特許7791179ガリウムベースのＩＩＩ－Ｎ合金の層をエピタキシャル成長させるための基板を製造するための方法

発明の名称　ガリウムベースのＩＩＩ－Ｎ合金の層をエピタキシャル成長させるための基板を製造するための方法

出願人　ソイテック　（識別番号 598054968）

　　　　特許公開件数ランキング 1223 位（2件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 5679 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7791179

公報発行日　2025年12月23

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7791179

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