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特許7662638反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための多状態パルス化
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-04-07
(45)【発行日】2025-04-15
(54)【発明の名称】反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための多状態パルス化
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20250408BHJP
H05H 1/46 20060101ALI20250408BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 105A
H05H1/46 M
【請求項の数】
26
(21)【出願番号】P 2022534154
(86)(22)【出願日】2020-12-03
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-02-13
(86)【国際出願番号】 US2020063142
(87)【国際公開番号】W WO2021118862
(87)【国際公開日】2021-06-17
【審査請求日】2023-11-22
(31)【優先権主張番号】62/961,358
(32)【優先日】2020-01-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】62/948,180
(32)【優先日】2019-12-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】592010081
【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110000028
【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ドール・ニヒル
(72)【発明者】
【氏名】ウォン・マーレット・ティンロク
(72)【発明者】
【氏名】ハドソン・エリック
(72)【発明者】
【氏名】ヤオ・シャオキャン
(72)【発明者】
【氏名】リー・サンホン
【審査官】長谷川 直也
(56)【参考文献】
【文献】米国特許第１０５０４７４４（ＵＳ，Ｂ１）
【文献】特開２０１４－１０７３６３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－０５３９７８（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１９／１７８０３０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１７－２０８３８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１８１１４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１１２３５０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５
Ｈ０５Ｈ １／４６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
マスク選択比とエッチングされたフィーチャの側壁の反り制御とのバランスを達成するための多状態パルス化方法であって、第１の状態、第２の状態、および第３の状態を含む３つの状態間でパルス化される一次無線周波数（ＲＦ）信号を生成することと、
前記３つの状態間でパルス化される二次ＲＦ信号を生成することと、を含み、前記一次ＲＦ信号と前記二次ＲＦ信号とは、エッチングガスからプラズマを形成するために生成され、
前記第１の状態において、前記一次ＲＦ信号の電力レベルは、前記二次ＲＦ信号の電力レベルよりも大きく、
前記第２の状態において、前記二次ＲＦ信号の電力レベルは、前記一次ＲＦ信号の電力レベルよりも大きく、
前記第３の状態において、前記一次ＲＦ信号および前記二次ＲＦ信号の電力レベルは互いに等しい、
方法。
【請求項2】
請求項１に記載の方法であって、前記第１の状態のデューティサイクルは前記第３の状態のデューティサイクルよりも小さく、前記第２の状態のデューティサイクルは前記第３の状態の前記デューティサイクルよりも小さい、
方法。
【請求項3】
請求項１に記載の方法であって、前記第１の状態のデューティサイクルは、クロック信号のクロックサイクルの３パーセント～２５パーセントの範囲である、
方法。
【請求項4】
請求項３に記載の方法であって、前記第２の状態の前記デューティサイクルは、前記クロック信号の前記クロックサイクルの３パーセント～５０パーセントの範囲である、
方法。
【請求項5】
請求項４に記載の方法であって、前記第３の状態は、デューティサイクルを有し、前記第１、第２、および第３の状態の前記デューティサイクルの合計は、前記クロックサイクルの１００パーセントに等しい、
方法。
【請求項6】
請求項２に記載の方法であって、前記第１の状態の前記一次ＲＦ信号の前記電力レベルと、前記第２の状態の前記二次ＲＦ信号の前記電力レベルと、前記第１の状態の前記デューティサイクルと、前記第２の状態の前記デューティサイクルとは、前記反り制御と前記マスク選択比とのバランスを達成することを容易にする、
方法。
【請求項7】
請求項１に記載の方法であって、プラズマチャンバの電極に結合されたインピーダンス整合ネットワークに、前記一次ＲＦ信号を供給することと、
前記インピーダンス整合ネットワークに前記二次ＲＦ信号を供給することと、をさらに含む、
方法。
【請求項8】
請求項１に記載の方法であって、前記第１の状態における前記一次ＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１の状態における前記二次ＲＦ信号の前記電力レベルよりも少なくとも６倍、最大で１０倍大きい、
方法。
【請求項9】
請求項１に記載の方法であって、前記第２の状態における前記一次ＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第２の状態における前記二次ＲＦ信号の前記電力レベルの少なくとも２０パーセント、最大で１００パーセント未満である、
方法。
【請求項10】
請求項１に記載の方法であって、前記第３の状態における前記一次ＲＦ信号および前記二次ＲＦ信号の前記電力レベルはゼロである、
方法。
【請求項11】
請求項１に記載の方法であって、前記一次ＲＦ信号は、前記第１の状態の前記電力レベルから前記第２の状態の前記電力レベルにパルス化され、前記第２の状態の前記電力レベルから前記第３の状態の前記電力レベルにパルス化され、前記第３の状態の前記電力レベルから前記第１の状態の前記電力レベルにパルス化される、
方法。
【請求項12】
請求項１に記載の方法であって、前記一次ＲＦ信号は、デジタルパルス信号の前記３つの状態に同期して、３つの前記電力レベル間でパルス化される、
方法。
【請求項13】
プラズマ処理チャンバ内でマスクの下のスタックをエッチングするための方法であって、金属フッ化物またはタングステン含有パッシベーション剤と、エッチング成分とを含むエッチングガスを前記プラズマ処理チャンバ内に流すことと、
多状態パルス化方式を適用することにより前記エッチングガスをプラズマ化することと、を含み、前記プラズマ化することは、
第１の状態、第２の状態、および第３の状態を含む少なくとも３つの状態間でパルス化される一次無線周波数（ＲＦ）信号を第１の周波数範囲で生成することと、
前記少なくとも３つの状態間でパルス化される二次ＲＦ信号を第２の周波数範囲で生成することと、を含み、前記第１の周波数範囲は前記第２の周波数範囲よりも小さく、
前記第２の状態における前記一次ＲＦ信号の電力レベルは、前記第１の状態における前記一次ＲＦ信号の電力レベルの８０％未満であり、
前記第３の状態における前記一次ＲＦ信号の電力レベルは、前記第２の状態における前記一次ＲＦ信号の前記電力レベルの２０％未満であり、
前記第３の状態における前記二次ＲＦ信号の電力レベルは、前記第２の状態における前記二次ＲＦ信号の電力レベルの２０％未満であり、
前記第１の状態において、前記一次ＲＦ信号の電力レベルは、前記二次ＲＦ信号の電力レベルよりも大きく、
前記第２の状態において、前記二次ＲＦ信号の電力レベルは、前記一次ＲＦ信号の電力レベルよりも大きく、
前記第３の状態において、前記一次ＲＦ信号および前記二次ＲＦ信号の電力レベルは互いに等しい、
方法。
【請求項14】
請求項１３に記載の方法であって、前記第１の状態のデューティサイクルは前記第３の状態のデューティサイクルよりも小さく、前記第２の状態のデューティサイクルは前記第３の状態の前記デューティサイクルよりも小さい、
方法。
【請求項15】
請求項１３に記載の方法であって、前記第１の状態のデューティサイクルは、クロック信号のクロックサイクルの３パーセント～２５パーセントの範囲である、
方法。
【請求項16】
請求項１５に記載の方法であって、前記第２の状態のデューティサイクルは、前記クロック信号の前記クロックサイクルの３パーセント～５０パーセントの範囲である、
方法。
【請求項17】
請求項１６に記載の方法であって、前記第３の状態は、デューティサイクルを有し、前記第１、第２、および第３の状態の前記デューティサイクルの合計は、前記クロックサイクルの１００パーセントに等しい、
方法。
【請求項18】
請求項１３に記載の方法であって、前記第１の周波数範囲は、８０ｋＨｚ～１４ＭＨｚ（境界を含む）であり、前記第２の周波数範囲は、１５ＭＨｚ～１２０ＭＨｚ（境界を含む）である、
方法。
【請求項19】
請求項１３に記載の方法であって、前記金属フッ化物またはタングステン含有パッシベーション剤は、フッ化タングステンである、
方法。
【請求項20】
請求項１３に記載の方法であって、前記金属フッ化物またはタングステン含有パッシベーション剤は、六フッ化タングステンである、
方法。
【請求項21】
請求項１３に記載の方法であって、前記スタックはシリコンを含む、
方法。
【請求項22】
請求項２１に記載の方法であって、前記マスクはハードマスクである、
方法。
【請求項23】
請求項２２に記載の方法であって、前記ハードマスクはポリシリコンを含む、
方法。
【請求項24】
請求項２３に記載の方法であって、前記スタックは、少なくとも1つのシリコン酸化物含有層を含む、
方法。
【請求項25】
請求項１３に記載の方法であって、前記第１の状態における前記一次ＲＦ信号の前記電力レベルの、前記第１の状態における前記二次ＲＦ信号の前記電力レベルに対する比は１より大きく、前記第２の状態における前記一次ＲＦ信号の前記電力レベルの、前記第２の状態における前記二次ＲＦ信号の前記電力レベルに対する比は１より小さい、
方法。
【請求項26】
請求項１３に記載の方法であって、前記多状態パルス化方式は、エッチングされたフィーチャの側壁のネッキングおよび反りを最小化するように調整され、前記ネッキングおよび前記反りは、前記金属フッ化物またはタングステン含有パッシベーション剤を用いて最小化される、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示に記載の実施形態は、反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための多状態パルス化システムおよび方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ここに提供される背景技術の記載は、本開示の背景を概略的に提示することを目的としている。この背景技術に記載されている範囲内での本発明者らの研究、およびその他の点で出願時に先行技術と認められない可能性がある記載の態様は、明示的にも暗示的にも、本開示に対する先行技術とは認められない。
【0003】
無線周波数（ＲＦ）発生器は、ＲＦ信号を生成し、整合回路を介してＲＦ信号をプラズマ反応器に供給する。プラズマ反応器は半導体ウエハを有し、半導体ウエハは、プラズマ反応器にＲＦ信号が供給され、エッチングガスが供給された際にエッチングされる。しかしながら、半導体ウエハのエッチング中、半導体ウエハに関する望ましい選択比は得られない。
【0004】
このような状況において、本開示に記載する実施形態が提供される。
【発明の概要】
【0005】
本開示の実施形態は、反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための多状態パルス化装置、方法、およびコンピュータプログラムを提供する。本実施形態は、例えばプロセス、装置、システム、ハードウェア、またはコンピュータ可読媒体に記録された方法など、数々の形態によって実現可能であることを認識されたい。以下、いくつかの実施形態について説明する。
【0006】
一実施形態において、側壁のポリマーパッシベーションとマスク選択比とのトレードオフを解消する３状態無線周波数（ＲＦ）パルス化方法が記載される。側壁のポリマーパッシベーションとマスク選択比とのトレードオフにより、装置サイズをさらに制限するためのピッチを達成する上で制約が生じる。一例として、３状態ＲＦパルス化方法は、低周波数ＲＦ発生器および高周波数ＲＦ発生器を、周期的に３つの状態間で同期してパルス化することを含む。
【0007】
一実施形態において、反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための多状態パルス化方法が記載される。方法は、一次ＲＦ信号を生成することを含む。一次ＲＦ信号は、第１の状態、第２の状態、および第３の状態を含む３つの状態間でパルス化される。方法はさらに、二次ＲＦ信号を生成することを含む。二次ＲＦ信号は、３つの状態間でパルス化される。第１の状態において、一次ＲＦ信号の電力レベルは、二次ＲＦ信号の電力レベルよりも大きい。また、第２の状態において、二次ＲＦ信号の電力レベルは、一次ＲＦ信号の電力レベルよりも大きい。第３の状態において、一次ＲＦ信号および二次ＲＦ信号の電力レベルはほぼ等しい。
【0008】
一実施形態において、コントローラが記載される。コントローラは、一次ＲＦ発生器を制御して一次ＲＦ信号を生成させるプロセッサを含む。プロセッサは、一次ＲＦ発生器を制御して、一次ＲＦ信号を、第１の状態、第２の状態、および第３の状態を含む３つの状態間でパルス化させる。また、プロセッサは、二次ＲＦ発生器を制御して二次ＲＦ信号を生成させる。プロセッサは、二次ＲＦ発生器を制御して、二次ＲＦ信号をこれら３つの状態間でパルス化させる。第１の状態において、一次ＲＦ信号の電力レベルは、二次ＲＦ信号の電力レベルよりも大きい。第２の状態において、二次ＲＦ信号の電力レベルは、一次ＲＦ信号の電力レベルよりも大きい。第３の状態において、一次ＲＦ信号および二次ＲＦ信号の電力レベルはほぼ等しい。コントローラは、プロセッサに結合されたメモリ装置を含む。
【0009】
一実施形態において、プロセッサは、第１の状態のデューティサイクルを第３の状態のデューティサイクルよりも小さくするように制御する。また、プロセッサは、第２の状態のデューティサイクルを第３の状態のデューティサイクルよりも小さくするように制御する。
【0010】
一実施形態において、第１の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルは、第１の状態における二次ＲＦ信号の電力レベルよりも少なくとも６倍、最大で１０倍大きい。
【0011】
一実施形態において、第２の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルは、第２の状態における二次ＲＦ信号の電力レベルの少なくとも２０パーセント、最大で１００パーセント未満である。
【0012】
一実施形態において、システムが記載される。システムは、一次ＲＦ信号を生成するように構成された一次ＲＦ発生器を含む。システムはさらに、二次ＲＦ信号を生成するように構成された二次ＲＦ発生器を含む。システムは、第１のＲＦケーブルを介して一次ＲＦ発生器に結合され、第２のＲＦケーブルを介して二次ＲＦ発生器に結合されたインピーダンス整合回路を含む。インピーダンス整合回路は、第１のＲＦケーブルを介して一次ＲＦ信号を受信し、第２のＲＦケーブルを介して二次ＲＦ信号を受信して、修正ＲＦ信号を出力する。また、システムは、インピーダンス整合回路に結合され、修正ＲＦ信号を受信するプラズマチャンバを含む。システムは、ＲＦ発生器に結合されたコンピュータを含む。コンピュータは、一次ＲＦ発生器を制御して、一次ＲＦ信号を、第１の状態、第２の状態、および第３の状態を含む３つの状態間でパルス化させる。コンピュータはさらに、二次ＲＦ発生器を制御して、二次ＲＦ信号をこれら３つの状態間でパルス化させる。第１の状態において、一次ＲＦ信号の電力レベルは、二次ＲＦ信号の電力レベルよりも大きい。また、第２の状態において、二次ＲＦ信号の電力レベルは、一次ＲＦ信号の電力レベルよりも大きい。第３の状態において、一次ＲＦ信号および二次ＲＦ信号の電力レベルはほぼ等しい。
【0013】
一実施形態において、コンピュータは、第１の状態のデューティサイクルを第３の状態のデューティサイクルよりも小さくするように制御する。コンピュータは、第２の状態のデューティサイクルを第３の状態のデューティサイクルよりも小さくするように制御する。
【0014】
一実施形態において、第１の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルは、第１の状態における二次ＲＦ信号の電力レベルよりも少なくとも６倍、最大で１０倍大きい。
【0015】
一実施形態において、第２の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルは、第２の状態における二次ＲＦ信号の電力レベルの少なくとも２０パーセント、最大で１００パーセント未満である。
【0016】
一実施形態において、システムが記載される。システムは、第１の周波数範囲で一次ＲＦ信号を生成するように構成された一次ＲＦ発生器を含む。システムはさらに、第２の周波数範囲で二次ＲＦ信号を生成するように構成された二次ＲＦ発生器を含む。システムは、第１のＲＦケーブルを介して一次ＲＦ発生器に結合され、第２のＲＦケーブルを介して二次ＲＦ発生器に結合されたインピーダンス整合回路を含む。インピーダンス整合回路は、第１のＲＦケーブルを介して一次ＲＦ信号を受信し、第２のＲＦケーブルを介して二次ＲＦ信号を受信して、修正ＲＦ信号を出力する。システムは、インピーダンス整合回路に結合され、修正ＲＦ信号を受信するプラズマチャンバを含む。システムはさらに、プラズマチャンバに流体接続されたガス源を含む。ガス源は、タングステン含有ガス源およびエッチング成分ガス源を含む。システムは、ＲＦ発生器に結合されたコンピュータを含む。コンピュータは、タングステン含有ガス源およびエッチング成分ガス源を制御する。コンピュータはさらに、一次ＲＦ発生器を制御して、一次ＲＦ信号を、第１の状態、第２の状態、および第３の状態を含む少なくとも３つの状態間でパルス化させる。また、コンピュータは、二次ＲＦ発生器を制御して、二次ＲＦ信号をこれら少なくとも３つの状態間でパルス化させる。第２の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルは、第１の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルの８０％未満である。また、第３の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルは、第２の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルの２０％未満である。さらに、第３の状態における二次ＲＦ信号の電力レベルは、第２の状態における二次ＲＦ信号の電力レベルの２０％未満である。第１の状態、第２の状態、および第３の状態において、タングステン含有ガス源およびエッチング成分ガス源からガスが流される。
【0017】
一実施形態において、コンピュータは、第１の状態のデューティサイクルを第３の状態のデューティサイクルよりも小さくするように制御する。コンピュータは、第２の状態のデューティサイクルを第３の状態のデューティサイクルよりも小さくするように制御する。
【0018】
一実施形態において、第１の状態のデューティサイクルは、クロック信号のクロックサイクルの３パーセント～２５パーセントの範囲である。
【0019】
また、一実施形態において、第２の状態のデューティサイクルは、クロック信号のクロックサイクルの３パーセント～５０パーセントの範囲である。
【0020】
一実施形態において、第３の状態のデューティサイクルは、クロック信号のクロックサイクルの２５パーセント～９４パーセントの範囲であり、第１、第２、および第３の状態のデューティサイクルの合計は、クロックサイクルの１００パーセントに等しい。
【0021】
一実施形態において、第１の周波数範囲は、８０ｋＨｚ～１４ＭＨｚ（境界を含む）であり、第２の周波数範囲は、１５ＭＨｚ～１２０ＭＨｚ（境界を含む）である。
【0022】
一実施形態において、タングステン含有ガスは、フッ化タングステンである。
【0023】
一実施形態において、タングステン含有ガスは、六フッ化タングステンである。
【0024】
一実施形態において、第１の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルの、第１の状態における二次ＲＦ信号の電力レベルに対する比は１より大きく、第２の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルの、第２の状態における二次ＲＦ信号の電力レベルに対する比は１より小さい。
【0025】
一実施形態において、コンピュータは、金属フッ化物またはタングステン含有パッシベーション剤を用いてネッキングおよび反りを最小化するように、第１の状態、第２の状態、および第３の状態を調整する。
【0026】
本明細書に記載の３状態ＲＦパルス化方法の利点として、窒化物層の側壁における反りを約１．５ナノメートル（ｎｍ）超縮小させつつ、マスク選択比を増加できることが挙げられる。例えば、反りの縮小を達成することにより、マスク選択比が、２状態パルス化を用いた場合のマスク選択比と比較して約１５％～２０％増加する。
【0027】
本明細書に記載の多状態パルス化システムおよび方法の更なる利点として、反り制御とマスク選択比とのバランスを達成できることが挙げられる。低周波数ＲＦ発生器および高周波数ＲＦ発生器の各々を３つの状態でパルス化することによって、このバランスが達成される。例えば、低周波数ＲＦ発生器は、第１の状態において、高周波数ＲＦ発生器の電力レベルと比較してはるかに大きな電力レベルでパルス化される。高周波数ＲＦ発生器は、第２の状態において、低周波数ＲＦ発生器の電力レベルと比較してより大きな電力レベルでパルスされる。第３の状態において、低周波数ＲＦ発生器および高周波数ＲＦ発生器の電力レベルはほぼゼロになる。このように低周波数ＲＦ発生器および高周波数ＲＦ発生器をパルス化することにより、バランスが達成される。このバランスを達成することにより、高アスペクト比の基板フィーチャをエッチングすることが容易になる。
【0028】
他の態様は、添付図面と併せて参照される以下の詳細な説明から明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【0029】
添付図面と併せて以下の記載を参照することで、各実施形態が理解される。
【0030】
【0031】
【0032】
【0033】
【0034】
【0035】
【0036】
【0037】
【0038】
【0039】
【0040】
【0041】
【0042】
【0043】
【0044】
【0045】
【0046】
【0047】
【0048】
【0049】
【0050】
【0051】
【発明を実施するための形態】
【0052】
以下の実施形態において、反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための多状態パルス化システムおよび方法を説明する。本実施形態は、これらの具体的詳細の一部またはすべてを除いて実施されてもよいことは明らかである。他の例においては、本実施形態が不必要に曖昧になることを避けるため、周知のプロセス工程については、詳細な説明を省いた。
【0053】
図１は、反り制御とマスク選択比とのバランスを達成するための複数の無線周波数（ＲＦ）信号の３状態パルス化を説明するためのシステム１００の一実施形態を示す図である。システム１００は、ＲＦ発生器ＲＦＧｘ、別のＲＦ発生器ＲＦＧｙ、インピーダンス整合ネットワークＩＭＮ、プラズマチャンバ１０６、およびホストコンピュータ１１０を含む。
【0054】
ＲＦ発生器ＲＦＧｘの例としては、４００キロヘルツ（ｋＨｚ）、２メガヘルツ（ＭＨｚ）、または１３．５６ＭＨｚの動作周波数を有するＲＦ発生器などの、低周波数ＲＦ発生器が挙げられる。ＲＦ発生器ＲＦＧｙの例としては、２７ＭＨｚまたは６０ＭＨｚの動作周波数を有するＲＦ発生器などの、高周波数ＲＦ発生器が挙げられる。なお、高周波数ＲＦ発生器の動作周波数は、低周波数ＲＦ発生器の動作周波数よりも大きい。
【0055】
インピーダンス整合ネットワークＩＭＮは、インダクタ、コンデンサ、抵抗などの回路構成要素のネットワークである。例えば、インピーダンス整合ネットワークは、分路コンデンサと直列コンデンサを含む回路である。分路コンデンサは、その一端が直列コンデンサに結合され、その他端が接地電位に結合される。直列コンデンサは、インピーダンス整合ネットワークＩＭＮの入力（入力Ｉ２ｘまたは入力Ｉ２ｙなど）と、インピーダンス整合ネットワークＩＭＮの出力Ｏ２との間に結合される。別の例として、インピーダンス整合ネットワークＩＭＮの１つ以上の回路構成要素は、インピーダンス整合ネットワークＩＭＮの１つ以上の回路構成要素に直列または並列結合される。インピーダンス整合ネットワークＩＭＮは、１つ以上の回路構成要素を含むブランチを有し、このブランチは、入力Ｉ２ｘと出力Ｏ２との間に結合される。同様に、インピーダンス整合ネットワークＩＭＮは、１つ以上の回路構成要素を含む別のブランチを有し、このブランチは、入力Ｉ２ｙと出力Ｏ２との間に結合される。
【0056】
プラズマチャンバ１０６は、チャックなどの基板支持台１０４を含む。チャックは、チャック内に埋め込まれた下部電極と、下部電極の下方に位置する設備板と、下部電極の上方に位置するセラミック板とを含む。プラズマチャンバ１０６はさらに、接地電位に結合される上部電極１１８を含む。ホストコンピュータ１１０の例としては、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、コントローラ、タブレット、およびスマートフォンが挙げられる。
【0057】
ＲＦ発生器ＲＦＧｘは、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）ＤＳＰｘ、電力コントローラＰＷＲＳ１ｘ、別の電力コントローラＰＷＲＳ２ｘ、さらに別の電力コントローラＰＷＲＳ０ｘ、自動周波数チューナ（ＡＦＴ）ＡＦＴｘ、および電源ＰＳｘを含む。本明細書で用いられるＤＳＰの例としては、マイクロプロセッサ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、またはプログラム可能論理回路（ＰＬＤ）を含むコントローラが挙げられる。ＤＳＰのコントローラはまた、複数のデータまたは命令を同時にフェッチ可能なメモリ装置を含む。ＤＳＰのメモリ装置は、ＤＳＰのマイクロプロセッサ、ＡＳＩＣ、またはＰＬＤに結合される。本明細書で用いられるメモリ装置の例としては、ＲＯＭ、ＲＡＭ、フラッシュメモリ、記憶ディスクアレイ、ハードディスクなどが挙げられる。
【0058】
本明細書で用いられる電力コントローラの例としては、マイクロコントローラが挙げられる。例示すると、電力コントローラは、マイクロプロセッサ、ＡＳＩＣ、またはＰＬＤを含む。電力コントローラは、電力コントローラのマイクロプロセッサ、ＡＳＩＣ、またはＰＬＤに結合されるメモリ装置をさらに含む。
【0059】
本明細書で用いられるチューナの例としては、マイクロコントローラが挙げられる。例示すると、チューナは、マイクロプロセッサ、ＡＳＩＣ、またはＰＬＤを含む。チューナは、チューナのマイクロプロセッサ、ＡＳＩＣ、またはＰＬＤに結合されるメモリ装置をさらに含む。
【0060】
本明細書で用いられる電源の例としては、周期的な発振電子信号（正弦波ＲＦ信号など）を生成する電子発振器またはＲＦ発振器が挙げられる。
【0061】
デジタル信号プロセッサＤＳＰｘは、電力コントローラＰＷＲＳ１ｘ、ＰＷＲＳ２ｘ、ＰＷＲＳ０ｘと、自動周波数チューナＡＦＴｘとに結合される。さらに、電力コントローラＰＷＲＳ１ｘ、ＰＷＲＳ２ｘ、ＰＷＲＳ０ｘの各々は、電源ＰＳｘに結合される。自動周波数チューナＡＦＴＳｘも、電源ＰＳｘに結合される。
【0062】
ＲＦ発生器ＲＦＧｙは、デジタル信号プロセッサＤＳＰｙ、電力コントローラＰＷＲＳ１ｙ、別の電力コントローラＰＷＲＳ２ｙ、さらに別の電力コントローラＰＷＲＳ０ｙ、自動周波数チューナＡＦＴｙ、および電源ＰＳｙを含む。デジタル信号プロセッサＤＳＰｙは、電力コントローラＰＷＲＳ１ｙ、ＰＷＲＳ２ｙ、ＰＷＲＳ０ｙと、自動周波数チューナＡＦＴｙとに結合される。さらに、電力コントローラＰＷＲＳ１ｙ、ＰＷＲＳ２ｙ、ＰＷＲＳ０ｙの各々は、電源ＰＳｙに結合される。自動周波数チューナＡＦＴＳｙも、電源ＰＳｙに結合される。
【0063】
ホストコンピュータは、プロセッサ１１２およびメモリ装置１１４を含む。プロセッサ１１２は、メモリ装置１１４に結合される。本明細書で用いられるプロセッサの例としては、マイクロプロセッサ、ＡＳＩＣ、中央処理装置（ＣＰＵ）、またはＰＬＤが挙げられる。
【0064】
プロセッサ１１２は、転送ケーブル１２０ｘを介してデジタル信号プロセッサＤＳＰｘに結合されるとともに、別の転送ケーブル１２０ｙを介してデジタル信号プロセッサＤＳＰｙに結合される。本明細書で用いられる転送ケーブルの例としては、プロセッサ１１２とＤＳＰとの間でのデータの並列転送を容易にする並列転送ケーブル、プロセッサ１１２とＤＳＰとの間でのデータの直列転送を容易にする直列転送ケーブル、およびＵＳＢ規格によりプロセッサ１１２とＤＳＰとの間でのデータの転送を容易にするＵＳＢ転送ケーブルが挙げられる。
【0065】
電源ＰＳｘは、ＲＦケーブル１１６ｘを介してインピーダンス整合ネットワークＩＭＮの入力Ｉ２ｘに結合される。例えば、ＲＦ発生器ＲＦＧｘの出力Ｏ１ｘは、ＲＦケーブル１１６ｘを介して入力Ｉ２ｘに結合される。さらに、電源ＰＳｙは、ＲＦケーブル１１６ｙを介してインピーダンス整合ネットワークＩＭＮの入力Ｉ２ｙに結合される。例えば、ＲＦ発生器ＲＦＧｙの出力Ｏ１ｙは、ＲＦケーブル１１６ｙを介して入力Ｉ２ｙに結合される。
【0066】
インピーダンス整合ネットワークＩＭＮの出力Ｏ２は、ＲＦ伝送線１２２を介して基板支持台１０４の下部電極に結合される。ＲＦ伝送線１２２の例としては、ＲＦスリーブ（アルミニウム中実棒材など）によって囲まれた絶縁体によって囲まれた導体が挙げられる。絶縁体は、テフロン（登録商標）などの誘電体材料とすることができる。ＲＦ伝送線１２２の別の例としては、内側導電性ロッドおよび外側ハウジングを有するＲＦシリンダに１つ以上のＲＦストラップを介して結合された導体が挙げられる。ＲＦシリンダの内側導電性ロッドは、下部電極に結合される。上記の例で説明したように、導体は、ＲＦスリーブによって囲まれた絶縁体によって囲まれる。ＲＦ伝送線１２２の導体は、インピーダンス整合ネットワークＩＭＮの出力Ｏ２に結合される。
【0067】
プロセッサ１１２は、クロック信号と、クロック信号に同期したデジタルパルス信号１０８とを生成する。クロック信号およびデジタルパルス信号１０８の例は後述する。デジタルパルス信号１０８は、後述するように状態Ｓ１、状態Ｓ２、および状態Ｓ０などの３つの状態を有する。
【0068】
プロセッサ１１２は、メモリ装置１１４から、ＲＦ発生器ＲＦＧｘが生成するＲＦ信号１０２ｘの状態Ｓ１用の電力レベル、ＲＦ信号１０２ｘの状態Ｓ２用の電力レベル、およびＲＦ信号１０２ｘの状態Ｓ０用の電力レベルにアクセス（例えば、読み出しまたは取得）する。さらに、プロセッサ１１２は、メモリ装置１１４ａから、ＲＦ発生器ＲＦＧｙが生成するＲＦ信号１０２ｙの状態Ｓ１用の電力レベル、ＲＦ信号１０２ｙの状態Ｓ２用の電力レベル、およびＲＦ信号１０２ｙの状態Ｓ０用の電力レベルにアクセスする。ＲＦ信号１０２ｘ、１０２ｙはそれぞれ、正弦波信号である。
【0069】
なお、一実施形態において、ＲＦ信号のある状態用の電力レベルとは、その状態の間にＲＦ信号によって達成される電力レベルである。例えば、ＲＦ信号の状態Ｓ１用の電力レベルは、デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ１であるインスタンス中に達成される電力レベルであり、ＲＦ信号の状態Ｓ２用の電力レベルは、デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ２であるインスタンス中に達成される電力レベルであり、ＲＦ信号の状態Ｓ０用の電力レベルは、デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ０であるインスタンス中に達成される電力レベルである。
【0070】
プロセッサ１１２は、生成されるＲＦ信号１０２ｘの状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０用の電力レベルを、状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０の各々の識別情報とともに、転送ケーブル１２０ｘを介してデジタル信号プロセッサＤＳＰｘに送信する。デジタル信号プロセッサＤＳＰｘは、ＲＦ信号１０２ｘの状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０用の電力レベルを、各状態の識別情報とともに受信すると、デジタル信号プロセッサＤＳＰｘのメモリ装置から、状態Ｓ１～Ｓ０の識別情報と電力コントローラＰＷＲＳ１ｘ、ＰＷＲＳ２ｘ、ＰＷＲＳ０ｘとの対応関係（１対１マッピング、リンク、１対１関係など）にアクセスする。そして、状態Ｓ１用の電力レベルを電力コントローラＰＷＲＳ１ｘに、状態Ｓ２用の電力レベルを電力コントローラＰＷＲＳ２ｘに、状態Ｓ０用の電力レベルを電力コントローラＰＷＲＳ０ｘに送信する。各電力コントローラＰＷＲＳ１ｘ、ＰＷＲＳ２ｘ、ＰＷＲＳ０ｘは、デジタル信号プロセッサＤＳＰｘから受信したそれぞれの電力レベルを電力コントローラのメモリ装置に記憶する。
【0071】
同様に、プロセッサ１１２は、生成されるＲＦ信号１０２ｙの状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０用の電力レベルを、状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０の各々の識別情報とともに、転送ケーブル１２０ｙを介してデジタル信号プロセッサＤＳＰｙに送信する。デジタル信号プロセッサＤＳＰｙは、ＲＦ信号１０２ｙの状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０用の電力レベルを、各状態の識別情報とともに受信すると、デジタル信号プロセッサＤＳＰｙのメモリ装置から、状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０の識別情報と電力コントローラＰＷＲＳ１ｙ、ＰＷＲＳ２ｙ、ＰＷＲＳ０ｙとの対応関係（１対１マッピング、リンク、１対１関係など）にアクセスする。そして、状態Ｓ１用の電力レベルを電力コントローラＰＷＲＳ１ｙに、状態Ｓ２用の電力レベルを電力コントローラＰＷＲＳ２ｙに、状態Ｓ０用の電力レベルを電力コントローラＰＷＲＳ０ｙに送信する。各電力コントローラＰＷＲＳ１ｙ、ＰＷＲＳ２ｙ、ＰＷＲＳ０ｙは、デジタル信号プロセッサＤＳＰｙから受信したそれぞれの電力レベルを電力コントローラのメモリ装置に記憶する。
【0072】
プロセッサ１１２は、転送ケーブル１２０ｘを介してデジタルパルス信号１０８をデジタル信号プロセッサＤＳＰｘに送信すると同時に、転送ケーブル１２０ｙを介してデジタルパルス信号１０８をデジタル信号プロセッサＤＳＰｙに送信する。デジタルパルス信号１０８を受信すると、デジタル信号プロセッサＤＳＰｘは、デジタルパルス信号１０８の論理レベルからデジタルパルス信号１０８の状態を特定する。例えば、デジタル信号プロセッサＤＳＰｘは、デジタルパルス信号１０８の論理レベルを０と判断した場合、デジタルパルス信号１０８の状態がＳ１であると特定し、デジタルパルス信号１０８の論理レベルを１と判断した場合、デジタルパルス信号１０８の状態がＳ２であると特定し、デジタルパルス信号１０８の論理レベルを２と判断した場合、デジタルパルス信号１０８の状態がＳ０である特定する。
【0073】
デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ１のときに、デジタルパルス信号１０８の状態がＳ１であることを特定すると、デジタル信号プロセッサＤＳＰｘは、電力コントローラＰＷＲＳ１ｘに制御信号を送信する。デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ１のときに制御信号を受信すると、電力コントローラＰＷＲＳ１ｘは、電力コントローラＰＷＲＳ１ｘのメモリ装置から状態Ｓ１用の電力レベルにアクセスし、状態Ｓ１用の電力レベルを含む信号を生成し、その信号を電源ＰＳｘに送信する。デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ１のときに、状態Ｓ１用の電力レベルを含む信号を電力コントローラＰＷＲＳ１ｘから受信すると、電源ＰＳｘは、状態Ｓ１用の電力レベルを有するＲＦ信号１０２ｘの一部を生成する。
【0074】
同様に、デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ２のときに、デジタルパルス信号１０８の状態がＳ２であることを特定すると、デジタル信号プロセッサＤＳＰｘは、電力コントローラＰＷＲＳ２ｘに制御信号を送信する。デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ２のときに制御信号を受信すると、電力コントローラＰＷＲＳ２ｘは、電力コントローラＰＷＲＳ２ｘのメモリ装置から状態Ｓ２用の電力レベルにアクセスし、状態Ｓ２用の電力レベルを含む信号を生成し、その信号を電源ＰＳｘに送信する。デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ２のときに、状態Ｓ２用の電力レベルを有する信号を電力コントローラＰＷＲＳ２ｘから受信すると、電源ＰＳｘは、ＲＦ信号１０２ｘを状態Ｓ１用の電力レベルから状態Ｓ２用の電力レベルに遷移させ、状態Ｓ２用の電力レベルを有するＲＦ信号１０２ｘの一部を生成する。
【0075】
また、デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ０のときに、デジタルパルス信号１０８の状態がＳ０であることを特定すると、デジタル信号プロセッサＤＳＰｘは、電力コントローラＰＷＲＳ０ｘに制御信号を送信する。デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ０のときに制御信号を受信すると、電力コントローラＰＷＲＳ０ｘは、電力コントローラＰＷＲＳ０ｘのメモリ装置から状態Ｓ０用の電力レベルにアクセスし、状態Ｓ０用の電力レベルを含む信号を生成し、その信号を電源ＰＳｘに送信する。デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ０のときに、状態Ｓ０用の電力レベルを有する信号を電力コントローラＰＷＲＳ０ｘから受信すると、電源ＰＳｘは、ＲＦ信号１０２ｘを状態Ｓ２用の電力レベルから状態Ｓ０用の電力レベルに遷移させ、状態Ｓ０用の電力レベルを有するＲＦ信号１０２ｘの一部を生成する。
【0076】
同様に、デジタルパルス信号１０８を受信すると、デジタル信号プロセッサＤＳＰｙは、上述したデジタル信号プロセッサＤＳＰｘがデジタルパルス信号１０８の状態を特定するのと同じ方法で、デジタルパルス信号１０８の論理レベルから、デジタルパルス信号１０８の状態を特定する。例えば、デジタル信号プロセッサＤＳＰｙは、デジタルパルス信号１０８の論理レベルを０と判断した場合、デジタルパルス信号１０８の状態がＳ１であると特定し、デジタルパルス信号１０８の論理レベルを１と判断した場合、デジタルパルス信号１０８の状態がＳ２であると特定し、デジタルパルス信号１０８の論理レベルを２と判断した場合、デジタルパルス信号１０８の状態がＳ０であると特定する。
【0077】
デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ１のときに、デジタルパルス信号１０８の状態がＳ１であることを特定すると、デジタル信号プロセッサＤＳＰｙは、電力コントローラＰＷＲＳ１ｙに制御信号を送信する。また、デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ１のときに制御信号を受信すると、電力コントローラＰＷＲＳ１ｙは、電力コントローラＰＷＲＳ１ｙのメモリ装置から状態Ｓ１用の電力レベルにアクセスし、状態Ｓ１用の電力レベルを含む信号を生成し、その信号を電源ＰＳｙに送信する。デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ１のときに、状態Ｓ１用の電力レベルを有する信号を電力コントローラＰＷＲＳ１ｙから受信すると、電源ＰＳｙは、状態Ｓ１用の電力レベルを有するＲＦ信号１０２ｙの一部を生成する。
【0078】
同様に、デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ２のときに、デジタルパルス信号１０８の状態がＳ２であることを特定すると、デジタル信号プロセッサＤＳＰｙは、電力コントローラＰＷＲＳ２ｙに制御信号を送信する。デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ２のときに制御信号を受信すると、電力コントローラＰＷＲＳ２ｙは、電力コントローラＰＷＲＳ２ｙのメモリ装置から状態Ｓ２用の電力レベルにアクセスし、状態Ｓ２用の電力レベルを含む信号を生成し、その信号を電源ＰＳｙへ送信する。デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ２のときに、状態Ｓ２用の電力レベルを有する信号を電力コントローラＰＷＲＳ１ｙから受信すると、電源ＰＳｙは、ＲＦ信号１０２ｙを状態Ｓ１用の電力レベルから状態Ｓ２用の電力レベルに遷移させ、状態Ｓ２用の電力レベルを有するＲＦ信号１０２ｙの一部を生成する。
【0079】
また、デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ０のときに、デジタルパルス信号１０８の状態がＳ０であることを特定すると、デジタル信号プロセッサＤＳＰｙは、電力コントローラＰＷＲＳ０ｙに制御信号を送信する。デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ０のときに制御信号を受信すると、電力コントローラＰＷＲＳ０ｙは、電力コントローラＰＷＲＳ０ｙのメモリ装置から状態Ｓ０用の電力レベルにアクセスし、状態Ｓ０用の電力レベルを含む信号を生成し、その信号を電源ＰＳｙに送信する。デジタルパルス信号１０８が状態Ｓ０のときに、状態Ｓ０用の電力レベルを有する信号を電力コントローラＰＷＲＳ０ｙから受信すると、電源ＰＳｙは、ＲＦ信号１０２ｙを状態Ｓ２用の電力レベルから状態Ｓ０用の電力レベルに遷移させ、状態Ｓ０用の電力レベルを有するＲＦ信号１０２ｙの一部を生成する。
【0080】
ＲＦ信号１０２ｘは、電源ＰＳｘから出力Ｏ１ｘおよびＲＦケーブル１１６ｘを介して、インピーダンス整合ネットワークＩＭＮの入力Ｉ２ｘに供給される。また、ＲＦ信号１０２ｙは、電源ＰＳｙから出力Ｏ１ｙおよびＲＦケーブル１１６ｙを介して、インピーダンス整合ネットワークＩＭＮの入力Ｉ２ｙに供給される。インピーダンス整合ネットワークＩＭＮは、入力Ｉ２ｘにてＲＦ信号１０２ｘを受信する。そして、ＲＦ信号１０２ｘが、インピーダンス整合ネットワークＩＭＮにおける入力Ｉ２ｘに結合された分岐回路を介して転送されることで、ＲＦ信号ＲＦ１０２ｘのインピーダンスが分岐回路によって修正され、第１の修正ＲＦ信号が出力される。同様に、インピーダンス整合ネットワークＩＭＮは、入力Ｉ２ｙにてＲＦ信号１０２ｙを受信する。そして、ＲＦ信号１０２ｙが、インピーダンス整合ネットワークＩＭＮにおける入力Ｉ２ｙに結合された分岐回路を介して転送されることで、ＲＦ信号ＲＦ１０２ｙのインピーダンスが分岐回路によって修正され、第２の修正ＲＦ信号が出力される。ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙのインピーダンスは、出力Ｏ２に結合された負荷のインピーダンスと、入力Ｉ２ｘおよびＩ２ｙに結合されたソースのインピーダンスとを整合させるために修正される。出力Ｏ２に結合された負荷は、例えば、ＲＦ伝送線１２２およびプラズマチャンバ１０６である。入力Ｉ２ｘおよびＩ２ｙに結合されたソースは、例えば、ＲＦケーブル１１６ｘおよび１１６ｙと、ＲＦ発生器ＲＦＧｘおよびＲＦＧｙである。入力Ｉ２ｘに結合された分岐回路は、入力Ｉ２ｙに結合された分岐回路と出力Ｏ２にて接続され、第１および第２の修正ＲＦ信号が統合され、統合修正ＲＦ信号１２４が出力Ｏ２にて出力される。
【0081】
統合修正ＲＦ信号１２４は、インピーダンス整合ネットワークＩＭＮの出力Ｏ２からＲＦ伝送線１２２を介して、基板支持台１０４の下部電極に送信される。さらに、プラズマチャンバ１０６内の上部電極１１８と基板支持台１０４との間の隙間に、１つ以上のプロセスガス（フッ素含有ガス、酸素含有ガス、またはこれらの組み合わせなど）が供給される。統合修正ＲＦ信号１２４と１つ以上のプロセスガスが同時にプラズマチャンバ１０６に供給されると、プラズマが隙間内で点火または維持されて、基板Ｓを処理する。基板Ｓの例としては、基板層上に形成される半導体ウエハ、および基板層上に形成される基板スタックが挙げられる。基板Ｓの処理の例としては、基板層上に１つ以上の材料（酸化物層、窒化物層、シリコン窒化物層、マスク層、またはこれらの２つ以上の組み合わせなど）を堆積することが挙げられる。基板処理の他の例としては、基板Ｓのエッチング、基板Ｓのスパッタリング、または基板Ｓの洗浄が挙げられる。
【0082】
一実施形態において、基板支持台１０４の下部電極は接地電位に結合され、上部電極１１８はインピーダンス整合ネットワークＩＭＮの出力Ｏ２に結合される。
【0083】
一実施形態において、ＲＦ発生器ＲＦＧｘおよびＲＦＧｙがインピーダンス整合ネットワークＩＭＮを介して基板支持台１０４の下部電極に結合されるのに加えて、１つ以上のＲＦ発生器がインピーダンス整合ネットワークを介して上部電極１１８に結合される。
【0084】
一実施形態において、デジタル信号プロセッサＤＳＰｘ、電力コントローラＰＷＲＳ１ｘ、電力コントローラＰＷＲＳ２ｘ、電力コントローラＰＷＲＳ０ｘ、および自動周波数チューナＡＦＴｘのうちの１つ以上によって実行されるものとして本明細書で説明する機能または動作は、ＲＦ発生器ＲＦＧｘのコントローラまたはプロセッサによって実行される。例えば、電力コントローラＰＷＲＳ１ｘ、電力コントローラＰＷＲＳ２ｘ、電力コントローラＰＷＲＳ０ｘ、および自動周波数チューナＡＦＴｘによって実行されるものとして本明細書で説明する機能は、デジタル信号プロセッサＤＳＰｘによって実行される。
【0085】
同様に、一実施形態において、デジタル信号プロセッサＤＳＰｙ、電力コントローラＰＷＲＳ１ｙ、電力コントローラＰＷＲＳ２ｙ、電力コントローラＰＷＲＳ０ｙ、および自動周波数チューナＡＦＴＳｙのうちの１つ以上によって実行されるものとして本明細書で説明する機能または動作は、ＲＦ発生器ＲＦＧｙのコントローラまたはプロセッサによって実行される。例えば、電力コントローラＰＷＲＳ１ｙ、電力コントローラＰＷＲＳ２ｙ、電力コントローラＰＷＲＳ０ｙ、および自動周波数チューナＡＦＴｙによって実行されるものとして本明細書で説明する機能は、デジタル信号プロセッサＤＳＰｙによって実行される。
【0086】
一実施形態において、デジタル信号プロセッサＤＳＰｘ、電力コントローラＰＷＲＳ１ｘ、電力コントローラＰＷＲＳ２ｘ、電力コントローラＰＷＲＳ０ｘ、自動周波数チューナＡＦＴＳｘ、デジタル信号プロセッサＤＳＰｙ、電力コントローラＰＷＲＳ１ｙ、電力コントローラＰＷＲＳ２ｙ、電力コントローラＰＷＲＳ０ｙ、および自動周波数チューナＡＦＴＳｙのうちの１つ以上によって実行されるものとして本明細書で説明する機能または動作は、プロセッサ１１２によって実行される。
【0087】
一実施形態において、クロック信号は、プロセッサ１１２の代わりにクロック源によって生成される。
【0088】
図２Ａは、上述したクロック信号であるクロック信号２０４のグラフ２０２の一実施形態を示す図である。クロック信号２０４は、プロセッサ１１２によって生成される。グラフ２０２は、ｙ軸に論理レベルを、ｘ軸に時間ｔをプロットしている。グラフ２０２のｙ軸は、論理レベル０および論理レベル１を含む。グラフ２０２のｘ軸は、複数の時間ｔ０、ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５を含む。
【0089】
グラフ２０２のｘ軸上における任意の連続する２つの時間の間の時間間隔は同じである。例えば、時間ｔ０とｔ１との間の時間間隔は、時間ｔ１とｔ２との間の時間間隔に等しく、時間ｔ１とｔ２との間の時間間隔は、時間ｔ２とｔ３との間の時間間隔に等しい。時間ｔ３とｔ４との間の時間間隔は、時間ｔ２とｔ３との間の時間間隔に等しく、時間ｔ４とｔ５との間の時間間隔は、時間ｔ３とｔ４との間の時間間隔に等しい。時間ｔ１は時間ｔ０に連続している。同様に、時間ｔ２は時間ｔ１に連続し、時間ｔ３は時間ｔ２に連続し、時間ｔ４は時間ｔ３に連続し、時間ｔ５は時間ｔ４に連続している。
【0090】
クロック信号２０４は、論理レベル０と１の間で周期的に遷移する。例えば、クロック信号２０４のサイクル１の前半では、クロック信号２０４は論理レベル１である。時間ｔ１において、クロック信号２０４は論理レベル１から論理レベル０に遷移する。クロック信号２０４のサイクル１の後半では、クロック信号２０４は論理レベル０である。時間ｔ２において、クロック信号２０４は論理レベル０から論理レベル１に遷移する。クロック信号２０４のサイクル２の前半では、クロック信号２０４は論理レベル１である。時間ｔ３において、クロック信号２０４は論理レベル１から論理レベル０に遷移する。クロック信号２０４のサイクル２の後半では、クロック信号は論理レベル０である。時間ｔ４において、クロック信号２０４は論理レベル０から論理レベル１に遷移する。
【0091】
クロック信号２０４のサイクル２は、クロック信号２０４のサイクル１に連続している。例えば、クロック信号２０４のサイクル１とサイクル２との間には、他のクロックサイクルは存在しない。サイクル１は、時間ｔ０から時間ｔ２まで生じ、サイクル２は、時間ｔ２から時間ｔ４まで生じる。
【0092】
図２Ｂは、デジタルパルス信号２０８の一実施形態を説明するためのグラフ２０６の一実施形態を示す図である。デジタルパルス信号２０８は、図１のデジタルパルス信号１０８の一例である。グラフ２０６は、ｙ軸にデジタルパルス信号２０８の論理レベルを、ｘ軸に時間ｔをプロットしている。グラフ２０６のｙ軸は、論理レベル０、１、２を含む。グラフ２０６のｘ軸は、時間ｔ０、時間ｔ０ａ、時間ｔ０ｂ、時間ｔ１、時間ｔ２、時間ｔ２ａ、時間ｔ２ｂ、時間ｔ３、時間ｔ４を含む。時間ｔ０ａは時間ｔ０と時間ｔ０ｂとの間で生じ、時間ｔ０ｂは時間ｔ０ａと時間ｔ１との間で生じる。さらに、時間ｔ２ａは時間ｔ２と時間ｔ２ｂとの間で生じ、時間ｔ２ｂは時間ｔ２ａと時間ｔ３との間で生じる。
【0093】
デジタルパルス信号２０８は、状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０の間で周期的に遷移する。例えば、デジタルパルス信号２０８は、時間ｔ０から時間ｔ０ａまで、論理レベル０によって定義される状態Ｓ１を有する。例示すると、デジタルパルス信号２０８が状態Ｓ１のとき、デジタルパルス信号２０８は論理レベル０である。デジタルパルス信号２０８は、時間ｔ０ａにおいて、論理レベル０から論理レベル１に遷移する。デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ２は、論理レベル１によって定義される。例示すると、デジタルパルス信号２０８が状態Ｓ２のとき、デジタルパルス信号２０８は論理レベル１である。
【0094】
デジタルパルス信号２０８は、時間ｔ０ａから時間ｔ０ｂまで状態Ｓ２である。時間ｔ０ｂにおいて、デジタルパルス信号２０８は、状態Ｓ２から、論理レベル２によって定義される状態Ｓ０に遷移する。例示すると、デジタルパルス信号２０８が状態Ｓ０のとき、デジタルパルス信号２０８は論理レベル２である。デジタルパルス信号２０８は、時間ｔ０ｂから時間ｔ２まで状態Ｓ０である。時間ｔ２において、デジタルパルス信号２０８は、状態Ｓ０から状態Ｓ１に戻るように遷移する。
【0095】
デジタルパルス信号２０８は、時間ｔ２から時間ｔ２ａまで状態Ｓ１である。時間ｔ２ａにおいて、デジタルパルス信号２０８は、状態Ｓ１から状態Ｓ２に遷移する。デジタルパルス信号２０８は、時間ｔ２ａから時間ｔ２ｂまで状態Ｓ２である。時間ｔ２ｂにおいて、デジタルパルス信号２０８は、状態Ｓ２から状態Ｓ０に遷移する。デジタルパルス信号２０８は、時間ｔ２ｂから時間ｔ４まで状態Ｓ０である。時間ｔ４において、デジタルパルス信号２０８は、状態Ｓ０から状態Ｓ１に戻るように遷移する。
【0096】
なお、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０はそれぞれ、複数のインスタンスで生じる。例えば、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ１の第１のインスタンスは、時間ｔ０とｔ０ａとの間で生じ、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ１の第２のインスタンスは、時間ｔ２とｔ２ａとの間で生じる。別の例として、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ２の第１のインスタンスは、時間ｔ０ａとｔ０ｂとの間で生じ、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ２の第２のインスタンスは、時間ｔ２ａとｔ２ｂとの間で生じる。さらに別の例として、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ０の第１のインスタンスは、時間ｔ０ｂとｔ２との間で生じ、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ０の第２のインスタンスは、時間ｔ２ｂとｔ４との間で生じる。別の例として、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ２の第１のインスタンスは、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ１の第１のインスタンスに連続し、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ０の第１のインスタンスは、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ２の第１のインスタンスに連続する。デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ１の第２のインスタンスは、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ０の第１のインスタンスに連続する。また、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ２の第２のインスタンスは、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ１の第２のインスタンスに連続し、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ０の第２のインスタンスは、デジタルパルス信号２０８の状態Ｓ２の第２のインスタンスに連続する。
【0097】
図２Ｃは、ＲＦ発生器ＲＦＧｘ（図１）によって生成されるＲＦ信号２１２の一実施形態と、ＲＦ発生器ＲＦＧｙ（図１）によって生成されるＲＦ信号２１４の一実施形態とを説明するためのグラフ２１０の一実施形態を示す図である。ＲＦ信号２１２は、ＲＦ信号１０２ｘ（図１）の一例であり、ＲＦ信号２１４は、ＲＦ信号１０２ｙ（図１）の一例である。
【0098】
ＲＦ信号２１２および２１４は、デジタルパルス信号２０８に同期している。例えば、ＲＦ信号２１２および２１４の各々は、デジタルパルス信号２０８が状態Ｓ１から状態Ｓ２に遷移する時間ｔ０ａにおいて、状態Ｓ１から状態Ｓ２への遷移を開始する。別の例として、ＲＦ信号２１２および２１４の各々は、デジタルパルス信号２０８が状態Ｓ２から状態Ｓ０に遷移する時間ｔ０ｂにおいて、状態Ｓ２から状態Ｓ０への遷移を開始する。さらに別の例として、ＲＦ信号２１２および２１４の各々は、デジタルパルス信号２０８が状態Ｓ０から状態Ｓ１に遷移する時間ｔ２において、状態Ｓ０から状態Ｓ１への遷移を開始する。
【0099】
グラフ２１０は、ＲＦ信号２１２および２１４の電力レベルをプロットしている。例えば、グラフ２１０のｙ軸は、電力レベルＰ０、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４を含む。電力レベルＰ１は、電力レベルＰ０よりも大きい。また、電力レベルＰ２は、電力レベルＰ１よりも大きく、電力レベルＰ３は、電力レベルＰ２よりも大きい。電力レベルＰ４は、電力レベルＰ３よりも大きい。
【0100】
本明細書で用いられる電力レベルは、ＲＦ信号の包絡線（ピーク間振幅など）である。例えば、電力レベルＰ４、Ｐ２、Ｐ０は、ＲＦ信号１０２ｘの包絡線であり、電力レベルＰ１、Ｐ３、Ｐ０は、ＲＦ信号１０２ｙの包絡線である。別の例として、電力レベルは、電力レベルから所定の範囲内（電力レベルの値より大きいまたは小さいなど）にある１つ以上のピーク間電力値を含む。さらに別の例として、電力レベルは、電力レベルのすべてのピーク間電力値の統計値（平均値または中央値など）である。別の例として、電力レベルは、電力レベルのすべてのピーク間電力値の最高値である。さらに別の例として、電力レベルは、電力レベルのすべてのピーク間電力値の最低値である。
【0101】
また、第１の電力レベルは、第２の電力レベルと異なる。例えば、電力レベルＰ０の１つ以上の電力値は、電力レベルＰ１の１つ以上の電力値を含まない。また、電力レベルＰ２の１つ以上の電力値は、電力レベルＰ０およびＰ１の各々の１つ以上の電力値を含まない。
【0102】
また、グラフ２１０は、ｘ軸に時間ｔをプロットしている。例えば、グラフ２１０のｘ軸は、時間ｔ０、ｔ０ａ、ｔ０ｂ、ｔ１、ｔ２、ｔ２ａ、ｔ２ｂ、ｔ３、ｔ４を含む。
【0103】
ＲＦ信号２１２は、以下に説明する態様で、ＲＦ信号２１２の状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０の間で周期的に遷移する。同様に、ＲＦ信号２１４は、以下に説明する態様で、ＲＦ信号２１４の状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０の間で周期的に遷移する。
【0104】
ＲＦ信号２１２の状態Ｓ１は、電力レベルＰ４によって定義される。例えば、デジタルパルス信号２０８またはＲＦ信号２１２が状態Ｓ１のとき、ＲＦ信号２１２は電力レベルＰ４である。
【0105】
ＲＦ信号２１２は、時間ｔ０ａからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ１から状態Ｓ２に遷移する。ＲＦ信号２１２の状態Ｓ２は、電力レベルＰ２によって定義される。例えば、デジタルパルス信号２０８またはＲＦ信号２１２が状態Ｓ２のとき、ＲＦ信号２１２は電力レベルＰ２である。
【0106】
なお、本明細書で説明するＲＦ信号は、ある状態からそれに連続する状態へと瞬間的には遷移しない。例えば、ＲＦ信号２１２の状態Ｓ１から状態Ｓ２への遷移は、瞬間的には生じない。例示すると、ＲＦ信号２１２の状態Ｓ１から状態Ｓ２への遷移は、時間ウィンドウ内で生じる。別の例として、本明細書で用いられる、ある時間からの遷移の時間ウィンドウは、その時間の後の状態中に生じる期間である。例示すると、時間ｔ０ａからの時間ウィンドウは、時間ｔ０ａの後にデジタルパルス信号２０８が状態Ｓ２の間に生じる期間である。時間ｔ０ａの後の期間は、時間ｔ０ａから時間ｔ０ａとｔ０ｂとの間の時間まで、デジタルパルス信号２０８が状態Ｓ２の間に生じる期間である。
【0107】
ＲＦ信号２１２は、時間ｔ０ｂからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ２から状態Ｓ０に遷移する。ＲＦ信号２１２の状態Ｓ０は、電力レベルＰ０によって定義される。例えば、デジタルパルス信号２０８またはＲＦ信号２１２が状態Ｓ０のとき、ＲＦ信号２１２は電力レベルＰ０である。
【0108】
ＲＦ信号２１２は、時間ｔ２からの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ０から状態Ｓ１に遷移する。ＲＦ信号２１２は、時間ｔ２ａからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ１から状態Ｓ２に遷移し、時間ｔ２ｂからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ２から状態Ｓ０に遷移する。
【0109】
同様に、デジタルパルス信号２０８が状態Ｓ１のとき、ＲＦ信号２１４は電力レベルＰ１である。ＲＦ信号２１４の状態Ｓ１は、電力レベルＰ１によって定義される。例えば、デジタルパルス信号２０８またはＲＦ信号２１４が状態Ｓ１のとき、ＲＦ信号２１４は電力レベルＰ１である。
【0110】
ＲＦ信号２１４は、時間ｔ０ａからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ１から状態Ｓ２に遷移する。ＲＦ信号２１４の状態Ｓ２は、電力レベルＰ３によって定義される。例えば、デジタルパルス信号２０８またはＲＦ信号２１４が状態Ｓ２のとき、ＲＦ信号２１４は電力レベルＰ３である。
【0111】
ＲＦ信号２１４は、時間ｔ０ｂからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ２から状態Ｓ０に遷移する。ＲＦ信号２１４の状態Ｓ０は、電力レベルＰ０によって定義される。例えば、デジタルパルス信号２０８またはＲＦ信号２１４が状態Ｓ０のとき、ＲＦ信号２１４は電力レベルＰ０を有する。
【0112】
ＲＦ信号２１４は、時間ｔ２からの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ０から状態Ｓ１に遷移する。ＲＦ信号２１４は、時間ｔ２ａからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ１から状態Ｓ２に遷移し、時間ｔ２ｂからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ２から状態Ｓ０に遷移する。
【0113】
時間ｔ０とｔ０ａとの間のＲＦ信号２１２の状態Ｓ１は、ＲＦ信号２１２の状態Ｓ１の第１のインスタンスであり、時間ｔ２とｔ２ａとの間のＲＦ信号２１２の状態Ｓ１は、ＲＦ信号２１２の状態Ｓ１の第２のインスタンスである。同様に、時間ｔ０ａとｔ０ｂとの間のＲＦ信号２１２の状態Ｓ２は、ＲＦ信号２１２の状態Ｓ２の第１のインスタンスであり、時間ｔ２ａとｔ２ｂとの間のＲＦ信号２１２の状態Ｓ２は、ＲＦ信号２１２の状態Ｓ２の第２のインスタンスである。また、時間ｔ０ｂとｔ２との間のＲＦ信号２１２の状態Ｓ０は、ＲＦ信号２１２の状態Ｓ０の第１のインスタンスであり、時間ｔ２ｂとｔ４との間のＲＦ信号２１２の状態Ｓ０は、ＲＦ信号２１２の状態Ｓ０の第２のインスタンスである。
【0114】
同様に、時間ｔ０とｔ０ａとの間のＲＦ信号２１４の状態Ｓ１は、ＲＦ信号２１４の状態Ｓ１の第１のインスタンスであり、時間ｔ２とｔ２ａとの間のＲＦ信号２１４の状態Ｓ１は、ＲＦ信号２１４の状態Ｓ１の第２のインスタンスである。同様に、時間ｔ０ａとｔ０ｂとの間のＲＦ信号２１４の状態Ｓ２は、ＲＦ信号２１４の状態Ｓ２の第１のインスタンスであり、時間ｔ２ａとｔ２ｂとの間のＲＦ信号２１４の状態Ｓ２は、ＲＦ信号２１４の状態Ｓ２の第２のインスタンスである。また、時間ｔ０ｂとｔ２との間のＲＦ信号２１４の状態Ｓ０は、ＲＦ信号２１４の状態Ｓ０の第１のインスタンスであり、時間ｔ２ｂとｔ４との間のＲＦ信号２１４の状態Ｓ０は、ＲＦ信号２１４の状態Ｓ０の第２のインスタンスである。
【0115】
図２Ｄは、ＲＦ発生器ＲＦＧｘ（図１）によって生成されるＲＦ信号２１６の一実施形態と、ＲＦ発生器ＲＦＧｙ（図１）によって生成されるＲＦ信号２１８の一実施形態とを説明するためのグラフ２１５の一実施形態を示すである。ＲＦ信号２１６は、ＲＦ信号１０２ｘ（図１）の一例であり、ＲＦ信号２１８は、ＲＦ信号１０２ｙ（図１）の一例である。
【0116】
グラフ２１５は、ＲＦ信号２１６および２１８の電力レベルをプロットしている。また、グラフ２１５は、ｘ軸に時間ｔをプロットしている。例えば、グラフ２１５のｘ軸は、時間ｔ０、ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４を含む。なお、ＲＦ信号２１６および２１８の状態Ｓ１～Ｓ３のデューティサイクルは、図２Ｃに例示した状態Ｓ１～Ｓ３のデューティサイクルとは異なる。例えば、ＲＦ信号２１６および２１８の状態Ｓ１のデューティサイクルは２５％であり、ＲＦ信号２１６および２１８の状態Ｓ２のデューティサイクルは４０％であり、ＲＦ信号２１６および２１８の状態Ｓ３のデューティサイクルは３５％である。
【0117】
図３Ａは、ＲＦ信号２１２の一部を拡大したものを説明するためのグラフ３０２の一実施形態を示す図である。グラフ３０２は、ＲＦ信号２１２の電力レベルを時間ｔに対してプロットしている。ＲＦ信号２１２は、時間ｔ０ａからの時間ウィンドウ内で、電力レベルＰ４から電力レベルＰ２に遷移する。例えば、ＲＦ信号２１２は、時間ｔ０ａからｔ０ａ１までの期間に、電力レベルＰ４から電力レベルＰ２に遷移する。時間ｔ０ａ１は、ＲＦ信号２１２またはデジタルパルス信号２０８（図２Ｂ）が状態Ｓ２のときに生じ、かつ時間ｔ０ａとｔ０ｂとの間で生じる。同様に、ＲＦ信号２１２は、時間ｔ０ｂからの時間ウィンドウ内で電力レベルＰ２から電力レベルＰ０に遷移する。
【0118】
図３Ｂは、ＲＦ信号２１４の一部を拡大したものを説明するためのグラフ３０４の一実施形態を示す図である。グラフ３０４は、ＲＦ信号２１４の電力レベルを時間ｔに対してプロットしている。ＲＦ信号２１４は、時間ｔ０ａからの時間ウィンドウ内で、電力レベルＰ１から電力レベルＰ３に遷移する。例えば、ＲＦ信号２１４は、時間ｔ０ａからｔ０ａ２までの期間に、電力レベルＰ１から電力レベルＰ３に遷移する。時間ｔ０ａ２は、ＲＦ信号２１４またはデジタルパルス信号２０８（図２Ｂ）が状態Ｓ２のときに生じ、かつ時間ｔ０ａとｔ０ｂとの間で生じる。同様に、ＲＦ信号２１４は、時間ｔ０ｂからの時間ウィンドウ内で、電力レベルＰ３から電力レベルＰ０に遷移する。
【0119】
図４Ａは、クロック信号２０４のグラフ２０２の一実施形態を示す図である。
【0120】
図４Ｂは、デジタルパルス信号４０４の一実施形態を説明するためのグラフ４０２の一実施形態を示す図である。デジタルパルス信号４０４は、図１のデジタルパルス信号１０８の一例である。グラフ４０２は、ｙ軸にデジタルパルス信号４０４の論理レベルを、ｘ軸に時間ｔをプロットしている。グラフ４０２のｙ軸は、論理レベル０、１、２を含む。グラフ４０２のｘ軸は、時間ｔ０、時間ｔ０ａ、時間ｔ１、時間ｔ１ａ、時間ｔ２、時間ｔ２ａ、時間ｔ３、時間ｔ３ａ、時間ｔ４を含む。時間ｔ１ａは時間ｔ１とｔ２との間で生じ、時間ｔ３ａは時間ｔ３とｔ４との間で生じる。
【0121】
デジタルパルス信号４０４は、状態Ｓ１、Ｓ０、Ｓ２の間で周期的に遷移する。例えば、デジタルパルス信号４０４は、時間ｔ０から時間ｔ０ａまで、論理レベル０によって定義される状態Ｓ１を有する。例示すると、状態Ｓ１のとき、デジタルパルス信号２０８は論理レベル０である。デジタルパルス信号４０４は、時間ｔ０ａにおいて、論理レベル０から論理レベル２に遷移する。デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ０は、論理レベル２によって定義される。例示すると、状態Ｓ０のとき、デジタルパルス信号４０４は論理レベル２である。
【0122】
デジタルパルス信号４０４は、時間ｔ０ａから時間ｔ１ａまで状態Ｓ０である。時間ｔ１ａにおいて、デジタルパルス信号４０４は、状態Ｓ０から、論理レベル１によって定義される状態Ｓ２に遷移する。例示すると、状態Ｓ２のとき、デジタルパルス信号４０４は論理レベル１である。
【0123】
時間ｔ２において、デジタルパルス信号４０４は、状態Ｓ２から状態Ｓ１に戻るように遷移する。デジタルパルス信号４０４は、時間ｔ２から時間ｔ２ａまで状態Ｓ１である。デジタルパルス信号４０４は、時間ｔ２ａにおいて、状態Ｓ１から状態Ｓ０に遷移する。デジタルパルス信号４０４は、時間ｔ２ａから時間ｔ３ａまで状態Ｓ０である。時間ｔ３ａにおいて、デジタルパルス信号４０４は、状態Ｓ０から状態Ｓ２に遷移する。デジタルパルス信号４０４は、時間ｔ３ａから時間ｔ４まで状態Ｓ２である。時間ｔ４において、デジタルパルス信号４０４は、状態Ｓ２から状態Ｓ１に戻るように遷移する。
【0124】
なお、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ１、Ｓ０、Ｓ２はそれぞれ、複数のインスタンスで生じる。例えば、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ１の第１のインスタンスは、時間ｔ０とｔ０ａとの間で生じ、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ１の第２のインスタンスは、時間ｔ２とｔ２ａとの間で生じる。別の例として、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ０の第１のインスタンスは、時間ｔ０ａとｔ１ａとの間で生じ、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ０の第２のインスタンスは、時間ｔ２ａとｔ３ａとの間で生じる。さらに別の例として、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ２の第１のインスタンスは、時間ｔ１ａとｔ２との間で生じ、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ２の第２のインスタンスは、時間ｔ３ａとｔ４との間で生じる。別の例として、状態Ｓ０の第１のインスタンスは、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ１の第１のインスタンスに連続し、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ２の第１のインスタンスは、状態Ｓ０の第１のインスタンスに連続する。デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ１の第２のインスタンスは、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ２の第１のインスタンスに連続する。また、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ０の第２のインスタンスは、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ１の第２のインスタンスに連続し、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ２の第２のインスタンスは、デジタルパルス信号４０４の状態Ｓ０の第２のインスタンスに連続する。
【0125】
図４Ｃは、ＲＦ発生器ＲＦＧｘ（図１）によって生成されるＲＦ信号４０８の一実施形態と、ＲＦ発生器ＲＦＧｙ（図１）によって生成されるＲＦ信号４１０の一実施形態とを説明するためのグラフ４０６の一実施形態を示す図である。ＲＦ信号４０８は、ＲＦ信号１０２ｘ（図１）の一例であり、ＲＦ信号４１０は、ＲＦ信号１０２ｙ（図１）の一例である。
【0126】
ＲＦ信号４０８および４１０は、デジタルパルス信号４０４に同期している。例えば、ＲＦ信号４０８および４１０の各々は、デジタルパルス信号４０４が状態Ｓ１から状態Ｓ０に遷移する時間において、状態Ｓ１から状態Ｓ０への遷移を開始する。別の例として、ＲＦ信号４０８および４１０の各々は、デジタルパルス信号４０４が状態Ｓ０から状態Ｓ２に遷移する時間において、状態Ｓ０から状態Ｓ２への遷移を開始する。さらに別の例として、ＲＦ信号４０８および４１０の各々は、デジタルパルス信号４０４が状態Ｓ２から状態Ｓ１に遷移する時間において、状態Ｓ２から状態Ｓ１への遷移を開始する。
【0127】
グラフ４０６は、ＲＦ信号４０８および４１０の電力レベルをプロットしている。例えば、グラフ４０６のｙ軸は、電力レベルＰ０、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４を含む。また、グラフ４０６は、ｘ軸に時間ｔをプロットしている。例えば、グラフ４０６のｘ軸は、時間ｔ０、ｔ０ａ、ｔ１、ｔ１ａ、ｔ２、ｔ２ａ、ｔ３、ｔ３ａ、ｔ４を含む。
【0128】
ＲＦ信号４０８は、以下に説明する態様で、ＲＦ信号４０８の状態Ｓ１、Ｓ０、Ｓ２の間で周期的に遷移する。同様に、ＲＦ信号４１０は、以下に説明する態様で、ＲＦ信号４１０の状態Ｓ１、Ｓ０、Ｓ２の間で周期的に遷移する。
【0129】
ＲＦ信号４０８の状態Ｓ１は、電力レベルＰ４によって定義される。例えば、デジタルパルス信号４０４またはＲＦ信号４０８が状態Ｓ１のとき、ＲＦ信号４０８は電力レベルＰ４である。
【0130】
ＲＦ信号４０８は、時間ｔ０ａからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ１から状態Ｓ０に遷移する。ＲＦ信号４０８の状態Ｓ０は、電力レベルＰ０によって定義される。例えば、デジタルパルス信号４０４またはＲＦ信号４０８が状態Ｓ０のとき、ＲＦ信号４０８は電力レベルＰ０である。
【0131】
ＲＦ信号４０８は、時間ｔ１ａからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ０から状態Ｓ２に遷移する。ＲＦ信号４０８の状態Ｓ２は、電力レベルＰ２によって定義される。例えば、デジタルパルス信号４０４またはＲＦ信号４０８が状態Ｓ２のとき、ＲＦ信号４０８は電力レベルＰ２である。
【0132】
ＲＦ信号４０８は、時間ｔ２からの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ２から状態Ｓ１に遷移する。ＲＦ信号４０８は、時間ｔ２ａからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ１から状態Ｓ０に遷移し、時間ｔ３ａからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ０から状態Ｓ２に遷移する。
【0133】
同様に、デジタルパルス信号４０４が状態Ｓ１のとき、ＲＦ信号４１０は電力レベルＰ１である。ＲＦ信号４１０の状態Ｓ１は、電力レベルＰ１によって定義される。例えば、デジタルパルス信号４０４またはＲＦ信号４１０が状態Ｓ１のとき、ＲＦ信号４１０は電力レベルＰ１である。
【0134】
ＲＦ信号４１０は、時間ｔ０ａからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ１から状態Ｓ０に遷移する。ＲＦ信号４１０の状態Ｓ０は、電力レベルＰ０によって定義される。例えば、デジタルパルス信号４０４またはＲＦ信号４１０が状態Ｓ０のとき、ＲＦ信号４１０は電力レベルＰ０である。
【0135】
ＲＦ信号４１０は、時間ｔ１ａからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ０から状態Ｓ２に遷移する。ＲＦ信号４１０の状態Ｓ２は、電力レベルＰ３によって定義される。例えば、デジタルパルス信号４０４またはＲＦ信号４１０が状態Ｓ２のとき、ＲＦ信号４１０は電力レベルＰ３である。
【0136】
ＲＦ信号４１０は、時間ｔ２からの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ２から状態Ｓ１に遷移する。ＲＦ信号４１０は、時間ｔ２ａからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ１から状態Ｓ０に遷移し、時間ｔ３ａからの時間ウィンドウ内で、状態Ｓ０から状態Ｓ２に遷移する。
【0137】
時間ｔ０とｔ０ａとの間のＲＦ信号４０８の状態Ｓ１は、ＲＦ信号４０８の状態Ｓ１の第１のインスタンスであり、時間ｔ２とｔ２ａとの間のＲＦ信号４０８の状態Ｓ１は、ＲＦ信号４０８の状態Ｓ１の第２のインスタンスである。同様に、時間ｔ０ａとｔ１ａとの間のＲＦ信号４０８の状態Ｓ０は、ＲＦ信号４０８の状態Ｓ０の第１のインスタンスであり、時間ｔ２ａとｔ３ａとの間のＲＦ信号４０８の状態Ｓ０は、ＲＦ信号４０８の状態Ｓ０の第２のインスタンスである。また、時間ｔ１ａとｔ２との間のＲＦ信号４０８の状態Ｓ２は、ＲＦ信号４０８の状態Ｓ２の第１のインスタンスであり、時間ｔ３ａとｔ４との間のＲＦ信号４０８の状態Ｓ２は、ＲＦ信号４０８の状態Ｓ２の第２のインスタンスである。
【0138】
同様に、時間ｔ０とｔ０ａとの間のＲＦ信号４１０の状態Ｓ１は、ＲＦ信号４１０の状態Ｓ１の第１のインスタンスであり、時間ｔ２とｔ２ａとの間のＲＦ信号４１０の状態Ｓ１は、ＲＦ信号４１０の状態Ｓ１の第２のインスタンスである。同様に、時間ｔ０ａとｔ１ａとの間のＲＦ信号４１０の状態Ｓ０は、ＲＦ信号４１０の状態Ｓ０の第１のインスタンスであり、時間ｔ２ａとｔ３ａとの間のＲＦ信号４１０の状態Ｓ０は、ＲＦ信号４１０の状態Ｓ０の第２のインスタンスである。また、時間ｔ１ａとｔ２との間のＲＦ信号４１０の状態Ｓ２は、ＲＦ信号４１０の状態Ｓ２の第１のインスタンスであり、時間ｔ３ａとｔ４との間のＲＦ信号４１０の状態Ｓ２は、ＲＦ信号４１０の状態Ｓ２の第２のインスタンスである。
【0139】
図４Ｄは、ＲＦ発生器ＲＦＧｘ（図１）によって生成されるＲＦ信号４１２の一実施形態と、ＲＦ発生器ＲＦＧｙ（図１）によって生成されるＲＦ信号４１４の一実施形態とを説明するためのグラフ４１１の一実施形態を示す図である。ＲＦ信号４１４は、ＲＦ信号１０２ｘ（図１）の一例であり、ＲＦ信号４１６は、ＲＦ信号１０２ｙ（図１）の一例である。
【0140】
グラフ４１１は、ＲＦ信号４１４および４１６の電力レベルをプロットしている。また、グラフ４１１は、ｘ軸に時間ｔをプロットしている。例えば、グラフ４１１のｘ軸は、時間ｔ０、ｔ２、ｔ２、ｔ３、ｔ４を含む。なお、ＲＦ信号４１４および４１６の状態Ｓ１～Ｓ３のデューティサイクルは、図４Ｃに例示した状態Ｓ１～Ｓ３のデューティサイクルとは異なる。例えば、ＲＦ信号４１４および４１６の状態Ｓ１のデューティサイクルは２５％であり、ＲＦ信号４１４および４１６の状態Ｓ２のデューティサイクルは４０％であり、ＲＦ信号４１４および４１６の状態Ｓ３のデューティサイクルは３５％である。
【0141】
図５Ａは、ＲＦ信号４０８の一部を拡大したものを説明するためのグラフ５０２の一実施形態を示す図である。グラフ５０２は、ＲＦ信号４０８の電力レベルを時間ｔに対してプロットしている。ＲＦ信号４０８は、時間ｔ０ａからの時間ウィンドウ内で、電力レベルＰ４から電力レベルＰ０に遷移する。例えば、ＲＦ信号４０８は、時間ｔ０ａから時間ｔ０ａ１までの期間に、電力レベルＰ４から電力レベルＰ０に遷移する。時間ｔ０ａ１は、ＲＦ信号４０８およびデジタルパルス信号４０４（図４Ｂ）が状態Ｓ０のときに生じ、かつ時間ｔ０ａとｔ１ａとの間で生じる。同様に、ＲＦ信号４０８は、時間ｔ１ａからの時間ウィンドウ内で、電力レベルＰ０から電力レベルＰ２に遷移する。
【0142】
図５Ｂは、ＲＦ信号４１０の一部を拡大したものを説明するためのグラフ５０４の一実施形態を示す図である。グラフ５０４は、ＲＦ信号４１０の電力レベルを時間ｔに対してプロットしている。ＲＦ信号４１０は、時間ｔ０ａからの時間ウィンドウ内で、電力レベルＰ１から電力レベルＰ０に遷移する。例えば、ＲＦ信号４１０は、時間ｔ０ａから時間ｔ０ａ２までの期間に、電力レベルＰ１から電力レベルＰ０に遷移する。時間ｔ０ａ２は、ＲＦ信号４１０およびデジタルパルス信号４０４（図４Ｂ）が状態Ｓ０のときに生じ、かつ時間ｔ０ａとｔ１ａとの間で生じる。同様に、ＲＦ信号２１４は、時間ｔ１ａからの時間ウィンドウ内で、電力レベルＰ０から電力レベルＰ３に遷移する。
【0143】
図６は、状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０に関連するデューティサイクル、および状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０における電力レベルを説明するための表６００の一実施形態を示す図である。一例として、ＲＦ信号１０２ｘ（図１）またはデジタルパルス信号１０８（図１）の状態Ｓ１のデューティサイクルは、クロック信号２０４（図２Ａ）のサイクルの３％～２５％の範囲（境界を含む）である。例示すると、ＲＦ信号１０２ｘまたはデジタルパルス信号１０８の状態Ｓ１のデューティサイクルは、クロック信号２０４のサイクルの３％～５％の範囲（境界を含む）である。別の例として、ＲＦ信号１０２ｙ（図１）またはデジタルパルス信号１０８の状態Ｓ１のデューティサイクルは、クロック信号２０４（図２Ａ）のサイクルの３％～２５％の範囲（境界を含む）である。例示すると、ＲＦ信号１０２ｙまたはデジタルパルス信号１０８の状態Ｓ１のデューティサイクルは、クロック信号２０４のサイクルの３％～５％の範囲（境界を含む）である。
【0144】
さらに別の例として、ＲＦ信号１０２ｘまたはデジタルパルス信号１０８の状態Ｓ２のデューティサイクルは、クロック信号２０４のサイクルの３％～５０％の範囲（境界を含む）である。例示すると、ＲＦ信号１０２ｘまたはデジタルパルス信号１０８の状態Ｓ２のデューティサイクルは、クロック信号２０４のサイクルの３％～５％の範囲（境界を含む）である。別の例として、ＲＦ信号１０２ｙまたはデジタルパルス信号１０８の状態Ｓ２のデューティサイクルは、クロック信号２０４のサイクルの３％～５０％の範囲（境界を含む）である。例示すると、ＲＦ信号１０２ｙまたはデジタルパルス信号１０８の状態Ｓ２のデューティサイクルは、クロック信号２０４のサイクルの３％～５％の範囲（境界を含む）である。
【0145】
さらに別の例として、ＲＦ信号１０２ｘまたはデジタルパルス信号１０８の状態Ｓ０のデューティサイクルは、クロック信号２０４のサイクルの２５％～９４％の範囲（境界を含む）である。別の例として、ＲＦ信号１０２ｙまたはデジタルパルス信号１０８の状態Ｓ２のデューティサイクルは、クロック信号２０４のサイクルの２５％～９４％の範囲（境界を含む）である。
【0146】
別の例として、状態Ｓ１において、ＲＦ信号１０２ｘの電力レベルとＲＦ信号１０２ｙの電力レベルとの比は、６～１０の範囲（境界を含む）である。例示すると、ＲＦ信号１０２ｘの電力レベルは１０キロワット（ｋＷ）であり、ＲＦ信号１０２ｙの電力レベルは１ｋＷである。なお、ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙの状態Ｓ１のデューティサイクル、および状態Ｓ１におけるＲＦ信号１０２ｘと１０２ｙとの電力レベル比は、マスク選択比を高めるものであるが、これについてはさらに後述する。さらに別の例として、状態Ｓ２において、ＲＦ信号１０２ｘの電力レベルとＲＦ信号１０２ｙの電力レベルとの比は、０．２～１の範囲（境界を含む）である。別の例として、状態Ｓ２において、ＲＦ信号１０２ｘの電力レベルとＲＦ信号１０２ｙの電力レベルとの比は、０．２～１未満の範囲（境界を含む）である。１未満の比の例としては、０．４、０．４５、０．５、０．８、または０．９である。例示すると、状態Ｓ２において、ＲＦ信号１０２ｘの電力レベルは２ｋＷであり、ＲＦ信号１０２ｙの電力レベルは５ｋＷである。別の例として、状態Ｓ２において、ＲＦ信号１０２ｘの電力レベルは、ＲＦ信号１０２ｙの電力レベルの２０％～１００％である。さらに別の例として、状態Ｓ２のとき、ＲＦ信号１０２ｘの電力レベルは、ＲＦ信号１０２ｙの電力レベルの２０％～１００％未満である。別の例として、状態Ｓ２のとき、ＲＦ信号１０２ｘの電力レベルは約ゼロではなく、ＲＦ信号１０２ｙの電力レベルは約ゼロではない。さらに例示すると、状態Ｓ２におけるＲＦ信号１０２ｘの電力レベルは０～３００ワットの範囲になく、状態Ｓ２におけるＲＦ信号１０２ｙの電力レベルは０～３００ワットの範囲にない。なお、ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙの状態Ｓ２のデューティサイクル、および状態Ｓ２におけるＲＦ信号１０２ｘと１０２ｙとの電力レベル比は、反りのパッシベーションを高めるものであるが、これについてはさらに後述する。別の例として、状態Ｓ０において、ＲＦ信号１０２ｘの電力レベルは０～３００ワットの範囲（境界を含む）であり、ＲＦ信号１０２ｙの電力レベルは０～３００ワットの範囲（境界を含む）である。
【0147】
なお、ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙが状態Ｓ０のときの、ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙの電力レベルはほぼ等しい。例えば、ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙが状態Ｓ０のときの、ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙの電力レベルは、互いから予め定められた範囲内にある。例示すると、ＲＦ信号１０２ｘが状態Ｓ０のときのＲＦ信号１０２ｘの電力レベルは、０～３００ワットの範囲であり、ＲＦ信号１０２ｙが状態Ｓ０のときのＲＦ信号１０２ｙの電力レベルは、０～３００ワットの範囲である。別の例として、ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙが状態Ｓ０のときの、ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙの電力レベルはゼロである。
【0148】
さらに、ＲＦ信号１０２ｘの状態Ｓ１～Ｓ０のデューティサイクルの合計または総和は、クロック信号２０４のクロックサイクルの１００パーセントに等しい。例えば、ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙの各々の状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０の第１のインスタンスは、クロック信号２０４のサイクル１（図２Ａ）を占め、ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙの各々の状態Ｓ１、Ｓ２、Ｓ０の第２のインスタンスは、クロック信号２０４のサイクル２（図２Ａ）を占める。
【0149】
一実施形態において、ＲＦ信号のある状態のデューティサイクルとは、そのＲＦ信号が一意の電力レベルを有する期間である。例えば、ＲＦ信号２１２の状態Ｓ１のデューティサイクルとは、ＲＦ信号２１２が電力レベルＰ４を有する時間ｔ０からｔ０ａまでの期間である。別の例として、ＲＦ信号２１２の状態Ｓ２のデューティサイクルとは、ＲＦ信号２１２が電力レベルＰ２を有する時間ｔ０ａからｔ０ｂまでの期間である。さらに別の例として、ＲＦ信号２１２の状態Ｓ０のデューティサイクルとは、ＲＦ信号２１２が電力レベルＰ０を有する時間ｔ０ｂからｔ２までの期間である。別の例として、ＲＦ信号２１４の状態Ｓ１のデューティサイクルとは、ＲＦ信号２１４が電力レベルＰ１を有する時間ｔ０からｔ０ａまでの期間である。さらに別の例として、ＲＦ信号２１４の状態Ｓ２のデューティサイクルとは、ＲＦ信号２１４が電力レベルＰ３を有する時間ｔ０ａからｔ０ｂまでの期間である。さらに別の例として、ＲＦ信号２１４の状態Ｓ０のデューティサイクルとは、ＲＦ信号２１４が電力レベルＰ０を有する時間ｔ０ｂからｔ２までの期間である。
【0150】
図７Ａは、基板スタック７００の一実施形態の斜視図である。基板スタック７００は、プラズマチャンバ１０６（図１）内で処理される前の基板Ｓの一例である。基板スタック７００は、シリコンで形成された基板層７１４を含む。基板スタック７００はさらに、基板層７１４の上に積層されたストップ層７１２を含む。ストップ層７１２の一例は、酸化物や窒化物などの誘電体から製造されるエッチストップ層である。ストップ層７１２の上に、酸化物層７１０が堆積される。また、酸化物層７１０の上に、シリコン窒化物（ＳｉＮ）層７０８が積層され、シリコン窒化物層７０８の上に、酸化物層７０６が堆積され、酸化物層７０６の上に、別のシリコン窒化物層７０４が堆積され、シリコン窒化物層７０４の上に、マスク層７０２が堆積される。マスク層７０２は、不透明な板またはフィルムであるフォトリソグラフィマスクである。
【0151】
一実施形態において、酸化物層７０６の代わりに、窒化物層が用いられる。同様に、一実施形態において、酸化物層７１０の代わりに、窒化物層が用いられる。
【0152】
図７Ｂは、マスク層７０２（図７Ａ）のフィーチャ７０２Ｂの上に堆積されたパッシベーション層７２２とシリコン窒化物層７０４（図７Ａ）のフィーチャ７０４Ｂの上に堆積されたパッシベーション層７２４とのバランスを説明するための基板スタック７２０の一実施形態を示す図である。基板スタック７２０は、マスク層７０２のフィーチャ７０２Ａと、フィーチャ７０２Ｂと、シリコン窒化物層７０４のフィーチャ７０４Ａと、フィーチャ７０４Ｂと、酸化物層７０６（図７Ａ）のフィーチャ７０６Ａおよび７０６Ｂと、シリコン窒化物層７０８と、酸化物層７１０とを含む。基板スタック７２０の残りの層７１２および７１４（図７Ａ）は、図７Ｂでは図示を省略している。
【0153】
基板スタック７２０は、図７Ａの基板スタック７００をプラズマチャンバ１０６（図１）内でエッチングすることによって製造される。基板スタック７２０は、基板スタック７００を一部エッチングした後の基板Ｓ（図１）の一例である。ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙ（図１）に基づいて生成される統合修正ＲＦ信号１２４（図１）をプラズマチャンバ１０６に供給することにより、パッシベーション層７２２とパッシベーション層７２４とのバランスを達成するように基板スタック７００がエッチングされる。例えば、パッシベーション層７２２とパッシベーション層７２４とのバランスは、それぞれマスク層７０２およびシリコン窒化物層７０４のフィーチャを覆うように略等しい態様でパッシベーション層７２２および７２４を堆積することにより達成される。例示すると、パッシベーション層７２２の幅は、パッシベーション層７２４の幅と略等しい。
【0154】
パッシベーション層７２４による略等しいパッシベーションにより、反りが制御される。例えば、パッシベーション層７２４による略等しいパッシベーションにより、シリコン窒化物層７０４のフィーチャの側壁に反りが形成されることがない。一例として、パッシベーション層とは、修正ＲＦ信号１２４が基板Ｓに印加された場合に、別の層の上または周囲に堆積される層である。例示すると、パッシベーション層７２２および７２４は、基板スタック７２０の一部である材料（シリコン窒化物および酸化物など）の組み合わせと、１つ以上のプロセスガスの材料の組み合わせとを含む。
【0155】
２状態パルス化の場合、ＲＦ信号は、クロック信号の１クロックサイクル中に第１の状態と第２の状態との間で周期的に切り替わる。２状態パルス化の第１の状態では、マスク選択比が高く、フィーチャ７０２Ｂのパッシベーションレベルが高いが、フィーチャ７０４Ｂのパッシベーションは無視できる程度または最小となる。また、第１の状態では、フィーチャ７０２Ｂのパッシベーションレベルが高い一方で、フィーチャ７０４Ｂのパッシベーションが無視できる程度または最小であることにより、フィーチャ７０４Ｂに反りが生じる。この反りは望ましくない。さらに、２状態パルス化の第２の状態では、第１の状態と比較してマスク選択比が低く、フィーチャ７０４Ｂのパッシベーションレベルが高い一方で、フィーチャ７０２Ｂのパッシベーションは最小または無視できる程度となる。このように、２状態パルス化においては、フィーチャ７０２Ｂのパッシベーションとフィーチャ７０４Ｂのパッシベーションとの間のバランスがとれず、反りが生じる。このバランスの欠如は、第１の状態においてはフィーチャ７０４Ｂに比べてフィーチャ７０２Ｂのパッシベーション量が比較的多く、第２の状態ではフィーチャ７０２Ｂに比べてフィーチャ７０４Ｂのパッシベーション量が比較的多いために発生する。図２Ａ～２Ｃまたは図４Ａ～４Ｃを参照して説明した態様でＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙをパルス化することにより、フィーチャ７０２Ｂと７０４Ｂのパッシベーションのバランスが達成され、反りが低減されるかまたは生じなくなる。
【0156】
さらに、図２Ａ～２Ｃまたは図４Ａ～４Ｃを参照して説明したＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙのパルス化は、２状態パルス化と比較してマスク選択比を増加させる。マスク選択比とは例えば、マスク層７０２のエッチングのエッチング速度に対する、基板スタック７００（図７Ａ）の層７０４～７１０のいずれかのエッチングのエッチング速度の比である。マスク選択比が高いほど、基板スタック７００（図７Ａ）のエッチングが速くなり、マスク選択比が低いほど、基板スタック７００のエッチングが遅くなる。
【0157】
図２Ａ～２Ｃまたは図４Ａ～４Ｃを参照して説明したＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙのパルス化により、マスク選択比と反り制御とのバランスを達成することが容易になる。反り制御は、シリコン窒化物層７０４のフィーチャの側壁（側壁７３４など）のパッシベーションによって達成される。例えば、図２Ａ～２Ｃまたは図４Ａ～４Ｃを参照して説明した態様でＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙをパルスすることで得られるマスク層７０２のパッシベーション量が、２状態パルス化で得られるパッシベーション量と比較して少ないことにより、マスク選択比が増加する。さらに、シリコン窒化物層７０４をエッチングすることによって形成されるフィーチャの側壁のパッシベーション量を、２状態パルスの印加による側壁のパッシベーション量と比較して増加させることは、統合修正ＲＦ信号１２４（図１）を用いることで達成される。シリコン窒化物層７０４をエッチングすることによって形成されるフィーチャの側壁のパッシベーション量が増加することにより、シリコン窒化物層７０４をエッチングすることによって形成されるフィーチャの側壁内の反りが低減または無くなり、反りが低減または無くなることで、マスク選択比が増加する。
【0158】
ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙをパルス化することにより、反り制御とマスク選択比を同時に実現することが容易になる。ＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙのパルス化を管理することによって、２状態パルス化に伴ういかなるトレードオフまたは妥協も最小化しつつ、反り制御とマスク選択比の両方を実現する最適なバランスを達成できる。
【0159】
図７Ｃは、基板スタック７２０（図７Ｂ）の部分７３０の拡大図である。部分７３０は、マスク層７０２（図７Ａ）のフィーチャ７０２Ｂと、シリコン窒化物層７０４（図７Ａ）のフィーチャ７０４Ｂと、酸化物層７０６（図７Ａ）のフィーチャ７０６Ｂとを含む。また、図７Ｃには、反り７３２が破線で示されている。反り７３２は、フィーチャ７０４Ｂの側壁７３４に形成される。フィーチャ７０４Ｂの側壁７３４は、フィーチャ７０４Ａの側壁７２６（図７Ｂ）に面しており、基板スタック７００（図７Ａ）がエッチングされる際に側壁７２６と７３４との間に隙間が形成される。なお、反り７３２は、２状態パルスを基板Ｓに印加した場合に形成される。しかしながら、図２Ａ～２Ｃまたは図４Ａ～４Ｃを参照して説明したＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙのパルスを、統合修正ＲＦ信号１２４（図１）を介して基板Ｓに印加した場合、反り７３２は低減するかまたは形成されなくなる。図２Ａ～２Ｃまたは図４Ａ～４Ｃを参照して説明したＲＦ信号１０２ｘ及び１０２ｙのパルス化によりフィーチャ７０２Ｂおよび７０４Ｂのパッシベーションのバランスを達成した場合、反り７３２は低減するかまたは形成されなくなる。
【0160】
予め定められた限界寸法を達成または維持するように反り７３２が低減するかまたは形成されなくなる場合に、反り制御が達成される。例えば、シリコン窒化物層７０４のフィーチャ７０４Ｂにおける側壁７３４と、フィーチャ７０４Ａにおける、側壁７３４と同様の側壁との間の予め定められた幅である予め定められた限界寸法（ＣＤ）は、効果的な反り制御により達成される。予め定められた幅は、反り７３２と、フィーチャ７０４Ａの側壁内に形成された、この反りと同様の反りとの間の幅（水平距離など）よりも小さい。
【0161】
図７Ｄは、図２Ａ～２Ｃまたは図４Ａ～４Ｃを参照して説明した方法を適用して基板スタック７００（図７Ａ）を処理した後の基板スタック７４０の一実施形態を示す図である。基板スタック７４０は、図２Ａ～２Ｃまたは図４Ａ～４Ｃを参照して説明したＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙのパルスを基板スタック７００に印加した後の基板スタックＳの一例である。
【0162】
基板スタック７４０は、マスク層７０２（図７Ａ）のフィーチャと、シリコン窒化物層７０４（図７Ａ）のフィーチャと、酸化物層７０６（図７Ａ）のフィーチャと、シリコン窒化物層７０８（図７Ａ）のフィーチャと、酸化物層７１０（図７Ａ）のフィーチャと、ストップ層７１２（図７Ａ）のフィーチャとを含む。パッシベーション層７２２（図７Ｃ）およびパッシベーション層７２４（図７Ｃ）などの複数のパッシベーション部分を含むパッシベーション層７４２は、フィーチャ７０２Ｂ、７０４Ｂ、７０６Ｂ、シリコン窒化物層７０８のフィーチャ７０８Ｂ、酸化物層７１０のフィーチャ７１０Ｂ、およびストップ層７１２のフィーチャ７１２Ｂの上に堆積される。パッシベーション層７４２は、図２Ａ～２Ｃまたは図４Ａ～４Ｃを参照して説明したＲＦ信号１０２ｘおよび１０２ｙに基づいて生成される統合修正ＲＦ信号１２４を基板スタック７００に印加した場合に堆積される。
【0163】
図８は、一実施形態の概略フローチャートである。スタックが準備される（ステップ８０４）。図９Ａは、一実施形態に従って処理されたスタック９０４の概略断面図である。スタック９０４は、基板９０８を含む。エッチストップ層などの１つ以上の中間層９１２が、基板９０８の上方に設けられてもよい。第１のシリコン酸化物（ＳｉＯ2）層９１６が、１つ以上の中間層９１２の上方に設けられる。第１のシリコン窒化物（ＳｉＮ）層９２０が、第１のＳｉＯ2層９１６の上方に設けられる。第２のＳｉＯ2層９２４が、第１のＳｉＮ層９２０の上方に設けられる。第２のＳｉＮ層９２８が、第２のＳｉＯ2層９２４の上方に設けられる。パターニングされたマスク９３２が、第２のＳｉＮ層９２８の上方に設けられる。種々の実施形態において、パターニングされたマスク９３２と第２のＳｉＮ層９２８との間に１つ以上の層が設けられてもよい。種々の実施形態において、交互に積層されたＳｉＮ層およびＳｉＯ2層をさらに有してもよい。他の実施形態において、他の材料の層を有してもよい。種々の実施形態において、スタック９０４は、シリコン含有層を有する。この実施形態において、パターニングされたマスク９３２は、ポリシリコンなどのハードマスクである。
【0164】
スタック９０４は、プラズマチャンバ１０６内に配置されてもよい。プラズマチャンバ１０６には、エッチングガスが流される（ステップ８０８）。この実施形態において、エッチングガスは、金属フッ化物またはタングステン含有パッシベーション剤と、エッチング成分とを含む。この実施形態において、金属フッ化物またはタングステン含有パッシベーション剤は、六フッ化タングステン（ＷＦ6）である。この実施形態において、エッチング成分は、酸素（Ｏ2）と、フルオロカーボン（ヘキサフルオロブタジエン（Ｃ4Ｆ6）および／またはオクタフルオロシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）など）とを含む。
【0165】
多状態パルス化方式を実行してエッチングガスをプラズマ化し、これにより、スタック９０４をエッチングする（ステップ８１２）。この実施形態において、多状態パルス化方式は、第１の周波数範囲で一次ＲＦ信号を生成し、第２の周波数範囲で二次ＲＦ信号を生成することを含む。ここで、第１の周波数範囲は、第２の周波数範囲よりも小さい。一次ＲＦ信号および二次ＲＦ信号は、第１の状態、第２の状態、および第３の状態を含む少なくとも３つの状態間でパルス化される。一例として、一次ＲＦ信号の周波数は４００ｋＨｚであり、二次ＲＦ信号の周波数は６０ＭＨｚである。第１の状態は、３％～２０％のデューティサイクルを有し、一次ＲＦ信号の電力レベルは１７ｋＷ～３０ｋＷ、二次ＲＦ信号の電力レベルは５ｋＷ超である。より具体的な例としては、第１の状態は、３％～５％のデューティサイクルを有し、一次ＲＦ信号の電力レベルは２９ｋＷである。第２の状態は、３％～４０％のデューティサイクルを有し、一次ＲＦ信号の電力レベルは８ｋＷ超、二次ＲＦ信号の電力レベルは３ｋＷ超である。より具体的な例としては、第２の状態は、３％から５％のデューティサイクルを有し、一次ＲＦ信号の電力レベルは１３ｋＷ、二次ＲＦ信号の電力レベルは５ｋＷである。第３の状態は、４０％～９４％のデューティサイクルを有し、一次ＲＦ信号の電力レベルは２ｋＷ未満、二次ＲＦ信号の電力レベルは１ｋＷである。具体例としては、第３の状態は、９０％～９４％のデューティサイクルを有し、一次ＲＦ信号の電力レベルは０ｋＷ、二次ＲＦ信号の電力レベルは０ｋＷである。一実施形態において、第１の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルの、第１の状態における二次ＲＦ信号の電力レベルに対する比は１より大きく、第２の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルの、第２の状態における二次ＲＦ信号の電力レベルに対する比は１より小さい。
【0166】
図９Ｂは、エッチング完了後のスタック９０４の概略断面図である。エッチングガスを流し（ステップ８０８）、多状態パルス化方式を実行する上述したエッチングプロセスによって、スタック９０４にフィーチャ９４０がエッチングされている。この実施形態において、フィーチャ９４０はコンタクトホールである。この実施形態において、単一のエッチングレシピにより、第１および第２のシリコン酸化物層９１６、９２４と、第１および第２のシリコン窒化物層９２０、９２８とを選択的にエッチングすることが可能である。金属フッ化物またはタングステン含有パッシベーション剤を用いない場合、点線９４８で示す反りが生じる可能性がある。金属フッ化物またはタングステン含有パッシベーション剤を単独で添加した場合、点線９４４で示すネッキングが発生する可能性がある。金属フッ化物またはタングステン含有パッシベーション剤と多状態パルス化方式とを組み合わせることにより、ネッキングおよび反りを防止すると同時に高いエッチング選択比を実現するチューニングが可能となる。３つの電力レベルを有するこの実施形態の多状態パルス化方式により、金属フッ化物またはタングステン含有パッシベーション剤を用いながらもネッキングを防止可能なイオンフラックスおよびバイアスエネルギーが得られると考えられる。この実施形態において、ポリシリコンマスクに対して、誘電体スタックをエッチングするエッチング選択比は、少なくとも２：１である。より具体的には、ポリシリコンマスクに対して、誘電体スタックをエッチングするエッチング選択比は、２：１～３：１である。
【0167】
別の実施形態において、第２の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルは、第１の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルの８０％未満である。第３の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルは、第２の状態における一次ＲＦ信号の電力レベルの２０％未満である。第３の状態における二次ＲＦ信号の電力レベルは、第２の状態における二次ＲＦ信号の電力レベルの２０％未満である。第１の状態は、３％～２５％のデューティサイクルを有する。第２の状態は、３％～５０％のデューティサイクルを有する。第３の状態は、２５％～９４％のデューティサイクルを有する。いくつかの実施形態において、第１の状態のデューティサイクルは、第３の状態のデューティサイクルよりも小さい。第２の状態のデューティサイクルは、第３の状態のデューティサイクルよりも小さい。
【0168】
種々の実施形態において、第１の周波数範囲は、８０ｋＨｚ～１４ＭＨｚの周波数範囲であってもよい。第１の周波数範囲を用いて、イオン衝撃用のバイアスが形成される。第２の周波数範囲は、１５ＭＨｚ～１２０ＭＨｚの周波数範囲であってもよい。第２の周波数範囲を用いて、プラズマが励起される。また、第２の周波数範囲を用いて、プラズマ密度、イオンフラックス、およびプラズマの解離度を制御してもよい。種々の実施形態において、金属フッ化物またはタングステン含有パッシベーション剤は、フッ化タングステンである。フッ化タングステンは、六フッ化タングステン、五フッ化塩化タングステン（ＷＣｌＦ５）、および四フッ化二塩化タングステン（ＷＣｌ２Ｆ４）を含んでもよい。他の実施形態において、別のタングステン含有パッシベーション剤は、フッ化タングステンＷＦｘＣｌｙ（ｘ＋ｙ＝４、５、６）またはＷＯｘＦｙ（２ｘ＋ｙ＝４、５、６）である。例えば、タングステン含有パッシベーション剤は、ＷＯ２Ｆ２、ＷＯＦ４、またはＷＣｌ２Ｆ４であってもよい。
【0169】
種々の実施形態において、スタックは、少なくとも１つのシリコン酸化物層を有する。スタックは、シリコンを主成分とする層を含む。種々の実施形態において、マスクは、ポリシリコンなどのハードマスクである。他の実施形態において、スタックは、シリコン酸化物層およびシリコン窒化物層を交互に含む。種々の実施形態において、２０：１超の高さ／幅比を有する高アスペクト比（ＨＡＲ：Ｈｉｇｈ Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ）フィーチャが設けられる。
【0170】
種々の実施形態において、エッチングガスは、全エッチングガス流量に対するタングステン含有パッシベーション剤の比率がモル数で１：１０～１：１００である。
【0171】
図１０は、一実施形態において使用可能なエッチング反応器の概略図である。１つ以上の実施形態において、プラズマ処理システム１０００は、チャンバ壁１０５２によって囲まれたプラズマ処理チャンバ１０４９内に、ガス入口を提供するガス分配プレート１００６と、静電チャック（ＥＳＣ）１００８とを備える。プラズマ処理チャンバ１０４９内では、スタック１０１８がＥＳＣ１００８の上または上方に配置される。ＥＳＣ１００８は、ＥＳＣ源１０４８からバイアスを供給してもよい。ＥＳＣ源１０４８からの一次ＲＦ信号が、ＥＳＣ１００８にてバイアスを供給する。エッチングガス源１０１０が、ガス分配プレート１００６を介してプラズマ処理チャンバ１０４９に接続される。この実施形態において、エッチングガス源１０１０は、ポリマーパッシベーション剤源１０１２、エッチング成分ガス源１０１７、およびＷＦ6（またはタングステン含有パッシベーション剤）源１０１６を含んでもよい。ＥＳＣ温度コントローラ１０５０が、冷却器１０１４に接続される。この実施形態において、冷却器１０１４は、ＥＳＣ１００８内またはその近傍の流路１００５に冷却材を供給する。無線周波数（ＲＦ）源１０３０が、下部電極および／または上部電極（この実施形態では、ＥＳＣ１００８およびガス分配プレート１００６）にＲＦ電力を供給する。この実施形態において、ＲＦ源１０３０によって二次ＲＦ信号が供給されてもよい。二次ＲＦ信号を用いて、プラズマを形成するエネルギーを供給してもよい。例示的な実施形態において、４００ｋＨｚ、６０ＭＨｚ、および任意の構成としての２ＭＨｚ、２７ＭＨｚの電源により、ＲＦ源１０３０およびＥＳＣ源１０４８が構成される。ＲＦ源１０３０およびＥＳＣ源１０４８は、図１に示すＲＦ発生器ＲＦＧｘ、ＲＦ発生器ＲＦＧｙ、およびインピーダンス整合ネットワークＩＭＮを含んでもよい。この実施形態において、上部電極は接地されている。この実施形態において、各周波数に対して１つの発生器が設けられる。他の実施形態において、複数の発生器が別々のＲＦ源内に設けられてもよいし、別々のＲＦ発生器が異なる電極に接続されてもよい。例えば、上部電極は、異なるＲＦ源に接続された内側電極および外側電極を有してもよい。他の実施形態において、他の構成のＲＦ源および電極を用いてもよい。コントローラ１０３５が、ＲＦ源１０３０、ＥＳＣ源１０４８、排気ポンプ１０２０、およびエッチングガス源１０１０に制御可能に接続されている。このようなエッチングチャンバの例としては、Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（カリフォルニア州フリーモント）製の改良型Ｅｘｅｌａｎ ＦｌｅｘTMエッチングシステムが挙げられる。プロセスチャンバは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）反応器または誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）反応器とすることができる。他の実施形態において、誘電体および導電性エッチングチャンバまたは堆積チャンバなど、他の種類のプラズマ処理チャンバを用いてもよい。
【0172】
他の実施形態において、複数の異なる寸法のチャンバが設けられてもよい。これらのチャンバは、異なる相対電力を用いてもよい。例えば、より大きなチャンバは、１２０ｋＷと同じかそれよりも大きいＲＦ電力を用いてもよい。他の実施形態において、他の状態を追加してもよい。したがって、第４または第５の状態が存在してもよい。
【0173】
本明細書に記載の実施形態は、ハンドヘルドハードウェアユニット、マイクロプロセッサシステム、マイクロプロセッサベースまたはプログラマブル家電、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータなどを含む種々のコンピュータシステム構成により実施してもよい。本明細書に記載の実施形態は、コンピュータネットワークを介してリンクされた遠隔処理ハードウェアユニットによってタスクが実行される、分散コンピューティング環境において実施することもできる。
【0174】
いくつかの実施形態において、コントローラはシステムの一部であり、システムは上述した例の一部であってもよい。システムは、１つ以上の処理ツール、１つ以上のチャンバ、１つ以上の処理用プラットフォーム、および／または特定の処理用コンポーネント（ウエハ台座やガス流量システムなど）を含む半導体処理装置を備える。システムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、処理後におけるシステムの動作を制御するための電子機器と一体化される。電子機器は「コントローラ」とも呼ばれ、システムの様々なコンポーネントまたはサブ部品を制御してもよい。コントローラは、処理要件および／またはシステムの種類に応じて、本明細書に開示したいずれのプロセスも制御するようにプログラムされる。プロセスには、プロセスガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、ＲＦ発生器の設定、ＲＦ整合回路の設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置および動作設定、ツールに対するウエハの搬入出、ならびに、システムと接続または連携されたその他の搬送ツールおよび／またはロードロックに対するウエハの搬入出が含まれる。
【0175】
種々の実施形態において、コントローラは広義には、様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／またはソフトウェアを有する電子機器として定義され、命令の受信、命令の送出、動作の制御、洗浄動作の有効化、エンドポイント測定の有効化などを行う。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアとしてのチップ、ＤＳＰ、ＡＳＩＣとして定義されるチップ、ＰＬＤ、１つ以上のマイクロプロセッサ、またはプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行するマイクロコントローラを含む。プログラム命令は、様々な個別の設定（またはプログラムファイル）としてコントローラに通信される命令であり、半導体ウエハ上でまたは半導体ウエハ用にプロセスを実施するための動作パラメータを定義する。いくつかの実施形態において、動作パラメータは、１つ以上の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／またはウエハダイの製造において１つ以上の処理工程を達成するためにプロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部である。
【0176】
いくつかの実施形態において、コントローラは、コンピュータの一部であるか、またはコンピュータに結合される。ここで、コンピュータは、システムと一体化しているか、システムに結合されているか、その他の形でシステムとネットワーク接続されているか、これらを組み合わせた形態をとる。例えば、コントローラは、「クラウド」上に存在するか、または工場ホストコンピュータシステムのすべてまたは一部に存在する。これにより、ウエハ処理に関するリモートアクセスが可能になる。コンピュータは、システムへのリモートアクセスを有効化して、製造工程の進捗状況の監視、過去の製造工程履歴の調査、または複数の製造工程から傾向もしくは性能指標の調査を行い、現在の処理のパラメータを変更したり、現在の処理に続く処理工程を設定したり、新たなプロセスを開始したりする。
【0177】
いくつかの実施形態において、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）からシステムに対して、コンピュータネットワークを介してプロセスレシピを提供する。ここで、ネットワークは、ローカルネットワークまたはインターネットを含む。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定の入力やプログラミングを可能にするユーザインタフェースを含む。これらのパラメータおよび／または設定はその後、リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例において、コントローラは、ウエハを処理するための設定として命令を受信する。なお、これらの設定は、ウエハに対して実行するプロセスの種類、およびコントローラが連携または制御するツールの種類に対して固有の設定であることを理解されたい。したがって、上述したように、コントローラは、１つ以上の個別のコントローラを備えることなどによって分散される。これらの個別のコントローラはネットワーク化され、本明細書に記載のプロセスの達成などの共通の目的に向けて動作する。このような目的のための分散コントローラの一例としては、（例えばプラットフォームレベルで、またはリモートコンピュータの一部として）遠隔設置された１つ以上の集積回路と通信するチャンバに搭載された１つ以上の集積回路が挙げられる。これらの集積回路は協働してチャンバにおけるプロセスを制御する。
【0178】
種々の実施形態において、本明細書に記載のプラズマシステムは、非限定的な例として、プラズマエッチングチャンバ、堆積チャンバ、スピンリンスチャンバ、金属めっきチャンバ、洗浄チャンバ、ベベルエッジエッチングチャンバ、物理気相堆積（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）チャンバ、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）チャンバ、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）チャンバ、原子層エッチング（ＡＬＥ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｅｔｃｈ）チャンバ、イオン注入チャンバ、トラックチャンバ、または半導体ウエハの製造および／もしくは生産に関連するかもしくは使用されるその他のあらゆる半導体処理チャンバを含む。
【0179】
さらに、上記の動作は、平行板プラズマチャンバ（例えば、容量結合プラズマチャンバなど）を参照して説明されているが、いくつかの実施形態において、上述の動作は、他の種類のプラズマチャンバにも適用される。他の種類のプラズマチャンバは例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）反応器、トランス結合プラズマ（ＴＣＰ：Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）反応器、導体ツール、誘電体ツールを含むプラズマチャンバや、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）反応器を含むプラズマチャンバなどである。例えば、ＸＭＨｚのＲＦ発生器、ＹＭＨｚのＲＦ発生器、およびＺＭＨｚのＲＦ発生器が、ＩＣＰプラズマチャンバ内のインダクタに結合される。
【0180】
上述した通り、ツールによって実行されるプロセス工程に応じて、コントローラは、他のツール回路またはツールモジュール、他のツールコンポーネント、クラスタツール、他のツールインタフェース、隣接するツール、付近のツール、工場内の各所に設置されたツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、または半導体生産工場内のツール位置および／もしくはロードポートに対してウエハコンテナの受け渡しを行う材料輸送で使用されるツールのうち、１つ以上と通信する。
【0181】
上記の実施形態を念頭に置き、いくつかの実施形態は、コンピュータシステムに記憶されたデータを用いた種々のコンピュータ実装動作を採用していることを理解されたい。これらのコンピュータ実装動作は、物理量を操作するものである。
【0182】
いくつかの実施形態はまた、これらの動作を実行するためのハードウェアユニットまたは装置に関する。装置は、専用コンピュータ向けに特別に構成される。専用コンピュータとして規定された場合、コンピュータは、特定の目的のために動作可能でありつつ、特定の目的に含まれない他の処理、プログラム実行、または、ルーチンを実行する。
【0183】
いくつかの実施形態において、本明細書に記載の動作は、選択的にアクティブ化されたコンピュータによって実行されるか、コンピュータメモリに記憶された１つ以上のコンピュータプログラムによって構成されるか、またはコンピュータネットワークを介して取得される。コンピュータネットワークを介してデータが取得される場合、データは、コンピュータネットワーク（例えば、コンピューティングリソースのクラウド）上の他のコンピュータによって処理されてもよい。
【0184】
本明細書に記載の１つ以上の実施形態は、非一時的なコンピュータ可読媒体上に記録されたコンピュータ可読コードとして製造されてもよい。非一時的なコンピュータ可読媒体は、データを記憶する任意のデータ記憶ハードウェアユニット（例えば、メモリ装置など）である。データはその後、コンピュータシステムによって読み出される。非一時的なコンピュータ可読媒体の例としては、ハードドライブ、ネットワークアタッチトストレージ（ＮＡＳ）、ＲＯＭ、ＲＡＭ、コンパクトディスクＲＯＭ（ＣＤ－ＲＯＭ）、ＣＤレコーダブル（ＣＤ－Ｒ）、ＣＤリライタブル（ＣＤ－ＲＷ）、磁気テープ、ならびに他の光学式および非光学式データ記憶ハードウェアユニットが挙げられる。いくつかの実施形態において、非一時的なコンピュータ可読媒体は、コンピュータ可読コードが分散的に記憶および実行されるようにネットワーク結合コンピュータシステム上に分散された、有形のコンピュータ可読媒体を含む。
【0185】
上記のいくつかの方法工程は、特定の順序で示されているが、種々の実施形態において、他のハウスキーピング工程がこれらの方法工程の間に実行されるか、わずかに異なるタイミングで行われるようにこれらの方法工程が調整されるか、これらの方法工程を様々な間隔で行うことを可能にするシステムにおいてこれらの方法工程が分散されるか、または、上記とは異なる順序でこれらの方法工程が実行されることに留意されたい。
【0186】
さらに、一実施形態において、上記のいずれかの実施形態の１つ以上の特徴が、本開示に記載した種々の実施形態に記載の範囲を逸脱することなく、他のいずれかの実施形態の１つ以上の特徴と組み合わされることに留意されたい。
【0187】
明確な理解に資する目的で上記の実施形態をある程度詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲内で、一部変更や変形を行えることは明らかである。したがって、本実施形態は、あくまでも例示であって本開示を限定しないと考えられるべきであり、実施形態は、本明細書に記載の詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲およびその均等物の範囲内で変形されてもよい。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図10】