特許 7638733 表示方法、制御装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-02-21

(45)【発行日】2025-03-04

(54)【発明の名称】表示方法、制御装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20250225BHJP

   G05B 19/418 20060101ALI20250225BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

G05B19/418 Z

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2021033651

(22)【出願日】2021-03-03

(65)【公開番号】P2022134502

(43)【公開日】2022-09-15

【審査請求日】2023-12-04

(73)【特許権者】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】青井 良太

【審査官】久宗 義明

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－００８８３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－２９７７８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－０３７１４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－３１０４６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００８／０２２８３０６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許第０６９６７１１４（ＵＳ，Ｂ２）

【文献】特開２０１２－０６０１６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／１７９３５３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００９－０１００３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２３１８０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２２７０２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１３７７９３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６７７

Ｇ０５Ｂ １９／４１８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

レシピに基づき、基板処理装置が処理を実行した第１履歴情報を記憶部に保存する工程と、
前記処理の実行を指示する１ロット分のジョブの実行指示を受け付けた第２履歴情報を前記記憶部に保存する工程と、
複数の前記ジョブを纏めて実行を指示する制御ジョブの実行指示を受け付けた第３履歴情報を前記記憶部に保存する工程と、
前記第１履歴情報に基づき、直前のプロセスの終了時刻から次のプロセスの開始時刻までの経過時間であり前記処理が行われていない第１アイドル時間、及び、前記第２履歴情報に基づき、前記１ロット分のジョブの終了から次の１ロット分のジョブの実行開始までの、１ロット分のジョブ間の時間を示す第２アイドル時間を算出する工程と、
前記第３履歴情報に基づき、前記制御ジョブの終了から次の前記制御ジョブの実行開始までの時間を示す第３アイドル時間を算出する工程と、
前記第１アイドル時間、前記第２アイドル時間、及び、前記第３アイドル時間を選択可能に表示させ、これらのうち表示する１つ以上のアイドル時間の選択を受け付ける工程と、
前記選択を受け付ける工程で選択を受け付けた、前記第１アイドル時間、前記第２アイドル時間、及び、前記第３アイドル時間の１つ以上を表示する工程と、
を有する表示方法。

【請求項2】

前記第１アイドル時間、前記第２アイドル時間、又は、前記第３アイドル時間が閾値以上になった場合、閾値以上となった前記第１アイドル時間、前記第２アイドル時間、又は、前記第３アイドル時間を強調して表示する請求項１に記載の表示方法。

【請求項3】

前記処理は、基板の処理又はクリーニングの工程を含む請求項１又は２に記載の表示方法。

【請求項4】

前記第１履歴情報は、プラズマ励起ＯＮ、及び、プラズマ励起ＯＦＦの履歴情報を含み、前記第１アイドル時間は、プラズマ励起ＯＦＦから次のプラズマ励起ＯＮまでの時間である請求項１又は２に記載の表示方法。

【請求項5】

前記第１履歴情報は、前記基板処理装置にて行われる、前記基板のチャージ、前記処理、前記基板のディスチャージを実行した履歴情報を含む請求項３に記載の表示方法。

【請求項6】

前記第２履歴情報は、外部コンピュータから前記ジョブの実行指示を受け付けた履歴情報を含む請求項１～５のいずれか１項に記載の表示方法。

【請求項7】

前記第３履歴情報は、外部コンピュータから前記制御ジョブの実行指示を受け付けた履歴情報を含む請求項１又は２に記載の表示方法。

【請求項8】

処理を実行する基板処理装置と通信する制御装置であって、
レシピに基づき、基板処理装置が処理を実行した第１履歴情報を記憶部に保存する工程と、
前記処理の実行を指示する１ロット分のジョブの実行指示を受け付けた第２履歴情報を前記記憶部に保存する工程と、
複数の前記ジョブを纏めて実行を指示する制御ジョブの実行指示を受け付けた第３履歴情報を前記記憶部に保存する工程と、
前記第１履歴情報に基づき、直前のプロセスの終了時刻から次のプロセスの開始時刻までの経過時間であり前記処理が行われていない第１アイドル時間、及び、前記第２履歴情報に基づき、前記１ロット分のジョブの終了から次の１ロット分のジョブの実行開始までの、１ロット分のジョブ間の時間を示す第２アイドル時間を算出する工程と、
前記第３履歴情報に基づき、前記制御ジョブの終了から次の前記制御ジョブの実行開始までの時間を示す第３アイドル時間を算出する工程と、
前記第１アイドル時間、前記第２アイドル時間、及び、前記第３アイドル時間を選択可能に表示させ、これらのうち表示する１つ以上のアイドル時間の選択を受け付ける工程と、
前記選択を受け付ける工程で選択を受け付けた、前記第１アイドル時間、前記第２アイドル時間、及び、前記第３アイドル時間の１つ以上を表示する工程と、を含む処理を行うＣＰＵ、
を有する制御装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示方法、及び、制御装置に関する。

【背景技術】

【0002】

基板処理装置は、ウェハに対して成膜処理、エッチング処理、酸化拡散処理、アニール、及び、改質処理等の各種の処理を行う。基板処理装置は、複数枚のウェハを処理容器内にチャージ（ロード）し、処理容器内のコンディションが条件を満たすと基板処理を開始する。

【0003】

基板処理装置において、ウェハがストッカに滞留される時間が基板品質に影響する場合があることが知られている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１には、滞留時間をカセットごとに管理して適切な警報を発することが可能な処理システムが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２００３－３７１４８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は、基板処理装置のアイドル状態をユーザーが容易に把握できる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題に鑑み、本開示は、レシピに基づき、基板処理装置が処理を実行した第１履歴情報を記憶部に保存する工程と、前記処理の実行を指示する１ロット分のジョブの実行指示を受け付けた第２履歴情報を前記記憶部に保存する工程と、複数の前記ジョブを纏めて実行を指示する制御ジョブの実行指示を受け付けた第３履歴情報を前記記憶部に保存する工程と、前記第１履歴情報に基づき、直前のプロセスの終了時刻から次のプロセスの開始時刻までの経過時間であり前記処理が行われていない第１アイドル時間、及び、前記第２履歴情報に基づき、前記１ロット分のジョブの終了から次の１ロット分のジョブの実行開始までの、１ロット分のジョブ間の時間を示す第２アイドル時間を算出する工程と、前記第３履歴情報に基づき、前記制御ジョブの終了から次の前記制御ジョブの実行開始までの時間を示す第３アイドル時間を算出する工程と、前記第１アイドル時間、前記第２アイドル時間、及び、前記第３アイドル時間を選択可能に表示させ、これらのうち表示する１つ以上のアイドル時間の選択を受け付ける工程と、前記選択を受け付ける工程で選択を受け付けた、前記第１アイドル時間、前記第２アイドル時間、及び、前記第３アイドル時間の１つ以上を表示する工程と、を有する。

【発明の効果】

【0007】

基板処理装置のアイドル状態をユーザーが容易に把握できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本開示に係るプラズマ処理装置の制御システムを示す図である。

【図2】本開示に係るプラズマ処理装置の一例を模式的に示す断面図である。

【図3】本開示に係るプラズマ処理装置の処理容器を水平面から見た断面図である。

【図4】本開示に係る各アイドル時間について説明する図の一例である。

【図5】本開示に係るＥＣにより表示される選択画面の一例を示す図である。

【図6】本開示に係るアイドル時間の表示例を示す図である。

【図7】本開示に係るＥＣがプロセス、ジョブ、及び、制御ジョブに関する時刻を記録する処理を説明するフローチャート図の一例である。

【図8】本開示に係るＥＣがアイドル時間を表示する手順を示すフローチャート図の一例である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。

【0010】

［システム構成例］
図１は、本開示に係るプラズマ処理装置の制御システム７０を示している。プラズマ処理装置１００Ａ～１００Ｄ（以下、任意のプラズマ処理装置を「プラズマ処理装置１００」と記すことがある）における全体の制御は制御システム７０によって行われる。プラズマ処理装置１００については図２，図３にて詳細に説明する。

【0011】

図１に示したように、制御システム７０は、主要な構成として、プラズマ処理装置１００に対応して設けられた個別の制御部の一例である４つのＭＣ（モジュールコントローラ；ＭｏｄｕｌｅＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ，６０Ｄ（以下、「ＭＣ６０」と記すことがある）と、プラズマ処理装置１００全体を制御するＥＣ（装置コントローラ；ＥｑｕｉｐｍｅｎｔＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）３０１と、ＥＣ３０１に接続されたユーザーインターフェース５０１とを備えている。ＭＣ６０は、プラズマ処理装置１００に配備される。なお、ＭＣ６０は、例えば、ロードロック室（不図示）などにも配備することが可能であり、これらもＥＣ３０１の下で統括されるが、ここでは図示及び説明を省略する。ＥＣ３０１及びＭＣ６０は制御装置の一例である。

【0012】

ＥＣ３０１と各ＭＣ６０は、システム内ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）５０３により接続されており、ＥＣ３０１と各ＭＣ６０は通信できる。システム内ＬＡＮ５０３は、スイッチングハブ（ＨＵＢ）５０５を有している。このスイッチングハブ５０５は、ＥＣ３０１からの制御信号に応じてＥＣ３０１の接続先としてのＭＣ６０Ａ～６０Ｄの切り替えを行う。

【0013】

ＥＣ３０１は、各ＭＣ６０を統括してプラズマ処理装置１００全体の動作を制御する統括制御部である。ＥＣ３０１は、ＣＰＵ（中央演算装置）３０３と、揮発性メモリとしてのＲＡＭ３０５と、記憶部としてのハードディスク装置（ＨＤＤ）３０７とを有している。なお、記憶部としては、ハードディスク装置３０７に限らず、他の不揮発性メモリを用いることもできる。

【0014】

また、ＥＣ３０１は、ＬＡＮ６０１を介してプラズマ処理装置１００が設置されている工場全体の製造工程を管理するＭＥＳ（Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｅｘｅｃｕｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ）としてのホストコンピュータ６０３に接続されている。ホストコンピュータ６０３は制御システム７０と連携して工場における種々の工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム（図示省略）にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。

【0015】

また、ＥＣ３０１には、ユーザーインターフェース５０１が接続されている。ユーザーインターフェース５０１は、工程管理者がプラズマ処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、プラズマ処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ、ＥＣ３０１に指令を行うメカニカルスイッチ等を有している。

【0016】

ＥＣ３０１は、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体（以下、単に記憶媒体と記す。）５０７に対して情報を記録し、また記憶媒体５０７より情報を読み取ることができるようになっている。ＥＣ３０１が基板処理に使用する制御プログラム及びレシピは、例えば、記憶媒体５０７に格納された状態のものを記憶部としてのハードディスク装置３０７にインストールすることによって利用することが可能になる。レシピには、半導体を製造するための手順が記憶されている。特に、例えばプラズマ処理装置１００に所望の処理（プロセス）を実行させるための条件（温度、圧力、ガスの種類、ガス流量、時間など）が記憶されたレシピを「プロセスレシピ」という。

【0017】

記憶媒体５０７としては、例えば、ＣＤ－ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等を使用することができる。また、上記のレシピは、サーバーなどの他の装置から、ネットワークを介してＥＣ３０１がダウンロードして利用することも可能である。

【0018】

ＥＣ３０１では、チャージ、プロセス(例えば成膜処理)、ディスチャージ（クーリングを含む）の手順を示すレシピ及びプロセスレシピを含むプログラム（ソフトウェア）をＣＰＵ３０３がハードディスク装置３０７や記憶媒体５０７から読み出す。そして、ＥＣ３０１は、読み出したレシピ及びプロセスレシピに基づき各ＭＣ６０にプラズマ処理装置１００Ａ～１００Ｄの各部を制御させる。

【0019】

ＭＣ６０は、各プラズマ処理装置１００Ａ～１００Ｄの動作を制御する個別の制御部として設けられている。ＭＣ６０Ａはプラズマ処理装置１００Ａを、ＭＣ６０Ｂはプラズマ処理装置１００Ｂを、ＭＣ６０Ｃはプラズマ処理装置１００Ｃを、ＭＣ６０Ｄはプラズマ処理装置１００Ｄを、それぞれ個別に制御する。

【0020】

［プラズマ処理装置］
図２及び図３を参照し、プラズマ処理装置１００の構成例について説明する。図２は、本開示に係るプラズマ処理装置１００の一例を模式的に示す断面図である。

【0021】

プラズマ処理装置１００は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理容器１を有する。処理容器１の全体は、例えば石英により形成されている。処理容器１内の上端近傍には、石英により形成された天井板２が設けられており、天井板２の下側の領域が封止されている。処理容器１の下端の開口には、円筒体状に成形された金属製のマニホールド３がＯリング等のシール部材４を介して連結されている。

【0022】

マニホールド３は、処理容器１の下端を支持しており、マニホールド３の下方から多数枚（例えば、２５枚～１５０枚）のウェハＷを多段に載置したボート５が処理容器１内に挿入される。このように処理容器１内には、上下方向に沿って間隔を有して多数枚のウェハＷが略水平に収容される。ボート５は、例えば石英により形成されている。ボート５は、３本のロッド６を有し（図３参照）、ロッド６に形成された溝（図示せず）により多数枚のウェハＷが支持される。ウェハＷは、例えば半導体ウェハであってよい。また、ウェハＷを基板という場合がある。

【0023】

ボート５は、石英により形成された保温筒７を介してテーブル８上に載置されている。テーブル８は、マニホールド３の下端の開口を開閉する金属（ステンレス）製の蓋体９を貫通する回転軸１０上に支持される。

【0024】

回転軸１０の貫通部には、磁性流体シール１１が設けられており、回転軸１０を気密に封止し、且つ回転可能に支持している。蓋体９の周辺部とマニホールド３の下端との間には、処理容器１内の気密性を保持するためのシール部材１２が設けられている。

【0025】

回転軸１０は、例えばボートエレベータ等の昇降機構（図示せず）に支持されたアーム１３の先端に取り付けられており、ボート５と蓋体９とは一体として昇降し、処理容器１内に対して挿脱される。なお、テーブル８を蓋体９側へ固定して設け、ボート５を回転させることなくウェハＷの処理を行うようにしてもよい。

【0026】

プラズマ処理装置１００は、処理容器１内へ処理ガス、パージガス等の所定のガスを供給するガス供給部２０を有する。

【0027】

ガス供給部２０は、ガス供給管２１～２４を有する。ガス供給管２１～２３は、例えば石英により形成されており、マニホールド３の側壁を内側へ貫通して上方へ屈曲されて垂直に延びる。ガス供給管２１～２３の垂直部分には、ボート５の基板支持範囲に対応する上下方向の長さに亘って、それぞれ複数のガス孔２１ａ～２３ａが所定間隔で形成されている。各ガス孔２１ａ～２３ａは、水平方向にガスを吐出する。ガス供給管２４は、例えば石英により形成されており、マニホールド３の側壁を貫通して設けられた短い石英管からなる。なお、図示の例では、ガス供給管２１は２本、ガス供給管２２～２４はそれぞれ１本設けられている。

【0028】

ガス供給管２１は、その垂直部分が処理容器１内に設けられている。ガス供給管２１には、ガス配管を介して原料ガス供給源から例えばＴＳＡ（トリシリルアミン（ＳｉＨ３）３Ｎ）が供給される。ガス配管には、流量制御器及び開閉弁が設けられている。これにより、ＴＳＡは、原料ガス供給源からガス配管及びガス供給管２１を介して、所定の流量で処理容器１内に供給される。

【0029】

ガス供給管２２は、その垂直部分が後述するプラズマ生成空間に設けられている。ガス供給管２２には、ガス配管を介してアンモニアガス供給源からアンモニア（ＮＨ３）ガスが供給される。ガス配管には、流量制御器及び開閉弁が設けられている。これにより、ＮＨ３ガスは、アンモニアガス供給源からガス配管及びガス供給管２２を介して、所定の流量でプラズマ生成空間に供給され、プラズマ生成空間においてプラズマ化されて処理容器１内に供給される。また、ガス供給管２２には、ガス配管を介して水素ガス供給源から水素（Ｈ２）ガスが供給される。ガス配管には、流量制御器及び開閉弁が設けられている。これにより、Ｈ２ガスは、水素ガス供給源からガス配管及びガス供給管２２を介して、所定の流量でプラズマ生成空間に供給され、プラズマ生成空間においてプラズマ化されて処理容器１内に供給される。

【0030】

ガス供給管２３は、その垂直部分が後述するプラズマ生成空間に設けられている。ガス供給管２３には、ガス配管を介して塩素ガス供給源から塩素（Ｃｌ２）ガスが供給される。ガス配管には、流量制御器及び開閉弁が設けられている。これにより、Ｃｌ２ガスは、塩素ガス供給源からガス配管及びガス供給管２３を介して、所定の流量でプラズマ生成空間に供給され、プラズマ生成空間においてプラズマ化されて処理容器１内に供給される。

【0031】

ガス供給管２４には、ガス配管を介してパージガス供給源からパージガスが供給される。ガス配管には、流量制御器及び開閉弁が設けられている。これにより、パージガスは、パージガス供給源からガス配管及びガス供給管２４を介して、所定の流量で処理容器１内に供給される。パージガスとしては、例えば窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスを利用できる。なお、パージガスは、ガス供給管２１～２３の少なくとも１つから供給されるようにしてもよい。

【0032】

処理容器１の側壁の一部には、プラズマ生成機構３０が形成されている。プラズマ生成機構３０は、ＮＨ３ガスをプラズマ化して窒化のための活性種を生成する。プラズマ生成機構３０は、Ｈ２ガスをプラズマ化して水素（Ｈ）ラジカルを生成する。プラズマ生成機構３０は、Ｃｌ２ガスをプラズマ化して塩素（Ｃｌ）ラジカルを生成する。

【0033】

プラズマ生成機構３０は、プラズマ区画壁３２、一対のプラズマ電極３３、給電ライン３４、ＲＦ電源３５及び絶縁保護カバー３６を有する。

【0034】

プラズマ区画壁３２は、処理容器１の外壁に気密に溶接されている。プラズマ区画壁３２は、例えば石英により形成される。プラズマ区画壁３２は断面凹状をなし、処理容器１の側壁に形成された開口３１を覆う。開口３１は、ボート５に支持されている全てのウェハＷを上下方向にカバーできるように、上下方向に細長く形成される。プラズマ区画壁３２により規定されると共に処理容器１内と連通する内側空間、すなわち、プラズマ生成空間には、ガス供給管２２，２３が配置されている。ガス供給管２１は、プラズマ生成空間の外の処理容器１の内側壁に沿ったウェハＷに近い位置に設けられている。図示の例では、開口３１を挟む位置に２本のガス供給管２１が配置されているが、これに限定されず、例えば２本のガス供給管２１の一方のみが配置されていてもよい。

【0035】

一対のプラズマ電極３３は、それぞれ細長い形状を有し、プラズマ区画壁３２の両側の壁の外面に、上下方向に沿って対向配置されている。各プラズマ電極３３の下端には、給電ライン３４が接続されている。

【0036】

給電ライン３４は、各プラズマ電極３３とＲＦ電源３５とを電気的に接続する。図示の例では、給電ライン３４は、一端が各プラズマ電極３３の短辺の側部である下端に接続されており、他端がＲＦ電源３５と接続されている。

【0037】

ＲＦ電源３５は、各プラズマ電極３３の下端に給電ライン３４を介して接続され、一対のプラズマ電極３３に例えば１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を供給する。これにより、プラズマ区画壁３２により規定されたプラズマ生成空間内に、ＲＦ電力が印加される。ガス供給管２２から吐出されたＮＨ３ガスは、ＲＦ電力が印加されたプラズマ生成空間内においてプラズマ化され、これにより生成された窒化のための活性種が開口３１を介して処理容器１の内部へと供給される。ガス供給管２２から吐出されたＨ２ガスは、ＲＦ電力が印加されたプラズマ生成空間内においてプラズマ化され、これにより生成された水素ラジカルが開口３１を介して処理容器１の内部へと供給される。ガス供給管２３から吐出されたＣｌ２ガスは、ＲＦ電力が印加されたプラズマ生成空間内においてプラズマ化され、これにより生成された塩素ラジカルが開口３１を介して処理容器１の内部へと供給される。

【0038】

絶縁保護カバー３６は、プラズマ区画壁３２の外側に、該プラズマ区画壁３２を覆うようにして取り付けられている。絶縁保護カバー３６の内側部分には、冷媒通路（図示せず）が設けられており、冷媒通路に冷却されたＮ２ガス等の冷媒を流すことによりプラズマ電極３３が冷却される。プラズマ電極３３と絶縁保護カバー３６との間には、プラズマ電極３３を覆うようにシールド（図示せず）が設けられていてもよい。シールドは、例えば金属等の良導体により形成され、接地される。

【0039】

開口３１に対向する処理容器１の側壁部分には、処理容器１内を真空排気するための排気口４０が設けられている。排気口４０は、ボート５に対応して上下に細長く形成されている。処理容器１の排気口４０に対応する部分には、排気口４０を覆うように断面Ｕ字状に成形された排気口カバー部材４１が取り付けられている。排気口カバー部材４１は、処理容器１の側壁に沿って上方に延びている。排気口カバー部材４１の下部には、排気口４０を介して処理容器１を排気するための排気配管４２が接続されている。排気配管４２には、処理容器１内の圧力を制御する圧力制御バルブ４３及び真空ポンプ等を含む排気装置４４が接続されており、排気装置４４により排気配管４２を介して処理容器１内が排気される。

【0040】

処理容器１の周囲には、円筒体状の加熱機構５０が設けられている。加熱機構５０は、処理容器１及びその内部のウェハＷを加熱する。昇降機構によりウェハＷを多段に載置したボート５が処理容器１内に収容されることを、「チャージ」という。チャージ後、所望のガスを供給し、ウェハＷを加熱しながら成膜処理が施される。その後、処理中に加熱されたウェハＷを冷却するクーリングが実行され、ボート５が昇降機構により下降し、処理容器１外にウェハＷを出す。ウェハＷを冷却し（クーリング）、ボート５を処理容器１外に出すことを「ディスチャージ」という。チャージ→プロセスレシピ実行（ウェハＷの処理）→ディスチャージ（クーリングを含む）は、レシピにより予めその手順が設定され、そのうちのウェハＷの処理は、プロセスレシピに設定された手順に従い実行される。

【0041】

本開示では、チャージ→プロセスレシピ実行→ディスチャージの各工程の開始及び終了のログが第１履歴情報として記憶される。つまり、第１履歴情報は、プロセスに関するログ情報の一例であり、プラズマ処理装置１００にて行われる、基板のチャージ、基板の処理、基板のディスチャージを実行した履歴情報を含み、例えばＥＣ３０１に記憶される。

【0042】

なお、プロセスレシピ実行の指示により行われるウェハＷの処理は、基板処理装置が実行する処理の一例である。基板処理装置が実行する処理には、成膜処理、エッチング処理等の各種のウェハ処理、及び処理容器１内のクリーニング処理等、プラズマ処理装置１００が行うすべての処理が含まれる。

【0043】

本開示では、ＭＣ６０は、例えばプラズマ処理装置１００の各部の動作の制御することにより、プラズマ処理装置１００が実行する成膜処理を制御する。ＭＣ６０は、例えばコンピュータ等であってよい。プラズマ処理装置１００の各部の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。

【0044】

ＭＣ６０は、ＥＣ３０１から実行が要求された１ロットのウェハＷについて、ＥＣ３０１に記憶されたレシピ及びプロセスレシピに基づき、チャージ、ウェハＷの処理、及び、ディスチャージを実行する。以下、プロセスレシピを含めて「レシピ」ともいう。

【0045】

ＭＣ６０は、レシピに基づき実行したボート５に多段に載置した複数枚のウェハＷの処理、つまり、１ロットの処理の開始/終了、チャージ開始/終了、ウェハ処理の実行開始/終了、及び、ディスチャージ開始/終了などのログをＥＣ３０１に通知する。また、ＭＣ６０は、プラズマ処理装置１００の装置名、終了状態（異常の有無）、プロセスジョブＩＤ、プロセスレシピ名等をＥＣ３０１に通知する。よって、ＥＣ３０１では、プラズマ処理装置１００で行われた動作及びウェハＷ処理の詳細なログ（履歴情報）をＲＡＭ３０５等の記憶部に記録できる。ただし、ＭＣ６０自身がログを自身の記憶部に記録してもよいし、ＥＣ３０１とＭＣ６０の両方がログを記録してもよい。

【0046】

一方、ＥＣ３０１は、ホストコンピュータ６０３から送信された、プラズマ処理装置１００にジョブの実行を指示する「ジョブの実行指示」を受け付ける。ジョブの実行指示は、１ロットのウェハＷ処理の実行を指示するものであるが、１ロットには１枚又は複数枚のウェハＷが含まれてよく、一度に処理されるウェハＷの枚数は限定されない。受け付けたジョブの実行指示は、ＥＣ３０１及びＨＵＢ５０５を経由し、いずれかのプラズマ処理装置１００を制御するＭＣ６０により受け付けられる。ジョブの実行指示を受け付けたＭＣ６０は、１ロットのジョブの実行を開始し、これに応じてプラズマ処理装置１００は、レシピに基づき、チャージ、ウェハＷの処理、及び、ディスチャージを実行する。本開示では、ジョブの実行指示のログが、第２履歴情報として記憶される。

【0047】

さらに、ＥＣ３０１は、ホストコンピュータ６０３から送信された、プラズマ処理装置１００に複数のジョブを纏めて実行を指示する「制御ジョブ（コントロールジョブ）の実行指示」を受け付ける。制御ジョブの実行指示は、ＥＣ３０１及びＨＵＢ５０５を経由し、いずれかのプラズマ処理装置１００を制御するＭＣ６０により受け付けられる。制御ジョブの実行指示を受け付けたＭＣ６０は、複数ロットのジョブの実行を開始し、これに応じてプラズマ処理装置１００は、複数ロットについて、レシピに基づき、チャージ、ウェハＷの処理、及び、ディスチャージを実行する。本開示では、制御ジョブの実行指示のログが、第３履歴情報として記憶される。

【0048】

つまり、第２履歴情報及び第３履歴情報は、システムに関するログ情報の一例であり、例えばＥＣ３０１に記憶される。第２履歴情報は、ホストコンピュータ６０３等の外部コンピュータからジョブの実行指示を受け付けた履歴情報を含み、第３履歴情報は、外部コンピュータから制御ジョブの実行指示を受け付けた履歴情報を含む。第３履歴情報は記憶されなくてもよい。

【0049】

［アイドル時間について］
次に、アイドル時間について説明する。アイドル時間とは、一般に、プロセス又はシステムが稼働していない時間ともいえるが、様々な観点から複数の異なるアイドル時間を定義できる。そして、アイドル時間がウェハＷの処理の品質に大きく影響することが知られている。一例としては、プラズマ処理装置１００がプロセスレシピを開始する時の処理容器内の状態は同一のプロセスでは概ね同じであることが要求される。しかし、あるプラズマ処理装置１００においてウェハ処理前のアイドル時間が長いと、その装置の処理容器内の状態が変動し、その影響で処理されたウェハＷの品質が低下する場合がある。

【0050】

係る場合、アイドル時間を監視しておくことで、ユーザーはウェハＷの処理の品質の低下の事実とその原因の調査が容易になる。しかし、これまで、ユーザーがアイドル時間を知るには、ユーザー自身がプラズマ処理装置１００のログを表計算ソフトなどで読み込み、ユーザーがコンピュータ等を操作してアイドル時間を算出する必要があった。

【0051】

そこで、本開示では、以下のようにいくつかのアイドル時間を定義しておき、複数のアイドル時間を表示し、ユーザーに提示できる表示方法を提案する。また、ユーザーが選択したアイドル時間のみを表示できる機能も含む。複数のアイドル時間は、ＥＣ３０１、各ＭＣ６０、又はＥＣ３０１又は各ＭＣ６０に接続可能なモニタに表示できる。
(i) プロセスレシピ実行間のアイドル時間（第１アイドル時間の一例）
(ii) １ロット分のジョブ間のアイドル時間（第２アイドル時間の一例）
(iii) Ｎロット分の複数ジョブ、すなわち制御ジョブ間のアイドル時間（第３アイドル時間の一例）
なお、本開示のプラズマ処理装置１００は一度に多数枚（例えば、２５枚～１５０枚）のウェハＷを同時並行的に処理する、いわゆるバッチ処理型のプラズマ処理装置１００であるが、枚葉型のプラズマ処理装置１００でもアイドル時間は同様に定義される。

【0052】

図４は、各アイドル時間について説明する図の一例である。図４は、縦方向が時間の経過を表しており、上方から下方に時間が経過している。

【0053】

(i) プロセスレシピ実行間のアイドル時間Ａ
プロセスレシピ実行間のアイドル時間は、１つのプロセスのend to startの経過時間である（前後のプロセスの間の時間）。すなわち、直前のプロセスの終了時刻から次のプロセスの開始時刻までの経過時間である。一例としては、ＭＣ６０の制御により１つのプロセスが終了した時刻から次のプロセスを開始した時刻まである。

【0054】

プロセスレシピ実行間のアイドル時間の定義により、プロセスレシピの実行中を除く、図４で符号Ａが付された時間がプロセスレシピ実行間のアイドル時間である。アイドル時間Ａは、第１の履歴情報から算出できる。１つのプロセスは、１つの工程のみ含んでいてもよいし、複数の工程を含んでいてもよい。１つのプロセスは、例えば、ウェハＷの処理を行うプロセスとして、成膜工程、クリーニング工程、エッチング工程、酸化拡散工程、アニール工程、及び、改質処理工程の一つ又はこれらの組み合わせであってもよい。

【0055】

処理容器内の状態（チャンバーコンディション）は、基板品質に大きな影響を与えるので、このプロセスレシピ実行間のアイドル時間Ａをユーザーに表示することで、ユーザーはトラブルの原因究明にアイドル時間Ａを利用できる。

【0056】

また、プロセスレシピにプラズマを用いた処理が含まれる場合、プラズマ励起ＯＦＦ → 次のプラズマ励起ＯＮまでの時間がアイドル時間Ａとなる場合がある。なお、「プラズマ励起ＯＦＦ」とは、プロセスレシピに基づきＲＦ電源３５からプラズマ電極３３にＲＦ電力の供給を停止するタイミングをいい、「次のプラズマ励起ＯＮ」とは、次に、プロセスレシピに基づきＲＦ電源３５からプラズマ電極３３にＲＦ電力を供給するタイミングをいう。

【0057】

(ii) １ロット分のジョブ間のアイドル時間Ｂ
１ロット分のジョブ間のアイドル時間は、１ロット分のウェハＷのチャージ開始からディスチャージ終了までを１つのジョブと定義した場合のアイドル時間である。１つのジョブはチャージ、プロセスレシピ実行、及び、ディスチャージを含む。チャージには処理容器内の状態をプロセスレシピの実行に適した状態にする時間が含まれる。ディスチャージには処理容器内のクーリングが含まれる。したがって、１ロット分のジョブ間のアイドル時間は、１つ前のロットにおけるウェハＷのディスチャージ終了によるジョブの終了をＭＣ６０がＥＣ３０１に通知してから、次のロットの開始（例えば、ＥＣ３０１からのジョブ開始をＭＣ６０が受け付けること）までの時間である。ただし、ＥＣ３０１の替わりにＭＣ６０が本開示の表示制御を行う場合、１ロット分のジョブ間のアイドル時間は、１つ前のロットにおけるウェハＷのディスチャージ終了のログをＭＣ６０が記憶してから、次のロットの開始（例えば、ＥＣ３０１からのジョブ開始をＭＣ６０が受け付けること）までの時間である。

【0058】

バッチ処理型のプラズマ処理装置１００の場合、１ロットで多数枚のウェハＷを処理できる。したがって、１ロット分のジョブ間のアイドル時間は、ロット処理とロット処理の間に着目したプラズマ処理装置１００の空き時間である。

【0059】

１ロット分のジョブ間のアイドル時間の定義により、ジョブの実行中を除く、図４で符号Ｂを付した時間が１ロット分のジョブ間のアイドル時間である。アイドル時間Ｂは、第２の履歴情報から算出できる。

【0060】

図４の例では、３番目のアイドル時間Ｂが他のアイドル時間Ｂよりも顕著に長くなっている。よって、アイドル時間Ｂをユーザーに表示することで、ユーザーは、アイドル時間Ｂの推移から３番目のアイドル時間Ｂの前後になんらかのトラブルがあったかもしれないと推定できる。

【0061】

(iii) Ｎロット分の複数ジョブ間のアイドル時間Ｃ
Ｎロット分の複数ジョブ（制御ジョブ）間のアイドル時間は、Ｎロット分のウェハＷの処理をプラズマ処理装置１００が終了してから、次のＮロット分のウェハＷの処理を開始するまでのシステムの空き時間である。したがって、Ｎロット分の複数ジョブ間のアイドル時間は、一例としては、１つ前のＮロットにおける最後のロットのウェハＷのディスチャージ終了から（ＭＣ６０からＥＣ３０１へのジョブの終了通知）、次のＮロットの実行開始（例えば、ユーザーによるＮロットの実行開始操作）までの時間である。

【0062】

Ｎロット分の複数ジョブ間のアイドル時間の定義により、符号Ｃが付された、Ｎロットのプロセスの実行が終了してから、次のＮロットのプロセスの実行開始が指示されるまでの時間が、Ｎロット分の複数ジョブ間のアイドル時間である。アイドル時間Ｃは、第３の履歴情報から算出できる。

【0063】

プロセスが何かの問題で遅延したなど、プロセス上のトラブルの原因究明にアイドル時間Ａを使用できる。また、ホストコンピュータ６０３又はＥＣ３０１からのジョブの要求が何かの問題で遅延したなど、システム上のトラブルの原因究明にアイドル時間Ｂやアイドル時間Ｃを使用できる。

【0064】

また、アイドル時間Ｂ、Ｃはスループットの目安となる場合がある。例えば、本来、１日に１０ロット、基板処理可能なプラズマ処理装置１００が８ロットしか処理できなかったとする。このようなスループットの低下の原因調査として、Ｎロット分の複数ジョブ間のアイドル時間Ｃ又は１ロット分のジョブ間のアイドル時間Ｂが有効になる。

【0065】

［表示するアイドル時間の選択］
ユーザーは図５に示すような、選択画面２０１で３つのアイドル時間のうち表示するアイドル時間を選択できる。図５は、ＥＣ３０１により表示される選択画面２０１の一例である。選択画面２０１は、「表示したいアイドル時間を選択してください。」というメッセージと共に、３つのアイドル時間の種類２０２～２０４が表示されている。各アイドル時間の種類にはチェックボタンが対応付けて表示されている。

【0066】

［アイドル時間の表示例］
ユーザーは１つ以上のチェックボタンを選択することで、表示したいアイドル時間をＥ３０１に入力できる。ＥＣ３０１は選択された１つ以上のアイドル時間を表示できる。

【0067】

図６は、アイドル時間の表示例を示す図である。図６の画面はログ表示画面である。なお、図６の各行は下から上に時間が経過している。本開示では、ＥＣ３０１はログ画面２１０においてアイドル時間を表示する。ログ画面２１０とは独立にアイドル時間を表示してもよいし、別の画面内でアイドル時間を表示してもよい。

【0068】

以上に説明した処理は、主にＥＣ３０１が行ってもよいし、主にＭＣ６０が行ってもよいし、ＥＣ３０１が処理の一部を実行し、ＭＣ６０が残りの処理を実行してもよい。なお、ＥＣ３０１又はＭＣ６０が直接、アイドル時間を表示するのでなく、例えばＥＣ３０１がサーバー等に送信したログ情報に基づいて、任意の端末装置がＷｅｂブラウザ等でアイドル時間を表示してもよい。

【0069】

ログ画面２１０は、終了状態２１１、プロセスジョブＩＤ２１２、プロセスレシピ名２１３、処理開始時刻２１４、処理終了時刻２１５、実行時間２１６、アイドル時間Ａ２１７、アイドル時間Ｂ２１８、及び、アイドル時間Ｃ２１９、の各項目を有している。各項目について説明する。

【0070】

・終了状態２１１は、プロセスが正常に終了したか否かを示す。異常があった場合は例えば異常コードなどが表示されてよい。

【0071】

・プロセスジョブＩＤ２１２は１ロットのジョブを識別する識別情報である。プロセスジョブＩＤが同じならプロセスレシピも同じである。ただし、プロセスレシピが同じでもプロセスジョブＩＤは異なる場合がある。図６では、プロセスジョブＩＤ＝０９，５０，５１のジョブが実行されている。プロセスジョブＩＤが同じ一連のジョブがＮロットに相当する。

【0072】

・プロセスレシピ名２１３は、プラズマ処理装置１００が実行したプロセスレシピの名称である。例えば、プロセスレシピのファイル名でよい。

【0073】

・処理開始時刻２１４は、プロセスの実行をＭＣ６０が開始した時刻である。基板の処理にプラズマを用いた処理が含まれる場合、プラズマ励起ＯＮの時刻が記録される。

【0074】

・処理終了時刻２１５は、ＭＣ６０がプロセスの実行を終了した時刻である。基板の処理にプラズマを用いた処理が含まれる場合、プラズマ励起ＯＦＦの時刻が記録される。

【0075】

・実行時間２１６は、処理終了時刻と処理開始時刻の差である。

【0076】

・アイドル時間Ａは、上記の「プロセスレシピ実行間のアイドル時間Ａ」である。アイドル時間Ａは、１つ前のプロセスの処理終了時刻と、当該プロセスの処理開始時刻の差である。

【0077】

・アイドル時間Ｂは、上記の「１ロット分のジョブ間のアイドル時間Ｂ」である。すなわち、当該プロセスの前のプロセスを含む１ロットの終了時刻（不図示）と、当該プロセスを含む１ロットの開始時刻（不図示）の差である。ＭＣ６０が１ロットの処理終了をＥＣ３０１に通知してから、次の１ロットの開始（例えば、ＥＣ３０１からＭＣ６０が１ロットの処理開始指示を受け付ける）までの時間である。

【0078】

・アイドル時間Ｃは、上記の「Ｎロット分の複数ジョブ間のアイドル時間Ｃ」である。ＭＣ６０がＮロットの処理終了をＥＣ３０１に通知してから、ＥＣ３０１が次のＮロットの処理を開始する（例えば、ユーザーによるＮロットの処理開始操作など）までの時間である。

【0079】

図６によれば、符号２２０と符号２２１で示すアイドル時間Ａ～Ｃが他のアイドル時間に対し突出して長いことが分かる。

【0080】

符号２２０で示すアイドル時間Ａ～Ｃは、Ｎロット分の処理が終了し、次のＮロットの処理が開始されるタイミングである。これはプロセスジョブＩＤが切り替わっていることから分かる。ユーザーは、１つ前のＮロットの処理が終了してから「２９分１５秒」の後に次のＮロットの処理をＥＣ３０１に指示した。そして、次のＮロットの最初の１ロットが開始されるまでに、更に「３３分５５秒＝１時間３分１０秒－２９分１５秒」が経過している。これは、例えば処理対象のウェハＷが収納されたカセットを移動するために要した時間などである。この結果、プロセスレシピ実行間のアイドル時間が「１時間５０分４８秒」と長くなっている。

【0081】

符号２２１で示すアイドル時間Ａ～Ｃも、Ｎロット分の処理が終了し、次のＮロットの処理が開始されるタイミングである。しかし、ユーザーは、１つ前のＮロットの処理が終了してからすぐに（「０時間０分０秒」で）、次のＮロットの処理をＥＣ３０１に指示した。しかし、次のＮロットの最初の１ロットが開始されるまでに、「５９分３３秒」が経過している。この結果、プロセスレシピ実行間のアイドル時間が「１時間４０分０２秒」と長くなっている。

【0082】

したがって、ユーザーは符号２２０と２２１で示すアイドル時間Ａ～Ｃを参考にして、基板品質に影響が与えられるようなトラブルが発生した可能性があると判断できる。

【0083】

また、ＥＣ３０１は、３つのアイドル時間Ａ～Ｃの少なくとも１つが閾値以上となった場合に、警報を出力してよい。ＥＣ３０１は、例えば、閾値以上となったアイドル時間の色や輝度を変えて強調する。また、ＥＣ３０１は、閾値以上となったアイドル時間とその種類を電子メール等で担当者に送信してもよい。

【0084】

また、３つのアイドル時間Ａ～Ｃと、例えば膜質と相関するＲＩ（Refractive Index）を機械学習などの手法で学習してもよい。

【0085】

［処理手順］
図７は、ＥＣがプロセス、ジョブ、及び、Ｎロットの処理に関する時刻を記録する処理を説明するフローチャート図の一例である。

【0086】

ＥＣ３０１が、ホストコンピュータ６０３から送信された、Ｎロットの処理開始指示、すなわち制御ジョブの実行指示を受け付ける（Ｓ１）。ＥＣ３０１はＮロットの処理開始指示を受け付けた時刻１を記録（保存）する。なお、ジョブ数に当たるＮ、プロセスレシピ名は、ユーザーが設定してもよいし、ホストコンピュータ６０３にて自動設定してもよい。

【0087】

続いて、ＥＣ３０１は１ロットずつＭＣ６０に実行指示を送信する。ＭＣ６０は、１ロットの実行指示を受け付ける（Ｓ２）。ＥＣ３０１は各ロットの実行指示をＭＣ６０に送信した時刻、又は、ＭＣ６０が１ロットの実行指示を受け付けた時刻を（ＭＣ６０がＥＣ３０１に実行指示を受け付けた旨を送信した時刻）、時刻２として記録（保存）する。

【0088】

ＭＣ６０は１ロット分のウェハＷのチャージを開始する（Ｓ３）。チャージが終了すると（処理容器内の状態が工程に適した状態になると）、ＭＣ６０が、チャージが終了した旨をＥＣ３０１に送信する。ＥＣ３０１はＭＣ６０にプロセスレシピの開始を指示し、ＭＣ６０はプロセスレシピの実行を開始する（Ｓ４）。ＭＣ６０はプロセスレシピを開始した旨をＥＣ３０１に送信する。これによって、ＥＣ３０１はプロセスレシピの処理開始時刻を時刻３として記録（保存）する。ＭＣ６０はＥＣ３０１にチャージが終了した旨をＥＣ３０１に送信することなく、プロセスレシピを開始してもよい。

【0089】

ＭＣ６０はプロセスレシピに基づいて基板処理を実行する。１ロットのプロセス（基板処理）が終了すると（Ｓ５のＹｅｓ）、ＭＣ６０はプロセスレシピが終了した旨をＥＣ３０１に送信する。ＥＣ３０１はプロセスの処理終了時刻を時刻４として記録（保存）する（Ｓ６）。

【0090】

ＥＣ３０１はＭＣ６０にディスチャージの開始を指示し、ＭＣ６０はクーリング等を行い、１ロットのウェハＷをディスチャージして１ロットの処理（１つのジョブ）を終了する（Ｓ７）。ＭＣ６０は１ロットの処理が終了した旨をＥＣ３０１に送信する。ＥＣ３０１は１ロットが終了した時刻５を記録（保存）する。

【0091】

ＥＣ３０１は１ロット分の処理が終了するごとに、Ｎロット全ての処理が終了したか否かを判断する（Ｓ８）。Ｎロットの処理が残っている場合は、ＥＣ３０１はステップＳ２から処理を実行する。

【0092】

Ｎロット全ての処理が終了した場合、ＥＣ３０１はＮロットの処理が終了した時刻６を記録（保存）する（Ｓ９）。

【0093】

以上で、Ｎロット分について時刻１～６が記録される。ＥＣ３０１は次のＮロットについても同様に時刻１～６を記録する。なお、時刻３，４は第１履歴情報の一例であり、時刻２，５は第２履歴情報の一例であり、時刻１，６は第３履歴情報の一例である。

【0094】

そして、ユーザーがログ画面を表示した場合、ＥＣ３０１は３つのアイドル時間（ユーザー操作に応じて０個から３つのアイドル時間）を表示する。図８は、ＥＣ３０１がアイドル時間を表示する表示方法を説明するフローチャート図の一例である。

【0095】

ユーザーはログ画面の表示に際し、ログ画面で表示するアイドル時間の種類を図５の選択画面２０１で設定できる。ＥＣ３０１は表示するアイドル時間の種類の選択を受け付ける（Ｓ１１）。ユーザーがアイドル時間の種類を設定しない場合、デフォルトのアイドル時間が表示されてよい。そして、ユーザーはログ画面２１０の表示をＥＣ３０１に指示する。

【0096】

以下では、３つのアイドル時間をＥＣ３０１がユーザーインターフェース５０１に表示する場合を説明する。

【0097】

ＥＣ３０１は、各プロセスの時刻４から、次のロットにおけるプロセスの時刻３を減じた値を、プロセスレシピ実行間のアイドル時間として表示する（Ｓ１２）。

【0098】

また、ＥＣ３０１は、各ロットの時刻５から、次のロットの時刻２を減じた値を、１ロット分のジョブ間のアイドル時間として表示する（Ｓ１３）。

【0099】

また、ＥＣ３０１は、Ｎロットの時刻６から、次のＮロットの時刻１を減じた値を、Ｎロット分の複数ジョブ間のアイドル時間として表示する（Ｓ１４）。

【0100】

このような処理により、ＭＣ６０は３つのアイドル時間を表示できる。

【0101】

［主な効果］
以上説明したように、本開示のＥＣ３０１は、アイドル時間を表示するので、ユーザーがプラズマ処理装置１００のログを表計算ソフトなどで読み込み、ユーザーがコンピュータ等を操作する必要を低減できる。また、３つの異なるアイドル時間を表示するので、どのアイドル時間が基板品質に影響を与えたのかをユーザーが検討できる。

【0102】

［その他］
以上、プラズマ処理装置１００を上記実施形態により説明したが、本開示にかかるプラズマ処理装置１００は上記実施形態に限定されるものではなく、本開示の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。

【0103】

本開示では、ウェハＷを挙げて説明したが、プラズマ処理対象である被処理体は、ウェハＷに限られず、ＬＣＤ(Liquid Crystal Display)、ＦＰＤ(Flat Panel Display)に用いられる各種基板等であっても良い。

【0104】

また、本開示ではＥＣ３０１がログを記録する例を説明したが、ＭＣ６０が一部又は全てのログを記録してもよい。

【符号の説明】

【0105】

１ 処理容器
６０ 制御部
１００ プラズマ処理装置
３０１ ＥＣ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】