特許7786388エッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法

発明の名称　エッチングガス、エッチング方法、及び半導体素子の製造方法

出願人　日立化成株式会社　（識別番号 4455）

　　　　特許公開件数ランキング 107 位（100件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 47 位（160件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7786388

公報発行日　2025年12月16

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7786388

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