特許7791440IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

発光素子の検査方法及び製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示に係る断線不良を検査する方法を提供することを課題とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

実施形態に開示される発光素子の検査方法は、ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、前記ｎ側半導体層と前記p側半導体層との間に配置された活性層と、を含む半導体構造体と、ｎ側電極及びｐ側電極を含む電極と、を含む発光素子の検査方法であって、前記ｎ側電極及び前記ｐ側電極を導電性の液体に電気的に接触させた状態で、前記発光素子に光を照射し、第１フォトルミネッセンス像を得る第１撮像工程と、前記第１撮像工程において・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示に係る実施形態によれば、断線不良の検査を行うことができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 発光素子の検査方法を例示するフローチャートである。
【図2A】 発光素子が形成されている成長基板を例示する平面図である。
【図2B】 図２Ａの一部を拡大して例示する平面図である。
【図2C】 図２ＢのＩＩＣ－ＩＩＣ線における断面図である。
【図3】 第１検査工程における発光素子を例示する断面図である。
【図4A】 第１ＰＬ像を模式的に示す平面図である。
【図4B】 可視光画像を模式的に示す平面図である。
【図4C】 第１ＰＬ像を例示する写真である。
【図5】 検査装置の構成を例示する概略図である。
【図6】 第２ＰＬ像を模式的に示す平面図である。
【図7】 発光素子の製造方法を例示するフローチャートである。
【図8A】 発光素子の製造方法を例示する断面図である。
【図8B】 発光素子の製造方法を例示する断面図である。
【図8C】 発光素子の製造方法を例示する断面図である。
【図8D】 発光素子の製造方法を例示する断面図である。
【図8E】 発光素子の製造方法を例示する平面図である。
【図8F】 発光素子の製造方法を例示する断面図である。
【図9】 発光素子を例示する斜視図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０ 検査装置 １２ 光源部 １３ フィルタ部 １４ 撮像部 １５ 画像処理部 ２０、２１発光素子 ３０ 半導体構造体 ３１ ｎ側半導体層 ３２ ｐ側半導体層 ３３ 活性層 ３４ 透光層 ３５ 素子領域 ４０ 電極 ４１ ｎ側電極 ４２ ｐ側電極 ５０ 液体 ６０ 光 ７１ 第１ＰＬ像 ７２ 第２ＰＬ像 １０１ 水槽 １０２ ステージ １０３ 搬送アーム １０４ 保持具 ２１０ 絶縁層 ２２０ 接着層 Ｂ１ 成長基板 Ｂ２ 支持基板 Ｓ１０ 発光素子の検査方法 Ｓ１１ 第１撮像工程 Ｓ１２ 第１検査工程 Ｓ２１ 第２撮像工程 Ｓ２２ 第２検査工程 Ｓ３０ 発光素子の製造方法 Ｓ３１ 準備工程 Ｓ３２Ａ 第１選別工程 Ｓ３２Ｂ 第２選別工程 Ｓ３３ 個片化工程 Ｓ３４ 光取出し面形成工程 Ｓ３５ 支持基板除去工程

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