。また、本発明は、このような基板処理方法を実行するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスは、様々な回路や電極配線の成膜、パターニング、エッチングなどを繰り返して数多くの工程を経て製造される。半導体デバイスの高集積化に伴い、多層構造が求められてきており、この多層構造を構成する薄膜層（レイヤー）の成膜後に平坦化が必要となり、化学機械研磨工程（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）によって基板の表面を平坦化する。ＣＭＰは、砥液の化学的反応と、基板を摺接して砥粒により切削する機械的作用で基板の表面を平坦化するものである。このような基板の一例としてウェーハが挙げられる。

【0003】

研磨された基板上には、砥粒を含む研磨液や研磨屑などの残渣物が残留する。このため、基板の研磨後には、洗浄薬液（主に、酸、アルカリ、有機酸など）による化学反応作用とブラシやジェットノズルによる物理作用を用いて基板から残渣物を離脱させて、その後純水により基板から異物を除去することによって、基板を洗浄することが従来から行われている。洗浄後の基板の処理方法の例としては、洗浄後の基板上にある純水を遠心力で振り切るスピンドライ乾燥や、ロタゴニ乾燥がある。ロタゴニ乾燥は、回転する基板にリンス液ノズルから洗浄用のリンス液の液流を供給して、基板面全体を覆う液膜を形成するとともに、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気を含有する乾燥用の気体流を乾燥気体ノズルから液流の内側に供給し、リンス液ノズルおよび乾燥気体ノズルを、回転する基板の中心から外周に移動させることで、基板面全体を乾燥させる方法である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１０－５０４３６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、近年、半導体デバイスの高集積化・高密度化に伴い、回路の配線がますます微細化し、配線材料も変化してきたことで、従来の乾燥方法では問題とされていなかった吸着水分（基板に吸着した水分）までも除去することが要求されてきた。そこで本発明は、基板上の残留吸着水分の除去率を改善した基板処理装置、基板処理方法、およびこのような基板処理方法を実行するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一態様では、基板を処理する方法であって、前記基板を第１の速度で回転させ、前記基板の中心部上方に位置させた液体ノズルから前記基板に所定時間だけ液体を供給することで、前記基板の全面に液体の膜を形成し、前記液体の供給を停止し、前記第１の速度で前記基板を回転させた後、第２の速度で前記基板を回転させ、前記第２の速度で前記基板を回転させた後、第３の速度で前記基板を回転させながら、前記基板の中心部上方に位置させた乾燥流体ノズルから前記基板に所定時間だけ乾燥流体を供給し、次いで、前記乾燥流体ノズルからの前記乾燥流体の供給を継続しながら、前記基板の中心部から前記基板の周縁部に向かって前記乾燥流体ノズルを移動させる、基板処理方法が提供される。このような構成によれば、一旦基板全面に液体の膜を形成した後に、第２の速度で基板を回転させる工程を設けることで、液膜の中央部の薄膜化後、あるいは液膜を除去して基板表面を露出させた後、乾燥流体を基板に供給する。結果として、基板上の残留吸着水分をより確実に取り除くことができ、改善された基板処理方法を提供することができる。また、液体の蒸発に必要な乾燥流体の量を減らすことができ、環境負荷低減およびコストダウンを図ることができる。

【0007】

一態様では、前記第２の速度は、前記第１の速度よりも速い速度である。第２の速度を第１の速度よりも速く適切な速度となるようにすることで、液膜の中央部を薄膜化または液膜を除去すること（基板表面を露出させること）ができる。また、第２の速度を第１の速度よりも速くすることは、スループットの観点からも好ましい。
一態様では、前記方法は、前記乾燥流体ノズルが前記基板の周縁部上方に位置したときに、前記乾燥流体ノズルの移動を停止し、前記基板の周縁部に所定時間だけ前記乾燥流体を供給して前記基板の周縁部を乾燥させる工程をさらに含む。このような構成によれば、基板の周縁部をより確実に乾燥させることができ、結果として、基板の表面全体をより確実に乾燥させることができる。
一態様では、前記方法は、前記基板の周縁部上方に位置する前記乾燥流体ノズルから供給された乾燥流体が前記基板の周縁部を乾燥させた後に、乾燥流体ノズルからの乾燥流体の供給を停止し、不活性ガスノズルが前記基板の中心部上方に位置するように前記不活性ガスノズルを移動させ、前記不活性ガスノズルから前記不活性ガスを前記基板の中心部に供給する工程をさらに含む。このような構成によれば、基板の上方からも不活性ガスを供給することにより、基板をより確実に乾燥させ、基板の乾燥品質を向上させることができる。
一態様では、前記方法は、前記乾燥流体ノズルおよび不活性ガスノズルを前記基板の中心部から前記基板の周縁部に向かって移動させながら、不活性ガスを前記不活性ガスノズルから前記基板上に供給する工程をさらに含む。このような構成によれば、基板表面に不活性ガスを供給することで、基板上の液体の蒸発を促進することができる。
一態様では、前記不活性ガスを前記不活性ガスノズルから前記基板上に供給する工程は、前記乾燥流体ノズルおよび前記不活性ガスノズルの移動方向に関して、前記乾燥流体の噴射位置の後方に前記不活性ガスを噴射する工程を含む。このような構成によれば、乾燥流体が供給された後、乾燥流体が供給された位置に不活性ガスが供給され、液体の蒸発がさらに促進される。
一態様では、前記第１の速度は、前記基板上に前記液体の膜を形成するための液膜形成速度と、前記膜の中央部を薄くするための薄膜形成速度を含み、前記液膜形成速度で前記基板を回転させた後、前記膜の中央部を薄くするための薄膜形成速度で前記基板を回転させる工程をさらに含み、前記薄膜形成速度は、前記液膜形成速度よりも速い速度である。このような構成によれば、基板上の液体を遠心力により基板の半径方向外側に移動させることができ、第２の速度で基板を回転させたときの液膜の中央部の薄膜化、または液膜の除去を円滑に行うことができる。
一態様では、前記乾燥流体は液状の有機溶剤である。乾燥流体として液状の有機溶剤を使用することで、効率よく基板上の液体を乾燥流体とともに蒸発させることができる。
一態様では、前記乾燥流体は、気体状の有機溶剤が含まれた気体であり、前記乾燥流体中の有機溶剤の含有率は８％～３０％である。このような乾燥流体を使用することで、効率よく基板上の液体を乾燥流体とともに蒸発させることができる。
一態様では、前記基板は、化学機械研磨工程によって表面が平坦化された基板であり、かつウェットな状態で処理に供されたものである。このような構成によれば、液膜の中央部を薄膜化、または液膜を振り切って除去した後に、乾燥流体を供給することができる。結果として、乾燥流体の使用量を抑制しつつ、基板上の吸着水分までも残留することなく取り除くことができる。

【0008】

一態様では、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を保持して回転させる基板保持部と、液体を液体ノズルから前記基板上に供給する液体供給機構と、乾燥流体を乾燥流体ノズルから前記基板上に供給する乾燥流体供給機構と、前記液体ノズルおよび前記乾燥流体ノズルを移動させるノズル移動機構と、前記基板保持部、前記液体供給機構、および前記乾燥流体供給機構の動作を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記基板保持部に指令を発して、第１の速度で前記基板を回転させ、前記液体供給機構に指令を発して、前記基板の中心部上方に位置させた前記液体ノズルから前記基板に所定時間だけ前記液体を供給させて前記基板全面に液膜を形成させ、前記液体供給機構に指令を発して、前記液体の供給を停止させ、前記第１の速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して、第２の速度で前記基板を回転させ、前記第２の速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して、第３の速度で前記基板を回転させながら、前記乾燥流体供給機構に指令を発して、前記基板の中心部上方に位置させた前記乾燥流体ノズルから前記基板に所定時間だけ乾燥流体を供給させ、次いで、前記乾燥流体ノズルからの前記乾燥流体の供給を継続させながら、前記ノズル移動機構に指令を発して、前記基板の中心部から前記基板の周縁部に向かって前記乾燥流体ノズルを移動させるように構成されている、基板処理装置が提供される。このような構成によれば、一旦基板全面に液体の膜を形成した後に、第２の速度で基板を回転させる工程を設けることで、液膜の中央部の薄膜化後、あるいは液膜を除去して基板表面を露出させた後、乾燥流体を基板に供給する。結果として、基板上の残留吸着水分をより確実に取り除くことができ、改善された基板処理方法を提供することができる。また、液体の蒸発に必要な乾燥流体の量を減らすことができ、環境負荷低減およびコストダウンを図ることができる。

【0009】

一態様では、前記第２の速度は、前記第１の速度よりも速い速度である。第２の速度を第１の速度よりも速く適切な速度となるようにすることで、液膜の中央部を薄膜化または液膜を除去すること（基板表面を露出させること）ができる。また、第２の速度を第１の速度よりも速くすることは、スループットの観点からも好ましい。
一態様では、前記制御部は、前記乾燥流体ノズルが前記基板の周縁部上方に位置したときに、前記ノズル移動機構に指令を発して、所定時間前記乾燥流体ノズルの移動を停止させて前記基板の周縁部を乾燥させるように構成されている。このような構成によれば、基板の周縁部をより確実に乾燥させることができ、結果として、基板の表面全体をより確実に乾燥させることができる。
一態様では、前記基板処理装置は、不活性ガスを不活性ガスノズルから前記基板上に供給する不活性ガス供給機構をさらに備え、前記制御部は、前記基板の周縁部上方に位置する前記乾燥流体ノズルから供給された乾燥流体が前記基板の周縁部を乾燥させた後に、前記ノズル移動機構に指令を発して、前記不活性ガスノズルが前記基板の中心部上方に位置するように前記不活性ガスノズルを移動させ、前記不活性ガス供給機構に指令を発して、前記不活性ガスノズルから前記不活性ガスを前記基板の中心部に供給させるように構成されている。このような構成によれば、基板の上方からも不活性ガスを供給することにより、基板をより確実に乾燥させ、基板の乾燥品質を向上させることができる。
一態様では、前記基板処理装置は、不活性ガスを不活性ガスノズルから前記基板上に供給する不活性ガス供給機構をさらに備え、前記制御部は、前記乾燥流体が前記基板上に供給され、かつ第４の速度で前記基板が回転している状態で、前記不活性ガス供給機構に指令を発して、前記不活性ガスノズルから前記基板上に前記不活性ガスを供給させ、かつ前記ノズル移動機構に指令を発して、前記基板の中心部から前記基板の周縁部に向かって前記不活性ガスノズルを移動させるように構成されている。このような構成によれば、基板表面に不活性ガスを供給することで、基板上の液体の蒸発を促進することができる。
一態様では、前記不活性ガスノズルは、前記乾燥流体ノズルおよび前記不活性ガスノズルの移動方向に関して、前記乾燥流体ノズルの後方に配置されている。このような構成によれば、乾燥流体が供給された後、乾燥流体が供給された位置に不活性ガスが供給され、液体の蒸発がさらに促進される。
一態様では、前記ノズル移動機構は、前記液体ノズル、前記乾燥流体ノズル、および前記不活性ガスノズルをともに保持する１つのアームを備えている。このように構成すれば、コンパクトにノズル移動機構を構成することができる。
一態様では、前記第１の速度は、前記基板上に前記液体の膜を形成するための液膜形成速度と、前記膜の中央部を薄くするための薄膜形成速度を含み、前記制御部は、前記液膜形成速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して前記薄膜形成速度で前記基板を回転させるように構成されており、前記薄膜形成速度は、前記液膜形成速度よりも速い速度である。このような構成によれば、基板上の液体を遠心力により基板の半径方向外側に移動させることができ、第２の速度で基板を回転させたときの液膜の中央部の薄膜化、または液膜の除去を円滑に行うことができる。
一態様では、前記ノズル移動機構は、前記乾燥流体ノズルに隣接して配置されたヒーターを備えている。このように構成すれば、乾燥流体ノズルから噴射される乾燥流体を温めることができる。結果として、ＩＰＡなどの有機溶剤の蒸発時間を早くすることができる。
一態様では、前記乾燥流体供給機構は、前記乾燥流体ノズルに接続された導電性の乾燥流体供給ラインをさらに備えている。このように構成すれば、静電気を防止し、乾燥流体の爆発を防止することができる。
一態様では、前記基板処理装置は、前記基板保持部の上方に配置された換気機構と、排気ダクトをさらに備え、前記換気機構および前記排気ダクトは、空気のダウンフローを形成するように構成されている。このような構成によれば、このような空気のダウンフローを形成することで、基板の表面および裏面に整った気流を生じさせ、気流の乱れによる基板汚染物質の付着を防止することができる。
一態様では、前記乾燥流体は液状の有機溶剤である。乾燥流体として液状の有機溶剤を使用することで、効率よく基板上の液体を乾燥流体とともに蒸発させることができる。
一態様では、前記乾燥流体は、気体状の有機溶剤が含まれた気体であり、前記乾燥流体中の有機溶剤の含有率は８％～３０％である。このような乾燥流体を使用することで、効率よく基板上の液体を乾燥流体とともに蒸発させることができる。
一態様では、前記基板処理装置は、前記基板保持部に保持される前記基板の周囲に配置されたカバーを備えており、前記カバーは、前記基板と同一の回転方向で、かつ前記基板と同一の回転速度で回転可能に構成されている。
一態様では、前記基板保持部は、前記基板の周縁部を保持する複数のチャックを備えており、前記カバーは、前記複数のチャックに固定されている。
一態様では、前記基板処理装置は、前記カバーを回転させるカバー回転機構を備えており、前記カバー回転機構は、カバーモータと、前記カバーモータの回転力を前記カバーに伝達させる伝達装置と、を備えている。

【0010】

一態様では、基板を処理する基板処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するプログラムを記録した記録媒体が提供される。プログラムは、基板保持部に指令を発して、第１の速度で基板を回転させ、液体供給機構に指令を発して、前記基板の中心部上方に位置させた液体ノズルから前記基板に所定時間だけ液体を供給させて基板Ｗの全面に液膜を形成させるステップと、前記液体供給機構に指令を発して前記液体の供給を停止させるステップと、前記第１の速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して第２の速度で前記基板を回転させるステップと、前記第２の速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して、第３の速度で前記基板を回転させながら、乾燥流体供給機構に指令を発して、乾燥流体ノズルから前記基板に所定時間だけ乾燥流体を供給させるステップと、前記乾燥流体ノズルからの前記乾燥流体の供給を継続させながら、ノズル移動機構に指令を発して、前記基板の中心部から前記基板の周縁部に向かって前記乾燥流体ノズルを移動させるステップを、コンピュータに実行させる。このような構成によれば、一旦基板全面に液体の膜を形成した後に、第２の速度で基板を回転させる工程を設けることで、液膜の中央部の薄膜化後、あるいは液膜を除去して基板表面を露出させた後、乾燥流体を基板に供給する。結果として、基板上の残留吸着水分をより確実に取り除くことができ、改善された基板処理方法を提供することができる。また、液体の蒸発に必要な乾燥流体の量を減らすことができ、環境負荷低減およびコストダウンを図ることができる。

【0011】

一態様では、前記第２の速度は、前記第１の速度よりも速い速度である。第２の速度を第１の速度よりも速く適切な速度となるようにすることで、液膜の中央部を薄膜化または液膜を除去すること（基板表面を露出させること）ができる。また、第２の速度を第１の速度よりも速くすることは、スループットの観点からも好ましい。

【0012】

一態様では、前記プログラムは、前記乾燥流体ノズルが前記基板の周縁部上方に位置したときに、前記ノズル移動機構に指令を発して、所定時間前記乾燥流体ノズルの移動を停止させて前記基板の周縁部を乾燥させるステップを、コンピュータにさらに実行させる。このような構成によれば、基板の周縁部をより確実に乾燥させることができ、結果として、基板の表面全体をより確実に乾燥させることができる。
一態様では、前記プログラムは、前記基板の周縁部上方に位置する前記乾燥流体ノズルから供給された乾燥流体が前記基板の周縁部を乾燥させた後に、前記ノズル移動機構に指令を発して、不活性ガスノズルが前記基板の中心部上方に位置するように前記不活性ガスノズルを移動させるステップと、不活性ガス供給機構に指令を発して、前記不活性ガスノズルから前記不活性ガスを前記基板の中心部に供給させるステップを、コンピュータにさらに実行させる。このような構成によれば、基板の上方からも不活性ガスを供給することにより、基板をより確実に乾燥させ、基板の乾燥品質を向上させることができる。
一態様では、前記プログラムは、前記乾燥流体が前記基板上に供給され、かつ第４の速度で前記基板が回転している状態で、不活性ガス供給機構に指令を発して不活性ガスノズルから前記基板の表面上に不活性ガスを供給させるステップを、コンピュータにさらに実行させる。このような構成によれば、基板表面に不活性ガスを供給することで、基板上の液体の蒸発を促進することができる。
一態様では、前記第１の速度は、前記基板上に前記液体の膜を形成するための液膜形成速度と、前記膜の中央部を薄くするための薄膜形成速度を含み、前記プログラムは、前記液膜形成速度で前記基板を回転させた後、前記基板保持部に指令を発して前記薄膜形成速度で前記基板を回転させるステップを、コンピュータにさらに実行させ、前記薄膜形成速度は、前記液膜形成速度よりも速い速度である。このような構成によれば、基板上の液体を遠心力により基板の半径方向外側に移動させることができ、第２の速度で基板を回転させたときの液膜の中央部の薄膜化、または液膜の除去を円滑に行うことができる。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、一旦基板全面に液体の膜を形成した後に、第２の速度で基板を回転させることで、基板上の液体の膜の中央部を薄膜化後、あるいは液膜除去後、乾燥流体を基板に供給する。結果として、基板上の吸着水分の残留を抑制して基板を乾燥させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】基板処理装置の一実施形態を模式的に示す斜視図である。

【図2】図１の基板処理装置を横から見た図である。

【図3】複数のノズルが複数のアームに保持された基板処理装置の一実施形態を示す模式図である。

【図4】複数のノズルが複数のアームに保持された基板処理装置の他の実施形態を示す模式図である。

【図5】液体ノズル、乾燥流体ノズル、および不活性ガスノズルの配置を説明するための上面図である。

【図6】基板の処理方法の一実施形態を示すフローチャートである。

【図7】基板処理装置の状態を示す図である。

【図8】基板処理装置の状態を示す図である。

【図9】基板処理装置の状態を示す図である。

【図10】基板処理装置の状態を示す図である。

【図11】基板処理装置の状態を示す図である。

【図12】基板処理装置の状態を示す図である。

【図13】基板処理装置の状態を示す図である。

【図14】基板処理装置の状態を示す図である。

【図15】基板処理装置の状態を示す図である。

【図16】基板処理装置の状態を示す図である。

【図17】基板処理装置の状態を示す図である。

【図18】ノズル移動機構の他の実施形態を示す模式図である。

【図19】基板処理装置の他の実施形態を模式的に示す斜視図である。

【図20】乾燥流体生成装置の模式図である。

【図21】基板Ｗの処理方法の他の実施形態を示すフローチャートである。

【図22】基板処理装置の状態を示す図である。

【図23】基板処理装置の状態を示す図である。

【図24】基板処理装置の他の実施形態を示す図である。

【図25】基板処理装置のさらに他の実施形態を示す図である。

【図26】基板処理装置を備えた基板処理システムの一実施形態を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、基板処理装置の一実施形態を模式的に示す斜視図であり、図２は、図１の基板処理装置１を横から見た図である。図１では後述する隔壁６、換気機構８、および排気ダクト９の図示は省略されている。基板処理装置１は基板を処理する装置である。図１および図２に示すように、基板処理装置１は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持部１０と、基板Ｗに液体を供給する液体供給機構２４と、基板Ｗに乾燥流体を供給する乾燥流体供給機構３４と、基板Ｗに不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構５４と、基板Ｗに液体を供給する第１裏面側供給機構６９と、基板Ｗに不活性ガスを供給する第２裏面側供給機構７０を備えている。本実施形態の基板Ｗは、化学機械研磨工程（ＣＭＰ）によって研磨された後の基板であり、洗浄後の基板である。洗浄方法の例として、液洗浄（純水、薬液等）、機械洗浄(ロール、ペンシル等による摺動)、さらにこれらの液洗浄と機械洗浄とが合わさった洗浄などが挙げられる。基板Ｗは、平坦化処理がなされた表面２を有している。

【0016】

本明細書における基板処理装置の一例（化学機械研磨装置）として、米国特許出願公開第２０１７／０２５２８９４号の内容の全体は、参照により本出願に組み込まれる。

【0017】

液体供給機構２４は、液体を供給する液体ノズル２０と、液体ノズル２０に液体を供給する液体供給ライン２１と、液体供給ライン２１を流れる液体の流量（基板Ｗに供給される液体の流量）を調整する液体流量制御弁２３を備えている。液体供給機構２４は、液体を、液体ノズル２０から基板Ｗ上に供給する。

【0018】

乾燥流体供給機構３４は、乾燥流体を供給する乾燥流体ノズル３０と、乾燥流体ノズル３０に乾燥流体を供給する乾燥流体供給ライン３１と、乾燥流体供給ライン３１を流れる乾燥液体の流量（基板Ｗに供給される乾燥流体の流量）を調整する乾燥流体流量制御弁３３を備えている。乾燥流体供給機構３４は、乾燥流体を、乾燥流体ノズル３０から基板Ｗ上に供給する。

【0019】

不活性ガス供給機構５４は、不活性ガスを供給する不活性ガスノズル５０と、不活性ガスノズル５０に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン５１と、不活性ガス供給ライン５１を流れる不活性ガスの流量（基板Ｗに供給される不活性ガスの流量）を調整する不活性ガス流量制御弁５３を備えている。不活性ガス供給機構５４は、不活性ガスを、不活性ガスノズル５０から基板Ｗ上に供給する。

【0020】

第１裏面側供給機構６９は、液体を供給する第１裏面ノズル７１と、第１裏面ノズル７１に液体を供給する第１裏面側供給ライン７５と、第１裏面側供給ライン７５を流れる液体の流量（基板Ｗに供給される液体の流量）を調整する第１裏面側流量制御弁７９を備えている。第１裏面側供給機構６９は、液体を、第１裏面ノズル７１から基板Ｗに供給する。

【0021】

第２裏面側供給機構７０は、不活性ガスを供給する第２裏面ノズル７２と、第２裏面ノズル７２に不活性ガスを供給する第２裏面側供給ライン７６と、第２裏面側供給ライン７６を流れる不活性ガスの流量（基板Ｗに供給される不活性ガスの流量）を調整する第２裏面側流量制御弁８０を備えている。第２裏面側供給機構７０は、不活性ガスを、第２裏面ノズル７２から基板Ｗに供給する。

【0022】

基板処理装置１は、液体ノズル２０、乾燥流体ノズル３０、および不活性ガスノズル５０を移動させるノズル移動機構６０と、基板保持部１０、液体供給機構２４、乾燥流体供給機構３４、不活性ガス供給機構５４、第１裏面側供給機構６９、第２裏面側供給機構７０、およびノズル移動機構６０の動作を制御する制御部９０をさらに備えている。

【0023】

液体ノズル２０、乾燥流体ノズル３０、および不活性ガスノズル５０（以下、単にノズル２０，３０，５０と呼ぶことがある）は、基板保持部１０に保持された基板Ｗの上方に配置されており、下方を向いて（基板Ｗの表面２を向いて）配置されている。裏面ノズル７１，７２は、基板保持部１０に保持された基板Ｗの下方に配置されており、上方を向いて配置されている。本実施形態では、裏面ノズル７１，７２は、基板Ｗの裏面３の中心部を向いて配置されているが、流体（不活性ガスまたは液体）の一部が基板Ｗの裏面３の中央に当たっていれば、ノズル形状は単管でも、扇型でも、円錐型でもよい。本実施形態では、裏面ノズル７１，７２の位置は固定されているが、一実施形態では、裏面ノズル７１，７２は、図示しない裏面ノズル移動機構によって、基板Ｗと平行な平面内で揺動可能（基板Ｗの半径方向に移動可能）に構成されていてもよい。液体ノズル２０、乾燥流体ノズル３０、および不活性ガスノズル５０は、液体、乾燥流体、および不活性ガスをそれぞれ基板Ｗの表面２に供給し、第１裏面ノズル７１および第２裏面ノズル７２は、液体および不活性ガスをそれぞれ基板Ｗの裏面３に供給する。

【0024】

液体ノズル２０および第１裏面ノズル７１から供給される液体の一例として純水が使用される。乾燥流体の例として、液体または気体の有機溶剤が使用される。有機溶剤の例として、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）や、アルコールを含んだフッ素系溶剤が挙げられる。本明細書では、有機溶剤は、液体と気体の両方を含むものとして定義される。有機溶剤としてＩＰＡが使用される場合、有機溶剤中のＩＰＡの濃度は１００％であることが好ましいが、基板Ｗの処理条件によっては、有機溶剤は、ＩＰＡ混合流体であってもよい。不活性ガスの一例として窒素が使用される。

【0025】

基板保持部１０は、基板Ｗの周縁部を保持する複数のチャック１１と、複数のチャック１１に連結された回転モータ１２を備えている。複数のチャック１１は、基板Ｗを水平に保持するように構成されている。回転モータ１２は制御部９０に電気的に接続されており、回転モータ１２の動作は、制御部９０によって制御される。チャック１１に保持された基板Ｗは回転モータ１２によって基板保持部１０の軸心ＣＰ周りに回転する。本実施形態では、基板Ｗは図１に示す矢印Ｄｒ方向に回転するが、基板Ｗの回転方向は本実施形態に限定されず、矢印Ｄｒの逆方向に回転してもよい。基板Ｗが基板保持部１０に保持されているとき、基板Ｗの中心Ｏと、軸心ＣＰは一致する。図１および図２は、基板Ｗがチャック１１にグリップされた一例である。チャック１１の一例として、基板Ｗの端部がチャック１１の浅い溝部に入るように構成されているものが挙げられるが、基板Ｗの側面を支えるように構成されていればチャック１１の構成は、本実施形態に限定されない。

【0026】

ノズル移動機構６０は、基板保持部１０に保持された基板Ｗの上方に配置されたアーム６１と、アーム６１を旋回させるアーム回転機構としての旋回モータ６２と、旋回モータ６２に連結された旋回軸６３を備えている。アーム６１は、基板Ｗの半径よりも大きな長さを有している。アーム６１の先端には、液体ノズル２０、乾燥流体ノズル３０、および不活性ガスノズル５０が取り付けられている。ノズル２０，３０，５０は、アーム６１によって保持されている。アーム６１の他方の端部には、旋回軸６３が接続されている。

【0027】

旋回モータ６２は制御部９０に電気的に接続されており、旋回モータ６２の動作は、制御部９０によって制御される。旋回モータ６２は、旋回軸６３を所定の角度だけ回転させることにより、アーム６１を基板Ｗと平行な平面内で旋回させる。したがって、アーム６１の旋回により、アーム６１に固定された液体ノズル２０、乾燥流体ノズル３０、および不活性ガスノズル５０が基板Ｗの半径方向に移動する。基板Ｗの処理中、ノズル移動機構６０は、ノズル２０，３０，５０を一体に基板Ｗの中心部から基板Ｗの周縁部に向かって移動させる（基板Ｗの半径方向外側であり、図１に示す矢印Ｄｎ方向に移動させる）。

【0028】

図１に示す実施形態では、ノズル２０，３０，５０は、１つのアーム６１にともに保持されているが、一実施形態では、ノズル２０，３０，５０は、複数のアームに保持されていてもよい。図３に示す実施形態では、ノズル移動機構６０は、複数のアーム６１ａ，６１ｂ，６１ｃ（液体ノズル保持アーム６１ａ、乾燥流体ノズル保持アーム６１ｂ、および不活性ガスノズル保持アーム６１ｃ）を備えている。ノズル２０，３０，５０は、アーム６１ａ，６１ｂ，６１ｃにそれぞれ保持されている。液体ノズル２０は液体ノズル保持アーム６１ａの先端に取り付けられており、乾燥流体ノズル３０は乾燥流体ノズル保持アーム６１ｂの先端に取り付けられており、不活性ガスノズル５０は不活性ガスノズル保持アーム６１ｃの先端に取り付けられている。アーム６１ａ，６１ｂ，６１ｃの他方の端部は旋回軸６３に接続されている。特に説明しない図３に示す実施形態の構成は、図１に示す実施形態と同じである。

【0029】

図４は、ノズル２０，３０，５０が複数のアームに保持された基板処理装置１の他の実施形態を示す模式図である。特に説明しない図４に示す実施形態の構成は、図１に示す実施形態と同じである。図４に示す実施形態では、ノズル移動機構６０は、液体ノズル２０を移動させる液体ノズル移動機構６０ａと、乾燥流体ノズル３０を移動させる乾燥流体ノズル移動機構６０ｂと、不活性ガスノズル５０を移動させる不活性ガスノズル移動機構６０ｃを備えている。

【0030】

液体ノズル移動機構６０ａは、液体ノズル保持アーム６１ａと、液体ノズル保持アーム６１ａを旋回させる旋回モータ６２ａと、旋回モータ６２ａに連結された旋回軸６３ａを備えている。乾燥流体ノズル移動機構６０ｂは、乾燥流体ノズル保持アーム６１ｂと、乾燥流体ノズル保持アーム６１ｂを旋回させる旋回モータ６２ｂと、旋回モータ６２ｂに連結された旋回軸６３ｂを備えている。不活性ガスノズル移動機構６０ｃは、不活性ガスノズル保持アーム６１ｃと、不活性ガスノズル保持アーム６１ｃを旋回させる旋回モータ６２ｃと、旋回モータ６２ｃに連結された旋回軸６３ｃを備えている。ノズル２０，３０，５０は、アーム６１ａ，６１ｂ，６１ｃにそれぞれ保持されている。液体ノズル２０は液体ノズル保持アーム６１ａの先端に取り付けられており、乾燥流体ノズル３０は乾燥流体ノズル保持アーム６１ｂの先端に取り付けられており、不活性ガスノズル５０は不活性ガスノズル保持アーム６１ｃの先端に取り付けられている。アーム６１ａ，６１ｂ，６１ｃの他方の端部は旋回軸６３ａ，６３ｂ，６３ｃにそれぞれ接続されている。

【0031】

旋回モータ６２ａ，６２ｂ，６２ｃは制御部９０に電気的に接続されており、制御部９０は、旋回モータ６２ａ，６２ｂ，６２ｃの動作を独立して制御可能に構成されている。旋回モータ６２ａ，６２ｂ，６２ｃのそれぞれは、旋回軸６３ａ，６３ｂ，６３ｃのそれぞれを所定の角度だけ回転させることにより、アーム６１ａ，６１ｂ，６１ｃのそれぞれを基板Ｗと平行な平面内で旋回させる。アーム６１ａ，６１ｂ，６１ｃの旋回により、ノズル２０，３０，５０が基板Ｗの半径方向に移動する。本実施形態のノズル移動機構６０は、基板Ｗの処理中、ノズル２０，３０，５０を独立して基板Ｗの半径方向に移動させる。

【0032】

液体ノズル移動機構６０ａ、乾燥流体ノズル移動機構６０ｂ、および不活性ガスノズル移動機構６０ｃ（以下、単にノズル移動機構６０ａ，６０ｂ，６０ｃと呼ぶことがある）の配置は本実施形態に限定されない。一実施形態では、ノズル移動機構６０ｂ，６０ｃは、液体ノズル移動機構６０ａの近傍に配置されていてもよく、ノズル移動機構６０ａ，６０ｂ，６０ｃが互いに間隔を空けて配置されていてもよい。図４では、ノズル２０，３０，５０が互いに衝突しないように、高さ方向にノズル２０，３０，５０の順に配列されているが、ノズル２０，３０，５０の高さ方向の配置は、図４の順に限らない。

【0033】

図１に戻って、液体供給ライン２１の一端は、液体ノズル２０に接続され、他端は、図示しない液体供給源に接続されている。乾燥流体供給ライン３１の一端は、乾燥流体ノズル３０に接続され、他端は図示しない乾燥流体供給源に接続されている。不活性ガス供給ライン５１の一端は、不活性ガスノズル５０に接続され、他端は図示しない不活性ガス供給源に接続されている。

【0034】

液体は、液体供給源から液体供給ライン２１を通って液体ノズル２０に供給され、さらに液体ノズル２０から基板Ｗの表面２に供給される。乾燥流体は、乾燥流体供給源から乾燥流体供給ライン３１を通って乾燥流体ノズル３０に供給され、さらに乾燥流体ノズル３０から基板Ｗの表面２に供給される。不活性ガスは、不活性ガス供給源から不活性ガス供給ライン５１を通って不活性ガスノズル５０に供給され、さらに不活性ガスノズル５０から基板Ｗの表面２に供給される。

【0035】

液体供給ライン２１には、液体流量制御弁２３が取り付けられており、液体供給ライン２１を流れる液体の流量（基板Ｗの表面２に供給される液体の流量）は、液体流量制御弁２３によって調節される。乾燥流体供給ライン３１には、乾燥流体流量制御弁３３が取り付けられており、乾燥流体供給ライン３１を流れる乾燥流体の流量（基板Ｗの表面２に供給される乾燥流体の流量）は、乾燥流体流量制御弁３３によって調節される。不活性ガス供給ライン５１には、不活性ガス流量制御弁５３が取り付けられており、不活性ガス供給ライン５１を流れる不活性ガスの流量（基板Ｗの表面２に供給される不活性ガスの流量）は、不活性ガス流量制御弁５３によって調整される。液体流量制御弁２３、乾燥流体流量制御弁３３、および不活性ガス流量制御弁５３は、制御部９０に電気的に接続されており、液体流量制御弁２３、乾燥流体流量制御弁３３、および不活性ガス流量制御弁５３の動作は、制御部９０によって制御される。液体流量制御弁２３、乾燥流体流量制御弁３３、および不活性ガス流量制御弁５３は、基板Ｗの処理中に液体、乾燥流体、および不活性ガスの流量をそれぞれ変化させることができる。

【0036】

液体流量制御弁２３は液体供給ライン２１の液体の流路を開閉し、乾燥流体流量制御弁３３は、乾燥流体供給ライン３１の乾燥流体の流路を開閉し、不活性ガス流量制御弁５３は、不活性ガス供給ライン５１の不活性ガスの流路を開閉するように構成されている。液体流量制御弁２３、乾燥流体流量制御弁３３、および不活性ガス流量制御弁５３を開くと液体、乾燥流体、および不活性ガスが、液体ノズル２０、乾燥流体ノズル３０、および不活性ガスノズル５０にそれぞれ供給され、液体流量制御弁２３、乾燥流体流量制御弁３３、および不活性ガス流量制御弁５３を閉じると液体、乾燥流体、および不活性ガスの供給が停止される。

【0037】

第１裏面側供給ライン７５の一端は、第１裏面ノズル７１に接続され、他端は、図示しない液体供給源に接続されている。第２裏面側供給ライン７６の一端は、第２裏面ノズル７２に接続され、他端は図示しない不活性ガス供給源に接続されている。

【0038】

液体は、液体供給源から第１裏面側供給ライン７５を通って第１裏面ノズル７１に供給され、さらに第１裏面ノズル７１から基板Ｗの裏面３に供給される。不活性ガスは、不活性ガス供給源から第２裏面側供給ライン７６を通って第２裏面ノズル７２に供給され、さらに第２裏面ノズル７２から基板Ｗの裏面３に供給される。

【0039】

第１裏面側供給ライン７５には、第１裏面側流量制御弁７９が取り付けられており、第１裏面側供給ライン７５を流れる液体の流量（基板Ｗの裏面３に供給される液体の流量）は、第１裏面側流量制御弁７９によって調節される。第２裏面側供給ライン７６には、第２裏面側流量制御弁８０が取り付けられており、第２裏面側供給ライン７６を流れる不活性ガスの流量（基板Ｗの裏面３に供給される不活性ガスの流量）は、第２裏面側流量制御弁８０によって調節される。第１裏面側流量制御弁７９および第２裏面側流量制御弁８０は、制御部９０に電気的に接続されており、第１裏面側流量制御弁７９および第２裏面側流量制御弁８０の動作は、制御部９０によって制御される。第１裏面側流量制御弁７９および第２裏面側流量制御弁８０は、基板Ｗの処理中に液体および不活性ガスの流量をそれぞれ変化させることができる。

【0040】

さらに、第１裏面側流量制御弁７９は第１裏面側供給ライン７５の液体の流路を開閉し、第２裏面側流量制御弁８０は、第２裏面側供給ライン７６の不活性ガスの流路を開閉するように構成されている。第１裏面側流量制御弁７９および第２裏面側流量制御弁８０を開くと液体および不活性ガスが、第１裏面ノズル７１および第２裏面ノズル７２にそれぞれ供給され、第１裏面側流量制御弁７９および第２裏面側流量制御弁８０を閉じると液体および不活性ガスの供給が停止される。

【0041】

制御部９０は、少なくとも１台のコンピュータから構成される。制御部９０は、プログラムが格納された記憶装置９０ａと、プログラムに含まれる命令に従って演算を実行する演算装置９０ｂを備えている。演算装置９０ｂは、記憶装置９０ａに格納されているプログラムに含まれている命令に従って演算を行うＣＰＵ（中央処理装置）またはＧＰＵ（グラフィックプロセッシングユニット）などを含む。記憶装置９０ａは、演算装置９０ｂがアクセス可能な主記憶装置（例えばランダムアクセスメモリ）と、データおよびプログラムを格納する補助記憶装置（例えば、ハードディスクドライブまたはソリッドステートドライブ）を備えている。また、制御部９０にあるプログラムには、基板処理装置１が基板Ｗの処理方法を実行するためのレシピが含まれている。

【0042】

前記少なくとも１台のコンピュータは、１台のサーバまたは複数台のサーバであってもよい。制御部９０は、エッジサーバやＰＬＣ（プログラマブル・ロジック・コントローラ）であってもよいし、インターネットまたはローカルエリアネットワークなどの通信ネットワークに接続されたクラウドサーバであってもよいし、あるいはネットワーク内に設置されたフォグコンピューティングデバイス（ゲートウェイ、フォグサーバ、ルーターなど）であってもよい。制御部９０は、インターネットまたはローカルエリアネットワークなどの通信ネットワークにより接続された複数のサーバであってもよい。例えば、制御部９０は、エッジサーバとクラウドサーバとの組み合わせであってもよい。

【0043】

図２に示すように、基板処理装置１は、隔壁６と、基板保持部１０の上方に配置された換気機構８を備えている。隔壁６の内部空間は処理室７を構成している。基板保持部１０、ノズル２０，３０，５０、ノズル移動機構６０、および裏面ノズル７１，７２は処理室７内に配置されている。隔壁６には図示しない扉が設けられており、この扉を通じて基板Ｗを処理室７内に搬入し、かつ処理室７から搬出することが可能となっている。隔壁６の上部には、クリーンエア取入口６ａが形成されており、隔壁６の下部には排気ダクト９が形成されている。換気機構８は隔壁６の上面に設置されている。この換気機構８は、ファン８Ａと、このファン８Ａから送られた空気中のパーティクルや粉塵を除去するフィルター８Ｂとを備えている。換気機構８は、清浄な空気をクリーンエア取入口６ａを通じて処理室７に送り込み、処理室７内の気体を排気ダクト９から排出させる。これにより処理室７内には清浄な空気のダウンフローが形成される。このような空気のダウンフローを形成することで、基板Ｗの表面２および裏面３に整った気流を生じさせ、気流の乱れによる基板汚染物質の付着を防止することができる。

【0044】

一実施形態では、排気ダクト９は、隔壁６の下部に形成された複数の排気口（図示せず）から構成されていてもよい。排気ダクト９を複数の排気口で構成することによって、乱れの少ない下降流（ダウンフロー）が得られる。一実施形態では、隔壁６の下部全体に排気ダクト９が形成されていてもよい。

【0045】

本実施形態では、乾燥流体としてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）や、アルコールを含んだフッ素系溶剤などの有機溶剤が使用される。本実施形態では、換気機構８および排気ダクト９によって空気のダウンフローが形成されるため、基板Ｗに供給された乾燥流体が蒸発して基板Ｗに再付着することを防止することができ、かつ後述する基板Ｗ上の液体の蒸発が促進される。また、このような有機溶剤が空気と混合すると爆発性の混合ガスを生成する可能性があるため、安全面から処理室７内の気流の最適化や排気が必要となる。本実施形態では、換気機構８および排気ダクト９によって空気のダウンフローが形成されるため、爆発を防止することができる。

【0046】

一実施形態では、上述の爆発を防止するため、乾燥流体供給ライン３１の一部または全体は導電性材料から構成されていてもよい。乾燥流体供給ライン３１の材料として導電性材料を使用することにより、静電気を防止し、乾燥流体の爆発を防止することができる。さらに一実施形態では、チャック１１の一部または全体の材料として導電性材料を使用してもよい。さらに一実施形態では、乾燥流体供給ライン３１および／またはチャック１１をアース接続し、乾燥流体供給ライン３１および／またはチャック１１の帯電を防止してもよい。ここで、乾燥流体供給ライン３１に使用される導電性材料の具体例としては、導電性樹脂チューブ（表面に導電性樹脂がラミネート被覆されたチューブや、導電性樹脂の粒子（ＣＮＴ）を混合させた樹脂材を表面に被覆したチューブ材等）がある。また、チャック１１に使用される導電性材料の具体例としては、導電性のポリエーテルエーテルケトン（導電性ＰＥＥＫ）がある。

【0047】

図５は、液体ノズル２０、乾燥流体ノズル３０、および不活性ガスノズル５０の配置を説明するための上面図である。図５に示すように、液体ノズル２０、乾燥流体ノズル３０、および不活性ガスノズル５０は互いに隣接して配置されている。不活性ガスノズル５０は、ノズル２０，３０，５０の移動方向Ｄｎに関して、乾燥流体ノズル３０の後方（上流側）に配置されている。より具体的には、不活性ガスノズル５０は、乾燥流体ノズル３０が移動中に描く軌跡を通るように配置されている。言い換えれば、不活性ガスノズル５０は、旋回軸６３（図１参照）の軸心と乾燥流体ノズル３０とを結ぶ直線を半径とする円弧Ｌ上に配置されている。したがって、不活性ガスノズル５０は乾燥流体ノズル３０と同じ軌跡を描いて乾燥流体ノズル３０の後を追って移動する。

【0048】

本実施形態では、液体ノズル２０は、移動方向Ｄｎに関して乾燥流体ノズル３０の下流側（前方）に配置されている。本実施形態では、液体ノズル２０は、円弧Ｌ上に配置されているが、液体ノズル２０の配置は本実施形態に限定されない。一実施形態では、液体ノズル２０は円弧Ｌから外れた位置に配置されていてもよい。不活性ガスノズル５０が乾燥流体ノズル３０の後を追って移動することができるように配置されていれば、ノズル２０，３０，５０の配置は、本実施形態に限定されない。液体ノズル２０および不活性ガスノズル５０は、円弧Ｌから外れた位置に配置されていてもよいが、図５に示す実施形態のように乾燥流体ノズル３０および不活性ガスノズル５０を配置することによって、後述する基板Ｗ上の液体の蒸発（基板Ｗの乾燥）が促進される。なぜなら、図５に示す実施形態のように乾燥流体ノズル３０および不活性ガスノズル５０を配置した場合、不活性ガスノズル５０は、乾燥流体ノズル３０と同じ軌跡を描いて乾燥流体ノズル３０の後を追って移動し、乾燥流体の噴射位置のすぐ後方に不活性ガスを噴射することができるからである。ノズル２０，３０，５０の噴射口の形状の例として円形、扇形、および楕円形が挙げられるが、ノズル２０，３０，５０の噴射口の形状は、これらに限定されない。また、ノズル２０，３０，５０は、噴射される流体の態様（液状、液敵状、および噴霧状など）によらず、様々な態様の流体を噴射可能に構成されている。

【0049】

次に、基板Ｗの処理方法について説明する。図６は、基板Ｗの処理方法の一実施形態を示すフローチャートである。図７乃至図１７は、ステップ１－１～ステップ１－１０までの各工程における基板処理装置１の状態を示す図である。図７乃至図１７では、基板保持部１０、旋回モータ６２、旋回軸６３、および制御部９０の図示は省略されている。図７乃至図１７において、白で描かれている弁は開いている状態を示し、黒で描かれている弁は閉じている状態を示している。以下のステップ１－１からステップ１－１０までの工程は、不活性ガスを第２裏面ノズル７２から裏面３に供給しながら行われる。基板Ｗの処理中、不活性ガスを裏面３に供給することで、裏面３を乾燥させながら基板Ｗを処理することができる。以下に説明する処理方法の一実施形態では、特に説明しない場合、図１、図２、および図５を参照して説明した基板処理装置１が使用される。

【0050】

まず、基板処理装置１は、基板Ｗを第１の速度で回転させ、基板Ｗの中心部上方に位置させた液体ノズル２０から基板Ｗ（基板Ｗの表面２）に所定時間だけ液体を供給することで、基板Ｗの全面（基板Ｗの表面２の全面）に液体の膜（液膜）を形成する（ステップ１－１～ステップ１－４）。具体的には、制御部９０は、基板保持部１０の回転モータ１２に指令を発して、第１の速度で基板Ｗを回転させ、液体供給機構２４の液体流量制御弁２３に指令を発して、基板Ｗの中心部上方に位置させた液体ノズル２０から基板Ｗに所定時間だけ液体を供給させて基板Ｗの全面に液膜を形成させる。

【0051】

ここで、単純化すると、液膜には、表面張力σ（２０度で、水についてはσ＝０．０７２８Ｎ／ｍ）により、あたかも弾性膜で覆われたように常に液膜の内側に収縮しようとする力ｐ（ｐ＝４σ／ｄ。ただし、ｄは液膜の直径）が働くところ、基板Ｗの回転数が大きくなりすぎて遠心力の方が表面張力σよりも大きくなると、液膜が形成されない可能性がある。そこで、基板Ｗ上に存在する液膜に働く遠心力Ｆ（Ｆ＝ｍω^２ｒ。ωは基板Ｗの回転数に比例する角速度）よりも表面張力σの方が大きくなるように、基板Ｗの回転数（上記第１の速度）は予め設定されている。

【0052】

制御部９０は、記憶装置９０ａに電気的に格納されたプログラムに含まれる命令に従って動作する。すなわち、制御部９０は、基板保持部１０に指令を発して、第１の速度で基板Ｗを回転させ、液体供給機構２４の液体流量制御弁２３に指令を発して、基板Ｗの中心部上方に位置させた液体ノズル２０から基板Ｗに所定時間だけ液体を供給させて基板Ｗの全面に液膜を形成させるステップを実行する。

【0053】

ステップ１－１～ステップ１－４の詳細を以下に説明する。上記第１の速度とは、後述する液体供給速度、液膜形成速度、および薄膜形成速度を含んだ速度である。まず、基板処理装置１は、ステップ１－１を実行する。ステップ１－１では、図７に示すように、基板処理装置１は、基板Ｗを基板保持部１０で保持し、所定の液体供給速度で基板Ｗを回転させながら液体を所定時間（液体供給時間）基板Ｗの中心部上方に位置させた液体ノズル２０および第１裏面ノズル７１から基板Ｗの表面２および裏面３のそれぞれに供給する。さらに基板処理装置１は、液体供給速度で基板Ｗを回転させながら、不活性ガスを第２裏面ノズル７２から基板Ｗの裏面３に供給する。本実施形態では、液体として純水が使用され、不活性ガスとして窒素が使用される。

【0054】

ステップ１－１では、まず、制御部９０は、ノズル移動機構６０の旋回モータ６２に指令を発して、液体ノズル２０を基板Ｗの中心部の上方に移動させる。その結果、アーム６１は軸心ＣＰ上に位置する。液体ノズル２０は、液体を基板Ｗの表面２の中心部に噴射する。第１裏面ノズル７１は、液体を基板Ｗの裏面３の中心部に噴射する。第２裏面ノズル７２は不活性ガスを裏面３の中心部に噴射する。ここで、液体供給速度とは、ステップ１－１において基板Ｗに液体を供給するときの基板Ｗの回転速度である。図４に示す実施形態を使用する場合は、制御部９０は、ノズル移動機構６０の旋回モータ６２ａに指令を発して、液体ノズル２０を基板Ｗの中心部上方に移動させる。その結果、液体ノズル保持アーム６１ａが軸心ＣＰ上に位置する。図４に示す実施形態を使用する場合は、乾燥流体ノズル保持アーム６１ｂおよび不活性ガスノズル保持アーム６１ｃは、待避位置（基板保持部１０の外側）に位置する。

【0055】

基板Ｗの表面２の中心部に供給された液体は、遠心力により基板Ｗの表面２全体に広がり、基板Ｗの裏面３の中心部に供給された液体は、遠心力により基板Ｗの裏面３全体に広がる。基板Ｗの裏面３の中心部に供給された不活性ガスは、遠心力により基板Ｗの裏面３全体に広がる。一実施形態では、ステップ１－１の工程において、液体ノズル２０は、軸心ＣＰ上（中心Ｏの真上）に位置していてもよく、液体ノズル２０は液体を基板Ｗの中心Ｏに噴射してもよい。

【0056】

第２裏面ノズル７２から不活性ガスを噴射することにより、液体ノズル２０および第１裏面ノズル７１から供給された液体が第２裏面ノズル７２に流入するのを防止することができる。一実施形態では、ステップ１－１で裏面３に供給される不活性ガスの流量は５Ｌ／ｍｉｎである。一実施形態では、基板Ｗの裏面３に供給される不活性ガスの流量は、後述する基板Ｗの表面２に供給される不活性ガスの流量よりも常に小さくされるように予め設定されている。

【0057】

具体的には、制御部９０は、基板保持部１０の回転モータ１２に指令を発して液体供給速度で基板Ｗを回転させながら、液体供給機構２４の液体流量制御弁２３および第１裏面側供給機構６９の第１裏面側流量制御弁７９に指令を発して、液体を、液体供給時間、基板Ｗの中心部上方に位置させた液体ノズル２０および第１裏面ノズル７１から基板Ｗの表面２および裏面３のそれぞれに供給させる。さらに制御部９０は、液体供給速度で基板Ｗを回転させながら、第２裏面側供給機構７０の第２裏面側流量制御弁８０に指令を発して不活性ガスを第２裏面ノズル７２から基板Ｗの裏面３に供給させる。

【0058】

制御部９０は、記憶装置９０ａに電気的に格納されたプログラムに含まれる命令に従って動作する。すなわち、制御部９０は、基板保持部１０の回転モータ１２に指令を発して液体供給速度で基板Ｗを回転させながら、液体供給機構２４の液体流量制御弁２３および第１裏面側供給機構６９の第１裏面側流量制御弁７９に指令を発して、液体を、液体供給時間、基板Ｗの中心部上方に位置させた液体ノズル２０および第１裏面ノズル７１から基板Ｗの表面２および裏面３のそれぞれに供給させるステップと、液体供給速度で基板Ｗを回転させながら、第２裏面側供給機構７０の第２裏面側流量制御弁８０に指令を発して、不活性ガスを、第２裏面ノズル７２から基板Ｗの裏面３に供給させるステップを実行する。

【0059】

一実施形態では、基板Ｗの表面２に供給される液体の流量は０．８Ｌ／ｍｉｎである。このときの液体供給速度は、３５ｍｉｎ^－１、２５ｍｉｎ^－１、または２０ｍｉｎ^－１である。液体の供給流量が０．８Ｌ／ｍｉｎであり、かつ液体供給速度が３５ｍｉｎ^－１のときの液体供給時間は３．７５秒である。液体の供給流量が０．８Ｌ／ｍｉｎであり、かつ液体供給速度が２５ｍｉｎ^－１のときの液体供給時間は７．５秒である。液体の供給流量が０．８Ｌ／ｍｉｎであり、かつ液体供給速度が２０ｍｉｎ^－１のときの液体供給時間は１１．２５秒である。

【0060】

さらに一実施形態では、基板Ｗの表面２に供給される液体の流量は１Ｌ／ｍｉｎである。このときの液体供給速度は、３５ｍｉｎ^－１、２５ｍｉｎ^－１、または２０ｍｉｎ^－１である。液体の供給流量が１Ｌ／ｍｉｎであり、かつ液体供給速度が３５ｍｉｎ^－１のときの液体供給時間は３秒である。液体の供給流量が１Ｌ／ｍｉｎであり、かつ液体供給速度が２５ｍｉｎ^－１のときの液体供給時間は６秒である。液体の供給流量が１Ｌ／ｍｉｎであり、かつ液体供給速度が２０ｍｉｎ^－１のとき液体供給時間は９秒である。

【0061】

さらに一実施形態では、基板Ｗの表面２に供給される液体の流量は２Ｌ／ｍｉｎである。このときの液体供給速度は、３５ｍｉｎ^－１、２５ｍｉｎ^－１、または２０ｍｉｎ^－１である。液体の供給流量が２Ｌ／ｍｉｎであり、かつ液体供給速度が３５ｍｉｎ^－１のときの液体供給時間は１．５秒である。液体の供給流量が２Ｌ／ｍｉｎであり、かつ液体供給速度が２５ｍｉｎ^－１のときの液体供給時間は３秒である。液体の供給流量が２Ｌ／ｍｉｎであり、かつ液体供給速度が２０ｍｉｎ^－１のとき液体供給時間は４．５秒である。

【0062】

ステップ１－２およびステップ１－３では、図８および図９に示すように、基板処理装置１は、所定の液膜形成速度で基板Ｗを所定時間（総液膜形成時間）回転させる。ステップ１－２では、図８に示すように、基板処理装置１は、第２裏面ノズル７２からの不活性ガスの供給を継続しながら、液体ノズル２０および第１裏面ノズル７１からの液体の供給を停止し、所定の液膜形成速度で基板Ｗを所定時間（第１液膜形成時間）回転させる。具体的には、制御部９０は、第２裏面ノズル７２から不活性ガスを裏面３に供給させながら、液体流量制御弁２３および第１裏面側流量制御弁７９に指令を発して液体の供給を停止させ、基板保持部１０の回転モータ１２に指令を発して上記液膜形成速度で基板Ｗを第１液膜形成時間回転させる。ここで、液膜形成速度とは、基板Ｗの表面２上に液体の膜を形成するための基板Ｗの回転速度である。液膜形成速度は、液体供給速度と同じか、または液体供給速度よりも遅い速度である。一実施形態では、液膜形成速度は、２０ｍｉｎ^－１であり、第１液膜形成時間は３秒である。一実施形態では、ステップ１－２で裏面３に供給される不活性ガスの流量は５Ｌ／ｍｉｎである。

【0063】

制御部９０は、記憶装置９０ａに電気的に格納されたプログラムに含まれる命令に従って動作する。すなわち、制御部９０は、液体流量制御弁２３および第１裏面側流量制御弁７９に指令を発して液体の供給を停止させ、回転モータ１２に指令を発して上記液膜形成速度で基板Ｗを第１液膜形成時間回転させるステップを実行する。上記ステップは、第２裏面ノズル７２から不活性ガスが裏面３に供給されている状態で実行される。

【0064】

ステップ１－２の液膜状態では、基板Ｗの表面２の液膜に作用する遠心力が液体と基板の上面との間で作用する表面張力よりも小さいか、あるいは遠心力と表面張力とがほぼ拮抗している。基板Ｗの回転速度の減速により、基板Ｗ上の液体に作用する遠心力が弱まり、基板Ｗ上から排出される液体の量が減少する。

【0065】

ステップ１－３では、図９に示すように、基板処理装置１は、第２裏面ノズル７２からの不活性ガスの供給を継続しながら、引き続き液膜形成速度で基板Ｗを所定時間（第２液膜形成時間）回転させる。

【0066】

一実施形態では、ステップ１－３で裏面３に供給される不活性ガスの流量は５Ｌ／ｍｉｎであり、第２液膜形成時間は２秒である。総液膜形成時間は、第１液膜形成時間と、第２液膜形成時間とを合わせた時間である。

【0067】

ステップ１－３において、本実施形態では、ステップ１－２と同じ液膜形成速度で基板Ｗを第２液膜形成時間回転させているが、一実施形態では、ステップ１－３では、ステップ１－２の基板Ｗの回転速度（第１液膜形成速度）よりも遅い速度（第２液膜形成速度）で基板Ｗを回転させてもよい。

【0068】

ステップ１－１を実施することにより、洗浄後の基板に付着していた液体（純水などの洗浄液）は、ステップ１－１で供給される液体に混合する。さらに、ステップ１－１～ステップ１－３により、基板Ｗの表面２上に（基板Ｗの表面２の全面に）、洗浄後の基板に付着していた液体を含む均一な液体の膜が形成される。基板Ｗ上に液体の膜を形成することにより、洗浄後の基板Ｗに付着した液体によるウォーターマークの形成を防止することができる。また、ステップ１－２およびステップ１－３で説明したように基板Ｗを比較的低速で回転させることにより、ウォーターマークの発生をより確実に防止することができる。

【0069】

ステップ１－４では、図１０に示すように、基板処理装置１は、第２裏面ノズル７２からの不活性ガスの供給を継続しながら、所定の薄膜形成速度で基板Ｗを所定時間（薄膜形成時間）回転させる。具体的には、制御部９０は、第２裏面ノズル７２からの不活性ガスの供給を継続しながら、基板保持部１０の回転モータ１２に指令を発して上記薄膜形成速度で基板Ｗを薄膜形成時間回転させる。ここで、薄膜形成速度とは、基板Ｗの表面２上の液体の膜の中央部を薄くするための基板Ｗの回転速度である。薄膜形成速度は、液膜形成速度よりも速い速度である。具体的には、薄膜形成速度は、液膜形成速度よりも５倍～２５倍速い速度である。一実施形態では、薄膜形成速度は、１００ｍｉｎ^－１であり、薄膜形成時間は２秒であり、ステップ１－４における不活性ガスの供給流量は５Ｌ／ｍｉｎである。

【0070】

制御部９０は、記憶装置９０ａに電気的に格納されたプログラムに含まれる命令に従って動作する。すなわち、制御部９０は、基板保持部１０の回転モータ１２に指令を発して上記薄膜形成速度で基板Ｗを薄膜形成時間回転させるステップを実行する。上記ステップは、第２裏面ノズル７２から不活性ガスが裏面３に供給されている状態で実行される。

【0071】

ステップ１－４の薄膜領域形成工程は、基板Ｗの液体の大部分が除去されて液膜の中央部に、非常に薄い超薄膜（液体の薄膜）が残存する円形の薄膜領域を形成する工程である。基板Ｗ上の液膜に比較的強い遠心力が作用し、基板Ｗの表面２の中央部に存在する液体が径方向外方に押し退けられることにより、基板Ｗの表面２の中央部に円形の薄膜領域が形成される。

【0072】

ステップ１－４を実施することにより、基板処理装置１は、基板Ｗの表面２上の液体を遠心力により徐々に基板Ｗの半径方向外側に移動させる。結果として、表面２上の液体の膜の中央部が薄くなり、上記膜の周縁部が厚くなる。

【0073】

ステップ１－５では、図１１に示すように、基板処理装置１は、不活性ガスの供給流量を変更し、所定の第２の速度（振り切り速度）で基板Ｗを所定時間（振り切り時間）回転させる。具体的には、制御部９０は、第２裏面側流量制御弁８０に指令を発して不活性ガスの供給量を変更させる。制御部９０は、第２裏面ノズル７２から不活性ガスを裏面３に供給させながら、基板保持部１０の回転モータ１２に指令を発して上記第２の速度で基板Ｗを振り切り時間回転させる。ここで、第２の速度とは、基板Ｗの表面２上の液体の膜を振り切るための基板Ｗの回転速度である。第２の速度は、第１の速度よりも速い速度である。

【0074】

制御部９０は、記憶装置９０ａに電気的に格納されたプログラムに含まれる命令に従って動作する。すなわち、制御部９０は、第２裏面側流量制御弁８０に指令を発して不活性ガスの供給量を変更させるステップと、基板保持部１０の回転モータ１２に指令を発して第２の速度で基板Ｗを振り切り時間回転させるステップを実行する。上記各ステップは、第２裏面ノズル７２から不活性ガスが裏面３に供給されている状態で実行される。

【0075】

一実施形態では、第２の速度は、５００ｍｉｎ^－１であり、振り切り時間は１秒であり、ステップ１－５における不活性ガスの供給流量は２Ｌ／ｍｉｎである。ステップ１－５では、基板Ｗを第２の速度で回転させることにより、基板Ｗの表面２上の液体の膜を振り切る。結果として、表面２上の液体の膜が除去され、基板Ｗの表面２が露出する。

【0076】

ステップ１－５により、表面２上の液体の膜が除去されるが、例えば、基板Ｗが親水性の性質を有しているときなどにおいては、表面２上の液体は完全に除去されず、液体の一部が表面２上に残留（吸着）することがある。以下のステップ１－６～ステップ１－９の工程では、基板Ｗの表面２上に乾燥流体を供給し、乾燥流体を表面２上に残留した液体と混合させることにより、液体を乾燥流体とともに蒸発させる。すなわち、基板Ｗの表面２を乾燥させる。

【0077】

ステップ１－６では、図１２に示すように、基板処理装置１は、所定の第３の速度（乾燥流体供給速度）で基板Ｗを回転させながら、乾燥流体としての液状のＩＰＡ（以下、液状ＩＰＡと呼ぶ）を所定時間（乾燥流体供給時間）乾燥流体ノズル３０から基板Ｗの表面２に供給する。さらに基板処理装置１は、不活性ガスの供給流量を変更する。ステップ１－６では、アーム６１は軸心ＣＰ上に位置している。具体的には、乾燥流体ノズル３０は基板Ｗの中心部上方に位置しており、乾燥流体ノズル３０は、液状ＩＰＡを基板Ｗの中心部に噴射する。本実施形態では、乾燥流体ノズル３０は軸心ＣＰ上に位置しており、乾燥流体ノズル３０は、液状ＩＰＡを基板Ｗの中心Ｏに噴射する。

【0078】

図３および図４に示す実施形態を使用する場合は、乾燥流体ノズル保持アーム６１ｂが軸心ＣＰ上に位置する。図４に示す実施形態を使用する場合は、液体ノズル保持アーム６１ａおよび不活性ガスノズル保持アーム６１ｃは、待避位置（基板保持部１０の外側）に位置する。図４に示す実施形態を使用する場合、制御部９０は、ステップ１－６の前に、旋回モータ６２ａに指令を発して液体ノズル２０および液体ノズル保持アーム６１ａを上記待避位置に移動させ、旋回モータ６２ｂに指令を発して乾燥流体ノズル３０を基板Ｗの中心部上方（軸心ＣＰ上）に移動させる。図４に示す実施形態を使用する場合、ステップ１－６以降の工程では、液体ノズル２０および液体ノズル保持アーム６１ａは上記待避位置に位置する。

【0079】

本実施形態では、乾燥流体として液状ＩＰＡを使用しているが、一実施形態では、液状ＩＰＡ以外の液体の有機溶剤を使用してもよい。乾燥流体として使用される液体の有機溶剤は、水と混合し、水よりも早く蒸発する性質を有している（例えば、エチルアルコール、メチルアルコール、アセトン、フッ素系溶剤）。

【0080】

より具体的には、制御部９０は、基板保持部１０の回転モータ１２に指令を発して第３の速度で基板Ｗを回転させながら、乾燥流体流量制御弁３３に指令を発して、液状ＩＰＡを、乾燥流体供給時間、基板Ｗの中心部上方に位置させた乾燥流体ノズル３０から基板Ｗの表面２に供給させる。さらに制御部９０は、第２裏面側流量制御弁８０に指令を発して不活性ガスの供給量を変更させる。ここで第３の速度とは、ステップ１－６において基板Ｗに乾燥流体を供給するときの基板Ｗの回転速度である。

【0081】

制御部９０は、記憶装置９０ａに電気的に格納されたプログラムに含まれる命令に従って動作する。すなわち、制御部９０は、基板保持部１０の回転モータ１２に指令を発して第３の速度で基板Ｗを回転させながら、乾燥流体流量制御弁３３に指令を発して、液状ＩＰＡを、乾燥流体供給時間、基板Ｗの中心部上方に位置させた乾燥流体ノズル３０から基板Ｗの表面２に供給させるステップと、第２裏面側流量制御弁８０に指令を発して不活性ガスの供給量を変更させるステップを実行する。上記ステップは、第２裏面ノズル７２から不活性ガスが裏面３に供給されている状態で実行される。

【0082】

一実施形態では、第３の速度は、１０ｍｉｎ^－１であり、ステップ１－６で供給される液状ＩＰＡの流量は１００ｍＬ／ｍｉｎであり、乾燥流体供給時間は２秒であり、ステップ１－６における不活性ガスの供給流量は５０Ｌ／ｍｉｎである。

【0083】

ステップ１－７では、図１３および図１４に示すように、基板処理装置１は、不活性ガスが第２裏面ノズル７２から裏面３に継続して供給されている状態で、引き続き乾燥流体ノズル３０から基板Ｗの表面２上に供給しながら（すなわち、乾燥流体ノズル３０からの乾燥流体の供給を継続しながら）、所定の第４の速度で基板Ｗを回転させる。さらに、基板処理装置１は、液状ＩＰＡを乾燥流体ノズル３０から基板Ｗの表面２上に供給しながらかつ第４の速度（乾燥速度）で基板Ｗを回転させながら、ノズル２０，３０，５０を基板Ｗの中心部（基板Ｗの中心Ｏの上方）から基板Ｗの周縁部（基板Ｗの周縁部の上方）に向かって移動させる（基板Ｗの中心部から基板Ｗの半径方向外側に移動させる）。さらに、基板処理装置１は、ノズル２０，３０，５０の移動開始と同時に、不活性ガスノズル５０からの不活性ガスの供給を開始する（図１３参照）。ステップ１－７では、基板処理装置１は、ノズル２０，３０，５０を基板Ｗの中心部から基板Ｗの周縁部に向かって移動させながら、液状ＩＰＡおよび不活性ガスのそれぞれを乾燥流体ノズル３０および不活性ガスノズル５０のそれぞれから基板Ｗの表面２上に供給する（図１４参照）。

【0084】

図４に示す実施形態を使用する場合は、ステップ１－６の後、制御部９０は、旋回モータ６２ｃに指令を発して、不活性ガスノズル５０を、基板Ｗの中心部上方の乾燥流体ノズル３０に隣接する位置まで移動させる。このとき、旋回モータ６２ｃは、不活性ガスノズル５０を、ステップ１－７における乾燥流体ノズル３０の移動方向の上流側に移動させる。特に説明しない図４に示す実施形態を使用した場合の工程は、図１に示す実施形態を使用した場合の工程と同じであるのでその重複する説明を省略する。図４に示す実施形態を使用した場合、基板処理装置１は、ノズル３０，５０を基板Ｗの中心部から基板Ｗの周縁部に向かって移動させる。

【0085】

すなわち、基板処理装置１は、液状ＩＰＡが基板Ｗの表面２上に供給され、かつ上記第４の速度で基板Ｗが回転している状態で、不活性ガスノズル５０から基板Ｗの表面２上に不活性ガスを供給する。一実施形態では、不活性ガスノズル５０が中心Ｏの上方（例えば、軸心ＣＰ上）に移動したときに、不活性ガスノズル５０からの不活性ガスの供給を開始してもよい。ここで第４の速度とは、ステップ１－７における基板Ｗの回転速度であり、かつ基板Ｗを乾燥させるための基板Ｗの回転速度である。本実施形態では、不活性ガスノズル５０から噴射される不活性ガスとして窒素が使用される。

【0086】

より具体的には、制御部９０は、不活性ガスが第２裏面ノズル７２から裏面３に継続して供給されている状態で、引き続き液状ＩＰＡを乾燥流体ノズル３０から基板Ｗの表面２上に供給させながら、基板保持部１０の回転モータ１２に指令を発して第４の速度で基板Ｗを回転させる。さらに、制御部９０は、液状ＩＰＡを乾燥流体ノズル３０から基板Ｗの表面２上に供給させながらかつ第４の速度で基板Ｗを回転させながら、ノズル移動機構６０の旋回モータ６２（図４の実施形態を使用する場合は、旋回モータ６２ｂ，６２ｃ）に指令を発して、ノズル２０，３０，５０（図４の実施形態を使用する場合は、ノズル３０，５０）を基板Ｗの中心部（基板Ｗの中心Ｏの上方）から基板Ｗの周縁部（基板Ｗの周縁部の上方）に向かって移動させる（基板Ｗの中心部から基板Ｗの半径方向外側に移動させる）。さらに制御部９０は、液状ＩＰＡが基板Ｗの表面２上に供給され、かつ第４の速度で基板Ｗが回転している状態で、不活性ガス流量制御弁５３に指令を発して不活性ガスノズル５０から基板Ｗの表面２上に不活性ガスを供給させる。言い換えれば、制御部９０は、乾燥流体ノズル３０の移動開始と同時に、または不活性ガスノズル５０が中心Ｏの上方に移動したときに不活性ガス流量制御弁５３に指令を発して不活性ガスノズル５０から基板Ｗの表面２上への不活性ガスの供給を開始させる。

【0087】

制御部９０は、記憶装置９０ａに電気的に格納されたプログラムに含まれる命令に従って動作する。すなわち、制御部９０は、液状ＩＰＡを乾燥流体ノズル３０から基板Ｗの表面２上に供給させながら、基板保持部１０の回転モータ１２に指令を発して第４の速度で基板Ｗを回転させるステップと、液状ＩＰＡを乾燥流体ノズル３０から基板Ｗの表面２上に供給させながらかつ第４の速度で基板Ｗを回転させながら、旋回モータ６２（または、旋回モータ６２ｂ，６２ｃ）に指令を発して、ノズル２０，３０，５０（またはノズル３０，５０）を基板Ｗの中心部から基板Ｗの周縁部に向かって移動させるステップと、液状ＩＰＡが基板Ｗの表面２上に供給され、かつ第４の速度で基板Ｗが回転している状態で、不活性ガス流量制御弁５３に指令を発して不活性ガスノズル５０から基板Ｗの表面２上に不活性ガスを供給させるステップ（以下、本ステップを不活性ガス供給ステップと呼ぶ）を実行する。一実施形態では、不活性ガス供給ステップは、乾燥流体ノズル３０の移動開始と同時に不活性ガス流量制御弁５３に指令を発して不活性ガスノズル５０から基板Ｗの表面２上への不活性ガスの供給を開始させるステップ、または不活性ガスノズル５０が中心Ｏの上方に移動したときに不活性ガス流量制御弁５３に指令を発して不活性ガスノズル５０から表面２上への不活性ガスの供給を開始させるステップを含んでいる。上記ステップは、第２裏面ノズル７２から不活性ガスが裏面３に供給されている状態で実行される。

【0088】

一実施形態では、第４の速度は、５００ｍｉｎ^－１であり、ステップ１－７で供給される液状ＩＰＡの流量は１００ｍＬ／ｍｉｎであり、ステップ１－７の工程を実施する時間（乾燥時間）は、２８．３秒または３０秒である。ステップ１－７における不活性ガスノズル５０からの不活性ガスの供給流量は１５０Ｌ／ｍｉｎであり、第２裏面ノズル７２からの不活性ガスの供給流量は５０Ｌ／ｍｉｎである。さらに一実施形態では、ステップ１－７の実施中、第４の速度を徐々に増加させてもよい。一実施形態では、ステップ１－７の実施中、第４の速度を１０ｍｉｎ^－１から１０００ｍｉｎ^－１に増加させてもよい（回転加速度３５ｒｐｍ／ｓ）。一実施形態においては、不活性ガスノズル５０から供給される不活性ガスは、乾燥流体ノズル３０から吐出される乾燥流体よりも単位時間当たりの流体供給量が多くなるように構成される。

【0089】

本実施形態では、基板処理装置１は、ステップ１－７において、ノズル２０，３０，５０（またはノズル３０，５０）を基板Ｗの中心部（基板Ｗの中心Ｏの上方）から基板Ｗの周縁部（基板Ｗの周縁部の上方）に向かって１回移動させる。一実施形態では、基板処理装置１は、ノズル２０，３０，５０（またはノズル３０，５０）が基板の周縁部（周縁部上方）に移動した後、ノズル２０，３０，５０（またはノズル３０，５０）を再び基板Ｗの中心部上方に移動させてもよい。さらに一実施形態では、基板処理装置１は、ノズル２０，３０，５０（またはノズル３０，５０）を基板Ｗの中心部と周縁部の間を複数回往復させてもよい。アーム６１（またはアーム６１ｂ，６１ｃ）の角速度、すなわちノズル２０，３０，５０（またはノズル３０，５０）の移動速度は、処理許容な時間および回数から算出される。

【0090】

一実施形態では、基板処理装置１は、乾燥流体ノズル３０が基板Ｗの周縁部上方（例えば、乾燥流体ノズル３０から噴射される液状ＩＰＡの最も外側の部分が基板Ｗの端部に衝突する位置）に位置したときに、所定時間（周縁部乾燥時間）乾燥流体ノズル３０の移動を停止して（乾燥流体ノズル３０が基板Ｗの周縁部上方に位置したときに、乾燥流体ノズル３０の移動を停止し、基板Ｗの周縁部に周縁部乾燥時間だけ液状ＩＰＡを供給して）基板Ｗの周縁部を乾燥させてもよい。具体的には、制御部９０は、乾燥流体ノズル３０が基板Ｗの周縁部上方に位置したときに、ノズル移動機構６０に指令を発して、周縁部乾燥時間乾燥流体ノズル３０の移動を停止させて基板Ｗの周縁部を乾燥させてもよい。制御部９０は、記憶装置９０ａに電気的に格納されたプログラムに含まれる命令に従って動作する。すなわち、制御部９０は、乾燥流体ノズル３０が基板Ｗの周縁部上方に位置したときに、ノズル移動機構６０に指令を発して、周縁部乾燥時間乾燥流体ノズル３０の移動を停止させて前記基板の周縁部を乾燥させるステップを実行してもよい。一実施形態では、上記周縁部乾燥時間は、１秒～１０秒である。

【0091】

また、基板Ｗの周縁部上方にノズル２０，３０，５０のいずれもが存在しない場合、基板Ｗ端部に当たる気流と基板Ｗに当たらない気流の混在により引き起こされる気流の乱れによって、液状ＩＰＡの液滴等が、ランダムに処理室７内で飛散し、基板処理装置１（例えば、隔壁６の内壁）が汚染されることがあるが、乾燥流体ノズル３０が基板Ｗの周縁部上方に存在することにより、液状ＩＰＡの液滴等の飛散がより確実に防止され、基板処理装置１の汚染をより有効に防止することができる。

【0092】

ステップ１－８では、乾燥流体ノズル３０が基板Ｗの端部（基板Ｗの端部の真上）に移動したときに、液状ＩＰＡの供給を停止する（図１５参照）。具体的には、制御部９０は、乾燥流体ノズル３０が基板Ｗの端部に移動したときに、乾燥流体流量制御弁３３に指令を発して液状ＩＰＡの供給を停止させる。制御部９０は、記憶装置９０ａに電気的に格納されたプログラムに含まれる命令に従って動作する。すなわち、制御部９０は、乾燥流体ノズル３０が基板Ｗの端部に移動したときに、乾燥流体流量制御弁３３に指令を発して液状ＩＰＡの供給を停止させるステップを実行する。周縁部乾燥時間乾燥流体ノズル３０の移動を停止させて基板Ｗの周縁部を乾燥させる場合は、制御部９０は、周縁部乾燥時間経過後、乾燥流体流量制御弁３３に指令を発して液状ＩＰＡの供給を停止させる。

【0093】

ステップ１－９では、不活性ガスノズル５０が基板Ｗの端部（基板Ｗの端部の真上）に移動したときに、不活性ガスの供給を停止する（図１６参照）。具体的には、制御部９０は、不活性ガスノズル５０が基板Ｗの端部に移動したときに、不活性ガス流量制御弁５３に指令を発して不活性ガスの供給を停止させる。制御部９０は、記憶装置９０ａに電気的に格納されたプログラムに含まれる命令に従って動作する。すなわち、制御部９０は、不活性ガスノズル５０が基板Ｗの端部に移動したときに、不活性ガス流量制御弁５３に指令を発して不活性ガスの供給を停止させるステップを実行する。

【0094】

ステップ１－６～ステップ１－９により、基板Ｗの表面２の全体に液状ＩＰＡを供給することができる。したがって、基板Ｗの表面２上の吸着水分までも残留することなく取り除くことができる。結果として、基板Ｗの表面２上に液体が残留することなく基板を乾燥させることができる。

【0095】

液状ＩＰＡが供給された位置に、不活性ガスを供給することで、液体の蒸発（基板Ｗの乾燥）を促進することができる。不活性ガスノズル５０は、乾燥流体の噴射位置の後方に不活性ガスを噴射する。図５を参照して説明した実施形態では、不活性ガスノズル５０は乾燥流体ノズル３０に隣接して配置されており、乾燥流体ノズル３０と同じ軌跡を描いて乾燥流体ノズル３０の後を追って移動する。したがって、図５に示すように乾燥流体ノズル３０および不活性ガスノズル５０を配置することで、液状ＩＰＡが供給された後、すぐに液状ＩＰＡが供給された位置に不活性ガスが供給され、液体の蒸発（基板Ｗの乾燥）がさらに促進される。

【0096】

本実施形態では、ステップ１－５において表面２上の液体の膜を除去してから、液状ＩＰＡを供給する。したがって、液体の蒸発に必要な乾燥流体の量を減らすことができ、コストダウンを図ることができる。

【0097】

ステップ１－１０では、図１７に示すように、基板処理装置１は、不活性ガスが第２裏面ノズル７２から裏面３に継続して供給されている状態で、不活性ガスノズル５０を基板Ｗの中心部上方に移動させ、所定の第５の速度（仕上げ乾燥速度）で基板Ｗを所定時間（仕上げ乾燥時間）回転させる。一例として、基板処理装置１は、不活性ガスノズル５０を中心Ｏの真上（軸心ＣＰ上）に移動させる。さらに、基板処理装置１は、第５の速度で基板Ｗを回転させながら、不活性ガスノズル５０から基板Ｗの表面２上へ不活性ガスを供給する。具体的には、不活性ガスノズル５０は、不活性ガスを基板Ｗの中心部に噴射して、不活性ガスを基板Ｗの中心部に供給する。ステップ１－１０により、液体の蒸発がさらに促進され、基板Ｗがより確実に乾燥される。

【0098】

具体的には、制御部９０は、不活性ガスが第２裏面ノズル７２から裏面３に継続して供給されている状態で、ノズル移動機構６０の旋回モータ６２（図４の実施形態を使用する場合は旋回モータ６２ｃ）に指令を発して不活性ガスノズル５０を基板Ｗの中心部上方に移動させ、基板保持部１０の回転モータ１２に指令を発して第５の速度で基板Ｗを回転させる。制御部９０は、第５の速度で基板Ｗを回転させながら、不活性ガス供給機構５４の不活性ガス流量制御弁５３に指令を発して不活性ガスノズル５０から基板Ｗの中心部に不活性ガスを供給させる。図４の実施形態を使用する場合は、制御部９０は、不活性ガスノズル５０を基板Ｗの中心部上方に移動させる前、または不活性ガスノズル５０を基板Ｗの中心部上方に移動させながら、旋回モータ６２ｂに指令を発して乾燥流体ノズル保持アーム６１ｂおよび乾燥流体ノズル３０を上記待避位置に移動させる。

【0099】

制御部９０は、記憶装置９０ａに電気的に格納されたプログラムに含まれる命令に従って動作する。すなわち、制御部９０は、ノズル移動機構６０の旋回モータ６２（または旋回モータ６２ｃ）に指令を発して不活性ガスノズル５０を基板Ｗの中心部上方に移動させるステップと、回転モータ１２に指令を発して第５の速度で基板Ｗを回転させるステップと、第５の速度で基板Ｗが回転している状態で、不活性ガス流量制御弁５３に指令を発して不活性ガスノズル５０から基板Ｗの中心部に不活性ガスを供給させるステップを実行する。上記ステップは、第２裏面ノズル７２から不活性ガスが裏面３に供給されている状態で実行される。

【0100】

一実施形態では、第５の速度は、１８００ｍｉｎ^－１であり、ステップ１－１０で不活性ガスノズル５０から供給される不活性ガスの流量は１５０Ｌ／ｍｉｎであり、第２裏面ノズル７２から供給される不活性ガスの流量は５０Ｌ／ｍｉｎであり、仕上げ乾燥時間は、１０秒である。仕上げ乾燥時間経過後、制御部９０は、不活性ガス流量制御弁５３および第２裏面ノズル７２に指令を発して不活性ガスの供給を停止させる。さらに、制御部９０は、回転モータ１２に指令を発して基板Ｗの回転を停止させる。これにより、基板の乾燥が終了する。

【0101】

一実施形態では、図１８に示すように、ノズル移動機構６０は、乾燥流体を温めるためのヒーター６５をさらに備えていてもよい。図１８に示す実施形態では、ヒーター６５は乾燥流体ノズル３０に隣接して配置されている。ヒーター６５で乾燥流体ノズル３０を温めることにより、乾燥流体ノズル３０から噴射される乾燥流体を温めることができる。これにより、ＩＰＡなどの有機溶剤の蒸発時間を早くすることができる。一実施形態では、図示しない加温装置により有機溶剤を直接温めてもよい。

【0102】

さらに一実施形態では、基板Ｗを温めてもよい。一実施形態では、基板Ｗを温めるために、基板保持部１０がヒーター６５を備えていてもよく、基板Ｗの下方にヒーター６５が配置されていてもよい。さらに一実施形態では、第２裏面側供給ライン７６は不活性ガス供給源に代えて図示しない温水供給源に接続されていてもよく、基板処理装置１は、第２裏面ノズル７２から不活性ガスに代えて温水を裏面３に供給するように構成されていてもよい。基板Ｗを温めることによっても有機溶剤の乾燥時間を早くすることができる。

【0103】

図１９は、基板処理装置１の他の実施形態を模式的に示す斜視図である。特に説明しない本実施形態の構成は、図１、図２、および図５を参照して説明した実施形態と同じであるので、その重複する説明を省略する。図１９に示すように、本実施形態の基板処理装置１は、乾燥流体生成装置３５をさらに備えており、乾燥流体供給ライン３１の端部は乾燥流体生成装置３５に接続されている。乾燥流体生成装置３５は、液状の乾燥流体（有機溶剤）を気化するための装置である。乾燥流体生成装置３５で生成された気体の乾燥流体は、乾燥流体生成装置３５から乾燥流体供給ライン３１を通って乾燥流体ノズル３０に供給される。本実施形態においても図３および図４の構成を適用することができる。

【0104】

図２０は、乾燥流体生成装置３５の模式図である。乾燥流体生成装置３５は、液状の乾燥流体（有機溶剤）と、キャリアガスを混合するための気液混合部３６と、気液混合部３６から排出される乾燥流体とキャリアガスとの混合流体を加熱するヒーター３７とを備えている。液状の有機溶剤およびキャリアガスが気液混合部３６に流入することによって、有機溶剤とキャリアガスとの混合流体が生成される。乾燥流体生成装置３５は、上記混合流体をヒーター３７で加熱することにより、気体状の有機溶剤を生成する。キャリアガスの一例としてヘリウムが使用される。

【0105】

乾燥流体生成装置３５からは比較的高濃度の気体状の有機溶剤を含んだ気体（気体状の乾燥流体）が出力される。一実施形態では、乾燥流体中の有機溶剤の含有率（濃度）は８％～３０％である。このように、乾燥流体を比較的高濃度の気体状の有機溶剤を含んだ気体とすることで、表面２上の液体の蒸発を促進することができる。本実施形態でも、換気機構８および排気ダクト９によって空気のダウンフローが形成される。したがって、蒸発した液体を積極的に基板Ｗ上から除去できることでさらなる蒸発促進につながり、さらに乾燥流体に比較的高濃度の有機溶剤を含んでいても、爆発を防止することができる。

【0106】

一実施形態では、基板処理装置１は、乾燥流体供給ライン３１を加温するための加温装置を備えていてもよい。乾燥流体生成装置３５からは加熱された乾燥流体が出力されるため、乾燥流体供給ライン３１を加温することによって、乾燥流体供給ライン３１の結露を防ぐことができる。

【0107】

次に、基板Ｗの他の処理方法について説明する。図２１は、基板Ｗの処理方法の他の実施形態を示すフローチャートである。本実施形態の乾燥流体は、乾燥流体生成装置３５などによって生成される気体状のＩＰＡ（気化ＩＰＡ）を高濃度に含んだ気体である。以下に説明する本実施形態の処理方法で使用される乾燥流体を単に気化ＩＰＡと呼ぶ。以下に説明する処理方法の一実施形態では、特に説明しない場合、図１９および図２０を参照して説明した基板処理装置１が使用される。

【0108】

一実施形態では、乾燥流体は、ＩＰＡ以外の気体状の有機溶剤（例えば、アルコールを含んだフッ素系溶剤）を高濃度に含んだ気体であってもよい。乾燥流体として使用される気体の有機溶剤は、水と混合し、水よりも早く蒸発する性質を有している。

【0109】

ステップ２－１～ステップ２－４は、図７乃至図１０を参照して説明した工程（ステップ１－１～ステップ１－４）と同じであるのでその重複する説明を省略する。

【0110】

特に説明しないステップ２－５の詳細は、ステップ１－５と同じであるのでその重複する説明を省略する。一実施形態では、ステップ２－５における第２の速度は、３００ｍｉｎ^－１であり、振り切り時間は３．１秒であり、ステップ２－５における不活性ガスの供給流量は２Ｌ／ｍｉｎである。ステップ２－５では、図２２に示すように、基板Ｗを第２の速度で回転させることにより、基板Ｗの表面２上の液体の膜がステップ２－４を実施後の状態からさらに薄膜化される。より具体的には、ステップ１－４で説明した基板Ｗの表面２の中央部の円形の薄膜領域がさらに大きくかつ薄くなる。一実施形態では、ステップ２－５において、第２の速度および／または振り切り時間を調整することで、ステップ１－５と同様に、基板Ｗの表面２上の液体の膜を振り切って、液膜を除去し、表面２を露出させてもよい。表面２の露出は、表面２の一部の露出（例えば、表面２の中央部の露出）であってもよく、表面２の全体の露出であってもよい。

【0111】

特に説明しないステップ２－６の詳細は、ステップ１－６と同じであるのでその重複する説明を省略する。ステップ２－６では、図２３に示すように制御部９０は、第３の速度で基板Ｗを回転させながら、乾燥流体流量制御弁３３に指令を発して、気化ＩＰＡを、乾燥流体供給時間、基板Ｗの中心部上方に位置させた乾燥流体ノズル３０から基板Ｗの表面２に供給させる。具体的には、ステップ２－６では、図２３に示すように、基板処理装置１は、ステップ２－５で形成された薄膜に気化ＩＰＡを供給する。ステップ２－５で液膜を除去した場合、基板処理装置１は、液体の膜が除去された基板Ｗの表面２上に気化ＩＰＡを供給する。

【0112】

一実施形態では、ステップ２－６における第３の速度は、３００ｍｉｎ^－１であり、ステップ２－６で供給される気化ＩＰＡの流量は５ｇ／ｍｉｎであり、乾燥流体供給時間は３秒であり、ステップ２－６における不活性ガスの供給流量は２Ｌ／ｍｉｎである。一実施形態では、ステップ２－６における第３の速度は、１００ｍｉｎ^－１から３００ｍｉｎ^－１に増加させもよい（回転加速度１００ｒｐｍ／ｓ）。具体的には、第３の速度を１００ｍｉｎ^－１から３００ｍｉｎ^－１に１００ｒｐｍ／ｓの回転加速度で加速させながら、２秒間基板Ｗの中心部上方に乾燥流体ノズル３０が静止した状態で基板Ｗの表面２に気化ＩＰＡを供給し、基板Ｗの表面２に２秒間気化ＩＰＡを供給した後、第３の速度を３００ｍｉｎ^－１に固定した状態で１秒間基板Ｗの表面２に気化ＩＰＡ供給する。すなわち、第３の速度を、１００ｍｉｎ^－１から３００ｍｉｎ^－１に増加させる場合も乾燥流体供給時間は３秒である。

【0113】

ステップ２－６では、形成された薄膜に（または、液体の膜が除去された表面２上に）乾燥流体（気化ＩＰＡ）を供給する。結果として、ステップ２－５で基板Ｗ上に残留（吸着）した液体は、気化ＩＰＡと混合し、気化ＩＰＡとともに蒸発する。また、形成された薄膜に（または、液体の膜が除去された表面２上に）気化ＩＰＡを供給することによって、液体の蒸発に必要な乾燥流体の量を減らすことができる。

【0114】

特に説明しないステップ２－７の工程は、ステップ１－７と同様であるのでその重複する説明を省略する。ステップ２－７では、不活性ガスノズル５０から基板Ｗの表面２上に不活性ガスを供給しない点で、ステップ１－７とは異なっている。すなわち、基板処理装置１は、ノズル２０，３０，５０を基板Ｗの中心部から基板Ｗの周縁部に向かって移動させながら、気化ＩＰＡのみを基板Ｗの表面２上に供給する。図４に示す実施形態を使用する場合、不活性ガスノズル保持アーム６１ｃは、待避位置（基板保持部１０の外側）に位置し、基板処理装置１は、乾燥流体ノズル３０を基板Ｗの中心部から基板Ｗの周縁部に向かって移動させながら、気化ＩＰＡを基板Ｗの表面２上に供給する。

【0115】

本実施形態においても、ステップ１－７で説明したように、基板処理装置１は、乾燥流体ノズル３０が基板の周縁部（周縁部上方）に移動した後、乾燥流体ノズル３０を再び基板Ｗの中心部に移動させてもよく、乾燥流体ノズル３０を基板Ｗの中心部と周縁部の間を複数回往復させてもよい。一実施形態では、ステップ１－７で説明したように、基板処理装置１は、乾燥流体ノズル３０が基板Ｗの周縁部上方に位置したときに、所定時間（周縁部乾燥時間）乾燥流体ノズル３０の移動を停止して（乾燥流体ノズル３０が基板Ｗの周縁部上方に位置したときに、乾燥流体ノズル３０の移動を停止し、基板Ｗの周縁部に周縁部乾燥時間だけ気化ＩＰＡを供給して）基板Ｗの周縁部を乾燥させてもよい。

【0116】

一実施形態では、ステップ１－７と同様の工程を実施してもよい。すなわち、一実施形態では、基板処理装置１は、ノズル２０，３０，５０（図４の実施形態を使用する場合は、ノズル３０，５０）を基板Ｗの中心部から基板Ｗの周縁部に向かって移動させながら、気化ＩＰＡおよび不活性ガスのそれぞれを乾燥流体ノズル３０および不活性ガスノズル５０のそれぞれから基板Ｗの表面２上に供給する。一実施形態では、ノズル２０，３０，５０（またはノズル３０，５０）の移動開始と同時に、不活性ガスノズル５０からの不活性ガスの供給を開始してもよく、不活性ガスノズル５０が中心Ｏの上方（例えば、軸心ＣＰ上）に移動したときに、不活性ガスノズル５０からの不活性ガスの供給を開始してもよい。

【0117】

一実施形態では、ステップ２－７における第４の速度は、ステップ２－７の実施中、３００ｍｉｎ^－１から１８００ｍｉｎ^－１に増加させもよい（回転加速度５０ｒｐｍ／ｓ）。さらに一実施形態では、ステップ２－７の工程を実施する時間（乾燥時間）は、３０秒であり、ステップ２－６で供給される気化ＩＰＡの供給流量は５ｇ／ｍｉｎであり、第２裏面ノズル７２からの不活性ガスの供給流量は５０Ｌ／ｍｉｎである。

【0118】

特に説明しないステップ２－８の工程は、ステップ１－８と同様であるのでその重複する説明を省略する。ステップ２－７でステップ１－７と同様の工程を実施した場合は、ステップ１－９と同様の工程も実施する。一実施形態では、乾燥流体ノズル３０が基板Ｗの端部に移動したときに、制御部９０は、旋回モータ６２に指令を発してノズル２０，３０，５０の移動を停止させ、不活性ガス流量制御弁５３に指令を発して基板Ｗの周縁部に不活性ガスを供給してもよい。図４に示す実施形態を使用する場合は、制御部９０は、乾燥流体ノズル３０が基板Ｗの端部に移動したときに、乾燥流体ノズル３０の移動を継続させながら、旋回モータ６２ｃに指令を発して、不活性ガスノズル５０を基板Ｗの周縁部上方に移動させる。制御部９０は、不活性ガスノズル５０を基板Ｗの周縁部上方に移動させた後、不活性ガス流量制御弁５３に指令を発して基板Ｗの周縁部に不活性ガスを供給する。

【0119】

本実施形態でも不活性ガスノズル５０から供給される不活性ガスとして窒素が使用される。一実施形態では、不活性ガスノズル５０から基板Ｗの周縁部に不活性ガスが供給されているときの基板Ｗの回転速度（第４の速度）は、１８００ｍｉｎ^－１であり、不活性ガスノズル５０からの不活性ガスの供給時間は、１秒であり、不活性ガスノズル５０からの不活性ガスの供給流量は１００Ｌ／ｍｉｎであり、第２裏面ノズル７２からの不活性ガスの供給流量は５０Ｌ／ｍｉｎである。

【0120】

表面２上に液体が残留している場合、液体は気化ＩＰＡと共に蒸発する。ステップ２－６～ステップ２－８により、基板Ｗの表面２の全体に気化ＩＰＡを供給することができる。したがって、基板Ｗ上の吸着水分までも残留することなく取り除くことができる。結果として、基板Ｗの表面２上に液体が残留することなく基板を乾燥させることができる。

【0121】

特に説明しないステップ２－９は、ステップ１－１０と同じであるのでその重複する説明を省略する。一実施形態では、第５の速度は、１８００ｍｉｎ^－１であり、ステップ２－８で不活性ガスノズル５０から供給される不活性ガスの流量は１００Ｌ／ｍｉｎであり、第２裏面ノズル７２から供給される不活性ガスの流量は５０Ｌ／ｍｉｎであり、仕上げ乾燥時間は、５秒である。

【0122】

上述した基板Ｗの各処理方法は、一旦基板Ｗの全面（基板Ｗの表面２の全面）に液体の膜を形成した後に、第２の速度で基板Ｗを回転させることで、基板Ｗ上の液体の膜の中央部を薄膜化後、あるいは液膜除去後、乾燥流体を基板に供給する。結果として、基板上の吸着水分までも残留することなく取り除くことができる。したがって、上述した基板Ｗの各処理方法は、基板Ｗ上の吸着水分の残留を抑制して基板を乾燥させることができる。結果として、基板Ｗ上の残留吸着水分の除去率を改善させることができる。

【0123】

また、同一基板内の表面でも、疎水性領域と親水性領域の両方を存在させたり、あるいは、多様なプロセスを同一の半導体製造装置で実施させたいというニーズが顕在化する中で、乾燥処理に供される基板表面の性状が多様化しているため、多様な基板を連続的に従来の基板乾燥装置で乾燥処理すると、複数の基板毎に乾燥品質（リンスに用いた水分の除去割合）がばらついてしまうという懸念が新たに生じてきている。別の言い方をすれば、従来の基板乾燥方法では、事前にある程度の水分は基板から除去されており、事前に除去しきれなかった水分を乾燥気体で除去しようとしていたため、個々の基板毎にその除去の割合がバラバラになり、効率的な除去ができなかった。上述した各処理方法は、ある程度の水分が除去されていても個々の基板表面上の水分分布が個々の基板毎に相違していることに着目したものであり、一旦基板Ｗの全面に液体の膜を形成することで、個々の基板毎の上記水分分布のばらつきをなくすことができる。さらに、液膜を除去するための回転数（振り切り速度）を上げることで、個々の基板毎における液膜の中央部の薄膜化と液膜の除去のばらつきも抑制することができる。さらに、振り切り速度で基板Ｗを回転させた後、乾燥流体を供給することで、個々の基板毎おける水分除去の割合のばらつきを抑制することができる。

【0124】

上述した各ステップを制御部９０に実行させるためのプログラムは、非一時的な有形物であるコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録され、記録媒体を介して制御部９０に提供される。または、プログラムは、インターネットまたはローカルエリアネットワークなどの通信ネットワークを介して制御部９０に入力されてもよい。この記録媒体は、基板Ｗを処理する基板処理装置１に用いられ、コンピュータ上で動作するプログラムを記録している。

【0125】

処理される基板の表面に凹凸パターンが形成されている場合、基板を高速で回転させて基板表面に形成された液膜を振り切ろうとすると、液体と上記凹凸パターンの凸部の側面との間で作用する表面張力により、凹凸パターンの凸部が倒壊することがある。特に、アスペクト比が大きい凹凸パターンの場合にこのような現象が起きやすい。したがって、上記のような凹凸パターンが表面に形成された基板を乾燥させる場合は、基板表面上に液膜が形成された状態で、上記液膜を振り切る前に、ＩＰＡなどの乾燥流体を液体に混合させて、液体を乾燥流体とともに蒸発させる（液体を乾燥流体で置換させる）必要がある。

【0126】

上述のように、本実施形態の基板Ｗは、化学機械研磨工程（ＣＭＰ）によって研磨された基板であって、平坦化処理がなされた表面２を有している。基板処理装置１は、このような化学機械研磨工程によって表面が平坦化され、かつウェットな状態で処理に供された基板を処理する場合、基板を高速で回転させて基板上の液膜の中央部を薄膜化、または液膜を振り切って除去しても、上述した凸部の倒壊は生じない。したがって、ＣＭＰ後の基板上に液膜を形成し、液膜の中央部を薄膜化、または液膜を振り切って除去した後に、乾燥流体を供給することができる。結果として、乾燥流体の使用量を抑制しつつ、基板上の吸着水分までも残留することなく取り除くことができる。

【0127】

図２４は、基板処理装置１の他の実施形態を示す図である。図２４では、基板処理装置１の一部の構成要素が描かれている。図２４に示すように、基板処理装置１は、基板保持部１０に保持される基板Ｗの周囲に配置されたカバー２００をさらに備えている。カバー２００は、基板Ｗと同心円状に配置された筒形状を有しており、基板保持部１０の複数のチャック１１に固定されている。カバー２００は、回転する基板Ｗから遠心力により飛散した液体を受ける。

【0128】

カバー２００は、基板Ｗの全周を囲むように、基板Ｗの半径方向外側に配置されている。制御部９０が基板保持部１０に指令を発して、チャック１１に保持された基板Ｗが基板保持部１０の軸心ＣＰ周りに回転すると、チャック１１に固定されたカバー２００は、基板Ｗと同一の回転方向で、かつ基板Ｗと同一の回転速度で回転する。図２４に示す実施形態では、カバー２００は、変化する基板Ｗの回転速度と同一の回転速度で回転するため、結果として、カバー２００は、回転する基板Ｗから飛散する液体を確実に捕集することができ、液体の跳ね返りによる、乾燥処理への悪影響を防止することができる。

【0129】

図２５は、基板処理装置１のさらに他の実施形態を示す図である。図２５では、基板処理装置１の一部の構成要素が描かれている。図２５に示すように、基板処理装置１は、カバー２００を回転させるカバー回転機構２０２を備えてもよい。図２５に示す実施形態では、カバー２００は、基板保持部１０のチャック１１には固定されておらず、基板保持部１０とは独立して設けられている。

【0130】

図２５に示すように、カバー回転機構２０２は、カバーモータ２０１と、カバーモータ２０１の回転力をカバー２００に伝達させる伝達装置２０５と、を備えている。より具体的には、伝達装置２０５は、カバーモータ２０１に固定された歯車２０４と、カバー２００の外周面に取り付けられ、かつ歯車２０４と噛み合う歯２０３と、を備えている。カバーモータ２０１が回転すると、カバー２００は、伝達装置２０５（すなわち、歯２０３および歯車２０４）を介して回転する。

【0131】

回転モータ１２およびカバーモータ２０１は、制御部９０に電気的に接続されている。制御部９０は、カバー２００が基板Ｗと同一の回転方向で、かつ基板Ｗと同一の回転速度で回転するように、回転モータ１２およびカバーモータ２０１に指令を発する。このようにして、制御部９０は、基板保持部１０に保持された基板Ｗの回転に同期して、カバー２００を回転させる。

【0132】

図２５に示す実施形態では、伝達装置２０５は、歯２０３と歯車２０４との組み合わせであるが、伝達装置２０５の構成は、本実施形態には限定されない。一実施形態では、図示しないが、伝達装置２０５は、カバーモータ２０１に固定されたモータプーリと、カバー２００の外周面に取り付けられたカバープーリと、モータプーリおよびカバープーリに掛け渡されたベルトと、の組み合わせであってもよい。

【0133】

図２６は、基板処理装置１を備えた基板処理システム１００の一実施形態を示す模式図である。図２６に示すように、基板処理システム１００は、略矩形状のハウジング１０１と、多数の基板を収容する基板カセットが載置されるロードポート１０２と、を備えている。ロードポート１０２は、ハウジング１０１に隣接して配置されている。ロードポート１０２には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができる。ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。

【0134】

ハウジング１０１の内部には、複数（本実施形態では、４つ）の研磨ユニット１０４ａ～１０４ｄと、研磨後の基板を洗浄する第１洗浄ユニット１０６および第２洗浄ユニット１０８と、乾燥ユニット１２０とが収容されている。研磨ユニット１０４ａ～１０４ｄは、基板処理システムの長手方向に沿って配列され、洗浄ユニット１０６，１０８および乾燥ユニット１２０も基板処理システム１００の長手方向に沿って配列されている。乾燥ユニット１２０は、上述した基板処理装置１を備えている。

【0135】

ロードポート１０２、研磨ユニット１０４ａ、および乾燥ユニット１２０に囲まれた領域には、第１基板搬送ロボット１１２が配置され、また研磨ユニット１０４ａ～１０４ｄと平行に、基板搬送ユニット１１４が配置されている。第１基板搬送ロボット１１２は、研磨前の基板をロードポート１０２から受け取って基板搬送ユニット１１４に渡すとともに、処理後（乾燥後）の基板を乾燥ユニット１２０から受け取ってロードポート１０２に戻す。基板搬送ユニット１１４は、第１基板搬送ロボット１１２から受け取った基板を搬送して、各研磨ユニット１０４ａ～１０４ｄとの間で基板の受け渡しを行う。各研磨ユニットは、研磨面に研磨液を供給しながら、基板を研磨面に摺接させることで、基板の表面を研磨する。

【0136】

第１洗浄ユニット１０６と第２洗浄ユニット１０８の間に位置して、これらの洗浄ユニット１０６，１０８および基板搬送ユニット１１４の間で基板を搬送する第２基板搬送ロボット１１６が配置され、第２洗浄ユニット１０８と基板処理装置１との間に位置して、これらの各ユニット１０８，１２０の間で基板を搬送する第３基板搬送ロボット１１８が配置されている。

【0137】

第１洗浄ユニット１０６として、薬液の存在下で、基板の表裏両面にロールスポンジを擦り付けて基板を洗浄する基板洗浄装置が使用されている。第２洗浄ユニット１０８として、二流体タイプの基板洗浄装置が使用されている。

【0138】

基板は、研磨ユニット１０４ａ～１０４ｄの少なくとも１つにより研磨される。研磨された基板は、第１洗浄ユニット１０６と第２洗浄ユニット１０８により洗浄され、さらに洗浄された基板は基板処理装置１により処理される。

【0139】

一実施形態では、基板処理システム１００は、３つの洗浄ユニットを備えていてもよく、基板に含まれる欠陥（不純物および／またはウォーターマーク）を検出する欠陥検査装置（図示しない）をさらに備えてもよい。

【0140】

図２６に示す例では制御部９０は、乾燥ユニット１２０の外側のハウジング１０１の内部に配置されているが、一実施形態では、制御部９０は、乾燥ユニット１２０内に配置されていてもよい。乾燥ユニット１２０内（基板処理装置１の近傍）に制御部９０を配置することで、制御部９０の負荷を減らし、通信遅延を抑制することができる。

【0141】

さらに一実施形態では、制御部９０は、洗浄ユニット１０６，１０８内に配置されていてもよく、研磨ユニット１０４ａ～１０４ｄ内に配置されていてもよい。さらに一実施形態では、基板処理システム１００が設置される工場内の、ハウジング１０１の外側に配置されていてもよい。さらに一実施形態では、研磨部９０は、複数のコンピュータから構成されており、上記複数のコンピュータは、工場内に分散して配置されていてもよい。

【0142】

別の言い方をすれば、制御部９０を構成する少なくとも１台のコンピュータは、洗浄ユニット１０６，１０８内、洗浄ユニット１０６，１０８の近傍、または洗浄ユニット１０６，１０８から離れた基板処理システム１００内に配置されていてもよい。さらに一実施形態では、半導体基板製造工場内の複数の基板処理システムの１ラインに制御部９０を構成する少なくとも１台のコンピュータが配置されていてもよい。さらに一実施形態では、制御部９０を構成する複数のコンピュータは複数の基板処理システムの複数のラインに配置されていてもよい。さらに一実施形態では、制御部９０を構成する少なくとも１台のコンピュータは、工場内のライン制御・監視場所やライン制御・監視システム内に配置されていてもよい。さらに一実施形態では、半導体基板製造企業の複数の工場監視場所や工場監視システム内、あるいはＣＭＰ装置製造・設置企業内に配置されていてもよい。

【0143】

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。たとえば、研削工程を経た基板の処理や、裏面研削（あるいは裏面研磨）処理を経た基板、あるいは、塗布装置による塗布処理を経た基板の乾燥処理に適用することができる。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。

【産業上の利用可能性】

【0144】

本発明は、基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に利用可能である。また、本発明は、このような基板処理方法を実行するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に利用可能である。

【符号の説明】

【0145】

１ 基板処理装置
２ 表面
３ 裏面
６ 隔壁
６ａ クリーンエア取入口
７ 処理室
８ 換気機構
８Ａ ファン
８Ｂ フィルター
９ 排気ダクト
１０ 基板保持部
１１ チャック
１２ 回転モータ
２０ 液体ノズル
２１ 液体供給ライン
２３ 液体流量制御弁
２４ 液体供給機構
３０ 乾燥流体ノズル
３１ 乾燥流体供給ライン
３３ 乾燥流体流量制御弁
３４ 乾燥流体供給機構
３５ 乾燥流体生成装置
３６ 気液混合部
３７ ヒーター
５０ 不活性ガスノズル
５１ 不活性ガス供給ライン
５３ 不活性ガス流量制御弁
５４ 不活性ガス供給機構
６０ ノズル移動機構
６０ａ 液体ノズル移動機構
６０ｂ 乾燥流体ノズル移動機構
６０ｃ 不活性ガスノズル移動機構
６１ アーム
６１ａ 液体ノズル保持アーム
６１ｂ 乾燥流体ノズル保持アーム
６１ｃ 不活性ガスノズル保持アーム
６２ 旋回モータ
６２ａ，６２ｂ，６２ｃ 旋回モータ
６３ 旋回軸
６３ａ，６３ｂ，６３ｃ 旋回軸
６５ ヒーター
６９ 第１裏面側供給機構
７０ 第２裏面側供給機構
７１ 第１裏面ノズル
７２ 第２裏面ノズル
７５ 第１裏面側供給ライン
７６ 第２裏面側供給ライン
７９ 第１裏面側流量制御弁
８０ 第２裏面側流量制御弁
９０ 制御部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】