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特許7661324リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法、基板テーブル、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、使用方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-04-04
(45)【発行日】2025-04-14
(54)【発明の名称】リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法、基板テーブル、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、使用方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20250407BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20250407BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 521
H01L21/68 N
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2022528623
(86)(22)【出願日】2020-11-20
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-02-06
(86)【国際出願番号】 EP2020082988
(87)【国際公開番号】W WO2021115765
(87)【国際公開日】2021-06-17
【審査請求日】2023-11-17
(31)【優先権主張番号】19214460.8
(32)【優先日】2019-12-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(31)【優先権主張番号】20183998.2
(32)【優先日】2020-07-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(73)【特許権者】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ステウル，マイケル，マリナス，アンナ
(72)【発明者】
【氏名】テン ケイト，ニコラース
(72)【発明者】
【氏名】トロンプ，ジークフリート，アレキサンダー
(72)【発明者】
【氏名】ウィンケルズ，コエン，ゲルハルダス
(72)【発明者】
【氏名】デ グロート，アントニウス，フランシスカス，ヨハネス
【審査官】中尾 太郎
(56)【参考文献】
【文献】特開平１１－１６３１０７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－３１３８９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－２０５８１３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１７－５３３４５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１８－５２１３４４（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１０／０２２０４２５（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０２９２５６６（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１９０５３４（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０３Ｆ ７／２０
Ｈ０１Ｌ ２１／６８３
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
リソグラフィプロセス中に基板を支持するように構成された、基板テーブルであって、基板サポートを備え、前記基板サポートは、
前記基板サポートのベース部材を介して延在する複数のホールと、複数のバール構造とを備え、
各バール構造は、使用中に前記基板サポートによって支持される基板と接するように構成された遠位表面を備え、各バール構造は、前記ベース部材内のホールの少なくとも２つに対する開口を備え、
前記基板テーブルは、前記バール構造のうちの１つ以上の各々において、すべての前記開口を介して外側への流体の流れを提供するように構成される、
基板テーブル。
【請求項2】
各バール構造は、前記バール構造内で前記遠位表面から凹状面へと延在するバール凹所を備え、前記凹状面は、前記ベース部材内の少なくとも２つの前記ホールに対する前記開口を備える、請求項１に記載の基板テーブル。
【請求項3】
１つ以上の前記バール構造の各々は、使用中、支持される基板の面に平行な方向に、前記バール凹所を囲む壁を備え、前記壁の遠位部分は、使用中、前記支持される基板と接する前記遠位表面のすべて又は一部を形成し、及び／又は、前記ベース部材は前記ベース部材内に複数のベース凹所を更に備え、各ベース凹所は、前記ベース部材の反対側の前記バール構造の異なるそれぞれ１つと位置合わせされ、前記位置合わせは、流体の外向き流れが、前記それぞれのバール構造の前記ベース凹所及び前記バール凹所を介した流体の流れを、前記ベース部材内の前記ホールを介して駆動させることによって、提供されるようになり、及び／又は、１つ以上の前記バール構造の各々が、前記バール構造の前記バール凹所内に１つ以上のサブバールを備え、各サブバールは、使用中、前記基板サポートによって支持される前記基板と接触する、前記バール構造の前記遠位表面の一部を形成する、遠位先端を有し、前記一部は、前記バール構造の前記遠位表面のすべてより少なく、及び／又は、少なくとも１つの前記バール構造の各々内の前記開口のアップストリームに多孔質層を更に備え、及び／又は、前記バール構造は前記ベース部材に接合されたバール形成部材内に形成される、請求項２に記載の基板テーブル。
【請求項4】
１つ以上の前記バール構造の各々について、前記ベース部材の面から垂直に見たとき、前記バール凹所内の前記凹状面内へと開口している各ホールの断面積は、前記バール構造と位置合わせされた前記それぞれのベース凹所の断面積よりも小さく、前記バール凹所の断面積よりも小さく、１つ以上の前記バール構造の各々は、使用中、支持される基板の面に平行な方向に、前記バール凹所を囲む壁を備え、前記壁の遠位部分は、使用中、前記支持される基板と接する前記遠位表面の一部を形成し、
前記サブバールの各々の前記遠位先端は、使用中、前記支持される基板の前記面に並行なすべての方向で、前記壁の前記遠位部分から間隔を置いて配置される、
請求項３に記載の基板テーブル。
【請求項5】
前記ベース部材を介して形成される少なくとも１つの前記ホールは、少なくとも１つの前記サブバールを通過する、請求項４に記載の基板テーブル。
【請求項6】
サポートテーブルは、リソグラフィ装置によって実行されるリソグラフィプロセスにおける基板の露光中、前記基板と前記リソグラフィ装置の投影システムとの間に相対運動を提供するように構成される、請求項１から５のいずれかに記載の前記基板テーブルを備えるリソグラフィ装置。
【請求項7】
リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法であって、ベース部材を介して複数のホールを形成すること、
前記ベース部材内に前記ホールが形成された後、バール形成部材を前記ベース部材に接合すること、及び、
前記バール形成部材内に複数のバール構造を形成すること、
を含み、
前記バール構造は、
各バール構造が使用中に前記基板サポートによって支持される基板と接するように構成された遠位表面を備えるように、及び、各バール構造が前記ベース部材を介して形成された前記ホールのうちの少なくとも２つに対する開口を備えるように、
形成される、方法。
【請求項8】
前記バール形成部材が前記ベース部材に接合された後、前記バール形成部材内に前記複数のバール構造が形成され、それによって前記基板サポートを形成し、及び／又は、各バール構造は、前記バール構造内で前記遠位表面から凹状面へと延在するバール凹所を備え、前記凹状面は、前記ベース部材を介して形成される少なくとも２つの前記ホールに対する前記開口を備え、
前記凹状面は前記ベース部材の表面を備える、
請求項７に記載の方法。
【請求項9】
リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法であって、ベース部材を介して複数のホールを形成すること、及び、
前記複数のホールの各々の少なくとも一部が前記ベース部材内に形成された後、
前記ベース部材内に複数のバール構造を形成すること、
を含み、
前記バール構造は、
各バール構造が使用中に支持される基板と接するように構成された遠位表面を備えるように、及び、各バール構造が前記ベース部材を介して形成された前記ホールのうちの少なくとも１つに対する開口を備えるように、
形成される、方法。
【請求項10】
各バール構造は、前記バール構造内で前記遠位表面から凹状面へと延在するバール凹所を備え、前記凹状面は、前記ベース部材を介して形成される少なくとも１つの前記ホールに対する前記開口を備える、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
１つ以上の前記バール構造の各々は、使用中、支持される基板の面に平行な方向に、前記バール凹所を囲む壁を備え、前記壁の遠位部分は、使用中、前記支持される基板と接する前記遠位表面のすべて又は一部を形成し、及び／又は、前記ベース部材内に複数のベース凹所を形成することを更に含み、各ベース凹所は、前記ベース部材の反対側の前記バール構造の異なるそれぞれ１つと位置合わせするように位置決めされ、前記位置合わせは、前記ベース部材を介して形成される１つ以上の前記ホールを介して、前記それぞれのバール構造の前記ベース凹所及び前記バール凹所を通過する流体の流れが、使用中、提供されるようになる、請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
１つ以上の前記バール構造の各々について、前記ベース部材の面から垂直に見たとき、前記バール凹所内の前記凹状面内へと開口している各ホールの断面積は、前記バール構造と位置合わせされた前記それぞれのベース凹所の断面積よりも小さく、前記バール凹所の断面積よりも小さい、請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
前記バール構造は、前記凹状面を形成するために前記バール構造の内側から材料を除去する前に、前記バール構造の外側から材料を除去することによって形成され、及び／又は、１つ以上の前記バール構造の各々の前記凹状面は、前記ベース部材を介して形成される少なくとも２つの前記ホールに対する開口を備え、及び／又は、１つ以上の前記バール構造の各々が、前記バール構造の前記バール凹所内に１つ以上のサブバールを備え、各サブバールは、使用中、前記基板サポートによって支持される前記基板と接触する、前記バール構造の前記遠位表面の一部を形成する、遠位先端を有し、前記一部は、前記バール構造の前記遠位表面のすべてより少なく、及び／又は、前記ベース部材を介して形成される前記ホールの前記内側表面にコーティングを印加することを更に含み、及び／又は、前記基板サポートを基板テーブルに取り付けることを含み、前記基板テーブルは、リソグラフィプロセスにおける前記基板の露光中、前記基板とリソグラフィ装置の投影システムとの間に相対運動を提供するように構成される、請求項１０から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項14】
請求項１１に従属するとき、前記サブバールの各々の前記遠位先端は、使用中、前記支持される基板の前記面に並行なすべての方向で、前記壁の前記遠位部分から間隔を置いて配置され、及び／又は、前記ベース部材を介して形成される少なくとも１つの前記ホールは、少なくとも１つの前記サブバールを通過する、請求項１３に記載の方法。
【請求項15】
前記コーティングは、前記バール構造が位置すべき場所の反対側の前記ベース部材の側面から印加される請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０１９年１２月９日出願の欧州出願第１９２１４４６０．８号及び２０２０年７月３日出願の欧州出願第２０１８３９９８．２号の優先権を主張し、その両方の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0001] 本願は、２０１９年１２月９日出願の欧州出願第１９２１４４６０．８号及び２０２０年７月３日出願の欧州出願第２０１８３９９８．２号の優先権を主張し、その両方の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本発明は、リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法、基板サポートを有する基板テーブル、基板テーブルを有するリソグラフィ装置、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法、及び、基板テーブルを使用する方法に関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] リソグラフィ装置は、基板に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）のパターン（「設計レイアウト」又は「設計」と称されることも多い）を、基板（例えばウェーハ）上に提供された放射感応性材料（レジスト）層に投影し得る。
【0004】
[0004] 半導体製造プロセスが進み続けるにつれ、回路素子の寸法は継続的に縮小されてきたが、その一方で、デバイス毎のトランジスタなどの機能素子の量は、「ムーアの法則」と通称される傾向に従って、数十年にわたり着実に増加している。ムーアの法則に対応するために、半導体産業はますます小さなフィーチャを作り出すことを可能にする技術を追求している。基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を用い得る。この放射の波長が、基板上にパターン形成されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている典型的な波長は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１３．５ｎｍである。
【0005】
[0005] リソグラフィ装置は、放射の投影ビームを提供するための照明システム、及び、パターニングデバイスを支持するための支持構造を含み得る。パターニングデバイスは、投影ビームの断面にパターンを付与するように働き得る。装置は、パターン付きビームを基板のターゲット部分上に投影するための投影システムも含み得る。
【0006】
[0006] リソグラフィ装置において、露光すべき基板（製品基板と呼ばれる場合がある）は、基板テーブル（時には、ウェーハテーブル又は基板ホルダとも呼ばれる）上に保持され得る。基板テーブルは、投影システムに関して移動可能であり得る。基板テーブルの基板対向表面には、複数の突起（バールと呼ばれる）が提供され得る。バールの遠位表面は平坦面に一致し得、基板を支持し得る。バールは、基板テーブル上又は基板上の汚染物質粒子がバール間に落ちる可能性が高いため、基板の変形を生じさせないこと、基板テーブルの表面を平坦にするよりもバール端部が面に一致するようにバールを機械加工する方が容易であること、及び、バールの特性は例えば基板テーブルへの基板のクランプを制御するように調整可能であること、といういくつかの利点を、提供することができる。
【0007】
[0007] 製品基板は、バールと基板との間の摩擦力に起因して歪み得る。これらの相互作用は、潤滑効果を提供するためにバールを介して流体を駆動させることによって減少させることができる。多数のバールを介して均一及び確実に流体を駆動させることは困難であることが証明されている。
【発明の概要】
【0008】
[0008] 本発明の目的は、基板サポートの製造及び／又は性能を向上させることである。
【0009】
[0009] 本発明の一態様に従い、リソグラフィプロセス中に基板を支持するように構成された、基板サポートを備える基板テーブルが提供され、基板サポートは、基板サポートのベース部材を介して延在する複数のホールと、複数のバール構造とを備え、各バール構造は、使用中に基板サポートによって支持される基板と接するように構成された遠位表面を備え、各バール構造は、ベース部材内のホールの少なくとも２つに対する開口を備え、基板テーブルは、バール構造のうちの１つ以上の各々において、すべての開口を介して外側への流体の流れを提供するように構成される。
【0010】
[0010] 更なる態様に従い、リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法が提供され、方法は、ベース部材を介して複数のホールを形成すること、ベース部材内にホールが形成された後、バール形成部材をベース部材に接合すること、及び、バール形成部材がベース部材に接合された後、バール形成部材内に複数のバール構造を形成し、それによって基板サポートを形成することを含み、バール構造は、各バール構造が使用中に基板サポートによって支持される基板と接するように構成された遠位表面を備えるように、及び、各バール構造がベース部材を介して形成されたホールのうちの少なくとも１つに対する開口を備えるように、形成される。
【0011】
[0011] 更なる態様に従い、リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法が提供され、方法は、ベース部材を介して複数のホールを形成すること、ベース部材内にホールが形成された後、バール形成部材をベース部材に接合すること、及び、バール形成部材内に複数のバール構造を形成することを含み、バール構造は、各バール構造が使用中に基板サポートによって支持される基板と接するように構成された遠位表面を備えるように、及び、各バール構造がベース部材を介して形成されたホールのうちの少なくとも１つに対する開口を備えるように、形成される。
【0012】
[0012] 更なる態様に従い、リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法が提供され、方法は、ベース部材を介して複数のホールを形成すること、及び、複数のホールのうちの各々の少なくとも一部がベース部材内に形成された後、複数のバール構造をベース部材内に形成することを含み、バール構造は、各バール構造が使用中に支持される基板と接するように構成された遠位表面を備えるように、及び、各バール構造がベース部材を介して形成されたホールのうちの少なくとも１つに対する開口を備えるように、形成される。
【0013】
[0013] 本発明の更なる実施形態、特徴、及び利点を、添付の図面を参照しながら下記で詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【0014】
[0014] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【0015】
【図1】リソグラフィ装置の概要を概略的に示す図である。
【図2】バール構造を伴う基板サポートを有する基板テーブルを概略的に示す図である。
【図3】基板サポートのバール構造を概略的に示す断面斜視図である。
【図4】サブバールを伴うバール構造を備える基板サポートの一部を示す、概略側断面図である。
【図6】サブバールを通過するホールを有するサブバールを伴うバール構造を備える基板サポートの一部を示す、概略側断面図である。
【図8】バール構造のアップストリームに多孔質層を有する基板サポートの一部を示す、概略側断面図である。
【図9】ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図10】ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図11】ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図12】ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図13】ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図14】ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図15】ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図16】ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図17】ホール及びバール構造が同じベース部材内に形成される、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図18】ホール及びバール構造が同じベース部材内に形成される、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図19】ホール及びバール構造が同じベース部材内に形成される、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図20】ホール及びバール構造が同じベース部材内に形成される、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図21】ホール及びバール構造が同じベース部材内に形成される、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図22】ホール及びバール構造が同じベース部材内に形成される、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図23】バール構造を備える更なる例示の基板サポートの一部を示す、概略側断面図である。
【図24】基板サポートの層状構造の拡大部分を示す差し込み図を伴う、基板テーブルの一部内に形成される凹所内に基板サポートがどのように取り付け可能であるかを示す、概略側断面図である。
【図25】基板サポートのベース部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図26】基板サポートのベース部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図27】基板サポートのベース部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図28】基板サポートのバール形成部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図29】基板サポートのバール形成部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図30】基板サポートのバール形成部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【図31】基板サポートのバール形成部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。
【0016】
[0015] 図に示される特徴は必ずしも一定の縮尺ではなく、示されるサイズ及び／又は配置は限定的ではない。図面は、本発明にとって不可欠ではない可能性のある任意選択の特徴を含むことを理解されよう。
【発明を実施するための形態】
【0017】
[0016] 本文献では、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、波長が４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、１２６ｎｍ、又は１３．５ｎｍの波長）を含む、すべてのタイプの電磁放射を包含するために使用される。
【0018】
[0017] 「レチクル」、「マスク」、又は「パターニングデバイス」という用語は、本文で用いる場合、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応して、入来する放射ビームにパターン付き断面を与えるため使用できる汎用パターニングデバイスを指すものとして広義に解釈され得る。また、この文脈において「ライトバルブ」という用語も使用できる。古典的なマスク（透過型又は反射型マスク、バイナリマスク、位相シフトマスク、ハイブリッドマスク等）以外に、他のそのようなパターニングデバイスの例は、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤアレイを含む。
【0019】
[0018] 図１は、リソグラフィ装置ＬＡを概略的に示す。リソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータとも呼ばれる）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに連結されたマスクサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構築された第２のポジショナＰＷに連結された基板テーブルＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を含む。
【0020】
[0019] 動作中、照明システムＩＬは、例えばビームデリバリシステムＢＤを介して放射源ＳＯから放射ビームを受ける。照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、及び／又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、及び／又はその他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使用して放射ビームＢを調節し、パターニングデバイスＭＡの平面において、その断面にわたって所望の空間及び角度強度分布が得られるようにしてもよい。
【0021】
[0020] 本明細書で用いられる「投影システム」ＰＳという用語は、使用する露光放射、及び／又は液浸液の使用や真空の使用のような他のファクタに合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、アナモルフィック光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム、及び／又は静電気光学システム、又はそれらの任意の組み合わせを含む様々なタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈するべきである。本明細書で「投影レンズ」という用語が使用される場合、これは更に一般的な「投影システム」ＰＳという用語と同義と見なすことができる。
【0022】
[0021] リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間を充填するように、基板Ｗの少なくとも一部を例えば水のような比較的高い屈折率を有する液浸液で覆うことができるタイプでもよい。これは液浸リソグラフィとも呼ばれる。液浸技法に関する更なる情報は、参照により本願に含まれる米国特許６，９５２，２５３号に与えられている。
【0023】
[0022] リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブルＷＴを有するタイプである場合がある（「デュアルステージ」という名前も付いている）。このような「マルチステージ」機械においては、基板テーブルＷＴを並行して使用するか、及び／又は、一方の基板テーブルＷＴ上の基板Ｗにパターンを露光するためこの基板を用いている間に、他方の基板テーブルＷＴ上に配置された基板Ｗに対して基板Ｗの以降の露光の準備ステップを実行することができる。
【0024】
[0023] 基板テーブルＷＴに加えて、リソグラフィ装置は測定ステージ（図１に図示しない）を含むことができる。測定ステージは、センサ及び／又は洗浄デバイスを保持するように配置されている。センサは、投影システムＰＳの特性又は放射ビームＢの特性を測定するよう配置できる。測定ステージは複数のセンサを保持することができる。洗浄デバイスは、例えば投影システムＰＳの一部又は液浸液を提供するシステムの一部のような、リソグラフィ装置の一部を洗浄するよう配置できる。基板テーブルＷＴが投影システムＰＳから離れている場合、測定ステージは投影システムＰＳの下方で移動することができる。
【0025】
[0024] 動作中、放射ビームＢは、マスクサポートＭＴ上に保持されている、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡ上に存在するパターン（設計レイアウト）によってパターンが付与される。マスクＭＡを横断した放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２のポジショナＰＷ及び位置測定システムＰＭＳを用いて、例えば、放射ビームＢの経路内の集束し位置合わせした位置に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭと、場合によっては別の位置センサ（図１には明示的に図示されていない）を用いて、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせすることができる。図示されている基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は専用のターゲット部分を占有するが、それらをターゲット部分間の空間に位置付けることも可能である。基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、これらがターゲット部分Ｃ間に位置付けられている場合、スクライブラインアライメントマークとして知られている。
【0026】
[0025] 本明細書において、デカルト座標系が用いられる。デカルト座標系は３つの軸、すなわちｘ軸、ｙ軸、及びｚ軸を有する。３つの軸の各々は他の２つの軸に対して直交している。ｘ軸を中心とした回転をＲｘ回転と称する。ｙ軸を中心とした回転をＲｙ回転と称する。ｚ軸を中心とした回転をＲｚ回転と称する。ｘ軸及びｙ軸は水平面を画定し、ｚ軸は垂直方向を画定する。デカルト座標系は本発明を限定せず、単に明確さのため使用される。代わりに、本発明を明瞭にするために円筒座標系などの別の座標系が使用され得る。デカルト座標系の配向は、例えばｚ軸が水平面に沿った成分を有するように、異なるものとしてもよい。
【0027】
[0026] リソグラフィ装置において、投影システムによって投影されるパターンの空間像の最良焦点の面内で露光されるべき基板の上部表面を、かなりの精度で位置決めすることが必要である。これを達成するために、基板を基板テーブル上で保持することができる。基板を支持する基板テーブルの表面には、その遠位端が名目上の支持面内で同一平面上にあることが可能な複数のバールが提供可能である。バールは多数であるが、支持面に対して平行な断面域内では小さいため、それらの遠位端の総断面域は基板の表面域の数パーセント、例えば５％未満である。基板テーブルと基板との間の空間内のガス圧は、基板を基板テーブルにクランプする力を生み出すために基板の上の圧力と比べて低減され得る。代替又は追加として、基板を基板テーブルにクランプするために静電気クランプ力が使用され得る。
【0028】
[0027] 基板が基板テーブル上にロードされるとき、一般に基板は基板テーブル上に完全に平坦にランディングしない。これは、基板のローディング中、基板の一点がバールのうちの少なくとも１つに接触した後、基板の残りの部分が基板テーブルに接触する傾向があることを意味する。ローディング中の基板と基板テーブルとの間の摩擦力は、基板が基板テーブル全体にわたって接触する際、基板内に面内変形を引き起こし得る。同様の影響がアンローディング中にも発生し得る。面内変形はオーバーレイエラーを増加させる可能性がある。
【0029】
[0028] 潤滑効果を提供するためにバールを介して流体（例えば、ガス及び液体のいずれか又は両方）を駆動させることによって、バールと基板との間の摩擦力を減少させることが可能である。異なるバール間の流れ抵抗における望ましくない変動が、バールを介する流量に対応する変動を生じさせることになるため、こうした潤滑流体流れを均一に提供することは困難である。流れ抵抗が小さいと流量は大きくなり、またその逆も真である。
【0030】
[0029] 上記の問題を低減させる１つの手法は、各バール内の流れ抵抗を制御されたやり方で増加させるために、各バール内に流れ制限部を提供することである。バールの流れ抵抗が増加することで、任意のバールを介した過剰な流れ又は過剰な全体流れ無しに、各バールからの十分な流れを確実に保証することができる。
【0031】
[0030] 下記で説明する実施形態は、こうした流れ制限部を備えるバール（以下、バール構造と呼ぶ）を有する基板サポートを製造する、効率的及び／又は信頼できる方法を提供する。
【0032】
[0031] 図２は、基板テーブルＷＴの上部表面に取り付けられる基板サポート２を示す。サポートテーブルＷＴは、リソグラフィ装置ＬＡによって実行されるリソグラフィプロセスにおける基板Ｗの露光中、基板Ｗとリソグラフィ装置ＬＡの投影システムＰＳとの間に相対運動を提供する。リソグラフィ装置ＬＡは、半導体デバイスなどのデバイスを製造する方法で使用され得る。基板テーブルＷＴ及び／又はリソグラフィ装置ＬＡは、図１を参照しながら上記で説明したやり方のうちのいずれかで動作するように、構成及び／又は配置され得る。
【0033】
[0032] 基板サポート２は複数のバール構造６を備える。図３は、例示のバール構造６をより詳細に示す。各バール構造６は遠位表面１１を備える。使用中、遠位表面１１は、基板サポート２によって支持される基板Ｗと接する。平面基板の場合、バール構造６の遠位表面１１は同一平面上にあり得る。
【0034】
[0033] 示された実施形態において、バール凹所１４は、各バール構造６内の遠位表面１１から凹状面１３へと延在する。図３の例では、バール凹所１４は実質的に円筒である。バール凹所１４の円筒対称性の軸は、使用中、バール構造６によって支持される基板Ｗに対して垂直である。バール凹所１４は、前述の潤滑効果を提供するために、使用中に流体（例えば、液体及び／又はガス）が流れる際に介することが可能なチャネルを画定する。いくつかの実施形態において、図３で例示するように、１つ以上のバール構造６の各々は、使用中、支持される基板Ｗの面に平行な方向に、バール凹所１４を囲む壁を備える。壁の遠位部分は、使用中、支持される基板Ｗと接する遠位表面１１のすべて又は一部を形成する。壁は、バール凹所１４から見て外側を向く半径方向外側表面８を有する。図示された実施形態において、半径方向外側表面８はテーパ状である。半径方向外側表面８をテーパ状にすることで、半径方向外側表面８がテーパ状でない代替構成に比べて、壁を強化し得る。壁は、バール凹所１４の内側を向いた半径方向内側表面１０を有する。バール構造６の間の表面９は実質的に平坦であり得、使用中、基板サポート２によって支持される基板Ｗ方向を向く。半径方向外側表面８がテーパ状であるとき、半径方向外側表面８は、（９０度ではなく）斜角で表面９と交わり得る。
【0035】
[0034] 基板テーブルＷＴは、バール構造６を介して流体（例えば、液体及び／又はガス）の外向き流れを提供するように構成される。流体の外向き流れは、バール凹所１４から出て、基板テーブルＷＴによって支持される基板Ｗ方向（図２及び図３の配向では上方）へ渡る。流体の外向き流れは、バール構造６と基板Ｗとの間の摩擦力を減少させるために、例えば、基板テーブルＷＴ上への基板Ｗのローディング及び／又はアンローディング中、並びに／あるいは、少なくとも簡潔に、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に完全にロードされる間に、提供され得る。流体の外向き流れは、例えば、ダクト系統、弁、ポンプ、フィルタ、センサ、及び／又は他の適切なコンポーネントの任意の組み合わせを含む、流体流れを制御可能に誘導するための装置の任意の組み合わせと共に、流体源４（例えば、ガス源又は液体源）を使用して提供され得る。
【0036】
[0035] 基板サポート２はベース部材２０を備える。ベース部材２０は、例えば、シリコンウェーハの一部を備え得る。ベース部材２０は、ベース部材２０を介して延在する複数のホール１２を備える。図３の例では、ホール１２はベース部材２０を介して縦方向に延在する。各ホール１２は、図示された例では、円筒対称性の縦軸を伴い、実質的に円筒状である。いくつかの実施形態において、ホール１２は、非円形断面を伴うか又は深さに応じてサイズが変化する断面を伴う形状などの、他の配向及び／又は形状を有し得る。１つ以上のホール１２は、例えば、テーパ状であり得る。ベース部材２０の頂面における各ホール１２の開口は、上方を向いている。ベース部材２０の底面における各ホール１２の開口は、下方を向いている。各ホール１２はチャネルと呼ばれることがある。一実施形態において、各ホール１２は細長い（例えば、各ホール１２の長さはホール１２の直径よりも大きい）。一実施形態において、各ホール１２は０．００１から０．２ｍｍの範囲内、任意選択として０．００１から約０．０５ｍｍの範囲内の、直径を有する。一実施形態において、各ホール１２は、０．００５から１ｍｍの範囲内、任意選択として０．００５から約０．２ｍｍの範囲内の、長さを有する。
【0037】
[0036] 各バール構造６は、ホール１２のうちの少なくとも１つに対する開口を備える。バール構造６が凹状面１３を有さない実施形態では、開口は、基板Ｗと接する遠位表面１１内に提供され得る。バール構造６が凹状面１３を備える図３から図２２に示されるような実施形態では、各凹状面１３はホール１２のうちの少なくとも１つに対する開口を備え得る。各凹状面１３は、凹状面１３が無い場合に比べて流体の流れを部分的にブロックする。したがって、各バール構造６内の凹状面１３及びホール１２の組み合わせは、流れ制限器として働く。流れ制限部の量は、ホール１２の断面積及び数に依存する。
【0038】
[0037] いくつかの実施形態において、各々がベース部材２０内のホール１２のうちの少なくとも２つに対する開口を備える、バール構造６が提供される。バール構造６が凹状面１３を備える場合、各凹状面１３は、ベース部材２０内のホール１２のうちの少なくとも２つに対する開口を備え得る。バール構造６及び／又は凹状面１３の各々に複数のホール１２を提供することで、流れ制限機能のロバスト性を向上させる。汚染は、単一ホールよりも複数ホールに干渉する可能性の方が低い。一実施形態において、基板テーブルＷＴは、１つ以上のバール構造６及び／又は凹状面１３の各々におけるすべての開口を介して、流体の外向き流れを提供するように構成される。
【0039】
[0038] いくつかの実施形態では、図３に例示されるように、ベース部材２０は、ベース部材２０内に複数のベース凹所１５を更に備える。図３は、ベース部材２０の下側に１つのこうしたベース凹所１５を示す。各ベース凹所１５は、ベース部材２０の反対側のバール構造６の異なるそれぞれ１つと位置合わせされる（例えば、各ベース凹所１５は異なるバール構造６と位置合わせされることになる）。位置合わせは、流体の外向き流れが、それぞれのバール構造６のベース凹所１５及びバール凹所１４を介した（例えば、流体源４からの）流体の流れを、ベース部材２０内のホール１２を介して駆動させることによって、提供されるようになる。基板サポート２が（例えば、図２に示されるように）基板テーブルＷＴに取り付けられるとき、ベース凹所１５は、基板テーブルＷＴ内にバール構造６から更なるダクト系統へと導くチャネルを形成することができる。
【0040】
[0039] いくつかの実施形態では、１つ以上のバール構造６の各々について、ベース部材２０の面から垂直に見たとき、バール凹所１４内の凹状面１３内へと開口している各ホール１２の断面積は、バール構造６と位置合わせされたそれぞれのベース凹所１５の断面積よりも小さく、バール凹所１４の断面積よりも小さい。したがってホール１２は、各バール構造６が、間に制限構造が提供されない（すなわち、凹状面１３がホール１２を備えない）バール凹所１４に直接接続されたベース凹所１５を備える、概念的なケースに比べて、各バール構造６を介する流れを制限するための働きをする。
【0041】
[0040] 図４から図７は、１つ以上のバール構造６の各々が、バール構造６のバール凹所１４内に１つ以上のサブバール３２を備える、実施形態を示す。各サブバール３２は遠位先端１１Ｂを有する。遠位先端１１Ｂは、使用中、基板サポート２によって支持される基板Ｗと接触する、バール構造６の遠位表面の一部を形成する。遠位先端１１Ｂによって提供される遠位表面の一部は、バール構造６の遠位表面のすべてよりは少ない。このタイプの実施形態では、１つ以上のバール構造６の各々は、使用中、支持される基板Ｗの面に対して平行な方向に（例えば、図に示される配向においてすべての水平方向に）、バール凹所１４を囲む壁を備え得る。壁の遠位部分１１Ａは、使用中、支持される基板Ｗと接触する、遠位表面の一部を形成する。サブバール３２の各々の遠位先端１１Ｂは、使用中、支持される基板Ｗの面に対して平行なすべての方向で、壁の遠位部分１１Ａから間隔を置いて配置される。示された例では、上から見た場合、単一のサブバール３２がバール凹所１４の中央に提供される。他の実施形態では、サブバール３２は他のロケーションに提供され得る。他の実施形態では、複数のサブバール３２が、各々が遠位先端１１Ｂを有する１つ以上のバール構造６の各々に提供され得、使用中、支持される基板Ｗの面に対して平行なすべての方向で、それぞれの壁の遠位部分１１Ａから間隔を置いて配置される。
【0042】
[0041] 前述のようなサブバール３２の提供は、バール構造６の機械的ロバスト性を向上させることができる。バール構造６のロバスト性を向上させることは、全体のロバスト性を損なうことなく、壁の遠位部分１１Ａの幅などのバール構造６の他の特性を調節する自由を向上させる。サブバール３２の提供は、（例えば、壁の遠位部分１１Ａと、壁内のサブバール３２の遠位先端１１Ｂとの間の）個々のバールの異なる部分において、異なるトポグラフィクス又はラフネスを有するための機会も提供する。この手法は、個々のバール構造６の異なる部分において、異なるトップコーティングを提供するための機会も提供する。例えば、機械的な滑り接触が存在し得る基板Ｗのランディング又はリストオフ中に、バール構造６のロバスト性を向上させるために、遠位先端１１Ｂは、相対的に低い（例えば、壁の遠位部分１１Ａの表面エネルギーよりも低い）表面エネルギーを有する、相対的に粗い（例えば、壁の遠位部分１１Ａよりも粗い）、及び／又は、相対的に低い摩擦（例えば、壁の遠位部分１１Ａよりも低い摩擦）を提供する、表面を有するように構成され得る。
【0043】
[0042] 図４及び図５に示されるタイプの実施形態において、各バール構造６に対応するベース部材２０の部分を通過するすべてのホール１２は、バール構造６の凹状面１３内に開口を有する。ホール１２は、いずれのサブバール３２も通過しない。図６及び図７に例示されるような、他の実施形態において、ベース部材２０を介して形成される少なくとも１つのホール１２は、少なくとも１つのサブバール３２を通過する。示される例では、図示されたバール構造６内に単一のサブバール３２が提供され、ホール１２の１つが、サブバール３２の円筒対称性の軸に沿ってバール構造６のサブバール３２を通過する。サブバール３２を通過するようにホール１２を配置することによって、サブバール３２と支持される基板Ｗとの間の摩擦力を低下させることができる。サブバール３２を通過するホール１２は、サブバール３２内のホール１２の開口近くの表面を、（例えば、サブバール３２を介して流体を駆動させることによって）定期的に清掃及び／又は再調整することも可能である。
【0044】
[0043] いくつかの実施形態において、１つ以上のバール構造６のアップストリームに、フィルタリング機能を提供することが望ましい場合がある。フィルタリングは、例えば、事前に定義されたサイズよりも大きい汚染物質粒子が、バール構造６及び／又はバール構造６のダウンストリームの任意の領域（例えば、基板サポート２と基板Ｗとの間）に到達することを防止するように、構成され得る。いくつかの実施形態において、少なくとも１つのバール構造６の各々における開口のアップストリーム、例えば、少なくとも１つのバール構造６の凹状面１３を通過するホール１２のアップストリームに、多孔質層３６が提供される。多孔質層３６は、ベース部材２０内に、又は、図８に示されるように、ベース部材２０に取り付けられた分離部材４０内に、形成され得る。いくつかの実施形態において、ホール１２及びバール構造６は、ベース部材２０内に形成される。代替として、基板サポート２は、ベース部材２０に接合するバール形成部材３０を更に備え得る。バール形成部材３０は、例えばシリコンウェーハの一部を備え得る。図９から図１６を参照しながら下記で更に説明する、バール形成部材３０を有する実施形態において、バール構造６はバール形成部材３０内に独占的に形成され得る。図９から図１６を参照しながら下記で説明するように、異なる部材内にホール１２及びバール構造６を形成することで、製造の際の利点が提供される。
【0045】
[0044] 一実施形態において、図８に例示されるように、多孔質層３６は、シリコンウェーハの一部などの固体部材（示される例における分離部材４０）内に形成される複数のホールを備える。一実施形態において、多孔質層３６のホールの各々のサイズ、及び／又は、多孔質層３６内のホールの平均サイズは、ベース部材２０内に形成されるホール１２の各々よりも小さい。一実施形態において、多孔質層３６内の単位面積当たりのホールの数は、各バール構造６の凹状面１３内の単位面積当たりのホール１２の数よりも多い。多孔質層３６内のホールは、例えばディープリアクティブイオンエッチング又は集束イオンビームミリングを含む、適切なサイズのホールを形成するために任意の既知の技法を使用して形成され得る。したがって、多孔質層３６内のホールは、バール構造６の凹状面１３を介する１つ以上のホール１２の円筒対称性の軸と位置合わせされた円筒対称性の軸を伴い、実質的に円筒状であり得る。
【0046】
[0045] 図９から図１６は、リソグラフィ装置ＬＡのための基板サポート２を製造するための例示の方法におけるステップを示す。基板サポート２は、図２から図８を参照しながら上記で説明した適合形のいずれかを取り得る。
【0047】
[0046] 一実施形態では、方法の初期ステップにおいてベース部材２０が提供される。図９の配置を提供するために、任意選択として、ハードマスク層１６がベース部材２０上に提供される。
【0048】
[0047] 一実施形態では、後続のステップにおいて、ハードマスク層１６内にパターンを形成するために図９の配置が処理される。その後、ベース部材２０内にホール１２を形成するために、例えばディープリアクティブイオンエッチング又は集束イオンビームミリングなどの除去プロセスが適用され、それによって図１０の配置を形成する。ホール１２は、パターン付きハードマスク層１６によって画定されたパターン内に形成される。この段階で、ホール１２は（図示されるように）ブラインドであり得るか、又は、ベース部材２０を貫通し得る。
【0049】
[0048] 一実施形態では、後続のステップにおいて、ベース部材２０は裏返しにされ、ベース部材２０内に複数のベース凹所１５が形成され、それによって図１１に示される配置を形成する。図１１は、ベース凹所１５のうちの１つを示す。各ベース凹所１５の形状及び深さは、特に限定されない。いくつかの実施形態において、各ベース凹所１５は、ベース部材２０の面に対して垂直な円筒対称性の軸を伴い、実質的に円筒状である。図示された実施形態では、各ベース凹所１５は、次にホール１２がベース部材２０を貫通することを保証するのに十分な深さである。
【0050】
[0049] 一実施形態では、後続のステップにおいて、図１２に示されるように、コーティング２４が印加される。コーティング２４は、ベース凹所１５の内部表面を覆う。コーティング２４は、ホール１２の各々の内部表面も覆う。コーティング２４は、バール構造６が位置すべき場所の反対側のベース部材２０の側面から印加される（バール構造６の形成は、下記で説明する）。コーティング２４は、使用中、ホール１２のいずれかを汚染物質が目詰まりさせるリスクを減少させるように構成され得る。いくつかの実施形態において、コーティング２４は疎水性であり、且つ／又は、帯電防止特性を有する。バール構造６が存在する前にコーティング２４を提供することで、コーティング２４の材料によってバール構造６の起こり得る汚染が回避される。
【0051】
[0050] 一実施形態では、後続のステップにおいて、図１３に示されるように、ベース凹所１５の外側の領域内のハードマスク層１６及びコーティング２４を除去するために、図１２の配置の上部及び下部表面が処理される。
【0052】
[0051] 一実施形態では、後続のステップにおいて、図１４に示されるように、バール形成部材３０がベース部材２０に接合される。この実施形態では、ホール１２がベース部材２０内に形成された後に、バール形成部材３０がベース部材２０に接合される。したがってホール１２を形成するプロセスは、バール形成層３０に対する汚染に寄与できない。ベース部材２０に提供された任意のコーティング２４は、バール形成部材３０がベース部材２０に接合される前にも提供され、それによって、コーティング２４の材料との相互汚染も回避される。
【0053】
[0052] バール形成部材３０は、シリコンウェーハを望ましい厚みまで薄くすることによって形成され得る。一実施形態において、バール形成部材３０は、１つ以上の追加の層（図示せず）を介してベース部材２０に接合され、それによって３つ以上の層を有する多層構造を提供する。１つ以上の追加の層は、追加の望ましい機能を提供し得る。例えば、１つ以上の追加の層は、基板サポート２の残りの部分及び／又は基板サポート２に下から接続された要素から、基板サポート２の上部を電気的に絶縁するために、電気絶縁層を備え得る。いくつかの実施形態において、バール構造６は、バール形成部材３０を介して電気的に接地可能である。代替又は追加として、バール形成部材３０及びベース部材２０のいずれか又は両方の各々は、複数の層から形成され得る。
【0054】
[0053] いくつかの実施形態において、図１４に示されるように、バール形成部材３０上にバールコーティング２６が提供される。バールコーティング２６は、使用中、基板Ｗに接触するのに適するように構成される。バールコーティング２６は、例えば、バールコーティング２６がない場合よりも低い摩擦接触を提供するように構成され得る。バールコーティング２６は、ベース部材２０をバール形成部材３０に接合する前に、バール形成部材３０上に提供される。バールコーティング２６の材料によってベース部材２０内の任意のホール１２を目詰まりさせるリスクが、それによって減少又は回避される。
【0055】
[0054] いくつかの実施形態において、バール形成部材３０内に複数のバール構造６が形成される。ベース部材２０ではなく別々のバール形成部材３０内にバール構造６を形成することで、バール構造６の高さを正確に制御することが容易になる。バール構造６の高さは、高精度で制御可能な、バール形成部材３０の厚みによって画定可能である。バール形成部材３０が存在せずにベース部材２０内にホール１２を形成することは、ホール１２の形成に用いられるプロセス（例えば、ディープリアクティブイオンエッチング又は集束イオンビームミリング）と、バール構造６の形成に用いられるプロセスと間の相互汚染も防止する。
【0056】
[0055] 一実施形態において、バール構造６は、バール形成部材３０がベース部材２０に接合された後に形成される。バール構造６及びベース部材２０の組み合わせは、基板サポート２を提供する。こうした基板サポート２の例が、図１６に示される。バール構造６は、各バール構造６が、使用中、基板サポート２によって支持される基板Ｗに接触する遠位表面１１を備えるような様式で形成される。図示される例では、遠位表面１１はバールコーティング２６の表面である。一実施形態において、遠位表面１１はバール形成部材３０の表面（バールコーティング２６は提供されていない）であり得る。各バール構造６は、ベース部材２０を介して形成されるホール１２の少なくとも１つに対する開口を備える。いくつかの実施形態において、図示されるように、各バール構造６はバール凹所１４を備える。バール凹所１４は、バール構造６内の遠位表面１１から凹状面１３へと延在する。このタイプの実施形態では、凹状面１３はベース部材２０を介して形成される少なくとも１つのホール１２に対する開口を備える。
【0057】
[0056] 一実施形態において、図１６の基板サポート２は、図１４の配置から始まり、図１５の配置を提供するために第１にバール構造６の外側から材料を除去することによって形成される。材料は、例えばレーザアブレーション又はエッチングを使用して除去され得る。後続のステップにおいて、材料は、凹状面１３を形成するためにバール構造６内部から除去され、それによって図１６の基板サポート２を提供する。材料は、例えばレーザアブレーション又はエッチングを使用して除去され得る。このタイプの実施形態において、バール構造６は、バール構造６の内側から材料を除去する前に、バール構造６の外側から材料を除去することによってこのように形成される。この手法は、バール構造６の外側から材料を除去する（例えば、かなりの量のデブリを発生させる可能性のある、レーザアブレーションを使用して実行され得る）ときに、バール構造６の内側を保護する必要がないため、有利である。他の実施形態において、材料は、図１５の配置から図１６の配置を直接形成するために（すなわち、図１５の配置につながる中間ステップなしに）、バール構造６の内側及び外側から同時に除去され得る。更に他の実施形態において、バール構造６は、バール構造６の外側から材料を除去する前に、バール構造６の内側から材料を除去することによって形成される。
【0058】
[0057] いくつかの実施形態において、バール構造６の内側の材料を除去することは、バール形成部材３０の下部のベース部材２０の少なくとも上部表面まで下方に、材料を除去することを含む。このタイプの実施形態において、凹状面１３は各々、（図１６に示されるように）ベース部材２０の表面を備える。
【0059】
[0058] 図９から図１６を参照しながら上記で説明した例示の方法において、基板サポート２は、ベース部材２０をバール形成部材３０に接合することによって製造される。ホール１２はベース部材２０内に形成され、バール構造６はバール形成部材３０内に形成される。図１７から図２２は、ホール１２及びバール構造６の両方がベース部材２０内に形成される、代替の手法を示す。
【0060】
[0059] 初期のステップでは、図１７に示されるように、ベース部材２０が提供される。図示された例では、ベース部材２０上にバールコーティング２６が提供される。バールコーティング２６は、図１４から図１６においてバールコーティング２６について上述したやり方のいずれかにおいて構成され得る。
【0061】
[0060] 一実施形態では、後続のステップにおいて、図１８に示される配置を提供するために、ベース部材２０及びバールコーティング２６を介するホール１２を形成するために、除去プロセスが使用される。除去プロセスは、例えば、ディープリアクティブイオンエッチング又は集束イオンビームミリングを含み得る。この段階でホール１２は（図示されるように）ブラインドであり得るか、又はベース部材２０を貫通し得る。
【0062】
[0061] 一実施形態では、後続のステップにおいて、図１８の配置は裏返しにされ、複数のベース凹所１５を形成するために除去プロセスが適用され、それによって図１９の配置を提供する。このようにして、本実施形態では、バール構造６の前にベース凹所１５が形成される（下記で説明するように形成される）。バール構造６の前にベース凹所１５を形成することは、ベース凹所１５の形成中、繊細なバール構造６上の構造を支持しなければならないことを回避するため、望ましい。製造プロセスはこのように単純化され、且つ／又は、バール構造６に対する損傷のリスクが低減又は回避される。各ベース凹所１５の形状及び深さは、特に制限されない。いくつかの実施形態において、各ベース凹所１５は、ベース部材２０の面に対して垂直な円筒対称性の軸を伴い、実質的に円筒状である。図示された実施形態では、各ベース凹所１５は、次にホール１２がベース部材２０を貫通することを保証するのに十分な深さである。
【0063】
[0062] 一実施形態では、後続のステップにおいて、図２０に示されるように、コーティング２４が印加される。コーティング２４はベース凹所１５の内部表面を覆う。コーティング２４は、ホール１２の各々の内部表面も覆う。いくつかの実施形態において、コーティング２４は疎水性であり、且つ／又は、帯電防止特性を有する。
【0064】
[0063] 一実施形態では、図２２に示されるように、図２０の配置から始まり、図２１の配置を提供するために第１にバール構造６の外側から材料を除去することによって、基板サポート２が形成される。後続のステップにおいて、材料は、凹状面１３を形成するためにバール構造６内側から除去され、それによって図２２の基板サポート２を提供する。このタイプの実施形態において、バール構造６は、バール構造６の内側から材料を除去する前に、バール構造６の外側から材料を除去することによってこのように形成される。この手法に関連付けられる利点は、上記で考察している。他の実施形態において、材料は、図２０の配置から図２２の配置を直接形成するために（すなわち、図２１の配置につながる中間ステップなしに）、バール構造６の内側及び外側から同時に除去され得る。更に他の実施形態において、バール構造６は、バール構造６の外側から材料を除去する前に、バール構造６の内側から材料を除去することによって形成される。
【0065】
[0064] 前述のタイプの実施形態において、ベース部材２０を介する各ホール１２の少なくとも一部が（例えば、図１８に示されるように少なくともブラインドホールを形成するために）形成され、任意選択として、バール構造６の前に各ホール１２のすべてが形成される。初期段階において、ホール１２のすべて又は少なくとも一部を形成することで、既存の構造を保護するか、又は除去プロセス（例えば、ディープリアクティブイオンエッチング又は集束イオンビームミリング）中に考慮する必要のある範囲を削減することによって、例えば、除去プロセス中にベース部材２０を保持するため、及び／又は、その他の方法で機械的損傷及び／又は汚染から既存の構造を保護するための、特別な配置を必要とすることによって、製造を容易にする。
【0066】
[0065] 他の実施形態において、図１７から図２２を参照しながら上述した順番は変動され得る。例えばいくつかの実施形態において、図１９に示されるような複数のベース凹所１５の形成は、図２０から図２２を参照しながら説明した１つ以上のステップの後に（例えば、バール構造６の外側及び内側からの材料の除去の後に）実行される。代替又は追加として、図２１及び図２２を参照しながら説明したような、バール構造６を形成するために使用される材料除去プロセスの順序は、逆であって良い。こうした実施形態において、材料がバール構造６の外側から除去される前に、凹状面１３を形成するために、（ベース凹所１５が前又は後に形成される状態で）材料がバール構造６の内側からこのように除去される。代替又は追加として、いくつかの実施形態において、ホール１２は、図１９から図２２を参照しながら上述した１つ以上のステップの後で（例えば、複数のベース凹所１５の形成後、バール構造６の外側からの材料の除去後、及び／又は、凹状面１３を形成するためのバール構造６の内側からの材料の除去後）、ベース部材２０を介して形成される。例えば、一実施形態では、凹状面１３を形成するためのバール構造６の内側からの材料の除去は、ホール１２がベース部材２０を介して形成される前に実行され、バール構造６の外側からの材料の除去は、ホール１２がベース部材２０を介して形成された後に実行される。この例の第１の変形形態では、ベース凹所１５は、ホール１２がベース部材２０を介して形成された後、及び、バール構造６の外側からの材料の除去の前に、形成される。この例の第２の変形形態では、ベース凹所１５は、バール構造６の外側からの材料の除去後に形成される。
【0067】
[0066] 図２３は、基板テーブルＷＴ上に取り付けられた更なる例示の基板サポート２の一部を示す。この例では、基板サポート２は、ベース部材２０とベース部材２０に接合されたバール形成部材３０とを備える。バール形成部材３０は、複数のバール構造６を備える。ベース部材２０は、ベース部材２０を介して延在する複数のホール１２を備える。バール構造６及びホール１２は、前述の基板サポート２に関して説明した任意の形を取り得る。
【0068】
[0067] 各バール構造６は、ベース部材２０内の少なくとも１つのホール１２に対する開口４１を備える。図示された例では、開口４１とベース部材２０内のホール１２との間の流路内に、細長い中間通路４２及び中間チャンバ４３が提供される。したがって開口４１は、中間通路４２及び中間チャンバ４３によって、ホール１２へ流体的に接続される。下記で述べるように、例えば、細長い中間通路４２が十分にテーパ状である場合、中間チャンバ４３は省くことができる。図３から図２２の例において、開口は、ベース部材２０内のホール１２の各々に、直接接続される。
【0069】
[0068] ベース部材２０内のホール１２を介する流れに関する流れ抵抗は、中間通路４２及び中間チャンバ４３を介する流れに関する流れ抵抗よりも大きい。したがって、ホール１２を提供するベース部材２０の一部は、流れ制限器として働く。流れ制限部の量は、ホール１２の断面積及び数に依存する。図２３に示される要素の相対的寸法は、実装コンテキストの細部に依存して変動可能である。実装の一クラスにおいて、中間通路４２の直径は、ベース部材２０の各ホール１２の直径の、およそ１０～１００倍であり得る。ベース部材２０及びバール形成部材３０の組み合わせの全体高さ（４５と標示）は、例えばおよそ０．５から１．５ｍｍであり得る。
【0070】
[0069] いくつかの実施形態において、基板サポート２は、図２４に示されるように、基板テーブルＷＴ内に形成される（例えば、約０．５ｍｍから１ｍｍの深さを有する）凹所５０内の下にある基板テーブルＷＴにフィットし得る。したがって基板サポート２は、基板テーブルＷＴの全体高さを変えることなく、既存の基板テーブルＷＴに容易にレトロフィットし得る。
【0071】
[0070] 図２５から図２７は、図２３及び図２４を参照しながら上記で述べたタイプのベース部材２０を製造するための例示のプロセスにおける段階を示す。プロセスは、バール構造６ごとに複数のホール１２が提供される場合、及び、バール構造６ごとに単一のホール１２が提供される場合の、両方に適用可能である。プロセスは、流れ制限ホール１２を提供するために正確な層厚みを達成するため、ウェーハ製造工場製造プロセスに対処するため、及び／又は、ＳｉＳｉＣから形成される基板テーブルＷＴに合致する良好な熱膨張率を提供するために、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板を使用し得る。
【0072】
[0071] 第１のステップでは、図２５に示されるように、（例えば、直径３００ｍｍの）ＳＯＩ基板が提供される。層２０ＡはＳＯＩ基板のハンドルＳｉ基板層である。層２０Ｂは、ＳＯＩ基板の埋設されたＳｉＯ２層である。層２０Ｃは、Ｓｉから形成されるＳＯＩ基板のデバイス層である。
【0073】
[0072] 第２のステップでは、図２６に示されるように、ベース凹所１５はベース部材２０内に形成される。ベース凹所１５は、図３から図２４を参照しながら上述した任意の形を取り得る。ベース凹所１５は、選択的エッチングによって形成され得る。代替又は追加として、ベース凹所１５はレーザ処理を使用して形成され得る。レーザ処理は選択的エッチングよりも本質的にクリーンではなく、ホール１２が形成される層の厚みを維持するために配慮が必要であり得る。ＳｉとＳｉＯ２との間の閾値フルエンスにおける差は、選択的エッチングで使用される場合があるため、（例えば、レーザ処理がＳｉＯ２に達したときに自動的に停止するように、Ｓｉについての閾値フルエンスより高いが、ＳｉＯ２についての閾値フルエンスよりも低いように、レーザ処理フルエンスについて配置することによって）ＳｉＯ２を固有の処理停止として使用するには十分ではないことがある。しかしながら、ＳｉＯ２は、（例えば、ＳｉＯ２が可視となったときに停止するように処理を配置することによって）視覚処理停止として使用され得る。
【0074】
[0073] 第３のステップでは、図２７に示されるように、ホール１２が形成される。図示される例では、単一のホール１２のみが形成されるが、この手法は複数のホール１２を形成するためにも使用され得る。１つ以上のホール１２は、ディープリアクティブイオンエッチング（ＤＲＩＥ）又はレーザマイクロドリリングを使用して形成され得る。ほとんどの均一でクリーンな結果はＤＲＩＥを使用して取得され得るが、この手法は相対的に複雑で費用がかかる。レーザマイクロドリリングは、費用の少ない代替を提供する。
【0075】
[0074] 図２８から図３１は、バール形成部材３０を製造するための例示のプロセスにおける段階を示す。プロセスは、ＳｉＣ基板を使用して、適切な機械的ロバスト性を提供すること、及び、ＳｉＳｉＣから形成される基板テーブルＷＴ及び（例えば、ＳＯＩ基板から形成される）ベース部材２０の熱膨張率を合致させることが可能である。図に示されるプロセスは、基板テーブルＷＴの他の態様を製造するために使用される技法に適合する、レーザ処理に依拠する。
【0076】
[0075] 第１のステップでは、図２８に示されるように、（例えば、直径３００ｍｍの）ＳｉＣが提供される。
【0077】
[0076] 第２のステップでは、図２９に示されるように、レーザ構造化を使用してバール構造６の外側の材料が除去される。
【0078】
[0077] 第３のステップでは、図３０に示されるように、レーザドリリングを使用して細長い中間通路４２が形成される。レーザドリリングは、有利なテーパリングを提供する、底部側から実行される。テーパリングは、中間通路４２とホール１２などのベース部材２０内の対応する構造との間で、適切な位置合わせを達成することをより容易にする。テーパリングは、例えば中間チャンバ４３が不要であることを意味し得る。
【0079】
[0078] 第４のステップでは、図３１に示されるように、レーザアブレーションを使用してバール凹所１４が形成される。粗面化プロセスは、使用中、基板サポート２と基板Ｗとの間の光学的接着を防止するためにも適用され得る。様々な技法を使用して、例えば、イオンビームフィギュアリング（ＩＢＦ）、レーザ処理、機械的研磨粗化、化学的研磨粗化、固有のラフネスを伴うコーティングの実行、及び、片面研磨済みＳｉＣ基板のみの開始のうちの１つ以上を含む、粗面化を達成し得る。
【0080】
[0079] バール形成部材３０を形成するために、他の処理技法が使用され得る。これらは、放電加工（ＥＤＭ）、ミリング、研削、及びエッチングのうちの、１つ以上を含み得る。例えば、第３のステップにおける中間通路４２を形成するために、レーザドリリングの代わりにエッチングが使用され得る。バール凹所１４は、第４のステップにおけるレーザアブレーションの代わりに、ＥＤＭ又はエッチングによって形成され得る。
【0081】
[0080] 一実施形態において、バール形成部材３０は、（例えば、図２７に示されるように）ホール１２を提供するためにベース部材２０が処理された後、ベース部材２０に取り付けられる。複数のバール構造６を形成するなど、図３１に示される配置を提供するために、バール形成部材３０がベース部材２０に取り付けられる前又は後に、バール形成部材３０上で実行される１つ以上の処理ステップが実行され得る。
【0082】
[0081] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【0083】
[0082] 以上では光リソグラフィに関連して本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は他の用途に使用できることを理解されたい。
【0084】
[0083] 本発明の特定の実施形態を上記で説明してきたが、本発明は説明した以外に実践され得ることを理解されよう。
【0085】
[0084] 上記の説明は例示的なものであり、限定的なものではないことを意図している。したがって当業者であれば、下記に示す特許請求の範囲を逸脱することなく、本発明に対する改変が可能であることを理解されよう。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】