特許 7698976 デバイスチップの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-06-18

(45)【発行日】2025-06-26

(54)【発明の名称】デバイスチップの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20250619BHJP

   B23K 26/364 20140101ALI20250619BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 B

H01L21/78 L

B23K26/364

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2021082733

(22)【出願日】2021-05-14

(65)【公開番号】P2022175944

(43)【公開日】2022-11-25

【審査請求日】2024-03-29

(73)【特許権者】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】平田 章紘

【審査官】内田 正和

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－１２９３９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－１３６３７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１１５８６７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｂ２３Ｋ ２６／３６４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表面に格子状に設定された分割予定ラインによって区画された領域に複数のデバイスが形成されたウェーハを個々のデバイスに分割してデバイスチップを製造するデバイスチップの製造方法であって、
該ウェーハの表面側に樹脂層を形成する樹脂層形成ステップと、
該樹脂層形成ステップの後、該樹脂層が形成された側から該分割予定ラインに沿って第一の出力でレーザービームを照射し、該樹脂層に対してレーザー加工溝を形成する樹脂層加工ステップと、
該樹脂層加工ステップの後、該第一の出力より大きい第二の出力で該レーザー加工溝に沿ってレーザービームを照射し、該ウェーハを切断するウェーハ切断ステップと、
を含み、
該ウェーハ切断ステップでは、該レーザービームが該レーザー加工溝の側壁に照射されないように調整されることを特徴とする、
デバイスチップの製造方法。

【請求項2】

該樹脂層形成ステップの後かつ該樹脂層加工ステップの前に、該樹脂層が形成された側に保護膜を形成する保護膜形成ステップと、
該ウェーハ切断ステップの後に、該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、
を更に含むことを特徴とする、
請求項１に記載のデバイスチップの製造方法。

【請求項3】

該樹脂層は絶縁性のフィルムであることを特徴とする、
請求項１または２に記載のデバイスチップの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、デバイスチップの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半田等からなる接続端子（バンプ）を有する半導体チップを実装する方法として、半導体チップに予め設けられた封止用のペースト状またはフィルム状の樹脂層を介して半導体チップ同士を接合する方法が知られている（特許文献１参照）。上記の半導体チップの製造工程では、デバイスチップの薄型化や多段積層に対応するため、裏面が研削され薄化されたウェーハの表面に樹脂層を形成し、樹脂層側からダイシングすることで、樹脂層が形成された半導体チップを簡便に得ることができるとして注目されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１６－９２１８８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、薄化されたウェーハを切削ブレードにより切削すると、裏面チッピングが多発するという問題があった。そこで、レーザービームの照射によるアブレーションでダイシングする方法を検討したが、樹脂層が熱に弱いため、レーザービームの熱影響を受けて樹脂が硬化してしまい、実装段階で実施される熱圧着で樹脂が伸び広がらず、チップ不良の原因となるという新たな課題が明らかになった。

【0005】

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、レーザービームによる分割加工時に生じる樹脂層への熱影響を抑制することができるデバイスチップの製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のデバイスチップの製造方法は、表面に格子状に設定された分割予定ラインによって区画された領域に複数のデバイスが形成されたウェーハを個々のデバイスに分割してデバイスチップを製造するデバイスチップの製造方法であって、該ウェーハの表面側に樹脂層を形成する樹脂層形成ステップと、該樹脂層形成ステップの後、該樹脂層が形成された側から該分割予定ラインに沿って第一の出力でレーザービームを照射し、該樹脂層に対してレーザー加工溝を形成する樹脂層加工ステップと、該樹脂層加工ステップの後、該第一の出力より大きい第二の出力で該レーザー加工溝に沿ってレーザービームを照射し、該ウェーハを切断するウェーハ切断ステップと、を含み、
該ウェーハ切断ステップでは、該レーザービームが該レーザー加工溝の側壁に照射されないように調整されることを特徴とする。

【0008】

また、本発明のデバイスチップの製造方法は、該樹脂層形成ステップの後かつ該樹脂層加工ステップの前に、該樹脂層が形成された側に保護膜を形成する保護膜形成ステップと、該ウェーハ切断ステップの後に、該保護膜を除去する保護膜除去ステップと、を更に含んでもよい。

【0009】

また、本発明のデバイスチップの製造方法において、該樹脂層は絶縁性のフィルムであってもよい。

【発明の効果】

【0010】

本願発明は、レーザービームによる分割加工時に生じる樹脂層への熱影響を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、実施形態のデバイスチップの製造方法の加工対象のウェーハの斜視図である。

【図2】図２は、実施形態のデバイスチップの製造方法の流れを示すフローチャート図である。

【図3】図３は、図２に示す樹脂層形成ステップの一例を示す斜視図である。

【図4】図４は、図２に示す保護膜形成ステップの一例を一部断面で示す側面図である。

【図5】図５は、図２に示す保護膜形成ステップの図４の後の一状態のウェーハの要部を示す断面図である。

【図6】図６は、図２に示す樹脂層加工ステップの一例を一部断面で示す側面図である。

【図7】図７は、図２に示す樹脂層加工ステップの図６の後の一状態のウェーハの要部を示す断面図である。

【図8】図８は、図２に示すウェーハ切断ステップの一例を一部断面で示す側面図である。

【図9】図９は、図２に示すウェーハ切断ステップの図８の後の一状態のウェーハの要部を示す断面図である。

【図10】図１０は、図２に示す保護膜除去ステップの一例を一部断面で示す側面図である。

【図11】図１１は、図２に示す保護膜除去ステップの図１０の後の一状態のウェーハの要部を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。更に、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

【0013】

〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るデバイスチップ１８の製造方法について、図面に基づいて説明する。図１は、実施形態のデバイスチップ１８の製造方法の加工対象のウェーハ１０の斜視図である。ウェーハ１０は、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）等を基板１１とする円板状の半導体ウェーハ、光デバイスウェーハ等のウェーハである。基板１１は、実施形態において、３０μｍ以上５０μｍ以下の厚みであるシリコン基板である。

【0014】

ウェーハ１０は、基板１１の表面１２に格子状に設定される複数の分割予定ライン１３と、分割予定ライン１３によって区画された領域に形成される複数のデバイス１４と、を有する。デバイス１４は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、あるいはＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、あるいはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサ等である。デバイス１４が形成された表面１２と反対側に位置するウェーハ１０の面を裏面１５とする。

【0015】

実施形態において、ウェーハ１０は、デバイス１４に対応する領域で基板１１を貫通する貫通電極１６（図４等参照）と、基板１１の表面１２側で貫通電極１６に接続される電極バンプ１７と、を備えるＴＳＶ（Through-Silicon Via）ウェーハである。電極バンプ１７は、２００μｍ程度の高さを有し、デバイス１４の表面から突出している。なお、ウェーハ１０は、例えば、デバイス１４に対応する領域で基板１１を貫通する貫通電極１６と、基板１１の表面１２側で貫通電極１６に接続される再配線層（配線層）とを備えたインターポーザーウェーハであってもよい。

【0016】

ウェーハ１０は、分割予定ライン１３に沿って個々のデバイス１４毎に分割されて、デバイスチップ１８に個片化される。なお、デバイスチップ１８は、図１において、正方形状であるが、長方形状であってもよい。

【0017】

次に、実施形態に係るデバイスチップ１８の製造方法を説明する。図２は、実施形態のデバイスチップ１８の製造方法の流れを示すフローチャート図である。実施形態のデバイスチップ１８の製造方法は、樹脂層形成ステップ１と、保護膜形成ステップ２と、樹脂層加工ステップ３と、ウェーハ切断ステップ４と、保護膜除去ステップ５と、を含む。

【0018】

（樹脂層形成ステップ１）
図３は、図２に示す樹脂層形成ステップ１の一例を示す斜視図である。樹脂層形成ステップ１は、ウェーハ１０の表面１２側に樹脂層２２を形成するステップである。実施形態では、ウェーハ１０の表面１２側に樹脂層２２を形成する前に、ウェーハ１０を環状のフレーム２０およびテープ２１に固定する。

【0019】

フレーム２０は、ウェーハ１０の外径より大きな開口を有し、金属や樹脂等の材質で構成される。テープ２１は、ウェーハ１０をフレーム２０に固定するための粘着テープである。テープ２１は、例えば、合成樹脂で構成された基材層と、基材層に積層されかつ粘着性を有する合成樹脂で構成された糊層と、を含む。ウェーハ１０を環状のフレーム２０およびテープ２１に固定する際は、まず、テープ２１を、フレーム２０の裏面側に貼着し、次に、ウェーハ１０をフレーム２０の開口の所定の位置に位置決めして、裏面１５側をテープ２１に貼着させる。

【0020】

実施形態において、樹脂層２２は、粘着性を有する樹脂で構成された絶縁性のフィルムであり、例えば、ＮＣＦ（Non Conductive Film）である。フィルムである樹脂層２２の外径は、ウェーハ１０の外径とほぼ同等である。また、樹脂層２２の厚みは、実施形態において、１５μｍである。樹脂層形成ステップ１では、図３に示すように、フレーム２０およびテープ２１に固定されたウェーハ１０の表面１２側から、ウェーハ１０の表面１２全体を覆うように樹脂層２２を貼着する。樹脂層２２は、分割予定ライン１３とデバイス１４との凹凸を吸収するようにウェーハ１０の表面１２全体を覆った状態で密着される。

【0021】

（保護膜形成ステップ２）
図４は、図２に示す保護膜形成ステップ２の一例を一部断面で示す側面図である。図５は、図２に示す保護膜形成ステップ２の図４の後の一状態のウェーハ１０の要部を示す断面図である。保護膜形成ステップ２は、ウェーハ１０の樹脂層２２が形成された側に保護膜２３を形成するステップである。保護膜形成ステップ２は、樹脂層形成ステップ１の後かつ樹脂層加工ステップ３の前に実施される。

【0022】

図４に示すように、実施形態の保護膜形成ステップ２では、保護膜形成装置３０を用いて保護膜２３を形成する。保護膜形成装置３０は、実施形態において、スピンコータを含む。保護膜形成装置３０は、保持面３２を有するチャックテーブル３１と、クランプ部材３３と、回転軸部材３４と、樹脂供給ノズル３５と、を備える。なお、保護膜形成装置３０は、後述のレーザー加工装置４０に搭載される保護膜形成ユニットであってもよい。

【0023】

保護膜形成ステップ２では、まず、テープ２１を介してウェーハ１０の裏面１５側をチャックテーブル３１の保持面３２に吸引保持し、フレーム２０の外周部をクランプ部材３３で固定する。次に、回転軸部材３４によってチャックテーブル３１を軸心回りに回転させた状態で、樹脂供給ノズル３５から液状の樹脂３６をウェーハ１０の表面１２に形成された樹脂層２２上に滴下させる。この際、樹脂供給ノズル３５は、ウェーハ１０の半径方向に往復移動させてもよい。滴下された液状の樹脂３６は、チャックテーブル３１の回転により発生する遠心力によって、ウェーハ１０の表面１２に形成された樹脂層２２上を中心側から外周側に向けて流れていき、樹脂層２２の全面に塗布される。

【0024】

樹脂３６は、例えば、ポリビニルアルコール（Polyvinyl Alcohol：ＰＶＡ）またはポリビニルピロリドン（Polyvinylpyrrolidone：ＰＶＰ）等の水溶性樹脂である。なお、本発明では、樹脂３６として、例えば、株式会社ディスコ社製のＨｏｇｏｍａｘ（登録商標）を用いることができる。保護膜形成ステップ２では、ウェーハ１０の表面１２側の樹脂層２２の全面に塗布された液状の樹脂３６を乾燥させて、図５に示すように、水溶性の樹脂３６で構成される保護膜２３を、ウェーハ１０の表面１２側に形成された樹脂層２２の更に上層に形成する。保護膜２３の厚みは、実施形態において、５μｍ以上１５μｍ以下程度である。

【0025】

（樹脂層加工ステップ３）
図６は、図２に示す樹脂層加工ステップ３の一例を一部断面で示す側面図である。図７は、図２に示す樹脂層加工ステップ３の図６の後の一状態のウェーハ１０の要部を示す断面図である。樹脂層加工ステップ３は、樹脂層２２が形成された側から分割予定ライン１３に沿って第一の出力でレーザービーム４５を照射し、樹脂層２２に対してレーザー加工溝２４を形成するステップである。樹脂層加工ステップ３は、樹脂層形成ステップ１の後に実施される。実施形態の樹脂層加工ステップ３は、更に、保護膜形成ステップ２の後に実施される。

【0026】

図６に示すように、実施形態の樹脂層加工ステップ３では、レーザー加工装置４０を用いてレーザー加工溝２４を形成する。レーザー加工装置４０は、保持面４２を有するチャックテーブル４１と、クランプ部材４３と、レーザービーム照射ユニット４４と、チャックテーブル４１とレーザービーム照射ユニット４４から出射されるレーザービームの集光点とを相対的に移動させる不図示の移動ユニットとを備える。

【0027】

樹脂層加工ステップ３では、まず、テープ２１を介してウェーハ１０の裏面１５側をチャックテーブル４１の保持面４２に吸引保持し、フレーム２０の外周部をクランプ部材４３で固定する。次に、分割予定ライン１３に沿ってチャックテーブル４１とレーザービーム照射ユニット４４から出射されるレーザービームの集光点とを相対的に移動させながら、レーザービーム４５を、ウェーハ１０の樹脂層２２が形成された側に照射させる。

【0028】

樹脂層加工ステップ３で照射されるレーザービーム４５は、樹脂層２２および保護膜２３に対して吸収性を有する波長のレーザービームであり、第一の出力で照射される。第一の出力のレーザービーム４５は、実施形態において、出力が５Ｗ、パス数が５パス、繰り返し周波数が３００ｋＨｚ、送り速度が１０００ｍｍ／ｓである。レーザービーム４５は、実施形態のように樹脂層２２の表面に集光点位置が固定されてもよいし、変更されてもよい。また、レーザービーム４５は、加工送り方向に分岐して照射されてもよい。

【0029】

図７に示すように、樹脂層加工ステップ３では、樹脂層２２の表面に集光点を位置付けたレーザービーム４５を、分割予定ライン１３に沿って照射することによって、分割予定ライン１３に沿ったレーザー加工溝２４が形成される。すなわち、レーザービーム４５によって、ウェーハ１０の表面１２を覆う樹脂層２２および保護膜２３のうち、分割予定ライン１３に相当する領域の樹脂層２２および保護膜２３が除去されてレーザー加工溝２４が形成される。レーザー加工溝２４は、分割予定ライン１３に相当する領域の樹脂層２２および保護膜２３の一部を除去して基板１１を露出させる。

【0030】

この際、レーザー加工溝２４の側壁には、レーザービーム４５の照射によって熱影響を受けて樹脂が硬化した熱影響層２５（Heat-Affected Zone：ＨＡＺ）が形成される。樹脂層加工ステップ３で樹脂を除去するための第一の出力のレーザービーム４５は、後述のウェーハ切断ステップ４でウェーハ１０の基板１１を切断するための第二の出力のレーザービーム４６より出力が小さい。このため、熱に弱い樹脂層２２および保護膜２３の樹脂に対しての熱影響を抑制することができる。

【0031】

更に、実施形態では、ウェーハ１０の表面１２側に形成された樹脂層２２を、更に保護膜２３で覆っている。レーザービーム４５の熱影響を最も受け、熱影響層２５が大きくなる表面側を保護膜２３で覆っているため、樹脂層２２における熱影響層２５の幅２６を小さくすることができる。

【0032】

（ウェーハ切断ステップ４）
図８は、図２に示すウェーハ切断ステップ４の一例を一部断面で示す側面図である。図９は、図２に示すウェーハ切断ステップ４の図８の後の一状態のウェーハ１０の要部を示す断面図である。ウェーハ切断ステップ４は、第一の出力より大きい第二の出力でレーザー加工溝２４に沿ってレーザービーム４６を照射し、ウェーハ１０を切断するステップである。ウェーハ切断ステップ４は、樹脂層加工ステップ３の後、実施される。

【0033】

図８に示すように、実施形態のウェーハ切断ステップ４では、樹脂層加工ステップ３で用いたレーザー加工装置４０を用いてウェーハ１０を切断するが、樹脂層加工ステップ３で用いたレーザー加工装置４０とは異なるレーザー加工装置を用いてもよい。

【0034】

ウェーハ切断ステップ４では、ウェーハ１０の表面１２側の樹脂層２２および保護膜２３に形成したレーザー加工溝２４に沿って、チャックテーブル４１とレーザービーム照射ユニット４４から出射されるレーザービームの集光点とを相対的に移動させながら、レーザービーム４６を、ウェーハ１０の樹脂層２２から露出した基板１１の表面１２側に照射させる。

【0035】

ウェーハ切断ステップ４で照射されるレーザービーム４６は、基板１１に対して吸収性を有する波長のレーザービームであり、第一の出力より大きい第二の出力で照射される。第二の出力のレーザービーム４６は、実施形態において、出力が７Ｗ、パス数が１５パス、繰り返し周波数が３００ｋＨｚ、送り速度が１０００ｍｍ／ｓである。

【0036】

レーザービーム４６は、実施形態のように樹脂層２２の表面の高さに集光点位置が固定されてもよいし、例えば、基板１１の表面１２に変更されてもよい。また、レーザービーム４６は、加工送り方向に分岐して照射されてもよい。ウェーハ切断ステップ４では、レーザービーム４６がレーザー加工溝２４の側壁に照射されないように調整される。レーザービーム４６は、例えば、ビーム形状を成形されることによってレーザー加工溝２４の側壁に照射されないように調整される。また、レーザービーム４６は、例えば、出力や集光点の位置等が調整されることによってレーザー加工溝２４の側壁に照射されないように調整されてもよい。

【0037】

図９に示すように、ウェーハ切断ステップ４では、樹脂層２２の表面の高さに集光点を位置付けたレーザービーム４６を、レーザー加工溝２４に沿って照射することによって、分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１０が分割されて、デバイスチップ１８に個片化される。この際、レーザー加工溝２４によって、樹脂層２２および保護膜２３の分割予定ライン１３に沿った領域は除去されて基板１１が露出している。このため、レーザービーム４６は、分割予定ライン１３に沿って基板１１の表面１２に直接照射され、レーザー加工溝２４の側壁である樹脂層２２および保護膜２３には照射されない。これにより、熱影響層２５の拡大を抑制することができる。

【0038】

（保護膜除去ステップ５）
図１０は、図２に示す保護膜除去ステップ５の一例を一部断面で示す側面図である。図１１は、図２に示す保護膜除去ステップ５の図１０の後の一状態のウェーハ１０の要部を示す断面図である。保護膜除去ステップ５は、保護膜２３を除去するステップである。保護膜除去ステップ５は、ウェーハ切断ステップ４の後に、実施される。

【0039】

図１０に示すように、実施形態の保護膜除去ステップ５では、洗浄装置５０によって、ウェーハ１０の表面１２側に形成された樹脂層２２の表面を覆う水溶性の樹脂で構成される保護膜２３を、洗浄液５６で洗浄して除去する。洗浄装置５０は、保持面５２を有するチャックテーブル５１と、クランプ部材５３と、回転軸部材５４と、洗浄液供給ノズル５５と、を備える。

【0040】

なお、洗浄装置５０は、保護膜形成装置３０と兼用の装置であってもよい。より詳しくは、洗浄装置５０のチャックテーブル５１、クランプ部材５３および回転軸部材５４は、保護膜形成装置３０のチャックテーブル３１、クランプ部材３３および回転軸部材３４と兼用であってもよい。また、洗浄装置５０は、レーザー加工装置４０に搭載される洗浄ユニットであってもよい。

【0041】

保護膜除去ステップ５では、まず、テープ２１を介してウェーハ１０の裏面１５側をチャックテーブル５１の保持面５２に吸引保持し、フレーム２０の外周部をクランプ部材５３で固定する。次に、回転軸部材５４によってチャックテーブル５１を軸心回りに回転させた状態で、洗浄液供給ノズル５５から洗浄液５６をウェーハ１０の表面１２に形成された樹脂層２２に向けて供給させる。この際、洗浄液供給ノズル５５は、ウェーハ１０の半径方向に往復移動させてもよい。

【0042】

洗浄液５６は、例えば、洗浄液供給ノズル５５より上流の水路で１０ＭＰａ以上１２ＭＰａ以下程度に水圧が調整された加圧水である。洗浄液５６は、例えば、純水である。洗浄液５６は、エアーを混入させたバブル水であってもよい。また、水とエアーとを合流させた所謂２流体で洗浄してもよい。

【0043】

供給された洗浄液５６は、チャックテーブル３１の回転により発生する遠心力によって、ウェーハ１０の表面１２に形成された樹脂層２２上を中心側から外周側に向けて流れていき、樹脂層２２の表面を覆った保護膜２３を洗浄する。樹脂層２２の表面を覆った保護膜２３を洗浄することによって、図１１に示すように、樹脂層２２の表面が露出する。これにより、基板１１の表面１２に樹脂層２２が形成されたデバイスチップ１８を得ることができる。

【0044】

以上説明したように、実施形態のデバイスチップ１８の製造方法では、低出力（第一の出力）で樹脂層２２を加工した後に、高出力（第二の出力）で基板１１を加工することにより、レーザー加工時に生じる樹脂層２２への熱影響を抑制しつつ、確実に基板１１を分割することができる。

【0045】

また、低出力での加工により形成されたレーザー加工溝２４によって、基板１１を切断する際の高出力の加工時の高温のデブリやプラズマの飛散方向を制限することができるため、デブリの付着やプラズマの拡散による熱影響の抑制にも貢献できる。

【0046】

更に、樹脂層２２の表面を覆う保護膜２３を形成することにより、熱影響層２５を抑制することができる。実施形態のように保護膜２３を形成し、樹脂層２２を第一の出力で加工し、基板１１を第二の出力で加工した場合、熱影響層２５の幅２６は、４５μｍ程度である。これに対し、例えば、保護膜２３を形成し、樹脂層２２と基板１１とを同出力のレーザービームで加工した場合、熱影響層２５の幅２６は、６０μｍ程度である。更に、例えば、保護膜２３を形成せず、樹脂層２２と基板１１とを同出力のレーザービームで加工した場合、熱影響層２５の幅２６は、８０μｍ程度である。

【0047】

また、実施形態においては、樹脂層加工ステップ３とウェーハ切断ステップ４とが続けて実施され、ウェーハ切断ステップ４を実施した直後に保護膜除去ステップ５が実施されることが好ましい。なお、ウェーハ切断ステップ４を実施した直後とは、ウェーハ切断ステップ４後で、かつレーザー加工装置４０によってウェーハ切断ステップ４が実施されたウェーハ１０が洗浄装置５０まで搬送されてくるまでの所要時間経過した後をいう。樹脂層加工ステップ３およびウェーハ切断ステップ４を実施した直後に保護膜除去ステップ５を実施することにより、レーザー加工時に保護膜２３に付着したデブリが徐々に変質して除去しづらくなる前に除去させることができる。

【0048】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。また、例えば、実施形態の図６および図７に示す樹脂層加工ステップ３では、分割予定ライン１３に相当する領域の樹脂層２２および保護膜２３の一部を除去して基板１１を露出させたが、本発明では、必ずしも基板１１を露出させる必要はない。すなわち、樹脂層加工ステップ３の後に分割予定ライン１３に沿った領域の樹脂層２２が所定量除去されている状態であれば、ウェーハ切断ステップ４において熱影響層２５の拡大を抑制する効果を同様に得られる。

【符号の説明】

【0049】

１０ ウェーハ
１１ 基板
１２ 表面
１３ 分割予定ライン
１４ デバイス
１５ 裏面
１８ デバイスチップ
２２ 樹脂層
２３ 保護膜
２４ レーザー加工溝
２５ 熱影響層
２６ 幅
４５、４６ レーザービーム

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】