特許7816191ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びＳｉＣデバイス

発明の名称　ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びＳｉＣデバイス

出願人　日立化成株式会社　（識別番号 4455）

　　　　特許公開件数ランキング 108 位（43件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 59 位（55件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7816191

公報発行日　2026年2月18

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7816191

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