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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-04-11
(45)【発行日】2025-04-21
(54)【発明の名称】対称型半導体処理チャンバ
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20250414BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20250414BHJP
C23C 16/455 20060101ALI20250414BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101G
H01L21/302 101B
H01L21/31 C
C23C16/455
【請求項の数】
14
(21)【出願番号】P 2024501271
(86)(22)【出願日】2022-07-13
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2024-07-24
(86)【国際出願番号】 US2022036916
(87)【国際公開番号】W WO2023287855
(87)【国際公開日】2023-01-19
【審査請求日】2024-03-05
(31)【優先権主張番号】17/374,808
(32)【優先日】2021-07-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】サロデ， ヨガナンダ
【審査官】小▲高▼ 孔頌
(56)【参考文献】
【文献】特表２０１７－５１８６４８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－２０８５８４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１４５７２１（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１５／０２９３５２７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２００４／００３５５３０（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１９／０２６７２１９（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５
Ｈ０１Ｌ ２１／３１
Ｃ２３Ｃ １６／４５５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
フローモジュールであって、中心軸から等距離にある複数の外壁と、
内壁と、
前記外壁と前記内壁とを接続する２つ以上の対の半径方向壁であって、前記外壁、前記内壁、及び前記２つ以上の対の半径方向壁は、排気チャネル及び中央部分を画定し、前記中央部分及び前記排気チャネルは、前記内壁及び前記半径方向壁によって互いに流体的に隔離されている、２つ以上の対の半径方向壁と、
前記外壁を貫通して形成され、前記中央部分に流体的に結合された貫通孔であって、第１の貫通孔、第２の貫通孔、第３の貫通孔及び第４の貫通孔を含み、前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔は１８０度離間しており、前記中心軸を通って直線的に整列し、前記第３の貫通孔及び前記第４の貫通孔は１８０度離間しており、前記中心軸を通って直線的に整列している、貫通孔と
を備えるフローモジュールであって、
４つの排気チャネルを有し、前記排気チャネルは対称である、フローモジュール。
【請求項2】
前記第１の貫通孔は前記第２の貫通孔から１８０度の方向に向いている、請求項１に記載のフローモジュール。
【請求項3】
前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔は各々、フローブロックの内壁において前記第３の貫通孔及び前記第４の貫通孔からそれぞれ９０度の方向に向いている、請求項１に記載のフローモジュール。
【請求項4】
基板を処理するための処理チャンバであって、プロセス領域を囲むプロセスモジュールと、
前記処理チャンバの中心を通って垂直に配置された中心軸と、
フローモジュールであって、
前記中心軸から等距離にある複数の外壁と、
内壁と、
前記外壁と前記内壁とを接続する２つ以上の対の半径方向壁であって、前記外壁、前記内壁、及び前記２つ以上の対の半径方向壁は、排気チャネル及び中央部分を画定し、前記中央部分及び前記排気チャネルは、前記内壁及び前記半径方向壁によって互いに流体的に隔離されている、２つ以上の対の半径方向壁と、
前記外壁を貫通して形成され、前記中央部分に流体的に結合された貫通孔であって、第１の貫通孔、第２の貫通孔、第３の貫通孔及び第４の貫通孔を含み、前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔は１８０度離間しており、前記中心軸を通って直線的に整列し、第３の貫通孔及び第４の貫通孔は１８０度離間しており、前記中心軸を通って直線的に整列している、貫通孔と、
４つの排気チャネルを有し、前記排気チャネルは対称である、フローモジュールと、
前記フローモジュールの前記内壁に密封結合された基板支持シャーシと、
支持プレートとベースとを含む基板支持アセンブリであって、前記支持プレートは前記プロセス領域に配置されてその中で基板を支持し、前記ベースは貫通孔を通してアクセス可能である、基板支持アセンブリと
を備える、処理チャンバ。
【請求項5】
前記第１の貫通孔は前記第２の貫通孔から１８０度の方向に向いている、請求項４に記載の処理チャンバ。
【請求項6】
前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔は各々、前記フローモジュールの前記内壁において前記第３の貫通孔及び前記第４の貫通孔からそれぞれ９０度の方向に向いている、請求項４に記載の処理チャンバ。
【請求項7】
処理プラットフォームであって、移送チャンバロボットを有する移送チャンバと、
前記移送チャンバ及びファクトリインターフェースに結合されたロードロックチャンバと、
４つの外面で形成され、前記４つの外面のうちの第１の外面のスリットバルブドアにおいて前記移送チャンバに結合された複数の処理チャンバであって、前記処理チャンバのうちの少なくとも１つは、
プロセス領域を囲むプロセスモジュールと、
前記処理チャンバの中心を通って垂直に配置された中心軸と、
フローモジュールであって、
前記中心軸から等距離にある外壁と、
内壁と、
前記外壁と前記内壁との間に接続された２つ以上の対の半径方向壁であって、前記外壁、前記内壁、及び前記２つ以上の対の半径方向壁は、排気チャネル及び中央部分を画定し、前記中央部分及び前記排気チャネルは、前記フローモジュール内で互いに流体的に隔離されている、２つ以上の対の半径方向壁と、
前記外壁を貫通して形成され、前記中央部分に流体的に結合された２つ以上の貫通孔であって、前記２つ以上の貫通孔のうちの少なくとも２つは１８０度離間しており、前記中心軸を通って直線的に整列している、２つ以上の貫通孔と
を含む、フローモジュールと、
前記フローモジュールの前記内壁に密封結合された基板支持シャーシと、
支持プレートとベースとを含む基板支持アセンブリであって、前記支持プレートは前記プロセス領域に配置されてその中で基板を支持し、前記ベースは前記２つ以上の貫通孔を通してアクセス可能である、基板支持アセンブリと、
前記基板支持アセンブリに電気的に結合された整合回路であって、前記処理チャンバの前記４つの外面のうちの１つに取り付けられ、前記２つ以上の貫通孔のうちの１つにおいて取り付けられた整合回路と
を含む、複数の処理チャンバと
を備える、処理プラットフォーム。
【請求項8】
前記フローモジュールは２つの排気チャネルを有し、前記排気チャネルは対称である、請求項７に記載の処理プラットフォーム。
【請求項9】
前記２つ以上の貫通孔のうちの第１の貫通孔は、前記２つ以上の貫通孔のうちの第２の貫通孔から１８０度の方向に向いている、請求項７に記載の処理プラットフォーム。
【請求項10】
前記整合回路は、スリットバルブを有する前記第１の外面とは反対側の第２の外面にある、請求項９に記載の処理プラットフォーム。
【請求項11】
前記整合回路は、スリットバルブを有する前記第１の外面に隣接する第３の外面にある、請求項９に記載の処理プラットフォーム。
【請求項12】
前記外壁を貫通して形成され、前記中央部分に流体的に結合された前記２つ以上の貫通孔のうちの第３の貫通孔と、前記外壁を貫通して形成され、前記中央部分に流体的に結合された前記２つ以上の貫通孔のうちの第４の貫通孔とを更に備え、前記第３の貫通孔及び前記第４の貫通孔は、１８０度離間しており、前記中心軸を通って直線的に整列している、請求項７に記載の処理プラットフォーム。
【請求項13】
第１の貫通孔及び第２の貫通孔は各々、フローブロックの内壁において前記第３の貫通孔及び前記第４の貫通孔からそれぞれ９０度の方向に向いている、請求項１２に記載の処理プラットフォーム。
【請求項14】
前記フローモジュールは４つの排気チャネルを有し、前記排気チャネルは対称である、請求項１２に記載の処理プラットフォーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［０００１］本開示の実施例は、概して、プラズマ均一性制御を向上させるために、熱、電気、ガス流、及びポンピングの対称性を提供する処理チャンバに関する。
【背景技術】
【0002】
［０００２］半導体基板は、集積デバイス及びマイクロデバイスの製造を含む多種多様な用途のために処理される。上記処理装置の１つがエッチング処理チャンバである。処理中、基板は、エッチング処理チャンバ内の基板支持体上に位置決めされる。ガスがエッチングチャンバ内に導入され、点火されて基板をエッチングするためのプラズマになる。ガスとしてのプラズマが基板全体にわたって対称であることが、プロセス均一性を確保するのに役立つ。製造技法に応じて、基板支持体は、摂氏２００度を超える温度等の高温、又は摂氏マイナス１００度未満の温度等の極低温のいずれかで動作するように構成され得る。高温で動作するように構成された基板支持体、又は交互に極低温で動作するように構成された基板支持体は、エッチング処理チャンバ内で異なる機械的制約及び配管制約を有し、その結果独自の制約がもたらされる。
【0003】
［０００３］基板全体にわたる圧力、電気、ガス流、及び温度の対称性は、基板上でエッチング又は堆積される材料の均一性に影響を及ぼす可能性がある。チャンバ全体の圧力、電気、ガス流、温度、コンダクタンスを正確に制御することで、基板を非常に厳しい公差内で処理することが可能である。エッチング処理チャンバの対称性を正確に制御する能力は、スループットと生産歩留まりに大きな影響を与える。従来のエッチング処理チャンバでは、生産歩留まりの向上、及びより高速なスループットに対する要求がますます高まる一方で、次世代デバイスの製造に望ましい対称的なプロセス条件を提供することは困難である。基板支持体が給電及び制御ワイヤ、センサ、ガス供給、冷却、及び他のユーティリティでより混み合うようになるにつれて、対称性の要件を満たしながら従来の支持体を基板支持体に使用することはより困難になっている。
【0004】
［０００４］従って、エッチング処理チャンバにおけるプロセス対称性を改善する必要がある。
【発明の概要】
【0005】
［０００５］本開示の実施形態は、基板を処理するための装置を提供するものである。一実施例では、装置はフローモジュールとして開示される。フローモジュールは内壁を有する。フローモジュールは、中心軸から等距離にある外壁を有する。フローモジュールは、外壁と内壁との間に接続された半径方向壁を有し、外壁、内壁、及び２つ以上の対の半径方向壁は、排気チャネル及び中央部分を画定する。中央部分及び排気チャネルは、フローモジュール内で互いに流体的に隔離されている。２つ以上の貫通孔が外壁を貫通して形成され、中央部分に流体的に結合される。２つ以上の貫通孔のうちの少なくとも２つは１８０度離間しており、中心軸を通って直線的に整列している。
【0006】
［０００６］別の実施形態では、処理チャンバが提供される。処理チャンバは、プロセス領域を囲むプロセスモジュールと、排気チャネルアセンブリとを有する。排気チャネルアセンブリは、中心軸とフローモジュールとを有する。フローモジュールは内壁を有する。フローモジュールは、中心軸から等距離にある外壁を有する。フローモジュールは、外壁と内壁との間に接続された半径方向壁を有し、外壁、内壁及び２つ以上の対の半径方向壁は、排気チャネル及び中央部分を画定する。中央部分及び排気チャネルは、フローモジュール内で互いに流体的に隔離されている。２つ以上の貫通孔が外壁を貫通して形成され、中央部分に流体的に結合されている。２つ以上の貫通孔のうちの少なくとも２つは、１８０度離間しており、中心軸を通って直線的に整列している。排気チャネルアセンブリは更に、フローモジュールの内壁に密封結合された基板支持シャーシを有する。基板支持アセンブリは、支持プレートとベースとを有する。支持プレートは、プロセス領域に配置されてその中で基板を支持し、ベースは、プロセスモジュールのプロセス領域からフローモジュールの中央部分まで延び、ベースは、２つ以上の貫通孔を通してアクセス可能である。
【0007】
［０００７］更に別の実施形態では、処理プラットフォームが提供される。処理プラットフォームは、移送チャンバロボットを有する移送チャンバを有する。処理プラットフォームは、移送チャンバ及びファクトリインターフェースに結合されたロードロックチャンバを有する。複数の処理チャンバがスリットバルブドアにおいて移送チャンバに結合され、処理チャンバのうちの少なくとも１つは、プロセス領域を囲むプロセスモジュールと、排気チャネルアセンブリとを有する。排気チャネルアセンブリは、中心軸とフローモジュールとを有する。フローモジュールは、内壁と、中心軸から等距離にある外壁とを有する。フローモジュールは、外壁と内壁との間に接続された半径方向壁を有し、外壁、内壁、及び２つ以上の対の半径方向壁は、排気チャネル及び中央部分を画定する。中央部分及び排気チャネルは、フローモジュール内で互いに流体的に隔離されている。２つ以上の貫通孔が外壁を貫通して形成され、中央部分に流体的に結合される。２つ以上の貫通孔のうちの少なくとも２つは、１８０度離間しており、中心軸を通って直線的に整列している。排気チャネルアセンブリは更に、フローモジュールの内壁に密封結合された基板支持シャーシを有する。基板支持アセンブリは、支持プレートとベースとを有する。支持プレートは、プロセス領域に配置されてその中で基板を支持し、ベースは、プロセスモジュールのプロセス領域からフローモジュールの中央部分まで延び、ベースは、２つ以上の貫通孔を通してアクセス可能である。
【0008】
［０００８］上述した本開示の特徴を達成し、また詳細に理解できるように、添付の図面に示す本開示の実施形態を参照しながら、上記に要約した本開示をより具体的に説明する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1A】本開示の１又は複数の実施形態に係る処理チャンバの概略断面図である。
【図1B】本開示の１又は複数の実施形態に係る処理チャンバの概略断面図である。
【図1C】本開示の１又は複数の実施形態に係る処理チャンバの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
［０００１９］理解を容易にするために、可能な限り、図面共通の同一要素を示すのに同一の参照番号を使用している。一実施形態の要素及び特徴は、更に詳述することなく、他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが企図される。
【0011】
［０００２０］しかし、添付の図面は本開示の例示的な実施形態を示すものに過ぎず、従って、本開示の範囲を限定するものと見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることに留意されたい。
【0012】
［０００２１］膜スタック、基板において所望の小さい寸法を有するフィーチャーをパターニングし、ナノ構造を製造するために、処理チャンバが提供される。処理チャンバは、対称ポンピングシステムを含む。対称ポンピングシステムは、処理チャンバ内の電気、熱、及びガス流コンダクタンスを対称に維持するのに役立つ。
【0013】
［０００２２］一実施例では、チャンバは、チャンバ内部に配置された基板支持体の中心軸を中心とする２つの対称的な排気チャネルを有するように構成される。２つの排気チャネルは１８０度離間しており、スリットバルブドアと一列に並んでいる。２つの排気チャネルのコンダクタンスにより、標準的な３つのポンプポートに比べ、流体除去領域が約１８％増加する。基板支持体への接続を容易にするために、基板支持体を操作するためのバイアス整合及び供給接続部が、スリットバルブドアの開口部とは反対側の前方外側に配置されている。
【0014】
［０００２３］代替例では、チャンバは、上記のように２つの対称的な排気チャネルを有するように構成されるが、バイアス整合及び供給接続部は、スリットバルブドアに隣接する一方の外側に配置される。反対側の開口部は、基板支持体への追加の接続に利用可能である。バイアス整合の場所の配置により、チャンバが取り付けられるプラットフォームに対して、先行例よりも設置面積が縮小される利点が得られる。
【0015】
［０００２４］別の実施例では、チャンバは、チャンバ内部に配置された基板支持体の中心軸を中心とする４つの対称的な排気チャネルを有するように構成される。４つの排気チャネルは９０度離間しており、スリットバルブドアと一列に並んでいる。４つの排気チャネルのコンダクタンスにより、標準的な３つのポンプポートに比べて流体除去領域が減少する。しかし、基板支持体への４つの大気開口部を有する完全対称型フローチャンバは、ＲＦ、ＡＣ、ＤＣ、冷却ホース、Ｈｅライン、光ファイバ、極低温ライン、追加センサ、及びその他のユーティリティの事前設計及び接続のための余地を提供する。特に、４つの大気開口部を有する完全対称型フローチャンバは、処理温度が摂氏０度未満の極低温基板支持体の統合を可能にし、従来の３ポート設計で利用可能なスペースを超える特徴的な接続部を有している。
【0016】
［０００２５］図１Ａは、本開示の１又は複数の実施形態に係る処理チャンバ１００の概略断面図である。例示的な処理チャンバ１００は、処理チャンバ１００内の基板１１６上に配置された材料層をパターニングするのに適している。例示的な処理チャンバ１００は、パターニングプロセスを実行するのに適している。処理チャンバ１００は、プラズマエッチングチャンバ、プラズマ化学気相堆積チャンバ、物理気相堆積チャンバ、プラズマ処理チャンバ、イオン注入チャンバ、又は他の適切な真空処理チャンバであってよい。
【0017】
［０００２６］処理チャンバ１００は、本体１４０を有する。本体１４０は、概して４つの外面を有する。本体１４０は、ソースブロック１０２、プロセスブロック１０４、フローブロック１０６、及び排気ブロック１０８を含む。ブロックは、１又は複数のブロックの組み合わせであってよいことを理解されたい。例えば、排気ブロック１０８は、フローブロック１０６に統合され、フローブロック１０６の一部であり、単一の一体化された本体１０９としてできている（図１Ｃに示すように）。フローブロック１０６は、基板支持シャーシ１５４を含むポンピングポートアセンブリ１１１の一部である。ソースブロック１０２、プロセスブロック１０４及びフローブロック１０６は、集合的にプロセス領域１１２を囲む。工程中、基板１１６は、基板支持アセンブリ１１８上に位置決めされ、プロセス領域１１２で生成されるプラズマ等のプロセス環境に暴露され得る。処理チャンバ１００内で実行され得る例示的なプロセスには、エッチング、化学気相堆積、物理気相堆積、注入、プラズマアニール、プラズマ処理、プラズマ除去、又は他のプラズマプロセスが含まれ得る。真空は、排気ブロック１０８に形成された排気ポート１８１から、フローブロック１０６に画定された１又は複数の排気チャネル、すなわち排気チャネル１１４を通して吸引することによって、プロセス領域１１２に維持され得る。
【0018】
［０００２７］プロセス領域１１２及び排気チャネル１１４は、中心軸１１０を中心として実質的に対称であり、対称的な電流、ガス流、熱及び圧力の均一性を提供して、均一なプロセス条件を確立する。
【0019】
［０００２８］ソースブロック１０２は、アイソレータ１２２によってプロセスブロック１０４から隔離され、プロセスブロック１０４によって支持された上部電極１２０（又はアノード）を含む。上部電極１２０は、伝熱プレート１３０に取り付けられたシャワーヘッドプレート１２８を含み得る。上部電極１２０は、ガス入口管１２６を通してガス源１３２に接続され得る。
【0020】
［０００２９］ガス源１３２は、１又は複数のプロセスガス源を含んでいてよく、必要に応じて、不活性ガス、非反応性ガス、及び反応性ガスを更に含んでいてよい。ガス源１３２によって供給され得るプロセスガスの例としては、メタン（ＣＨ４）を含む炭化水素含有ガス、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）、四フッ化炭素（ＣＦ４）、臭化水素（ＨＢｒ）、炭化水素含有ガス、アルゴンガス（Ａｒ）、塩素（Ｃｌ２）、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、及び酸素ガス（Ｏ２）が挙げられるが、これらに限定されない。更に、プロセスガスには、窒素、塩素、フッ素、酸素、及び水素含有ガス、中でも例えばＢＣｌ３、Ｃ２Ｆ４、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＮＦ３、ＮＨ３、ＣＯ２、ＳＯ２、ＣＯ、Ｎ２、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、及びＨ２等が含まれ得る。
【0021】
［０００３０］シャワーヘッドプレート１２８、伝熱プレート１３０、及びガス入口管１２６はすべて、アルミニウム又はステンレス鋼等の高周波（ＲＦ）導電性材料から作製され得る。上部電極１２０は、導電性ガス入口管１２６を介してＲＦ電源１２４に結合され得る。導電性ガス入口管１２６は、ＲＦ電力とガス源１３２からの処理ガスの両方が対称的に供給されるように、処理チャンバ１００の中心軸１１０と同軸であってよい。
【0022】
［０００３１］プロセスブロック１０４は、フローブロック１０６上に配置される。接地用のＲＦガスケットとＯリングシールが、プロセスブロック１０４とフローブロック１０６との間に配置される。あるいは、プロセスブロック１０４とフローブロック１０６は組み合わされ、それらの間に接地用ＲＦガスケットとＯリングシールがない単一の一体化された本体１０７（図１Ｂに示すように）として作られる。
【0023】
［０００３２］プロセスブロック１０４は、プロセス領域１１２を囲む。プロセスブロック１０４は、アルミニウム又はステンレス鋼等の処理環境に抵抗性の導電性材料から作製され得る。基板支持アセンブリ１１８は、プロセスブロック１０４内の中心に配置され、中心軸１１０を中心として対称的にプロセス領域１１２内の基板１１６を支持するように位置決めされ得る。
【0024】
［０００３３］スリットバルブ開口部１４２は、基板１１６の通過を可能にするためにプロセスブロック１０４を貫通して形成され得る。スリットバルブ１４４は、スリットバルブ開口部１４２を選択的に開閉するためにプロセスブロック１０４の外側に配置され得る。
【0025】
［０００３４］プロセスブロック１０４は、フローブロック１０６上に配置される。フローブロック１０６は、プロセスブロック１０４内に画定されたプロセス領域１１２と排気ブロック１０８との間の流体経路を提供する。フローブロック１０６はまた、基板支持アセンブリ１１８と処理チャンバ１００の外部の大気環境との間のインターフェースを提供する。
【0026】
［０００３５］フローブロック１０６は、貫通孔１７０及び排気チャネル１１４を有する。貫通孔１７０は大気圧に維持され、基板支持アセンブリ１１８へのアクセスを提供する。排気チャネル１１４は真空に維持され、プロセス領域１１２から処理チャンバ１００の外部へガスを除去するための流体経路を提供する。
【0027】
［０００３６］図２Ａは、フローブロック１０６／２０６の以下の説明を理解するのに役立ち得る追加の図を提供するものである。フローブロック１０６は、外壁１６０と、内壁１６２と、内壁１６２と外壁１６０との間を接続する２つ以上の対の半径方向壁１６４と、内壁１６２及び２つ以上の対の半径方向壁１６４に取り付けられた底壁１６６とを含む。外壁１６０は、中心軸１１０から等距離にある。外壁１６０は、各対の半径方向壁１６４の間に形成された２つ以上の貫通孔１７０を含み得る。貫通孔１７０は、内壁１６２によって画定された大気領域１６８を外部環境と接続させ、従って、電気接続、ガス接続、冷却流体接続、センサリード線等のユーティリティ接続部を収容する。
【0028】
［０００３７］図２Ｂに示し、明確にするために本明細書では図２Ａには示していないシャーシ１５４が、内壁１６２及び２つ以上の対の半径方向壁１６４の上に密封配置されていてよい。シャーシ１５４は、基板支持アセンブリ１１８を受容するための中央開口部１５８を含み得る。シャーシ１５４及び中央開口部１５８は、中心軸１１０を中心としている。内壁１６２、底壁１６６、半径方向壁１６４及びシャーシ１５４は、外壁１６０の内側の領域を排気チャネル１１４と大気領域１６８とに分割する。排気チャネル１１４はプロセスブロック１０４のプロセス領域１１２と接続している。２つ以上の対の半径方向壁１６４は、内壁１６２と外壁１６０との間に配置され、空間を排気チャネル１１４と貫通孔１７０とに分割する。一実施形態では、２つ以上の対の半径方向壁１６４は、排気チャネル１１４が中心軸１１０を中心に対称となるように配置される。
【0029】
［０００３８］基板支持アセンブリ１１８は、シャーシ１５４によって支持される。基板支持アセンブリ１１８は、基板１１６を中心軸１１０を中心に対称に位置決めするために、中心軸１１０に沿って位置決めされる。基板支持アセンブリ１１８は、プロセス領域１１２に配置された支持プレート１７４、ベースプレート１７６を含む。基板支持アセンブリ１１８は、シャーシ１５４の中央開口部１５８の上に配置される。一実施例では、基板支持アセンブリ１１８はシャーシ１５４に固定され、動かない。別の実施例では、基板支持アセンブリ１１８は中空シャフト１７８を有する。ベローズ１８４が、ベースプレート１７６とシャーシ１５４との間に接続され、中空シャフト１７８を囲んでいてよい。ベローズ１８４は、基板支持アセンブリ１１８が中心軸１１０に沿って垂直に動くことを可能にし、フローブロック１０６内の大気領域１６８とプロセスブロック１０４のプロセス領域１１２の真空との間の真空シールを提供する。
【0030】
［０００３９］支持プレート１７４は、チャッキング電極１８６を有する静電チャックであってよい。支持プレート１７４は、処理中に基板１１６を加熱するための１又は複数の加熱要素１８８も含み得る。ベースプレート１７６は、その中に形成された冷却チャネル１９０を含み得る。チャッキング電極１８６は、ベースプレート１７６、大気領域１６８及び貫通孔１７０のうちの１つを通してバイアス電源１８７に接続され得る。加熱要素１８８は、ベースプレート１７６、大気領域１６８及び貫通孔１７０のうちの１つを通して加熱電源１８９に接続され得る。冷却チャネル１９０は、ベースプレート１７６、大気領域１６８及び貫通孔１７０のうちの１つを通して冷却流体源１９１に接続され得る。
【0031】
［０００４０］工程中、ガス源１３２からの１又は複数の処理ガスが、シャワーヘッドプレート１２８を通ってプロセス領域１１２に入ることができる。ＲＦ電力が、上部電極１２０と基板支持アセンブリ１１８との間に印加され、プロセス領域１１２の１又は複数の処理ガスを点火して維持し得る。基板支持アセンブリ１１８上に配置された基板１１６は、プラズマによって処理される。１又は複数の処理ガスを、プロセス領域１１２に連続的に供給することができ、真空ポンプ１８２は、対称フローバルブ１８０及びフローブロック１０６を通して動作し、基板１１６の上に対称かつ均一なガス流を生成する。
【0032】
［０００４１］排気ブロック１０８は、対称フローバルブ１８０と、対称フローバルブ１８０に取り付けられた真空ポンプ１８２とを含む。対称フローバルブ１８０は、排気ブロック１０８の底部に形成された排気ポートを介して排気チャネル１１４に接続し、処理チャンバ１００に対称かつ均一な流れを提供する。一実施例では、排気ブロック１０８はフローブロック１０６の一部である。
【0033】
［０００４２］コントローラ１５５は、処理チャンバ１００に動作命令を提供することができる。コントローラ１５５は、支援回路１６５、中央処理装置（ＣＰＵ）１７５、及びメモリ１８５を含み得る。ＣＰＵ１７５は、メモリ１８５に記憶された命令を実行して、プロセスシーケンスを制御し、ガス源１３２から処理チャンバ１００内へのガス流及び他のプロセスパラメータを調節することができる。ソフトウェアルーチンがメモリ１８５に記憶されていてよい。ソフトウェアルーチンはＣＰＵ１７５によって実行される。ＣＰＵ１７５によるソフトウェアルーチンの実行により、プロセスが本開示に従って実行されるように処理チャンバ１００が制御される。例えば、ソフトウェアルーチンは、基板支持アセンブリ１１８及び真空ポンプ１８２の動作を制御することができる。
【0034】
［０００４３］図２Ａ及び図２Ｂを用いて、２つの対称的な排気チャネル１１４を有するポンピングポートアセンブリ１１１の第１の実施例を説明する。図２Ａは、図１Ａの処理チャンバ１００の第１の実施例におけるフローブロック１０６の第１の実施例についての概略上面等角図である。フローブロック２０６は、図１Ａに関して上述したフローブロック１０６の１つの具体例である。しかしながら、フローブロック１０６の特徴は、図１Ｂ及び図１Ｃに示す単一の一体化された本体１０７／１０９のバージョンに適用可能であることを理解されたい。フローブロック２０６の外壁１６０は、フローブロック２０６をプロセスブロック１０４に接続するために使用されるフランジ２３６を上方端部に含み得る。フローブロック２０６の外壁１６０は、フローブロック２０６を排気ブロック１０８に接続するために使用される下方端部の第２のフランジ２０２を含み得る。しかしながら、幾つかの実施例では、フローブロック２０６は、排気ブロック１０８に統合されていてよい、又は排気ブロック１０８の一部であってよいことを理解されたい。
【0035】
［０００４４］フローブロック２０６は、少なくとも２つの領域、すなわち、一方の領域が真空圧に維持され得る一方で他方の領域が大気圧に維持され得るように互いに流体的に隔離されるように構成された、排気チャネル１１４及び中央部分２６６を有する。半径方向壁１６４は、フローブロック２０６の内壁１６２から延び、フローブロック１０６の中央部分２６６から排気チャネル１１４を流体的に分離させる。中央部分２６６は、底壁１６６と半径方向壁１６４とによって境界が定められ、流体的に隔離されてフローブロック２０６の中央部分２６６に大気領域１６８を形成する。
【0036】
［０００４５］フローブロック２０６は、対称形状を有し、等しい大きさの２つの排気チャネル１１４を有する。フローブロック２０６は、内壁１６２に沿って貫通孔１７０付近まで延び、半径方向壁１６４に沿って戻る。一実施例では、フローブロック２０６の排気チャネル１１４は、第１の真空ポート２４１及び第２の真空ポート２４２を形成する。第１の真空ポート２４１及び第２の真空ポート２４２は、処理チャンバ１００の中心軸１１０を中心に対称である。第１の真空ポート２４１及び第２の真空ポート２４２を通る流体の流れに対する処理チャンバ１００のコンダクタンス面積は、約２００ｉｎ２から約２２０ｉｎ２、例えば約２１２ｉｎ２であってよい。第１の真空ポート２４１及び第２の真空ポート２４２は、従来設計の３つの真空ポートの約１８０ｉｎ２と比較して、コンダクタンス面積を約１８％増加させる。
【0037】
［０００４６］貫通孔１７０は、外壁１６０から内壁１６２まで延びる開口部を形成する。貫通孔１７０は、内壁１６２によって画定された大気領域１６８を外部環境と接続させ、従って、電気接続、ガス接続、冷却流体接続等のユーティリティ接続部を収容する。フローブロック１０６の各貫通孔１７０により、それぞれの排気チャネル１１４が分離される。従って、同数の貫通孔１７０と排気チャネル１１４が存在する。フローブロック２０６は、外壁１６０から内壁１６２に延びる２つの開口部、第１の開口部２７１及び第２の開口部２７２を有する。第１及び第２の開口部２７１、２７２は、中央部分２６６をフローブロック２０６の外部の環境に流体的に結合させる。第１及び第２の開口部２７１、２７２は、中心軸１１０を通って直線的に整列している。第１及び第２の開口部２７１、２７２は、フローブロック２０６の内壁１６２上で互いに１８０度対向している。このように、フローブロック２０６は対称である。
【0038】
［０００４７］上面２６４は、半径方向壁１６４の上部全体にわたって延びている。上面２６４は更に、１又は複数の開口部の上壁２１２を横切って延びている。開口部の上壁２１２は、第１及び第２の開口部２７１、２７２の上部の上に延びている。上面２６４は、連続した平坦なリング形状を形成している。１又は複数の位置合わせ孔２１０が、シャーシ１５４との位置合わせのために開口部の上壁２１２に沿って上面２６４に形成され得る。
【0039】
［０００４８］ガスケット２６５は、上面２６４に沿って配置され得る。ガスケット２６５は、シャーシ１５４（図２Ｂの２５４）と上面２６４との間に流体シールを形成する。このようにして、中央部分２６６には、排気チャネル１１４内の真空圧から流体的に隔離された大気領域１６８が形成される。シャーシ２５４は、フローブロック２０６と基板支持アセンブリ１１８との間のインターフェースを提供する。図２Ｂは、図２Ａのフローブロック１０６と共に使用するのに適したシャーシ２５４の底部等角図である。シャーシ２５４は、図１Ａに示すシャーシ１５４の一実施態様である。
【0040】
［０００４９］シャーシ２５４は、外向きに延びる羽根２６３を有するディスク形本体２５２を含み得る。ディスク形本体２５２は、外周部２３２、底面２５３、及び上面２５１を有する。ディスク形本体２５２はリップ２３３を有する。リップ２３３はガスケット２６５に接触する大きさである。ガスケット２６５は更に羽根２６３に接触する。一実施例では、リップ２３３は羽根２６３と平面である。しかし、リップ２３３とその羽根２６３は、フローブロック２０６の上面２６４とガスケット２６５との間のシールを形成するが、同一平面でなくてもよいことを理解されたい。
【0041】
［０００５０］羽根２６３は、ディスク形本体２５２の外周部２３２から延びている。羽根２６３の数は、フローブロック２０６の貫通孔１７０の数に対応する。一実施形態では、シャーシ２５４は、１８０度離間して位置決めされた２つの羽根２６３を有する。シャーシ２５４は、第１の開口部２７１に対応する第１の羽根２６１と、第２の開口部２７２に対応する第２の羽根２６２とを有する。羽根２６３は、１又は複数のフィーチャー２１８を有する。フィーチャー２１８は、フローブロック２０６の位置合わせ孔２１０に整列していてよい又は固定されていてよい。フィーチャー２１８は、シャーシ２５４のフローブロック２０６への位置決め及び固定を補助するピン、孔又は貫通孔であってよい。
【0042】
［０００５１］一実施例では、基板支持アセンブリのベースプレート１７６は、シャーシ２５４上にシール配置される。シャーシ２５４の中央開口部１５８は、シールフランジ２９３を有していてよい。別の実施例では、基板支持アセンブリ１１８の中空シャフト１７８は、シャーシ２５４の中央開口部１５８を通って延びている。ベローズ１８４がシールフランジ２９３に結合される。ガス等の流体が中央開口部１５８を通ってシャーシ２５４の底面２５３から上面２５１、排気チャネル１１４、又は処理チャンバ１００の内部領域１１２に移動しないように、基板支持アセンブリ１１８とシャーシ２５４との間にベローズ１８４が設けられる。
【0043】
［０００５２］基板支持アセンブリ１１８は、中央開口部１５８を通ってフローブロック２０６の中央部分２６６内に延び、第１及び第２の開口部２７１、２７２から出る複数の接続部を有する。接続部は、他の接続の中でも、外部環境と基板支持アセンブリ１１８との間の電気、ガス、冷却流体等の接続を行う。第１及び第２の開口部２７１、２７２が大きいほど、より多くの接続部を開口部を通して収容することができる。しかし、開口部１７０の大きさには限界がある。一方を大きくすると、排気チャネル１１４を通るチャンバ排気において非対称性が生じる可能性がある。両方を大きくすると、排気チャネル１１４を通るコンダクタンスが低下し、背圧と電力消費が増加する。大きい開口部が必要な場合の要件は、以下の図３Ａ～図３Ｂに示す実施例に対して対処される。１又は複数の開口部へのアクセスにより、処理プラットフォーム２００Ａへの処理チャンバの接続が容易になる。
【0044】
［０００５３］図２Ｃは、図２Ａ及び図２Ｂの少なくとも１つの処理チャンバ１００を有する処理プラットフォーム２００Ａの第１の実施例の第１の概略プラットフォームレイアウトである。処理プラットフォーム２００Ａは、基板を移動させるためにその中に配置された移送ロボット２９１を有する移送チャンバ２９０を有する。移送チャンバ２９０は真空圧に維持され、１又は複数の処理チャンバ１００等の１又は複数の処理チャンバに結合されている。処理チャンバ１００も真空圧にある。移送チャンバ２９０は、ロードロックチャンバ２９４によってファクトリインターフェース２９５に結合されている。ファクトリインターフェース２９５は実質的に大気圧に維持される。ロードロックチャンバ２９４により、基板を移送チャンバ２９０の真空環境からファクトリインターフェース２９５の大気圧に移動させることができる。
【0045】
［０００５４］スリットバルブドア１４４が、各処理チャンバ１００と移送チャンバ２９０との間に配置され得る。スリットバルブドア１４４が開かれると、移送ロボット２９１は、ＲＦ励起プラズマで基板を処理するために、スリットバルブ開口部１４２を通して基板を処理チャンバ１００の基板支持アセンブリ１１８上に移送する。バイアス整合回路２９１は、基板支持アセンブリ１１８とＲＦ電源（図示せず）との電気接続を提供する。バイアス整合回路２９１は、プラズマ負荷から反射されたＲＦによる電源の損傷を防止する。バイアス整合回路２９１は、移送チャンバ２９０に結合された処理チャンバ１００の外面の反対側の外面に配置され得る。
【0046】
［０００５５］２つの開口部１７０は１８０度離間しており、スリットバルブ開口部１４２と整列している。バイアス整合回路２９１及び供給接続部は、貫通孔１７０を通る基板支持アセンブリ１１８へのカソード接続を容易にするために、スリットバルブドア１４４とは反対側にある。処理チャンバ１００上のバイアス整合回路２９１の位置により、チャンバの配線及び配管へのアクセスが容易になり得る。
【0047】
［０００５６］図２Ｄは、図２Ａ及び図２Ｂのフローブロック２０６の第１の実施例の第２の概略プラットフォームレイアウトである。処理プラットフォーム２００Ｂは、処理プラットフォーム２００Ａと同様である。しかしながら、２つの排気チャネル１１４がスリットバルブ開口部１４２と整列している。これにより、バイアス整合回路２９１及び供給接続部は、カソード接続を容易にするために反対側が開放された状態で、移送チャンバに対して処理チャンバ１００の一方の側に配置される。すなわち、バイアス整合回路２９１は、処理チャンバ１００の外面に隣接して配置される。これは、処理プラットフォーム２００Ａと比較して、処理プラットフォーム２００Ｂの設置面積（’Ｘ’２９９×’Ｙ’２９８）が縮小するという利点を有する。
【0048】
［０００５７］処理チャンバ１００内からプロセスガスを除去するための対称的なコンダクタンスは、基板を処理する際のプロセスの均一性を向上させる。より高いコンダクタンスは、チャンバに付着してチャンバで処理中の後の基板に欠陥をもたらす可能性のあるプロセス材料の量を減少させる。しかしながら、フローブロック２０６の排気チャネル１１４に割り当てられる面積により、基板支持アセンブリ１１８が電気及び流体／配管接続の両方に利用する貫通孔１７０に利用可能な面積が犠牲となる。高温基板支持アセンブリ１１８では、接続の大部分は電気接続である。しかし、極低温基板支持アセンブリ１１８では、流体接続の数が増加するため、基板支持アセンブリ１１８を動作させるための貫通孔１７０内のすべての電気接続及び流体／配管接続を配線するために必要な面積が増加する。開口部のサイズを大きくすると、排気チャネル間の間隔が広がる一方で、排気チャネルのサイズが小さくなるため、接続用の開口部のサイズを大きくするだけでは不十分である。従って、開口部のサイズを大きくすると、チャンバからの流体の流れの除去に非対称性が生じ、基板に対する処理が不均一になる可能性がある。一実施例では、基板支持アセンブリ１１８の極低温動作は、従来の３つの排気チャネルフローブロックで提供される面積を超える電気接続及び配管接続部を有する。
【0049】
［０００５８］図３Ａ及び図３Ｂを用いて、４つの対称的な排気チャネルを有するポンピングポートアセンブリ１１１の第２の実施例について説明する。図３Ａは、図１Ａの処理チャンバで使用可能なフローブロック３０６の第２の実施例の概略上平面図である。しかしながら、フローブロック３０６の特徴は、図１Ｂ及び図１Ｃに示す単一の一体化された本体１０７／１０９のバージョンに適用可能であることを理解されたい。フローブロック３０６は、図１Ａに関して上述したフローブロック２０６及びフローブロック１０６の別の実施例と多くの態様において実質的に類似している。フローブロック１０６の外壁１６０は、プロセスブロック１０４と接続するためのフランジ２３６を含み得る。フローブロック１０６の外壁１６０は、排気ブロック１０８と接続するための第２のフランジ２０２を含み得る。しかしながら、幾つかの実施例では、フローブロック３０６は、排気ブロック１０８と一体化されていてよい、又は排気ブロック１０８の一部であってよいことを理解されたい。
【0050】
［０００５９］フローブロック２０６と同様に、フローブロック３０６は、少なくとも２つの領域、すなわち、一方の領域が真空圧に維持され得る一方で他方の領域が大気圧に維持され得るように互いに流体的に隔離されるように構成された排気チャネル１１４及び中央部分２６６を有する。半径方向壁１６４は、フローブロック３０６の内壁１６２から延び、フローブロック３０６の中央部分２６６から排気チャネル１１４を流体的に分離させる。中央部分２６６は、底壁１６６と半径方向壁１６４とによって境界が定められ、流体的に隔離されてフローブロック３０６の中央部分２６６に大気領域１６８を形成する。
【0051】
［０００６０］フローブロック３０６は、対称形状を有し、等しいサイズの４つの排気チャネル１１４を有する。フローブロック３０６は、内壁１６２に沿って貫通孔１７０付近まで延び、半径方向壁１６４に沿って戻る。一実施例では、フローブロック３０６の排気チャネル１１４は、第１の真空ポート３４１、第２の真空ポート３４２、第３の真空ポート３４３、及び第４の真空ポート３４４を形成する。第１、第２、第３及び第４の真空ポート３４１、３４２、３４３、３４４は、処理チャンバ１００の中心軸１１０を中心に対称である。第１、第２、第３及び第４の真空ポート３４１、３４２、３４３、３４４を通る流体の流れに対する処理チャンバ１００のコンダクタンス面積は、基板支持アセンブリ１１８の周りの対称的な流体の流れを維持しながら、従来の３つのポート設計よりもわずかに減少する。
【0052】
［０００６１］フローブロック２０６及びフローブロック３０６に関して上述したように、貫通孔は、フローブロック２０６及び３０６において外壁１６０から内壁１６２まで延びる開口を形成する。貫通孔１７０は、内壁１６２によって画定された大気領域１６８を外部環境と接続させ、従って、電気接続、ガス接続、冷却流体接続等のユーティリティ接続部を収容する。フローブロック１０６の各貫通孔１７０により、それぞれの排気チャネル１１４が分離される。従って、同数の貫通孔１７０と排気チャネル１１４が存在する。フローブロック３０６は、外壁１６０から内壁１６２まで延びる４つの開口部、第１の開口部３７１、第２の開口部３７２、第３の開口部３７３、及び第４の開口部３７４を有する。第１、第２、第３及び第４の開口部３７１、３７２、３７３、３７４は、中央部分２６６をフローブロック３０６の外部の環境と流体的に結合させる。第１及び第３の開口部３７１、３７３は、中心軸１１０を通って直線的に整列している。同様に、第２及び第４の開口部３７２、３７４は、中心軸１１０を通って直線的に整列している。第１の開口部３７１及び第３の開口部３７３は各々、フローブロック３０６の内壁１６２上の第２の開口部３７２及び第４の開口部３７４からそれぞれ約９０度の方向に向いている。このように、フローブロック３０６は対称である。
【0053】
［０００６２］フローブロック３０６の第１、第２、第３、及び第４の開口部３７１、３７２、３７３、及び３７４によって提供される面積は、排気チャネルによって基板支持アセンブリ１１８の周りの対称的な流体の流れを維持しながら、基板支持アセンブリ１１８への接続のために提供される面積を、フローブロックのための従来の３つの貫通孔設計より約３３％増加させる。
【0054】
［０００６３］上面３６４は、半径方向壁１６４の上部全体にわたって延びている。上面３６４は更に、１又は複数の開口部の上壁３１２を横切って延びている。開口部の上壁３１２は、第１、第２、第３及び第４の開口部３７１、３７２、３７３、３７４の上部全体にわたって延びている。上面３６４は連続した平坦なリング形状を形成する。一実施例では、平坦なリング形状は、４つの半径方向に整列した円弧部分から延びる４つのリップを有する。
【0055】
［０００６４］ガスケット３６５が、上面３６４に沿って配置され得る。ガスケット３６５は、シャーシ３５４（図３Ｂに示す）と上面３６４との間に流体シールを形成する。このようにして、中央部分２６６には、フローブロック２０６の場合と同様に、フローブロック３０６の排気チャネル１１４内の真空圧から流体的に隔離された大気領域１６８が形成される。シャーシ３５４は、フローブロック３０６と基板支持アセンブリ１１８との間のインターフェースを提供する。
【0056】
［０００６５］図３Ｂは、図３Ａのフローブロック３０６と共に使用するのに適した基板支持シャーシ３５４の上平面図である。シャーシ３５４は、シャーシ２５４と多くの態様において実質的に類似しているが、図１Ａに示すシャーシ１５４の別の実施態様である。
【0057】
［０００６６］シャーシ３５４は、外向きに延びる羽根３６３を有するディスク形本体３５２を含む。ディスク形本体３５２は、外周部３３２、底面３５３、及び上面３５１を有する。外周部３３２は概ね円形であり、各羽根３６３において途切れている。ディスク形本体３５２はガスケット３６５に接触する大きさである。ガスケット３６５は更に羽根３６３に接触する。一実施例では、ガスケット３６５は、ディスク形本体３５２と羽根３６３との接触において共平面である。しかしながら、ガスケットは、フローブロック３０６の上面３６４とシャーシ３５４との間のシールを形成している間は平面でなくてよいことを理解されたい。
【0058】
［０００６７］羽根３６３は、ディスク形本体３５２の外周部３３２から延びている。羽根３６３の数は、フローブロック３０６の貫通孔１７０の数に対応する。一実施例では、シャーシ３５４は、９０度離間して位置決めされた４つの羽根３６３を有する。シャーシ３５４は、第１の開口部３７１に対応する第１の羽根３８１と、第２の開口部３７２に対応する第２の羽根３８２と、第３の開口部３７３に対応する第３の羽根３８３と、第４の開口部３７４に対応する第４の羽根３８４とを有する。羽根３６３は、シャーシ２５４に関して説明したものと同様の１又は複数のフィーチャーを有し、フィーチャー２１８は、フローブロック３０６の位置合わせ孔に整列又は固定される。
【0059】
［０００６８］基板支持アセンブリ１１８は、中央開口部１５８を通ってフローブロック３０６の中央部分２６６内に延び、第１、第２、第３及び第４の開口部３７１、３７２、３７３、３７４から出る複数の接続部を有する。接続は、他の接続の中でも、外部環境と基板支持アセンブリ１１８との間の電気、ガス、冷却流体等の接続である。より多くの開口部数、すなわち、第１、第２、第３及び第４の開口部３７１、３７２、３７３、３７４は、基板支持アセンブリ１１８のより多くの接続部を収容する。一実施例では、基板支持アセンブリ１１８は極低温処理用に構成され、高温基板支持アセンブリよりも多くの流体接続を有する。４つの開口部へのアクセスにより、処理チャンバ１００内の基板支持アセンブリ１１８の接続、及び処理チャンバ１００の処理プラットフォーム３００Ａへの接続が容易になる。
【0060】
［０００６９］フローブロック３０６のコンダクタンス面積は、従来の３ポートポンプポート設計と比較してわずかに減少する。しかしながら、フローブロック３０６は、有利なことに、カソード促進、すなわち、ＲＦ、ＡＣ、ＤＣ、冷却ホース、ヘリウムライン、光ファイバ、極低温ライン、追加のセンサ、及び現在の従来設計のフローブロックでは収容できない他の潜在的な特徴を有する将来のカソード先進設計のための追加のスペースを提供する４つの大気貫通孔１７０を用いて、完全に対称的な流れを提供する。
【0061】
［０００７０］図３Ｃは、図３Ａ及び図３Ｂに従って構成された処理チャンバ１００を有する処理プラットフォーム３００Ａの概略レイアウトである。処理プラットフォーム３００Ａは、移送ロボット２９１を有する移送チャンバ２９０を有する処理プラットフォーム２００Ａと実質的に同様である。移送チャンバ２９０は真空圧にあり、処理チャンバ１００等の１又は複数の処理チャンバに結合されている。処理チャンバ１００は真空圧にある。移送チャンバ２９０はロードロックチャンバ２９４によってファクトリインターフェース２９５に結合されている。ファクトリインターフェース２９５は大気圧にある。
【0062】
［０００７１］スリットバルブドア１４４は、移送チャンバ２９０と処理チャンバ１００との間に配置される。移送ロボット２９１は、ＲＦ励起プラズマで基板を処理するために、スリットバルブドア１４４を通して基板を処理チャンバ１００の基板支持アセンブリ１１８上に移動させる。バイアス整合回路２９１は、ＲＦ結合によるチャンバ外の構成要素への損傷を防止しながら、基板支持アセンブリ１１８への電気接続を提供する。
【0063】
［０００７２］貫通孔１７０は、９０度離間しており、１つの貫通孔１７０はスリットバルブドア１４４と一列に並んでいる。バイアス整合回路２９１及び供給接続部は、スリットバルブドア１４４の反対側にあり、貫通孔１７０を通して基板支持アセンブリ１１８へのカソード接続を容易にする。処理チャンバ１００上のバイアス整合２９１の構成により、チャンバの配線へのアクセスが容易になり得る。極低温基板支持アセンブリ１１８は、極低温基板支持アセンブリ１１８の追加配管に使用するのに利用可能なバイアス整合回路２９１に隣接する貫通孔１７０を有する。
【0064】
［０００７３］代替的に、バイアス整合回路２９１は、スリットバルブドア１４４に隣接する処理チャンバ１００の一方の側に設けられる。スリットバルブドアの反対側の隣接する側とバイアス整合回路２９１に対する反対側とは、カソード接続促進のために開放されている。これにより、処理プラットフォーム３００Ａの設置面積（’Ｘ’２９９×’Ｙ’２９８）が縮小するという利点がある。更に別の代替案では、処理チャンバ１００のフローブロック３０６は、図３Ｃに示すものに対して４５度のところにある。排気チャネル１１４はスリットバルブドア１４４と整列している。この配置では、貫通孔１７０の４つ全てへのアクセスが得られ、バイアス整合２９１は、処理プラットフォーム３００Ａの設置面積を更に縮小しつつ、貫通孔１７０への強化されたアクセスを容易にするように配置され得る。
【0065】
［０００７４］有利なことに、上記に開示されたフローブロックは、対称的なチャンバの電気、熱、及びガス流コンダクタンスを提供する。フローブロックは、ＲＦ、ＡＣ、ＤＣ、冷却ホース、ヘリウム又は他のガスライン、光ファイバ、極低温ライン、センサ、及び他の潜在的な特徴のための追加の接続を必要とする基板支持アセンブリにおける極低温及び他の進歩のための追加のスペースを可能にしながら、基板支持体の中心軸を中心とする対称的な排気チャネルを有する副生成物除去のためのプロセス領域へのアクセスを提供する。
【0066】
［０００７５］前述の内容は本開示の実施形態を対象としているが、以下の特許請求の範囲によって決定されるその基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の更なる実施形態を考案することが可能である。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3A】
【図3B】
【図3C】