特許7856895IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体レーザ素子

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、特許文献１が開示する横マルチモード型半導体レーザ素子は、縦モードのばらつきが大きい、すなわち発振波長のばらつきが大きい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一半導体レーザ素子は、基板と、活性層を含む導波路を備え、基板上に配置される半導体層部と、を備え、導波路は、回折格子を備える幅広部と、幅広部よりも導波路幅が狭く、活性層で生じる光が横マルチモードで伝播する幅狭部と、を含み、導波路は、幅狭部の端面を含む第１端面と、第１端面の反対側に位置する第２端面と、を備え、幅広部は、幅狭部と連続して接続され、第１端面側から第２端面側に向け・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一半導体レーザ素子は、発振波長のばらつきが小さい横マルチモード型半導体レーザ素子を提供できる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本開示の実施形態１に係る半導体レーザ素子の概略上面図である。
【図2】 図１に示す半導体レーザ素子のＩＩ－ＩＩ線における概略断面図である。
【図3】 図１に示す半導体レーザ素子のＩＩＩ－ＩＩＩ線における概略断面図である。
【図4】 図１に示す半導体レーザ素子のＩＶ－ＩＶ線における概略断面図である。
【図5A】 実施形態１に係る半導体レーザ素子の製造方法における一工程を示す概略断面図である。
【図5B】 実施形態１に係る半導体レーザ素子の製造方法における一工程を示す概略断面図である。
【図5C】 実施形態１に係る半導体レーザ素子の製造方法における一工程を示す概略断面図である。
【図5D】 実施形態１に係る半導体レーザ素子の製造方法における一工程を示す概略断面図である。
【図5E】 実施形態１に係る半導体レーザ素子の製造方法における一工程を示す概略上面図である。
【図5F】 実施形態１に係る半導体レーザ素子の製造方法における一工程を示す概略断面図である。
【図6】 本開示の実施形態２に係る半導体レーザ素子の概略上面図である。
【図7】 本開示の実施形態３に係る半導体レーザ素子の概略上面図である。
【図8】 本開示の実施形態４に係る光源装置の概略上面図である。
【図9A】 シミュレーションにおける導波路幅と横モード毎の実効屈折率との関係を表すグラフである。
【図9B】 シミュレーションにおける回折格子を設ける位置での導波路幅とブラッグ波長との関係を表すグラフである。

代表図 図1本件の代表的な図

１、１０１、２０１ 半導体レーザ素子 １ａ 第１面 １ｂ 第２面 ２ 基板 ３ 半導体層部 ４ 絶縁部材 ５ 第１電極 ６ 第２電極 １０ 第１層 １１ 第１ｎ側半導体層 １２ 第２ｎ側半導体層 ２０ 第２層 ２１ 第１ｐ側半導体層 ２２ 第２ｐ側半導体層 ３０ 活性層 ５０、１５０ 導波路 ５１ 第１端面 ５２ 第２端面 ５３ 幅狭部 ５４、１５４ 幅広部 ５５ 第１領域 ５６ 第２領域 ６０、２６０、５６０ 回折格子 ６１、２６１ 第１凸部 ６２、２６２ 第２凸部 ６３ 第１凹部 ７０ リッジ ８０ マスクパターン ８１ 保護膜 ９１ 光源部 ９２ コリメートレンズ ９３ 合波用回折格子 ４００ 光源装置 ｄ１、ｄ２ 距離 ｚ１、ｚ２ 高さ ｙ１～ｙ４ 幅 ｘ１、ｘ２ 幅 Ｄ 光の伝播方向 Ｌ１、Ｌ２ 接線 Ｐ ピッチ Ｘ 第１方向 Ｙ 第２方向 Ｚ 第３方向

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