特許7863280IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

発光素子及び発光装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、所望の発光分布を有する発光素子及び発光装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば、発光素子は、上面視において、第１方向に延びる長辺と、前記第１方向に直交する第２方向に延び、前記長辺よりも短い短辺とを有する半導体構造体であって、ｎ側層と、ｐ側層と、前記ｎ側層と前記ｐ側層との間に位置する活性層とを有し、前記ｎ側層は、前記活性層及び前記ｐ側層から露出された複数の第１領域と、前記活性層及び前記ｐ側層が配置された第２領域と、を有する、前記半導体構造体と、前記・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、所望の発光分布を有する発光素子及び発光装置を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第１実施形態の発光素子の模式上面図である。
【図2】 図１のII-II線における模式断面図である。
【図3】 図１のIII-III線における模式断面図である。
【図4】 第２実施形態の発光素子の模式上面図である。
【図5】 第３実施形態の発光装置の模式上面図である。
【図6】 図５のＶI-ＶI線における模式断面図である。
【図7A】 第３実施形態の発光装置における複数の発光素子の配置関係を説明するための模式上面図である。
【図7B】 第３実施形態の発光装置における複数の発光素子の配置関係を説明するための模式上面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１～３…発光素子、１０…半導体構造体、１０ａ…長辺、１０ｂ…短辺、１１…ｎ側層、１１ａ…第１領域、１１ｂ…第２領域、１１ｃ…第３領域、１２…活性層、１３…ｐ側層、２０…ｐ側電極、２１…第１ｐ側電極、２２…第２ｐ側電極、２３…ｎ側電極、３０…被覆膜、３１…第６開口部、４０…絶縁膜、４１…第１開口部、４２…第２開口部、４３…第３開口部、５０…保護膜、５１…第４開口部、５２…第５開口部、６１…ｎ側外部接続部、６１ａ…第１辺、６１ｂ…第２辺、６２…ｐ側外部接続部、６２ａ…第１辺、６２ｂ…第２辺、９０…基板、１００…発光装置、１１０…基板、２００ｐ…ｐ側領域、２００ｎ…ｎ側領域、Ｃ…角部

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