特許7862700IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

発光装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示に係る正面方向への光取り出し効率を向上できる発光装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一態様によれば、発光装置は、第１面と、第１方向において前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面と前記第２面とを接続する第１側面とを有する透光性部材と、前記第１面に対向する第３面と、前記第１方向において前記第３面の反対側に位置する第４面と、前記第３面と前記第４面とを接続する第２側面とを有する第１半導体構造体と、前記第２面に対向する第５面と、前記第１方向において前記第５面の反対側・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示に係る実施形態によれば、正面方向への光取り出し効率を向上できる発光装置を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施形態の発光装置の模式断面図である。
【図2】 実施形態の発光部の模式上面図である。
【図3】 図２のIII-III線における発光部の模式断面図である。
【図4A】 実施形態の第１発光素子の模式断面図である。
【図4B】 実施形態の第２発光素子の模式断面図である。
【図5】 実施形態の第１変形例による発光部の模式断面図である。
【図6】 実施形態の第２変形例による発光部の一部の模式断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１…発光装置、１０…第１発光素子、１１…第１半導体構造体、１１ａ…第３面、１１ｂ…第４面、１１ｃ…第２側面、１２…第１ｎ側層、１３…第１活性層、１４…第１ｐ側層、２０…第２発光素子、２１…第２半導体構造体、２１ａ…第５面、２１ｂ…第６面、２１ｃ…第３側面、２２…第２ｎ側層、２３…第２活性層、２４…第２ｐ側層、２５…透光性導電層、３０…透光性部材、３０ａ…第１面、３０ｂ…第２面、３０ｃ…第１側面、４１…第１透光性基板、４２…第２透光性基板、４３…第１誘電体多層膜、５１…第１電極、５１ｎ…第１ｎ側電極、５１ｐ…第１ｐ側電極、５２…第２電極、５２ｎ…第２ｎ側電極、５２ｐ…第２ｐ側電極、６０…光反射性部材、６０ａ…上面、６０ｂ…第１側面部、６０ｃ…第２側面部、７１…第１配線部、７１ｎ…第１ｎ側配線部、７１ｐ…第１ｐ側配線部、７２…第２配線部、７２ｎ…第２ｎ側配線部、７２ｐ…第２ｐ側配線部、８１～８２…ワイヤ、９１…保護樹脂、１０１…発光部、２００…基板、２０１…第１導電部、２０２…第２導電部、３００…領域

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