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発光装置、発光装置の製造方法、およびサブマウントの製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

端面出射型の半導体レーザ素子の温度上昇を抑制することが可能な発光装置およびその製造方法、ならびに端面出射型の半導体レーザ素子から発せられる熱を効率的に外部に伝えることが可能なサブマウントの製造方法が求められている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の発光装置は、一実施形態において、互いに直交する第１方向および第２方向に沿って拡がる上面および下面を有するグラファイト層であって、前記第１方向に積層された複数のグラフェンを含み、前記複数のグラフェンの各々は前記第２方向に沿って延びている、グラファイト層と、前記第１方向および前記第２方向に沿って拡がる上面および下面を有し、前記グラファイト層より厚い、支持層であって、前記グラファイト層の前・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

端面出射型の半導体レーザ素子の温度上昇を抑制することが可能な発光装置およびその製造方法、ならびに端面出射型の半導体レーザ素子から発せられる熱を効率的に外部に伝えることが可能なサブマウントの製造方法を実現できる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 図１Ａは、本開示の例示的な実施形態による発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。
【図1B】 図１Ｂは、図１Ａに示す発光装置の内部の構成を模式的に示す上面図である。
【図2A】 図２Ａは、図１Ａの発光装置からパッケージ、リード端子、およびワイヤを省略した構成のより詳細を示す斜視図である。
【図2B】 図２Ｂは、図２Ａの発光装置から第１金属膜および第２金属膜を省略した構成を模式的に示す斜視図である。
【図3A】 図３Ａは、図２Ｂに示す発光装置の上面図である。
【図3B】 図３Ｂは、図２Ｂに示す発光装置の側面図である。
【図4A】 図４Ａは、本開示の実施形態の第１変形例による発光装置を模式的に示す斜視図である。
【図4B】 図４Ｂは、図４Ａの発光装置から第１金属膜および第２金属膜を省略した構成を模式的に示す斜視図である。
【図4C】 図４Ｃは、本開示の実施形態の第２変形例による発光装置を模式的に示す斜視図である。
【図5A】 図５Ａは、グラファイトシートの製造方法における工程の例を説明するための図である。
【図5B】 図５Ｂは、グラファイトシートの製造方法における工程の例を説明するための図である。
【図6A】 図６Ａは、本開示の実施形態によるサブマウントの製造方法における工程の例を説明するための図である。
【図6B】 図６Ｂは、本開示の実施形態によるサブマウントの製造方法における工程の例を説明するための図である。
【図6C】 図６Ｃは、本開示の実施形態によるサブマウントの製造方法における工程の例を説明するための図である。
【図6D】 図６Ｄは、本開示の実施形態によるサブマウントの製造方法における工程の例を説明するための図である。
【図6E】 図６Ｅは、本開示の実施形態によるサブマウントの製造方法における工程の例を説明するための図である。
１０、１１Ａ、１１Ｂ サブマウント １０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ 積層体 １２、１３Ａ、１３Ｂ グラファイト層 １２Ａ グラファイトシート １２Ｂ、１２Ｃ グラファイト層 １２Ｇ グラファイト １２ｇ グラフェン １２ｇｓ グラフェンシート １２ｓ１ 上面 １２ｓ２ 下面 １３ａ 本体部 １３ｂ 鍔部 １４、１４Ａ 支持層 １４ｐ 周縁部 １４ｓ１ 上面 １４ｓ２ 下面 １６ａ、１６Ａ 第１金属膜 １６ｂ、１６Ｂ 第２金属膜 ２０ 半導体レーザ素子 ２０ｅ 端面 ２０ｗ 導波路 ３０ パッケージ ３０Ｌ 蓋体 ３０ｂ 基体 ３０ｂｔ 内側底面 ３０ｍ 部材 ３０ｗ 窓 ４０ リード端子 ４０ｗ ワイヤ １００、１１０Ａ、１１０Ｂ 発光装置

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