特許 7636167 複合ウェーハの加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-02-17

(45)【発行日】2025-02-26

(54)【発明の名称】複合ウェーハの加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20250218BHJP

   H01L 25/07 20060101ALN20250218BHJP

   H01L 25/065 20230101ALN20250218BHJP

   H01L 25/18 20230101ALN20250218BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 F

H01L21/78 C

H01L25/08 C

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2020207654

(22)【出願日】2020-12-15

(65)【公開番号】P2022094648

(43)【公開日】2022-06-27

【審査請求日】2023-10-30

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】100142804

【弁理士】

【氏名又は名称】大上 寛

(72)【発明者】

【氏名】バン ヒョンジン

(72)【発明者】

【氏名】キム テヒ

【審査官】内田 正和

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－１２６９３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０１１０８４２（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｈ０１Ｌ ２５／０７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面に交差する複数のストリートが設定された半導体ウェーハと、
該第１面の背面となる該半導体ウェーハの第２面側を封止する封止樹脂層と、
を有する複合ウェーハの加工方法であって、
該複合ウェーハの該封止樹脂層側にテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該テープを介して該複合ウェーハを保持テーブルで保持して該複合ウェーハの反りを矯正する保持ステップと、
該保持テーブルで保持された該複合ウェーハの該半導体ウェーハの該第１面を撮像し各該ストリートの各位置を検出するストリート検出ステップと、
該ストリート検出ステップで検出したそれぞれの該ストリートに沿って第１切削ブレードで少なくとも該半導体ウェーハを完全切断する深さの第１の溝を形成し該反りを解放するハーフカットステップと、
該ハーフカットステップを実施した後、再び該第１面を撮像し各該第１の溝の各位置を溝の画像によるパターンマッチングにより検出する溝検出ステップと、
該溝検出ステップで検出した各該第１の溝の各位置に沿って該第１の溝の幅より薄い第２切削ブレードで該複合ウェーハを切断して個々のチップパッケージへと分割するフルカットステップと、を備えた複合ウェーハの加工方法。

【請求項2】

該溝検出ステップは、
該第１の溝が交差するエリアを撮像し、十字状の影を含む画像をターゲットパターンとして登録するステップと、
複数箇所で撮像した各撮像画像と、該ターゲットパターンとを、パターンマッチングし、該第１の溝が交差する箇所の座標を検出するステップと、
を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の複合ウェーハの加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体ウェーハの裏面が樹脂封止された複合ウェーハの加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体ウェーハと樹脂層とを有する複合ウェーハの加工において、半導体ウェーハと樹脂層を段階的に切削するステップカットによるダイシングを行い、チップに分割することが知られている。

【0003】

半導体ウェーハの部分の切削には半導体ウェーハ用の切削ブレードが用いられ、樹脂層の部分の切削には樹脂用の切削ブレードが用いられる。樹脂層の切削には、一般に、半導体ウェーハを加工する切削ブレードよりも粗い砥粒径の切削ブレードの利用が適するとされている。

【0004】

また、ステップカットにより切削加工が行われる際には、複合ウェーハのハンドリングを容易にするために、複合ウェーハと環状フレームをテープに貼着してウェーハユニットとし、ウェーハユニットの状態でハンドリングがなされる。

【0005】

他方、複数の半導体デバイスを一つのパッケージに集積する手法の一つに、複数の半導体デバイスチップを縦方向に積層して実装する三次元実装が知られており、特許文献１においては、その積層方法の一つであるＣＯＷ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｗａｆｅｒ）について開示されている。

【0006】

ＣＯＷ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｗａｆｅｒ）の実装方法では、半導体ウェーハの裏面側にバンプ等を介して複数の半導体デバイスを積層してマウントし、樹脂で封止して複合ウェーハを形成する。そして、このように形成された複合ウェーハについてストリート（分割予定ライン）を検出し、上述したように２種類の切削ブレードを利用してダイシングを行うことでチップに分割される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】特開２０１２－１３４２３１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

以上に説明したＣＯＷの実装方法により形成される複合ウェーハでは、半導体ウェーハと封止樹脂の両者の熱膨張率が違うため、樹脂封止工程等での加熱によって全体的に反りが生じている場合が多い。

【0009】

このように反りが生じた複合ウェーハが切削加工の際にテープに貼着され、平坦な保持テーブルに保持された際には、その反りが矯正され平坦化されることになる。ところが、このように平坦化された状態で検出されたストリート（分割予定ライン）に沿って半導体ウェーハの部分を切削ブレードで切削し溝を形成すると、複合ウェーハの反りが解放されて、切削加工前に検出されていたストリートの位置からずれた箇所に溝が配置されることになる。

【0010】

そして、この状態で樹脂用の切削ブレードで樹脂部分をフルカットすると、切削加工前に検出されていたストリートの位置とはずれた位置を切削加工してしまい、デバイス部分を損傷してしまうおそれがある。

【0011】

以上に鑑み、本願発明は、半導体ウェーハと樹脂層を積層した複合ウェーハをステップ加工する方法において、新規な技術を提案するものである。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段を説明する。

【0013】

本発明の一態様によれば、
第１面に交差する複数のストリートが設定された半導体ウェーハと、
該第１面の背面となる該半導体ウェーハの第２面側を封止する封止樹脂層と、
を有する複合ウェーハの加工方法であって、
該複合ウェーハの該封止樹脂層側にテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該テープを介して該複合ウェーハを保持テーブルで保持して該複合ウェーハの反りを矯正する保持ステップと、
該保持テーブルで保持された該複合ウェーハの該半導体ウェーハの該第１面を撮像し各該ストリートの各位置を検出するストリート検出ステップと、
該ストリート検出ステップで検出したそれぞれの該ストリートに沿って第１切削ブレードで少なくとも該半導体ウェーハを完全切断する深さの第１の溝を形成し該反りを解放するハーフカットステップと、
該ハーフカットステップを実施した後、再び該第１面を撮像し各該第１の溝の各位置を検出する溝検出ステップと、
該溝検出ステップで検出した各該第１の溝の各位置に沿って該第１の溝の幅より薄い第２切削ブレードで該複合ウェーハを切断して個々のチップパッケージへと分割するフルカットステップと、を備えた複合ウェーハの加工方法とする。

【発明の効果】

【0014】

本発明の一態様によれば、半導体ウェーハを完全切断するハーフカットステップを実施して第１の溝を形成して複合ウェーハの反りを解放した後、第１の溝の実際の位置を検出し、検出した第１の溝に沿って複合ウェーハをフルカットする。これにより、実際のストリートの位置に対応する第１の溝の位置と一致する位置を正確にフルカットすることができ、位置ずれによってデバイス部分を損傷することなく、チップパッケージに分割することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】（Ａ）は複合ウェーハの一例について示す図である。（Ｂ）は複合ウェーハに反りが生じている状態について示す図である。

【図2】複合ウェーハの断面について示す図である。

【図3】複合ウェーハの切削加工に用いる切削装置の一例について示す図である。

【図4】本発明の加工方法の一実施形態のフローを示すフローチャートである。

【図5】ウェーハユニットの構成について示す図である。

【図6】保持テーブルに複合ウェーハが保持された状態について示す図である。

【図7】（Ａ）（Ｂ）は第１方向に伸びるストリートの検出について説明する図である。（Ｃ）（Ｄ）は第２方向に伸びるストリートの検出について説明する図である。

【図8】ストリート検出用のターゲットパターン等の登録について説明する図である。

【図9】ハーフカットステップについて説明する図である。

【図10】ハーフカットステップにおいて半導体ウェーハが切断される様子ついて説明する図である。

【図11】（Ａ）（Ｂ）は第１方向に伸びる第１の溝の検出について説明する図である。（Ｃ）（Ｄ）は第２方向に伸びる第１の溝の検出について説明する図である。

【図12】フルカットステップにおいて樹脂を切削し第２の溝を形成する様子について説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

図１（Ａ）は、本発明の加工対象となる複合ウェーハＷについて示す図である。
複合ウェーハＷは、表面となる第１面１０ａに交差する複数のストリート３が設定された半導体ウェーハ１０と、第１面１０ａの背面となる半導体ウェーハ１０の第２面１０ｂ側を封止する封止樹脂層２０と、を有して構成される。

【0017】

図１（Ｂ）に示すように、半導体ウェーハ１０と封止樹脂層２０のそれぞれの熱膨張率が違うことにより、複合ウェーハＷには反りが生じている。この例では、封止樹脂層２０の熱膨張率が大きいことにより、下側の封止樹脂層２０が伸び、上側の半導体ウェーハ１０が縮むようにして、全体としてウェーハの中心が下側に膨らむような反りが生じた状態となっている。

【0018】

図２は、複合ウェーハＷの断面図であり、ＣＯＷ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｗａｆｅｒ）の形態による実装がされた状態を示している。半導体ウェーハ１０にはデバイスＤが形成され、デバイスＤの表面側にバンプＢが配置されている。また、デバイスＤの裏面側には、バンプを介してデバイスチップＣが複数積層される。積層された各デバイスチップＣは、樹脂Ｒにより封止がされ、封止樹脂層２０が形成される。

【0019】

図３は、複合ウェーハＷの切削加工に用いる切削装置の一例について示す図である。
切削装置５０は、２つの切削ユニット５１，５２を有し、デュアルダイサーとして構成され、後述するように二段階のステップカットを行うことができる。なお、１つの切削ユニットを備える切削装置を２つ用い、各切削装置で順に切削することでステップカットが行われることとしてもよい。

【0020】

切削装置５０の基台５５には保持テーブル６０が配設される。保持テーブル６０は、図示せぬ移動機構により加工送り方向であるＸ軸方向に往復移動するように構成される。また、図示せぬ回転機構により、水平面内で回転するように構成される。

【0021】

保持テーブル６０には、複合ウェーハＷがテープＴに貼着されたウェーハユニットＵが順次供給され、保持テーブル６０の保持面６２ａにおいて、複合ウェーハＷがテープＴを介して吸引保持される。

【0022】

基台５５上には門型形状のコラム５６が立設されており、コラム５６には、第１切削ユニット５１及び第二切削ユニット５２をそれぞれＹ軸方向及びＺ軸方向に移動可能に支持する移動機構５７，５８が設けられる。各切削ユニット５１，５２には、図示せぬモータにより回転駆動される切削ブレード５１ａ，５２ａが設けられる。

【0023】

次に、本発明にかかる複合ウェーハの加工方法の実施例について説明する。図４は、加工方法の一実施形態のフローを示すフローチャートである。以下順に各ステップについて説明する。

【0024】

＜テープ貼着ステップ＞
図５に示すように、複合ウェーハＷの封止樹脂層２０側にテープＴを貼着するステップである。

【0025】

本実施例では、テープＴの粘着層に対し、複合ウェーハＷの封止樹脂層２０を貼着させる。また、複合ウェーハＷの周囲を囲むように環状のフレームＦがテープＴに貼着され、複合ウェーハＷとフレームＦが一体化されたウェーハユニットＵが構成される。

【0026】

＜保持ステップ＞
図６に示すように、テープＴを介して複合ウェーハＷを保持テーブル６０で保持して複合ウェーハＷの反りを矯正するステップである。

【0027】

図６に示すように、保持テーブル６０は、表面に平坦な保持面６２ａを形成する多孔質プレート６２と、クランプ機構６４と、を有して構成される。

【0028】

多孔質プレート６２は、吸引路６５と制御バルブ６６を介して吸引源６７に接続されており、制御バルブ６６を開くことで保持面６２ａに負圧が生じる。

【0029】

クランプ機構６４は、ウェーハユニットＵのフレームＦを挟持し、ウェーハユニットＵ全体を保持テーブル６０にて保持した状態とする。

【0030】

以上の構成において、保持面６２ａに負圧を生じさせると、テープＴを介して複合ウェーハＷが保持面６２ａ側に引き寄せられ、平坦な保持面６２ａに沿うように平坦化される。これにより、複合ウェーハＷに存在していた反りが矯正される。

【0031】

＜ストリート検出ステップ＞
図６及び図７に示すように、保持テーブル６０で保持された複合ウェーハＷの半導体ウェーハ１０の第１面１０ａを撮像し各ストリート３の各位置を検出するステップである。

【0032】

このストリート検出ステップを行うために、図２に示す切削装置５０のコントローラ１００に、予めストリート検出用のターゲットパターンと、ターゲットパターンからストリートまでの位置関係と、が登録される。

【0033】

具体的には、図８に示すように、ターゲットパターンＰｔは、各デバイスＤに形成される特徴的なキーパターンＰｋと同一のパターンであり、ストリート検出の際には、各デバイスＤのキーパターンＰｋが、登録されたターゲットパターンＰｔとパターンマッチングされて検出される。また、キーパターンＰｋから第１方向Ｆ１に伸びるストリート３の中心（分割予定ライン）までの規定距離ｄ１と、キーパターンＰｋから第２方向Ｆ２に伸びるストリート３の中心（分割予定ライン）までの規定距離ｄ２も、合わせて登録される。

【0034】

ストリート検出ステップでは、図６に示すように、撮像カメラ７０により、保持テーブル６０の上方から半導体ウェーハ１０の第１面１０ａを撮像する。撮像画像に基づいて、パターンマッチングによりキーパターンＰｋ（図８）を検出するとともに、規定距離ｄ１，ｄ２（図８）からストリート３の位置（ストリート３の中心の位置）を検出する。

【0035】

ストリート３の位置の検出は、図７（Ａ）（Ｂ）に示すように、第１方向Ｆ１に伸びる全てのストリート、及び、第２方向Ｆ２に伸びる全てのストリートについて、それぞれ検出される。具体的には、図７（Ａ）に示すように、例えば、第１方向Ｆ１に伸びるストリート３ａについて、撮像カメラ７０によりＸ軸方向の一端側を撮像した後、図７（Ｂ）に示すように、複合ウェーハＷをＸ軸方向に移動して他端側を撮像する。複数箇所で撮像した各撮像においてパターンマッチングによりキーパターンを検出し、各キーパターンから規定距離にある点を結ぶようにして、ストリートのＹ軸方向座標を確定し、コントローラ１００（図３）に記憶する。なお、確定したストリートが加工送り方向であるＸ軸方向と平行でなくずれている場合には、ずれ角度も記憶されることとしてもよい。

【0036】

以上のようにして、第１方向Ｆ１に伸びるストリート３ａについて、その位置（Ｙ軸方向座標）とずれ角度が検出された後、撮像カメラ７０をＹ軸方向に移動させ、同様にして隣りにあるストリート３ｂについて位置とずれ角度の検出を行う。第１方向Ｆ１に伸びる全てのストリートについて位置等を検出した後は、図７（Ｃ）（Ｄ）に示すように、複合ウェーハＷを９０度回転させ、第２方向Ｆ２に伸びるストリート３ｃ，３ｄ等について同様に位置等を検出する。

【0037】

以上のようにして、第１方向Ｆ１、第２方向Ｆ２に伸びる全てのストリートについて、個別に位置やずれ角度が検出され、記憶される。

【0038】

＜ハーフカットステップ＞
図９及び図１０に示すように、ストリート検出ステップで検出したそれぞれのストリート３に沿って第１切削ブレード５１ａで少なくとも半導体ウェーハ１０を完全切断する深さの第１の溝Ｍ１を形成し複合ウェーハＷの反りを解放するステップである。

【0039】

具体的には、切削対象となるストリートについて、当該ストリートの位置とずれ角度（加工送り方向であるＸ軸方向とのずれ角度）を参照し、第１切削ブレード５１ａと保持テーブル６０を適宜移動して、第１切削ブレード５１ａの厚み方向の中心位置を当該ストリートの位置（Ｙ軸方向座標）と一致させるとともに、保持テーブル６０を回転させて当該ストリートの方向と加工送り方向（Ｘ軸方向）が平行になるようにする。

【0040】

次いで、第１切削ブレード５１ａを半導体ウェーハ１０を完全切断する高さ位置に位置付けるとともに高速回転させ、保持テーブル６０を加工送りすることで、ストリート３に沿って第１の溝Ｍ１（図１０）を形成する。

【0041】

上述のストリート検出ステップを終えた段階では、複合ウェーハＷにおいて第２方向Ｆ２に伸びるストリートが、Ｘ軸方向と平行とされており、まずは、第２方向Ｆ２に伸びるストリートについて第１の溝Ｍ１が形成される。

【0042】

具体的には、第２方向Ｆ２に伸びるあるストリート３について第１の溝Ｍ１を形成した後、Ｙ軸方向において隣りにあるストリート３について位置とずれ角度を参照し、同様にして第１の溝Ｍ１を形成する。第２方向Ｆ２に伸びる全てのストリート３について第１の溝Ｍ１を形成した後は、保持テーブルを９０度回転させて第１方向Ｆ１に伸びる全てのストリート３について同様に第１の溝Ｍ１を形成する。

【0043】

なお、ストリート検出ステップを終えた後に複合ウェーハＷを９０度回転させるとともに、第１方向Ｆ１に伸びるストリートについて先に第１の溝を形成し、次に第２方向Ｆ２に伸びるストリートについて第１の溝を形成することとしてもよい。

【0044】

以上のように、各ストリートについて個別に位置とずれ角度を参照し切削加工を行うことで、複合ウェーハＷに反りが生じていた場合であっても、各ストリートの実際の位置と一致する位置に正確に溝加工を行うことができる。

【0045】

そして、半導体ウェーハ１０が第１の溝Ｍ１によって完全に切断されることで、半導体ウェーハ１０が反ることによって生じていた内部応力が開放され、複合ウェーハＷ全体に生じていた反りを解消することができる。なお、第１切削ブレード５１ａは封止樹脂層２０に到達することで、樹脂Ｒの一部が切削されることとなる。

【0046】

＜溝検出ステップ＞
ハーフカットステップを実施した後、再び半導体ウェーハ１０の第１面１０ａを撮像し各第１の溝Ｍ１の各位置を検出するステップである。

【0047】

具体的には、撮像カメラ７０（図６）により、半導体ウェーハ１０の第１面１０ａに形成された第１の溝Ｍ１を撮像し、図１１（Ａ）～（Ｄ）に示すように、第１方向Ｆ１、第２方向Ｆ２に伸びる各第１の溝Ｍ１について、位置位置とずれ角度（加工送り方向であるＸ軸方向とのずれ角度）を検出する。

【0048】

上述のハーフカットステップを終えた段階では、複合ウェーハＷにおいて第１方向Ｆ１に伸びるストリートが、Ｘ軸方向と平行とされており、まずは、第１方向Ｆ１に伸びるストリートについて第１の溝Ｍ１の検出が行われる。

【0049】

この検出に際し、まず、図２に示す切削装置５０のコントローラ１００に、第１の溝を検出するためのターゲットパターンが登録される。具体的には、図１１（Ａ）に示すように、第１の溝Ｍ１が交差するエリアを撮像し、十字状の影を含む画像をターゲットパターンＰｍとして登録する。

【0050】

次いで、例えば、図１１（Ａ）に示すように第１方向Ｆ１に伸びる第１の溝Ｍ１ａについて、撮像カメラ７０によりＸ軸方向の一端側を撮像した後、図１１（Ｂ）に示すように、複合ウェーハＷをＸ軸方向に移動して他端側を撮像する。複数箇所で撮像した各撮像画像においてパターンマッチングにより第１の溝が交差する箇所の座標を検出し、当該座標を結ぶようにして、第１の溝Ｍ１ａのＹ軸方向座標を確定し、コントローラ１００（図２）に記憶する。なお、確定した第１の溝Ｍ１ａが加工送り方向であるＸ軸方向と平行でなくずれている場合には、ずれ角度も記憶されることとしてもよい。

【0051】

以上のようにして、第１の溝Ｍ１ａについて、その位置（Ｙ軸方向座標）とずれ角度が検出された後、撮像カメラ７０を移動させ、同様にして隣りにある第１の溝Ｍ１ｂについて位置とずれ角度の検出を行う。第１方向Ｆ１に伸びる全ての第１の溝について位置等を検出した後は、図１１（Ｃ）（Ｄ）に示すように、複合ウェーハＷを９０度回転させ、第２方向Ｆ２に伸びる第１の溝Ｍ１ｃ，Ｍ１ｄ等について同様に位置等を検出する。

【0052】

以上のようにして、第１方向Ｆ１、第２方向Ｆ２に伸びる全ての第１の溝について、それぞれ個別に位置やずれ角度が検出され、記憶される。

【0053】

＜フルカットステップ＞
図１２に示すように、溝検出ステップで検出した各第１の溝Ｍ１の各位置に沿って第１の溝Ｍ１の幅より薄い第２切削ブレード５２ａで複合ウェーハＷを切断して個々のチップＣｐへと分割するステップである。

【0054】

具体的には、切削対象となる第１の溝Ｍ１について、当該第１の溝の位置とずれ角度（加工送り方向であるＸ軸方向とのずれ角度）を参照し、第２切削ブレード５２ａと保持テーブル６０を適宜移動して、第２切削ブレード５２ａの厚み方向の中心位置を当該第１の溝と一致させるとともに、保持テーブル６０を回転させて当該第１の溝の方向と加工送り方向（Ｘ軸方向）が平行になるようにする。

【0055】

次いで、第２切削ブレード５２ａをテープＴに到達する高さ位置に位置付けるとともに高速回転させ、保持テーブルを加工送りすることで、第１の溝Ｍ１に沿って封止樹脂層２０の樹脂Ｒを切削し、第２の溝Ｍ２を形成する。

【0056】

上述の溝検出ステップを終えた段階では、複合ウェーハＷにおいて第２方向Ｆ２に伸びる第１の溝が、Ｘ軸方向と平行とされており、まずは、第２方向Ｆ２に伸びるストリートについて第２の溝Ｍ２が形成される。

【0057】

具体的には、第２方向Ｆ２に伸びるある第１の溝Ｍ１について第２の溝Ｍ２を形成した後、Ｙ軸方向において隣りにある第１の溝Ｍ１について位置とずれ角度を参照し、同様にして第２の溝Ｍ２を形成する。第２方向Ｆ２に伸びる全ての第１の溝Ｍ１について第２の溝Ｍ２を形成した後は、保持テーブルを９０度回転させて第１方向Ｆ１に伸びる全ての第１の溝Ｍ１について同様に第２の溝Ｍ２を形成する。

【0058】

なお、溝検出ステップを終えた後に複合ウェーハＷを９０度回転させるとともに、第１方向Ｆ１に伸びる第１の溝について先に第２の溝を形成し、次に第２方向Ｆ２に伸びる第１の溝について第２の溝を形成することとしてもよい。

【0059】

以上のようにして、各第１の溝Ｍ１について個別に位置とずれ角度を参照し切削加工を行うことで、各第１の溝Ｍ１の実際の位置と一致する位置に正確に溝加工を行うことができる。

【0060】

そして、複合ウェーハＷが第２の溝Ｍ２によって完全に切断されることで、個々のチップパッケージＣｐに分割することができる。

【0061】

以上に説明した加工方法によれば、半導体ウェーハ１0を完全切断するハーフカットステップを実施して第１の溝M１を形成して複合ウェーハWの反りを解放した後、第１の溝M１の実際の位置を検出し、検出した第１の溝M１に沿って複合ウェーハWをフルカットする。これにより、実際のストリートの位置に対応する第１の溝M１の位置と一致する位置を正確にフルカットすることができ、位置ずれによってデバイス部分を損傷することなく、チップパッケージに分割することができる。

【符号の説明】

【0062】

３ ストリート
１０ 半導体ウェーハ
１０ａ 第１面
１０ｂ 第２面
２０ 封止樹脂層
５０ 切削装置
５１ 切削ユニット
５１ａ 切削ブレード
５２ 第二切削ユニット
５２ａ 切削ブレード
６０ 保持テーブル
６２ 多孔質プレート
６２ａ 保持面
７０ 撮像カメラ
１００ コントローラ
Ｂ バンプ
Ｃ デバイスチップ
Ｃｐ チップパッケージ
Ｄ デバイス
Ｆ フレーム
Ｆ１ 第１方向
Ｆ２ 第２方向
Ｍ１ 第１の溝
Ｍ２ 第２の溝
Ｐｋ キーパターン
Ｐｍ ターゲットパターン
Ｐｔ ターゲットパターン
Ｒ 樹脂
Ｔ テープ
Ｕ ウェーハユニット
Ｗ 複合ウェーハ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】