特許7752128高周波デバイスのための、圧電層を転写するのに使用できる圧電構造体を製造するための方法、及びそのような圧電層を転写するための方法

発明の名称　高周波デバイスのための、圧電層を転写するのに使用できる圧電構造体を製造するための方法、及びそのような圧電層を転写するための方法

出願人　ソイテック　（識別番号 598054968）

　　　　特許公開件数ランキング 950 位（3件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 5799 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7752128

公報発行日　2025年10月9

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7752128

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