特許 7647483 電子ビーム検査装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-03-10

(45)【発行日】2025-03-18

(54)【発明の名称】電子ビーム検査装置

(51)【国際特許分類】

   H01J 37/20 20060101AFI20250311BHJP

   H01J 37/28 20060101ALI20250311BHJP

   H01J 37/147 20060101ALI20250311BHJP

   H01L 21/66 20060101ALI20250311BHJP

【ＦＩ】

H01J37/20 A

H01J37/28 B

H01J37/147 B

H01L21/66 J

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2021168233

(22)【出願日】2021-10-13

(65)【公開番号】P2023058299

(43)【公開日】2023-04-25

【審査請求日】2024-07-10

(73)【特許権者】

【識別番号】504162958

【氏名又は名称】株式会社ニューフレアテクノロジー

(74)【代理人】

【識別番号】100086911

【弁理士】

【氏名又は名称】重野 剛

(74)【代理人】

【識別番号】100144967

【弁理士】

【氏名又は名称】重野 隆之

(72)【発明者】

【氏名】安藤 厚司

(72)【発明者】

【氏名】村田 貴比呂

【審査官】右▲高▼ 孝幸

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１５－１８５５２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２７２５８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－８５８３８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｊ ３７／００

Ｈ０１Ｌ ２１／６６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に１次電子ビームを照射する光学系と、
前記１次電子ビームが前記基板に照射されたことに起因して放出される２次電子ビームを前記１次電子ビームから分離するビームセパレータと、
分離された前記２次電子ビームを検出する検出器と、
前記基板が載置される、移動可能なステージと、
前記ステージ上で前記基板を支持する支持台と、
前記基板に所定の第１電圧を印加する印加部と、
を備え、
前記支持台は、前記基板を下方から支持する複数の支持ピンを有し、
前記支持ピンは、柱状の絶縁体、及び該絶縁体内に設けられた金属膜を含み、
前記金属膜に所定の第２電圧が印加されることを特徴とする、電子ビーム検査装置。

【請求項2】

前記第１電圧と前記第２電圧とは同一である、請求項１に記載の電子ビーム検査装置。

【請求項3】

前記金属膜は前記絶縁体に覆われている、請求項１又は２に記載の電子ビーム検査装置。

【請求項4】

前記金属膜は、前記支持ピンの高さ方向と直交する方向に配置され、
前記支持ピンの側面と前記金属膜の端部との間隔が０．３ｍｍ以上２ｍｍ以下である、請求項３に記載の電子ビーム検査装置。

【請求項5】

前記絶縁体は、上面に凹部が形成された基端体と、下面に凸部が設けられた先端体とを有し、前記凹部と前記凸部とが嵌合されており、
前記凹部の底面と前記凸部の下端面との間に前記金属膜が設けられている、請求項３又は４に記載の電子ビーム検査装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子ビーム検査装置に関する。

【背景技術】

【0002】

ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターンをウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。

【0003】

多大な製造コストのかかるＬＳＩの製造にとって、歩留まりの向上は欠かせない。半導体ウェーハ上に形成されるＬＳＩパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっている。よって、半導体ウェーハ上に転写された超微細パターンの欠陥を検査するパターン検査装置の重要性が増している。

【0004】

パターン欠陥の検査手法としては、半導体ウェーハやリソグラフィマスク等の基板上に形成されているパターンを撮像した測定画像と、設計データ又は基板上の同一パターンを撮像した測定画像とを比較する方法が知られている。例えば、同一基板上の異なる場所の同一パターンを撮像した測定画像データ同士を比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄｉｅ（ダイ－ダイ）検査」や、パターン設計された設計データをベースに設計画像データ（参照画像）を生成して、それとパターンを撮像した測定データとなる測定画像とを比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄａｔａｂａｓｅ（ダイ－データベース）検査」が挙げられる。比較した画像が一致しない場合、パターン欠陥有りと判定される。

【0005】

検査対象の基板上を電子ビームで走査（スキャン）し、電子ビームの照射に伴い基板から放出される２次電子を検出して、パターン像を取得する検査装置の開発が進んでいる。電子ビームを用いた検査装置として、マルチビームを用いた装置の開発も進んでいる。

【0006】

分解能向上のために、電子ビームの加速電圧を上げつつ、検査対象基板に負の電圧（リターディング電圧）を印加して、電子ビームを基板の直前で減速させる手法が知られている。検査対象の基板は、移動可能なステージ上に載置され、複数本の支持ピンに支持されている。

【0007】

従来、リターディング電圧が印加された基板と、支持ピンとの間の空間に電界が集中し、放電が誘発されることがあった。放電が生じると、電子ビームの軌道が変化し、検査精度が劣化するという問題があった。また、大きな放電を生ずると装置を破損するという問題が発生する場合もある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【文献】特開２０００－２２３５４２号公報

【文献】特開２０１３－２３９３８６号公報

【文献】特開２０１５－１８５５２９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

本発明は、リターディング電圧を印加した基板と支持ピンとの間の空間における電界の集中を抑制し、高精度な検査を可能とする電子ビーム検査装置を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明の一態様による電子ビーム検査装置は、基板上に１次電子ビームを照射する光学系と、前記１次電子ビームが前記基板に照射されたことに起因して放出される２次電子ビームを前記１次電子ビームから分離するビームセパレータと、分離された前記２次電子ビームを検出する検出器と、前記基板が載置される、移動可能なステージと、前記ステージ上で前記基板を支持する支持台と、前記基板に所定の第１電圧を印加する印加部と、を備える。前記支持台は、前記基板を下方から支持する複数の支持ピンを有し、前記支持ピンは、柱状の絶縁体、及び該絶縁体内に設けられた金属膜を含み、前記金属膜に所定の第２電圧が印加される。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、リターディング電圧を印加した基板と支持ピンとの間の空間における電界の集中を抑制し、検査を高精度に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の実施形態に係るパターン検査装置の概略構成図である。

【図2】成形アパーチャアレイ基板の平面図である。

【図3】支持台の斜視図である。

【図4】支持ピンの断面図である。

【図5】支持ピンと基板の模式図である。

【図6】比較例による支持ピンと基板の模式図である。

【図7】支持ピンの製造方法を説明する図である。

【図8】支持ピンの断面図である。

【図9】支持ピンの製造方法を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。

【0014】

図１は、本実施形態に係るパターン検査装置１００の概略構成図である。このパターン検査装置１００は、電子ビームによるマルチビームを被検査基板に照射して２次電子像を撮像するものである。

【0015】

図１に示すように、パターン検査装置１００は、画像取得機構１５０、及び制御系回路１６０を備えている。画像取得機構１５０は、電子ビームカラム１０２（電子鏡筒）及び検査室１０３を備えている。電子ビームカラム１０２内には、電子銃２０１、電磁レンズ２０２、成形アパーチャアレイ基板２０３、電磁レンズ２０５、静電レンズ２１０、一括ブランキング偏向器２１２、制限アパーチャ基板２１３、電磁レンズ２０６、電磁レンズ２０７（対物レンズ）、主偏向器２０８、副偏向器２０９、ビームセパレータ２１４、偏向器２１８、電磁レンズ２２４、及びマルチ検出器２２２が配置されている。

【0016】

検査室１０３内には、ＸＹＺ方向に移動可能なステージ１０５が配置される。ステージ１０５上には、検査対象となる基板１０１（試料）が配置される。基板１０１には、露光用マスク基板、及びシリコンウェハ等の半導体基板が含まれる。基板１０１が半導体基板である場合、半導体基板には複数のチップパターン（ウェハダイ）が形成されている。基板１０１が露光用マスク基板である場合、露光用マスク基板には、チップパターンが形成されている。チップパターンは、複数の図形パターンによって構成される。露光用マスク基板に形成されたチップパターンが半導体基板上に複数回露光転写されることで、半導体基板には複数のチップパターン（ウェハダイ）が形成されることになる。

【0017】

基板１０１は、パターン形成面を上側に向けてステージ１０５に配置される。ステージ１０５には、基板１０１の上面（パターン形成面）にリターディング電圧を印加する電圧印加部５０が設けられている。基板１０１は、後述する支持台Ｄ（図３参照）により下方側から支持されている。

【0018】

ステージ１０５上には、検査室１０３の外部に配置されたレーザ測長システム１１１から照射されるレーザ測長用のレーザ光を反射するミラー２１６が配置されている。

【0019】

マルチ検出器２２２は、電子ビームカラム１０２の外部で検出回路１０６に接続される。検出回路１０６は、チップパターンメモリ１２３に接続される。

【0020】

制御系回路１６０では、検査装置１００全体を制御する制御計算機１１０が、バス１２０を介して、位置回路１０７、比較回路１０８、参照画像作成回路１１２、ステージ制御回路１１４、レンズ制御回路１２４、ブランキング制御回路１２６、偏向制御回路１２８、磁気ディスク装置等の記憶装置１０９、モニタ１１７、メモリ１１８、及びプリンタ１１９に接続されている。

【0021】

偏向制御回路１２８は、図示しないＤＡＣ（デジタルアナログ変換）アンプを介して、主偏向器２０８、副偏向器２０９、偏向器２１８に接続される。

【0022】

チップパターンメモリ１２３は、比較回路１０８に接続されている。

【0023】

ステージ１０５は、ステージ制御回路１１４の制御の下に駆動機構１４２により駆動される。ステージ１０５は、水平方向及び回転方向に移動可能である。また、ステージ１０５は、高さ方向に移動可能となっている。

【0024】

レーザ測長システム１１１は、ミラー２１６からの反射光を受光することによって、レーザ干渉法の原理でステージ１０５の位置を測長する。レーザ測長システム１１１により測定されたステージ１０５の移動位置は、位置回路１０７に通知される。

【0025】

電磁レンズ２０２、電磁レンズ２０５、電磁レンズ２０６、電磁レンズ２０７（対物レンズ）、静電レンズ２１０、電磁レンズ２２４、及びビームセパレータ２１４は、レンズ制御回路１２４により制御される。

【0026】

静電レンズ２１０は、例えば中央部が開口した３段以上の電極基板により構成され、中段電極基板が図示しないＤＡＣアンプを介してレンズ制御回路１２４により制御される。静電レンズ２１０の上段及び下段電極基板には、グランド電位が印加される。

【0027】

一括ブランキング偏向器２１２は、２極以上の電極により構成され、電極毎に図示しないＤＡＣアンプを介してブランキング制御回路１２６により制御される。

【0028】

副偏向器２０９は、４極以上の電極により構成され、電極毎にＤＡＣアンプを介して偏向制御回路１２８により制御される。主偏向器２０８は、４極以上の電極により構成され、電極毎にＤＡＣアンプを介して偏向制御回路１２８により制御される。偏向器２１８は、４極以上の電極により構成され、電極毎にＤＡＣアンプを介して偏向制御回路１２８により制御される。

【0029】

電子銃２０１には、図示しない高圧電源回路が接続され、電子銃２０１内の図示しないフィラメント（カソード）と引出電極（アノード）間への高圧電源回路からの加速電圧の印加と共に、別の引出電極（ウェネルト）の電圧の印加と所定の温度のカソードの加熱によって、カソードから放出された電子群が加速させられ、電子ビーム２００となって放出される。

【0030】

図２は、成形アパーチャアレイ基板２０３の構成を示す概念図である。成形アパーチャアレイ基板２０３には、開口部２０３ａがｘ，ｙ方向に所定の配列ピッチで２次元状に形成されている。各開口部２０３ａは、共に同じ寸法形状の矩形又は円形（長円形を含む）である。

【0031】

電子銃２０１（放出源）から放出された電子ビーム２００は、電磁レンズ２０２によって屈折させられ、成形アパーチャアレイ基板２０３全体を照明する。成形アパーチャアレイ基板２０３には、図２に示すように、複数の開口２０３ａが形成され、電子ビーム２００は、複数の開口部２０３ａが含まれる領域を照明する。複数の開口部２０３ａの位置に照射された電子ビーム２００の各一部が、複数の開口部２０３ａをそれぞれ通過することによって、マルチビームＭＢ（マルチ１次電子ビーム）が形成される。

【0032】

マルチビームＭＢは、電磁レンズ２０５及び電磁レンズ２０６によって屈折させられ、結像およびクロスオーバーを繰り返しながら、マルチビームＭＢの各ビームのクロスオーバー位置に配置されたビームセパレータ２１４を通過して電磁レンズ２０７（対物レンズ）に進む。そして、電磁レンズ２０７が、マルチビームＭＢを基板１０１にフォーカスする。電磁レンズ２０７により基板１０１（試料）面上に焦点が合わされた（合焦された）マルチビームＭＢは、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって一括して偏向され、各ビームの基板１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。基板１０１にリターディング電圧（第１電圧）が印加されているため、マルチビームＭＢは基板１０１の直前で減速する。

【0033】

なお、一括ブランキング偏向器２１２によって、マルチビームＭＢ全体が一括して偏向された場合には、制限アパーチャ基板２１３の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ基板２１３によって遮蔽される。一方、一括ブランキング偏向器２１２によって偏向されなかったマルチビームＭＢは、図１に示すように制限アパーチャ基板２１３の中心の穴を通過する。一括ブランキング偏向器２１２のＯＮ／ＯＦＦによって、ブランキング制御が行われ、ビームのＯＮ／ＯＦＦが一括制御される。

【0034】

基板１０１の所望する位置にマルチビームＭＢが照射されると、基板１０１からマルチビームＭＢ（マルチ１次電子ビーム）の各ビームに対応する、反射電子を含む２次電子の束（マルチ２次電子ビーム３００）が放出される。

【0035】

基板１０１から放出されたマルチ２次電子ビーム３００は、電磁レンズ２０７を通って、ビームセパレータ２１４に進む。

【0036】

ビームセパレータ２１４は、マルチビームＭＢの中心ビームが進む方向（軌道中心軸）に直交する面上において電界と磁界を直交する方向に発生させる。電界は電子の進行方向に関わりなく同じ方向に力を及ぼす。これに対して、磁界はフレミング左手の法則に従って力を及ぼす。そのため電子の進入方向によって電子に作用する力の向きを変化させることができる。

【0037】

ビームセパレータ２１４に上側から進入してくるマルチビームＭＢには、電界による力と磁界による力が打ち消し合い、マルチビームＭＢは下方に直進する。これに対して、ビームセパレータ２１４に下側から進入してくるマルチ２次電子ビーム３００には、電界による力と磁界による力がどちらも同じ方向に働き、マルチ２次電子ビーム３００は斜め上方に曲げられ、マルチビームＭＢから分離する。

【0038】

斜め上方に曲げられ、マルチビームＭＢから分離したマルチ２次電子ビーム３００は、偏向器２１８によって偏向され、電磁レンズ２２４によって屈折させられ、マルチ検出器２２２に投影される。図１では、マルチ２次電子ビーム３００の軌道を屈折させずに簡略化して示している。

【0039】

マルチ検出器２２２は、投影されたマルチ２次電子ビーム３００を検出する。マルチ検出器２２２は、例えば図示しないダイオード型の２次元センサを有する。そして、マルチビームＭＢの各ビームに対応するダイオード型の２次元センサ位置において、マルチ２次電子ビーム３００の各２次電子がダイオード型の２次元センサに衝突して、センサ内部で電子を増倍させ、増幅した信号で画素毎に２次電子画像データを生成する。

【0040】

マルチ検出器２２２によって検出された２次電子の検出データ（測定画像：２次電子画像：被検査画像）は、測定順に検出回路１０６に出力される。検出回路１０６内では、図示しないＡ／Ｄ変換器によって、アナログの検出データがデジタルデータに変換され、チップパターンメモリ１２３に格納される。このようにして、画像取得機構１５０は、基板１０１上に形成されたパターンの測定画像を取得する。

【0041】

参照画像作成回路１１２は、基板１０１にパターンを形成する基になった設計データ、又は基板１０１に形成されたパターンの露光イメージデータに定義された設計パターンデータに基づいて、マスクダイ毎に、参照画像を作成する。例えば、記憶装置１０９から制御計算機１１０を通して設計パターンデータを読み出し、読み出された設計パターンデータに定義された各図形パターンを２値ないしは多値のイメージデータに変換する。

【0042】

設計パターンデータに定義される図形は、例えば長方形や三角形を基本図形としたもので、例えば、図形の基準位置における座標（ｘ、ｙ）、辺の長さ、長方形や三角形等の図形種を区別する識別子となる図形コードといった情報で各パターン図形の形、大きさ、位置等を定義した図形データが格納されている。

【0043】

図形データとなる設計パターンデータが参照画像作成回路１１２に入力されると、図形ごとのデータにまで展開し、その図形データの図形形状を示す図形コード、図形寸法などを解釈する。そして、所定の量子化寸法のグリッドを単位とするマス目内に配置されるパターンとして２値ないしは多値の設計パターンの画像データに展開し、出力する。

【0044】

言い換えれば、設計データを読み込み、検査領域を所定の寸法を単位とするマス目として仮想分割してできたマス目毎に設計パターンにおける図形が占める占有率を演算し、ｎビットの占有率データを出力する。例えば、１つのマス目を１画素として設定すると好適である。そして、１画素に１／２^８（＝１／２５６）の分解能を持たせるとすると、画素内に配置されている図形の領域分だけ１／２５６の小領域を割り付けて画素内の占有率を演算する。そして、８ビットの占有率データとして参照画像作成回路１１２に出力する。マス目（検査画素）は、測定データの画素に合わせればよい。

【0045】

次に、参照画像作成回路１１２は、図形のイメージデータである設計パターンの設計画像データに適切なフィルタ処理を施す。測定画像としての光学画像データは、光学系によってフィルタが作用した状態、言い換えれば連続変化するアナログ状態にある。そのため、画像強度（濃淡値）がデジタル値の設計側のイメージデータである設計パターンの画像データにもフィルタ処理を施すことにより、測定データに合わせることができる。作成された参照画像の画像データは比較回路１０８に出力される。

【0046】

比較回路１０８は、基板１０１から測定された測定画像（被検査画像）と、対応する参照画像とを比較する。具体的には、位置合わせされた被検査画像と参照画像とを、画素毎に比較する。所定の判定閾値を用いて所定の判定条件に従って画素毎に両者を比較し、例えば形状欠陥といった欠陥の有無を判定する。例えば、画素毎の階調値差が判定閾値Ｔｈよりも大きければ欠陥候補と判定する。そして、比較結果が出力される。比較結果は、記憶装置１０９やメモリ１１８に格納されてもよいし、モニタ１１７に表示されてもよいし、プリンタ１１９からプリント出力されてもよい。

【0047】

上述したダイ－データベース検査の他に、ダイ－ダイ検査を行っても良い。ダイ－ダイ検査を行う場合、同一基板１０１上の異なる場所の同一パターンを撮像した測定画像データ同士を比較する。そのため、画像取得機構１５０は、マルチビームＭＢ（電子ビーム）を用いて、同じ図形パターン同士（第１と第２の図形パターン）が異なる位置に形成された基板１０１から一方の図形パターン（第１の図形パターン）と他方の図形パターン（第２の図形パターン）のそれぞれの２次電子画像である測定画像を取得する。この場合、取得される一方の図形パターンの測定画像が参照画像となり、他方の図形パターンの測定画像が被検査画像となる。取得される一方の図形パターン（第１の図形パターン）と他方の図形パターン（第２の図形パターン）の画像は、同じチップパターンデータ内にあっても良いし、異なるチップパターンデータに分かれていてもよい。検査の仕方は、ダイ－データベース検査と同様で構わない。

【0048】

次に、図３～図５を用いて、ステージ１０５上で基板１０１を支持する支持台Ｄについて説明する。図３に示すように、支持台Ｄは、平板状の台座１と、台座１から上方に突出した複数の支持ピン２とを有する。例えば、台座１から３本の支持ピン２が突出し、基板１０１を３点支持する。

【0049】

図４に示すように、支持ピン２は、先端（上端）が凸曲面になった円柱状であり、高さ方向の途中部分に金属膜２０が設けられている。例えば、金属膜２０は、高さ方向と直行する方向、言い換えれば台座１の主面（上面）と平行に配置されている。金属膜２０の下面から垂直方向に配線２１が延びており、金属膜２０に任意の電圧が印加できるようになっている。金属膜２０及び配線２１以外、支持台Ｄは絶縁体で構成されている。

【0050】

支持ピン２の直径は５～１５ｍｍ程度、支持ピン２の高さ（台座１の主面から支持ピン２の先端までの高さ）は１５～３０ｍｍ程度である。金属膜２０の台座１の主面からの高さは、支持ピン２の高さの３０％以上程度とすることが好ましい。

【0051】

本実施形態では、図５に示すように、金属膜２０と基板１０１の表面とが同電位となるように、配線２１を介して金属膜２０に電圧（第２電圧）を印加する。金属膜２０への印加電圧は、例えばステージ制御回路１１４により制御される。

【0052】

比較例として、図６に示すように、金属膜を含まず、絶縁体のみで構成された支持ピン３で基板１０１を支持する場合、支持ピン３の先端部と、リターディング電圧が印加されている基板１０１との間の空間に電界が集中し、放電が発生し得る。

【0053】

一方、本実施形態では、支持ピン２の金属膜２０と基板１０１の表面とが同電位となるため、支持ピン２の先端部と基板１０１との間の空間に電界が集中することが抑制され、放電の発生を防止し、高精度な検査が可能となる。

【0054】

支持ピン２は、図７に示すように、先端体２ａと基端体２ｂとを接合することで作製できる。先端体２ａは平坦な円形の底面と、底面の周縁部から立ち上がる側周面と、側周面の上端に連なる凸曲面とを有し、底面に金属膜２０ａが設けられている。

【0055】

基端体２ｂは円柱状であり、上面に金属膜２０ｂが設けられている。また、基端体２ｂの中心軸位置に配線２１が設けられており、配線２１の上部は金属膜２０ｂに接続されている。配線２１の材料には、チタン、銀等を用いることができる。

【0056】

先端体２ａ及び基端体２ｂに使用される絶縁材料としては、サファイア、コージライト、ステアタイト、アルミナ、イットリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、ジルコニア等が挙げられる。

【0057】

先端体２ａの底面、基端体２ｂの上面には、例えば、塗布、蒸着、スパッタリング等により、金属膜２０ａ、２０ｂを形成することができる。金属膜２０ａ、２０ｂは、例えば、銀－銅－チタン合金を用い、ろう付けすることができる。

【0058】

先端体２ａの底面の金属膜２０ａと、基端体２ｂの上面の金属膜２０ｂとを接合することで、先端体２ａと基端体２ｂとが一体化して支持ピン２が作製される。金属膜２０ａ、２０ｂの接合方法は特に限定されず、例えば、公知の耐熱性無機接着剤を用いてもよいし、固相接合や拡散接合によるものでもよい。

【0059】

銀ペースト等の導電性接着剤を用いて、金属膜２０の形成と、先端体２ａと基端体２ｂとの接着とを行ってもよい。

【0060】

図４に示す支持ピン２は、金属膜２０の端部が支持ピン２の側面に露出しているため、支持ピン２の表面（沿面方向）に電界が発生し、放電を生じさせる可能性がある。

【0061】

そのため、図８に示すように、支持ピン２の側面に端部が露出しないように金属膜２２を設けることが好ましい。支持ピン２の側面と金属膜２０との間隔（深さ）ｔは０．３ｍｍ以上２ｍｍ以下が好ましい。

【0062】

金属膜２２と基板１０１の表面とを同電位とすることで、支持ピン２の先端部と基板１０１との間の空間に電界が集中することを抑制すると共に、支持ピン２の表面（沿面方向）に電界が発生することをさらに効果的に抑制できる。そのため、放電の発生を防止し、高精度な検査が可能となる。

【0063】

図８に示す支持ピン２は、例えば、図９に示すような先端体２ｃと基端体２ｄとを接合することで作製できる。

【0064】

先端体２ｃは、円形の底面２５（下面）の中央部に、下方に突出した凸部２４が設けられている。底面２５の周縁から側周面が立ち上がり、側周面の上端に凸曲面が連なっている。凸部２４の先端面（下端面）には、金属膜２２ａが設けられている。

【0065】

基端体２ｄは円柱状であり、上面の中央部に凹部（凹陥部）２６が設けられている。凹部２６の底面には、金属膜２２ｂが設けられている。基端体２ｄの中心軸位置に配線２１が設けられており、配線２１の上部は金属膜２２ｂに接続されている。

【0066】

先端体２ｃの凸部２４と基端体２ｄの凹部２６とを嵌合し、先端体２ｃの底面２５と基端体２ｄの上面２７とを当接させる。先端体２ｃと基端体２ｄとを接合することで、図８に示す構成の支持ピン２が得られる。

【0067】

上記実施形態では、マルチビームを用いた検査装置について説明したが、シングルビームを用いたものであってもよい。

【0068】

支持ピン２の金属膜２０、２２と、基板１０１の表面とを同電位にすることが好ましいが、多少の電位差があっても、図６に示す構成と比較して、支持ピン２と基板１０１との間の空間における電界の集中を抑えることができる。

【0069】

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

【符号の説明】

【0070】

１ 台座
２ 支持ピン
２ａ 先端体
２ｂ 基端体
２０ 金属膜
２１ 配線
１００ パターン検査装置
１０１ 基板
１０５ ステージ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】