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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-02-26
(45)【発行日】2025-03-06
(54)【発明の名称】プロセスキットの中心合わせ測定のための方法及び装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/68 20060101AFI20250227BHJP
H01L 21/66 20060101ALI20250227BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 F
H01L21/66 D
【請求項の数】
14
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2023085019
(22)【出願日】2023-05-24
(62)【分割の表示】P 2021503140の分割
【原出願日】2019-07-31
(65)【公開番号】P2023120199
(43)【公開日】2023-08-29
【審査請求日】2023-06-19
(31)【優先権主張番号】16/121,183
(32)【優先日】2018-09-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ポッター， チャールズ ジー．
(72)【発明者】
【氏名】モー， イーライ
【審査官】湯川 洋介
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１７－００３５５７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－２７９０８１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－２２８７５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－０９９８３９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－１７３６０７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１３－５１６６０２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／６８
Ｈ０１Ｌ ２１／６６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の表面、前記第１の表面の反対側の第２の表面、及び前記第１の表面と前記第２の表面との間の端面を含む、基板と、前記端面に沿って第１の間隔で配置された複数のセンサであって、各センサが自己参照容量センサであり、各センサは、前記第１の間隔よりも狭い第２の間隔を置いて互いに隣接する第１のプローブと第２のプローブとを備え、前記第１のプローブの出力位相が、前記第２のプローブの出力位相から１８０度オフセットされている、複数のセンサと
を備える、センサウエハ。
【請求項2】
前記複数のセンサは、少なくとも３つのセンサを含む、請求項１に記載のセンサウエハ。
【請求項3】
各センサに近接する前記基板の前記第１の表面の中に凹部を更に備える、請求項１に記載のセンサウエハ。
【請求項4】
前記凹部は、前記端面から少なくとも１．０mm後方に延在する、請求項３に記載のセンサウエハ。
【請求項5】
前記基板の前記第２の表面に複数の第２のセンサを更に備える、請求項１に記載のセンサウエハ。
【請求項6】
前記第２のセンサは、前記第２の表面から凹んでいる、請求項５に記載のセンサウエハ。
【請求項7】
前記複数のセンサのそれぞれの下方に電界ガードを更に備える、請求項１に記載のセンサウエハ。
【請求項8】
前記複数のセンサに通信可能に結合された計算モジュールを更に備える、請求項１に記載のセンサウエハ。
【請求項9】
前記計算モジュールが、電源、プロセッサ、メモリ及び無線通信モジュールのうちの、１以上を備える、請求項８に記載のセンサウエハ。
【請求項10】
前記基板が３００ｍｍの直径を有する、請求項１に記載のセンサウエハ。
【請求項11】
チャンバ内のプロセスキットの位置を特定する方法であって、プロセスキットをチャンバの中で支持面の周りに配置すること、
センサウエハを前記支持面上に配置することであって、前記センサウエハは基板を備え、前記基板は、第１の表面、前記第１の表面の反対側の第２の表面、及び前記第１の表面と前記第２の表面との間の端面を含み、前記センサウエハは、前記端面に沿って第１の間隔で配置された複数のセンサを更に備え、各センサは自己参照容量センサであり、前記自己参照容量センサは、前記第１の間隔よりも狭い第２の間隔を置いて互いに隣接する第１のプローブと第２のプローブとを備え、前記第１のプローブの出力位相が、前記第２のプローブの出力位相から１８０度オフセットされている、センサウエハを前記支持面上に配置することと、
前記複数のセンサのそれぞれと前記プロセスキットの表面との間の間隙距離を特定することと、
前記間隙距離から、前記センサウエハの中心点に対する前記プロセスキットの中心点の第１の中心点オフセットを特定することと
を含む、方法。
【請求項12】
前記支持面の中心点に対する前記センサウエハの前記中心点のオフセットである、第２の中心点オフセットを特定することを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
前記センサウエハの前記第１の表面にある第２のセンサを使用して、前記第２の中心点オフセットを特定する、請求項１２に記載の方法。
【請求項14】
前記第２の中心点オフセットに前記第１の中心点オフセットを加算することによって、総オフセットを特定することを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年９月４日に出願された米国非仮出願第16/121,183号の優先権を主張し、その全内容は、参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０１８年９月４日に出願された米国非仮出願第16/121,183号の優先権を主張し、その全内容は、参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
実施形態は、半導体製造の分野に関し、特に、プロセスキットの中心合わせ（centering）測定のための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【0003】
半導体ウエハのような基板の処理では、基板が、処理チャンバ内の支持面（例えば、静電チャック（ESC））上に配置される。典型的には、基板処理中に所望の処理特性を提供するために、支持面の周りにプロセスキットが配置される。支持面やプロセスキットが、プロセスキットの設置又は取り外し中に損傷を受けないように、プロセスキットは、支持面の周囲に緩く（間隙を有する状態で）適合する。所望の均一性を提供するために、プロセスキットは、基板及び支持面に対して正確に中心合わせされる必要がある。
【0004】
現在、プロセスキットは手動で設置されている。したがって、プロセスキットの中心合わせは、現在、人為的な誤差の影響を受け易い。手動で設置した後に、エッチング速度試験又は粒子試験などの様々な試験を実施して、プロセスキットが適切に中心合わせされていることを確認してもよい。しかし、このような試験は費用がかかり、完了するのに何時間もかかることがある。更に、プロセスキットが中心外れ（off-center）していることが判明した場合、ポンプダウンの直後に中心合わせを確認できる場合に比べて、回復の時間が著しく長くなる。
【発明の概要】
【0005】
本明細書で開示される実施形態は、センサウエハを含む。一実施形態では、センサウエハが、基板を備え、基板は、第１の表面、第１の表面の反対側の第２の表面、及び第１の表面と第２の表面との間の端面を含む。一実施形態では、センサウエハが、端面に沿って形成された複数のセンサ領域を更に備え、各センサ領域は、自己参照容量センサ（self-referencing capacitive sensor）を備える。
【0006】
本明細書で開示される実施形態はまた、チャンバ内のプロセスキットの位置を特定する方法も含み得る。一実施形態では、該方法が、プロセスキットをチャンバの中で支持面の周りに配置することを含む。一実施形態では、該方法が、センサウエハを支持面上に配置することを更に含んでよく、センサウエハは、支持面によって支持される第１の表面、第１の表面の反対側の第２の表面、及び第１の表面を第２の表面に接続する端面を含み、複数のセンサ領域が端面に形成されている。一実施形態では、該方法が、複数のセンサ領域のそれぞれとプロセスキットの表面との間の間隙距離を特定することを更に含み得る。一実施形態では、該方法が、間隙距離から、センサウエハの中心点に対するプロセスキットの中心点の中心点オフセットを特定することを更に含み得る。
【0007】
本明細書で開示される実施形態はまた、チャンバ内のプロセスキットの位置を特定する方法を含んでもよい。一実施形態では、該方法が、プロセスキットをチャンバの中で支持面の周りに配置することを含む。一実施形態では、該方法は、センサウエハを支持面上に配置することを更に含み、センサウエハは、支持面によって支持される第１の表面、第１の表面の反対側の第２の表面、及び第１の表面を第２の表面に接続する端面を含み、第１の複数のセンサ領域が端面に形成され、第２の複数のセンサ領域が第１の表面に形成されている。一実施形態では、該方法が、複数の第１のセンサ領域のそれぞれとプロセスキットの表面との間の間隙距離を特定することを更に含む。一実施形態では、該方法が、間隙距離から第１の中心点オフセットを特定することを更に含み、第１の中心点オフセットは、センサウエハの中心点に対するプロセスキットの中心点のオフセットである。一実施形態では、該方法が、複数の第２のセンサ領域を用いて、支持面の複数の縁部位置を特定することを更に含む。一実施形態では、該方法が、複数の縁部位置を用いて、第２の中心点オフセットを特定することを更に含み、第２の中心点オフセットは、センサウエハの中心点に対する支持面の中心点のオフセットである。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】一実施形態による、プロセスキットのオフセットを測定するためのセンサウエハを有する処理ツールの断面概略図である。
【図2】一実施形態による、縁部センサを有するセンサウエハの平面図である。
【図3】一実施形態による、縁部センサを有するセンサウエハの斜視図である。
【図4A】一実施形態による、縁部センサを有するセンサウエハの部分断面図である。
【図4B】一実施形態による、縁部センサ及び電界ガードを有するセンサウエハの部分断面図である。
【図4C】一実施形態による、縁部センサ及び上面凹部を有するセンサウエハの部分断面図である。
【図5】一実施形態による、支持面の中心に対するプロセスキットのオフセットを測定するためのセンサウエハを有する処理ツールの断面概略図である。
【図6A】一実施形態による、支持面の中心に対するセンサウエハの位置を測定するためのセンサ領域と、プロセスキットの位置を測定するための縁部センサ領域とを有する、センサウエハの下面の平面図の例示である。
【図6B】一実施形態による、下部センサ領域を有するセンサウエハの部分断面図である。
【図7】一実施形態による、プロセスツール、及び支持面の中心に対するプロセスキットのオフセットを特定するための配置コントローラの概略図である。
【図8】一実施形態による、センサウエハに対するプロセスキットのオフセットを特定するためのプロセスのフロー図である。
【図9】一実施形態による、支持面の中心に対するプロセスキットのオフセットを特定するためのプロセスのフロー図である。
【図10】一実施形態による、支持面の中心に対するプロセスキットのオフセットを特定することを含むプロセスと併せて使用され得る、例示的なコンピュータシステムのブロック図を示す。
【発明を実施するための形態】
【0009】
縁部センサを有するセンサウエハを含むシステム、及び、そのようなセンサウエハを使用して、プロセスキットの中心合わせ測定を行う方法が、様々な実施形態に従って説明される。以下の説明では、実施形態の網羅的な理解を提供するために多数の具体的な詳細事項が明記される。実施形態は、これらの具体的な詳細がなくとも実践可能であることが、当業者には明らかになろう。他の事例では、実施形態が不必要に不明瞭にならないように、周知の態様については詳細に説明していない。更に、添付の図に示す様々な実施形態は、例示的な表現であり、必ずしも縮尺どおりには描かれていないことを理解されたい。
【0010】
上述されたように、プロセスキットは、現在、手動で処理ツール内に設置及び中心合わせされる。プロセスキットが基板に対して適切に中心合わせされていることを確認するために、複数の基板が処理ツール内で処理されて、エッチング速度をモニタし及び／又は粒子試験を実行する。多くの基板が処理された後にのみ、プロセスキットが適切に中心合わせされていることを確認できる。このプロセスでは、処理ツールのための休止時間（down time）が何時間もかかり、費用も高い。
【0011】
したがって、本明細書で開示される実施形態は、プロセスキットのオフセットを直接的に測定することができるセンサウエハを含む。したがって、プロセスキットが所望の許容範囲内に中心合わせされていることを確認するために、単一の試験手順が、処理ツールのポンプダウン後に実施されてもよい。プロセスキットの位置が所望の許容範囲外であることが判明した場合、広範な試験を必要とせずにプロセスキットを調整することができる。したがって、本明細書で開示される実施形態は、プロセスキットの中心合わせの精度が改善され得るので、処理ツールの休止時間の低減をもたらし、処理ツールによって実施されるプロセスの均一性を改善する。
【0012】
次に、図１を参照すると、一実施形態による、処理ツール１００の概略断面図が示されている。一実施形態では、処理ツール１００が、処理ツール１００内で処理される基板を支持するための支持面１０５を備え得る。支持面１０５は、静電チャック（ESC）などの任意の適切な支持面１０５であってよい。一実施形態では、プロセスキット１２５を支持面１０５の周囲に配置することができる。例えば、プロセスキット１２５は、支持面１２５を完全に取り囲むリングであってもよい。
【0013】
プロセスキット１２５は、支持面１０５の周囲に緩く（間隙を有する状態で）適合し得る。図示されているように、プロセスキット１２５の最内面１２３は、支持面１０５の最外面１０３の直径よりも大きい直径を有し得る。表面１０３と表面１２３は互いに直接接触していないので、プロセスキット１２５が支持面１０５から中心外れする余地がある。
【0014】
図１で示されているように、センサウエハ１１０を使用して、プロセスキット１２５が中心外れしているかどうかを測定することができる。一実施形態では、センサウエハ１１０が、製造ウエハと実質的に同じ寸法を有してよい。例えば、センサウエハ１１０は、標準ウエハ直径（例えば３００mmなど）である直径を有してよい。図１では、センサウエハ１１０が、プロセスキット１２５に対して不均一に離間する縁部を有する。例えば、図１の左側の間隙G1は、図１の右側の間隙G2よりも小さい。不均一な間隙G1及びG2は、プロセスキット１２５の中心線１２０がセンサウエハ１１０の中心線１１５から距離Dだけオフセットされていることをもたらす。図１では、センサウエハの中心線１１５が、支持面１０５の中心に位置合わせされているが、実施形態は、このような構成に限定されない。後述する図５は、センサウエハの中心線１１５が支持面１０５の中心と位置合わせされていない状況を説明する。
【0015】
一実施形態では、オフセット距離Dが、センサウエハ１１０の縁部とプロセスキット１２５の表面との間の間隙Gを、複数の箇所で測定することによって特定されてよい。特定の実施形態では、間隙Gが、センサウエハ１１０の縁部に形成された複数のセンサ領域で測定される。図２～図４Ｃは、様々な実施形態による、縁部センサ領域を有するセンサウエハ１１０の例示的な図を提供する。
【0016】
次に図２を参照すると、一実施形態による、複数の縁部センサ領域２３５１～２３５ｎを有するセンサウエハ２１０の平面図の例示が示されている。一実施形態では、縁部センサ領域２３５が、センサウエハ２１０の周囲に分散される。各センサ領域２３５は、センサウエハ２１０の縁部とセンサウエハ２１０を取り囲むプロセスキット（図示せず）との間の間隙を測定するために使用される１以上のセンサを備える。縁部センサ領域２３５内の１以上のセンサは、容量センサであってよい。特定の実施形態では、縁部センサ領域２３５が、自己参照容量センサ（self-referencing capacitive sensor）を備えてよい。
【0017】
図示されている実施形態では、３つの縁部センサ領域２３５が示されている。しかし、３つ以上の縁部センサ領域２３５を使用して、センサウエハ２１０の中心に対するプロセスキットの中心のオフセットを測定してもよいことが理解されるべきである。より多くの縁部センサ領域２３５を提供することが、より正確な測定を提供するであろうことを、当業者は認識するであろう。
【0018】
一実施形態では、縁部センサ領域２３５のそれぞれが、トレース２３７を用いてセンサウエハ２１０の計算モジュール２３８と通信可能に結合されてよい。一実施形態では、計算モジュール２３８が、電源２３２（例えばバッテリ）、プロセッサ／メモリ２３４（例えば、縁部センサ領域２３５を用いて行われる測定を実施及び／又は記憶するための回路、メモリなど）、並びに無線通信モジュール２３３（例えば、Bluetooth、WiFiなど）のうちの１以上を備えてよい。一実施形態では、計算モジュール２３８が、センサウエハ２１０内に嵌め込まれてよい。加えて、計算モジュール２３８は、センサウエハ２１０の中央に示されているが、センサウエハ２１０内の任意の好都合な箇所に位置付けられてもよいことが理解されるべきである。
【0019】
次に図３を参照すると、一実施形態による、例示的な縁部センサ領域３３５の詳細を強調したセンサウエハ３１０の斜視図の例示が示されている。一実施形態では、センサウエハ３１０が、第１の表面３１１（例えば上面）、第２の表面３１３（例えば下面）、及び第１の表面３１１を第２の表面３１３に接続する端面３１２を含んでよい。一実施形態では、縁部センサ領域３３５が、端面３１２に沿って形成されてよい。
【0020】
特定の一実施形態では、縁部センサ領域３３５が、プローブ３４１を備えてよい。プローブ３４１（すなわち、各縁部センサ領域内のプローブ）は、自己参照容量プローブ（self-referencing capacitive probe）であってよい。すなわち、第１の縁部センサ領域３３５内の第１のプローブ３４１に供給される電流の出力位相は、隣の第２の縁部センサ領域３３５内の第２のプローブ３４１に供給される電流の出力位相から１８０度オフセットされてよい。したがって、端面３１２からプロセスキット（図示せず）の表面までの距離の測定を、プロセスキットが接地されることを必要とせずに行える。図示されている実施形態では、縁部センサ領域３３５が、単一のプローブを有するように示されている。しかし、幾つかの実施形態では、各縁部センサ領域３３５が、２つ以上のプローブ３４１を備えてよい。本明細書では、特に自己参照容量センサに言及するが、本明細書で開示される実施形態は、任意の適切なセンサ技術（例えば、レーザーセンサ、光センサなど）を含むことが理解されるべきである。
【0021】
次に図４Ａ～図４Ｃを参照すると、様々な実施形態による、センサウエハ４１０の例示的な部分断面図が示されている。図４Ａでは、部分断面図が、縁部表面４１２と実質的に同一平面にあるセンサ領域４３５を描いている。一実施形態では、センサ領域４３５が、端面４１２から電界４４９を放出し、その結果、センサは、端面４１２とプロセスキットの表面との間の間隙を測定し得る。
【0022】
次に図４Ｂを参照すると、一実施形態による、電界ガード４４７を有するセンサウエハ４１０の部分断面図が示されている。一実施形態では、電界ガード４４７が、センサウエハ４１０の下面４１３と縁部センサ領域４３５との間に形成された導電層であってもよい。縁部センサ領域４３５の電界４４９は、電界ガード４４７によって修正されてもよい。特に、電界ガード４４７は、縁部センサ領域４３５の電界４４９を修正して、電界４４９が、端面４１２からプロセスキットに向けて側方に延びるようにしてもよい。したがって、電界ガード４４７は、縁部センサ領域４３５内のセンサが、誤った読み取り値を提供し得るセンサウエハ４１０の下方の物体を検出するのを防止する。
【0023】
次に図４Ｃを参照すると、一実施形態による、上面凹部４４８を有するセンサウエハ４１０の部分断面図が示されている。一実施形態では、上面凹部４４８を、センサ領域４３５に直接的に隣接した第１の表面４１１の中に形成することができる。上面凹部４４８は、センサ領域４３５のセンサが、上面４１１を検知し、誤った読み取り値を提供するのを防止するように作製されてよい。一実施形態では、上面凹部４４８が、距離Rだけ後方に延在してもよい。例えば、距離Rは、縁部検知領域４３５の最大検知距離と近似的に等しくてもよい。例えば、距離Rは、２．０mm以下であってもよい。
【0024】
次に、図５を参照すると、一実施形態による、処理ツール５００の断面概略図が示されている。処理ツール５００は、センサウエハ５１０が、支持面５０５の中心点５５５に対するプロセスキット５２５の中心点５２０のオフセットを特定する機能を提供することを除いて、図１に関して上述された処理ツール１００と実質的に同様であってよい。
【0025】
そのような一実施形態では、センサウエハ５１０を使用して、第１のオフセットD1及び第２のオフセットD2を測定することができる。第１のオフセットD1は、プロセスキット５２５の中心線５２０に対するセンサウエハ５１０の中心線５１５のオフセットである。第１のオフセットD1は、センサウエハ５１０の縁部とプロセスキット５２５の表面との間の間隙（例えば、G1／G2）を、縁部センサで測定することによって特定されてもよい。第２のオフセットD2は、支持面５０５の中心線５５５に対するセンサウエハ５１０の中心線５１５のオフセットである。第２のオフセットD2は、下部対向センサを用いて、支持面５０５の端面５０３の縁部位置５０１を検出することによって特定されてもよい。一実施形態では、オフセットD1及びD2が、支持面５０５の中心線に対するプロセスキット５２５の中心線の総オフセットD3を計算するために共に加算されてもよい。
【0026】
次に図６Ａを参照すると、一実施形態による、縁部センサ領域６３５１～６３５ｎ及び下部センサ領域６６５１～６６５ｎを有するセンサウエハ６１０の下面の平面図の例示が示されている。センサウエハ２１０と同様に、センサウエハ６１０は、電源６３２、プロセッサ／メモリ６３８、及び無線通信モジュール６３３のうちの１以上を収容する計算モジュール６３８を備えてよい。計算モジュール６３８は、導電性トレース６３７によって、縁部センサ領域６３５及び下部センサ領域６６５と通信可能に結合されてもよい。
【0027】
一実施形態では、縁部センサ領域６３５１～６３５ｎが、上述の縁部センサ領域２３５と実質的に同様であってよい。一実施形態では、下部センサ領域６６５１～６６５ｎが、それぞれ、支持面の縁部を検出するように構成された複数のセンサ（例えば容量センサ）を含んでもよい。センサウエハ６１０に対して複数の箇所（例えば３つ以上の箇所）で支持面の縁部を位置特定することによって、センサウエハ６１０の中心点に対する支持面の中心点を特定することができる。
【0028】
次に図６Ｂを参照すると、一実施形態による、センサウエハ６１０の部分断面図、及び支持面６０５の一部分が示されている。図示されているように、下部センサ領域６６５は、支持面６０５に対向する第２の面６１３の凹部に形成されてもよい。一実施形態では、下部センサ領域６６５が、支持面６０５とセンサ領域６６５との間の間隔を特定するセンサ（例えば位置センサ）のアレイを備えてもよい。したがって、位置６０１において、下部センサ領域６６５内のセンサのアレイは、センサ領域６６５によって検出可能な下にある表面が存在しないので、支持面の縁部６０３が存在することを示すだろう。位置６０１の位置は、センサウエハ６１０の中心に対して知られる。そのようにして、３つ以上の位置６０１が特定されると、センサウエハ６１０の中心点に対する支持面６０５の中心点が計算され得る。
【0029】
次に図７を参照すると、一実施形態による、プロセスキット７２５の位置を測定するプロセスを実施するための配置コントローラ７７０を有する処理ツール７９０の概略ブロック図が示されている。一実施形態では、プロセスキット７２５が、処理ツール７９０内で支持面７０５の周りに配置されてよい。例えば、プロセスキット７２５は、処理ツール７９０の内側に手動で設置されてよい。
【0030】
一実施形態では、配置コントローラ７７０が、処理ツール７９０の支持面７０５上にセンサウエハ７１０を配置するように、位置決めロボット７７６に指示命令を提供し得る。センサウエハ７１０は、上述したセンサウエハと同様なセンサウエハであってよい。例えば、センサウエハ７１０は、センサウエハ７１０の縁部とプロセスキット７２５の縁部との間の間隙G1～Gnを測定するための複数の縁部センサ領域を備えてよい。また、センサウエハ７１０は、支持面７０５の縁部位置７０３１～７０３ｎを特定するための複数の下部センサ領域も備えてよい。
【0031】
一実施形態では、センサウエハ７１０からのセンサ情報が、配置コントローラ７７０のセンサインターフェース７７１によって取得され得る。例えば、センサインターフェース７７１は、センサウエハ７１０から（例えば、無線通信モジュールを用いて無線で）センサ情報を受信することができる。配置コントローラ７９０は、ウエハ中心点モジュール７７２内のセンサ情報（例えば、縁部位置７０３１～７０３ｎ）を利用して、支持面７０５の中心点に対するセンサウエハ７１０の中心点を特定することができる。配置コントローラ７９０は、プロセスキット中心点モジュール７７３内のセンサ情報（例えば、間隙G1～Gn）を利用して、プロセスキット７２５の中心点に対するセンサウエハ７１０の中心点を特定することができる。配置コントローラ７７０は、ウエハ中心点モジュール７７２及びプロセスキット中心点モジュール７７３からの結果を使用して、データベース７７５に供給されるオフセット値７７４を生成することができる。オフセット値７７４は、支持面７０５に対するプロセスキット７２５の総オフセットであってもよい。一実施形態では、総オフセット値７７４が所定の閾値を超えると、プロセスキット７２５の位置を再調整する必要があることを示す警告が生成されてよい。例えば、所定の閾値は、２００ミクロン以上、又は１００ミクロン以上であってもよい。
【0032】
次に図８を参照すると、一実施形態による、センサウエハを用いて、プロセスキットの中心点を特定するためのプロセス８８０のフロー図が示されている。
【0033】
一実施形態では、動作８８０が、複数の縁部センサ領域を有するセンサウエハを支持面上に配置することを含む動作８８１で開始する。センサウエハは、本明細書で開示される実施形態に従って説明される任意のセンサウエハであってよい。一実施形態では、センサウエハが、図７に関連して説明した実施形態と同様に、配置コントローラによって制御される位置決めロボットを用いて、支持面上に配置されてよい。
【0034】
一実施形態では、動作８８０が、複数の縁部センサ領域のそれぞれを用いて、センサウエハの縁部とプロセスキットの表面との間の間隙距離を特定することを含む動作８８２で継続してよい。例えば、縁部センサ領域は、自己参照容量センサを備えてよい。縁部センサ領域は、容量センサの電界を修正するために、それらの下方に電界ガードを有してもよい。更なる実施形態は、センサウエハの上面の誤った測定を排除するために、縁部センサ領域に近接する上面凹部を含んでもよい。
【0035】
一実施形態では、動作８８０が、複数の縁部センサ領域からの間隙距離を使用して、センサウエハ中心点に対するプロセスキット中心点の中心点オフセットを特定することを含む動作８８３で継続してよい。一実施形態では、中心点オフセットが、位置決めコントローラによって特定され、データベース内に記憶されてよい。中心点オフセットが所定の閾値より大きいときに、一実施形態では、プロセスキットが再配置されてよい。
【0036】
次に図９を参照すると、一実施形態による、センサウエハを用いて、プロセスキットの中心点を特定するためのプロセス９８０のプロセスフロー図が示されている。
【0037】
一実施形態では、プロセス９８０が、複数の縁部センサ領域及び複数の下部センサ領域を有するセンサウエハを、支持面上に配置することを含む動作９８１で開始する。センサウエハは、本明細書で開示される実施形態に従って説明される任意のセンサウエハであってよい。例えば、センサウエハは、図６Ａで示されているセンサウエハ６１０と同様であってよい。
【0038】
一実施形態では、プロセス９８０が、複数の下部センサ領域を使用して、支持面の複数の縁部位置測定値を特定することを含む動作９８２で継続する。
【0039】
一実施形態では、動作９８０が、複数の縁部位置測定値を使用して、支持面の中心に対するセンサウエハの中心の第１の中心点オフセットを特定することを含む動作９８３で継続してよい。
【0040】
一実施形態では、プロセス９８０が、複数の縁部センサ領域のそれぞれを用いて、センサウエハの縁部とプロセスキットの表面との間の間隙距離を特定することを含む動作９８４で継続してよい。
【0041】
一実施形態では、プロセス９８０が、複数の縁部センサ領域からの間隙距離を使用して、センサウエハ中心点に対するプロセスキット中心点の第２の中心点オフセットを特定することを含む動作９８５で継続してよい
【0042】
次に図１０を参照すると、一実施形態による、処理ツールの例示的なコンピュータシステム１０６０のブロック図が示されている。一実施形態では、コンピュータシステム１０６０を配置コントローラとして使用することができる。一実施形態では、コンピュータシステム１０６０が、処理ツールに結合され、処理ツール内の処理を制御する。コンピュータシステム１０６０は、ネットワーク１０６１（例えば、ローカルエリアネットワーク（LAN：Local Area Network）、イントラネット、エクストラネット、又はインターネット）において、他のマシンに接続され（例えばネットワーク化され）得る。コンピュータシステム１０６０は、クライアント‐サーバネットワーク環境内でサーバ又はクライアントマシンの役割で、或いは、ピアツーピア（又は分散）ネットワーク環境内でピアマシンとして動作してよい。コンピュータシステム１０６０は、パーソナルコンピュータ（PC：personal computer）、タブレットPC、セットトップボックス（STB：set-top box）、パーソナルデジタルアシスタント（PDA：Personal Digital Assistant）、携帯電話、ウェブアプライアンス、サーバ、ネットワークルータ、スイッチ若しくはブリッジ、又は、そのマシンによって行われる動作を特定する（連続した又は別様な）指示命令のセットを実行可能な任意のマシンであり得る。更に、コンピュータシステム１０６０として単一のマシンのみを示しているが、用語「マシン」は、本明細書に記載の方法のうちの任意の１以上を実施するために、指示命令のセット（又は複数のセット）を個々に、又は連携的に実行するマシン（例えば、コンピュータ）の任意の集合体を含むとも解釈すべきである。
【0043】
コンピュータシステム１０６０は、指示命令が記憶された非一過性のマシン読取り可能な媒体を有するコンピュータプログラム製品、又はソフトウェア１０２２を含んでよく、これらの指示命令は、実施形態に係る処理を実施するコンピュータシステム１０６０（又は他の電子機器）をプログラムするために使用され得る。マシン可読媒体は、マシン（例えば、コンピュータ）によって可読な形態で情報を保存又は伝送するための任意の機構を含む。例えば、マシン読取可能（例えばコンピュータ読取可能）な媒体は、マシン（例えばコンピュータ）読取可能な記憶媒体（例えば、読み出し専用メモリ（ROM：read only memory）、ランダムアクセスメモリ（RAM：random access memory）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイスなど）、マシン（例えばコンピュータ）読取可能な伝送媒体（電気的形態、光学的形態、音響的形態、又はその他の形態による伝播信号（例えば赤外線信号、デジタル信号など））などを含む。
【0044】
一実施形態では、コンピュータシステム１０６０が、バス１０３０を介して互いに通信し合う、システムプロセッサ１００２、メインメモリ１００４（例えば、読み出し専用メモリ（ROM）、フラッシュメモリ、シンクロナスDRAM（SDRAM：synchronous DRAM）又はランバスDRAM（RDRAM：Rambus DRAM）などのダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM：dynamic random access memory））、スタティックメモリ１００６（例えば、フラッシュメモリ、スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM：static random access memory）など）、及び二次メモリ１０１８（例えば、データ記憶装置）を含む。
【0045】
システムプロセッサ１００２は、マイクロシステムプロセッサ、中央処理ユニットなどの１以上の汎用処理装置を表す。より詳細には、システムプロセッサは、複合指示命令セット演算（CISC：complex instruction set computing）マイクロシステムプロセッサ、縮小命令セット演算（RISC：reduced instruction set computing）マイクロシステムプロセッサ、超長命令語（VLIW：very long instruction word）マイクロシステムプロセッサ、他の指示命令セットを実行するシステムプロセッサ、又は、指示命令セットの組み合わせを実行するシステムプロセッサであり得る。システムプロセッサ１００２は、特定用途向け集積回路（ASIC：application specific integrated circuit）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGA：field programmable gate array）、デジタル信号システムプロセッサ（DSP：digital signal system processor）、ネットワークシステムプロセッサといった、１以上の特殊用途処理装置でもあり得る。システムプロセッサ１００２は、本明細書に記載の動作を実行するための処理ロジック１０２６を実施するように構成されている。
【0046】
コンピュータシステム１０６０は、他の装置又はマシンと通信するためのシステムネットワークインタフェース装置１００８を更に含み得る。コンピュータシステム１０６０は、ビデオディスプレイユニット１０１０（例えば、液晶ディスプレイ（LCD：liquid crystal display）、発光ダイオードディスプレイ（LED：light emitting diode）、又は陰極線管（CRT：cathode ray tube））、英数字入力デバイス１０１２（例えばキーボード）、カーソル制御デバイス１０１４（例えばマウス）、及び信号生成デバイス１０１６（例えばスピーカ）も含み得る。
【0047】
二次メモリ１０１８は、本明細書で説明される方法又は機能の任意の１以上を具現化する、１以上の指示命令セット（例えばソフトウェア１０２２）が記憶されたマシンアクセス可能な記憶媒体１０３１（又はより具体的にはコンピュータ読取可能な記憶媒体）を含み得る。このソフトウェア１０２２は、コンピュータシステム１０６０によって実行されている間、完全に又は少なくとも部分的に、メインメモリ１００４及び／又はシステムプロセッサ１００２の中にも常駐していてよく、メインメモリ１００４及びシステムプロセッサ１００２は、マシン可読記憶媒体も構成し得る。このソフトウェア１０２２は更に、システムネットワークインターフェースデバイス１００８を介してネットワーク１０６１を経由して送信又は受信され得る。
【0048】
例示的な一実施形態では、マシンアクセス可能な記憶媒体１０３１を単一の媒体として示しているが、「マシン読取可能な記憶媒体（machine-readable storage medium）」という語は、１以上の指示命令セットが記憶された単一の媒体又は複数の媒体（例えば、集中データベース若しくは分散データベース、及び／又は、関連キャッシュ及びサーバ）を含むと解釈すべきである。用語「マシン可読記憶媒体」はまた、マシンによって実施される指示命令のセットを記憶すること又は符号化することが可能であり、且つ、方法のうちの任意の１以上をマシンに実施させる任意の媒体を含むとも解釈すべきである。従って、「マシン可読記憶媒体」という用語は、固体メモリ、光媒体、及び磁気媒体を含むがそれらに限定されないと解釈すべきである。
【0049】
前述の明細書において、特定の例示の実施形態を説明してきた。以下の特許請求の範囲から逸脱しない限り、例示の実施形態に様々な修正を加えることができることが明らかになろう。したがって、本明細書及び図面を限定的と捉えるのではなく、例として見なすべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】