特許7790626エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法

発明の名称　エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法

出願人　株式会社ＳＵＭＣＯ　（識別番号 302006854）

　　　　特許公開件数ランキング 866 位（9件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 453 位（18件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7790626

公報発行日　2025年12月23

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7790626

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