特許 7661354 オブジェクトホルダ、ツール、及びオブジェクトホルダの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-04-04

(45)【発行日】2025-04-14

(54)【発明の名称】オブジェクトホルダ、ツール、及びオブジェクトホルダの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20250407BHJP

   H01L 21/68 20060101ALI20250407BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20250407BHJP

   H01L 21/027 20060101ALN20250407BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 521

H01L21/68 K

H01L21/68 R

H01L21/30 541L

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2022550909

(86)(22)【出願日】2021-02-25

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-05-10

(86)【国際出願番号】 EP2021054692

(87)【国際公開番号】W WO2021185552

(87)【国際公開日】2021-09-23

【審査請求日】2024-02-14

(31)【優先権主張番号】20163373.2

(32)【優先日】2020-03-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(73)【特許権者】

【識別番号】504151804

【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン デ ヴェン，バスチアーン，ランバータス，ウィルヘルムス，マリヌス

(72)【発明者】

【氏名】エンゲレン，ヨハネス，ベルナルドゥス，チャールズ

(72)【発明者】

【氏名】ノッテンブーム，アーノウド，ウィレム

(72)【発明者】

【氏名】オーヴァーカンプ，ジム，ヴィンセント

(72)【発明者】

【氏名】ヤンセン，キエルド，ヘルトルドゥス，ヘンドリクス

(72)【発明者】

【氏名】パイネンビュルフ，ヨハネス，アドリアヌス，コルネリス，マリア

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン ダイヴェンボード，ジェロエン

(72)【発明者】

【氏名】ニューエンハイス，エリック，ヨハネス

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン ベルケル，コース

【審査官】植木 隆和

(56)【参考文献】

【文献】特開２００１－０６８５３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２０５８１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－２３５０９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１６－５１９３３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０１００３７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／２０

Ｈ０１Ｌ １／６８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダであって、
前記オブジェクトを支持する支持平面内に遠位端を有する複数のバールを備えるコア体と、
前記バールの間の静電シートであって、誘電体層の間に挟まれた電極を備える、静電シートと、
を備えており、
前記静電シートは、少なくとも１００ｎｍの厚さを有する接合材料によって前記コア体に接合されており、
前記バールのうち少なくとも１つは前記コア体のオブジェクト対向表面のトレンチによって直に包囲される、
オブジェクトホルダ。

【請求項2】

前記バールのうち少なくとも１つはその遠位端において前記支持平面内の方向の１０^５～１０^７Ｎｍ^－１の剛性を有する、請求項１のオブジェクトホルダ。

【請求項3】

前記オブジェクトホルダの周縁領域にある前記バールのうち少なくとも１つは、その遠位端において、前記オブジェクトホルダの中心領域にある前記バールのうち少なくとも１つの剛性よりも低い前記支持平面内の方向の剛性を有する、請求項１又は２のオブジェクトホルダ。

【請求項4】

前記コア体は、前記バールのうち少なくとも１つの半径方向外側表面と前記静電シートとの間の半径方向間隙に前記コア体と前記静電シートとの間の垂直方向間隙を介してガスを供給するように構成された少なくとも１つのガス供給通路を備える、請求項１から３のいずれかのオブジェクトホルダ。

【請求項5】

前記静電シートは、前記電極の平面内で前記電極を包囲する電気的絶縁体の垂直方向上方の前記オブジェクトの領域と、前記コア体のオブジェクト対向表面と、前記バールのうち少なくとも１つの半径方向外側表面とのうち少なくとも１つから前記静電シートを分離するように構成された静電遮蔽体を備える、請求項１から４のいずれかのオブジェクトホルダ。

【請求項6】

前記静電遮蔽体は、前記バールのうち少なくとも１つと、前記電極を挟む２つの誘電体層のうち一方のみとの間に提供される、請求項５のオブジェクトホルダ。

【請求項7】

異なるバールを包囲する前記静電遮蔽体は、前記電極と前記オブジェクトとの間にある前記静電シートの上部誘電体層のオブジェクト対向表面上の導電線を介して互いに電気的に接続される、請求項５又は６のオブジェクトホルダ。

【請求項8】

前記静電シートは、前記電極と前記オブジェクトとの間で前記オブジェクト又は前記コア体に向かってテーパ状になった第１の誘電体層と、前記電極と前記コア体との間で前記オブジェクト又は前記コア体に向かってテーパ状になった第２の誘電体層とを備える、請求項１から７のいずれかのオブジェクトホルダ。

【請求項9】

前記接合材料は接着材料を備える、請求項１から８のいずれかのオブジェクトホルダ。

【請求項10】

請求項１～９のいずれかに記載のオブジェクトホルダを製造する方法であって、
オブジェクトを支持する支持平面内に遠位端を有する複数のバールを備えるコア体を提供することと、
静電シートを、それぞれのバールのための複数の凹部を備えるプレートに、前記凹部が前記静電シートのそれぞれの穴と整列するように連結することであって、前記静電シートは誘電体層の間に挟まれた電極を備える、連結することと、
前記静電シートが連結されるときに、前記静電シートを前記バールの間の前記コア体に取り付けるように前記プレートの移動を制御することであって、前記凹部の深さが前記静電シートが取り付けられる高さを決定する、制御することと、
を備える方法。

【請求項11】

請求項１から９のいずれかに記載のオブジェクトホルダを備えるリソグラフィ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
[01] 本願は２０２０年３月１６日に提出された欧州出願第２０１６３３７３．２号の優先権を主張するものであり、同出願は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

【0002】

[02] 本発明は、リソグラフィ装置用のオブジェクトホルダに関する。より詳細には、オブジェクトホルダは、オブジェクトホルダをテーブルにクランプするように及び／又はオブジェクトをオブジェクトホルダにクランプするように配置された静電クランプを備える。本発明は更に、静電シート取付用ツールと、オブジェクトホルダを製造する方法とに関する。

【背景技術】

【0003】

[03] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）のパターンを、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）層に投影することができる。

【0004】

[04] 基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を用い得る。この放射の波長は、基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置を使用して、例えば、１９３ｎｍの波長の放射を使用するリソグラフィ装置よりも小さなフィーチャを基板上に形成することができる。

【0005】

[05] 従来のリソグラフィ装置においては、露光される基板は基板ホルダ（すなわち基板を直接的に支持するオブジェクト）によって支持され、基板ホルダは同様に基板テーブル（ミラーブロック又はステージ、すなわち基板ホルダを支持すると共に基板ホルダを包囲する上表面を提供するテーブルなどのオブジェクト）によって支持される。基板ホルダは、サイズ及び形状が基板に対応している平坦な不撓性のディスクであることが多い（が、異なるサイズ又は形状を有していてもよい）。基板ホルダは、少なくとも１つの面から突出する、バール又はピンプルと称される突起のアレイを有する。基板ホルダは対向する２つの面に突起のアレイを有していてもよい。この場合、基板ホルダが基板テーブル上に設置されると、基板ホルダの本体は基板テーブルの上方に小さい距離で保持され、その一方で基板ホルダの１つの面のバールの端部は基板テーブルの表面上に位置する。同様に、基板ホルダの反対面のバールの頂部に基板が載っているとき、基板は基板ホルダの本体から離間している。その目的は、基板テーブル又は基板ホルダ上に存在する場合があるパーティクル（すなわち塵粒子などの汚染粒子）が基板ホルダ又は基板を歪めるのを防止するのに役立つことである。バールの総表面積は基板又は基板ホルダの総面積の小片に過ぎないので、バールの間にパーティクルが位置するであろう可能性は高く、その存在は何ら影響を有さないであろう。多くの場合、基板ホルダ及び基板は、基板の上表面が基板テーブルの上表面と同一平面上にあるように、基板テーブルの凹部に収容される。

【0006】

[06] 高スループットのリソグラフィ装置の使用中に基板が経験する高加速により、基板が基板ホルダのバール上に単に載っていることを可能にするだけでは十分ではない。基板は定位置にクランプされる。基板を定位置にクランプする２つの方法が知られている。真空クランプ及び静電クランプである。真空クランプでは、基板ホルダと基板との間、及び任意選択的には基板テーブルと基板ホルダとの間の空間が部分的に排気され、したがって基板はその上方の気体又は液体のより高い圧力によって定位置に保持される。しかしながら、真空クランプは、ビームパス及び／又は基板もしくは基板ホルダの付近の環境が、例えば極端紫外線（ＥＵＶ）放射リソグラフィのために、低い又は非常に低い圧力に保たれる場合には、用いることができない。この場合、基板（又は基板ホルダ）にわたって十分に大きな圧力差を発生させることは可能でないことがある。したがって、静電クランプが用いられ得る。静電クランプでは、基板、もしくはその下表面にめっきした電極と、基板テーブル及び／又は基板ホルダの上もしくは中に提供された電極との間に、電位差が確立される。２つの電極は大きなキャパシタのように振る舞い、合理的な電位差によって実質的なクランプ力が発生し得る。静電配置は、１つが基板テーブル上及び１つが基板上にある１対の電極が、基板テーブルと、基板ホルダと、基板とのスタック全体を一緒にクランプするようなものであり得る。既知の配置では、基板ホルダが基板テーブルにクランプされると共に基板が基板ホルダに別個にクランプされるように、１つ以上の電極が、基板ホルダの上又は中に提供され得る。

【0007】

[07] 基板ホルダを基板テーブルに及び／又は基板を基板ホルダにクランプするための１つ以上の静電クランプを備える基板ホルダを改良する必要がある。より一般的には、オブジェクトホルダをテーブルに保持する及び／又はオブジェクトをオブジェクトホルダに対して保持するための１つ以上の静電クランプを備えるパターニングデバイスホルダなどのオブジェクトホルダを改良する必要がある。

【発明の概要】

【0008】

[08] 本発明の第１の態様によれば、オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダが提供され、オブジェクトホルダは、オブジェクトを支持する支持平面内に遠位端を有する複数のバールを備えるコア体と、バールの間の静電シートであって、誘電体層の間に挟まれた電極を備える、静電シートと、を備えており、静電シートは、少なくとも１００ｎｍの厚さを有する接合材料によってコア体に接合されている。

【0009】

[09] 本発明の第２の態様によれば、誘電体層の間に挟まれた電極を備える静電シートを、オブジェクトを支持する支持平面内に遠位端を有する複数のバールを備えるコア体に取り付けるツールが提供され、ツールは、それぞれのバールのための複数の凹部を備えるプレートであって、それらの凹部が静電シートのそれぞれの穴と整列するように静電シートに連結するべく構成されたプレートを備えている。

【0010】

[010] 本発明の第３の態様によれば、オブジェクトホルダを製造する方法が提供され、方法は、オブジェクトを支持する支持平面内に遠位端を有する複数のバールを備えるコア体を提供することと、静電シートを、それぞれのバールのための複数の凹部を備えるプレートに、それらの凹部が静電シートのそれぞれの穴と整列するように連結することであって、静電シートは誘電体層の間に挟まれた電極を備える、連結することと、静電シートが連結されるときに、静電シートをバールの間のコア体に取り付けるようにプレートの移動を制御することであって、凹部の深さが、静電シートが取り付けられる高さを決定する、制御することと、を備える。

【図面の簡単な説明】

【0011】

[011] 次に、本発明の実施形態を、単なる例示として、添付の概略図を参照して説明する。

【0012】

【図1】[012] リソグラフィ装置と放射源とを備えたリソグラフィシステムを図示する。

【図2】[013] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの断面図である。

【図3】[014] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの製造方法における異なる段階に関係する断面図である。

【図4】[014] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの製造方法における異なる段階に関係する断面図である。

【図5】[014] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの製造方法における異なる段階に関係する断面図である。

【図6】[015] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの一部の近接図である。

【図7】[016] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダのコア体の異なる位置におけるバールのバリエーションを表す図式である。

【図8】[017] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの一部の近接図である。

【図9】[018] 図８に示されるオブジェクトホルダの一部の拡大図である。

【図10】[019] 本発明の代替的な実施形態によるオブジェクトホルダの一部の近接図である。

【図11】[019] 本発明の代替的な実施形態によるオブジェクトホルダの一部の近接図である。

【図12】[020] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの静電シートの静電遮蔽体の様々な可能な位置を概略的に示す。

【図13】[021] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの代替的な構成の近接図である。

【図14】[021] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの代替的な構成の近接図である。

【図15】[021] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの代替的な構成の近接図である。

【図16】[021] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの代替的な構成の近接図である。

【図17】[021] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの代替的な構成の近接図である。

【図18】[022] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの静電シートの静電遮蔽体間の連結の平面図である。

【図19】[021] 本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダの代替的な構成の近接図である。

【0013】

[023] 本発明は様々な変形及び代替的な形態が可能であるが、特定の実施形態が例として図面に示されると共に、本明細書において詳細に説明され得る。図面は縮尺に合っていない場合がある。しかしながら、図面及びその詳細な説明は、本発明を開示される特定の形態に限定することを意図されているのではなく、反対に、意図されているのは、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の精神及び範囲内にある全ての変形、均等物、及び代替物を網羅することである点が理解されなければならない。

【発明を実施するための形態】

【0014】

[024] 図１は、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備えるリソグラフィシステムを示す。放射源ＳＯは、ＥＵＶ放射ビームＢを発生させるように、及び、ＥＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように、構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬ、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク又はレチクル）を支持するように構成された支持構造ＭＴ、投影システムＰＳ、及び基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴを備える。

【0015】

[025] 照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡ上に入射する前にＥＵＶ放射ビームＢを調節するように構成される。それに加えて、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を含むことができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、所望の断面形状及び所望の強度分布を伴うＥＵＶ放射ビームＢを提供する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、又はそれらの代わりに、他のミラー又はデバイスを含むことができる。

【0016】

[026] このように調節された後、ＥＵＶ放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果として、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’が発生する。投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗ上に投影するように構成される。そのために、投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’を、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に投影するように構成された、複数のミラー１３，１４を備えることができる。投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小係数を適用することが可能であり、したがって、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さなフィーチャを伴うイメージを形成する。例えば、４又は８の縮小係数が適用可能である。投影システムＰＳは、図１では２つのミラー１３，１４のみを有するものとして示されているが、投影システムＰＳは異なる数のミラー（例えば、６つ又は８つのミラー）を含むことができる。

【0017】

[027] 基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含むことができる。このような場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’によって形成されたイメージを、基板Ｗ上に以前に形成されたパターンと位置合わせする。

【0018】

[028] 相対的真空、すなわち、大気圧をはるかに下回る圧力の少量のガス（例えば水素）を、放射源ＳＯ内、照明システムＩＬ内、及び／又は投影システムＰＳ内に提供することが可能である。

【0019】

[029] 放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源、自由電子レーザ（ＦＥＬ）、又はＥＵＶ放射を発生させることのできる任意の他の放射源であり得る。

【0020】

[030] 図２は、本発明の一実施形態によるオブジェクトホルダ２０の断面図である。オブジェクトホルダ２０は、オブジェクトを支持するように構成される。以下の記載では、本発明を、オブジェクトホルダが基板Ｗを支持するように構成された基板ホルダ２０であるという文脈で説明する。もっとも、オブジェクトホルダはそのような基板ホルダ２０に限定されない。例えば、オブジェクトホルダは、パターニングデバイスＭＡを支持するように構成されてもよい。

【0021】

[031] 一実施形態においては、基板テーブルＷＴは、基板ホルダ２０及び基板ステージを備える。基板ステージは凹部を備え、その中に基板ホルダ２０が保持される。基板ホルダ２０は、基板Ｗを基板テーブルＷＴの基板ステージに対して保持するように構成される。

【0022】

[032] 図２に示されるように、一実施形態においては、基板ホルダ２０はコア体２１を備えている。コア体２１はプレート状のディスクである。図２に示されるように、一実施形態においては、コア体２１は複数のバール２２を備えている。バール２２は、コア体２１の表面に突出する突起である。図２に示されるように、一実施形態においては、バール２２は遠位端２３を有する。コア体２１は、遠位端２３が基板Ｗを支持する支持平面２４内にあるように構成されている。基板Ｗの下面はバール２２の遠位端２３と接触する。基板Ｗの下面の位置は支持平面２４に対応する。バール２２は、基板Ｗが基板ホルダ２０上に概ね平坦に置かれるように配置される。

【0023】

[033] バール２２は、図２では縮尺に合わせて示されてはいない。実用的な一実施形態においては、何百、何千、又は何万ものバールが、直径が例えば２００ｍｍ、３００ｍｍ、又は４５０ｍｍの基板ホルダ２０にわたって分布し得る。バール２２の先端は小さな面積、例えば１ｍｍ２未満を有しており、したがって基板ホルダ２０の一方の面の全てのバール２２の総面積は、基板ホルダ２０の総表面領域の総面積の約１０％未満である。バール２２の配置により、基板Ｗ、基板ホルダ２０、又は基板テーブルＷＴの表面上にある場合がある粒子はバール２２の間に落下する可能性が高く、よって基板Ｗ又は基板ホルダ２０の変形をもたらさないであろう。パターンを形成し得るバールの配置は、規則的であってもよいし、又は基板Ｗ及び基板テーブルＷＴ上での力の適切な分配を提供するように所望の通りに変化してもよい。バール２２は、平面では任意の形状を有していてもよいが、一般的には平面では円形である。バール２２は、その高さ全体を通じて同じ形状及び寸法を有していてもよいが、一般的にはテーパ状である。バール２２は、基板ホルダ２０の残りのオブジェクト対向表面（すなわち、静電シート２５の上表面）の上方に約１μｍから約５ｍｍ、望ましくは約５μｍから約２５０μｍ、望ましくは約１０μｍの距離で突出し得る。よって、バール２２の遠位端２３と静電シート２５の上表面との間の垂直方向の距離は、約１μｍから約５ｍｍ、望ましくは約５μｍから約２５０μｍ、望ましくは約１０μｍである。基板ホルダ２０のコア体２１の厚さは、約１ｍｍから約５０ｍｍの範囲内、望ましくは約５ｍｍから２０ｍｍの範囲内、典型的には１０ｍｍであってもよい。

【0024】

[034] コア体２１は剛性材料で作製され得る。望ましくは、その材料は高い熱伝導率又は低い熱膨張率を有する。望ましくは、その材料は導電性である。望ましくは、その材料は高い硬度を有する。適当な材料は、ＳｉＣ（炭化珪素）ＳｉＳｉＣ（シリコン化炭化珪素）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）、石英、及び／又はゼロデュア（商標）ガラスセラミックなどの様々な他のセラミック及びガラスセラミックを含む。コア体２１は、該当する材料の固体ディスクから、突出するバール２２を残すように材料を選択的に除去することによって、製造され得る。材料を除去するための適当な技術は、放電加工（ＥＤＭ）、エッチング、機械加工、及び／又はレーザアブレーションを含む。コア体２１は、マスクを通じてバール２２を成長させることによっても製造され得る。バール２２は、基部と同じ材料であってもよく、物理蒸着処理又はスパッタリングによって成長され得る。一実施形態においては、コア体２１は１つ以上の内部チャネル（図中には示していない）を備える。一実施形態においては、コア体２１は接合された複数の層を備える。一実施形態においては、それらの層は異なる材料で形成される。ほんの一例として、一実施形態においては、コア体２１は、ＳｉＳｉＣの層と、ガラスの層と、ＳｉＳｉＣの別の層とを、その順で備えている。層の他の組み合わせも可能である。

【0025】

[035] 図２に示されるように、一実施形態においては、基板ホルダ２０は静電クランプのための１つ以上の電極２６を備える。静電クランプ力を提供するために、基板Ｗと基板ホルダ２０との間及び／又は基板ホルダ２０と基板テーブルＷＴの基板ステージとの間には、電位差が発生し得る。一実施形態においては、電極２６は誘電体層（電気的分離層としても知られる）２７，２８の間に封入される。発生する電位差は、１０から５，０００ボルト程度であり得る。１つ以上のヒータ及び温度センサを用いて基板の温度を局所的に制御する構成が米国公開第２０１１－０２２２０３３号明細書に記載されている。同明細書は参照によりその全体が本明細書に組み込まれ、同明細書に記載の技術は本明細書に記載の技術に適用され得る。

【0026】

[036] 図２に示されるように、一実施形態においては、基板ホルダ２０は静電シート２５を備える。静電シート２５は１つ以上の電極２６を備える。電極２６について、一実施形態においては、連続的な金属膜（だがバール２２の遠位端２３からは分離されている）の２つの半分が、ある離間距離で互いに離間して静電クランプの正の要素及び負の要素を形成するように堆積され得る。離間距離は特に限定されない。一実施形態においては、離間距離は少なくとも約２０μｍ、任意選択的には少なくとも約５０μｍ、任意選択的には少なくとも約１００μｍ、任意選択的には少なくとも約２００μｍ、及び任意選択的には少なくとも約５００μｍである。一実施形態においては、離間距離は最大で約２ｍｍ、任意選択的には最大で約１ｍｍ、及び任意選択的には最大で約５００μｍである。一実施形態においては、離間距離は約５００μｍである。したがって、２つの電極２６があってもよい。しかしながら、静電シート２５における電極２６の数は特に限定されず、１つであっても、又は３つであっても、又はそれより多くてもよい。電極２６の金属線は、約２０ｎｍよりも大きな、望ましくは約４０ｎｍよりも大きな層厚を有し得る。金属線は、望ましくは約１μｍ以下、望ましくは約５００ｎｍ未満、望ましくは約２００ｎｍ未満の層厚を有する。

【0027】

[037] 上部静電シート２５の電極２６は、基板Ｗを基板ホルダ２０に静電クランプするように構成され得る。下部静電シート２５の電極２６は、基板ホルダ２０を残りの基板テーブルＷＴに静電クランプするように構成され得る。

【0028】

[038] 一実施形態においては、コア体２１及びバール２２の材料は導電性である。例えば、一実施形態においては、バール２２の材料はＳｉＳｉＣである。もっとも、コア体２１及びバール２２の材料が導電性であることは必須ではない。一実施形態においては、バール２２のうち２つ以上（任意選択的にはバール２２の全て）の遠位端２３を電気的に接地させる又は共通電位に電気的に接続する接地層が提供され得る。接地層は、導電材料の相対的に厚い層を堆積させることによって形成され得る。導電材料は特に限定されない。一実施形態においては、導電材料はＣｒである。代替的な一実施形態においては、導電材料はＣｒＮである。一実施形態においては、堆積された層はその後、パターン付与されて接地層を形成する。パターンは、バール２２の遠位端２３を繋ぎ合わせる一連の金属線を備え得る。そのようなパターンは、「マンハッタン」パターンと称されることがある。代替的な一実施形態においては、堆積された層はパターン付与されない。一実施形態においては、接地層又は別の層が、コア体２１及び／又はバール２２の表面を覆うように配置される。その接地層又は別の層は、表面を滑らかにして表面の洗浄を容易にするのに役立ち得る。

【0029】

[039] 図２に示されるように、一実施形態においては、静電シート２５は、誘電体層２７，２８の間に挟まれた電極２６を備える。図２に示されるように、一実施形態においては、バール２２及び静電シート２５は、基板ホルダ２０の両主表面に提供される。代替的な一実施形態においては、バール２２及び静電シート２５は、基板ホルダ２０の２つの主表面のうち一方のみに提供される。図２に示されるように、一実施形態においては、静電シート２５はバール２２の間にある。例えば、図２に示されるように、静電シート２５には穴３４が設けられる。穴３４は、その位置がコア体２１のバール２２に対応するように配置される。バール２２は、誘電体層２７，２８の間に挟まれた電極２６がバール２２間の領域に提供されるように、静電シート２５のそれぞれの穴３４を通って突出する。

【0030】

[040] 図２に示されるように、一実施形態においては、基板ホルダ２０は接合材料２９を備える。一実施形態においては、接合材料は少なくとも１００ｎｍの厚さを有する。接合材料２９は、静電シート２５の位置をコア体２１に対して固定する。接合材料２９は、静電シート２５の穴３４をバール２２に位置合わせした状態に保つ。一実施形態においては、バール２２は静電シート２５のそれぞれの穴３４の中心に位置決めされる。接合材料２９が少なくとも１００ｎｍの厚さを有することを規定することによって、接合層の最小レベルの順応性が保証される。概して、接合材料が厚いほど、順応性が高く、コア体２１と静電シート２５との間の界面における温度差によって引き起こされる応力レベルの影響を受けにくい。一実施形態においては、接合材料２９は少なくとも２００ｎｍ、任意選択的には少なくとも５００ｎｍ、任意選択的には少なくとも１μｍ、任意選択的には少なくとも２μｍ、任意選択的には少なくとも５μｍ、任意選択的には少なくとも１０μｍ、任意選択的には少なくとも２０μｍ、任意選択的には少なくとも２５μｍ、及び任意選択的には少なくとも５０μｍの厚さを有する。発明者たちは、接合材料２９の厚さを少なくとも２５μｍにすることで、温度差に対する界面部品の許容性が向上する（すなわち接合層がより順応的になる）ことを見出している。一実施形態においては、接合材料２９は最大で１００μｍの厚さを有する。これは接合材料２９の最小レベルの安定性を保証し、このことはクランプ機能の静電性能にとって有益である。一実施形態においては、接合材料２９は最大で７５μｍ、任意選択的には最大で５０μｍの厚さを有する。接合材料２９の厚さを減少させることは、接合材料２９をより安定的にするのに役立つ。ほんの一例として、一実施形態においては、接合材料２９は約２５μｍから約７５μｍの範囲の厚さを有する。

【0031】

[041] 図２に示されるように、一実施形態においては、接合材料２９は、互いに連結しない別々の部分で形成される。接合材料２９の異なる部分の厚さにはいくらかのばらつきがあり得る。一実施形態においては、接合材料２９の別個の部分は、互いに実質的に同じ厚さを有する。図１０に示されるように、代替的な一実施形態においては、接合材料２９は、コア体２１と静電シート２５との間の領域に連続的に延在する。図１０に示されるように、一実施形態においては、接合材料２９は、静電シート２５とバール２２との間の領域まで延在する。

【0032】

[042] 図３から図５は、基板ホルダ２０を製造するプロセスの連続的な段階を概略的に図示している。特に図３から図５は、静電シート２５をコア体２１に結合する段階を示す。

【0033】

[043] 図３に示されるように、一実施形態においては、基板ホルダ２０を製造する方法は、コア体２１を提供することを備える。コア体２１は、基板Ｗを支持するための複数のバール２２を備える。図３に示されるように、一実施形態においては、方法は、接合材料２９をコア体２１に塗布することを備える。接合材料２９はコア体２１の主表面のうち少なくとも１つに塗布される。接合材料２９はバール２２の間に塗布される。図３に示されるように、一実施形態においては、接合材料２９の複数の別々の部分がコア体２１に塗布される。代替的な一実施形態においては、接合材料２９はバール２２の間にコア体２１の主表面にわたって実質的に連続的に塗布される。接合材料２９を分配する方法は特に限定されない。接合材料２９の複数の別々の部分を提供することによって、接合材料２９の全体の体積が低減され得る。これは、基板ホルダ２０のクランプ機能に悪影響を及ぼし得る余分な接合材料２９がバール２２の付近に存在する可能性を低減させる。

【0034】

[044] 図４に示されるように、一実施形態においては、方法は、静電シート２５をツールのプレート３０に連結することを備える。プレート３０は、コア体２１のそれぞれのバール２２のために複数の凹部３１を備える。凹部３１は静電シート２５のそれぞれの穴３４と整列する。一実施形態においては、凹部３１の中心は、静電シート２５の穴３４の中心と位置が合う。プレート３０は、凹部３１のパターンがコア体２１のバール２２のパターンに対応するように構成されている。したがって、バール２２の数及び位置決めに関して上述した開示内容は、プレート３０の凹部３１並びに静電シート２５の穴３４の数及び位置決めに、等しく当てはまる。一実施形態においては、プレート３０の平面に垂直な方向において、プレート３０は最大で１０^５Ｎｍ^－１の剛性を有する。プレート３０は、バール２２の高さのばらつきに追随するように順応的に構成される。

【0035】

[045] プレート３０が静電シート２５に連結される手法は特に限定されない。例えば、プレート３０と静電シート２５との間の連結は、真空及び／又は静電吸着及び／又は仮接合によるものであってもよい。一実施形態においては、プレート３０はコア体２１に対して、例えばポジショナを用いて、位置決めされる。ポジショナは、静電シート２５が連結されるときのプレート３０の移動を制御するように構成される。ポジショナは、プレート３０の凹部３１が（したがって静電シート２５の穴３４も）コア体２１のバール２２と位置合わせされるように、プレート３０をコア体２１に対して位置決めする。

【0036】

[046] ポジショナは、静電シート２５をバール２２の間のコア体２１に取り付けるべくプレート３０の移動を制御するように構成される。例えば、ポジショナは、プレート３０をコア体２１上へと下向きに下降させ得る。代替的な一実施形態においては、ポジショナは、バール２２が静電シート２５の穴３４を通って延在するように、コア体２１をプレート３０に向かって上向きに移動させるように構成される。

【0037】

[047] 取付プロセスにあたり、バール２２の遠位端２３は、凹部３１の底と接触する。凹部３１の底は、静電シート２５とコア体２１とが互いにより接近するのを制止する。凹部３１の深さは、静電シート２５が取り付けられる高さを決定する。凹部３１の深さは、静電シート２５の底部と（接合材料２９が配置される）コア体２１の上表面との間の距離を制御する。凹部３１の深さは、製造された基板ホルダ２０においてバール２２が静電シート２５の上表面の上方に突出する高さを制御する。

【0038】

[048] 一実施形態においては、凹部３１は、上述したバール２２の突出距離に対応する深さを有する。例えば、凹部３１は、約１μｍから約５ｍｍ、望ましくは約５μｍから約２５０μｍの深さを有する。

【0039】

[049] 一実施形態においては、基板ホルダ２０を製造する方法は、接合材料２９を硬化させるステップを備える。一実施形態においては、接合材料２９は真空下で硬化される。これは、接合材料２９中の介在物を回避するのに役立つ。もっとも、接合材料２９が硬化されることは必須ではない。代替的な一実施形態においては、接合材料２９は硬化されることを必要としない。

【0040】

[050] 使用される接合材料のタイプは特に限定されない。一実施形態においては、接合材料２９は接着材料を備える。もっとも、接合材料２９が接着材料であることは必須ではない。非接着材料も用いることができる。例えば、代替的な一実施形態においては、接合材料２９は、静電シート２５をコア体２１にはんだ付け又は溶接する際に用いられる材料である。

【0041】

[051] 図５は、バール２２の遠位端２３が凹部３１の底に当接する瞬間を概略的に示す。

【0042】

[052] 一実施形態においては、接合材料２９は、プレート３０の凹部３１によって定義される高さで静電シート２５をコア体２１に固定する。一実施形態においては、方法は、プレート３０を静電シート２５から分離することを備える。図２に示されるように、一実施形態においては、静電シート２５はコア体２１の各面に提供される。上述した方法ステップは、静電シート２５がコア体２１の両表面に提供されるように、コア体２１の反対面について繰り返され得る。

【0043】

[053] 一実施形態においては、バール２２の少なくとも１つは、遠位端２３において支持平面２４内の方向で最大で１０^７Ｎｍ^－１の剛性を有する。基板ホルダ２０の通常の使用においては、支持平面２４内の方向は水平である。支持平面２４内の方向の剛性は水平剛性と称され得る。水平剛性とは、遠位端２３を水平に移動させるためにバール２２の遠位端２３に印加されることが必要な力の量を指す。例えば、１０^７Ｎｍ^－１の水平剛性とは、遠位端２３において水平に印加される１０Ｎの力が遠位端２３を水平に１μｍ移動させるであろうことを意味する。水平剛性が最大で１０^７Ｎｍ^－１であると規定することによって、水平剛性は、（バール２２を有するコア体２１とは別個に静電シート２５を形成するのではなく）電極がガラス内に埋め込まれた既知の基板ホルダのものよりも小さくなる。バール２２が静電シート２５の穴３４を通って延在すると規定することによって、バール２２は静電シート２５の厚さよりも（垂直方向で）長くなる。より長いバール２２を提供することによって、バール２２の水平剛性は低減され得る。一実施形態においては、バール２２のほとんどが、最大で１０^７Ｎｍ^－１の剛性を有する。一実施形態においては、バール２２の大部分が、遠位端２３において支持平面２４内の方向で最大で１０^７Ｎｍ^－１の剛性を有する。バール２２の水平剛性は、バール２２の長さを選択することによって制御することができる。追加的又は代替的には、バール２２の水平剛性は、バール２２の幅（すなわち周囲の寸法）を選択することによって制御することができる。

【0044】

[054] バール２２の水平剛性を低減させることによって、バール２２は、露光の際に、基板Ｗの熱膨張の方向により柔軟になる。露光プロセスにあたり、基板Ｗは放射によって加熱される。基板Ｗの加熱は基板Ｗを局所的に膨張させる。膨張量は基板Ｗにわたって変化する。基板Ｗの膨張は、基板Ｗの下面の一部をバール２２のうちいくつかの遠位端２３に対して滑らせ得る。そのような滑りは望ましくないオーバーレイエラーを引き起こす恐れがあり、これは予測するのが困難（したがって補償するのが困難）であり得る。バール２２の水平剛性を低減させることによって、バール２２に対する基板Ｗの滑りの可能性は低減される。基板Ｗの膨張は、バール２２の遠位端２３に水平力を付与する。バール２２は基板Ｗとの接触を維持するように曲がり得る。バール２２は片持ち梁として作用し得る。

【0045】

[055] 一実施形態においては、バール２２の少なくとも１つ（又はほとんど又は全て）は、遠位端２３において、最大で７×１０^６Ｎｍ^－１、任意選択的には最大で５×１０^６Ｎｍ^－１、任意選択的には最大で３×１０^６Ｎｍ^－１、任意選択的には最大で２×１０^６Ｎｍ^－１、及び任意選択的には最大で１０^６Ｎｍ^－１の水平剛性を有する。バール２２の水平剛性を低減させることによって、基板ホルダ２２にわたるバール２２の接触剛性のばらつきが好適に低減される。

【0046】

[056] 一実施形態においては、バール２２の少なくとも１つ（又はほとんど又は全て）は、遠位端２３において、少なくとも１０^５Ｎｍ^－１、任意選択的には少なくとも２×１０^５Ｎｍ^－１、任意選択的には少なくとも５×１０^５Ｎｍ^－１、及び任意選択的には少なくとも１０^６Ｎｍ^－１の水平剛性を有する。これはバール２２に最小限のロバスト性を提供する。

【0047】

[057] 一実施形態においては、バール２２を含むコア体２１は、高ヤング率を有する材料で作製される。例えば、ＳｉＳｉＣは高ヤング率を有する。一実施形態においては、バール２２は、少なくとも１０^７Ｎｍ^－１、任意選択的には少なくとも２×１０^７Ｎｍ^－１、及び任意選択的には少なくとも３×１０^７Ｎｍ^－１の垂直剛性を有する。例えば、垂直剛性は約３．４×１０^７Ｎｍ^－１であり得る。垂直剛性を増大させることによって、集束性能を向上させることができる。

【0048】

[058] バール２２を備えるコア体２１を製造する方法は特に限定されない。例えば、バール２２を生産するためには、レーザアブレーション、放電加工、及び／又は粉体噴射加工が用いられ得る。

【0049】

[059] 図６は、本発明の一実施形態による基板ホルダ２０の一部の近接図である。図６に示されるように、一実施形態においては、バール２２のうち少なくとも１つがトレンチ３５によって包囲される。トレンチ３５は、コア体２１のオブジェクト対向表面３７に形成される。一実施形態においては、バール２２はトレンチ３５によって直に包囲される。トレンチ３５を設けることによって、静電シート２５の厚さ又はバール２２の遠位端２３が静電シート２５の上表面の上方に突出する高さを増大させることを要さずに、バール２２の長さが増大される。バール２２の長さを増大させることによって、バール２２の水平剛性は低減され得る。バール２２の長さとは、遠位端２３とトレンチ床３６との間の垂直距離である。トレンチ３５の深さとは、トレンチ床３６とコア体２１のオブジェクト対向表面３７との間の垂直距離である。コア体２１のオブジェクト対向表面３７とは、接合材料２９が配置される表面である。

【0050】

[060] バール２２の遠位端２３の直径は特に限定されない。一実施形態においては、遠位端２３の直径は少なくとも１００μｍ、任意選択的には少なくとも２００μｍである。一実施形態においては、遠位端２３における直径は最大で５００μｍである。例えば、一実施形態においては、遠位端２３における直径は約２１０μｍである。バール２２の長さは特に限定されない。一実施形態においては、バール２２の長さは少なくとも２００μｍ、任意選択的には少なくとも５００μｍ、及び任意選択的には少なくとも１０００μｍである。一実施形態においては、バール２２の長さは最大で２０００μｍ、任意選択的には最大で１０００μｍである。例えば、一実施形態においては、トレンチ３５によって包囲されていないバール２２は、約５６０μｍの長さを有する。一実施形態においては、トレンチ３５によって包囲されているバール２２は、約１０００μｍの長さを有する。一実施形態においては、コア体２１は、トレンチ３５によって包囲されている少なくとも１つのバール２２と、そのようなトレンチによって包囲されていない少なくとも１つのバール２２とを備える。トレンチ３５によって包囲されているバール２２とトレンチによって包囲されていないバール２２とが混在していてもよい。

【0051】

[061]
[062] 図７は、バール２２の水平剛性が基板ホルダ２０における位置に応じてどのように変化し得るかを示す概略図である。一実施形態においては、基板ホルダ２０の周縁領域にあるバール２２ｃのうち少なくとも１つが、基板ホルダ２０の中心領域にあるバール２２ａのうち少なくとも１つよりも低い水平剛性を有する。一実施形態においては、バール２２の水平剛性は、基板ホルダ２０の中心から遠ざかる半径方向で徐々に増大する。上記で言及したように、バール２２の水平剛性を制御する様々な手法がある。図７は、バール２２の長さを変化させることによって水平剛性が変化することを概略的に示す。例えば、図７に示されるように、一実施形態においては、バール２２の長さＨは、基板ホルダ２０の中心からの距離Ｒが増大するにつれて増大する。追加的又は代替的には、バール２２を包囲するトレンチ３５の深さは、基板ホルダ２０の中心からの距離Ｒが増大するにつれて増大し得る。追加的又は代替的には、バール２２の幅は、基板ホルダ２０の中心からの距離Ｒが増大するにつれて減少し得る。図７に示されるように、一実施形態においては、中間のバール２２ｂは、周縁のバール２２ｃの高さよりも小さく中心のバール２２ａの長さよりも大きい、中間の高さを有し得る。

【0052】

[063] 基板Ｗがコア体２１に対して膨張すると、基板Ｗの相対移動は、基板Ｗの半径方向位置に応じて変化する。概して、基板Ｗとコア体２１との間の相対移動は、基板ホルダ２０の周縁において最も大きく、中心において最も小さいであろうことが予期され得る。これは、基板Ｗがバール２２の遠位端２３に対して滑る危険性は、基板ホルダ２０の周縁領域において、より大きいということを意味する。半径方向位置に応じてバール２２の水平剛性を変化させることによって、バール２２を、その位置に必要なように柔軟にすることができる。これにより、柔軟なバールの有益性とコア体２１の製造の複雑性とを釣り合わせることが可能になる。例えば、より低い水平厚さを有するバール２２を製造することは、より困難であり得る。コア体２１の製造の複雑性が増大され得ると共に、基板Ｗと基板ホルダ２０との間での滑りの可能性を低減させる必要も必要になるであろう。

【0053】

[064]
[065] 図８は、本発明の一実施形態による基板ホルダ２０の一部の近接図である。図８に示されるように、一実施形態においては、コア体２１は少なくとも１つのガス供給通路３８を備える。ガス供給通路３８は、バール２２のうち少なくとも１つの半径方向外側表面４１（図９に示される）と静電シート２５との間の半径方向間隙３９に、コア体２１と静電シート２５との間の垂直方向間隙４０を介して、ガスを供給するように構成される。図９は、バール２２の半径方向外側表面４１と静電シート２５の穴３４を定義する静電シート２５の壁４２との間の半径方向間隙３９の近接図である。図８及び９において、両方向矢印はガス流を表す。

【0054】

[066] 一実施形態においては、基板ホルダ２０は、基板Ｗを熱的に調節するように構成された熱調節器を備える。熱調節器は、例えば露光プロセスの際に、基板Ｗの温度を制御するために用いることができる。一実施形態においては、熱調節器は、熱調節流体が流れる回路を備える。一実施形態においては、熱調節器は、熱調節機能を制御するように制御されたヒータ及びセンサを備える。

【0055】

[067] ガス供給通路３８を設けることによって、基板ホルダ２０と基板Ｗとの間の伝熱を高めるように、基板Ｗと基板ホルダ２０との間にガスが供給され得る。これは基板Ｗの温度を制御するのに役立つ。図８に示されるように、ガスは、静電シート２５の直下のガス供給通路３８を通じて供給される。ガス供給通路３８は、静電シート２５のすぐ下のコア体２１のオブジェクト対向表面３７にある開口で終端する。ガスは、コア体２１と静電シート２５との間の垂直方向間隙４０を流れ、半径方向間隙３９に達する。ガスはその後、基板Ｗと静電シート２５の上表面との間の間隙を充填し、それによって基板Ｗと基板ホルダ２０との間の熱伝導を向上させる。

【0056】

[068] ガス供給通路３８を静電シート２５のすぐ下に設けることによって、基板Ｗの平坦性を向上させることができる。これは、コア体２１と静電シート２５の下部誘電体層２７との間のガス通路が、ガスが基板Ｗの下に達することを、静電シート２５のその場所に穴を必要とすることなく可能にするからである。静電シート２５に穴を有さないことによって、高電圧電極２６に穴を有することが不要になる。高電圧電極２６に穴を有さないことによって、電極２６を遮蔽するために穴に接地層を有することが不要になる。高電圧電極２６に穴を有さないことによって、平坦性を低減させるであろう静電クランプ力の局所的な低減がない。静電シート２５はガス供給通路３８と基板Ｗとの間に位置決めされる。一実施形態においては、複数のそのようなガス供給通路３８がコア体２１にわたって設けられる。ガス供給通路３８の位置及び数に対する特別な制限はない。本発明の一実施形態は、基板Ｗの平坦性を過度に低減させることなく基板Ｗの下の圧力の均一性を向上させることが期待される。垂直方向間隙４０は、接合材料２９の部分の間の領域に存在する。基板Ｗの下の圧力の均一性を高めることによって、基板Ｗの一部の下で圧力が過剰に低くなる可能性を過度に高めることなく、平均圧力を低減させることができる。基板Ｗの下の平均圧力を低減させることによって、基板Ｗを基板ホルダ２０に保持する効果的なクランプ力が高められる。ガスの解放時間は短縮され得る。使用されるガスのタイプは特に限定されない。一実施形態においては、ガスは水素を備える。一実施形態においては、静電シート２５は、ガス供給通路３８の垂直方向直上に穴を備える。

【0057】

[069] 図１０は、本発明の一実施形態による基板ホルダ２０の一部の近接図である。図１０に示されるように、一実施形態においては、接合材料２９は、静電シート２５の下表面とコア体２１の対向表面との間の領域を実質的に充填する。図１０に示されるように、一実施形態においては、接合材料２９は、静電シート２５の下のコア体２１のオブジェクト対向表面３７を実質的に覆う。図１０に示されるように、一実施形態においては、接合材料２９はバール２２を包囲する。図１０に示されるように、一実施形態においては、接合材料２９は、静電シート２５の上表面よりも低い上表面を有する。代替的な一実施形態においては、接合材料２９の上表面は、静電シート２５の上表面と実質的に同一平面上にある。図１０に示される実施形態は、接合材料２９が（静電シート２５の全体ではなく）まばらな場所に提供される上述の他の実施形態とは対照的である。

【0058】

[070] 一実施形態においては、電極２６は高電圧電位（例えば約３２００ｋＶ）に接続される。基板Ｗと静電シート２５との間に生じる電場は、基板ホルダ２０と基板Ｗとの間に静電吸着力をもたらす。一実施形態においては、コア体２６及びそのバール２２は電気的に接地される（又は別の制御された電位に保たれる）。静電シート２５とバール２２との間の領域、並びに静電シート２５とコア体２１との間の領域には、電場が存在している。接合材料２９には電場が存在している。

【0059】

[071] 図１０に示されるように、一実施形態においては、静電シート２５は電気絶縁体４４を備える。電気絶縁体４４は非導電性であり、高電圧バリアとして機能する。電気絶縁体４４は、電極２６の平面内で電極２６を包囲する。電気絶縁体４４は、電極２６とバール２２との間での電気的破壊の可能性を低減させる。

【0060】

[072] 電荷が電気絶縁体４４を流れ得る。これは、望ましくないことに、電極２６が高電圧であるときのクランプ力に影響を及ぼし得る。電荷の流れは、望ましくないことに、基板ホルダ２０が基板Ｗをクランプするために用いられないときの残留クランプ力にも繋がり得る。接合材料２９が（例えば図１０に示されるように）静電シート２５の全面にある一実施形態においては、接合材料２９の表面伝導性は、静電場及びクランプ力に望ましくない影響を与え得る。

【0061】

[073] 図１１は、本発明の一実施形態による基板ホルダ２０の一部の近接図である。矢印は電場を表す。図１１に示されるように、一実施形態においては、静電シート２５は静電遮蔽体４５を備える。静電遮蔽体４５は、静電シート２５を他の構成要素から分離するように構成されている。一実施形態においては、静電遮蔽体４５は、電気的絶縁体４４の電荷を基板Ｗから及び／又は残りのコア体２１及びバール２２から遮蔽するように構成されている。静電遮蔽体４５は、静電シート２５の周りの１つ以上の異なる位置に提供され得る。一実施形態においては、静電遮蔽体４５は静電シート２５の表面の導電性めっきを備える。一実施形態においては、静電遮蔽体４５は化学蒸着によって適用される。一実施形態においては、静電遮蔽体４５はスパッタリングによって適用される。一実施形態においては、静電遮蔽体４５は物理蒸着によって適用される。一実施形態においては、静電遮蔽体４５は少なくとも５０ｎｍ、任意選択的には少なくとも１００ｎｍ、任意選択的には少なくとも２００ｎｍ、及び任意選択的には少なくとも５００ｎｍの厚さを有する。一実施形態においては、静電遮蔽体４５は最大で１０００ｎｍ、任意選択的には最大で５００ｎｍ、任意選択的には最大で２００ｎｍ、及び任意選択的には最大で１００ｎｍの厚さを有する。一実施形態においては、静電遮蔽体４５の厚さは、その静電遮蔽体の異なる区域については異なり得る。

【0062】

[074] 図１２は、本発明の一実施形態による静電シート２５の一部の概略断面図である。図１２に示されるように、一実施形態においては、静電シート２５は、コア体２１に対向する静電シート２５の主表面に静電遮蔽体４５ａを備える。図１１に示される例においては、これは静電シート２５の底面である。静電遮蔽体４５ａは、電極２６をコア体２１のオブジェクト対向表面３７から分離するように構成される。一実施形態においては、静電遮蔽体４５ａは、静電シート２５の底面の実質的に全部を覆う。しかし、必ずしもそうではない。代替的な一実施形態においては、静電遮蔽体４５ａは、静電シート２５の底面の一部のみを覆う。

【0063】

[075] 図１２に示されるように、一実施形態においては、静電シート２５は、静電シート２５の穴画定表面に静電遮蔽体４５ｂを備える。静電遮蔽体４５ｂは、静電シート２５を、バール２２のうち少なくとも１つの半径方向外側表面４１から分離するように構成される。図１２に示されるように、一実施形態においては、静電シート２５は、静電シート２５のコア体２１とは反対向きの主表面に静電遮蔽体４５ｃを備える。図１１に示される例においては、これは静電シート２５の上表面である。静電遮蔽体４５ｃは、静電シート２５を、電気的絶縁体４４の垂直方向上方の基板Ｗの領域から少なくとも部分的に分離するように構成される。一実施形態においては、静電遮蔽体は電気的に接地される（又は別の制御された電位に保たれる）。静電遮蔽体４５はいくつかの場所に存在し得る。一実施形態においては、静電遮蔽体４５ｃは、静電シート２５の穴３４の周りに、静電シート２５の上のリングとして提供される。一実施形態においては、静電遮蔽体の異なる区画４５ａ，４５ｂ，４５ｃは、異なる厚さを有する。

【0064】

[076] 図１１に示されるように、例えば、一実施形態においては、静電シート２５の穴３４は実質的に円筒形である。しかし、必ずしもそうではない。図１３から図１７は、穴３４が完全に円筒形ではない代替的な実施形態の概略図である。例えば、図１３に示されるように、一実施形態においては、穴３４は砂時計形状である。これは、特に粉体噴射加工を用いて誘電体層２７，２８を整形する場合に、製造するのがより容易であろう。一実施形態においては、静電シート２５は、電極２６と基板Ｗとの間に上部誘電体層２８を備える。上部誘電体層２８は基板Ｗに向かってテーパ状である。つまり、穴３４は、直径が上部誘電体層２８の厚さにわたり基板Ｗに向かって増大する。図１３に示されるように、一実施形態においては、静電シート２５は下部誘電体層２７を備える。下部誘電体層２７は電極２６とコア体２１との間にある。一実施形態においては、下部誘電体層はコア体２１に向かってテーパ状である。つまり、穴３４の直径は、下部誘電体層２７の厚さにわたりコア体２１に向かって増大する。砂時計形状の壁３４を備える本発明の一実施形態は、製造するのがより容易であることが期待される。図１３においては、上部誘電体層２８及び下部誘電体層２７の両方がテーパ状である。代替的な一実施形態においては、２つの誘電体層２７，２８のうち一方のみがテーパ状である。図１３においては、誘電体層２７，２８は、静電シート２５の両面からテーパ状になっている。図１９に示されるように、代替的な一実施形態においては、静電シート２５は一方の面のみからテーパ状になっている。例えば、上部誘電体層２８と下部誘電体層２７との両方が基板Ｗに向かってテーパ状であり得る。代替的には、上部誘電体層２８と下部誘電体層２７との両方がコア体２１に向かってテーパ状であり得る。一実施形態においては、穴３４は、一方の面のみからの粉体噴射加工によって静電シート２５に形成される。

【0065】

[077] 図１３から図１６に示されるように、静電遮蔽体４５がどこに提供されるかの選択は特に限定されない。図１３に示されるように、一実施形態においては、静電遮蔽体４５は、静電シート２５の底面及び穴３４の内側には提供されるが静電シート２５の上には提供されない。

【0066】

[078] 図１４に示されるように、一実施形態においては、静電遮蔽体４５は、バール２２のうち少なくとも１つと、電極２６を挟む２つの誘電体層２７，２８のうち一方のみとの間に提供される。例えば、図１４に示されるように、一実施形態においては、静電遮蔽体は、静電シート２５の底面に、及び穴３４の内側の下部誘電体層２７に提供される（が上部誘電体層２８には提供されない）。

【0067】

[079] 図１５に示されるように、一実施形態２２においては、一実施形態においては、静電遮蔽体４５は、静電シート２５の底面、穴３４の内側、及び穴３４の周りの静電シート２５の上に提供される。

【0068】

[080] 静電遮蔽体４５を提供することによって、望ましくない電気的破壊の可能性が低減される。これは、電極２６とバール２２との間の間隙のサイズが、製造公差のために良好に制御されない場合があるときに、特に重要である。静電遮蔽体４５は、電気的絶縁体４４を通って又は誘電体層２７，２８を通って流れる電荷によって引き起こされ得る電気的破壊を低減させるのに役立つ。（例えば図１０に示されるように）接合材料２９が静電シート２５の全面に提供されるとき、電極磁気遮蔽体４５は、接合材料２９の表面伝導性による電気的破壊の可能性を低減させる。静電遮蔽体４５は、静電シート２５の周りの間隙にわたる、それらの間隙に進入する材料によって引き起こされ得る望ましくない静電放電の可能性を低減させる。

【0069】

[081] 図１６に示されるように、一実施形態においては、静電遮蔽体４５ｂが、穴３４の内側の（下部誘電体層２７ではなく）上部誘電体層２８のみと、穴３４の周りの静電シート２５の上とに提供される。

【0070】

[082] 図１７は、本発明の一実施形態による基板ホルダ２０の一部の斜視図を概略的に示す。図１７に示されるように、一実施形態においては、異なるバール２２を包囲する静電遮蔽体４５ｃは、電極２６と基板Ｗとの間にある静電シート２５の上部誘電体層２８のオブジェクト対向表面上の（図１６にも示される）導電線４６を介して、互いに電気的に接続される。一実施形態においては、導電線４６は、穴３４の周りの静電遮蔽体４５ｃを接地させる（又は別の制御された電位に接続する）。したがって、静電遮蔽体４５ｃを接地させるために静電シート２５の底面の静電遮蔽体４５ａが提供される必要はない。

【0071】

[083] 図１８は、導電線４６によって接続されたバール２２の遠位端２３を包囲する静電遮蔽体４５ｃの概略平面図である。静電遮蔽体４５ｃは、静電シート２５の上の薄導電線４６によって電気的に接地されたドーナツのように見えるであろう。

【0072】

[084] 実施形態によるオブジェクトホルダの部品の全てを作製するために用いられる材料は、既知のオブジェクトホルダを製造するために用いられる既知の材料のいずれでもあり得る。特に、実施形態によるオブジェクトホルダの部品は、国際公開第２０１５／１２０９２３Ａ１号明細書、国際公開第２０１４／１５４４２８Ａ２号明細書、及び米国特許出願公開第２０１３／００９４００９Ａ１号明細書に開示される材料で作製され得る。これらの文献の全内容は参照により本明細書に組み込まれる。

【0073】

[085] 特に、電極２６に用いられる金属は、Ｃｒ又はＴｉであり得る。バールの遠位端表面に用いられる金属はＣｒＮ又はＴｉＮであり得る。絶縁部品はクロム酸化物であり得る。コア体２１はＳｉＳｉＣであり得る。静電遮蔽体４５に用いられる材料は、Ｃｒ、ＣｒＮ、又はＷであり得る（が、多くの他の材料が可能である）。

【0074】

[086] 明確な説明を促進するため、実施形態を、オブジェクトホルダの上表面及び下表面を参照して説明してきた。上表面及び下表面は、オブジェクトホルダの第１及び第２の表面である。第１の表面は、オブジェクトがクランプされ得る表面である。第２の表面は、テーブルがクランプされ得る表面である。オブジェクトホルダが水平面内に配向されるとき、第１の表面は上表面であり、第２の表面は下表面である。もっとも、実施形態は水平面内に配向されないオブジェクトホルダも含む。

【0075】

[087] 実施形態は、任意のリソグラフィ装置において使用されるオブジェクトホルダを含む。リソグラフィ装置は、電子ビーム検査装置など、基板の製造、試験、及び検査に用いられる任意の装置を含み得る。明確な説明を促進するため、オブジェクトホルダの特徴を、主に、基板Ｗにクランプする基板ホルダ２０の上面の文脈で説明してきた。本発明の特徴は、オブジェクトホルダの下面、例えば残りの基板テーブルＷＴにクランプする基板ホルダ２０の下表面に、等しく当てはまる。ほんの一例として、可撓性バール２２、トレンチ３５、及び取付ツールに関係する特徴は、基板ホルダ２０の下面において適用され得る。

【0076】

[088] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあり得ることが理解されるべきである。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造を含む。

【0077】

[089] 本文ではリソグラフィ装置の文脈で本発明の実施形態に特に言及しているが、本発明の実施形態は他の装置において使用されてもよい。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（あるいは他の基板）もしくはマスク（あるいは他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の一部を形成し得る。これらの装置は一般にリソグラフィツールと称され得る。このようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することができる。

【0078】

[090] 上記では光リソグラフィの文脈で本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は、文脈が許す場合には、光リソグラフィに限定されず、例えばインプリントリソグラフィなど、他の用途において使用され得ることは理解されるであろう。

【0079】

[091] 上記ではオブジェクト検査及び光リソグラフィの文脈で本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は、文脈が許す場合には、これらの文脈に限定されず、例えばインプリントリソグラフィなど、他の用途において使用され得ることは理解されるであろう。

【0080】

[092] 本発明の特定の実施形態を上述してきたが、本発明は、説明された以外の手法で実施されてもよいことは理解されるであろう。上記の説明は、限定的ではなく、例示的であることを意図されている。したがって、後述する特許請求の範囲から逸脱することなく、説明された本発明に変更がなされ得ることは、当業者には明白であろう。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】